CN104885139A - 导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法 - Google Patents

导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供一种可抑制叠纹的产生且可大幅提高可见性的导电膜、以及导电膜的图案的决定方法。本发明的导电膜中，由至少正面观察时的网状配线的网孔图案的空间频率特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6以下。网孔图案也可为具有多个断线部的图案。

Description

导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法
技术领域
本发明涉及一种导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法，详细而言，涉及一种被用作网(mesh)透明导电膜且具有网孔图案的导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法，在该网孔图案的设计中通过在设计时将电极考虑在内而使可被见到的叠纹的频谱(spectrum)强度以及频率存在于规定的频率以及强度范围内。
背景技术
作为设置于显示装置(以下，也称作显示器)的显示单元上的导电膜，例如可列举电磁波屏蔽用的导电膜或触控传感器(触摸屏)用的导电膜等(例如，参照专利文献1、专利文献2以及专利文献3)。
本申请人的申请案的专利文献1中揭示了具有包含网状导电性金属薄膜的电磁波屏蔽图案的电磁波屏蔽用导电膜，也揭示了如下内容：自动地选定利用例如显示器的像素阵列图案(例如，黑色矩阵(black matrix)(以下也称作BM)图案)等第1图案、以及例如电磁波屏蔽图案等第2图案各自的图案数据的二维傅里叶频谱(two-dimensional Fourier spectrum，2DFFTSp)的频谱波峰间的相对距离超过规定的空间频率，例如8cm-1的第2图案数据而生成的第2图案。
另外，专利文献1中也揭示了如下内容：在上述相对距离不超过规定的空间频率的情况下，重复进行使第2图案数据的旋转角度、间距、图案宽度中的任一个以上发生变化而生成新的第2图案数据，直至上述相对距离超过规定的空间频率为止。
这样，在专利文献1中，可自动地选定可抑制叠纹的产生且也可避免表面电阻率的增大或透明性的劣化的电磁波屏蔽图案。
另一方面，就迅速的响应性、高解析能力、大尺寸化、低制造成本化等方面而言，触摸屏用导电膜中，使用金属等不透明的导电性材料来代替现有的透明氧化铟锡(Indium TinOxides，ITO)而作为网状配线材料。为了使用此种导电膜实现触摸屏，导电膜必须具有用以对所触控的位置进行检测的分辨率。在利用导电膜的网状导体配线而具备ITO等透明导电膜功能的情况下，对整个面总体的网状配线，在特定的网状配线中设置切断部而附加断线，由此必须将与上述分辨率相当的检测用配线区域，与无助于检测的虚设配线区域分隔开来。
专利文献2中揭示的触摸屏中，在利用介隔绝缘层而在两侧以交叉方式设置的两种金属(不透明的导电性材料)制检测用配线而包围的多个虚设配线区域，将孤立配线与检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，从而在包含两种检测用配线的检测用配线区域与虚设配线区域之间形成切断部(断线(break))而将两者分离。
这样，专利文献2中，可获得响应速度快、可减少显示不均或叠纹且可见性高而容易大型化的触摸屏。
而且，在揭示有静电电容式触摸屏(触控开关)用的导电膜(面状体)的专利文献3中，将包含导体线的网眼(网)状电极划分为：隔开规定间隔而大致平行地配置的多个导电部区域，及配置于各导电部区域之间的非导电部区域，非导电部区域具备将导体线切断为岛状的多个切断部(断线)，可利用这些切断部使非导电部区域(虚设配线区域)与邻接的导电部区域(检测配线区域)之间绝缘。
这样，专利文献3中，提供一种防止产生网眼密度的不均(网眼的偏向存在)而可见性下降，从而可提高可见性，并且可高效地制造的面状体以及触控开关。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2009-117683号公报
专利文献2：日本专利特开2010-097536号公报
专利文献3：日本专利特开2010-262529号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，专利文献1虽为如下技术，即，当生成导电膜的配线图案时，仅根据显示器的BM(黑色矩阵)/配线图案的频率信息控制叠纹频率，而提供可见性优异的配线图案，但因叠纹可见/不可见的判定仅依存于频率，故专利文献1中即便在判定为叠纹不可见的频率的情况下，人对叠纹的知觉不仅受到频率影响也受到强度影响，因此有时会根据强度而叠纹可见，从而存在叠纹的可见性未得到充分提高的问题。
尤其在将专利文献1中揭示的技术应用于触摸屏用的导电膜的情况下，必须在网状导体配线中设置多个切断部(断线)，然而若设置这些切断部，则也会存在如下问题，即，网状导体配线的配线图案的空间频率特性发生变化，或因被人的手指等按压，故在BM/配线图案间产生微小的变形，从而助长因强度而叠纹可见，从而有叠纹的可见性的提高不充分的问题。
因此，为了设计叠纹可见性优异的图案，重要的是在设计时将切断部(断线)考虑在内，但该现有技术中并未涉及到该方面。
而且，专利文献2中，在由包含两种检测用配线的检测用配线区域所包围的多个虚设配线区域，将孤立配线与检测用配线平行或垂直或者倾斜45°而配置，因此两种检测用配线与孤立配线之间的切断部所引起的断线被有规则地设置着，因此该规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而存在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
进而，专利文献3中，为了使导电部区域与非导电部区域之间绝缘，切断网眼状电极的导体线的多个切断部设置于网眼状电极的导体线的交叉部。因此，这些切断部基本上有规则地设置于网眼状电极，因而该规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而存在无法充分提高叠纹的可见性的问题。
尤其若触摸屏大尺寸(大型)化，则必须使用金属等不透明的导电性材料，但为了要求规定的解析能力或者高的解析能力，则叠纹的可见性成为大问题。
进而，本申请人在日本专利特愿2012-082711号说明书中，提出有如下导电膜，即，算出显示器的BM(像素矩阵)以及导电膜的网状配线的配线图案(网孔图案)的空间频率波峰，利用根据各个空间频率波峰差分、波峰强度积算值而获得的叠纹的二维频率以及频谱强度、与视觉传递函数(visual transfer function)的卷积(convolution)，来算出评价值，且所述导电膜具有该评价值满足预先设定的条件的配线图案。
在将此种导电膜用于触摸屏的情况下，与上述专利文献2以及专利文献3等中记载的现有技术的触摸屏用导电膜同样地，必须将用以隔开确保网状配线的分辨率的检测用配线区域与虚设配线区域的多个断线部(切断部：断线)设置于网状配线而附加多个断线。如上述现有技术那样，为了满足触摸屏所要求的特定的分辨率，而且，为了将分辨率区域的静电电容设为固定，一般而言有规则地赋予这些断线部。然而，存在该规则的断线的周期成为叠纹可见的主要原因的问题。这样，规则的断线的周期会对可见的叠纹造成影响，从而产生无法充分提高叠纹的可见性的问题，但在本申请人以前提出的技术中、上述现有技术中均未涉及到该方面。
本发明的目的在于消除上述现有技术的问题，而提供一种可抑制叠纹的产生且可大幅提高可见性的导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法。
而且，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜即便在设置于显示装置的显示单元上的导电膜的具有包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情况下也可抑制叠纹的产生且可大幅提高可见性。
