CN104853853B - 玻璃基板的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种抑制在碱清洗中的玻璃基板表面粗糙度变差、可进一步提高清洗性的玻璃基板的清洗方法。在一种或数种实施方式中,本发明的玻璃基板的清洗方法包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触,所述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,相对于所述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,所述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,所述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。

Description

玻璃基板的清洗方法
技术领域
本发明涉及玻璃基板的清洗方法以及玻璃硬盘基板的制造方法。
背景技术
近年来,个人计算机或各种电子设备逐步处理动画或音频等较大的数据,因此需要大容量的信息记录装置。其结果,信息记录媒体对高记录密度化的要求逐年提升。为了应对此种情况,硬盘采用垂直磁记录方式,从而促进了量产化。在该垂直磁记录方式中,与现在的基板相比,信息记录媒体用基板(以下也称为“硬盘基板”)对基板要求更高等级的耐热性、表面平滑性。此外,现在更重要的是具有:用以减轻对主轴马达的负担的低比重化、用以防止盘片损坏的高机械强度以及可耐受掉落时对头部的冲击的高破坏韧性。
作为信息记录媒体用基板中使用的材料,有铝合金、玻璃等。玻璃与铝合金相比维氏硬度较高、表面平滑性较高,就此方面而言较有优势,现在较多地用于假定动态使用的用途。
并且,在作为信息记录媒体用基板的玻璃中,结晶化玻璃在如下方面具有优异的特性:耐热性优异、耐冲击特性较高而掉落强度优异、由于高刚性而耐擦伤且不易使头部损坏、高旋转时基板不易变形等。由于此种特性,结晶化玻璃基板是有望用作高记录密度化的信息记录媒体的材料。
日本特开2007-223884号公报中公开:将研磨后的表面粗糙度设为Ra1、将研磨加工后的经由酸清洗和/或碱清洗引起的表面粗糙度设为Ra2时,表面粗糙度变化率(|Ra2-Ra1|/Ra1)的值低于0.62的无机组合物。并且,公开了无机组合物为结晶化玻璃,且用作磁盘制造用基板。在实施例中公开有利用氢氟酸进行的清洗。
此外,在日本特开2010-257510号公报中公开有具有Ni-P层的硬盘基板用清洗剂组合物。该清洗剂组合物含有胺及碱。日本特开2012-107226号公报中公开有玻璃硬盘基板的制造方法。该制造方法包括:使用含有分子内具有2~10个氮原子的多元胺化合物的、pH值为1.0~4.2的研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序;及使用pH值为8.0~13.0的清洗剂组合物进行清洗的工序。在该制造方法中公开了在碱清洗工序中抑制表面粗糙度变差。日本特开2009-206481号公报中公开有电子材料用(玻璃用)清洗剂。该清洗剂含有阴离子性表面活性剂、有机溶剂以及碱成分。且公开利用该清洗剂,可在不损害表面平坦性的条件下实现优异的微粒去除性。作为该碱性成分,可列举:碳数1~36的脂肪胺、无机碱、碳数1~23的烷醇胺以及碳数4~10的脒化合物。
发明内容
发明要解决的问题
从研磨粒子等微粒的清洗的观点来看,玻璃基板的清洗期望在碱性条件下进行清洗。然而,若在碱性条件下对玻璃基板进行清洗,则存在玻璃基板的表面被蚀刻从而表面平滑性降低的问题。进而,结晶化玻璃尤其是硬盘基板用的结晶化玻璃中除结晶部分以外,也存在非晶部分,并非均匀的材料。因此,在清洗基板时,结晶部分与非晶部分在碱中清洗的蚀刻性(溶解性)不同,因此更加难以在不使表面粗糙度变差的条件下进行清洗。
因此,在本发明的一个实施方式中,提供一种结晶化玻璃基板的清洗方法,其可以抑制在碱清洗、特别是在对残存的二氧化硅粒子等研磨粒子的微粒清洗时的结晶化玻璃基板的表面粗糙度变差,可进一步提高清洗性。
解决问题的技术手段
在本发明的一个实施方式涉及一种玻璃基板的清洗方法,其包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触(以下也称为“本发明的玻璃基板的清洗方法”)。在该实施方式中,所述清洗剂组合物是含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱的清洗剂组合物(以下也称为“本发明的清洗剂组合物”)。相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下。上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板。此外,清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
本发明的另一个实施方式涉及一种包括以下工序(1)及(2)的玻璃硬盘基板的制造方法。
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序。
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序。
在该实施方式中,上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱。相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下。上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板。此外,清洗时之清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
发明效果
根据本发明,在一个实施方式中,可提供一种结晶化玻璃基板的清洗方法,其可以抑制在碱清洗、特别是在对残存的二氧化硅粒子等研磨粒子的微粒清洗时的结晶化玻璃基板的表面粗糙度变差,可进一步提高清洗性。
具体实施方式
本发明是基于如下见解完成的,若使用含有特定的胺及特定量的无机碱的、特定pH值的清洗剂组合物对结晶化玻璃基板进行清洗,则可抑制由碱清洗引起的结晶化玻璃基板的表面粗糙度变差,可进一步提高清洗性。
本发明的玻璃基板的清洗方法可抑制由碱清洗引起的结晶化玻璃基板表面粗糙度变差,并进一步提高清洗性的详细原因并不明确,但可推定如下。结晶化玻璃基板在基板中存在结晶部分与非晶部分。可认为在碱清洗时,与非晶部分相比,结晶部分显示出不易被蚀刻的倾向,在进行通常的碱清洗时,仅溶解非晶部分,结晶部分作为凸部突出,而使表面粗糙度变差。另一方面,可认为在本发明的玻璃基板的清洗方法中,通过使用特定pH值的、含有特定的胺的清洗剂组合物,胺的氮原子容易与以SiO2为主成分的非晶部结合,不易吸附于以尖晶石和/或锌尖晶石等为主成分的结晶部。并且,蚀刻力较低的胺蚀刻非晶部分,相对而言,蚀刻力较高的无机碱蚀刻胺的吸附量较少之结晶部分,由此可同等地蚀刻结晶部分与非晶部分两者,并由此推测可抑制表面粗糙度变差并且可提高清洗性。可认为氮原子过多的胺对非晶部分的蚀刻力进一步减弱,抑制表面粗糙度变差的效果较差。但是,本发明并不限定于该机制而解释。
[结晶化玻璃基板]
在本发明中,作为清洗对象的被清洗玻璃基板和/或作为研磨对象的被研磨玻璃基板是结晶化玻璃基板。在本发明中,所谓“结晶化玻璃基板”是指玻璃中包含结晶相的玻璃,且于非限定的一种或数种实施方式中,是指使用尖晶石系化合物和/或锌尖晶石作为结晶相的主成分的基板。结晶化玻璃基板与非晶玻璃基板不同,例如,可通过X射线衍射分析有无源自结晶部的峰而进行区别。结晶化玻璃例如可对特定组成的非晶玻璃进行热处理促进结晶化而制造,但并不限定于此。
关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板,在一种或数种实施方式中,是实施了研磨的结晶化玻璃基板、优选为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的结晶化玻璃基板,在其他一种或数种实施方式中,是玻璃硬盘基板(硬盘用玻璃基板)的制造方法中的研磨工序后的结晶化玻璃基板。此外,关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板,在一种或数种实施方式中,是具有结晶化玻璃表面且对该结晶化玻璃表面实施了使用研磨组合物的研磨的被清洗结晶化玻璃基板。
关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板在清洗前的表面粗糙度Ra,在一种或数种实施方式中,从研磨操作的容易性的观点来看,优选为 以上,从抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点来看,优选为以下,更优选为以下。表面粗糙度Ra可通过下述实施例中的方法进行测定。
[清洗剂组合物]
关于本发明的清洗剂组合物,在一个实施方式中,含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱。关于本发明的清洗剂组合物,在一个实施方式中,在结晶化玻璃基板的清洗方法中与被清洗结晶化玻璃基板接触而使用,在另一个实施方式中,在结晶化玻璃硬盘基板的制造方法中,用于研磨工序后的结晶化玻璃基板的清洗。
[清洗剂组合物的pH值]
本发明的清洗剂组合物的pH值在清洗时为9.00以上且11.50以下。就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,优选为11.00以下,更优选为10.70以下。就提高清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物的pH值于清洗时优选为9.50以上,更优选为10.00以上,进一步优选为10.50以上,更进一步优选为10.90以上,更进一步优选为11.00以上,并且,为11.50以下。在本发明中,所谓“清洗时”是指在一种或数种实施方式中,进行清洗工序时。此外,就储存及输送的观点而言,清洗剂组合物多数情况下以浓缩液的形式制造,在使用时将其稀释。因此,在本发明中,所谓“清洗时”是指在一种或数种实施方式中经稀释了的状态。再者,上述pH值是在25℃下使用清洗剂组合物时的pH值,可使用pH计(东亚电波工业株式会社制造,HM-30G)进行测定,为电极浸渍于清洗剂组合物3分钟后的数值。
[胺]
