CN111029480A - 一种底发射显示基板、制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种底发射显示基板、制作方法和显示装置，所述显示基板包括位于透明衬底上的阵列排布的发光单元，还包括位于所述透明衬底远离所述发光单元一侧的与所述发光单元相对应的多个光散射部，用于散射所述发光单元出射的光线，所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影；以及覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层。本发明提供的实施例通过设置在显示基板远离发光单元一侧的光散射部和保护层能够有效提高显示基板的光取出效率，具有广泛的应用前景。

Description

一种底发射显示基板、制作方法和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种底发射显示基板、制作方法和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。

现有大尺寸的OLED显示基板通常采用底发光方案，有机发光层发出的光线经由透光阳极出射OLED显示基板。然而，对于底发射结构的显示基板来说，由于光输出需透过驱动集成背板，因此背板设计的空间较小，开口率较低。

因此，如何提高底发射显示基板的正面亮度成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述问题至少之一，本发明第一个实施例提供一种底发射显示基板，包括位于透明衬底上的驱动电路和阵列排布的发光单元，还包括

位于所述透明衬底远离所述发光单元一侧的与所述发光单元相对应的多个光散射部，用于散射所述发光单元从所述透明衬底出射的光线，所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影；以及

覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层。

进一步的，所述保护层为抗侵蚀的聚苯撑恶唑类聚合物，所述保护层的材料为具有如下结构式的化合物：

其中，所述X为S、O、NH中的一种，所述n为正整数。

进一步的，所述保护层的吸收光谱范围为α，其中，α大于0且小于450nm。

进一步的，所述光散射部包括基质以及设置于所述基质中的散射粒子，所述基质的折射率大于等于所述透明衬底的折射率，所述散射粒子的折射率小于所述基质的折射率。

进一步的，所述散射粒子在所述光散射部中的质量百分比为β，其中，β大于0.5％且小于8％；

和/或

所述散射粒子均匀分布在所述基质中，所述散射粒子在所述光散射部中的分散度为γ，其中γ大于0.5％且小于15％；

和/或

所述散射粒子为SiO₂、Si₃N₄和BO₂中的一种；

和/或

所述散射粒子的尺寸为δ，其中δ大于100nm且小于1000nm。

进一步的，包括：

透明衬底；

多个光散射部，形成于所述透明衬底上；

保护层，覆盖所述多个光散射部和露出的透明衬底；

驱动电路，形成于所述透明衬底远离所述光散射部的一侧；

发光单元，形成于所述驱动电路上，包括从所述驱动电路到远离所述驱动电路方向依次形成的半反射阳极层、P型掺杂层、空穴传输层、空穴传输层、RGB电子阻挡层、RGB发光层、空穴阻挡层、电子传输层、N型掺杂层、P型掺杂层和全反射阴极层，其中所述RGB电子阻挡层和RGB发光层与所述光散射部相对应，所述RGB发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影；

封装层，形成于所述发光单元上。

进一步的，所述半反射阳极层和全反射阴极层的距离为ε，其中，ε大于60nm且小于200nm。

进一步的，所述半反射阳极层为Cu、Ag和Au中的一种；

或者

所述半反射阳极层为复合电极，所述复合电极包括金属与透明氧化物，其中，所述复合电极为：

所述金属形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述透明氧化物形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧；

或者

所述透明氧化物形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述金属形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧。

本发明第二个实施例提供一种显示装置，包括第一个实施例所述的显示基板。

本发明第三个实施例提供一种底发射显示基板的制作方法，包括：

在透明衬底上形成光散射材料层；

图案化所述光散射材料层形成多个光散射部；

覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层；

在透明衬底的另一侧依次形成驱动电路和发光单元，其中所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影。

本发明的有益效果如下：

本发明针对目前现有的问题，制定一种底发射显示基板、制作方法和显示装置，通过设置在显示基板远离发光单元一侧的光散射部和保护层能够有效提高显示基板的光取出效率，从而弥补了现有技术中问题，具有广泛的应用前景。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的结构示意图；

图2示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的制作方法的流程图；

图3示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的出光亮度—出光效率曲线图；

图4示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的视角角度—出光亮度曲线图；

图5示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的“亮度-效率”曲线图；

图6示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的工作时间—工作亮度曲线图；

图7示出本发明的一个实施例所述底发射显示基板的分散度—外量子效率曲线图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

