CN104830335B - 一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法,所述荧光粉的化学式组成为Na3Gd2‑x(BO3)3∶xEu,其中0.05≤x≤1.00。该荧光粉能够被近紫外或蓝光有效激发而发出高强度、高纯度、稳定性好的红色光。本发明采用固相法制备荧光粉,成本低,操作简单,在空气气氛下制备,煅烧温度低,重现性好,且制备过程不造成环境污染,适合大规模工业化生产。

Description

一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法
技术领域
本发明属于发光材料技术领域,涉及一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法。
背景技术
相比于传统的照明光源,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有体积小、反应快、寿命长、能耗小、无污染等诸多优点。其在照明和显示领域的应用以及节能性前景广阔。通过将LED与荧光粉组合而实现白光的工艺被广泛采用且迅速发展。稀土元素因其特有的4f层电子结构,激发光为线谱或窄带谱的优良性能,在荧光粉中倍受青睐。然而就目前来看,存在的问题在于红色荧光粉相对于蓝绿荧光粉发光效率较低,从而导致LED发光显色指数低,色温偏高。因此开发高效稳定的红色荧光粉能大幅度地推动白光LED的发展。
稀土硼酸盐具有非常稳定的物理化学性质,相对较低的合成温度以及优良的发光性能等优点,成为近几年发光材料领域的研究热点。研究能被近紫外和蓝光有效激发,发出强度高、纯度好的铕掺杂的硼酸盐基荧光粉具有很好的实际应用价值。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉及其制备方法,该方法制备工艺简单,重现性好,制得的荧光粉性质稳定,发光性能好,适和白光LED应用。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案来实现:
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.05≤x≤1.00。
进一步,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.2≤x≤1.00。
进一步,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.3≤x≤0.8。
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法,包括以下步骤:
(1)按照Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu化学结构式中Na、Gd、B、Eu的化学计量比,其中,0.05≤x≤1.00,将含有Na元素的固体化合物、含有Gd元素的固体化合物、含有B元素的固体化合物、含有Eu元素的固体化合物研磨并混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物于600~1000℃下在空气气氛下煅烧3~8小时,然后随炉冷却至室温,粉碎并研磨,得到铕掺杂的硼酸盐基荧光粉。
所述步骤(1)中含有Na元素的固体化合物为Na2CO3,含有Gd元素的固体化合物为Gd2O3,含有B元素的固体化合物为H3BO3,含有Eu元素的固体化合物为Eu2O3
所述Gd2O3和Eu2O3的纯度为99.99%;Na2CO3和H3BO3均为分析纯。
所述步骤(1)中研磨的时间为30~60min。
所述步骤(2)中先将研磨后的原料放入刚玉坩埚中,然后在电阻炉中进行煅烧。
所述步骤(2)中以5~10℃/min的升温速率自室温升至600~1000℃。
所述步骤(3)中研磨的时间为10~30min。
与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:本发明中通过采用含有Gd元素的固体化合物、含有B元素的固体化合物、含有Eu元素的固体化合物在相对较低的合成温度下通过煅烧的方式制得稀土硼酸盐,本发明采用传统固相法于空气气氛下完成制备,操作简单,煅烧温度低,制备周期短,成本较低,大规模工业化生产,备出的白光荧光粉发光强度高,色温理想,具有非常良好的实际应用潜能。
本发明的荧光粉中的BO3 3-中B原子与3个O原子均以sp2杂化轨道结合,平面形成正三角形,使荧光粉具有优良的发光效率和稳定性,再通过向荧光粉中掺入稀土离子Eu3+,使得荧光粉的激发光谱范围为350~550nm,主要激发峰在384nm、395nm和465nm附近,其发射光谱范围为580~640nm,主峰在615nm附近。可见,本发明制得的荧光粉可被近紫外光(384nm、395nm和465nm)有效激发,发射出主峰位于615nm附近的红光,且发光强度和纯度都较高。其色坐标接近NTSC标准色坐标,能够良好匹配发光LED二极管芯片,用于白光LED。
本发明制得的三硼酸盐的特有结构具有沿着稀土离子链的快速一维能量传递,赋予其优良的非线性特征,因此本发明制得的三硼酸盐是良好的发光基质,发光强度高。本发明所制得的稀土硼酸盐具有非常稳定的物理化学性质以及优良的发光性能等优点。
附图说明
图1是实施例3制得的Na3Gd1.7Eu0.3(BO3)3红色荧光粉的X射线衍射图谱与Na3Gd2(BO3)3标准卡片(PDF#54-0859)对比图。
图2是实施例4制得的Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3红色荧光粉的激发光谱和发射光谱。
图3是实施例4制得的Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3红色荧光粉的CIE色坐标图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。
本发明中的稀土氧化物Gd2O3、Eu2O3的纯度为99.99%,Na2CO3、H3BO3均为分析纯。
实施例1
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中x=0.2。
上述铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法如下:
(1)按化学式Na3Gd1.8Eu0.2(BO3)3的化学计量比,将原料Na2CO3、Gd2O3、H3BO3、Eu2O3,研磨30min以混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物装入刚玉坩埚,置于快速升温电阻炉中,在空气气氛以5℃/min的升温速率自室温升至700℃,保温5小时,然后随炉冷却至室温,取出样品粉碎并研磨10min,得到化学式为Na3Gd1.8Eu0.2(BO3)3的铕掺杂的硼酸盐荧光粉。
实施例2
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中x=0.2。
上述铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法如下:
(1)按化学式Na3Gd1.8Eu0.2(BO3)3的化学计量比,将原料Na2CO3、Gd2O3、H3BO3、Eu2O3研磨30min以混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物装入刚玉坩埚,置于快速升温电阻炉中,在空气气氛以8℃/min的升温速率自室温升至800℃,保温6小时,然后随炉冷却至室温,取出样品粉碎并研磨15min,得到化学式为Na3Gd1.8Eu0.2(BO3)3的铕掺杂的硼酸盐荧光粉。
实施例3
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中x=0.3。
上述铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法如下:
(1)按化学式Na3Gd1.7Eu0.3(BO3)3的化学计量配比,将原料Na2CO3、Gd2O3、H3BO3、Eu2O3研磨40min以混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物装入刚玉坩埚,置于快速升温电阻炉中,在空气气氛以5℃/min的升温速率自室温升至800℃,保温5小时,然后随炉冷却至室温,取出样品粉碎并研磨10min,得到化学式为Na3Gd1.7Eu0.3(BO3)3的铕掺杂的硼酸盐荧光粉。
图1为本实施例3制备的Na3Gd1.7Eu0.3(BO3)3荧光粉的X射线衍射图谱与Na3Gd2(BO3)3标准卡片(PDF#54-0859)对比图。从图中可看出,物相纯度很高,结晶度好。
实施例4
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中x=0.2。
上述铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法如下:
(1)按化学式Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3的化学计量比,将原料Na2CO3、Gd2O3、H3BO3、Eu2O3研磨40min以混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物装入刚玉坩埚,置于快速升温电阻炉中,在空气气氛以5℃/min的升温速率自室温升至850℃,保温4小时,然后随炉冷却至室温,取出样品粉碎并研磨20min,得到化学式为Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3的铕掺杂的硼酸盐荧光粉。
图2为本实施例4制备的Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3荧光粉的激发光谱和发射光谱。可见主激发峰位于384nm、395nm和465nm附近,正好位于近紫外和蓝光波段,与LED芯片激发波长匹配,说明该荧光粉可被近紫外光和蓝光芯片有效激发,其主发射峰位于615nm附近,发出明亮的红色光,可应用于白光LED。
图3是本实施例4所制备的Na3Gd1.6Eu0.4(BO3)3红色荧光粉的CIE色坐标图。从图中可看出,该红色荧光粉的CIE色坐标为(x=0.650,y=0.350),与NTSC标准色坐标(x=0.670,y=0.330)非常接近,说明荧光粉发出的红色光纯度很好。
实施例5
一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中x=0.2。
上述铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法如下:
(1)按化学式Na3Gd1.2Eu0.8(BO3)3的化学计量比,将原料Na2CO3、Gd2O3、H3BO3、Eu2O3研磨60min以混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物装入刚玉坩埚,置于快速升温电阻炉中,在空气气氛以10℃/min的升温速率自室温升至900℃,保温4小时,然后随炉冷却至室温,取出样品粉碎并研磨30min,得到化学式为Na3Gd1.2Eu0.8(BO3)3的铕掺杂的硼酸盐荧光粉。
本发明中由于BO3 3-中B原子与3个O原子均以sp2杂化轨道结合,平面形成正三角形,使荧光粉具有优良的发光效率和稳定性。且三硼酸盐的特有结构具有沿着稀土离子链的快速一维能量传递,赋予其优良的非线性特征,因此三硼酸盐是良好的发光基质,发光强度高。本发明中的荧光粉掺入稀土离子Eu3+,可被近紫外(384nm,395nm)和蓝光(465nm)有效激发,发射出主峰位于615nm附近的红光,且发光强度和纯度都较高。其色坐标接近NTSC标准色坐标,能良好匹配发光二极管芯片,用于白光LED。
此外,本发明采用传统固相法制备,操作简单,于空气气氛下完成,煅烧温度低,制备周期短,成本较低,制备出的产品性能稳定,适于大规模工业化生产。