关于本发明的清洗剂组合物中所含的胺,在一个实施方式中,包含1个以上且10个以下氮原子。但是,乙二胺四乙酸等氨基羧酸类作为螯合剂不包含在含有1个以上且10个以下氮原子的胺中。就提高清洗性的观点而言,胺中所含的氮原子数为10个以下,优选为8个以下,更优选为6个以下,进一步优选为3个以下,更进一步优选为2个以下。就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,胺中所含的氮原子数为1个以上,优选为2个以上,更优选为5个以上,并且,优选为6个以下。此外,就兼具提高清洗性与抑制表面粗糙度变差的观点而言,在一种或数种实施方式中,胺的氮原子数为1个以上且10个以下,2个以上且8个以下,或2个以上且3个以下。
就提高清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物中所含的胺的分子量或重均分子量优选为500以下,更优选为400以下,进一步优选为300以下,更进一步优选为150以下,并且,优选为50以上,更优选为100以上。此外,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,优选为40以上,更优选为50以上,进一步优选为80以上,更进一步优选为150以上,更进一步优选为200以上,并且,优选为300以下,更优选为250以下。清洗剂组合物中所含的胺可为一种,也可为两种以上。此外,上述胺也可为盐的形态,例如可列举与盐酸、硫酸、磷酸等无机酸、有机酸等的盐,及与阴离子性表面活性剂的盐。
关于本发明的胺,不具有分子量分布的胺只要根据分子式计算分子量即可。此外,具有分子量分布的胺可通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定重均分子量。
关于本发明的清洗剂组合物中所含的胺的结构,在一种或数种实施方式中,为直链、支链、环状的结构,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点及提高清洗性的观点而言,优选为直链或环状结构,更优选为直链结构。进而,就相同的观点而言,上述胺中也可含有羟基。
作为上述胺的具体例,并不限定于此,可列举:乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、五亚乙基六胺等聚亚乙基聚胺;单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇、2-[甲基[2-(二甲基氨基)乙基]氨基]乙醇、2,2'-(亚乙基双亚氨基)双乙醇、N-(2-羟基乙基)-N'-(2-氨基乙基)乙二胺、2,2'-(2-氨基乙基亚氨基)二乙醇、N1,N4-双(羟基乙基)二亚乙基三胺、N1,N7-双(羟基乙基)二亚乙基三胺、1,3-二氨基-2-丙醇等烷醇胺;及哌嗪、1-甲基哌嗪、3-(1-哌嗪基)-1-丙烷胺、1-(2-氨基乙基)哌嗪、4-甲基哌嗪-1-胺、1-哌嗪甲烷胺、4-乙基-1-哌嗪胺、1-甲基-4-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟基乙基)哌嗪等具有哌嗪环的化合物等。聚亚乙基聚胺优选为下述通式(I)的化合物。
[化学式1]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]
作为不限定通式(I)的一种或数种实施方式,可列举:亚乙基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺。
就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点及提高清洗性的观点而言,上述胺优选为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上的胺,更优选为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上的胺。此外,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,胺进一步优选为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上的胺。就提高清洗性的观点而言,胺进一步优选为选自单乙醇胺及2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇中的1种以上的胺,更进一步优选为2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇。
本发明的清洗剂组合物中所含的胺的含量相对于水以外的成分的总质量,胺为5.00质量%以上且70.00质量%以下,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,优选为8.00质量%以上,更优选为15.70质量%以上,进一步优选为16.5质量%以上,并且,优选为50.00质量%以下,更优选为45.00质量%以下,进一步优选为20.00质量%以下。此外,就提高清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物中所含的胺的含量相对于水以外的成分的总质量,优选为8.00质量%以上,更优选为15.00质量%以上,并且,优选为15.70质量%以下。再者,在清洗剂组合物中的胺为数种的情形时,上述含量表示全部胺的总含量。
[无机碱]
关于本发明的清洗剂组合物中所含的无机碱,在一个实施方式中并无特别限制,就提高清洗性的观点而言,优选为碱金属氢氧化物,更优选为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
本发明的清洗剂组合物中所含的无机碱的含量只要以使结晶化玻璃硬盘基板在清洗时的pH值成为上述范围的方式使用即可,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,作为本发明的清洗剂组合物中所含的碱金属离子量,优选为1.00质量%以上。并且,优选为2.00质量%以下,更优选为1.70质量%以下。此外,就提高清洗性的观点而言,优选为1.00质量%以上,更优选为1.50质量%以上,更进一步优选为1.80质量%以上。
[任意成分]
在本发明的清洗剂组合物中,除胺与无机碱以外,可含有非离子活性剂、助溶剂、阴离子聚合物、螯合剂、抗氧化剂、防腐剂等。
[非离子活性剂]
就清洗剂组合物的清洗性得到提高的观点而言,本发明的清洗剂组合物优选为含有非离子活性剂。作为本发明的清洗剂组合物中所含的非离子活性剂,例如,就清洗剂组合物的清洗性得到提高的观点而言,优选为下述通式(II)所表示的非离子活性剂。
R-O-(EO)o(PO)p-H(II)
[式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,EO为亚乙基氧基,PO为亚丙基氧基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数]
上述通式(II)中,R优选碳数8个以上,更优选12个以上,进一步优选14个以下。此外,R为直链或支链烷基,优选为直链。o及p分别为EO及PO的平均加成摩尔数。就提高清洗性的观点而言,o优选为5以上的数,更优选为8以上的数,并且,优选为20以下的数,更优选15以下。就提高清洗性的观点而言,p为0以上的数,优选为1以上的数,并且,优选为4以下的数,更优选为3以下的数。
作为通式(II)所表示的化合物,具体而言,可列举:癸醇、异癸醇、十三醇、月桂醇、肉豆蔻醇等醇类,在此醇类上加成亚乙基氧基和/或亚丙基氧基而成的化合物等,就提高清洗性的观点而言,优选为在月桂醇和/或肉豆蔻醇中加成亚乙基氧基和/或亚丙基氧基而成的化合物。通式(II)所表示的化合物可单独使用,也可混合两种以上而使用。
就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,本发明的清洗剂组合物中的上述非离子活性剂的含量相对于水以外的成分的总质量,优选为1.00质量%以上,更优选为3.95质量%以上,进一步优选为4.20质量%以上,并且,优选为5.00质量%以下,更优选为4.35质量%以下。此外,就提高清洗性的观点而言,上述非离子活性剂的含量优选为1.00质量%以上,更优选为1.50质量%以上,进一步优选为3.00质量%以上,并且,优选为5.00质量%以下,更优选为3.95质量%以下。
[助溶剂]
就提高清洗剂组合物的保存稳定性之观点而言,本发明的清洗剂组合物优选含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸等有机磺酸,2-乙基己酸及其盐中的1种以上的助溶剂。就提高清洗剂组合物的保存稳定性的观点而言,更优选含有对甲苯磺酸钠。
就提高保存稳定性及抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,本发明的清洗剂组合物中的助溶剂的含量相对于水以外的成分的总质量,优选为20.00质量%以上,更优选为55.00质量%以上,并且,优选为62.00质量%以下,更优选为60.70质量%以下。此外,就提高保存稳定性及提高清洗性的观点而言,相对于水以外的成分的总质量,优选为20.00质量%以上,更优选为50.00质量%以上,并且,优选为62.00质量%以下,更优选为58.00质量%以下,进一步优选为55.00质量%以下。
[阴离子聚合物]
就提高清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物优选含有阴离子聚合物。作为阴离子聚合物,例如可列举羧酸系聚合物。作为上述羧酸系聚合物,可列举:丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、马来酸聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸之共聚物、丙烯酸/马来酸的共聚物、甲基丙烯酸/丙烯酸甲酯的共聚物等结构单元中包含甲基丙烯酸或丙烯酸的阴离子聚合物,优选丙烯酸(AA)与2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(AMPS)的共聚物,更优选AA与AMPS的摩尔比为91/9~95/5的共聚物。关于阴离子聚合物,聚合物中的一部分或全部阴离子部分可与碱金属形成盐。就对水的溶解性的观点而言,阴离子聚合物优选为钠盐。
就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,本发明的清洗剂组合物中的阴离子聚合物的含量相对于水以外的成分的总质量,优选为2.50质量%以上,更优选为6.30质量%以上,进一步优选为6.80重量%以上,并且,优选为7.50质量%以下,更优选为6.95质量%以下。此外,就提高清洗性的观点而言,相对于水以外的成分的总质量,优选为2.50质量%以上,更优选为6.00质量%以上,并且,优选为7.50质量%以下,更优选为6.60质量%以下,进一步优选为6.30质量%以下。
[螯合剂]
就提高清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物优选含有螯合剂。作为螯合剂,可列举选自葡萄糖酸、葡庚糖酸等醛糖酸类;乙二胺四乙酸等氨基羧酸类;柠檬酸、苹果酸等羟基羧酸类;1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸等膦酸类;及它们的碱金属盐中的至少1种。其中,优选葡萄糖酸钠、葡庚糖酸钠、乙二胺四乙酸钠、柠檬酸钠或1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸,更优选1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸。上述螯合剂可单独使用或混合2种以上使用。
就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,本发明的清洗剂组合物中的螯合剂的含量相对于水以外的成分的总质量,优选为3.80质量%以上,更优选为9.50质量%以上,进一步优选为10.20质量%以上,并且,优选为10.60质量%以下,更优选为10.45质量%以下。此外,就提高清洗性的观点而言,相对于水以外的成分的总质量,优选为3.80质量%以上,更优选为9.20质量%以上,并且,优选为10.60质量%以下,更优选为10.00质量%以下,进一步优选为9.40质量%以下。
[水]
本发明的清洗剂组合物含有水。上述水只要为可发挥作为溶剂的作用即可,并无特别限制,例如可列举:超纯水、纯水、离子交换水或蒸馏水等,优选超纯水、纯水或离子交换水,更优选超纯水。再者,纯水及超纯水例如可使自来水通过活性碳并进行离子交换处理进而进行蒸馏得到的水,并视需要照射特定的紫外线杀菌灯或者使其通过过滤器而获得。再者,清洗剂组合物可进一步含有以溶剂形式添加至上述水中的水系溶剂(例如乙醇等醇),清洗剂组合物中所含的溶剂优选仅含有水。
就抑制表面粗糙度变差的观点而言,清洗剂组合物的水的含量优选为98.50质量%以下,更优选为99.70质量%以下,并且,就相同的观点而言,优选为98.80质量%以上,更优选为99.00质量%以上。
[胺/碱金属离子的质量比]
在本发明中,可通过使用胺及无机碱而抑制表面粗糙度变差,但可认为除源自所配合的无机碱的碱金属以外,也包括螯合剂或阴离子聚合物的盐等源自离子对的碱金属离子,可发挥与无机碱相同的作用。因此,应对抑制表面粗糙度变差及提高清洗性,优选不规定胺与无机碱的比率、而规定胺与碱金属离子的量的比。就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,本发明的清洗剂组合物中所含的胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子的含量)优选为0.50以上,更优选为1.18以上,进一步优选为1.80以上,并且,优选为12.00以下,更优选为4.00以下,进一步优选为2.00以下。此外,就提高清洗性的观点而言,胺与碱金属离子的质量比优选为0.60以上,更优选为0.80以上,并且,优选为12.00以下,更优选为1.15以下。胺/碱金属离子的质量比可利用原子吸光法测定清洗剂组合物中的无机碱总量,根据其结果进行计算而获得。
[清洗剂组合物的制备方法]
本发明的清洗剂组合物可通过将各成分混合而制备。就储存及输送的观点而言,清洗剂组合物通常多数情况下以浓缩液的形式而制造,在使用时将其稀释。清洗剂组合物可直接使用,也可调整清洗剂组合物的浓缩液并稀释使用。在稀释清洗剂组合物的浓缩液时,该稀释倍率并无特别限制,可根据上述浓缩液中的各成分浓度或清洗条件等而适当决定。就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,优选将清洗剂组合物的浓缩液稀释成10质量%以下,更优选稀释成5质量%以下。此外,就清洗性的观点而言,优选将清洗剂组合物的浓缩液稀释成0.005质量%以上,更优选稀释成0.3质量%以上,进一步优选稀释成1质量%以上。
[清洗剂组合物的浓缩液]
本发明的清洗剂组合物的浓缩液可通过将各成分混合而制备。水以外的各成分含量与清洗剂组合物相同。就储存及输送的观点而言,清洗剂组合物的浓缩液的水含量优选为95.00质量%以下,更优选为90.00质量%以下,并且,就相同的观点而言,优选为60.00质量%以上,更优选为70.00质量%以上。因此,对于本发明的玻璃基板的清洗方法,在一种或数种实施方式中,包括稀释上述清洗剂组合物的浓缩液。
就提高稀释后的清洗性的观点而言,本发明的清洗剂组合物的浓缩液的pH值优选为8.80以上,更优选为9.00以上,进一步优选为10.00以上。并且,就抑制清洗后的表面粗糙度变差的观点而言,优选为12.50以下,更优选为12.00以下,进一步优选为11.00以下。清洗剂组合物的浓缩液的pH值可利用与清洗剂组合物的pH值相同的方法进行测定。
[玻璃基板的清洗方法]
本发明的玻璃基板的清洗方法是使用本发明的清洗剂组合物,对作为结晶化玻璃的被清洗结晶化玻璃基板进行清洗的方法,在一种或数种实施方式中,包括使被清洗结晶化玻璃基板与本发明的清洗剂组合物接触的工序。作为该工序的一种或数种实施方式,可列举:(a)将作为结晶化玻璃的被清洗结晶化玻璃基板浸渍于清洗剂组合物中的方法;和/或(b)喷射出清洗剂组合物,向作为结晶化玻璃的被清洗结晶化玻璃基板表面上供给清洗剂组合物的方法。
在上述方法(a)中,作为被清洗结晶化玻璃基板浸渍于清洗剂组合物的条件,并无特别限制,例如,就作业性及操作性的观点而言,清洗剂组合物的温度优选为20~100℃,就利用清洗剂组合物提高清洗性的观点而言,浸渍时间优选为5秒以上,更优选为10秒以上,进一步优选为100秒以上。就提高所清洗的结晶化玻璃基板的生产效率的观点而言,优选为30分钟以下,更优选为10分钟以下,进一步优选为5分钟以下。此外,就提高残留物的去除性及残留物的分散性的观点而言,优选对清洗剂组合物赋予超声波振动。作为超声波的频率,优选为20~2000kHz,更优选为40~2000kHz,进一步优选为40~1500kHz。
在上述方法(b)中,就促进研磨粒子等残留物的清洗性或油分的溶解性的观点而言,优选射出经赋予超声波振动的清洗剂组合物,使被清洗结晶化玻璃基板的表面与清洗剂组合物接触而对该表面进行清洗;或者通过利用喷射将清洗剂组合物供给至被清洗结晶化玻璃基板的表面上,利用清洗用毛刷摩擦来清洗供给了清洗剂组合物的该表面。进一步优选通过喷射而向清洗对象的表面供给赋予了超声波振动的清洗剂组合物,且利用清洗用毛刷摩擦来清洗供给了清洗剂组合物的该表面。
作为将清洗剂组合物供给至被清洗基板表面上的机构,可使用喷雾嘴等机构。此外,作为清洗用毛刷,并无特别限制,例如可使用尼龙毛刷或PVA(polyvinyl alcohol,聚乙烯醇)海棉毛刷等。作为超声波的频率,与利用上述方法(a)优选采用的值相同。
进而,在其他一种或数种实施方式中,除上述方法(a)和/或上述方法(b)以外,也可包括1种以上的摇动清洗、利用旋转器等的旋转清洗、搅动清洗等清洗工序。
在本发明的玻璃基板的清洗方法中,可逐片对被清洗结晶化玻璃基板进行清洗,也可一次性对数片应清洗的被清洗结晶化玻璃基板进行清洗。此外,在清洗时使用的清洗槽数目可为1个或多个。
[玻璃硬盘基板的制造方法]
通常,玻璃硬盘基板是从利用溶融玻璃的模框压制或由薄片玻璃切割的方法而获得结晶化玻璃基材的工序,经过形状加工工序、端面研磨工序、粗研削工序、精研削工序、粗研磨工序、精研磨工序、化学强化工序而制造。化学强化工序也可在精研磨工序之前实施。此外,有时在各工序之间包括清洗工序。玻璃硬盘基板通过在最终的清洗工序之后经由记录部形成工序而形成磁硬盘。在本发明中,结晶化玻璃的玻璃硬盘基板为对象。
关于记录部形成工序,在一种或数种实施方式中,通过利用溅射等方法使玻璃硬盘基板上形成具有磁记录区域、包含金属薄膜的磁性层而进行。作为构成上述金属薄膜的金属材料,例如可列举:铬、钽、或铂等与钴的合金即钴合金,或者铁与铂等的合金等。再者,磁性层可形成于玻璃硬盘基板的两主面侧,也可仅形成于一主面侧。
上述粗研磨工序与上述精研磨工序依序进行。进行上述粗研磨工序时使用的研磨剂组合物中所含的无机微粒子可进行高速研磨,因此优选为氧化铈粒子。进行上述精研磨工序时使用的研磨剂组合物中所含的无机微粒子可提高表面平坦性(低粗糙度),因此优选为二氧化硅粒子。
在粗研磨工序之后,可依序进行使用清洗剂组合物的清洗工序(第1清洗工序)、冲洗工序(第1冲洗工序)、干燥工序(第1干燥工序)、精研磨工序、使用清洗剂组合物的清洗工序(第2清洗工序)、冲洗工序(第2冲洗工序)、及干燥工序(第2干燥工序)。本发明的玻璃基板的清洗方法可适用于上述第1清洗工序和/或上述第2清洗工序中。在非限定的一种或数种实施方式中,就清洗性的观点而言,本发明的玻璃基板的清洗方法优选用于第2清洗工序。
因此,本发明的一个实施方式涉及一种包括以下(1)及(2)的玻璃硬盘基板的制造方法。
(1)使用研磨液组合物对被研磨结晶化玻璃基板进行研磨的工序。
(2)使用本发明的清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序。
上述工序(1)中的被研磨基板通常为经过了上述精研削工序后的结晶化玻璃基板,优选为经过了粗研磨工序后的结晶化玻璃基板。结晶化玻璃基板如上所述。工序(1)可通过如下方式进行:向结晶化玻璃基板的研磨对象面供给研磨液组合物,使上述研磨对象面与研磨垫接触,一面施加特定的压力(荷重)一面使研磨垫或被研磨基板移动等。就提高最终的基板的质量的观点而言,该工序(1)优选为使用了含有二氧化硅粒子的研磨液组合物的精研磨工序。此外,在精研磨工序中,优选重复使用研磨液组合物。
上述工序(2)的清洗工序可与上述本发明的玻璃基板的清洗方法同样地进行。
[玻璃硬盘基板表面的清洗方法]
本发明的另一个实施方式涉及一种玻璃硬盘基板表面的清洗方法。在其一种或数种实施方式中,包括如下清洗工序:使用本发明的清洗剂组合物,对具有玻璃表面且对该玻璃表面实施了使用研磨剂组合物的研磨的被清洗结晶化玻璃基板进行清洗。作为该工序的一种或数种实施方式,可列举:(a)使被清洗结晶化玻璃基板浸渍于清洗剂组合物中的方法;和/或(b)喷射出清洗剂组合物,向被清洗结晶化玻璃基板表面上供给清洗剂组合物的方法。方法(a)及(b)如上所述。