需要说明的是，本文中所述的“在……上”、“在……上形成”和“设置在……上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。

如图1所示，本发明的一个实施例提供了一种底发射显示基板，包括位于透明衬底100上的驱动电路和阵列排布的发光单元、位于所述透明衬底远离所述发光单元一侧的与所述发光单元相对应的多个光散射部120，用于散射所述发光单元从所述透明衬底100出射的光线，所述发光单元的发光层105在所述透明衬底100上的正投影覆盖所述光散射部120在所述透明衬底100上的正投影；以及覆盖所述光散射120部和露出的透明衬底100的保护层121。

在本实施例中，所述光散射部用于散射发光单元从透明衬底出射的光线，基于光的散射原理提高OLED显示基板的光取出效率，同时通过与所述发光单元的发光层一一对应的光散射部能够有效减少显示基板因散射效应引起的光串扰，从而提高显示基板的显示效果。

在一个可选的实施例中，所述光散射部包括基质以及设置于所述基质中的散射粒子，所述基质的折射率大于等于所述透明衬底的折射率，所述散射粒子的折射率小于所述基质的折射率。

在本实施例中，所述光散射部为掺杂有大量分散散射粒子的基质，所述基质可以为透明聚合物类材料，如聚酰亚胺类等，固化后的折射率大于等于所述透明衬底的折射率，例如为1.6-1.8；厚度大于500nm且小于5000nm，在制备过程中可以通过在透明衬底上进行旋涂、提拉等工艺形成。所述散射粒子为SiO₂、Si₃N₄和BO₂中的一种，可以为球状颗粒也可以为其他形状颗粒，具体尺寸大于100nm且小于1000nm，所述散射粒子均匀分布在所述基质中。具体的，所述散射粒子在所述光散射部中的分散度为0.5％到15％，从质量上看，所述散射粒子在所述光散射部中的质量百分比为0.5％到8％。

由于所述散射粒子的折射率小于所述基质的折射率，当光线从折射率较低的透明衬底入射到折射率相等或较大的基质时，光线的传播方向发生偏移，当遇到折射率小于基质的散射粒子时光线改变原有传播方向向四周散射，从而提高光的取出率。值得说明的是，本申请对散射粒子的具体尺寸、在所述基质中的分散度和质量百分比不作限定，本领域技术人员应当根据实际需求选择适当尺寸的散射粒子，以及散射粒子在基质中的分散度或质量百分比，以能够提高光的取出率为设计准则，在此不再赘述。

考虑到目前现有的基板制作工艺流程，在一个可选的实施例中，所述保护层为抗侵蚀的聚苯撑恶唑类聚合物，所述保护层的材料为具有如下结构式的化合物：

其中，所述X包括但不限于为S、O、NH等取代基中的一种，所述n为正整数。

在本实施例中，根据所述显示基板现有的制备步骤，需要首先在所述透明衬底的一侧形成所述光散射部，然后再在透明衬底的另一侧形成驱动电路和发光单元，而制备所述驱动电路和发光单元的过程中需使用多种溶剂，因此为保护所述光散射部的完整性，在光散射部远离所述透明衬底的一侧形成保护层，所述保护层为具有上述结构式的抗侵蚀性能的聚苯撑恶唑类聚合物，该保护层材料仅溶解于有限的溶剂，例如“硝基甲烷：AlCl₃”的路易斯酸，其中AlCl₃质量浓度在2～10％之间调节。换句话说，在制备所述显示基板的过程中，所述保护层材料不会溶解与后续制备工艺所使用的各种溶剂，同时所述保护层可溶解的溶剂不会对光散射层造成侵蚀，从而实现所述保护层材料在制备显示基板的过程中对所述光散射部的保护。