进而，本发明的目的在于尤其提供一种如下的导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法，上述导电膜在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导电膜用作必须进行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠于显示装置的显示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅提高触摸屏上的显示的可见性。
解决问题的技术手段
为了达成上述目的，本发明人对即便对于显示单元的黑色矩阵进行重叠而叠纹也不可见的导电膜的网孔图案反复进行了积极研究，结果发现：在现有技术或本申请人的现有申请案的导电膜中，因规则的周期的断线而叠纹可见的原因为如图17(A)以及图17(B)所示，在仅网孔图案(无断线)的情况下与具有规则的周期的断线的网孔图案(有断线)的情况下存在空间频率特性的差异，从而可利用该差异对上述原因进行说明。
此处，图17(A)以及图17(B)分别表示无断线(断线部)且叠纹的可见性得以适当化的网孔图案(无断线)以及具有规则的周期的断线的网孔图案(有断线)的情况下的空间频率特性的图。根据图17(A)以及图17(B)可知，在具有规则的周期的断线的网孔图案中，频谱强度并非特别高，而频谱波峰的数量增加。
这样，本发明人根据图17(A)以及图17(B)而发现，根据有无断线，而网孔图案的空间频率特性发生变化，该变化会对叠纹的可见性造成影响，因此为了设计叠纹可见性优异的图案，重要的是在设计时将断线考虑在内，从而完成了本发明。
也即，本发明的第1形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括：透明基体；以及网状配线，形成于透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细线的网孔图案，网状配线的网孔图案重叠于显示单元的像素阵列图案，叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6以下，上述叠纹由至少正面观察时的网孔图案的空间频率特性与显示单元的像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示。
此处，优选为网状配线包括：电极部，具备由多个金属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的电极配线图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，网孔图案的空间频率特性为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
而且，为了达成上述目的，本发明的第2形态的导电膜的配线图案的决定方法中，上述导电膜设置于显示装置的显示单元上且形成有网状配线，上述网状配线具有由图案化的多个金属细线以连续的方式形成为网状的网孔图案，上述导电膜的网孔图案的决定方法的特征在于：获取网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有网孔图案的显示单元的像素阵列图案的透过率周期图像数据，对获取的网孔图案的透过率周期图像数据以及像素阵列图案的透过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的网孔图案的空间频率特性以及像素阵列图案的空间频率特性，根据所获得的网孔图案的空间频率特性与像素阵列图案的空间频率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率以及频谱强度，求出所算出的叠纹的频率内的最低频率，将该最低频率的频谱强度与以常用对数计的-3.6相比，当由常用对数定义的叠纹的频谱强度为-3.6以下时，将网孔图案设定为导电膜的网孔图案，当叠纹的频谱强度超过-3.6时，将网孔图案的透过率周期图像数据变更为新的网孔图案的透过率周期图像数据，并重复进行空间频率特性的获取、叠纹的频率以及频谱强度的算出、以及叠纹的最低频率的频谱强度与-3.6的比较的各步骤，直至叠纹的最低频率的频谱强度为-3.6以下为止。
此处，优选为网状配线具有网孔图案，上述网孔图案包括：电极配线图案，由多个金属细线以连续的方式形成为网状；以及非电极配线图案，由多个金属细线形成为网状、具有多个断线部且与电极配线图案非连续地绝缘，网孔图案的透过率周期图像数据为具备具有多个断线部的非电极配线图案的网孔图案的透过率周期图像数据，网孔图案的空间频率特性为至少正面观察时的包含多个断线部的网孔图案的空间频率特性。
而且，优选为根据所获得的网孔图案的空间频率特性，从网孔图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4.5以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，并且根据所获得的像素阵列图案的空间频率特性，从像素阵列图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4.5以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，根据如此所算出的网孔图案的波峰频率以及波峰强度与像素阵列图案的波峰频率以及波峰强度，而分别算出叠纹的频率以及频谱强度。
上述第1形态中，优选为叠纹的频率由网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波峰频率的差分而赋予，叠纹的频谱强度由网孔图案的波峰强度与像素阵列图案的波峰强度的乘积而赋予。
而且，上述第2形态中，优选为求出网孔图案的波峰频率与像素阵列图案的波峰频率的波峰频率彼此的差分，来作为叠纹的频率，求出网孔图案的波峰强度与像素阵列图案的波峰强度的两组矢量强度的乘积，来作为叠纹的频谱强度。
而且，上述第1形态及第2形态中，优选为波峰强度为波峰位置周边的多个像素内的强度的和，而且，优选为波峰强度利用网孔图案以及像素阵列图案的透过率周期图像数据而得以标准化。
为了达成上述目的，本发明的第3形态的导电膜设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括：透明基体；以及网状配线，形成于透明基体的至少一面，且具有包含图案化的多个金属细线的网孔图案，网状配线包括：电极部，具备由多个金属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与电极部绝缘，网状配线的网孔图案包含电极部的电极配线图案、及与该电极配线图案绝缘的非电极部的非电极配线图案，并重叠于显示单元的像素阵列图案，在使非电极部的非电极配线图案的多个断线部连接的情况下，网状配线的网孔图案的叠纹不可见，非电极部的非电极配线图案为无规地配置着多个断线部的无规配线图案。
而且，上述第1形态、第2形态以及第3形态中，优选为叠纹的频率为3周期/毫米以下。
而且，优选为非电极部的非电极配线图案在除电极部以外的区域内由多个金属细线形成为网状。
而且，优选为像素阵列图案为黑色矩阵图案。
为了达成上述目的，本发明的第4形态的显示装置的特征在于包括：显示单元；以及上述第1形态及第3形态的导电膜，设置于该显示单元上。
为了达成上述目的，本发明的第5形态的触摸屏显示装置的特征在于包括：第4形态的显示装置；以及透明基板，配置于显示装置的导电膜的上侧，且在导电膜的相反侧具备触控面。
发明的效果
根据本发明，因如以上那样构成，故即便在使用设置于显示装置的显示单元上的导电膜的情况下，且即便在具备包含金属细线的网孔图案的网状配线具有多个断线部的情况下，也可抑制叠纹的产生，从而可大幅提高可见性。
根据本发明，尤其在将包括具有多个断线部的网状配线的透明导电膜用作必须进行大尺寸化、高分辨率化的触摸屏用电极的情况下，可抑制将导电膜重叠于显示装置的显示单元的黑色矩阵而可见时成为大的画质障碍的叠纹的发生，从而可大幅提高触摸屏上的显示的可见性。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的平面图。
图2是图1所示的导电膜的部分放大平面图。