以下,示出不限定玻璃硬盘基板表面的清洗方法的工序的一种或数种实施方式。
(1)清洗-1:将添加有本发明的清洗剂组合物的清洗槽(a)设定为特定的温度,浸渍被清洗基板,一面照射超声波一面进行清洗。
(2)冲洗-1:将添加有超纯水的冲洗槽(b)设定为特定的温度,将被清洗基板自清洗槽(a)移至冲洗槽(b)并进行浸渍,一面照射超声波一面进行冲洗。
(3)使用添加有本发明的清洗剂组合物的清洗槽(c)、添加有超纯水的冲洗槽(d)再次重复(1)与(2)。
(4)清洗-2:将被清洗基板自冲洗槽内移至安装有清洗毛刷的洗涤清洗单元(A),向清洗毛刷喷射出本发明的清洗剂组合物,在该清洗剂组合物的存在下一面使清洗毛刷于该基板两面旋转一面进行按压,由此进行清洗。
(5)冲洗-2:将被清洗基板移至洗涤清洗单元(B),喷射出超纯水,与(4)同样地一面使清洗毛刷于该基板两面旋转一面进行按压,由此进行冲洗。
(6)使用与洗涤清洗单元(A)相同条件下准备的洗涤清洗单元(C)、与洗涤清洗单元(B)相同条件下准备的洗涤清洗单元(D),再次重复(4)与(5)。
(7)冲洗-3:将被清洗基板移至添加有超纯水的冲洗槽(e),进行冲洗。
(8)干燥:将被清洗基板移至添加有温纯水的冲洗槽(f),进行浸渍后,以特定的速度提拉被清洗基板后,使基板表面完全干燥。
本发明的被清洗玻璃基板表面的清洗方法可对被清洗玻璃基板进行逐片清洗,也可一次性对多片应清洗的被清洗基板进行清洗。此外,清洗时使用的清洗槽的数目可为1个也可为多个。
本发明进一步涉及以下的一种或数种实施方式。
<1>一种玻璃基板的清洗方法,其包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触,
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,
上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
<2>如<1>的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗结晶化玻璃基板优选为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的基板。
<3>如<1>或<2>的玻璃基板的清洗方法,其中被清洗结晶化玻璃基板在清洗前的表面粗糙度Ra优选为以上,和/或优选为以下、更优选为以下。
<4>如<1>至<3>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物的pH值在清洗时为9.00以上且11.50以下,或者11.50以下、优选为11.00以下、更优选为10.70以下,和/或9.00以上、优选为9.50以上、更优选为10.00以上、进一步优选为10.50以上、更进一步优选为10.90以上、更进一步优选为11.00以上。
<5>如<1>至<4>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺优选不含乙二胺四乙酸等氨基羧酸类。
<6>如<1>至<5>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺中所含的氮原子数为10个以下、优选为8个以下、更优选为6个以下、进一步优选为3个以下、更进一步优选为2个以下,和/或1个以上、优选为2个以上、更优选为5个以上,并且,优选为6个以下,和/或2个以上且8个以下、或2个以上且3个以下。
<7>如<1>至<6>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺的分子量或重均分子量优选为500以下、更优选为400以下、进一步优选为300以下、更进一步优选为150以下,和/或优选为50以上、更优选为100以上,和/或优选为40以上、更优选为50以上、进一步优选为80以上、更进一步优选为150以上、更进一步优选为200以上,和/或优选为300以下、更优选为250以下。
<8>如<1>至<7>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
[化学式2]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]。
<9>如<1>至<8>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺优选为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上。
<10>如<1>至<9>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,和/或优选为8.00质量%以上、更优选为15.70质量%以上、进一步优选为16.5质量%以上,和/或优选为50.00质量%以下、更优选为45.00质量%以下、进一步优选为20.00质量%以下,和/或优选为8.00质量%以上、更优选为15.00质量%以上,和/或优选为15.70质量%以下。
<11>如<1>至<10>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述无机碱的含量作为碱金属离子量,优选为1.00质量%以上,和/或优选为2.00质量%以下、更优选为1.70质量%以下,和/或优选为1.00质量%以上、更优选为1.50质量%以上、进一步优选为1.80质量%以上。
<12>如<1>至<11>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有非离子活性剂,上述非离子活性剂更优选为下述通式(II)所表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H(II)
[式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数]。
<13>如<12>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述非离子活性剂的含量优选为1.00质量%以上、更优选为3.95质量%以上、进一步优选为4.20质量%以上,和/或优选为5.00质量%以下、更优选为4.35质量%以下,和/或优选为1.00质量%以上、更优选为1.50质量%以上、进一步优选为3.00质量%以上,和/或优选为5.00质量%以下、更优选为3.95质量%以下。
<14>如<1>至<13>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸等有机磺酸,2-乙基己酸及它们的盐中的1种以上的助溶剂。
<15>如<14>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述助溶剂的含量优选为20.00质量%以上、优选为55.00质量%以上,和/或优选为62.00质量%以下、更优选为60.70质量%以下,和/或优选为20.00质量%以上、更优选为50.00质量%以上,和/或优选为62.00质量%以下、更优选为58.00质量%以下、进一步优选为55.00质量%以下。
<16>如<1>至<15>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有阴离子聚合物,优选羧酸系聚合物,更优选为选自丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、马来酸聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸的共聚物、丙烯酸/马来酸的共聚物以及甲基丙烯酸/丙烯酸甲酯的共聚物中的(共)聚合物。
<17>如<16>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述阴离子聚合物的含量优选为2.50质量%以上、更优选为6.30质量%以上、进一步优选为6.80重量%以上,和/或优选为7.50质量%以下、更优选为6.95质量%以下,和/或优选为2.50质量%以上、更优选为6.00质量%以上,和/或优选为7.50质量%以下、更优选为6.6质量%以下、进一步优选为6.30质量%以下。
<18>如<1>至<17>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有螯合剂,优选为选自葡萄糖酸、葡庚糖酸等醛糖酸类;乙二胺四乙酸等氨基羧酸类;柠檬酸、苹果酸等羟基羧酸类;1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸等膦酸类;及它们的碱金属盐中的至少1种。
<19>如<18>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述螯合剂的含量优选为3.80质量%以上、更优选为9.50质量%以上、进一步优选为10.20质量%以上,和/或优选为10.60质量%以下、更优选为10.45质量%以下,和/或优选为3.80质量%以上、更优选为9.20质量%以上,和/或优选为10.60质量%以下、更优选为10.00质量%以下、进一步优选为9.40质量%以下。
<20>如<1>至<19>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物的水的含量优选为98.50质量%以下、更优选为99.70质量%以下,和/或优选为98.80质量%以上、更优选为99.00质量%以上。
<21>如<1>至<20>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物中的上述胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子的含量)优选为0.50以上且12.00以下,和/或优选为0.50以上、更优选为1.18以上、进一步优选为1.80以上,和/或优选为12.00以下、更优选为4.00以下、进一步优选为2.00以下,和/或优选为0.60以上、更优选为0.80以上,和/或优选为12.00以下、更优选为1.15以下。
<22>如<1>至<21>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其包括对上述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释,上述浓缩液的水的含量优选为95.00质量%以下、更优选为90.00质量%以下,和/或优选为60.00质量%以上、更优选为70.00质量%以上。