考虑到光散射部对出射光线的散射，在一个可选的实施例中，所述保护层的吸收光谱范围大于0且小于450nm。

在本实施例中，所述保护层材料为宽禁带材料，吸收光谱范围小于450nm，在可见光区具有良好的透光性，从而在保护光散射部的同时不会影响发光单元的发光性能。

本申请的实施例通过在透明衬底的出光侧设置像素化的光散射部，将外部光取出结构集成在显示基板上，从而提高OLED显示基板的光取出率，具有高亮度低功耗的特点，有效提高大尺寸的OLED显示基板正视角的高亮度；同时通过保护层对光散射部进行保护，使得集成了外部光取出结构的显示基板能够兼容显示基板现有的制备过程，具有广泛的应用前景。

在一个可选的实施例中，如图1所示，所述显示基板包括：透明衬底100；多个光散射部120，形成于所述透明衬底上；保护层121，覆盖所述多个光散射部120和露出的透明衬底100；驱动电路(图中未示出)，形成于所述透明衬底100远离所述光散射部120的一侧；发光单元，形成于所述驱动电路上，包括从所述驱动电路到远离所述驱动电路方向依次形成的半反射阳极层101、P型掺杂层102、空穴传输层103、空穴传输层104、RGB电子阻挡层105、RGB发光层106、空穴阻挡层107、电子传输层108、N型掺杂层109、P型掺杂层110和全反射阴极层111，其中所述RGB电子阻挡层105和RGB发光层106与所述光散射部120相对应，所述RGB发光层106在所述透明衬底100上的正投影覆盖所述光散射部120在所述透明衬底100上的正投影；封装层111，形成于所述发光单元上。

在本实施例中，所述光散射部与所述RGB发光层一一对应，并且所述RGB发光层在透明衬底上的正投影大于所述光散射部在透明衬底上的正投影，能够有效减少显示基板因散射效应引起的光串扰，从而提高显示基板的显示效果。

在本实施例中，所述显示基板包括在透明衬底的一侧集成的外部取光结构，以及在透明衬底的另一侧形成的OLED器件，所述OLED器件包括半反射阳极层、全反射阴极层和位于所述半反射阳极层、全反射阴极层之间的发光器件，所述发光器件包括依次形成在所述半反射阳极层上的P型掺杂层、空穴传输层、空穴传输层、RGB电子阻挡层、RGB发光层、空穴阻挡层、电子传输层、N型掺杂层和P型掺杂层。

因此，所述OLED器件具有MDM(Metal-dielectric-metal)结构，即具有由半反射阳极层和全反射阴极层形成的两个反射面的光学谐振腔结构，同时阳极层为半透明，在反射的同时具有一定的透过率以实现发光层发射光线的出射。

考虑到MDM结构的光放大特性，在一个可选的实施例中，所述半反射阳极层和全反射阴极层的距离大于60nm且小于200nm。

在本实施例中，在保证OLED器件光电特性的基础上，尽可能减小金属阳极到金属阴极之间的距离。具体的，通过控制各膜层的厚度控制金属阳极到金属阴极之间的距离，值得说明的是，本领域技术人员应当根据实际应用需求设置各膜层的厚度以控制所述半反射阳极层和全反射阴极层的距离，以实现MDM结构的光放大特性为设计准则，在此不再赘述。

同时，所述OLED器件还具有由电子传输层、N型掺杂层和P型掺杂层形成的特殊阴极结构，所述阴极结构具有NP半导体结搭配高功函数金属，相对于普通的低功函数金属(如Mg,Li,Ca等)阴极，能够实现更长的器件寿命。在本实施例中，将现有技术中应用于顶发射显示基板的MDM结构应用于底发射显示基板，以及NP结阴极架构，对底发射显示基板的结构进行优化，从而进一步提升底发射显示基板的正视角亮度，具有广泛的应用前景。

在一个可选的实施例中，所述半反射阳极层为Cu、Ag和Au中的一种。

在本实施例中，所述半反射阳极层采用高功函数金属，通过真空热蒸镀，或磁控溅射等工艺将例如Cu、Ag和Au金属制备为半透明的阳极层，从而实现反射功能和透光功能。

在一个可选的实施例中，所述半反射阳极层为复合电极，所述复合电极包括金属与透明氧化物，所述金属形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述透明氧化物形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧。

在本实施例中，使用金属与透明氧化物制成的复合电极作为半反射阳极层，所述复合电极中，所述透明氧化物形成在所述金属上，所述透明氧化物可以为ITO或IZO等常用的高导电高透过率材料，厚度范围优选为小于10nm，从而保证MDM结构中辐射模式的强耦合。

在另一个可选的实施例中，所述半反射阳极层为复合电极，所述复合电极包括金属与透明氧化物，所述透明氧化物形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述金属形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧。

在本实施例中，使用金属与透明氧化物制成的复合电极作为半反射阳极层，所述复合电极中，所述金属形成在所述透明氧化物上，所述透明氧化物可以为ITO或IZO等常用的高导电高透过率材料，厚度大于5nm且小于200nm，本领域技术人员应当根据实际采用的光损耗基板模式在该范围内选择适当的透明氧化物的厚度，在此不再赘述。

与上述实施例提供的底发射显示基板相对应，本申请的一个实施例还提供一种上述底发射显示基板的制作方法，由于本申请实施例提供的制作方法与上述几种实施例提供的底发射显示基板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例提供的制作方法，在本实施例中不再详细描述。

如图2所示，本申请的一个实施例还提供一种上述底发射显示基板的制作方法，包括：在透明衬底上形成光散射材料层；图案化所述光散射材料层形成多个光散射部；覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层；在透明衬底的另一侧依次形成驱动电路和发光单元，其中所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影。

在一个具体的实施例中，如图1所示，具体包括：

首先，在透明衬底上形成光散射部。

在本实施例中，具体包括：

第一，在透明衬底上形成光散射材料层。

具体的，所述透明衬底为玻璃基板，在玻璃基板上通过旋涂、提拉等工艺形成光散射材料层，所述光散射材料层包括基质以及设置于所述基质中的散射粒子。其中，所述基质为环氧树脂类材料，固化后的折射率大于等于所述玻璃基板，厚度为500nm到5000nm；所述散射粒子为SiO₂、Si₃N₄和BO₂中的一种，可以为球状颗粒也可以为其他形状颗粒，具体尺寸在100nm到1000nm之间，所述散射粒子均匀分布在所述基质中，所述散射粒子在所述光散射部中的分散度大于0.5％且小于15％，从质量上看，所述散射粒子在所述光散射部中的质量百分比大于0.5％且小于8％。所述散射粒子的折射率小于所述基质的折射率。

第二，图案化所述光散射材料层形成多个光散射部。

在本实施例中，通过光刻工艺将所述光散射材料层像素化，值得说明的是，所述像素化指的是所述光散射部与位于所述玻璃基板另一侧的发光单元的发光层一一对应，并且所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影，从而有效减少显示基板因散射效应引起的光串扰，提高显示基板的显示效果。

其次，形成覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层。

在本实施例中，在像素化以后的光散射部和露出的透明衬底上涂覆保护层并去溶剂烘干。所述保护层用于在显示基板的制备过程中保护所述光散射部不受制备过程中其他液体的侵蚀，所述保护层为具有抗侵蚀性能的聚苯撑恶唑类聚合物，该保护层材料仅溶解于有限的溶剂。

最后，在透明衬底的另一侧依次形成驱动电路和发光单元。

在本实施例中，具体包括：

第一步，在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧形成驱动电路。

具体的，所述驱动电路包括驱动所述发光单元的驱动薄膜晶体管和各控制信号线。

第二步，在所述驱动电路上形成平坦化层。

第三步，在所述平坦化层上形成半反射阳极层。

在本实施例中，通过磁控溅射等工艺将具有高功函数的例如Cu、Ag和Au金属制备为半透明的阳极层，从而实现反射功能和透光功能。或者采用复合电极制备所述半反射阳极层，所述半反射阳极层包括金属与透明氧化物，具体的，所述金属形成在所述透明氧化物上，或者所述透明氧化物形成在所述金属上，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的半反射阳极层，在此不再赘述。

第四步，在所述半反射阳极层上形成P型掺杂层。

在本实施例中，在所述半反射阳极层上沉积P型掺杂材料作为空穴注入层，所述P型掺杂材料为包括0.5％～10％掺杂浓度的MnO₃、F₄-TCNQ的掺杂材料。

第五步，在所述P型掺杂层上形成空穴传输层。

在本实施例中，在所述P型掺杂层上沉积所述空穴传输层。

第六步，在所述空穴传输层上形成RGB电子阻挡层。

在本实施例中，在所述空穴传输层上沉积红/绿/蓝电子阻挡层，所述红/绿/蓝电子阻挡层与所述光散射部相对应。

第七步，在所述RGB电子阻挡层上形成RGB发光层。

在本实施例中，在所述红/绿/蓝电子阻挡层上沉积红/绿/蓝发光层，所述红/绿/蓝发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影，从而有效减少显示基板因散射效应引起的光串扰。

第八步，在所述RGB发光层上形成空穴阻挡层。

在本实施例中，所述空穴阻挡层覆盖所述RGB发光层。

第九步，在所述空穴阻挡层上形成电子传输层。

在本实施例中，在所述空穴阻挡层上沉积电子传输层。

第十步，在所述电子传输层上形成N型掺杂层。

在本实施例中，在电子传输层上通过共蒸工艺使用N型掺杂材料制备N型掺杂层，所述N型掺杂材料使用例如Li、Ca、Yb等掺杂浓度在0.5％～10％的低功函数金属。

第十一步，在所述N型掺杂层上形成P型掺杂层。

在本实施例中，在所述N型掺杂层上再次沉积前述N型掺杂材料作为P型掺杂层，所述N型掺杂材料为包括0.5％～10％掺杂浓度的MnO₃、F₄-TCNQ的掺杂材料。

值得说明的是，所述电子传输层、N型掺杂层和P型掺杂层形成NP结阴极架构，能够实现高稳定性长寿命的特点。

第十二步，在所述P型掺杂层上形成全反射阴极层。

在本实施例中，在所述P型掺杂层上沉积金属层，所述金属层为Cu、Ag和Al中的一种，或者为包括Cu、Ag或Al的合金，所述全反射阴极层的厚度大于80nm且小于200nm。

值得说明的是，所述全反射阴极层、半反射阳极层和位于两者之间的发光器件形成MDM(Metal-dielectric-metal)结构，即通过半反射阳极层和全反射阴极层形成具有两个反射面的光学谐振腔结构，同时阳极层为半透明，在反射的同时具有一定的透过率以实现发光层发射光线的出射。

同时，考虑到MDM结构的光放大特性，所述半反射阳极层和全反射阴极层的距离大于60nm且小于200nm，本领域技术人员应当根据实际应用需求在此范围内控制各膜层的厚度，在此不再赘述。

第十三步，在所述全反射阴极层上形成封装层。

至此，完成所述底发射显示基板的制作。

在本实施例中，通过在透明衬底的一侧集成外部光取出结构，在透明衬底的另一侧制备驱动电路、发光单元和封装层，能够有效提高显示基板的光取出率，获得正视角高亮度的显示效果；同时通过覆盖外部光取出结构的保护层实现对现有底发射显示基板制备工艺流程的兼容，有效降低工艺复杂度和成本。在此基础上，通过具有MDM结构和PINP架构的发光单元，进一步提升底发射显示基板的亮度，即结合顶发射显示基板的正面高效率和底发射结构易于集成外部取光结构的特点，形成具有高亮度低功耗的大尺寸OLED底发射显示基板，具有广泛的应用前景。

如图3所示，图中所述坐标的横轴为显示基板的出光亮度，所述纵轴为显示基板的出光效率，图中分别为本申请的底发射显示基板和现有技术的底发射显示基板的出光亮度—出光效率曲线。从图中可知，本申请的底发射显示基板相比于现有技术的底发射显示基板，在相同出光亮度情况下具有更高的光使用效率。

如图4所示，图中所述极坐标的角坐标为显示器件的视角角度，所述半径坐标为显示基板的出光亮度，图中分别为本申请的底发射显示基板和现有技术的底发射显示基板的视角角度—出光亮度曲线。从图中可知，本申请的底发射显示基板相比于现有技术的底发射显示基板，在相同视角角度下具有更高的亮度。

如图5所示，图中所述坐标的横轴为显示器件的亮度，所述第一纵轴为电流效率，所述第二纵轴为功率效率，图中分别为本申请的底发射显示基板和现有技术的底发射显示基板的“亮度-效率”曲线。从图中可知，本申请的底发射显示基板相比于现有技术的底发射显示基板，具有更高的发光效率。

如图6所示，图中所述坐标的横轴为显示基板的工作时间，所述纵轴为工作亮度，图中分别为本申请的底发射显示基板和现有技术的底发射显示基板的工作时间—工作亮度曲线。从图中可知，本申请的底发射显示基板相比于现有技术的底发射显示基板在相同的工作亮度下具有更长的工作时间，即本申请的底发射显示基板具有更长的使用寿命。

如图7所示，图中所述坐标的横轴为显示基板的光散射部的散射粒子在基质中的分散度，所述纵轴为外量子效率，图中为本申请的底发射显示基板的“分散度—外量子效率”曲线。从图中可知，本申请的底发射显示基板的光散射部在不同的分散度情况下的外外量子效率，当分散度大于0.5％且小于12％时具有较高的外量子效率，本领域技术人员应当根据实际应用需求选择适当的分散度，在此不再赘述。

基于上述底发射显示基板，本申请的一个实施例还提供一种显示装置，包括上述的底发射显示基板。

所述显示装置为电致发光二极管显示装置，可以用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明针对目前现有的问题，制定一种底发射显示基板、制作方法和显示装置，通过设置在显示基板远离发光单元一侧的光散射部和保护层能够有效提高显示基板的光取出效率，从而弥补了现有技术中问题，具有广泛的应用前景。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种底发射显示基板，包括位于透明衬底上的驱动电路和阵列排布的发光单元，其特征在于，还包括

位于所述透明衬底远离所述发光单元一侧的与所述发光单元相对应的多个光散射部，用于散射所述发光单元从所述透明衬底出射的光线，所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影；以及

覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述保护层为抗侵蚀的聚苯撑恶唑类聚合物，所述保护层的材料为具有如下结构式的化合物：

其中，所述X为S、O、NH中的一种，所述n为正整数。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述保护层的吸收光谱范围为α，其中，α大于0且小于450nm。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光散射部包括基质以及设置于所述基质中的散射粒子，所述基质的折射率大于等于所述透明衬底的折射率，所述散射粒子的折射率小于所述基质的折射率。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述散射粒子在所述光散射部中的质量百分比为β，其中，β大于0.5％且小于8％；

和/或

所述散射粒子均匀分布在所述基质中，所述散射粒子在所述光散射部中的分散度为γ，其中γ大于0.5％且小于15％；

和/或

所述散射粒子为SiO₂、Si₃N₄和BO₂中的一种；

和/或

所述散射粒子的尺寸为δ，其中δ大于100nm且小于1000nm。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，包括：

透明衬底；

多个光散射部，形成于所述透明衬底上；

保护层，覆盖所述多个光散射部和露出的透明衬底；

驱动电路，形成于所述透明衬底远离所述光散射部的一侧；

发光单元，形成于所述驱动电路上，包括从所述驱动电路到远离所述驱动电路方向依次形成的半反射阳极层、P型掺杂层、空穴传输层、空穴传输层、RGB电子阻挡层、RGB发光层、空穴阻挡层、电子传输层、N型掺杂层、P型掺杂层和全反射阴极层，其中所述RGB电子阻挡层和RGB发光层与所述光散射部相对应，所述RGB发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影；

封装层，形成于所述发光单元上。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述半反射阳极层和全反射阴极层的距离为ε，其中，ε大于60nm且小于200nm。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，

所述半反射阳极层为Cu、Ag和Au中的一种；

或者

所述半反射阳极层为复合电极，所述复合电极包括金属与透明氧化物，其中，所述复合电极为：

所述金属形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述透明氧化物形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧；

或者

所述透明氧化物形成在所述透明衬底远离所述光散射部的一侧，所述金属形成在所述金属远离所述透明衬底的一侧。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的显示基板。

10.一种底发射显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在透明衬底上形成光散射材料层；

图案化所述光散射材料层形成多个光散射部；

覆盖所述光散射部和露出的透明衬底的保护层；

在透明衬底的另一侧依次形成驱动电路和发光单元，其中所述发光单元的发光层在所述透明衬底上的正投影覆盖所述光散射部在所述透明衬底上的正投影。

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