图3是图2所示的导电膜的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多个断线部的一例的示意图。
图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。
图5是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一配线层的一例的平面图。
图6是图5所示的导电膜的配线层的部分放大平面图，且是表示其网孔图案的多个断线部的一例的示意图。
图7是图6所示的导电膜的示意性部分剖面图。
图8是表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案的一例的概略说明图。
图9是装入图7所示的导电膜的显示装置的一实施例的概略剖面图。
图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
图11(A)是表示应用本发明的导电膜的显示单元的像素阵列图案的一例的概略说明图，图11(B)是表示重叠于图11(A)的像素阵列图案的导电膜的配线图案的一例的概略说明图，图11(C)是图11(A)的像素阵列图案的部分放大图。
图12(A)以及图12(B)分别是表示图11(A)所示的像素阵列图案以及图11(B)所示的配线图案的各透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
图13是表示图11(A)所示的显示单元的像素阵列图案的频率波峰位置的图表
图14(A)以及图14(B)分别是将二维傅里叶频谱的强度特性的一例由曲线表示的图表以及由条形表示的条形图。
图15是示意性地表示因图11(A)所示的像素阵列图案与图11(B)所示的配线图案的干涉而产生的叠纹频率信息以及叠纹的频谱强度的概略说明图。
图16是表示比较例1的网孔图案的仿真样本的平面图。
图17(A)以及图17(B)分别是表示无断线(断线部)的网孔图案(无断线)以及具有规则周期的断线的网孔图案(有断线)的情况下的空间频率特性的图。
具体实施方式
以下，参照随附图式所示的优选的实施形态对本发明的导电膜以及导电膜的图案的决定方法进行详细说明。
以下，对本发明的导电膜，以在网状配线中具备断线部的触摸屏用的导电膜作为代表例进行说明，但本发明并不限定于此，只要为设置于液晶显示器(LCD：Liquid Crystal Display)或等离子体显示器(PDP：Plasma Display Panel)或有机电致发光(Electro Luminescence，EL)显示器(OELD：Organic Electro Luminescence Display)或无机EL显示器等显示装置的显示单元上的导电膜，则为任一个均可，例如，只要在网状配线中具备断线部，则当然也可为电磁波屏蔽用的导电膜等。
图1、图2以及图3分别是示意性地表示本发明的第1实施形态的导电膜的一例的整体平面图，其部分放大平面图以及进一步放大而示意性地表示其网孔图案的多个断线部的一例的部分平面示意图，图4是图3所示的导电膜的示意性部分剖面图。另外，图1中，为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为由粗线包围的区域，将虚设电极部表示为斜线区域。而且，图2～图3中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线形成，就粗细而言，当然并无不同。
如这些图所示，本实施形态的导电膜10设置于显示装置的显示单元上，是形成有网状配线的导电膜，该网状配线具有在抑制相对于显示单元的黑色矩阵(BM：Black Matrix)而产生叠纹方面优异的网孔图案(配线图案)，尤其在重叠于BM图案时相对于BM图案而叠纹的可见性方面得以最佳化的网孔图案。该导电膜10包括：透明基体12；配线层16，形成于透明基体12的一面(图4中上侧的面)的大致整个面，且包含图案化的多个不透明的金属制的细线(以下称作金属细线)14；以及保护层20，以被覆金属细线14的方式经由粘接层18而粘接于配线层16的金属细线14的大致整个面。
透明基体12包含具有绝缘性且透光性高的材料，例如可列举树脂，玻璃、硅等材料。作为树脂，例如可列举聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)等。
配线层16具备包含多个金属细线14的网状配线22。金属细线14只要为导电性高的金属制的细线则不作特别限制，例如可列举包含金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)的线材等的细线。就金属细线14的线宽而言，自可见性方面考虑，优选的是细线宽，例如，为30μm以下即可。另外，触摸屏用途中，金属细线14的线宽优选为0.1μm以上、15μm以下，更优选为1μm以上、9μm以下，进而优选为2μm以上、7μm以下。
详细而言，网状配线22具有将两个方向的多个金属细线14以交叉方式配线而成的配线图案，也即，将多个金属细线14以网状排列而成的网孔图案24。图示例中，由网孔图案24形成的开口部23的网形状为菱形，可称作菱形图案，但本发明并不限定于此，只要可构成相对于后述的规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的网孔图案24，且只要为具有至少三边的多边形状，则可为任一形状，而且，可为相同的网形状，也可为不同的网形状，例如，可列举正三角形、等腰三角形等三角形，或正方形、长方形等四边形(矩形)或五边形或六边形等相同或不同的多边形等。也即，只要为相对于规定的BM图案而叠纹可见性最佳化的网孔图案，则也可为由具有规则性的开口部23的排列而构成的网孔图案，还可为由不同形状的开口部23的排列而无规化的网孔图案。
网状配线22包括：电极部22a，具备由多个金属细线14以连续方式形成为网状的电极配线图案24a；以及虚设电极部(非电极部)22b，具备由多个金属细线同样地形成为网状且具有多个断线部26而非连续的虚设电极(非电极)配线图案24b，且与电极部22a绝缘。此处，电极部22a的电极配线图案24a与虚设电极部22b的虚设电极配线图案24b在图示例中，为具有相同网形状(菱形)的配线图案，将两者合成而形成为网状配线22的网孔图案24。
此处，图示例的电极部22a的电极配线图案24a为构成X电极的电极图案，但本发明并不限定于此，只要为用于静电电容式触控传感器(面板)的电极图案，则可为任一图案，例如，也可为条状电极、条带状(Bar and Stripe)电极、菱形电极、雪花状(snowflake)电极等现有公知的电极图案。
电极部22a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设电极部22b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部(切断部)26，从而附加有多个断线。在电极部22a中的金属细线14与虚设电极部22b中的金属细线14之间，必须设置断线部26，电极部22a的金属细线14与虚设电极部22b的金属细线14断线而不连续。也即，虚设电极部22b与电极部22a电性绝缘。
根据以上，网状配线22的网孔图案24成为包含多个断线部26的网孔图案。另外，关于本发明的导电膜10的网状配线22的网孔图案24所需的构成，将在以下进行叙述。
作为粘接层18的材料，可列举湿式层叠(wet laminate)粘接剂、干式层叠(dry laminate)粘接剂、或热熔(hot melt)粘接剂等。
保护层20与透明基体12同样地，包含含树脂、玻璃、硅的透光性高的材料。保护层20的折射率n1优选为与透明基体12的折射率n0相等或为与其接近的值。该情况下，透明基体12相对于保护层20的相对折射率nr1为接近于1的值。
此处，本说明书中的折射率是指波长589.3nm(钠的D线)的光的折射率，例如对于树脂而言，由作为国际标准规格的国际标准化组织(International Organization for Standardization，ISO)14782：1999(与日本工业规格(Japanese Industrial Standards，JIS)K 7105相对应)而定义。而且，透明基体12相对于保护层20的相对折射率nr1由nr1＝(n1/n0)定义。此处，相对折射率nr1处于0.86以上、1.15以下的范围即可，更优选为0.91以上、1.08以下。