<23>如<1>至<22>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗玻璃基板优选为玻璃硬盘基板用的玻璃基板。
<24>一种玻璃硬盘基板的制造方法,其包括以下工序(1)及(2):
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序,并且
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,
上述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
<25>如<24>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述工序(2)的清洗通过如<1>至<23>中任一项的玻璃基板的清洗方法而进行。
本发明还涉及以下的一种或数种实施方式。
<A1>一种玻璃硬盘基板的制造方法,其包括以下工序(1)及(2):
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序,并且
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
上述清洗在pH值9.0以上且11.5以下时进行。
<A2>如<A1>的玻璃基板的制造方法,其中上述研磨液组合物为含有二氧化硅粒子的研磨液组合物。
<A3>如<A1>或<A2>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述清洗剂组合物含有源自无机碱的碱金属,
清洗剂组合物中的上述胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子的含量)为0.5以上且12.0以下。
<A4>如<A1>至<A3>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
[化学式3]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]。
<A5>如<A1>至<A4>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述胺为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上。
<A6>如<A1>至<A5>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述清洗剂组合物还含有下述通式(II)所表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H (II)
[式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数]。
<A7>如<A6>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述非离子活性剂的含量为1.0质量%以上且5.0质量%以下。
<A8>如<A1>至<A7>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述清洗剂组合物还含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸等有机磺酸,2-乙基己酸及它们的盐中的1种以上的助溶剂。
<A9>如<A8>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述助溶剂的含量为20.0质量%以上且62.0质量%以下。
<A10>如<A1>至<A9>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述清洗剂组合物还含有阴离子聚合物。
<A11>如<A10>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述阴离子聚合物的含量为2.5质量%以上且7.5质量%以下。
<A12>如<A1>至<A11>中任一项的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述清洗剂组合物还含有螯合剂。
<A13>如<A12>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述螯合剂的含量为3.8质量%以上且10.6质量%以下。
<A14>如<A1>至<A13>中任一项的玻璃基板的制造方法,其包括对水的含量为60.0质量%以上且95.0质量%以下的上述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
<A15>一种玻璃硬盘基板的制造方法,其包括以下工序(1)及(2):
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序,并且
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.0以上且11.5以下。
<A16>一种玻璃基板的清洗方法,其包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触,
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.0以上且11.5以下。
<A17>如<A16>的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗结晶化玻璃基板为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的基板。
<A18>如<A16>或<A17>的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物含有源自无机碱的碱金属,
清洗剂组合物中的上述胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子的含量)为0.5以上且12.0以下。
<A19>如<A16>至<A18>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
[化学式4]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]。
<A20>如<A16>至<A19>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其包括对水的含量为60.0质量%以上且95.0质量%以下的上述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
<A21>如<A16>至<A20>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗玻璃基板为玻璃硬盘基板用的玻璃基板。
本发明还涉及以下的一种或数种实施方式。
<B1>一种清洗剂组合物的用途,其是包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触的玻璃基板的清洗方法中的清洗剂组合物的用途,其中,
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.0以上且11.5以下。
<B2>如<B1>的清洗剂组合物的用途,其中上述被清洗结晶化玻璃基板为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的基板。
<B3>如<B1>或<B2>的清洗剂组合物的用途,其中上述清洗剂组合物含有源自无机碱的碱金属,
清洗剂组合物中的上述胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子的含量)为0.5以上且12.0以下。
<B4>如<B1>至<B3>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中上述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
[化学式5]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]。
<B5>如<B1>至<B4>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中玻璃基板的清洗方法包括对水的含量为60质量%以上且95质量%以下的上述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
<B6>如<B1>至<B5>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中上述清洗剂组合物还含有下述通式(II)所表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H (II)
[式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数]。
<B7>如<B6>的清洗剂组合物的用途,其中相对于水以外的成分的总质量,上述非离子活性剂的含量为1.0质量%以上且5.0质量%以下。
<B8>如<B1>至<B7>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中上述清洗剂组合物还含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸等有机磺酸,2-乙基己酸及它们的盐中的1种以上的助溶剂。
<B9>如<B8>的清洗剂组合物的用途,其中相对于水以外的成分的总质量,上述助溶剂的含量为20.0质量%以上且62.0质量%以下。
<B10>如<B1>至<B9>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中上述清洗剂组合物还含有阴离子聚合物。
<B11>如<B10>的清洗剂组合物的用途,其中相对于水以外的成分的总质量,上述阴离子聚合物的含量为2.5质量%以上且7.5质量%以下。
<B12>如<B1>至<B11>中任一项的清洗剂组合物的用途,其中上述清洗剂组合物还含有螯合剂。
