CN105019024A - 一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 - Google Patents
一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105019024A CN105019024A CN201510400519.3A CN201510400519A CN105019024A CN 105019024 A CN105019024 A CN 105019024A CN 201510400519 A CN201510400519 A CN 201510400519A CN 105019024 A CN105019024 A CN 105019024A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal
- temperature
- hour
- field device
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，包括对晶体生长炉温场装置结构的改进，以实现对温度梯度变化的机械控制，并在晶体生长不同阶段，通过改变温场顶部保温罩的保温效果，实现垂直于籽晶杆轴线方向上的温度梯度变化，用于满足晶体生长过程中缩颈和放肩所需的较大温度梯度的要求，以及晶体等径生长所需的较小温度梯度的要求，从而实现高品质的近化学计量比晶体的生长。本发明方法也用于其他类型的晶体生长可变温度梯度的温场控制上，并可实现计算机自动程序控制管理，避免人工操作的误差，确保对钽酸锂、铌酸锂等晶体生长质量的要求，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，属于晶体生长技术领域。
背景技术
提拉法是生长铌酸锂、钽酸锂晶体的主要方法之一，而鉴于铌酸锂、钽酸锂晶体高熔点的特性，需采用熔体提拉法生长，此过程主要包括化料、下种、缩颈、放肩、等颈、收尾等阶段，其中下种、缩颈、放肩、等颈过程为生长中比较关键的几个步骤。由于化料过程需要升温到高于晶体熔点5-10K的温度，所以造成下种时寻找合适的下种温度比较困难；而缩颈、放肩过程则需要连续不断地升温和降温，因升降温皆由程序控制，而且程序是通过调节电源功率来控制温度的，存在一定的滞后性，所以此阶段需要温场具有较大的温度梯度，才能更快更高效地实现缩颈和放肩；相反地，等颈阶段是晶体生长最主要的阶段，这个时期生长的晶体也是后期晶体应用最多的部分，这一时期要求晶体实现等直径生长，因此需要一个较为合适的温度变化速率和较小的温度梯度，以利于晶体的稳定生长，尤其是对于近化学计量比铌酸锂晶体，在等径生长阶段需要很小的温度梯度，来获得高品质的晶体。
目前提拉法所使用的温场都是固定温场，即在晶体生长的全过程中只能调节温度、拉速、转速等因素，而不能调节温场的组件，不能改变温场的位置，因而无法实现变温度梯度的要求，这就给晶体的生长带来了困难，因此实现晶体生长过程中温场的改变迫在眉睫，如何既保证温场大幅度变化，又保证晶体生长不受干扰也是亟待解决重要的研究课题。
发明内容
针对现有技术的不足和目前对高品质近化学计量比铌酸锂晶体的需求，本发明要解决问题是提供一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法。
本发明所述的利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，步骤是：
(1)在现有温场装置的基础上，针对保温罩进行改动，将其设置为可拆分的且紧密接触的两部分，一部分是位于保温罩上口、壁厚为3.2-6.4cm且其顶部设置有固定装置的类圆环体，命名为可移动保温帽，另一部分是原保温罩剔除上述类圆环体后的部分，命名为固定保温套；同时在生长炉内部顶端设置一个由定滑轮组构成的传动装置，并通过钢丝将该传动装置与所述可移动保温帽顶部的固定装置连接，通过控制该传动装置实现对可移动保温帽的提升或下降；当可移动保温帽上升时，温场装置内的纵向温度梯度会相应增大，当可移动保温帽下降时，温场装置内的纵向温度梯度会相应减小；
(2)根据设定制备的提拉晶体的质量，称取相应质量粒径为200-500nm的的用于生长近化学计量比铌酸锂晶体的球状多晶料，然后装填至铂金坩埚中，在绑好籽晶并调节籽晶底部距离铂金坩埚上沿的垂直距离是12-15cm后，打开中频加热电源，升温化料获得铌酸锂熔体；
(3)在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升10-15cm，待温度稳定0.5-2小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.5-1℃/小时升高温度，同时按照1-4mm/小时的提拉速度提升籽晶，1-4小时完成缩颈过程；然后按照1-2℃/小时降低温度，同时按照1-4mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过4-16小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程；
(4)在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定0.5-2小时后，按照0.1-0.5℃/小时降低温度，同时按照0.2-1mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照1-4℃/小时升温0.5-1小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
上述利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法中，优选的实施方案是：
步骤(3)所述在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升11-13cm，待温度稳定1小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.8℃/小时升高温度，同时按照2-3mm/小时的提拉速度提升籽晶，2-3小时完成缩颈过程；然后按照1.5℃/小时降低温度，同时按照2-3mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过8-12小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程。