通过将相对折射率nr1的范围限定为该范围，以控制透明基体12与保护层20的构件间的光的透过率，由此可进一步提高、改善叠纹的可见性。
上述第1实施形态的导电膜10仅在透明基体12的一面具有配线层16，但本发明并不限定于此，也可在透明基体12的两面具有配线部。
图5以及图6分别是示意性地表示本发明的第2实施形态的导电膜的一侧、也即下侧的第2配线层的一例的平面图，以及部分放大平面示意图，且示意性地表示其网孔图案的多个断线部的一例，图7是示意性地表示图6所示的导电膜的部分剖面图。另外，图5中，为了容易理解，将导电膜的网状配线的电极部表示为斜线区域，将虚设电极部表示为由一点链线包围的区域。而且，图6中，为了容易理解，在导电膜的网状配线的网孔图案内，由粗线表示电极配线图案，由细线表示虚设电极图案，但它们是由相同而不透明的金属细线形成，就粗细而言，当然并无不同。
另外，图7所示的本第2实施形态的导电膜的另一侧、也即上侧的第1配线层的平面图中，因与图1～图3所示的本第1实施形态的导电膜的平面图相同，故此处省略。
如图7所示，本第2实施形态的导电膜11包括：形成于透明基体12的一(图7的上侧)面的第1配线层16a，形成于透明基体12的另一(图7的下侧)面的第2配线层16b，经由第1粘接层18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面的第1保护层20a，以及经由第2粘接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面的第2保护层20b。
另外，如上述那样，透明基体12包含绝缘性材料，第2配线层16b处于与第1配线层16a电性绝缘的状态。而且，第1配线层16a、以及第2配线层16b可分别由与图4所示的导电膜10的配线层16相同的材料而相同地形成。
本实施形态的导电膜11的第1配线层16a此处并未图示，但与图1～图3所示的配线层16同样地包括网状配线22，该网状配线22具有：电极部22a，包含多个金属细线14，且具备电极配线图案24a；以及虚设电极部22b，具备具有多个断线部26的虚设电极配线图案24b；且具有电极配线图案24a与虚设电极配线图案24b的合成图案即网孔图案24。
此处，导电膜11的第1配线层16a具有与图1～图4所示的导电膜10的配线层16相同的构成，因而省略其详细说明。
导电膜11中，第2配线层16b包含多个不透明的金属细线14，且形成于透明基体12的另一(图7的下侧)面。
如图5以及图6所示，第2配线层16b具备包含多个金属细线14的网状配线28。
网状配线28与图1～图3所示的网状配线22同样地，详细而言，具有将两个方向的多个金属细线14以交叉方式配线而成的配线图案，也即，将多个金属细线14以网状排列而成的网孔图案30。图示例中，由网孔图案30形成的开口部29的网形状为菱形，可称作菱形图案。另外，网状配线28的网孔图案30的开口部29因具有与图1～图3所示的网状配线22的网孔图案24的开口部23相同的网形状，故省略其详细说明。
网状配线28包括：电极部28a，具备由多个金属细线14以连续方式形成为网状的电极配线图案30a；以及虚设电极部28b，具备由多个金属细线同样地形成为网状且具有多个断线部26而非连续的虚设电极配线图案30b，且与电极部28a绝缘。此处，电极部28a的电极配线图案30a与虚设电极部28b的虚设电极配线图案30b在图示例中，为具有相同网形状(菱形)的配线图案，将两者合成而形成网状配线28的网孔图案30。
此处，图示例的虚设电极部28b的虚设电极配线图案30b为线状，电极部22a的电极配线图案24a为构成条状电极的电极图案，但本发明并不限定于此，只要为用于静电电容式触控传感器(面板)的电极图案，则可为任一个，例如也可为X电极、条带状电极、菱形电极、雪花状电极等现有公知的电极图案。
电极部28a中形成为网状的金属细线14不具有断线部26而连续，与此相对，虚设电极部28b中形成为网状的金属细线14中设置着多个断线部(切断部)26，从而附加有多个断线。在电极部28a中的金属细线14与虚设电极部28b中的金属细线14之间，必须设置断线部26，电极部28a的金属细线14与虚设电极部28b的金属细线14断线，而不连续。也即，虚设电极部28b与电极部28a电性绝缘。
根据以上，网状配线28的网孔图案30成为包含多个断线部26的网孔图案。另外，关于本发明的导电膜11的网状配线28的网孔图案30所需的构成，将在以下进行叙述。
第1保护层20a以被覆第1配线层16a的金属细线14的方式，经由第1粘接层18a而粘接于第1配线层16a的大致整个面。
而且，第2保护层20b以被覆第2配线层16b的金属细线14的方式，经由第2粘接层18b而粘接于第2配线层16b的大致整个面。
此处，第1粘接层18a以及第2粘接层18b可分别由与图4所示的导电膜10的粘接层18相同的材料而相同地形成，而第1粘接层18a的材质与第2粘接层18b的材质可相同，也可不同。
而且，第1保护层20a以及第2保护层20b可分别由与图4所示的导电膜10的保护层20相同的材料而相同地形成，而第1保护层20a的材质与第2保护层20b的材质可相同，也可不同。
第1保护层20a的折射率n2以及第2保护层20b的折射率n3均与上述第1实施形态的导电膜10的保护层20同样地，与透明基体12的折射率n0相等或为与其接近的值。该情况下，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2以及透明基体12相对于第2保护层20b的相对折射率nr3均为接近1的值。此处，折射率以及相对折射率的定义为如上述第1实施形态的定义。因此，透明基体12相对于第1保护层20a的相对折射率nr2由nr2＝(n2/n0)而定义，透明基体12相对于第1保护层20b的相对折射率nr3由nr2＝(n3/n0)而定义。
此处，相对折射率nr2以及相对折射率nr3与上述相对折射率nr1同样地，为0.86以上、1.15以下的范围即可，更优选为0.91以上、1.08以下。
另外，通过将相对折射率nr2、以及相对折射率nr3的范围限定为该范围，而可与相对折射率nr1的范围的限定同样地，进一步提高叠纹的可见性。
上述本发明的第1实施形态的导电膜10以及第2实施形态的导电膜11被应用于例如图8中示意性地表示有其一部分的显示单元(显示部)31的触摸屏中，且具有相对于显示单元31的像素阵列图案、也即黑色矩阵(以下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔图案(24，30)。
此处，本发明中，所谓相对于BM(像素阵列)图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔图案，是指相对于规定的BM图案而人的视觉上未察觉到叠纹的一个或由两个以上构成的一个群组的网孔图案。另外，本发明中，在已最佳化的由两个以上构成的一个群组的网孔图案中，也可从最不会被察觉到的网孔图案到不易察觉到的网孔图案为止附上顺序，还可决定出其叠纹最不会被察觉到的一个网孔图案。
此处，本发明中，由至少正面观察时的网孔图案的空间频率特性与显示单元的BM图案的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计必须为-3.6(以反对数(anti-logarithm)计为10-3.6)以下。此处，以导电膜的网孔图案为包含多个断线部的网孔图案的情况为代表例进行说明，而如图17(A)以及图17(B)所示，包含多个断线部的网孔图案比不包含断线部的网孔图案更容易见到叠纹，因而本发明当然可应用于不包含断线部的网孔图案。也即，本发明无论有无断线部，均可应用于如下的网孔图案，即由网孔图案与显示单元的BM图案的两空间频率特性的卷积表示的叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6(以反对数计为10-3.6)以下的网孔图案。
另外，本发明中，作为对象的叠纹的频率优选为3周期/毫米以下。其理由在于，据经验可知，官能评价方面成为问题的叠纹的频率为3周期/毫米以内。
另一方面，本发明中，在以即便不包含断线部的网孔图案与显示单元的BM图案重叠而叠纹也不可见的方式使叠纹的可见性得以适当化的情况下，在对该网孔图案附加多个断线部时，通过以断线部的位置、长度、配置(数)等至少一个具有无规则性而使其为无规性的方式，也即，通过无规地配置多个断线部，而形成包含多个断线部的网孔图案，从而即便重叠于BM图案，也可提高叠纹的可见性。