<B13>如<B12>的清洗剂组合物的用途,其中相对于水以外的成分的总质量,上述螯合剂的含量为3.8质量%以上且10.6质量%以下。
<B14>包括以下工序(1)及(2)的玻璃硬盘基板的制造方法中的、如<B1>至<B13>中任一项的清洗剂组合物的用途,
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序。
本发明还涉及以下一种或数种实施方式。
<C1>一种玻璃基板的清洗方法,其包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触,
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.0以上且11.5以下。
<C2>如<C1>的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗结晶化玻璃基板优选为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的基板。
<C3>如<C1>或<C2>的玻璃基板的清洗方法,其中被清洗结晶化玻璃基板在清洗前的表面粗糙度Ra优选为以上,和/或优选为 以下、更优选为以下。
<C4>如<C1>至<C3>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物的pH值在清洗时为9.0以上且11.5以下,或者11.5以下、优选为11.0以下、更优选为10.7以下,和/或9.0以上、优选为9.5以上、更优选为10.0以上、进一步优选为10.5以上、更进一步优选为10.9以上、更进一步优选为11.0以上。
<C5>如<C1>至<C4>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺优选不含乙二胺四乙酸等氨基羧酸类。
<C6>如<C1>至<C5>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺中所含的氮原子数为10个以下、优选为8个以下、更优选为6个以下、进一步优选为3个以下、更进一步优选为2个以下,和/或1个以上、优选为2个以上、更优选为5个以上,并且,优选为6个以下,和/或2个以上且8个以下、或2个以上且3个以下。
<C7>如<C1>至<C6>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺的分子量或重均分子量优选为500以下、更优选为400以下、进一步优选为300以下、更进一步优选为150以下,和/或优选为50以上、更优选为100以上,和/或优选为40以上、更优选为50以上、进一步优选为80以上、更进一步优选为150以上、更进一步优选为200以上,和/或优选为300以下、更优选为250以下。
<C8>如<C1>至<C7>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
[化学式6]
[式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,满足1≦x+y+z≦4]。
<C9>如<C1>至<C8>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺优选为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上。
<C10>如<C1>至<C9>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述胺的含量相对于水以外的成分的总质量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,和/或优选为8.0质量%以上、更优选为15.7质量%以上、进一步优选为16.5质量%以上,和/或优选为50.0质量%以下、更优选为45.0质量%以下、进一步优选为20.0质量%以下,和/或优选为8.0质量%以上、更优选为15.0质量%以上,和/或优选为15.7质量%以下。
<C11>如<C1>至<C10>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述无机碱的含量作为碱金属离子量,优选为1.0质量%以上,和/或优选为2.0质量%以下、更优选为1.7质量%以下,和/或优选为1.0质量%以上、更优选为1.5质量%以上、进一步优选为1.8质量%以上。
<C12>如<C1>至<C11>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有非离子活性剂,上述非离子活性剂更优选为下述通式(II)所表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H (II)
[式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数]。
<C13>如<C12>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述非离子活性剂的含量优选为1.0质量%以上、更优选为3.95质量%以上、进一步优选为4.2质量%以上,和/或优选为5.0质量%以下、更优选为4.35质量%以下,和/或优选为1.0质量%以上、更优选为1.5质量%以上、进一步优选为3.0质量%以上,和/或优选为5.0质量%以下、更优选为3.95质量%以下。
<C14>如<C1>至<C13>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有选自由对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸等有机磺酸,2-乙基己酸及它们的盐中的1种以上的助溶剂。
<C15>如<C14>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述助溶剂的含量优选为20.0质量%以上、优选为55.0质量%以上,和/或优选为62.0质量%以下、更优选为60.7质量%以下,和/或优选为20.0质量%以上、更优选为50.0质量%以上,和/或优选为62.0质量%以下、更优选为58.0质量%以下、进一步优选为55.0质量%以下。
<C16>如<C1>至<C15>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有阴离子聚合物,优选为羧酸系聚合物,更优选为选自丙烯酸聚合物、甲基丙烯酸聚合物、马来酸聚合物、丙烯酸/甲基丙烯酸的共聚物、丙烯酸/马来酸的共聚物及甲基丙烯酸/丙烯酸甲酯的共聚物中的(共)聚合物。
<C17>如<C16>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述阴离子聚合物的含量优选为2.5质量%以上、更优选为6.3质量%以上、进一步优选为6.8重量%以上,和/或优选为7.5质量%以下、更优选为6.95质量%以下,和/或优选为2.5质量%以上、更优选为6.0质量%以上,和/或优选为7.5质量%以下、更优选为6.6质量%以下、进一步优选为6.3质量%以下。
<C18>如<C1>至<C17>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物优选还含有螯合剂,优选为选自葡萄糖酸、葡庚糖酸等醛糖酸类;乙二胺四乙酸等氨基羧酸类;柠檬酸、苹果酸等羟基羧酸类;1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸等膦酸类;及它们的碱金属盐中的至少1种。
<C19>如<C18>的玻璃基板的清洗方法,其中相对于水以外的成分的总质量,上述螯合剂的含量优选为3.8质量%以上、更优选为9.5质量%以上、进一步优选为10.2质量%以上,和/或优选为10.6质量%以下、更优选为10.45质量%以下,和/或优选为3.8质量%以上、更优选为9.2质量%以上,和/或优选为10.6质量%以下、更优选为10.0质量%以下、进一步优选为9.4质量%以下。
<C20>如<C1>至<C19>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物的水的含量优选为98.5质量%以下、更优选为99.7质量%以下,和/或优选为98.8质量%以上、更优选为99.0质量%以上。
<C21>如<C1>至<C20>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述清洗剂组合物中的上述胺与碱金属离子的质量比(胺的含量)/(碱金属离子之含量)优选为0.5以上且12.0以下,和/或优选为0.5以上、更优选为1.18以上、进一步优选为1.8以上,和/或优选为12.0以下、更优选为4.0以下、进一步优选为2.0以下,和/或优选为0.6以上、更优选为0.8以上,和/或优选为12.0以下、更优选为1.15以下。
<C22>如<C1>至<C21>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其包括对上述清洗剂组合物的浓缩进行稀释,上述浓缩液的水的含量优选为95.0质量%以下、更优选为90.0质量%以下,和/或优选为60.0质量%以上、更优选为70.0质量%以上。
<C23>如<C1>至<C22>中任一项的玻璃基板的清洗方法,其中上述被清洗玻璃基板优选为玻璃硬盘基板用的玻璃基板。
<C24>一种玻璃硬盘基板的制造方法,其包括以下工序(1)及(2):
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序,并且
上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,上述胺的含量为5.0质量%以上且70.0质量%以下,
上述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.0以上且11.5以下。
<C25>如<C24>的玻璃硬盘基板的制造方法,其中上述工序(2)的清洗通过如<C1>至<C23>中任一项的玻璃基板的清洗方法而进行。
实施例
[清洗剂组合物的浓缩液的制备]