Claims (6)

1.一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其特征在于,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.05≤x≤1.00。
2.如权利要求1所述的铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其特征在于,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.2≤x≤1.00。
3.如权利要求1所述的铕掺杂的硼酸盐基荧光粉,其特征在于,该荧光粉的化学通式为Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu,其中0.3≤x≤0.8。
4.一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)按照Na3Gd2-x(BO3)3∶xEu化学结构式中Na、Gd、B、Eu的化学计量比,其中,0.05≤x≤1.00,将含有Na元素的固体化合物、含有Gd元素的固体化合物、含有B元素的固体化合物、含有Eu元素的固体化合物研磨并混合均匀,得到混合物;
(2)将混合物于600~1000℃下在空气气氛下煅烧3~8小时,然后随炉冷却至室温,粉碎并研磨,得到铕掺杂的硼酸盐基荧光粉;
所述步骤(1)中含有Na元素的固体化合物为Na2CO3,含有Gd元素的固体化合物为Gd2O3,含有B元素的固体化合物为H3BO3,含有Eu元素的固体化合物为Eu2O3
所述步骤(2)中以5~10℃/min的升温速率自室温升至600~1000℃;
所述步骤(1)中研磨的时间为30~60min;
所述步骤(2)中研磨的时间为10~30min。
5.如权利要求4所述的一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法,其特征在于,所述Gd2O3和Eu2O3的纯度为99.99%;Na2CO3和H3BO3均为分析纯。
6.如权利要求4所述的一种铕掺杂的硼酸盐基荧光粉的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中先将研磨后的原料放入刚玉坩埚中,然后在电阻炉中进行煅烧。
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