另外，在具有包含多个断线部的网孔图案的导电膜中，当多个断线部连接着(不包含断线部)的情况下的网孔图案的叠纹的可见性得以适当化时，网孔图案内的虚设电极配线图案成为无规地配置着多个断线部的无规配线图案，由此可提高叠纹的可见性。
此处，作为不包含叠纹的可见性得以适当化的断线部的网孔图案，可使用本申请人申请的日本专利特愿2012-82711号说明书中所述的导电膜的网孔图案。其中所揭示的网孔图案为相对于如下的叠纹的频率以及强度而言，叠纹的频率处于根据视觉响应特性而规定的规定频率范围内时叠纹的频谱强度的和为规定值以下的配线图案，上述叠纹的频率以及强度是使人的视觉响应特性作用于如下的叠纹的频率以及频谱强度所得，即根据上述网孔图案的透过率图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率以及波峰强度、与像素阵列图案的透过率图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰的波峰频率以及波峰强度而分别算出的叠纹的频率以及频谱强度。
另外，作为叠纹的可见性得以适当化的且不包含断线部的网孔图案，并不限定于上述说明书中记载的内容，也可为现有公知的叠纹的可见性得以适当化的且不包含断线部的网孔图案，应用作为本申请人的申请案的日本专利特愿2011-221432号、日本专利特愿2011-221434号、日本专利特愿2012-82706号以及日本专利特愿2012-166946号等中记载的网孔图案即可。
因此，本发明的导电膜10以及导电膜11中，相对于显示单元31的像素阵列图案，也即黑色矩阵(以下，也称作BM)图案而叠纹可见性方面最佳化的网孔图案24以及网孔图案30、以及两者的合成网孔图案满足上述条件中的至少一个。
另外，关于相对于规定的BM图案的网孔图案的叠纹可见性最佳化的详情，将在以后进行叙述。
本发明的导电膜基本上如以上那样构成。
图8是示意性地表示应用本发明的导电膜的显示单元的一部分的像素阵列图案的一例的概略说明图。
如图8中表示其一部分所示，在显示单元31上，多个像素32矩阵状地排列而构成规定的像素阵列图案。一个像素32是将三个子像素(红色子像素32r、绿色子像素32g以及蓝色子像素32b)沿水平方向排列而构成。一个子像素设为垂直方向上纵长的长方形状。像素32的水平方向的阵列间距(水平像素间距Ph)与像素32的垂直方向的阵列间距(垂直像素间距Pv)大致相同。即，由一个像素32及包围该一个像素32的黑色矩阵(BM)34(图案材料)构成的形状(参照由阴影表示的区域36)设为正方形。而且，一个像素32的纵横比不为1，而为水平方向(横)的长度＞垂直方向(纵)的长度。
如根据图8可知那样，包含多个像素32的各自的子像素32r、子像素32g以及子像素32b的像素阵列图案经由分别包围这些子像素32r、子像素32g以及子像素32b的BM 34的BM图案38而规定，显示单元31与导电膜10或导电膜11重叠时产生的叠纹因显示单元31的BM 34的BM图案38与导电膜10或导电膜11的网孔图案24、网孔图案30的干涉而产生，因而严格来说，BM图案38为像素阵列图案的反转图案，但此处，作为表示相同的图案的而进行处理。
当在具有包含上述BM 34的BM图案38的显示单元31的显示面板上，例如配置导电膜10或导电膜11时，导电膜11的网孔图案24相对于BM(像素阵列)图案38而叠纹可见性方面最佳化，因此几乎不会有像素32的阵列周期与导电膜10或导电膜11的金属细线14的配线阵列之间的空间频率的干涉，从而抑制了叠纹的产生。
另外，图8所示的显示单元31也可包含液晶面板、等离子体面板、有机EL面板、无机EL面板等显示面板。
其次，一边参照图9一边对装入了本发明的导电膜的显示装置进行说明。图9中，作为显示装置40，列举装入了本发明的第2实施形态的导电膜11的投影型静电电容方式的触摸屏为代表例进行说明，但本发明当然并不限定于此。
如图9所示，显示装置40包括：可显示彩色图像以及/或单色图像的显示单元31(参照图8)，对来自输入面42(箭头Z1方向侧)的接触位置进行检测的触摸屏44，以及收容显示单元31以及触摸屏44的框体46。用户可经由设置于框体46的一面(箭头Z1方向侧)的大的开口部触及触摸屏44。
触摸屏44除上述导电膜11(参照图5、图6以及图7)之外，还包括：层叠于导电膜11的一面(箭头Z1方向侧)的盖构件48，经由电缆50而电性连接于导电膜11的可挠性基板52，以及配置于可挠性基板52上的检测控制部54。
在显示单元31的一面(箭头Z1方向侧)，经由粘接层56而粘接导电膜11。导电膜11使另一主面侧(第2配线层16b侧)与显示单元31对向，而配置于显示画面上。
盖构件48通过被覆导电膜11的一面，而发挥作为输入面42的功能。而且，通过防止接触体58(例如手指或触控笔)的直接接触，而可抑制擦伤的发生或尘埃的附着等，从而可使导电膜11的导电性稳定。
盖构件48的材质例如也可为玻璃、树脂膜。也可在利用氧化硅等涂布盖构件48的一面(箭头Z2方向侧)的状态下，密接于导电膜11的一面(箭头Z1方向侧)。而且，为防止由摩擦等所致的损伤，也可贴合导电膜11以及盖构件48而构成。
可挠性基板52为具备可挠性的电子基板。本图示例中，其固定于框体46的侧面内壁，但配设位置也可进行各种变更。检测控制部54构成如下的电子电路，即，在使作为导体的接触体58与输入面42接触(或靠近)时，捕捉接触体58与导电膜11之间的静电电容的变化，而检测其接触位置(或接近位置)。
应用本发明的导电膜的显示装置基本上如以上那样构成。
其次，本发明中，说明对相对于显示装置的规定的BM图案的导电膜的网孔图案的叠纹可见性进行评价以及使其最佳化的顺序。也即，本发明的导电膜中，说明相对于显示装置的规定的BM图案而叠纹以不被人的视觉所察觉的方式得以最佳化的网孔图案的决定顺序。
图10是表示本发明的导电膜的网孔图案的决定方法的一例的流程图。
本发明的导电膜的网孔图案的决定方法为如下：根据通过使用了显示装置的显示单元的BM(像素阵列)图案与导电膜的网孔图案的高速傅里叶变换(Fast Fourier Transformation，FFT)进行的频率分析所获得的波峰频率以及波峰强度，来算出叠纹的频率以及频谱强度，将所算出的叠纹的频率以及频谱强度与根据经验而决定的叠纹不可见的叠纹的频率以及频谱强度的条件相比，将满足了这些条件的网孔图案决定为以叠纹不可见的方式得以最佳化的网孔图案。上述本发明法中，关于叠纹的频率以及频谱强度一般而言利用FFT，但对象物的频率以及频谱强度根据利用方法的不同而大幅变化，因此规定以下的顺序。
本发明法中，首先，作为顺序1，进行BM图案以及网孔图案的透过率周期图像数据(以下，也称作透过率图像数据)的制作。也即，如图10所示，步骤S10中，制作并获取图9所示的显示装置40的显示单元31的BM图案38(BM 34)(参照图8)的透过率周期图像数据、与导电膜60的包含断线部26的网孔图案62(金属细线14)(参照图11(B))的透过率周期图像数据。另外，在预先准备或存储了BM图案38的透过率图像数据与包含多个断线部26的网孔图案62的透过率图像数据的情况下，也可从已准备或者存储的图像数据中获取。
显示单元31的BM图案38例如如图11(A)以及作为其部分放大图的图11(C)所示，可形成每一像素32包含RGB的三色的子像素32r、子像素32g以及子像素32b的图案，但当利用单色，例如仅利用G通道的子像素32g时，R通道以及B通道的透过率图像数据优选设为0。本发明中，作为BM34的图像数据、也即BM图案38的透过率图像数据，如图11(A)所示，不限定为具有BM 34的长方形的开口(子像素32r、子像素32g以及子像素32b)的图像数据，只要为可使用的BM图案则也可为不具有BM 34的长方形的开口的图案，还可指定并使用具有任意的BM开口的BM图案。例如，不限定于单纯的矩形状的图案，也可为以不复杂的字符状弯曲的图案或钩状的图案。另外，BM图案38的透过率图像数据例如设为如下的2值化数据，即，以12700dpi左右的分辨率，将开口部设为1.0，将其他部分设为0.0。