按照成为下述表1中记载的组成的方式以质量%配合各成分,并进行混合,由此获得实施例1-12、比较例1-7、及参考例1-2的清洗剂组合物的浓缩液。在表1中,关于含量,上段表示相对于包含水的总体质量的质量%,下段表示相对于水以外的成分的总体质量的质量%。此外,pH值是25℃下的清洗剂组合物的pH值,可使用pH计(东亚电波工业株式会社制造,HM-30G)进行测定,是电极浸渍于清洗剂组合物后3分钟后的数值。在表1中,关于pH值,上段表示所制备的清洗剂组合物的浓缩液的pH值,下段表示清洗时(上段浓缩液的3%稀释的清洗剂组合物)的pH值。
此外,清洗剂组合物中的碱金属离子量是通过原子吸光法求出钠离子与钾离子之合计量,而设为碱金属离子量。
将测定条件表示如下。
[试样的前处理与测定]
准确称量试样0.1g置于石英坩埚中,不进行干式灰化,进行盐酸溶解并定容为50ml。将对其稀释25倍而成的物质作为测定试样,利用原子吸光装置(VARIAN SpectrAA220 Atomic Absorption Spectrometer)进行测定。
使用下述成分作为清洗剂组合物的成分。
[胺]
2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇(日本乳化剂公司制造)
二亚乙基三胺(Tosoh公司制造,于通式(I)中x+y+z=1)
四亚乙基五胺(Tosoh公司制造,于通式(I)中x+y+z=3)
五亚乙基六胺(Tosoh公司制造,于通式(I)中x+y+z=4)
1-(2-羟基乙基)哌嗪(日本乳化剂公司制造)
甲基二乙醇胺(日本乳化剂公司制造)
聚胺(日本乳化剂公司制造,商品名SP-006,分子量600)
氢氧化钾(关东化学公司制造,鹿特级,固体成分48重量%)
[非离子活性剂]
上述通式(II)中,R为碳数12的直链烷基且o=10、p=1.5的化合物、与R为碳数14的直链烷基且o=10、p=1.5的化合物的混合物。
[阴离子聚合物]
丙烯酸/2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸(92/8(摩尔比))的共聚化合物(重均分子量12,000)的钠盐的水溶液(固体成分40重量%)
[螯合剂]
1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸(Solutia公司制造,固体成分60重量%)
[助溶剂]
对甲苯磺酸钠的水溶液(明友产业公司制造,固体成分90重量%)
[硬盘用玻璃基板的清洗性试验方法]
准备因实施了使用下述组成的研磨液浆料(研磨剂组合物)的研磨,而受到源自研磨液浆料的研磨粒及源自基板材料的研磨屑等污染的被清洗基板。使用上述被清洗基板对清洗剂组合物的清洗性进行评价。
(评价用基板)
作为实施例1-12及比较例1-7的评价用基板,准备结晶化玻璃基板(外径:65mmΦ、内径:20mmΦ、厚度:0.635mm)。另一方面,作为参考例1-2的评价用基板,准备非晶玻璃基板(外径:65mmΦ、内径:20mmΦ、厚度=0.635mm)。
(研磨条件)
研磨机:双面9B研磨机(浜井产业公司制造)
研磨垫:FILWEL公司制造的精研磨用麂皮垫
研磨剂组合物:胶体二氧化硅浆料(胶体二氧化硅粒子的个数平均粒径24nm,胶体二氧化硅粒子的浓度:8重量%,介质:水,花王公司制造)
预研磨:荷重40g/cm2、时间60秒、研磨液流量100mL/分钟
正式研磨:荷重100g/cm2、时间1200秒、研磨液流量100mL/分钟
水洗:荷重40g/cm2、时间60秒、洗涤水流量约为2L/分钟
(清洗)
利用清洗装置在以下条件下对被污染的被清洗基板(5片)进行清洗。清洗槽、冲洗槽分别准备2套。
(1)清洗-1:利用超纯水将清洗剂组合物的浓缩液450g稀释成15000g而调制清洗剂组合物(稀释至3质量%)。将该清洗剂组合物添加至清洗槽(a)中。将清洗槽(a)内的液温设定为40℃。使被清洗基板浸渍于清洗槽(a)中,一面照射超声波(40kHz)一面清洗120秒。
(2)冲洗-1:将添加有超纯水的冲洗槽(b)设定为40℃,将被清洗基板自清洗槽(a)移至冲洗槽(b)并进行浸渍,一面照射超声波(40kHz)一面冲洗120秒。
(3)使用在与清洗槽(a)相同的条件下准备的添加有清洗剂组合物的清洗槽(c)、及在与冲洗槽(b)相同之条件下准备的添加有超纯水的冲洗槽(d),再次重复(1)与(2)。
(4)清洗-2:将被清洗基板自冲洗槽内移至安装有清洗毛刷的洗涤清洗单元(A),向清洗毛刷喷射出25℃的清洗剂组合物,在该清洗剂组合物的存在下,一面使清洗毛刷以400rpm在该基板两面旋转一面进行按压,由此在25℃下清洗5秒。在清洗剂组合物中使用有与“(1)清洗-1”中使用的清洗剂组合物组成相同的物质。
(5)冲洗-2:将被清洗基板移至洗涤清洗单元(B),喷射出25℃的超纯水,一面使清洗毛刷与(4)同样地以400rpm在该基板的两面旋转一面进行按压,由此在25℃下冲洗5秒。
(6)使用在与洗涤清洗单元(A)相同的条件下准备的洗涤清洗单元(C)、及在与洗涤清洗单元(B)相同的条件下准备的洗涤清洗单元(D),再次重复(4)与(5)。
(7)冲洗-3:将被清洗基板移至添加有超纯水的冲洗槽(e),在25℃下冲洗600秒。
(8)干燥:将被清洗基板移至添加有温纯水的冲洗槽(f),浸渍60秒后,将基板自水中提拉至空气中时的速度设为90mm/分钟,以该速度提拉被清洗基板后,使基板表面完全干燥。
再者,超纯水使用栗田工业株式会社制造的连续纯水制造装置(PURECONTI PC-2000VR-L型)及子系统(MACACE KC-05H型)而制造。
[表面粗糙度的测定方法]
在通过上述研磨方法获得的、实施了相同的研磨处理的5片基板中,随机选择2片,进行使用了本发明的清洗剂组合物的清洗,分别测定其表面粗糙度。表面粗糙度在以下所示条件下、使用AFM(原子间力显微镜、Atomic Force Microscope,Digital InstrumentNanoScope IIIa Multi Mode AFM)测定各基板的两面,根据平均值算出表面粗糙度Ra。将此结果示于下述表1。
(AFM的测定条件)
模式:Tapping mode
区域:1×1μm
扫描频率:1.0Hz
悬臂支架:NCH-10V
线:512×512
[清洗性的测定方法]
清洗性是利用二氧化硅粒子的蚀刻量进行判断的。值越大则二氧化硅粒子的清洗性越优异,可以说例如作为研磨剂的二氧化硅粒子的清洗性优异。在下述条件下测定蚀刻量。比较例1的蚀刻量为19.9ppm。将其结果示于下述表1。再者,表1所示的蚀刻量是将比较例1设为100时的相对值。
(二氧化硅粒子的蚀刻量的测定方法)
在100ml的聚丙烯制容器内,利用超纯水将上述清洗剂组合物的浓缩液(实施例、比较例记载)稀释至3质量%获得清洗剂组合物20g,向其中添加二氧化硅粉末(NipponAerosil公司制造,Aerosil 50)0.1g。接着,利用磁力搅拌器(转子:40mm,外周部周速:1.5m/s)对其搅拌15分钟,利用过滤器(Advantec公司制造,DISMIC-25HP020AN,孔径0.2μm)过滤上清液,将该上清液设为试验液。使用ICP发光分析装置(Perkin Elmer公司制造,Optima 5300)测定上述试验液的Si的发光强度,并定量试验液中的Si浓度。对稀释液而言,试验液中的Si浓度越高,表示通过溶解去除附着于被清洗基板表面的二氧化硅微粒子(研磨材)的能力越强。
[表1]
﹡含量的上段为相对于所包含的水的质量的值,下段为相对于浓缩液的水以外的成分的质量的值
﹡﹡pH值的上段为浓缩液的pH值,下段为使用时(将浓缩液稀释至3%时)的pH值。
如上述表1所示,在结晶化玻璃的清洗中,与比较例1~7相比,实施例1~12可抑制清洗后的表面粗糙度变差且显示出优异的清洗性。另一方面,将参考例1与2加以比较,可知即便在非晶玻璃基板中配合与实施例1相同的胺,也无法发挥抑制表面粗糙度变差的效果。

Claims (32)

1.一种玻璃硬盘基板的制造方法,其包括以下工序(1)及(2):
(1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序,以及
(2)使用清洗剂组合物对工序(1)中获得的基板进行清洗的工序,其中,
所述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于所述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,所述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,
所述胺与源自所述无机碱的碱金属离子的质量比,即胺的含量/碱金属离子的含量为0.50以上且2.00以下,
所述清洗剂组合物中所含的碱金属离子量为1.00质量%以上且1.99质量%以下,
所述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
2.根据权利要求1所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,所述研磨液组合物为含有二氧化硅粒子的研磨液组合物。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
所述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,且满足1≦x+y+z≦4。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
所述胺为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
所述清洗剂组合物还含有下述通式(II)表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H (II)
式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数。
6.根据权利要求5所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
相对于水以外的成分的总质量,所述非离子活性剂的含量为1.00质量%以上且5.00质量%以下。
7.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
所述清洗剂组合物还含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸、2-乙基己酸或它们的盐中的1种以上的助溶剂。
8.根据权利要求7所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
相对于水以外的成分的总质量,所述助溶剂的含量为20.00质量%以上且62.00质量%以下。
9.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,所述清洗剂组合物还含有阴离子聚合物。
10.根据权利要求9所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
相对于水以外的成分的总质量,所述阴离子聚合物的含量为2.50质量%以上且7.50质量%以下。
11.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,所述清洗剂组合物还含有螯合剂。
12.根据权利要求11所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其中,
相对于水以外的成分的总质量,所述螯合剂的含量为3.80质量%以上且10.60质量%以下。
13.根据权利要求1或2所述的玻璃硬盘基板的制造方法,其包括对水的含量为60.00质量%以上且95.00质量%以下的所述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
14.一种玻璃基板的清洗方法,其包括使被清洗玻璃基板与清洗剂组合物接触,其中,
所述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺及无机碱,
相对于所述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,所述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,
所述胺与源自所述无机碱的碱金属离子的质量比,即胺的含量/碱金属离子的含量为0.50以上且2.00以下,
所述清洗剂组合物中所含的碱金属离子量为1.00质量%以上且1.99质量%以下,
所述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
15.根据权利要求14所述的玻璃基板的清洗方法,其中,所述被清洗玻璃基板为对被研磨玻璃基板实施了使用二氧化硅粒子的研磨的基板。
16.根据权利要求14或15所述的玻璃基板的清洗方法,其中,
所述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,且满足1≦x+y+z≦4。
17.根据权利要求14或15所述的玻璃基板的清洗方法,其包括对水的含量为60.00质量%以上且95.00质量%以下的所述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
18.根据权利要求14或15所述的玻璃基板的清洗方法,其中,所述被清洗玻璃基板为玻璃硬盘基板用玻璃基板。
19.一种清洗玻璃基板的清洗剂组合物,其中,
所述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱,
相对于所述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量,所述胺的含量为5.00质量%以上且70.00质量%以下,
所述胺与源自所述无机碱的碱金属离子的质量比,即胺的含量/碱金属离子的含量为0.50以上且2.00以下,
所述清洗剂组合物中所含的碱金属离子量为1.00质量%以上且1.99质量%以下,
所述玻璃基板通过使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨而得到,
所述被研磨玻璃基板为结晶化玻璃基板,
清洗时的清洗剂组合物的pH值为9.00以上且11.50以下。
20.根据权利要求19所述的清洗剂组合物,其中,所述研磨液组合物为含有二氧化硅粒子的研磨液组合物。
21.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,
所述胺为选自通式(I)的化合物、烷醇胺及具有哌嗪环的化合物中的1种以上,
式(I)中,x、y及z分别表示0以上且4以下的整数,且满足1≦x+y+z≦4。
22.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,
所述胺为选自四亚乙基五胺、五亚乙基六胺、单乙醇胺、2-[(2-氨基乙基)氨基]乙醇及1-(2-羟基乙基)哌嗪中的1种以上。
23.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,
所述清洗剂组合物还含有下述通式(II)表示的非离子活性剂,
R-O-(EO)o(PO)p-H (II)
式(II)中,R为碳数6以上且16以下的直链或支链烷基,o为EO的平均加成摩尔数,p为PO的平均加成摩尔数,o为0以上且20以下的数,p为0以上且5以下的数。
24.根据权利要求23所述的清洗剂组合物,其中,相对于水以外的成分的总质量,所述非离子活性剂的含量为1.00质量%以上且5.00质量%以下。
25.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,
所述清洗剂组合物还含有选自对甲苯磺酸、二甲基苯磺酸、2-乙基己酸或它们的盐中的1种以上的助溶剂。
26.根据权利要求25所述的清洗剂组合物,其中,
相对于水以外的成分的总质量,所述助溶剂的含量为20.00质量%以上且62.00质量%以下。
27.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,所述清洗剂组合物还含有阴离子聚合物。
28.根据权利要求27所述的清洗剂组合物,其中,相对于水以外的成分的总质量,所述阴离子聚合物的含量为2.50质量%以上且7.50质量%以下。
29.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,所述清洗剂组合物还含有螯合剂。
30.根据权利要求29所述的清洗剂组合物,其中,相对于水以外的成分的总质量,所述螯合剂的含量为3.80质量%以上且10.60质量%以下。
31.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其包括对水的含量为60.00质量%以上且95.00质量%以下的所述清洗剂组合物的浓缩液进行稀释。
32.根据权利要求19或20所述的清洗剂组合物,其中,所述玻璃基板为玻璃硬盘基板用玻璃基板。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016037606A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤組成物及び電子材料の製造方法
JP6457259B2 (ja) * 2014-12-22 2019-01-23 花王株式会社 ガラスハードディスク基板用酸性洗浄剤組成物
JP6654353B2 (ja) * 2015-03-26 2020-02-26 株式会社Adeka 硬質表面洗浄剤組成物及び硬質表面の洗浄方法
CN107532115A (zh) * 2015-06-24 2018-01-02 花王株式会社 玻璃制硬盘基板用清洗剂组合物
JP6383046B2 (ja) * 2016-06-09 2018-08-29 花王株式会社 ハードディスク用基板用の洗浄剤組成物
CN106336957A (zh) * 2016-08-24 2017-01-18 天津普罗米化工有限公司 一种水基研磨液清洗剂及其制备方法
JP6894535B2 (ja) 2017-12-27 2021-06-30 花王株式会社 アルミニウム製プラッタの製造方法
US11427787B2 (en) 2018-12-20 2022-08-30 Ecolab Usa Inc. Surfactant blend for removal of fatty soils
CN114958498B (zh) * 2022-06-21 2024-04-12 济宁海富光学科技有限公司 玻璃盖板清洁剂和清洁方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4140923B2 (ja) * 2006-03-31 2008-08-27 花王株式会社 洗浄剤組成物
WO2009078123A1 (ja) * 2007-12-17 2009-06-25 Sanyo Chemical Industries, Ltd. 電子材料用洗浄剤及び洗浄方法
JP5073475B2 (ja) * 2007-12-28 2012-11-14 花王株式会社 ハードディスク用基板の製造方法
JP2010086563A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Kao Corp ハードディスク用ガラス基板用洗浄剤組成物。
JP5500911B2 (ja) * 2009-08-26 2014-05-21 ライオン株式会社 ハードディスク基板用洗浄剤組成物、およびハードディスク基板の洗浄方法
JP5417095B2 (ja) * 2009-09-09 2014-02-12 ライオン株式会社 洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法
JP5401359B2 (ja) * 2010-02-16 2014-01-29 花王株式会社 硬質表面用アルカリ洗浄剤組成物
JP5414577B2 (ja) * 2010-03-09 2014-02-12 花王株式会社 硬質表面用アルカリ洗浄剤組成物
JP5940278B2 (ja) * 2010-10-27 2016-06-29 花王株式会社 ガラスハードディスク基板の製造方法
JP6050580B2 (ja) * 2010-11-30 2016-12-21 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤
JP5801051B2 (ja) * 2010-12-28 2015-10-28 花王株式会社 ハードディスク用ガラス基板用のアルカリ洗浄剤組成物
JP5774330B2 (ja) * 2011-02-28 2015-09-09 三洋化成工業株式会社 電子材料用洗浄剤
JP2012219186A (ja) * 2011-04-08 2012-11-12 Lion Corp ハードディスク基板用洗浄剤
CN102604751B (zh) * 2012-01-20 2013-06-19 深圳市飞世尔实业有限公司 一种光学玻璃清洗剂

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