JP2000347219A

JP2000347219A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2000347219A
Application number: JP2000088632A
Authority: JP
Inventors: Shinya Tanaka; 信也田中; Masumi Kubo; 真澄久保; Naoyuki Shimada; 尚幸島田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 2000-03-28
Publication date: 2000-12-15
Anticipated expiration: 2020-03-28
Also published as: JP3564358B2

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタのチャネル部に相当する対
向基板上の領域に、遮光膜を形成することなく、高開口
率で明るい表示が得られ、周囲光が強い状況下であって
もバックライトを点灯した状況下であっても、安定した
スイッチング素子特性を有することができる透過反射両
用型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】外光を反射する反射部と背面光源からの
光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素領域が
形成されてなる液晶表示装置において、スイッチング素
子に構成されるチャネル部上に形成される絶縁膜の表面
を平坦に形成し、反射部領域の該スイッチング素子部以
外の領域に形成される絶縁膜の表面を凹凸に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＡ機器や携帯情
報機器などに用いられる液晶表示装置に関し、特に、画
素領域が透過領域と反射領域とに分割された透過反射両
用型の液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄型で低消費電
力であるという特徴を生かして、ワードプロセッサやパ
ーソナルコンピュータなどのＯＡ機器、電子手帳などの
携帯情報機器、あるいは液晶モニターを備えたカメラ一
体型ＶＴＲなどに広く用いられている。

【０００３】このような液晶表示装置には、画素電極に
ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）などの透
明導電性薄膜を用いた透過型の液晶表示装置と、画素電
極に金属などの反射電極を用いた反射型の液晶表示装置
とがある。

【０００４】本来、液晶表示装置は、ＣＲＴ（ブラウン
管）やＥＬ（エレクトロルミネッセンス)などとは異な
り、自ら発光する自発光型の表示装置ではないため、透
過型の液晶表示装置の場合には、液晶表示装置の背後に
蛍光管などの照明装置、所謂バックライトを配置して、
そこから入射される光によって表示を行っている。ま
た、反射型の液晶表示装置の場合には、外部からの入射
光を反射電極によって反射させることによって表示を行
っている。

【０００５】ここで、透過型の液晶表示装置の場合は、
上述のようにバックライトを用いて表示を行うために、
周囲の明るさにさほど影響されることなく、明るくて高
コントラストを有する表示を行うことができるという利
点を有しているものの、通常バックライトは液晶表示装
置の全消費電力のうち５０％以上を消費することから、
消費電力が大きくなってしまうという問題を有してい
る。

【０００６】また、反射型の液晶表示装置の場合は、上
述のようにバックライトを使用しないために、消費電力
を極めて小さくすることができるという利点を有してい
るものの、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条
件によって表示の明るさやコントラストが左右されてし
まうという問題を有している。

【０００７】このように、反射型の液晶表示装置におい
ては、周囲の明るさなどの使用環境、特に外光が暗い場
合には視認性が極端に低下するという欠点を有してお
り、また、一方の透過型の液晶表示装置においても、こ
れとは逆に外光が非常に明るい場合、例えば晴天下など
での視認性が低下してしまうというような問題を有して
いた。

【０００８】そこで、こうした問題点を解決するための
手段として、反射型と透過型との両方の機能を合わせ持
った液晶表示装置が、例えば特願平９−２０１１７６号
などにより提案されている。

【０００９】この液晶表示装置は、１つの表示画素に外
光を反射する反射部とバックライトからの光を透過する
透過部とを作り込むことにより、周囲が真っ暗の場合に
は、バックライトからの透過部を透過する光を利用して
表示を行なう透過型の液晶表示装置として、また、外光
が暗い場合には、バックライトからの透過部を透過する
光と光反射率の比較的高い膜により形成した反射部によ
り反射する光との両方を利用して表示を行う両用型の液
晶表示装置として、さらに、外光が明るい場合には、光
反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反射
する光を利用して表示を行う反射型の液晶表示装置とし
て用いることができるというような構成の透過反射両用
型の液晶表示装置である。

【００１０】これにより、周囲の光が暗い場合にはバッ
クライトを用い、周囲の光が明るい場合にはバックライ
トを用いずに周囲光を利用することが可能になるため、
従来の透過型の液晶表示装置よりも周囲の光が明るい場
合にバックライトを使わない分低消費電力であり、ま
た、従来の反射型の液晶表示装置よりも周囲の光が暗い
場合にバックライトを用いることで視認性に優れ、透過
型と反射型との両方で明るく色純度の高いカラー表示を
常に実現することが可能となっている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の透過反射両用型の液晶表示装置は、周囲光と
バックライトとの２種類の光源を利用するため、光によ
ってスイッチング素子がダメージを受けてしまうという
問題を有していた。

【００１２】このように光がスイッチング素子に与える
影響については、透過型の液晶表示装置または反射型の
液晶表示装置において、これまで様々な解決手段が検討
されているが、反射型と透過型との両方の機能を合わせ
持った液晶表示装置、即ち、周囲光とバックライトとの
２種類の光源の組み合わせによって生じるスイッチング
素子へのダメージについては、これまで全く考慮されて
おらず、解決手段についても検討されていなかった。

【００１３】このような光がスイッチング素子に与える
影響について、従来の反射型液晶表示装置における解決
手段を参考にして、以下に説明する。

【００１４】まず、特開平５−３２３３７１号公報に
は、層間絶縁膜としての凹凸形状が形成された感光性樹
脂を形成し、この感光性樹脂の上層に光反射層としての
Ａｌなどからなる反射電極を有した反射型液晶表示装置
が開示されている。なお、本公報に開示された反射型液
晶表示装置は、スイッチング素子の上層に反射電極が配
置されていない構造となっている。

【００１５】また、特開平６−７５２３７号公報にも、
層間絶縁膜としての凹凸形状が形成された感光性樹脂を
形成し、この感光性樹脂の上層に光反射層としてのＡｌ
などからなる反射電極を有した反射型液晶表示装置が開
示されている。なお、本公報に開示された反射型液晶表
示装置は、スイッチング素子の上層の層間絶縁膜にも凹
凸が形成されており、かつ反射電極も配置された構造と
なっている。

【００１６】ここで、上述した特開平５−３２３３７１
号公報に開示された反射型液晶表示装置をそのまま透過
反射両用型の液晶表示装置に適用した場合について述べ
る。

【００１７】図１５は、この透過反射両用型の液晶表示
装置を示す平面図であり、図１６は、その断面図であ
る。

【００１８】図１５および図１６に示すように、この透
過反射両用型基板１９には、光反射機能を有する材料か
らなる反射電極１２と、光透過機能を有する材料からな
る透明電極９とが形成されている。また、対向するカラ
ーフィルタ基板２０には、カラーフィルタ１５と透明電
極１４とが形成されている。そして、これら両方の基板
１９、２０の間には液晶層１３が挟持されており、両方
の基板１９、２０の外側には、必要に応じて位相差板１
７や偏光板１８などが配置されている。さらに、この透
過反射両用型基板１９の最も外側には、バックライト２
６も配置されている。

【００１９】ここで、図１６に示すように、スイッチン
グ素子である薄膜トランジスタ２５の上層には、反射電
極１２が配されていないため、ソース／ドレイン間の容
量増加は生じず、かつスイッチング素子のチャネル部５
にバックチャネル電荷が発生しないこと、バックライト
２６からの光が薄膜トランジスタの上層に形成された反
射電極１２の影響を受けないことなどの理由から、安定
した薄膜トランジスタ２５のＯＦＦ抵抗が得られるとい
う利点を有している。

【００２０】しかしながら、その反面で、反射電極１２
の面積が小さくなってしまうため、開口率が減少して明
るさが減少してしまうという問題点を有している。

【００２１】また、薄膜トランジスタ２５が形成された
基板１９だけでは、薄膜トランジスタ２５のチャネル部
５を周囲光から遮光することができないため、基板２０
のカラーフィルタ１５に薄膜トランジスタ２５のチャネ
ル部５を遮光するための遮光膜を配さなければならず、
コストが高くなってしまうという問題点も有している。

【００２２】さらに、カラーフィルタ１５に遮光膜を設
ける場合には、両基板１９、２０の貼り合わせズレの発
生を考慮して、遮光部の大きさを十分に大きくとる必要
があり、一般にこの貼り合わせずれは±５μｍ程度発生
する可能性があることから、この遮光層は、遮光したい
領域の面積よりも片側５μｍ以上のマージンを見込んで
設計しておく必要があり、さらに開口率が減少して明る
さが減少してしまうという問題も有している。

【００２３】次に、上述した特開平６−７５２３７号公
報に開示された反射型液晶表示装置をそのまま透過反射
両用型の液晶表示装置に適用した場合について述べる。

【００２４】図１７は、この透過反射両用型の液晶表示
装置を示す平面図であり、図１８は、その断面図であ
る。図１７および図１８に示すように、薄膜トランジス
タ２５の上層の層間絶縁膜１１には凹凸が形成されてお
り、かつ反射電極１２が配されているため、反射電極１
２の面積を大きくすることが可能となり、開口率が向上
して明るい表示を行うことが可能となっている。

【００２５】さらに、薄膜トランジスタ２５の上方に配
置された反射電極１２は、周囲光に対して薄膜トランジ
スタ２５のチャネル部５を遮光する機能を有することに
なるため、周囲光で表示を行う反射型表示においては、
薄膜トランジスタ２５に対する光による悪影響を防止す
ることができるという利点を有している。

【００２６】しかしながら、透過反射両用型の液晶表示
装置に特有の問題点として、バックライト２６からの光
が、反射電極１２の液晶層１３とは反対側の面（裏面）
で拡散反射してしまい、薄膜トランジスタ２５のチャネ
ル部５に入射してＯＦＦ特性を劣化させるという問題が
ある。

【００２７】本発明は、上述したような問題点に鑑みて
なされたものであり、その目的とするところは、薄膜ト
ランジスタのチャネル部に相当する対向基板上の領域
に、遮光膜を形成することなく、高開口率で明るい表示
が得られ、周囲光が強い状況下であってもバックライト
を点灯した状況下であっても、安定したスイッチング素
子特性を有することができる透過反射両用型の液晶表示
装置を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、液晶層を介在して互いに対向配置される一対の基板
のうち、一方側の基板の液晶層側表面には、他方側の基
板からの外光を反射する反射部と背面光源からの光を透
過する透過部とを１画素内に構成する画素領域が形成さ
れてなり、該他方側の基板の液晶層側表面には、ほぼ全
面にわたって透光性を有する共通電極が形成されて構成
される液晶表示装置において、前記一方側の基板上の反
射部領域には前記画素領域に表示のための電圧を印加す
るスイッチング素子と該スイッチング素子を覆う絶縁膜
と反射電極とが形成されているとともに、前記透過部領
域には透明電極が形成されてなり、前記スイッチング素
子に構成されるチャネル部上に形成される前記絶縁膜は
その表面が平坦に形成されているとともに、前記反射部
領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される該
絶縁膜はその表面が凹凸に形成されていることを特徴と
しており、そのことにより、上記目的は達成される。

【００２９】なお、このときのスイッチング素子は、デ
ータ信号を供給する複数のデータ信号線と走査信号を供
給する複数の走査信号線とを電気的に接続して形成され
るとともに、前記反射部領域に形成された反射電極は、
前記絶縁膜を挟んで該データ信号線と走査信号線と一部
重畳して構成されてなり、前記反射電極と重畳して構成
される前記データ信号線上に形成された前記絶縁膜は、
その表面が平坦に形成されていることが好ましい。

【００３０】また、このときのチャネル部を含むスイッ
チング素子上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平
坦に形成されていることが好ましい。

【００３１】前記スイッチング素子の前記チャネル部上
に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の該
スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜の
平均高さよりも高い構成としてもよい。

【００３２】あるいは、前記反射部領域の前記スイッチ
ング素子部に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射
部領域の該スイッチング素子部以外の領域に形成される
該絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない構成とし
てもよい。

【００３３】以下、本発明の作用について説明する。

【００３４】本発明の液晶表示装置によれば、スイッチ
ング素子部を含む各反射部領域全域に反射電極が形成さ
れていることから、スイッチング素子に構成されるチャ
ネル部は反射電極（光遮光層）により覆われることとな
り、そのためチャネル部への外部からの光（周囲光）の
進入を防ぐことが可能となり、スイッチング素子のＯＦ
Ｆ特性の低下を防ぐことが可能となっている。

【００３５】また、スイッチング素子（チャネル部）上
に形成された絶縁膜は、その表面が平坦に形成されてい
ることにより、バックライトを点灯したときには、バッ
クライトからの光が、反射電極の液晶層とは反対側の面
で反射しても散乱しにくくなり、スイッチング素子のチ
ャネル部に入射する光量を少なくすることが可能となっ
ている。したがって、周囲光の強い状況下であっても、
バックライトを点灯した状況下であっても、安定したス
イッチング特性を得ることが可能となっている。

【００３６】また、本発明によれば、前記スイッチング
素子は、データ信号を供給する複数のデータ信号線と走
査信号を供給する複数の走査信号線とを電気的に接続し
て形成されるとともに、前記画素領域に形成された反射
電極は、前記絶縁膜を挟んで前記データ信号線と走査信
号線と一部重畳して構成されてなり、前記反射電極と重
畳して構成される前記データ信号線上に形成された前記
絶縁膜は、その表面が平坦に形成されていることによ
り、反射電極の面積を大きくすることができ、高開口率
を実現することが可能となっている。しかも、このデー
タ信号線上の絶縁膜には凹凸が形成されていないことか
ら、パターン不良による反射電極とデータ信号線との導
通を防止することが可能となっている。

【００３７】また、チャネル部を含むスイッチング素子
上に形成された前記絶縁膜、すなわち、スイッチング素
子を構成するチャネル部、ゲート電極、ソース電極、ド
レイン電極を含むスイッチング素子上に形成された絶縁
膜の表面を平坦にすることにより、背面光源（バックラ
イト）を点灯したときに、背面光源（バックライト）か
らの光が反射電極の液晶層とは反対側の面で反射しても
散乱しにくくなり、スイッチング素子のチャネル部に入
射する光量を、いっそう少なくすることが可能となって
いる。

【００３８】したがって、反射部と透過部とを１画素内
に構成する画素領域が形成される透過反射両用型の液晶
表示装置においては、周囲光の強い状況下であっても、
バックライトを点灯した状況下であっても、よりいっそ
う安定したスイッチング特性を得ることが可能となって
おり特に有効である。

【００３９】また、チャネル部上の層間絶縁膜の表面を
平坦にするために、例えば、層間絶縁膜に凹凸を形成す
るためのパターニングをチャネル部上の層間絶縁膜に対
しては行わないプロセスを採用すると、チャネル部上に
形成される層間絶縁膜の高さ（例えば、図８の高さ２４
Ｄ）が、その他の領域に形成される凹凸を有する層間絶
縁膜の平均高さ（例えば図８の２３Ｄ’）よりも高い構
成を容易に実現できる。これは、後に詳述するように、
凹凸を形成した領域の層間絶縁膜は、パターニングによ
って膜減りするのに対し、平坦部の層間絶縁膜は膜減り
しないからである。

【００４０】上記の構成は、チャネル部上の層間絶縁膜
の厚さ（例えば、図８中の２４）は、従来のスイッチン
グ素子上の層間絶縁膜の表面にも凹凸が形成された場合
のチャネル部上の層間絶縁膜の平均厚さ（図１９の平均
厚さ２３）よりも厚いので、チャネル部５に入射する光
量をいっそう低下させることができる。

【００４１】さらに、この構成を採用すると、チャネル
部上の層間絶縁膜が薄すぎる場合に発生する、ソース／
ドレイン間の容量の増大や、クロストークの発生等の問
題を防止できる。また、バックチャネル電荷の影響によ
る、スイッチング素子のＯＦＦ特性の低下を防ぐことが
できるとともに、安定したスイッチング素子特性を得る
こともできる。勿論、上述のプロセスを用いて、スイッ
チング素子の全体にわたって平坦な層間絶縁膜を形成す
ると、より効果的である。

【００４２】上記の例では、チャネル部上（またはスイ
ッチング素子上）に形成される層間絶縁膜の高さだけ
が、他の領域の層間絶縁膜の高さよりも高い。すなわ
ち、チャネル部上の領域だけ、液晶層の厚さが薄いこと
になる。このように、液晶層の厚さが薄い領域に導電性
ダストが存在すると、反射電極と対向電極との短絡（あ
るいは電流のリーク）による表示不良がおきる可能性が
高くなる。このダストによる不良を抑制するためには、
反射部領域のスイッチング素子部に形成される層間絶縁
膜の高さが、他の領域に形成される層間絶縁膜の表面の
凹凸の凸部の高さを越えない構成（例えば、図９および
図１２参照）を採用することが好ましい。勿論、この構
成を採用する場合にも、少なくとも、チャネル部５上の
層間絶縁膜１１の厚さは十分に確保しおく。

【００４３】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は、本発明
の実施の形態１における透過反射両用型の液晶表示装置
の画素領域部分の構成を示した平面図である。また、図
２は、本発明の実施の形態１における透過反射両用型の
液晶表示装置の画素領域部分の構成を示した断面図であ
る。

【００４４】本実施の形態１における透過反射両用型の
液晶表示装置は、図２に示すように、透過反射両用基板
１９上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ２５
が形成されている。そして、この薄膜トランジスタ２５
を含む透過反射両用基板１９上には、層間絶縁膜として
凹凸形状を有する感光性樹脂１１、ＡｌとＭｏとの積層
膜からなる反射電極１２、ＩＴＯからなる透明電極９が
それぞれ形成されている。なお、本実施の形態１におい
ては、この反射電極と透明電極とが本発明における透過
部と反射部とを構成して画素領域を形成している。

【００４５】また、この透過反射両用基板１９に対向す
るカラーフィルター基板２０上には、透明電極１４とカ
ラーフィルタ層１５とが形成されている。そして、これ
ら両基板１９、２０の間には、液晶層１３が設けられて
おり、両基板１９、２０のそれぞれの外側には、位相差
板１７と偏光板１８とが配置されているとともに、透過
反射両用基板１９の最も外側には、バックライト２６が
配置されている。

【００４６】なお、本実施の形態１では、表示モードと
して偏光モードを使用しているが、これに限定されるも
のではなく、例えばゲストホストモードを使用すれば、
位相差板１７や偏光板１８を省略することが可能とな
る。

【００４７】この透過反射両用型基板１９には、図１お
よび図２に示すように、ガラスなどからなる絶縁性の基
板１上に、液晶駆動用素子として薄膜トランジスタ２５
が形成された構成となっている。即ち、ガラスなどから
なる絶縁性の基板１上には、走査信号線であるゲートバ
スライン２１とこのゲートバスライン２１から分岐され
たゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としての
ＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層
６としてのｎ型ａ−Ｓｉ、データバスライン２２とこの
データバスライン２２から分岐されたソース電極７とし
てのＴａ７ａとＩＴＯ７ｂとの積層膜、ドレイン電極８
としてのＴａ８ａとＩＴＯ８ｂとの積層膜などがそれぞ
れ成膜されて構成されており、この薄膜トランジスタ２
５はスイッチング素子として機能している。

【００４８】そして、この薄膜トランジスタ２５を構成
するドレイン電極８の延長部は、ＩＴＯ８ｂのみで形成
されており、このＩＴＯ８ｂが画素電極の一部を構成す
る透明電極９として機能している。また、同様に画素電
極の一部を構成する反射電極１２は、コンタクトホール
１０を介してドレイン電極８に接続されており、透明電
極９とは層間絶縁膜１１を介して形成されている。

【００４９】なお、本実施の形態１では、図２に示すよ
うに、層間絶縁膜１１の表面が、薄膜トランジスタ２５
のチャネル部５上の領域を除いて、複数の凸凹が不規則
に形成された形状となっている。また、薄膜トランジス
タ２５のチャネル部５上の領域にまで反射電極１２が形
成された構成となっている。

【００５０】このような構成とすることにより、本実施
の形態１では、反射電極１２が薄膜トランジスタ２５に
対して、周囲光に対する遮光膜として機能することにな
り、カラーフィルタ１５の薄膜トランジスタ２６に対向
する領域には、別途遮光膜を形成する必要がなくなる。
また、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５上の層間絶
縁膜１１は平坦なので、バックライトからの光が、反射
電極１２の裏面で散乱されにくく、チャネル部５に入射
する光量を少なくできる。したがって、周囲光の強い状
況下であっても、バックライトを点灯した状況下であっ
ても、安定したスイッチング特性を得ることが可能とな
っている。

【００５１】また、薄膜トランジスタ２５のチャネル部
５上の層間絶縁膜１１には凹凸が形成されていないこと
から、実施の形態２で詳述するように、チャネル部５上
で膜減りが起こらない。従って、チャネル部５上の層間
絶縁膜１１の厚さは、従来のスイッチング素子上の層間
絶縁膜の表面にも凹凸が形成された場合のチャネル部上
の層間絶縁膜の平均厚さよりも厚いので、チャネル部５
に入射する光量をいっそう低下させることができる。

【００５２】さらに、チャネル部５と反射電極１２との
間で十分な膜厚（例えば２μｍ以上）を維持することが
でき、ソース／ドレイン間の容量を減少させて縦クロス
トークの発生を抑えることが可能となる。また、このよ
うな構成とすることにより、バックチャネル電荷の影響
によるスイッチング素子のＯＦＦ特性の低下も防止され
るので、安定したスイッチング特性で液晶を駆動するこ
とが可能となる。

【００５３】（実施の形態２）図３は、本発明の実施の
形態２における透過反射両用型の液晶表示装置の画素部
分の構成を示した断面図である。また、図４は、図３に
示した透過反射両用型の液晶表示装置における透過反射
両用基板１９の製造工程を示したプロセス断面図であ
り、特に層間絶縁膜１１上に形成される凹凸形状を有す
る反射電極１０の形成工程を説明するものである。

【００５４】本実施の形態２における透過反射両用型の
液晶表示装置は、図３に示すように、層間絶縁膜１１の
表面が、薄膜トランジスタ２５上の領域を除いて、複数
の凸凹が不規則に形成された形状となっている点が、上
述の実施の形態１とは異なっているが、その他の構成に
ついては、上述の実施の形態１と同じである。

【００５５】本実施の形態２における透過反射両用型の
液晶表示装置は、例えば、以下のようにして製造され
る。

【００５６】図４（ａ）に示すように、まず、薄膜トラ
ンジスタ２５が形成された絶縁性基板１上の表面に、ポ
ジ型光感光性樹脂１１（製品名：ＯＦＰＲ−８００：東
京応化工業社製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。本実
施の形態２では４μｍで成膜した。

【００５７】そして、この状態で、図５に示すようなフ
ォトマスク３０を配置して、４０ｍＪで第１の露光を行
った。このときのフォトマスク３０のパターンは、薄膜
トランジスタ２５に対応する部分３１を完全に遮光し、
またコンタクトホール１０に対応する部分３２を完全な
透過部とし、円形遮光部３３を複数配置した構成となっ
ている。なお、この円形遮光部３３は、直径が５〜１０
μｍ、隣り合う中心間隔が８〜２０μｍとなるようにラ
ンダムに配置した。なお、ここでは透明電極９に対応す
る領域３４には、円形遮光部３３を配置していないが、
後の工程で透明電極９は除去されるため円形遮光部３３
を配置していてもかまわない。そして、このようなフォ
トマスク３０と薄膜トランジスタ２５が形成された絶縁
性基板１との位置合わせを行った後に露光を行った。

【００５８】次に、上述したように露光を行った状態
で、図４（ｂ）に示すように、フォトマスク３５を配置
して、２４０ｍＪで第２の露光を行った。このときのフ
ォトマスク３５のパターンは、図６に示すように、コン
タクトホール１０に対応する部分３２と透明電極９に対
応する部分３４のみを完全な透過部とし、それ以外の領
域については遮光部３７とした構成となっている。そし
て、このようなフォトマスク３５と絶縁性基板１との位
置合わせを行った後に露光を行った。

【００５９】その後、絶縁性基板１上の光感光性樹脂１
１をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド：東京応化工業社製）により現像した。ここで、
図４（ｃ）に示すように、第１の露光により光が照射さ
れた領域（凹凸が形成される領域）の光感光性樹脂１１
は、露光強度が弱かったために、完全に除去された領域
は存在せず、凹凸が形成されていない薄膜トランジスタ
２５上の膜厚から５０〜９０％膜減りした状態で凹凸形
状が形成される。また、第２の露光により光が照射され
た領域（コンタクトホール部１０と透明電極９とに対応
する領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が強かった
ために、完全に除去された状態となる。そして、２００
℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象
によって光感光性樹脂１１の凹凸形状が変形して、光感
光性樹脂１１上の凹凸形状は角がとれて滑らかな凹凸形
状となる。

【００６０】その後、図４（ｄ）に示すように、滑らか
な凹凸が形成された光感光性樹脂１１上に、反射電極１
２としてのＡｌとＭｏとの積層膜をスパッタリング法に
よって２００ｎｍ程度の膜厚に形成し、１つの画素領域
において１つの薄膜トラジスタ２５に対して１つの反射
電極１２が対応するようにパターニングを行った。ここ
で、本実施の形態２における反射電極１２は、図１に示
すように、ゲートバスライン２１およびソースバスライ
ン２２と一部重畳して構成されており、さらに、このと
きのソースバスライン２２上に形成された光感光性樹脂
１１上には、上述した凹凸が形成されないような構成と
した。

【００６１】なお、ゲートバスライン２１上に形成され
た光感光性樹脂１１については、ゲートバスライン２１
上にゲート絶縁膜が形成されていることから、凹凸形成
時にパターン不良が発生しても反射電極１２と導通する
心配がないため、凹凸は形成しておく方が望ましい。

【００６２】また、この反射電極１２は、コンタクトホ
ール１０を介して薄膜トランジスタ２５のドレイン電極
８と接続されているとともに、光感光性樹脂１１上に形
成された滑らかな凹凸に沿って形成されることになるた
め、この反射電極１２の表面もまた、表示に寄与する表
面に光感光性樹脂１１の凹凸に応じた不規則な円形の凹
凸を有することになる。

【００６３】このような図４（ａ）〜（ｄ）に示した工
程によって、滑らかで高密度な凹凸形状を有する反射電
極１２を形成することができ、正反射成分が少なくペー
パーホワイト表示が可能な反射電極１２と透明電極９と
を１つの画素領域内に構成する透過反射両用型基板１９
が完成する。

【００６４】なお、実施の形態１の液晶表示装置で用い
られる図２に示した透過反射両用型基板１９は、図４
（ａ）に示した工程において、フォトマスク３０とし
て、薄膜トランジスタ２５に対応して設けられている遮
光部３１を薄膜トランジスタ２５のチャネル部５だけを
遮光するように変更したフォトマスクを用いることによ
って、上記の工程と同様の工程で作製され得る。

【００６５】次に、透過反射両用型基板１９とカラーフ
ィルタ基板２０との貼り合わせを行い、液晶１３を注入
した後、位相差板１７、偏光板１８、バックライト２６
を配置することにより、図３に示すような本実施の形態
２における透過反射両用型の液晶表示装置は完成する。

【００６６】実施の形態２の液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタ２５は、その上方に形成された反射電極１２によ
って周囲光から遮光されているため、特別に遮光層を設
ける必要が無く、カラーフィルター１５の薄膜トランジ
スタ２５に対向する領域に、赤、青、緑などの着色層が
配置されたカラーフイルター１５を採用することによっ
て、開口率を向上させてコストを削減することができ
る。

【００６７】また、チャネル部５を含む薄膜トランジス
タ２５上の層間絶縁膜１１の表面は平坦なので、バック
ライトからの光が、反射電極１２の裏面で散乱されにく
く、チャネル部５に入射する光量をさらに少なくでき
る。したがって、周囲光の強い状況下であっても、バッ
クライトを点灯した状況下であっても、安定したスイッ
チング特性を得ることが可能となっている。

【００６８】ここで、本実施の形態２における液晶表示
装置にバックライト２６を用いた場合の薄膜トランジス
タ２５のチャネル部５に与える光による影響について検
討を行った結果を説明する。

【００６９】図７は、本実施の形態２における透過反射
両用型の液晶表示装置のバックライトを点灯して高温通
電した状態で通電時間を変えながら、薄膜トランジスタ
２５のオフ特性であるＶｇｌの変動の様子を示した図面
である。なお、比較のため、図１８に示すような従来の
液晶表示装置の構造（薄膜トランジスタの上方の光感光
性樹脂表面を凹凸にした構造）でも同様の測定を行い、
その結果も併せて示した。

【００７０】図７に示したように、本実施の形態２にお
いては、バックライト２６を用いた場合、反射電極１２
の液晶層１３とは反対の面で拡散反射するバックライト
２６からの光が、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５
に与える影響を抑えられ、薄膜トランジスタ２５のＯＦ
Ｆ特性の低下が防止されていることがわかる。

【００７１】さらに、本実施の形態２の液晶表示装置に
おいては、凹凸を形成するためのパターニングを薄膜ト
ランジスタ２５上の層間絶縁膜１１に行わないことによ
って、その領域に表面を平坦にしているので、薄膜トラ
ンジスタ２３上の層間絶縁膜１１の膜減りが防止され、
その結果、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の
厚さは、薄膜トランジスタ上の層間絶縁膜の表面にも凹
凸が形成された従来の構成の層間絶縁膜の平均厚さより
も厚いので、チャネル部５に入射する光量をいっそう低
下させる効果も得られている。

【００７２】ここで、層間絶縁膜１１の膜減りについて
説明する。

【００７３】層間絶縁膜１１に凹凸状の表面を形成する
ために、光感光性樹脂層をパターニングする際に、フォ
トマスクの微細パターンに対応した光反応を受けている
光感光性樹脂層の領域と、微細なパターンが形成されて
いない一様な光反応を受けている光感光性樹脂層の領域
とで、露光工程における光の回りこみの影響や、現像工
程におけるパターニングの進行度が異なる。すなわち、
前者の場合は微細パターンであるために、後者に比べ
て、露光工程における光の回りこみの影響が大きく、ま
た、現像液が染み込みやすく、膜が消失（溶解）されて
いくスピードが速くなってしまうために、膜減りがおこ
る。

【００７４】従って、図１９に示すように、薄膜トラン
ジスタ２５の上層の層間絶縁膜１１にも凹凸を形成する
と、薄膜トランジスタ２５のチャネル部５に相当する領
域の層間絶縁膜１１の平均膜厚２３（平均高さ２３Ｄ）
は、凹凸を形成しない場合よりも、膜減りによって薄く
（低く）なる。薄膜トラジスタ２５（特にチャネル部
５）上の層間絶縁膜１１が膜減りによって薄くなり過ぎ
ると、ソース／ドレインにおいて短絡が発生したり、ソ
ース／ドレイン間の容量が増加することによってシャド
ーイングが生じることがある。また、チャネル部５上の
層間絶縁膜１１の平均膜厚２３が薄くなり過ぎると、チ
ャネル部５と反射電極１２との間の距離が小さくなるた
め、バックチャネル側に誘起された電荷（バックチャネ
ル電荷）が注入されることによって、薄膜トランジスタ
２５のＯＦＦ時のもれ電流が増加して、表示のコントラ
スト比が低下してしまうという問題が生じることもあ
る。

【００７５】これに対し、薄膜トランジスタ２５上の層
間絶縁膜１１に対して凹凸を形成するためのパターニン
グを行わないプロセスを採用すると、図８に示したよう
に、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１の表面を
平坦にできるとともに、パターニングによる膜減りがお
こらない分だけ、層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄ（膜厚２
４）が高い（厚い）構成を容易に実現できる。すなわ
ち、図８に示したように、薄膜トランジスタ２５上以外
の領域に形成される層間絶縁膜１１は、凹凸を形成すた
めのパターニングによって、図１９に示した層間絶縁膜
１１（平均高さ２３Ｄ，平均膜厚２３）と同様に、平均
高さ２３Ｄ’（平均膜厚２３’）まで膜減りするのに対
し、薄膜トランジスタ２５上の層間絶縁膜１１には膜減
りが起こらない。その結果、薄膜トランジスタ２５上に
形成される層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄが、薄膜トラン
ジスタ２５上以外の領域に形成される層間絶縁膜１１の
平均高さ２３Ｄ’よりも高い構成が得られる。

【００７６】図８に示した、薄膜トランジスタ２５上に
形成される層間絶縁膜１１の高さ２４Ｄが、薄膜トラン
ジスタ２５以外の領域に形成される層間絶縁膜１１の平
均高さ２３Ｄ’よりも高い構成を採用すると、薄膜トラ
ンジスタ２５上の層間絶縁膜１１の厚さ２４が増すこと
によって、チャネル部５に入射する光量をいっそう低下
させることができる。

【００７７】さらに、薄膜トランジスタ２５のチャネル
部５と反射電極１２との間の膜厚を十分に大きくとるこ
とができるため、ソース／ドレイン間の容量の増大や、
クロストークの発生等の問題を防止できる。また、バッ
クチャネル電荷の影響によるスイッチング素子のＯＦＦ
特性の低下を防ぐことができるので、安定したスイッチ
ング素子特性を得ることができる。

【００７８】実施の形態１のようにチャネル部５上の層
間絶縁膜１１の膜減りを防止する構成よりも、実施の形
態２のように、薄膜トランジスタ２５の全体にわたっ
て、層間絶縁膜１１の膜減りを防ぐ構成を採用する方が
より効果的である。なお、薄膜トランジスタ２５上の層
間絶縁膜１１および反射電極１２は、その表面が平坦に
形成されている範囲がゲート電極２よりも外側へ各方向
３μｍ以上の範囲で形成することが好ましい。また、ソ
ースバスライン２２上の層間絶縁膜１１に凸凹を形成し
ない構成とすることにより、パターン不良による反射電
極１２とソースバスライン２２との導通を防止すること
も可能となっている。

【００７９】また、層間絶縁膜１１の高さは、反射モー
ドで表示を行う反射領域の液晶層の厚さ（リタデーショ
ン）が所定の値となるように（例えば、透過領域の液晶
層の厚さの１／２）設計され、凹凸を形成するためのパ
ターニングにおける膜減りを見込んで形成される。上述
のプロセスを用いて平坦部を形成すると、この層間絶縁
膜の高さやセルギャップの設計値や製造プロセスを変更
することなく、チャネル部５上の層間絶縁膜１１だけを
厚くすることができるという利点もある。

【００８０】なお、本願明細書において、層間絶縁膜の
「厚さ（膜厚）」と層間絶縁膜の「高さ」という用語を
用いる。例えば、図１９の参照符号２３で示したよう
に、「厚さ」は、層間絶縁膜自身の厚さを指し、「高
さ」はある基準面（例えば、図示したように、液晶パネ
ル全面に亘って平坦なガラス基板の表面）から層間絶縁
膜の表面までの高さ（距離）を指す。層間絶縁膜材料の
物性に由来する機能（電気絶縁性や光透過性）と層間絶
縁膜の厚さとの関係は、それぞれの機能を果たす領域の
層間絶縁膜自身の「厚さ」と本質的な関係を有するが、
異なる領域に形成された層間絶縁膜自身の厚さを比較す
ることが困難であること、および実際の表面構造（セル
ギャップに影響する）は、層間絶縁膜の高さであること
から、わかり易さのために、これらを併用する。また、
層間絶縁膜の表面に凹凸がある場合、厚さまたは高さの
平均値を用いる場合と、凸部の厚さまたは高さ（最大
値）を用いる場合がある。層間絶縁膜の厚さが問題にな
る場合には、もっぱら平均値に意味があり、表面構造が
問題になる場合には、最大値が意味を持つからである。

【００８１】（実施の形態３）図９は、本発明の実施の
形態３における透過反射両用型の液晶表示装置の画素部
分の構成を示した断面図である。また、図１０は、図９
に示した透過反射両用型の液晶表示装置における透過反
射両用基板１９の製造工程を示したプロセス断面図であ
り、特に層間絶縁膜１１上に形成される凹凸形状を有す
る反射電極１０の形成工程を説明するものである。

【００８２】本実施の形態３における透過反射両用型の
液晶表示装置は、図１０（ａ）に示すように、まず、薄
膜トランジスタ２５が形成された絶縁性基板１上の表面
に、ポジ型光感光性樹脂１１（製品名：ＯＦＰＲ−８０
０：東京応化工業社製）を１〜５μｍの厚さに塗布す
る。本実施の形態３では３．７μｍで成膜した。

【００８３】そして、この状態で、図１１に示すような
フォトマスク３０ａを配置して、４０ｍＪで第１の露光
を行った。このときのフォトマスク３０ａのパターン
は、薄膜トランジスタ２５に対応する部分３１ａを完全
な透過部、またコンタクトホール１０に対応する部分３
２を完全な透光部とし、円形遮光部３３を複数配置した
構成となっている。なお、この円形遮光部３３は、直径
が１０〜１２μｍ、隣り合う中心間隔が２〜１０μｍと
なるようにランダムに配置した。なお、ここでは透明電
極９に対応する領域３４には、円形遮光部３３を配置し
ていないが、後の工程で透明電極９は除去されるため円
形遮光部３３を配置していてもかまわない。そして、こ
のようなフォトマスク３０ａと薄膜トランジスタ２５が
形成された絶縁性基板１との位置合わせを行った後に露
光を行った。

【００８４】次に、上述したように露光を行った状態
で、図１０（ｂ）に示すように、フォトマスク３５を配
置して、２４０ｍＪで第２の露光を行った。このときの
フォトマスク３５のパターンは、図６に示したように、
コンタクトホール１０に対応する部分３２と透明電極９
に対応する部分３４のみを完全な透過部とし、それ以外
の領域については遮光部１７とした構成となっている。
そして、このようなフォトマスク３５と絶縁性基板１と
の位置合わせを行った後に露光を行った。

【００８５】その後、絶縁性基板１上の光感光性樹脂１
１をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド：東京応化工業社製）により現像した。ここで、
図１０（ｃ）に示すように、第１の露光により光が照射
された領域（凹凸が形成される領域）の光感光性樹脂１
１は、露光強度が弱かったために、完全に除去された領
域は存在せず、第１の露光時に光が照射されなかった領
域の樹脂膜厚から５０〜９０％膜減りした状態で凹凸形
状が形成される。また、第１の露光により光が照射され
た領域のうち、薄膜トランジスタ２５に対応する部分３
１ａでは、第１の露光時に光が照射されなかった領域の
樹脂膜厚から凹凸の凹部と同等かそれ以上の膜減りした
状態となる。また、第２の露光により光が照射された領
域（コンタクトホール部１０と透明電極９とに対応する
領域）の光感光性樹脂１１は、露光強度が強かったため
に、完全に除去された状態となる。そして、２００℃で
６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象によ
って光感光性樹脂１１の凹凸形状が変形して、光感光性
樹脂１１上の凹凸形状は角がとれて滑らかな凹凸形状と
なる。

【００８６】その後、図１０（ｄ）に示すように、滑ら
かな凹凸が形成された光感光性樹脂１１上に、反射電極
１２としてのＡ１とＭｏとの積層膜をスパッタリング法
によって２００ｎｍ程度の膜厚に形成し、１つの画素領
域において１つの薄膜トランジスタ２５に対して１つの
反射電極１２が対応するようにパターニングを行った。
ここで、本実施の形態３における反射電極１２は、図１
に示した反射電極１２と同様に、ゲートバスライン２１
およびソースバスライン２２と一部重畳して構成されて
いる構成とした。

【００８７】また、この反射電極１２は、コンタクトホ
ール１０を介して薄膜トランジスタ２５のドレイン電極
８と接続されているとともに、光感光性樹脂１１上に形
成された滑らかな凹凸に沿って形成されることになるた
め、この反射電極１２の表面もまた、表示に寄与する表
面に光感光性樹脂１１の凹凸に応じた不規則な円形の凹
凸を有することになる。

【００８８】このような図１０（ａ）〜（ｄ）に示した
工程によって、滑らかで高密度な凹凸形状を有する反射
電極１２を形成することができ、正反射成分が少なくペ
ーパーホワイト表示が可能な反射電極１２と透明電極９
とを１つの画素領域内に構成する透過反射両用型基板１
９が完成する。

【００８９】そして、透過反射両用型基板１９とカラー
フィルタ基板２０との貼り合わせを行い、液晶１３を注
入した後、位相差板１７、偏光板１８、バックライト２
６を配置することにより、図９に示すような本実施の形
態２における透過反射両用型の液晶表示装置は完成す
る。

【００９０】上述のようにして得られる、本実施の形態
における透過反射両用型の液晶表示装置では、薄膜トラ
ンジスタ２５上の層間絶縁膜１１の高さＤ１が、第１の
露光で光を照射することによって、凹凸形成部の凸部の
高さＤ２より低くなっている。従って、薄膜トランジス
タ２５上の層間絶縁膜１１に第１の露光で光を照射しな
い場合（実施の形態２、図４参照）に比べて、薄膜トラ
ンジスタ２５上での反射電極１２と対向電極１４との間
隙が広くなり、薄膜トランジスタ２５上の液晶層は、他
の領域の液晶層よりも厚くなるので、導電性ダストによ
る短絡を低減することが可能となる。導電性のダスト
は、液晶パネルの製造工程において雰囲気から浸入する
場合や、液晶パネル内の導電性材料（例えばＩＴＯ）が
剥離することによって液晶層に混入する場合などがあ
る。

【００９１】上記の例では、薄膜トランジスタ２５上の
層間絶縁膜１１（平坦な表面を有する領域）を他の領域
に形成されている層間絶縁膜１１の凹凸部の凸部よりも
低く（Ｄ１＜Ｄ２）しているが、薄膜トランジスタ２５
上の層間絶縁膜１１の高さＤ１が他の領域の層間絶縁膜
１１の高さＤ２を越えなければ、すなわち、Ｄ１≦Ｄ２
の関係を満足すれば、導電性ダストによる短絡を抑制す
る効果が得られる。

【００９２】本実施の形態３においては、バックライト
２６を用いた場合、反射電極１２の液晶層１３とは反対
の面で拡散反射するバックライト２６からの光が、薄膜
トランジスタ２５のチャネル部５に与える影響を抑える
ことが可能となっており、薄膜トランジスタ２５のＯＦ
Ｆ特性の低下を防ぐことが可能となる。

【００９３】なお、このときの薄膜トランジスタ２５上
の層間絶縁膜１１および反射電極１２は、その表面が平
坦に形成されている範囲がゲート電極２よりも外側へ各
方向３μｍ以上の範囲で形成することが好ましい。

【００９４】上記の説明においては、図３に示した実施
形態２の液晶表示装置における薄膜トランジスタ２５上
に形成された層間絶縁膜１１の平坦部の高さを低くした
構成を例示した。同様にして、図１２に示すように、図
２に示した実施形態２の液晶表示装置における薄膜トラ
ンジスタ２５のチャネル上に形成された層間絶縁膜１１
の平坦部の高さを低くした構成を実現することができ
る。

【００９５】図１２に示した実施の形態３の他の液晶表
示装置に用いられる透過反射両用型基板１９は、図１３
（ａ）〜（ｄ）に示した工程で作製することができる。
図１３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、上述した図１０
（ａ）〜（ｄ）に対応する。

【００９６】図１３（ａ）に示した第１の露光工程にお
いて、図１０（ａ）で用いたフォトマスク３０ａに代え
て、図１４に示したフォトマスク３０ｂを用い、その後
の工程を図１０（ｂ）〜（ｄ）を参照しながら説明した
工程と実質的に同じ工程を実行することによって、図１
２に示した透過反射両用型基板１９を作製することがで
きる。図１４に示したフォトマスク３０ｂは、図１１に
示したフォトマスク３０ａの薄膜トランジスタ２５に対
応する開口部３１ａに代えて、薄膜トランジスタ２５の
チャネル５に対応する開口部３１ｂを有する。このよう
にして作製された透過反射両用型基板１９を用い、以下
上述したのと同様にして、図１２に示した実施の形態３
の液晶表示装置が得られる。

【００９７】図１２に示した実施の形態３の液晶表示装
置においても、薄膜トランジスタ２５上（チャネル５
上）に形成された層間絶縁膜１１の平坦部の高さＤ１
は、他の領域（凹凸）が形成された領域）の層間絶縁膜
１１の高さＤ２よりも低い。また、薄膜トランジスタ２
５上の他の領域には、薄膜トランジスタ２５以外の領域
と同様の凹凸が形成されているので、薄膜トランジスタ
２５上の層間絶縁膜１１の高さ（凸部の高さ）は、その
他の領域の層間絶縁膜１１の凹凸形状の凸部の高さを越
えない。従って、導電性ダストが薄膜トランジスタ２５
上に存在しても、反射電極と対向電極との間の短絡の発
生を抑制することができる。

【００９８】

【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置に
よれば、スイッチング素子部を含む各画素領域に反射電
極が形成されていることから、スイッチング素子に構成
されるチャネル部への外部からの光の進入を防ぐことが
可能となり、スイッチング素子に対向する領域のカラー
フィルターに遮光膜を形成する必要がなくなり、高開口
率で明るい表示を得ることが可能になるとともに、コス
トダウンも可能になっている。

【００９９】また、スイッチング素子上に形成された絶
縁膜は、その表面が平坦に形成されていることから、背
面光源を用いた時の入射光が反射電極により散乱してス
イッチング素子に構成されるチャネル部に与える影響を
抑えることが可能になっており、スイッチング素子のＯ
ＦＦ特性の低下を防ぐことが可能になっている。

【０１００】さらに、データ信号線上に形成される絶縁
膜に凸凹を形成しない構成を採用すると、パターン不良
による反射電極とデータ信号線との導通が防止され良品
率を向上させることが可能になっている。

【０１０１】また、スイッチング素子のチャネル部上に
形成される絶縁膜の高さが、反射部領域のスイッチング
素子部以外の領域に形成される絶縁膜の平均高さよりも
高い構成を採用すると、チャネル部と反射電極との間の
絶縁膜の平均膜厚が厚くなるので、ソース／ドレイン間
の容量を減少させることが可能になり、クロストークの
発生を抑えることができる。さらに、バックチャネル電
荷によるスイッチング素子のＯＦＦ抵抗の低下を防ぐこ
とができるとともに、安定したスイッチング素子特性を
得ることができる。

【０１０２】また、スイッチング素子部に形成される絶
縁膜の高さを、スイッチング素子部以外の領域に形成さ
れる絶縁膜の表面の凹凸の凸部の高さを越えない構成を
採用すると、スイッチング素子部上に導電性ダストが存
在しても、反射電極と対向電極との間の短絡の発生を抑
制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の
平面図である。

【図２】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の
断面図である。

【図３】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の
断面図である。

【図４】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の
製造工程を示す断面図である。

【図５】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の
製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。

【図６】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の
製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。

【図７】本発明の実施形の態２と従来技術とを比較した
液晶表示装置のスイチング素子特性を示す図面である。

【図８】本発明における液晶表示装置の断面図である。

【図９】本発明の実施の形態３における液晶表示装置の
断面図である。

【図１０】本発明の実施の形態３における液晶表示装置
の製造工程を示す断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態３における液晶表示装置
の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面である。

【図１２】本発明の実施の形態３における他の液晶表示
装置の断面図である。

【図１３】本発明の実施の形態３における他の液晶表示
装置の製造工程を示す断面図である。

【図１４】本発明の実施の形態３における他の液晶表示
装置の製造工程で使用するフォトマスクを示す図面であ
る。

【図１５】従来技術における液晶表示装置の平面図であ
る。

【図１６】従来技術における液晶表示装置の断面図であ
る。

【図１７】従来技術における液晶表示装置の平面図であ
る。

【図１８】従来技術における液晶表示装置の断面図であ
る。

【図１９】従来技術における液晶表示装置の断面図であ
る。

【符号の説明】

１絶縁性基板２ゲート電極（Ｔａ）３ゲート絶縁膜（ＳｉＮｘ）４半導体層（ａ−Ｓｉ）５ＴＦＴチャネル部６ｎ型半導体層（ｎ型ａ−Ｓｉ）７ソース電極７ａソース金属電極層７ｂソース透明電極層８ドレイン電極８ａドレイン金属電極層８ｂドレイン透明電極層９透明電極（材料）１０コンタクトホール１１層間絶縁膜（光感光性樹脂）１２反射電極（材料）１３液晶層１４透明電極（対向側）１５カラーフィルター１６カラーフィルター側基板１７位相差板１８偏光板１９透過反射両用型基板２０カラーフィルター基板２１ゲートバスライン２２ソースバスライン２３ＴＦＴ上に凸凹を配した場合の平均膜厚２４ＴＦＴ上に凸凹を配さない場合の平均膜厚２５スイッチング素子（薄膜トランジスタ）２６背面光源（バックライト）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶層を介在して互いに対向配置される
一対の基板のうち、一方側の基板の液晶層側表面には、
他方側の基板からの外光を反射する反射部と背面光源か
らの光を透過する透過部とを１画素内に構成する画素領
域が形成されてなり、該他方側の基板の液晶層側表面に
は、ほぼ全面にわたって透光性を有する共通電極が形成
されて構成される液晶表示装置において、前記一方側の基板上の反射部領域には前記画素領域に表
示のための電圧を印加するスイッチング素子と該スイッ
チング素子を覆う絶縁膜と反射電極とが形成されている
とともに、前記透過部領域には透明電極が形成されてな
り、前記スイッチング素子に構成されるチャネル部上に形成
される前記絶縁膜はその表面が平坦に形成されていると
ともに、前記反射部領域の該スイッチング素子部以外の
領域に形成される該絶縁膜はその表面が凹凸に形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記スイッチング素子は、データ信号を
供給する複数のデータ信号線と走査信号を供給する複数
の走査信号線とを電気的に接続して形成されるととも
に、前記反射部領域に形成された反射電極は、前記絶縁
膜を挟んで該データ信号線と走査信号線と一部重畳して
構成されてなり、前記反射電極と重畳して構成される前
記データ信号線上に形成された前記絶縁膜は、その表面
が平坦に形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示装置。
【請求項３】前記チャネル部を含むスイッチング素子
上に形成された前記絶縁膜は、その表面が平坦に形成さ
れていることを特徴とする請求項１または２に記載の液
晶表示装置。
【請求項４】前記スイッチング素子の前記チャネル部
上に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の
該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜
の平均高さよりも高い、請求項１から３のいずれかに記
載の液晶表示装置。
【請求項５】前記反射部領域の前記スイッチング素子
部に形成される前記絶縁膜の高さは、前記反射部領域の
該スイッチング素子部以外の領域に形成される該絶縁膜
の表面の凹凸の凸部の高さを越えない、請求項１から３
のいずれかに記載の液晶表示装置。