另一方面，导电膜60的网孔图案62例如如图11(B)所示为如下的配线图案，即，可设为成为配线的金属细线14以45°[deg]倾斜而成的正方格子，且多个金属细线14利用多个断线部26而断线。该网孔图案62的透过率图像数据作为包含断线部(断线)26而形成周期的图像数据而制作。另外，网孔图案62的透过率图像数据例如设为如下的2值化数据，即，以12700dpi左右的分辨率，将网形状内的开口部23、开口部29内设为0.0，将成为配线的金属细线14的部分设为1.0。
另外，此处，规定网孔图案62以及BM图案38的透过率图像数据的尺寸，例如，设为5020(像素)×2423(像素)。而且，为了防止或减少后述的顺序2的FFT处理时的周期的伪像(artifact)，优选为以保持连续性的方式按照重复周期切下。例如，图像尺寸优选设为四图像的区域内的图像。
其次，作为顺序2，对于以顺序1制作的网孔图案62以及BM图案38的透过率图像数据，进行二维高速傅里叶变换(2DFFT(基底2))，并抽出规定强度的频谱(波峰)。
也即，如图10所示，步骤S12中，对步骤S10中制作的网孔图案62以及BM图案38的各透过率图像数据进行2DFFT处理，获取至少正面观察时的包含断线部(断线)26的网孔图案62以及BM图案38的各空间频率特性(二维傅里叶频谱)。此时，网孔图案62以及BM图案38的各透过率图像数据的二维傅里叶频谱由复数(包含相位信息)表示，将频谱(复数)除以图像尺寸(纵×横(pix2))而使其标准化。以图像尺寸(pix2)标准化的频谱例如由频谱(复数)/图像尺寸(5020×2433pix2)而赋予。
其次，作为顺序3，根据由顺序2获取的网孔图案62以及BM图案38的空间频率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率以及频谱强度。
也即，如图10所示，步骤S14中，根据步骤S12中获取的网孔图案62的空间频率特性与BM图案38的空间频率特性，算出由两空间频率特性的卷积(积分)表示的叠纹的频率以及频谱强度。
另外，该步骤14的叠纹的频率以及频谱强度的算出可通过以下的步骤16以及步骤18来进行。
此处，二维傅里叶频谱的频谱强度为了配合人的视觉，而由常用对数来定义复数的绝对值。
如图10所示，步骤S16中，根据步骤S12中获取的网孔图案62以及BM图案38的各空间频率特性，从各图案62以及图案38的频谱内，抽出所有由常用对数定义而定义的频谱强度(Log10(频谱的绝对值))为-4.5以上的频谱(波峰)的空间频率。也即，从网孔图案62以及BM图案38的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内，抽出所有其波峰强度以常用对数计为-4.5以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度。
该时间点所获得的信息为频谱的波峰值的空间频率fx、fy、复数(a+bi)信息。另外，此处，波峰强度作为绝对值而处理。
此处，图12(A)以及图12(B)分异是表示网孔图案62以及BM图案38的各透过率图像数据的二维傅里叶频谱的强度特性的图。
另外，图12(A)以及图12(B)中，白色部分的强度高，显示出频谱波峰，因而根据图12(A)以及图12(B)所示的结果，关于各个网孔图案62以及BM图案38，算出各频谱波峰的波峰频率以及波峰强度。也即，图12(A)以及图12(B)中分异所示的网孔图案62以及BM图案38的二维傅里叶频谱的强度特性中的频谱波峰在频率坐标上的位置，也即波峰位置表示波峰频率，该波峰位置上的二维傅里叶频谱的强度为波峰强度。
此处，网孔图案62以及BM图案38的各频谱波峰的波峰的频率以及强度如以下那样算出并获取。
首先，波峰频率的获取中，算出波峰时根据网孔图案62以及BM图案38的基本频率而求出频率波峰。这是因为进行2DFFT处理的透过率图像数据为离散值，因而波峰频率依存于图像尺寸的倒数。频率波峰位置如图13所示，可基于独立的二维基本频率矢量成分以及而加以组合来表示。因此，当然，所获得的波峰位置为格子状。另外，图13是表示BM图案38的情况下的频率波峰位置的图表，网孔图案62也可同样地求出。
另一方面，波峰强度的获取中，为了在获取上述波峰频率时求出波峰位置，因此获取波峰位置所具有的二维傅里叶频谱的强度(绝对值)。此时，对数字数据进行FFT处理，因而有波峰位置跨越多个像素(pixel)的情况。例如，二维傅里叶频谱的强度(Sp)特性由图14(A)所示的曲线(模拟(analog)值)表示时，经数字处理的相同的二维傅里叶频谱的强度特性由图14(B)所示的条形图(数字值)表示，而图14(A)所示的二维傅里叶频谱的强度的波峰P在对应的图14(B)中，跨越2个像素。因此，当获取存在于波峰位置的强度时，优选为将包含波峰位置周边的多个像素的区域内内的多个像素的频谱强度自上位算起的多个点的和，例如，将5×5像素的区域内的像素的频谱强度自上位算起的5点的和设为波峰强度(绝对值)。
此处，所获得的波峰强度优选为由图像尺寸加以标准化。上述例中，如上述那样，优选为由图像尺寸(5020×2433pix2)而加以标准化(帕塞瓦尔定理(Parseval′s theorem))。
其次，如图10所示，步骤S18中，根据步骤S16中所算出的网孔图案62以及BM图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率以及波峰强度而分别算出叠纹的频率以及频谱强度。另外，此处，波峰强度以及叠纹的频谱强度也作为绝对值而进行处理。
实际空间中，叠纹本来由网孔图案62与BM图案38的透过率周期图像数据的相乘而引起，因此空间频率空间中，进行两者的卷积积分(convolution)。然而，步骤S16中，算出网孔图案62以及BM图案38的两二维傅里叶频谱的波峰频率以及波峰强度，因而求出两者各自的频率波峰彼此的差分(差的绝对值)，将所求出的差分作为叠纹的频率，并求出两者组合而成的两组矢量强度的乘积，将所求出的乘积设为叠纹的频谱强度(绝对值)。
如此而求出的叠纹的频率以及叠纹的频谱强度可以说是步骤S12中获取的网孔图案62与BM图案38的各空间频率特性的卷积积分的结果。
此处，关于图12(A)以及图12(B)中分别所示的网孔图案62以及BM图案38两者的二维傅里叶频谱的强度特性各自的频率波峰彼此的差分，在将两者的二维傅里叶频谱的强度特性重合而获得的强度特性中，相当于两者的各自的频率波峰在频率坐标上的波峰位置间的相对距离。
另外，网孔图案62以及BM图案38的两二维傅里叶频谱的频谱波峰分别存在多个，因而其相对距离的值即频率波峰彼此的差分、也即叠纹的频率也求出多个。因此，若两二维傅里叶频谱的频谱波峰存在多个，则所求出的叠纹的频率也为多数，从而计算处理耗费时间。此种情况下，也可预先在两二维傅里叶频谱的频谱波峰中，分别仅选定波峰强度强的。该情况下，因仅求出所选定的波峰彼此的差分，故可缩短计算时间。
将如此求出的叠纹的频率以及叠纹的频谱强度表示于图15中。图15是示意性地表示由图11(A)所示的像素阵列图案与图11(B)所示的网孔图案的干涉而产生的叠纹的频率以及叠纹的频谱强度的概略说明图，也可称作图12(A)以及图12(B)所示的二维傅里叶频谱的强度特性的卷积积分的结果。
图15中，叠纹的频率由纵横轴的位置而表示，叠纹的频谱强度由灰色(无彩色)浓淡而表示，显示出颜色越浓则频谱强度越小，颜色越淡、也即越白则频谱强度越大的情况。
其次，作为顺序4，进行叠纹的可见性的判定。
也即，如图10所示，步骤S20中，求出步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内的最低频率，从而求出叠纹的最低频率的频谱强度。此处，所考虑的叠纹的频率仅为3周期/毫米(cycle/mm)以内的数据。也即，步骤S18(S14)中所算出的叠纹的频率内，使用3cycle/mm以内的叠纹的频率并对其附上顺序，求出最低的叠纹的频率，并求出其频谱强度。
另外，叠纹的可见性的判定等中，对叠纹的频率以及频谱强度，卷积以表示人的标准视觉响应特性的杜利肖(Dooley Shaw)函数等为基础的视觉传递函数(Visual Transfer Function，VTF)，但在本发明中，并不使用VTF。其理由在于：VTF为依存于观察距离的函数，在包含应用了本发明的导电膜的触摸屏等的显示装置中，在实际的观察时并不将观察距离固定。
其次，如图10所示，步骤S22中，将步骤S20中求出的叠纹的最低频率的频谱强度与-3.6相比，从而判定叠纹的频谱强度是否为-3.6以上。
另外，对于多数的网孔图案62，在后述实施例的虚设电极部22b的具有多个断线部26的虚设电极配线图案24b的多个不同样本中求出叠纹的最低频率的频谱强度，3名研究员对网孔图案62与叠纹的最低频率的频谱强度进行评价后，如后述表1所示，当叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.8以下(以反对数计为10-3.8以下)时，官能评价中叠纹也不可见而为A，当该频谱强度以常用对数计为超过-3.8且-3.6以下(以反对数计为超过10-3.8且10-3.6以下)时，官能评价中虽可见到少量叠纹但为不会引起注意的程度，从而为B，当该频谱强度以常用对数计为超过-3.6(以反对数计为超过10-3.6)时，官能评价中可见到叠纹C(无法使用)。
因此，本发明中，将叠纹的最低频率的频谱强度限定为以常用对数计为-3.6以下(以反对数计为10-3.6以下)。
其结果，在叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为超过-3.6(以反对数计为超过10-3.6)的情况下，转至步骤S24，将网孔图案62的透过率图像数据更新为新的网孔图案的透过率图像数据，并返回到步骤S12中。
此处，所更新的新的网孔图案可为预先准备的，也可为新制作的。另外，在新制作的情况下，也可使网孔图案的透过率图像数据，详细而言，可使虚设电极配线图案24b的多个断线部(断线)26的位置、间距、宽度中的任一个以上发生变化，也可变更网孔图案自身的形状或尺寸。进而，也可使它们具有无规性。
然后，重复进行步骤S12的空间频率特性的获取、步骤S14(S18)的叠纹的频率以及频谱强度的算出、以及步骤20的叠纹的最低频率的频谱强度的算出、步骤22的叠纹的最低频率的频谱强度与以常用对数计的-3.6(以反对数计为10-3.6)的比较、以及步骤24的网孔图案的透过率图像数据的更新的各步骤，直至叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6(以反对数计为10-3.6)以下为止。
另一方面，在叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6(以反对数计为10-3.6)以下的情况下，转至步骤S26，将网孔图案62决定为最佳化网孔图案，并设定为本发明的导电膜10或导电膜11的网孔图案24(30)。
如此，本发明的导电膜的网孔图案的决定方法结束，可制作本发明的导电膜，该导电膜即便重叠于显示装置的显示单元的BM图案也可抑制叠纹的产生，叠纹的可见性优异且具有最佳化的网孔图案。
实施例
将图16(A)所示的网孔图案70作为比较例1的仿真样本而制作。比较例1的网孔图案70为如下的配线图案，即，包括构成有效的电极区域的X电极72的电极配线图案74，及四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76c以及虚设电极76d的虚设电极配线图案78，且具有多个断线部84，该多个断线部84分别有规则地设置在由虚设电极配线图案78形成的所有开口部80的呈菱形的网形状且包含金属细线82的四边的中心。另外，也在电极配线图案74与虚设电极配线图案78之间的边上，在两者间的各一边的金属细线82的中心位置设置着断线部84。另外，图示例中，为了简化图式，仅在一个虚设电极76c的虚设电极配线图案78中图示断线部84，而三个虚设电极76a、虚设电极76b以及虚设电极76d的虚设电极配线图案78中，省略断线部84的图示。
另外，作为参考例，将不包含断线部的网状配线的网孔图案作为仿真样本而制作。
以上述比较例1为基准，改变断线部84的长度、位置、配置、数量，而将实施例1～实施例6以及比较例2～比较例4的网孔图案作为仿真样本而制作。
各网孔图案70等的包含菱形的所有网形状的一边的长度为144μm，菱形的内角设为76°以及104°。而且，关于构成各网孔图案的边的金属细线82的粗度，使用线宽6μm的细线。
此处，比较例1的网孔图案70中，将断线部(断线)82的长度(断线长、或断线间隔)设为20m。
与此相对，实施例1以及实施例2的网孔图案分别为相对于比较例1的网孔图案70而变更了断线部(断线)84的长度(断线长、或断线间隔)所得的，根据比较例1中的20μm，实施例1中设为5μm，实施例2中设为10μm，除此以外，实施例1以及实施例2均与比较例1的网孔图案70相同。
其次，实施例3～实施例5的网孔图案是将断线部84的位置从比较例1的网孔图案的菱形的网形状的边的中心位置变更为无规配置所得。
实施例3中，在四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76c以及虚设电极76d的虚设电极配线图案78的一个菱形的网形状的四边，将断线部84的位置从比较例1的中心位置变更为中心位置以外的无规的位置，因而该图案为在其他菱形的网形状中重复的配线图案。
实施例4中，在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，将断线部84的位置从比较例1的中心位置毫无规则地变更位置。
实施例5中，不仅在虚设电极配线图案78的所有菱形的网形状的四边，也在电极配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边，将断线部84的位置从比较例1的中心位置毫无规则地变更位置。
实施例6中，在比较例1的网孔图案70中，从四个虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76c以及虚设电极76d的虚设电极配线图案78中消除所有断线部84并进行连接，变更为仅电极配线图案74与虚设电极配线图案78之间的各边具有断线部84。
比较例2～比较例3中，在所有虚设电极76a、虚设电极76b、虚设电极76c以及虚设电极76d的虚设电极配线图案78中，使断线部84的数量相比于比较例1而有所减少。
比较例2中，在所有虚设电极配线图案78中，将行方向(图16中水平方向：xy坐标的x方向)的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
比较例3中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向(图16中垂直方向：xy坐标的y方向)的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
比较例4中，在所有虚设电极配线图案78中，将列方向(图16中垂直方向：xy坐标的y方向)的断线部84减去一半而每隔一条金属细线82来设置。
比较例5中，在所有虚设电极配线图案78中，仅在一条线方向((图16中交叉的金属细线82一侧)上设置断线部84。
当将具有以上的实施例1～实施例6、比较例1～4以及参考例的网孔图案的导电膜的仿真样本重叠于具有图11所示的BM图案38的显示单元31的仿真样本时，对各网孔图案与BM图案38的干涉进行仿真，求出由各网孔图案与BM图案38的两者的空间频率特性的卷积来表示的叠纹的最低频率的频谱强度，并且显示由两者的干涉而产生的叠纹(两者的干涉的仿真结果)，由3名研究员进行可能评价。
另外，构成显示单元31的BM图案38的像素的尺寸因分辨率为250dpi，从而为102μm×102μm，子像素的尺寸为26μm×78μm。
将其结果表示于表1。
另外，对于3名研究员而言，可能评价结果为将叠纹不可见的评价为A，将少量叠纹可见但为不会引起注意的程度的评价为B，将叠纹可见的评价为C。
[表1]
根据表1的结果可知，叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.8以下(以反对数计为10-3.8以下)的实施例1以及实施例3～实施例5中，官能评价结果为A，叠纹不可见，叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为超过-3.8且-3.6以下(以反对数计为超过10-3.8且10-3.6以下)的实施例2以及实施例6中，官能评价结果为B，少量叠纹可见但为不会引起注意的程度，与此相对，叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为超过-3.6(以反对数计为超过10-3.6)的比较例1～比较例4中，官能评价结果为C，叠纹可见从而无法使用。
根据以上，可知本发明的效果。
以上，对本发明的导电膜、具备该导电膜的显示装置以及导电膜的图案的决定方法列举各种实施形态以及实施例进行了说明，但本发明并不限定于上述实施形态以及实施例，只要不脱离本发明的主旨，则当然可进行各种改良或设计的变更。
符号的说明
10、11、60：导电膜
12：透明基体
14、82：金属制的细线(金属细线)
16、16a、16b：配线层
18、18a、18b：粘接层
20、20a、20b：保护层
22、28：网状配线
22a、28a：电极部
22b、28b：虚设电极部(非电极部)
23、29、80：开口部
24、30、62，70：网孔图案
24a、30a、74：电极配线图案
24b，30b、78：虚设电极配线图案
26、84：断线部(断线)
31：显示单元
32、32r、32g、32b：像素
34：黑色矩阵(BM)
38：BM图案
40：显示装置
44：触摸屏
72：X电极
76a、76b、76c、76d：虚设电极

Claims (17)

1.一种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括：
透明基体；以及
网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，具有包含图案化的多个金属细线的网孔图案，
所述网状配线的所述网孔图案重叠于所述显示单元的像素阵列图案，
叠纹的最低频率的频谱强度以常用对数计为-3.6以下，所述叠纹由至少正面观察时的所述网孔图案的空间频率特性与所述显示单元的所述像素阵列图案的空间频率特性的卷积来表示。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其中所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘，
所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案，
所述网孔图案的空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述网孔图案的空间频率特性。
3.根据权利要求1或2所述的导电膜，其中所述叠纹的频率由所述网孔图案的所述空间频率特性的频谱波峰的波峰频率与所述像素阵列图案的所述空间频率特性的频谱波峰的波峰频率的差分而赋予，所述叠纹的频谱强度由所述网孔图案的所述频谱波峰的波峰强度与所述像素阵列图案的所述频谱波峰的波峰强度的积而赋予。
4.根据权利要求3所述的导电膜，其中所述波峰强度为波峰位置周边的多个像素内的强度的和。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的导电膜，其中所述波峰强度利用所述网孔图案以及所述像素阵列图案的透过率周期图像数据而标准化。
6.一种导电膜，设置于显示装置的显示单元上，其特征在于包括：
透明基体；以及
网状配线，形成于所述透明基体的至少一面，且在一面具有包含图案化的多个金属细线的网孔图案，
所述网状配线包括：电极部，具备由所述多个金属细线以连续的方式形成为网状的电极配线图案；以及非电极部，具备由所述多个金属细线形成为网状且具有多个断线部而非连续的非电极配线图案，且与所述电极部绝缘，
所述网状配线的所述网孔图案包含所述电极部的所述电极配线图案、及与所述电极配线图案绝缘的所述非电极部的所述非电极配线图案，并重叠于所述显示单元的像素阵列图案，
在使所述非电极部的所述非电极配线图案的所述多个断线部连接的情况下，所述网状配线的所述网孔图案的叠纹不可见，
所述非电极部的所述非电极配线图案为无规地配置着所述多个断线部的无规配线图案。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的导电膜，其中所述叠纹的频率为3周期/毫米以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的导电膜，其中所述非电极部的所述非电极配线图案在除所述电极部以外的区域内由所述多个金属细线形成为网状。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的导电膜，其中所述像素阵列图案为所述黑色矩阵图案。
10.一种显示装置，其特征在于包括：
显示单元；以及
如权利要求1至9中任一项所述的导电膜，设置于所述显示单元上。
11.一种触摸屏显示装置，其特征在于包括：
如权利要求10所述的显示装置；以及
透明基板，配置于所述显示装置的所述导电膜的上侧，且在所述导电膜的相反侧具备触控面。
12.一种导电膜的网孔图案的决定方法，所述导电膜设置于显示装置的显示单元上且形成有网状配线，所述网状配线具有由图案化的多个金属细线以连续的方式形成为网状的网孔图案，所述导电膜的网孔图案的决定方法的特征在于：
获取所述网孔图案的透过率周期图像数据、与重叠有所述网孔图案的所述显示单元的像素阵列图案的透过率周期图像数据，
对获取的所述网孔图案的所述透过率周期图像数据以及所述像素阵列图案的所述透过率周期图像数据进行二维傅里叶变换，获得至少正面观察时的所述网孔图案的空间频率特性以及所述像素阵列图案的空间频率特性，
根据所获得的所述网孔图案的所述空间频率特性与所述像素阵列图案的所述空间频率特性，算出由两者的卷积表示的叠纹的频率以及频谱强度，
求出所算出的所述叠纹的频率内的最低频率，将所述最低频率的频谱强度与以常用对数计的-3.6相比，
当由所述常用对数定义的所述叠纹的频谱强度为-3.6以下时，将所述网孔图案设定为所述导电膜的网孔图案，当所述叠纹的频谱强度超过-3.6时，将所述网孔图案的透过率周期图像数据变更为新的网孔图案的透过率周期图像数据，并重复进行所述空间频率特性的获取、所述叠纹的频率以及频谱强度的算出、以及所述叠纹的最低频率的频谱强度与-3.6的比较的各步骤，直至所述叠纹的最低频率的频谱强度为-3.6以下为止。
13.根据权利要求12所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述网状配线具有所述网孔图案，所述网孔图案包括：电极配线图案，由所述多个金属细线以连续的方式形成为网状；以及非电极配线图案，由所述多个金属细线形成为网状、具有多个断线部且与所述电极配线图案非连续地绝缘，
所述网孔图案的透过率周期图像数据为具备具有所述多个断线部的所述非电极配线图案的所述网孔图案的透过率周期图像数据，
所述网孔图案的所述空间频率特性为至少正面观察时的包含所述多个断线部的所述网孔图案的空间频率特性。
14.根据权利要求12或13所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中根据所获得的所述网孔图案的所述空间频率特性，从所述网孔图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4.5以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，并且
根据所获得的所述像素阵列图案的所述空间频率特性，从所述像素阵列图案的透过率周期图像数据的二维傅里叶频谱的多个频谱波峰内抽出其波峰强度以常用对数计为-4.5以上的频谱波峰，并算出所抽出的所有频谱波峰的波峰频率以及波峰强度，
根据如此所算出的所述网孔图案的所述波峰频率以及所述波峰强度、与所述像素阵列图案的所述波峰频率以及所述波峰强度，而分别算出所述叠纹的频率以及频谱强度。
15.根据权利要求14所述的导电膜的配线图案的决定方法，其中求出所述网孔图案的所述波峰频率与所述像素阵列图案的所述波峰频率的波峰频率彼此的差分，来作为所述叠纹的频率，
求出所述网孔图案的所述波峰强度与所述像素阵列图案的所述波峰强度的两组矢量强度的乘积，来作为所述叠纹的所述频谱强度。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述叠纹的频率为3周期/毫米以下。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的导电膜的网孔图案的决定方法，其中所述非电极配线图案在未形成有所述电极配线图案的区域内由所述多个金属细线形成为网状。
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