步骤(4)所述在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定1小时后，按照0.3℃/小时降低温度，同时按照0.5mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照2-3℃/小时升温0.5-1小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
本发明公开的利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法包括对晶体生长炉温场装置结构的改进，以实现对温度梯度变化的机械控制，并在晶体生长不同阶段，通过改变温场顶部保温罩的保温效果，实现垂直于籽晶杆轴线方向上的温度梯度变化，用于满足晶体生长过程中缩颈和放肩所需的较大温度梯度的要求，以及晶体等径生长所需的较小温度梯度的要求，从而实现高品质的近化学计量比晶体的生长。
本发明方法中改进的温场装置具有结构简单，安装方便的优点，通过传动装置控制可移动保温帽上升或下降，改变保温罩的覆盖面积，进而调节温场装置内的纵向温度梯度；在晶体生长的缩颈和放肩阶段，通过传动装置使可移动保温帽上升，增大温场装置内的纵向温度梯度，在晶体生长的等颈阶段，通过传动装置使可移动保温帽下降，减小温场装置内的纵向温度梯度，如此既可以降低下种、缩颈和放肩过程的难度，又可以保证晶体的质量。此外，本发明方法也可实现计算机自动程序控制管理，避免人工操作的误差，能保证对钽酸锂、铌酸锂等晶体生长质量的要求，具有较好的经济社会效益。
附图说明
图1：是本发明所述可变温度梯度温场装置纵切面的示意图。
其中：1-固定运动装置；2-固定保温套；3-可移动保温帽；4-传动装置；5-钢丝；6-刚玉锥罩；7-保温桶；8-线圈；9-铌酸锂晶体；10-铌酸锂熔体；11-铂金坩埚。
图2：是本发明实施例2高温度梯度温场分布计算结果。
其中：12-液流曲线；13-温度梯度曲线。
图3：是本发明实施例2低温度梯度温场分布计算结果。
其中：12-液流曲线；13-温度梯度曲线。
图4：是本发明实施例2获得的近化学计量比铌酸锂晶体照片。
具体实施方式
实施例1：
本发明所述可变温度梯度温场装置
选择现有温场装置，该装置晶体提拉炉内部结构包括固定运动装置、设置有保温桶的温场体系、加热装置和铂金坩埚，其中铂金坩埚放置在由内层向外层依次是莫来石保温砖、氧化铝保温绵和刚玉坩埚的保温桶的中心位置，保温桶放置在匝数是10-12匝的环形感应线圈的中心位置，感应线圈以涡流的形式对铂金坩埚中的用于生长近化学计量比铌酸锂晶体的多晶料进行加热；在保温桶正上方由下向上依次放置刚玉锥罩和保温罩。本发明所述可变温度梯度温场装置是在现有温场装置的基础上，针对保温罩进行改动，将其设置为可拆分的且紧密接触的两部分，一部分是位于保温罩上口、壁厚为3.2-6.4cm且其顶部设置有固定装置的类圆环体，命名为可移动保温帽，另一部分是原保温罩剔除上述类圆环体后的部分，命名为固定保温套；同时在生长炉内部顶端设置一个由定滑轮组构成的传动装置，并通过钢丝将该传动装置与所述可移动保温帽顶部的固定装置连接，通过控制该传动装置实现对可移动保温帽的提升或下降；当可移动保温帽上升时，温场装置内的纵向温度梯度会相应增大，当可移动保温帽下降时，温场装置内的纵向温度梯度会相应减小。
本发明所述可变温度梯度温场装置的纵切面的示意图参见图1，其中，1-固定运动装置；2-固定保温套；3-可移动保温帽；4-传动装置；5-钢丝；6-刚玉锥罩；7-保温桶；8-线圈；9-铌酸锂晶体；10-铌酸锂熔体；11-铂金坩埚。
实施例2：
可移动保温帽直径为固定温场系统的50％的装置生长近化学计量比铌酸锂晶体
(1)根据设定制备的提拉晶体的质量为550g，称取3000g质量粒径为300-400nm的用于生长近化学计量比铌酸锂晶体的球状多晶料，然后装填至铂金坩埚中，在绑好籽晶并调节籽晶底部距离铂金坩埚上沿的垂直距离是15cm后，打开中频加热电源，升温化料获得铌酸锂熔体；
(2)在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升12cm，待温度稳定1小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.8℃/小时升高温度，同时按照2mm/小时的提拉速度提升籽晶，3小时完成缩颈过程；然后按照1.5℃/小时降低温度，同时按照2mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过10-12小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程；
(3)在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定1小时后，按照0.3℃/小时降低温度，同时按照0.5mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照3℃/小时升温0.5小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
上述方法中高温度梯度温场分布计算结果见图2；低温度梯度温场分布计算结果见图3；获得的近化学计量比铌酸锂晶体照片见图4.
实施例3：
可移动保温帽直径为固定温场系统的60％的装置生长近化学计量比铌酸锂晶体
(1)根据设定制备的提拉晶体的质量为550g，称取3000g质量粒径为300-400nm的用于生长近化学计量比铌酸锂晶体的球状多晶料，然后装填至铂金坩埚中，在绑好籽晶并调节籽晶底部距离铂金坩埚上沿的垂直距离是15cm后，打开中频加热电源，升温化料获得铌酸锂熔体；
(2)在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升12cm，待温度稳定1小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.8℃/小时升高温度，同时按照2mm/小时的提拉速度提升籽晶，3小时完成缩颈过程；然后按照1.5℃/小时降低温度，同时按照2mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过10-12小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程；
(3)在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定1小时后，按照0.3℃/小时降低温度，同时按照0.5mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照3℃/小时升温0.5小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
Claims (3)
1.一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，步骤是：
(1)在现有温场装置的基础上，针对保温罩进行改动，将其设置为可拆分的且紧密接触的两部分，一部分是位于保温罩上口、壁厚为3.2-6.4cm且其顶部设置有固定装置的类圆环体，命名为可移动保温帽，另一部分是原保温罩剔除上述类圆环体后的部分，命名为固定保温套；同时在生长炉内部顶端设置一个由定滑轮组构成的传动装置，并通过钢丝将该传动装置与所述可移动保温帽顶部的固定装置连接，通过控制该传动装置实现对可移动保温帽的提升或下降；当可移动保温帽上升时，温场装置内的纵向温度梯度会相应增大，当可移动保温帽下降时，温场装置内的纵向温度梯度会相应减小；
(2)根据设定制备的提拉晶体的质量，称取相应质量粒径为200-500nm的的用于生长近化学计量比铌酸锂晶体的球状多晶料，然后装填至铂金坩埚中，在绑好籽晶并调节籽晶底部距离铂金坩埚上沿的垂直距离是12-15cm后，打开中频加热电源，升温化料获得铌酸锂熔体；
(3)在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升10-15cm，待温度稳定0.5-2小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.5-1℃/小时升高温度，同时按照1-4mm/小时的提拉速度提升籽晶，1-4小时完成缩颈过程；然后按照1-2℃/小时降低温度，同时按照1-4mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过4-16小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程；
(4)在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定0.5-2小时后，按照0.1-0.5℃/小时降低温度，同时按照0.2-1mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照1-4℃/小时升温0.5-1小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
2.如权利要求1所述的利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(3)所述在晶体生长初期，将温场装置中的可移动保温帽提升11-13cm，待温度稳定1小时后，将绑好的籽晶下降与铌酸锂熔体液面接触，观察籽晶直径稳定之后，按照0.8℃/小时升高温度，同时按照2-3mm/小时的提拉速度提升籽晶，2-3小时完成缩颈过程；然后按照1.5℃/小时降低温度，同时按照2-3mm/小时的提拉速度提拉晶体，经过8-12小时，使晶体直径达到预定尺寸，完成晶体生长的放肩过程。
3.如权利要求1所述的利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，其特征在于：步骤(4)所述在晶体生长中后期，将温场装置中的可移动保温帽下降至与固定保温套的紧密复合，构成与现有温场装置中的保温罩相同的状态，待温度稳定1小时后，按照0.3℃/小时降低温度，同时按照0.5mm/小时的提拉速度提拉晶体，进行晶体的等径生长，直至达到预定晶体长度；再按照2-3℃/小时升温0.5-1小时，然后手动将晶体拉脱液面，并按照1℃/小时降温到室温，即获得设定制备的近化学计量比铌酸锂晶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510400519.3A CN105019024B (zh) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | 一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510400519.3A CN105019024B (zh) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | 一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105019024A true CN105019024A (zh) | 2015-11-04 |
| CN105019024B CN105019024B (zh) | 2018-02-06 |
Family
ID=54409309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510400519.3A Active CN105019024B (zh) | 2015-07-09 | 2015-07-09 | 一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105019024B (zh) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112746312A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-05-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种低应力晶体的生长方法 |
| CN112795980A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-05-14 | 中山大学 | 人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法 |
| CN113529170A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-22 | 济南大学 | 一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法 |
| CN113550008A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-26 | 济南大学 | 一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法 |
| CN114134561A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-04 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种晶体生长热场动态反射屏调整方法 |
| CN114351244A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-15 | 北京雷生强式科技有限责任公司 | 温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法 |
| CN114686967A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-01 | 合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司 | 一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法 |
| WO2023029288A1 (zh) * | 2021-09-01 | 2023-03-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 铌酸锂晶体及其制备方法 |
| CN116607215A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-18 | 苏州南智芯材科技有限公司 | 一种铌酸锂晶体的生长方法及装置 |
| CN116905087A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-10-20 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂晶体的生长方法 |
| CN117403330A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 天通控股股份有限公司 | 一种调控钽酸锂晶体退火阶段热场温度梯度的方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003221299A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-05 | Mitsui Chemicals Inc | 光学用大型ニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法、並びに該製造方法に用いられる製造装置 |
| CN1654715A (zh) * | 2004-08-10 | 2005-08-17 | 山东大学 | 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法 |
| CN102677168A (zh) * | 2011-03-15 | 2012-09-19 | 上海晨安电炉制造有限公司 | 一种热场可调的泡生法晶体生长炉 |
| CN102766901A (zh) * | 2012-08-20 | 2012-11-07 | 元亮科技有限公司 | 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 |
| CN103147121A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-06-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 提拉泡生法生长晶体的装置 |
| CN103643292A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-19 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法及装置 |
-
2015
- 2015-07-09 CN CN201510400519.3A patent/CN105019024B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003221299A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-05 | Mitsui Chemicals Inc | 光学用大型ニオブ酸リチウム単結晶およびその製造方法、並びに該製造方法に用いられる製造装置 |
| CN1654715A (zh) * | 2004-08-10 | 2005-08-17 | 山东大学 | 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法 |
| CN102677168A (zh) * | 2011-03-15 | 2012-09-19 | 上海晨安电炉制造有限公司 | 一种热场可调的泡生法晶体生长炉 |
| CN102766901A (zh) * | 2012-08-20 | 2012-11-07 | 元亮科技有限公司 | 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 |
| CN103147121A (zh) * | 2013-04-03 | 2013-06-12 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 提拉泡生法生长晶体的装置 |
| CN103643292A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-03-19 | 中国工程物理研究院化工材料研究所 | 一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法及装置 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112795980A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-05-14 | 中山大学 | 人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法 |
| CN112746312A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-05-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种低应力晶体的生长方法 |
| CN112746312B (zh) * | 2021-02-03 | 2021-12-07 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种低应力晶体的生长方法 |
| CN113529170A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-22 | 济南大学 | 一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法 |
| CN113550008A (zh) * | 2021-07-14 | 2021-10-26 | 济南大学 | 一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法 |
| CN113550008B (zh) * | 2021-07-14 | 2023-06-23 | 山东恒元半导体科技有限公司 | 一种超大尺寸铌酸锂晶体的生长装置和方法 |
| WO2023029288A1 (zh) * | 2021-09-01 | 2023-03-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 铌酸锂晶体及其制备方法 |
| CN114134561A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-04 | 杭州富加镓业科技有限公司 | 一种晶体生长热场动态反射屏调整方法 |
| CN114351244A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-15 | 北京雷生强式科技有限责任公司 | 温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法 |
| CN114686967A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-01 | 合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司 | 一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法 |
| CN116607215A (zh) * | 2023-07-20 | 2023-08-18 | 苏州南智芯材科技有限公司 | 一种铌酸锂晶体的生长方法及装置 |
| CN116607215B (zh) * | 2023-07-20 | 2023-10-17 | 苏州南智芯材科技有限公司 | 一种铌酸锂晶体的生长方法及装置 |
| CN116905087A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-10-20 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂晶体的生长方法 |
| CN116905087B (zh) * | 2023-09-13 | 2023-11-28 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂晶体的生长方法 |
| CN117403330A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 天通控股股份有限公司 | 一种调控钽酸锂晶体退火阶段热场温度梯度的方法 |
| CN117403330B (zh) * | 2023-12-14 | 2024-03-01 | 天通控股股份有限公司 | 一种调控钽酸锂晶体退火阶段热场温度梯度的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105019024B (zh) | 2018-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105019024A (zh) | 一种利用温度梯度可调节的温场装置生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 | |
| CN102162130B (zh) | 一种蓝宝石单晶的制备方法 | |
| EP1813700A1 (en) | Apparatus for crystal production | |
| CN102677168A (zh) | 一种热场可调的泡生法晶体生长炉 | |
| CN102766901A (zh) | 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法 | |
| CN207109156U (zh) | 一种碳化硅晶体生长装置 | |
| CN101323968A (zh) | 多元化合物红外晶体生长装置 | |
| CN104651934A (zh) | 一种节能型蓝宝石晶体生长炉 | |
| CN102691098B (zh) | 泡生法制备蓝宝石晶体的生长方法 | |
| CN107604439A (zh) | 一种生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构 | |
| CN103060901A (zh) | 导模法生长多条晶体的制备工艺 | |
| CN102877129A (zh) | 一种晶体硅及其制备方法 | |
| CN112795980B (zh) | 人工晶体生长的温场调控装置和温场动态调控方法 | |
| CN104313680A (zh) | 一种用于晶体生长的垂直管式炉设备及其使用方法 | |
| CN103966668A (zh) | 一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法 | |
| CN104911709B (zh) | 一种80kg以上大尺寸蓝宝石单晶的生长方法 | |
| CN102703970A (zh) | 泡生法生长掺钛蓝宝石晶体 | |
| CN103643292B (zh) | 一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法 | |
| CN103451729A (zh) | 一种生长方形蓝宝石的方法 | |
| CN206666673U (zh) | 一种多工位坩埚下降炉 | |
| CN208949444U (zh) | 一种c向蓝宝石晶体的生长设备 | |
| CN102418144B (zh) | 一种4英寸c向蓝宝石晶体的制造方法 | |
| CN104480527A (zh) | 一种多晶硅铸锭炉全功率控制铸锭工艺 | |
| CN203007472U (zh) | 长晶炉 | |
| CN104313681A (zh) | 一种用于多元化合物晶体生长的设备及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |