CN105057235A - Ito薄膜溅射靶材的清洁方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，包括如下步骤：(1)先采用吸尘器将大颗粒物吸除干净；(2)采用相应目数的砂纸对靶材溅射面进行打磨，打磨方向顺应靶材溅射面形成有的跑道的方向，去除溅射面的氧化物和杂质；(3)采用吸尘器将靶材的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净；(4)采用无尘布蘸取少量酒精对靶材的溅射面进行擦拭清洁，除去没有完全吸除的灰尘；(5)重复步骤(4)，直至无尘布表面只有轻微变色。通过采用以上步骤可有效清除溅射靶材表面氧化物、杂质和粉尘，进而可减少ITO薄膜生产中靶材表面结瘤，减少对靶材的清洁次数，提高生产效率，也提高靶材的利用率，降低生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及ITO薄膜溅射靶材的表面清洁技术，尤其涉及一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法。
背景技术
在ITO溅射成膜的生产工艺中，由于靶材表面洁净度不高，通常会在靶材溅射表面累积一些从几微米到几毫米大小的黑色氧化物，这些异物被认为是IN或SI的不完全氧化物，一般称之为结瘤。结瘤具有绝缘性，结瘤量增加，多引发溅射过程中的异常放电，使ITO膜出现粒状物，影响成膜质量。随靶材表面结瘤异常的增加，需要中止溅射操作，对溅射靶材表面的结瘤进行清洁再生产处理，但由于清洁不够切底，溅射靶材洁净度不高，在溅射生产过程中又会很快出现结瘤，这样造成生产作业不连续，导致生产效率下降。即使去除了结瘤，反复进行再生处理也很难恢复到新靶材的状态，这样造成一种结果，就是靶材在用尽以前会因为结瘤的增加导致靶材废弃。正因如此，需要改进溅射靶材的清洁方法，提高靶材的洁净度。
目前对溅射靶材的表面进行处理时，主要利用砂纸对靶材表面进行打磨，再使用气枪吹除粉尘颗粒和碎屑，或采用无残留胶带粘除。使用气枪吹除很容易造成无尘车间的污染，而采用无残留胶带的方式不仅增加了制造成本，而且不能将所有杂质都粘除，难以提高溅射靶材的洁净度，例如大的颗粒或在缝隙里的粉尘都是无残留胶带难以粘除干净的。
发明内容
本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的在于提供一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其能有效减少溅射靶材表面的氧化物和杂质，提高靶材表面洁净度，进而提高靶材的利用率。
为实现上述目的，本发明采用以下之技术方案：
一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，包括如下步骤：
(1)清除大颗粒物：采用吸尘器将溅射成膜过程中沉落到靶材溅射面的大颗粒物吸除干净，得到A；
(2)砂纸打磨：采用相应目数的砂纸对靶材A的溅射面进行打磨，打磨方向顺应靶材溅射面形成有的跑道的方向，同时将位于跑道中间表面泛黄的氧化层打磨干净，去除溅射面的氧化物和杂质，得到B；
(3)清洁除尘：采用吸尘器将靶材B的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净，得到C；
(4)擦拭清洁：采用无尘布蘸取少量酒精对靶材C的溅射面进行擦拭清洁，除去没有完全吸除的灰尘；
(5)重复步骤(4)，直至无尘布表面只有轻微变色。
本发明中，步骤(2)和步骤(3)可以同时进行，即可以一边用砂纸进行打磨，一边采用吸尘器进行吸尘。
作为一种优选方案，所述靶材为ITO靶材和Si靶材。
作为一种优选方案，所述ITO靶材选用>150目的砂纸进行打磨，所述Si靶材选用>30目的砂纸进行打磨。
作为一种优选方案，所述ITO靶材选用>200目的砂纸进行打磨，所述Si靶材选用>60目的砂纸进行打磨。
作为一种优选方案，所述吸尘器为KARDV吸尘器。
作为一种优选方案，所述无尘布的洁净等级为1000级以下。
本发明通过采用以上技术方案，具有明显的优点和有益效果，具体而言：1、通过采用砂纸对靶材表面进行打磨，并且顺应靶材的跑道方向，可有效去除靶材表面的氧化物和杂质，同时可以避免一些灰尘落于缝隙中；2、在打磨后采用吸尘器对靶材表面的颗粒物或粉尘进行清洁，不仅可以清除较大的颗粒物和粉尘，也可以清除落入到缝隙中的粉尘，提高了靶材表面的洁净度，同时采用吸尘的方式也可以避免粉尘污染无尘车间的情况；3、最后采用无尘布蘸取少量酒精对靶材的表面进行擦拭，进一步提高靶材的洁净度。由此，清除了溅射靶材表面氧化物、杂质和粉尘，进而可减少ITO薄膜生产中靶材表面结瘤，降低异常放电次数，也减少了对靶材的清洁次数，提高了生产效率，也提高了靶材的利用率，降低了生产成本；同时，氧化物和杂质的减少，也降低了对ITO薄膜表面阻值、雾度、透过率影响，提高了产品质量。
附图说明
图1为ITO薄膜溅射生产示意图；
图2为ITO靶材溅射后的结构示意图；
图3为本发明方法之操作流程图。
附图标识说明：
1、密封腔体，2、放卷辊，3、镀膜主辊，
4、收卷辊，5、靶材，6、基材，
51、跑道，52、泛黄氧化层。
具体实施方式
为更清楚地阐述本发明的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能，下面结合附图对本发明作进一步详细说明：
如图1所示，ITO薄膜溅射生产的装置，包括密封腔体1，以及设置于密封腔体1内的放卷辊2、收卷辊4、镀膜主辊3和靶材5，所述放卷辊2和收卷辊3分别位于密封腔体1的两侧，所述镀膜主辊3位于放卷辊2和收卷辊4之间的下方，所述靶材5位于镀膜主辊3的正下方，放卷辊2上的基材6绕过镀膜主辊3的下端到达收卷辊4。在成膜过程中，位于下方的靶材5表面的杂质不断被氧化和轰击，被轰击飞出的IN、SI氧化物颗粒以及粉尘又沉落到位于镀膜主辊3下方的靶材5表面，形成结瘤，随时间的增加，结瘤越来越严重，造成异常放电。部分被轰击的氧化物也会飞向基材6，混入膜层，降低ITO膜的稳定性。
如图2所示，ITO膜在成膜过程中，经过长时间的溅射生产，靶材5的表面会形成跑道51，并在跑道51的中间出现泛黄的溅射氧化物层52。
因此，在生产过程中，为了提高靶材的利用率，重新利用溅射靶材，需要对产生结瘤的溅射靶材进行清洁，提高溅射靶材的洁净度。
如图3所示，一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，包括如下步骤：
(1)清除大颗粒物：采用KARDV吸尘器将溅射成膜过程中沉落到靶材5的溅射面的氧化物颗粒以及粉尘吸除干净，减少颗粒物有粉尘，得到A；
(2)砂纸打磨：采用相应目数的砂纸对靶材A的溅射面进行打磨，打磨方向顺应靶材5的溅射面形成有的跑道51的方向，防止有些灰尘落入缝隙中，同时将位于跑道中间表面泛黄的氧化层52打磨干净，去除溅射面的氧化物和杂质，得到B；
(3)清洁除尘：采用KARDV吸尘器将靶材B的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净，得到C；
(4)擦拭清洁：采用洁净等级为1000级以下的无尘布蘸取少量酒精对靶材C的溅射面进行擦拭清洁，擦拭过程中，应顺应跑道的方向进行擦拭，以便将落入缝隙中的灰尘擦除干净，同时除去没有完全吸除的灰尘和颗粒物；
(5)重复步骤(4)，直至无尘布表面只有轻微变色。
本发明中，步骤(2)和步骤(3)可以同时进行，即可以一边用砂纸进行打磨，一边采用KARDV吸尘器进行吸尘。
本发明所述靶材5为ITO靶材和Si靶材，对于ITO靶材最好选用>150目的砂纸进行打磨，对于Si靶材最好选用>30目的砂纸进行打磨。
本实施例中，所述ITO靶材选用>200目的砂纸进行打磨，所述Si靶材选用>60目的砂纸进行打磨。
综上所述，本发明通过采用吸尘器吸尘的方式，避免了粉尘等污染无尘车间的情况，同时在用砂纸打磨时，通过顺应靶材的跑道的方向，避免了灰尘落入缝隙中，降低了清洁的难度，提高了清洁的质量。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)清除大颗粒物：采用吸尘器将溅射成膜过程中沉落到靶材溅射面的大颗粒物吸除干净，得到A；
(2)砂纸打磨：采用相应目数的砂纸对靶材A的溅射面进行打磨，打磨方向顺应靶材溅射面形成有的跑道的方向，同时将位于跑道中间表面泛黄的氧化层打磨干净，去除溅射面的氧化物和杂质，得到B；
(3)清洁除尘：采用吸尘器将靶材B的溅射面上由于砂纸打磨而产生的颗粒物和灰尘吸除干净，得到C；
(4)擦拭清洁：采用无尘布蘸取少量酒精对靶材C的溅射面进行擦拭清洁，除去没有完全吸除的灰尘；
(5)重复步骤(4)，直至无尘布表面只有轻微变色。
2.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于：所述靶材为ITO靶材和Si靶材。
3.根据权利要求2所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于：所述ITO靶材选用>150目的砂纸进行打磨，所述Si靶材选用>30目的砂纸进行打磨。
4.根据权利要求3所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于：所述ITO靶材选用>200目的砂纸进行打磨，所述Si靶材选用>60目的砂纸进行打磨。
5.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于：所述吸尘器为KARDV吸尘器。
6.根据权利要求1所述的ITO薄膜溅射靶材的清洁方法，其特征在于：所述无尘布的洁净等级为1000级以下。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151118 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |