CN105006522A - 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105006522A
CN105006522A CN201510343490.XA CN201510343490A CN105006522A CN 105006522 A CN105006522 A CN 105006522A CN 201510343490 A CN201510343490 A CN 201510343490A CN 105006522 A CN105006522 A CN 105006522A
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
film solar
spin coating
preparation
conductive substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510343490.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN105006522B (zh
Inventor
廖良生
袁大星
王照奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou University
Original Assignee
Suzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou University filed Critical Suzhou University
Priority to CN201510343490.XA priority Critical patent/CN105006522B/zh
Publication of CN105006522A publication Critical patent/CN105006522A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105006522B publication Critical patent/CN105006522B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明属于薄膜太阳能电池领域，涉及一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法，所述的薄膜太阳能电池基于倒置的平面结构，以一种FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，通过溶液法在低温条件下制备得到。本薄膜电池是以新型的FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，该种体系比起传统的MAPbI3钙钛矿体系具有更宽的吸收范围、更高的相转变温度以及更好的稳定性；避免基于传统倒置结构中高温烧结的弊端，能够在工业化生产中大大降低成本；本薄膜太阳能电池不仅制备方法简单、成本低，而且具有较好的重复性好，可实现低成本的卷对卷模式，在未来的工业化生产中具有十分潜在的应用价值。

Description

一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于薄膜太阳能电池领域，涉及一种基于钙钛矿材料的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法。
背景技术
钙钛矿作为一种新型的光吸收层材料，于2009年第一次被用在太阳能电池上。经过六年的发展，其能量转化效率已经由起初的3.8% 提升到20% 以上。然而大部分的工作都是基于CH3NH3PbI3 (或者 CH3NH3PbI3-xClx)体系，该种钙钛矿材料带隙约为1.55 eV, 尚未达到理想的光伏材料所具有的带隙（1.4 eV）。而且，据报道CH3NH3PbI3（MAPbI3）体系的钙钛矿具有很低的相转变温度，这势必会影响器件的稳定性。
NH2CH=NH2PbI3（FAPbI3）作为一种新型的钙钛矿材料，已经作为活性层被应用在钙钛矿太阳能电池中。比起传统的MAPbI3 体系，FAPbI3体系具有优越的特性，比如其带隙更接近于理想的光伏材料带隙（Eg=1.48 eV），具有更高的相转变温度以及更好的光稳定性等。但是，相关的报道都是基于传统的正置结构，在这种结构中致密或者多孔的TiO2 作为底部的电子传输层，制备时需要很高的温度，一般400-500℃。这么高的温度在工业化生产中势必会增加成本，而且没办法制备于柔性基底上。
发明内容
要解决的技术问题：本发明的目的是公开一种将FAPbI3钙钛矿制备于倒置平面结构的太阳能薄膜电池中，通过溶液法在低温条件下制备的薄膜太阳能电池及其制备方法。
技术方案：本发明公开了一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池，所述的薄膜太阳能电池基于倒置的平面结构，以一种FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，通过溶液法在低温条件下制备得到。
所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，制备方法具体步骤如下：
（1）将碘甲脒（NH2CH=NH2I（FAI））与碘化铅（PbI2）以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，常温搅拌后，对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的导电基底，擦洗后再用溶剂清洗，吹干；
（3）对清洗过的导电基底进行臭氧处理；
（4）在导电基底表面旋涂一层空穴传输层，然后进行退火处理；
（5）将导电基底旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层，在旋涂过程中用氯苯进行清洗；将导电基底在120-140℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将导电基底冷却；
（6）在冷却后的FAPbI3钙钛矿表面旋涂或热蒸镀电子传输层；
（7）将界面修饰层材料通过旋涂或热蒸镀方式制备在电子传输层的表面；
（8）在高真空条件下蒸镀一层银或铝电极，器件的有效面积通过掩模板的形状来确定。
优选的，所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，制备方法具体步骤如下：
（1）将NH2CH=NH2I（FAI）与PbI2以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，常温搅拌12小时后，用0.22 um的有机系过滤头对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的导电基底，用洗洁精进行擦洗之后，分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗各两次，每次十分钟，然后放入干燥箱烘干；
（3）对烘干的导电基底进行臭氧处理，臭氧处理时间为15 min；
（4）在导电基底表面旋涂一层空穴传输层，转速为2000-5000 rpm/40 s, 然后进行退火处理，退火条件为80-140℃/15 min；
（5）将导电基底转移至手套箱，旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层，在旋涂过程中用氯苯溶剂进行清洗；旋涂之后，将基片置于加热板上，在120-140℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将基片转移至玻璃培养皿中冷却；
（6）在冷却后的FAPbI3钙钛矿表面旋涂或热蒸镀电子传输层；
（7）将界面修饰层材料通过旋涂或热蒸镀方式制备在电子传输层的表面；
（8）在高真空条件下蒸镀一层银或铝电极，器件的有效面积通过掩模板的形状来确定。
优选的，所述的一种薄膜太阳能电池的制备方法，所述的导电基底为氧化锡铟（ITO）或掺杂氟的SnO2透明导电玻璃（FTO）导电薄膜的硬性或柔性基片。
优选的，所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，所述的空穴传输层是PEDOT:PSS（聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐）、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物（Poly-TPD）、聚三苯胺（PTAA）、氧化石墨烯（GO）、氧化镍（NiOx）、硫氰化亚铜（CuSCN）、碘化亚铜（CuI）中的一种或几种。
优选的，所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，所述的电子传输层材料是富勒烯C60、富勒烯C70、富勒烯衍生物[6,6]-苯基 C61 丁酸甲酯 （PCBM）、富勒烯衍生物茚与C60双加成物（ICBA）中的一种或几种。
优选的，所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，所述的界面修饰层材料是2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1, 10-菲啰啉（BCP）、4, 7-二苯基-1, 10-菲啰啉（Bphen）、氟化锂（LiF）、氧化锌（ZnO）、二氧化钛（TiO2）、吡咯烷二取代富勒烯衍生物（bis-C60）、聚[9, 9-二(3'-(N, N-二甲胺基)丙基)-2, 7-芴]-交-2, 7-(9, 9-二辛基芴)] (PFN)、聚二溴化[9, 9-二(3'-((N, N-二甲基)-N-乙氨盐基)-丙基)2, 7-芴]-交-1, 4-苯基] (PFNBr)、聚乙氧基-乙烯亚胺（PEIE）中的一种或几种。
有益效果：（1）本薄膜电池是以新型的FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，该种体系比起传统的MAPbI3钙钛矿体系具有更宽的吸收范围、更高的相转变温度以及更好的稳定性；
（2）本薄膜太阳能电池是在倒置结构中通过低温溶液法制备，一方面可以避免基于传统倒置结构中高温烧结的弊端，能够在工业化生产中大大降低成本；另一方面，此种制备过程满足柔性薄膜太阳能电池制备的条件，有望在未来实现基于FAPbI3钙钛矿体系可卷曲的钙钛矿薄膜太阳能电池；
（3）本薄膜太阳能电池不仅制备方法简单、成本低，而且具有较好的重复性好，可实现低成本的卷对卷模式，在未来的工业化生产中具有十分潜在的应用价值。
附图说明
图1为本发明的薄膜太阳能电池的结构图，其中1为导电基底，2为空穴传输层，3为NH2CH=NH2PbI3(FAPbI3)钙钛矿层，4为电子传输层，5为界面修饰层，6为电极。
图2为本发明中实施例1的太阳能薄膜电池代表性J-V曲线（a）以及40个器件能量转化效率的统计列表（b）。
具体实施方式
实施例1
（1）将NH2CH=NH2I（FAI）与PbI2以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂中，常温搅拌12小时后，用0.22 um的有机系过滤头对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的ITO导电玻璃基片，用洗洁精进行擦洗之后，分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗各两次，每次十分钟，然后放入干燥箱烘干；
（3）对烘干的ITO导电玻璃基片进行臭氧处理，臭氧处理时间为15 min；
（4）在ITO导电玻璃基片表面旋涂一层PEDOT:PSS，转速为4000 rpm/40 s, 然后进行退火处理，退火条件为140℃/15 min(本层的制备是在大气环境下进行)；
（5）将ITO导电玻璃基片转移至手套箱，旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层，在旋涂过程中用氯苯溶剂进行清洗；旋涂之后，将基片置于加热板上，在120℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将基片转移至玻璃培养皿中冷却；
（6）在冷却后的FAPbI3钙钛矿表面旋涂一层PCBM，旋涂条件为2000 rpm/30s；
（7）将0.5 mg/ml的BCP乙醇溶液以4000rpm的转速旋涂在PCBM层表面，以形成一层界面修饰层；
（8）将ITO导电玻璃基片转移至热蒸镀系统，在高真空条件下蒸镀一层银电极，器件的有效面积通过掩模板的形状来确定。
实施例1的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/FAPbI3/PCBM/BCP/Ag。
实施例1以PDEOT:PSS和PCBM分别为空穴和电子传输层，以BCP作为阴极界面修饰层所制备的基于FAPbI3体系的钙钛矿太阳能电池的能量转化效率可达13%以上，而且具有非常好的重复性。
实施例2
（1）将NH2CH=NH2I（FAI）与PbI2以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶剂中，常温搅拌12小时后，用0.22 um的有机系过滤头对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的ITO导电玻璃基片，用洗洁精进行擦洗之后，分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗各两次，每次十分钟，然后放入干燥箱烘干；
（3）对烘干的ITO导电玻璃基片进行臭氧处理，臭氧时间为15 min；
（4）在ITO表面旋涂一层PEDOT:PSS前驱体溶液，转速为4000 rpm/40 s, 然后进行退火处理，退火条件为140℃/15 min (本层的制备是在大气环境下进行)；
（5）将ITO导电玻璃基片转移至手套箱，旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层，在旋涂过程中用氯苯溶剂进行清洗；旋涂之后，将基片置于加热板上，在120℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将基片转移至玻璃培养皿中冷却；
（6）将ITO导电玻璃基片转移至真空热蒸镀腔体中，在高真空条件下（4×10-4 Pa）依次蒸镀电子传输层C60（50 nm）、界面修饰层BCP（8 nm）以及银电极（100 nm），冷却。
实施例2的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/FAPbI3/C60/BCP/Ag。
实施例3
本实施例与实施例1不同之处在于，空穴传输层材料为氧化石墨烯（GO），其他步骤与实施例1相同。
实施例3的器件结构为ITO/GO/FAPbI3/PCBM/BCP/Ag。
实施例4
本实施例与实施例1不同之处在于，电子传输层材料为ICBA，其他步骤与实施例1相同。
实施例4的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/FAPbI3/ICBA/BCP/Ag。
实施例5
本实施例与实施例1不同之处在于，阴极界面修饰层材料为Bphen，其他步骤与实施例1相同。
实施例5的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/FAPbI3/PCBM/Bphen/Ag。
实施例6
本实施例与实施例1不同之处在于，空穴传输层材料为氧化石墨烯（GO），电子传输层为ICBA，阴极界面修饰层为PFN，其他步骤与实施例1相同。
实施例6的器件结构为ITO/GO/FAPbI3/ICBA/PFN/Ag。
实施例7
本实施例与实施例2不同之处在于，空穴传输层材料为PTAA，其他步骤与实施例2相同。实施例7的器件结构为ITO/PTAA/FAPbI3/C60/BCP/Ag。
实施例8
本实施例与实施例2不同之处在于，空穴传输层材料为Poly-TPD，界面修饰层材料为LiF，电极为铝电极，其他步骤与实施例2相同。
实施例8的器件结构为ITO/Poly-TPD/FAPbI3/PCBM/LiF/Al。
表1为本发明的实施例的薄膜电池的器件性能参数。
。

Claims (7)

1.一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池，其特征在于，所述的薄膜太阳能电池基于倒置的平面结构，以一种FAPbI3钙钛矿体系作为光吸收层，通过溶液法在低温条件下制备得到。
2. 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，制备方法具体步骤如下：
（1）将碘甲脒与碘化铅以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，常温搅拌后，对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的导电基底（1），擦洗后再用溶剂清洗，吹干；
（3）对清洗过的导电基底（1）进行臭氧处理；
（4）在导电基底（1）表面旋涂一层空穴传输层（2），然后进行退火处理；
（5）将导电基底（1）旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层（3），在旋涂过程中用氯苯进行清洗；将导电基底在120-140℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将导电基底冷却；
（6）在冷却后的FAPbI3钙钛矿表面旋涂或热蒸镀电子传输层（4）；
（7）将界面修饰层材料（5）通过旋涂或热蒸镀方式制备在电子传输层（4）的表面；
（8）在高真空条件下蒸镀一层银或铝电极（6），器件的有效面积通过掩模板的形状来确定。
3. 根据权利要求2所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，制备方法具体步骤如下：
（1）将碘甲脒与碘化铅以1:1摩尔比混合溶解在N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，常温搅拌12小时后，用0.22 um的有机系过滤头对溶液进行过滤；
（2）提供一个图案化的导电基底（1），用洗洁精进行擦洗之后，分别用丙酮、乙醇、去离子水依次超声清洗各两次，每次十分钟，然后放入干燥箱烘干；
（3）对烘干的导电基底（1）进行臭氧处理，臭氧处理时间为15 min；
（4）在导电基底（1）表面旋涂一层空穴传输层（2），转速为2000-5000 rpm/40 s, 然后进行退火处理，退火条件为80-140℃/15 min；
（5）将导电基底（1）转移至手套箱，旋涂FAPbI3钙钛矿前驱体层（3），在旋涂过程中用氯苯溶剂进行清洗；旋涂之后，将基片置于加热板上，在120-140℃条件下对钙钛矿前驱体溶液进行退火处理，待钙钛矿层完全结晶后，将基片转移至玻璃培养皿中冷却；
（6）在冷却后的FAPbI3钙钛矿表面旋涂或热蒸镀电子传输层（4）；
（7）将界面修饰层材料（5）通过旋涂或热蒸镀方式制备在电子传输层（4）的表面；
（8）在高真空条件下蒸镀一层银或铝电极（6），器件的有效面积通过掩模板的形状来确定。
4. 根据权利要求2或3所述的一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的导电基底为氧化锡铟或掺杂氟的SnO2透明导电玻璃导电薄膜的硬性或柔性基片。
5. 根据权利要求2或3所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的空穴传输层是聚3，4-乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物、聚三苯胺、氧化石墨烯、氧化镍、硫氰化亚铜、碘化亚铜中的一种或几种。
6. 根据权利要求2或3所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的电子传输层材料是富勒烯C60、富勒烯C70、富勒烯衍生物[6,6]-苯基 C61 丁酸甲酯、富勒烯衍生物茚与C60双加成物中的一种或几种。
7. 根据权利要求2或3所述的一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述的界面修饰层材料是2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1, 10-菲啰啉、4, 7-二苯基-1, 10-菲啰啉、氟化锂、氧化锌、二氧化钛、吡咯烷二取代富勒烯衍生物、聚[9, 9-二(3'-(N, N-二甲胺基)丙基)-2, 7-芴]-交-2, 7-(9, 9-二辛基芴)]、聚二溴化[9, 9-二(3'-((N, N-二甲基)-N-乙氨盐基)-丙基)2, 7-芴]-交-1, 4-苯基] 、聚乙氧基-乙烯亚胺中的一种或几种。
CN201510343490.XA 2015-06-19 2015-06-19 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法 Active CN105006522B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510343490.XA CN105006522B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510343490.XA CN105006522B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105006522A true CN105006522A (zh) 2015-10-28
CN105006522B CN105006522B (zh) 2018-08-31

Family

ID=54379117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510343490.XA Active CN105006522B (zh) 2015-06-19 2015-06-19 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105006522B (zh)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105489777A (zh) * 2015-12-22 2016-04-13 成都新柯力化工科技有限公司 一种微胶囊结构的钙钛光伏材料及其制备方法
CN105568261A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种钙钛矿结构的薄膜材料的制备方法
CN105609662A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 成都新柯力化工科技有限公司 一种钙钛矿光伏材料专用的空穴传输材料的制备方法
CN107089926A (zh) * 2017-04-26 2017-08-25 河北工业大学 一种雪花状甲脒铅碘纳米线的制备方法
CN107154460A (zh) * 2017-04-15 2017-09-12 北京化工大学 一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
CN107948357A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 李国强 一种具有太阳能电池的通讯手机
CN108232015A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 晋江瑞碧科技有限公司 一种环境稳定的无铅钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN108258123A (zh) * 2018-01-18 2018-07-06 南方科技大学 一种调控钙钛矿型材料晶相转变温度的方法
CN108336233A (zh) * 2018-01-18 2018-07-27 中国科学院金属研究所 一种蓝黑色钙钛矿薄膜的制备方法及其应用
CN109148697A (zh) * 2018-09-21 2019-01-04 北京恒信卓元科技有限公司 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN109564948A (zh) * 2016-06-30 2019-04-02 香港大学 有机铅卤化物钙钛矿薄膜及制造其的方法
CN109802041A (zh) * 2019-01-28 2019-05-24 桂林电子科技大学 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法
CN109830609A (zh) * 2019-02-13 2019-05-31 南方科技大学 一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池及印刷制备方法
CN111303866A (zh) * 2020-02-10 2020-06-19 西南石油大学 一种棒状钙钛矿材料及其制备方法
CN114512559A (zh) * 2021-12-28 2022-05-17 中国建材国际工程集团有限公司 一种柔性大面积叠层太阳能电池及其制备方法
CN114759141A (zh) * 2022-04-02 2022-07-15 北京航空航天大学 一种钙钛矿光活性材料及其制备方法和太阳能电池器件
CN114824097A (zh) * 2022-04-15 2022-07-29 桂林电子科技大学 一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175472A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Osaka Gas Co Ltd 有機−無機ナノハイブリッド光電変換装置
CN104409641A (zh) * 2014-11-07 2015-03-11 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种提高有机-无机钙钛矿薄膜均匀性和结晶性的新方法
WO2015036905A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Inverted solar cell and process for producing the same
CN104465994A (zh) * 2014-12-09 2015-03-25 厦门惟华光能有限公司 一种基于全涂布工艺的钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN104576930A (zh) * 2015-01-06 2015-04-29 宁波大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175472A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Osaka Gas Co Ltd 有機−無機ナノハイブリッド光電変換装置
WO2015036905A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Inverted solar cell and process for producing the same
CN104409641A (zh) * 2014-11-07 2015-03-11 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 一种提高有机-无机钙钛矿薄膜均匀性和结晶性的新方法
CN104465994A (zh) * 2014-12-09 2015-03-25 厦门惟华光能有限公司 一种基于全涂布工艺的钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN104576930A (zh) * 2015-01-06 2015-04-29 宁波大学 钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105568261A (zh) * 2015-12-22 2016-05-11 成都新柯力化工科技有限公司 一种钙钛矿结构的薄膜材料的制备方法
CN105609662A (zh) * 2015-12-22 2016-05-25 成都新柯力化工科技有限公司 一种钙钛矿光伏材料专用的空穴传输材料的制备方法
CN105568261B (zh) * 2015-12-22 2017-10-20 成都新柯力化工科技有限公司 一种钙钛矿结构的薄膜材料的制备方法
CN105489777B (zh) * 2015-12-22 2017-10-20 成都新柯力化工科技有限公司 一种微胶囊结构的钙钛光伏材料及其制备方法
CN105609662B (zh) * 2015-12-22 2017-12-12 洪杰波 一种钙钛矿光伏材料专用的空穴传输材料的制备方法
CN105489777A (zh) * 2015-12-22 2016-04-13 成都新柯力化工科技有限公司 一种微胶囊结构的钙钛光伏材料及其制备方法
CN109564948A (zh) * 2016-06-30 2019-04-02 香港大学 有机铅卤化物钙钛矿薄膜及制造其的方法
CN107154460A (zh) * 2017-04-15 2017-09-12 北京化工大学 一种全碳基钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
CN107089926B (zh) * 2017-04-26 2018-11-16 河北工业大学 一种雪花状甲脒铅碘纳米线的制备方法
CN107089926A (zh) * 2017-04-26 2017-08-25 河北工业大学 一种雪花状甲脒铅碘纳米线的制备方法
CN107948357A (zh) * 2017-11-29 2018-04-20 李国强 一种具有太阳能电池的通讯手机
CN108232015A (zh) * 2018-01-09 2018-06-29 晋江瑞碧科技有限公司 一种环境稳定的无铅钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN108258123A (zh) * 2018-01-18 2018-07-06 南方科技大学 一种调控钙钛矿型材料晶相转变温度的方法
CN108336233A (zh) * 2018-01-18 2018-07-27 中国科学院金属研究所 一种蓝黑色钙钛矿薄膜的制备方法及其应用
CN109148697A (zh) * 2018-09-21 2019-01-04 北京恒信卓元科技有限公司 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN109802041A (zh) * 2019-01-28 2019-05-24 桂林电子科技大学 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法
CN109802041B (zh) * 2019-01-28 2022-08-02 桂林电子科技大学 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法
CN109830609A (zh) * 2019-02-13 2019-05-31 南方科技大学 一种大面积柔性钙钛矿太阳能电池及印刷制备方法
CN111303866A (zh) * 2020-02-10 2020-06-19 西南石油大学 一种棒状钙钛矿材料及其制备方法
CN114512559A (zh) * 2021-12-28 2022-05-17 中国建材国际工程集团有限公司 一种柔性大面积叠层太阳能电池及其制备方法
CN114759141A (zh) * 2022-04-02 2022-07-15 北京航空航天大学 一种钙钛矿光活性材料及其制备方法和太阳能电池器件
CN114824097A (zh) * 2022-04-15 2022-07-29 桂林电子科技大学 一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN114824097B (zh) * 2022-04-15 2023-03-24 桂林电子科技大学 一种含有缓冲层的钙钛矿太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105006522B (zh) 2018-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105006522B (zh) 一种基于钙钛矿的倒置薄膜太阳能电池及其制备方法
WO2016026294A1 (zh) 一种基于SnO2的钙钛矿薄膜光伏电池及其制备方法
Liu et al. Novel efficient C60-based inverted perovskite solar cells with negligible hysteresis
CN109904318B (zh) 一种基于反溶液浴的钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池
CN105070841A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN109802041B (zh) 一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法
CN105789444A (zh) 一种基于真空蒸发镀膜法的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106601916B (zh) 基于异质结阴极缓冲层的有机太阳能电池及其制备方法
CN111129315A (zh) 一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN110335945B (zh) 一种双电子传输层无机钙钛矿太阳能电池及其制法和应用
CN109326715A (zh) 一种p-i-n型钙钛矿太阳能电池及其制造方法
CN108864414A (zh) 阴极界面修饰材料、太阳能电池及其制作方法与应用
CN111063809A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
WO2023155562A1 (zh) 一种卤化钙钛矿太阳能电池及其底界面自生长修饰方法
CN111446369B (zh) 钙钛矿光伏电池器件及其制造方法
KR102541137B1 (ko) 텐덤 태양전지 및 그 제조 방법
CN111446368B (zh) 钙钛矿光伏器件及其制造方法
CN105098079A (zh) 基于双层阴极缓冲层的有机薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107154461B (zh) 基于紫外光屏蔽层的钙钛矿光伏电池
CN106960911A (zh) 一种双光敏层杂化太阳能电池及其制备方法
CN104766926A (zh) 基于三层给体层的有机薄膜太阳能电池及其制备方法
Solis-Vivanco et al. Optoelectrical Properties and the Study of Thickness and Annealing in Poly-3-hexylthiophene Based ITO Free Organic Solar Cells with TiO 2 and MoO 3 as Transport Layers
CN111446367A (zh) 一种钙钛矿光伏器件及其制备方法
Zeng et al. Efficient Organic Tandem Solar Cells Enabled by Solution‐Processed Interconnection Layer and Fine‐Tuned Active Layer
CN112599674A (zh) 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant