CN104821351B - Iii族半导体发光器件倒装结构的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，包括步骤：自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构；沉积透明导电层；黄光蚀刻制程定义隔离槽；沉积第一绝缘层结构；同时沉积P型接触金属与N型接触金属；沉积第二绝缘层结构；沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；将圆片进行减薄、划片、裂片、测试及分选。本发明采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞vias技术。本发明的第一绝缘层结构为布拉格反射层‑金属层‑多层氧化物绝缘层来当反射镜结构以及绝缘层，取代倒装的反射镜结构设计以及第一绝缘层，也可以省略金属保护层。
Description
技术领域
本申请涉及半导体照明技术领域，具体地说，是涉及一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法。
背景技术
传统发光二极管采用正装结构，一般透明导电层采用高穿透率的材料，如ITO、AZO…等，而电极一般采用Cr/Pt/Au等，然而在倒装结构中，有源层激发的光直接从电极的另一面衬底发出，所以对P型电极的要求変成覆盖在整面p型氮化物半导体层的高反射材料来当反射镜结构，第一种是在p型氮化物半导体层上镀高穿透率的透明电极再加上高反射金属，例如ITO/Ag等，另一种是在p型氮化物半导体层上直接镀上高反射率的金属同时作为欧姆接触层和反射镜，例如Ag、Al等，不管选用哪一种方法，后面必须使用金属保护层(guard metal)，覆盖高反射材料，以避免不稳定，再蚀刻多个孔洞(vias)，结构示意图如图1，整面覆盖第一绝缘层，开孔存取n型氮化物半导体层及金属保护层，再镀P型接触金属与N型接触金属，整面再覆盖第二绝缘层，开孔存取P型接触金属与N型接触金属，最后镀倒装P型电极和N型电极，由于蚀刻孔洞的精度要求比较高，所以工艺复杂，生产成本也较高。
发明内容
为了解决在上述现有技术中出现的问题，本发明的目的是提供一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，包括步骤：
自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；
沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形线凸形台面，且所述线凸形线凸形台面的上表面有透明导电层，其中，所述线凸形线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面；
黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层、而暴露衬底，最后去除光阻；
沉积第一绝缘层结构，所述第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，先沉积布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层及N型接触金属与线凸形台面的第二上表面的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构；
黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与N型接触金属，其中，所述P型接触金属包括P型线电极与P型连接金属，N型接触金属包括N型线电极与N型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述线凸形台面的第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
沉积第二绝缘层结构，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，再蚀刻第二绝缘层结构的开孔图案，最后去除光阻；
黄光剥离制程定义倒装P型电极与倒装N型电极的图案，沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；
将圆片进行减薄、划片、裂片、测试及分选。
优选地，所述第一绝缘层结构，位于所述第一上表面、侧表面、第二上表面、透明导电层以及隔离槽上。
优选地，所述布拉格反射层的结构为二氧化与二氧化钛组成的、或为二氧化硅与五氧化二钽组成的、或为二氧化硅与五氧化二铌组成的。
优选地，所述二氧化硅的厚度为30-1000nm，二氧化钛的厚度为10-200nm，五氧化二钽的厚度为10-200nm，五氧化二铌的厚度为10-200nm。
优选地，所述布拉格反射层，进一步为，3.5对的二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅。
优选地，第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，所述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构的布拉格反射层上表面上，和/或在所述第一绝缘层结构的多层氧化物绝缘层内。
优选地，所述金属层至少为银、铝、银铟、铂、镍和钛中的一种，其中，所述银、铝、银铟与铂的厚度均为50-500nm，所述镍与钛厚度为0.3-30nm。
优选地，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的至少两种，所述多层氧化物绝缘层的每一层的厚度为30-2000nm。
优选地，所述P型接触金属，包括：P型线电极和P型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
所述N型接触金属，包括：N型线电极以及N型连接金属，所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上。
优选地，所述P型接触金属与N型接触金属的结构相同，为单层金属层或多层金属层，且均为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Cr层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、以及第三Ni层组成，或由Rh层组成，其中，Rh层的厚度为50-3000nm，第一Ni层的厚度为0.3-300nm，Al层的厚度为50-3000nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.3-300nm。
优选地，所述第二绝缘层结构位于所述第一绝缘层结构的上表面、P型接触金属的上表面以及N型接触金属的上表面。
优选地，所述第二绝缘层结构的结构为多层氧化物绝缘层，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅和氮化硅中的两种及以上，所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
优选地，所述倒装P型电极的下端设置在所述P型接触金属及第二绝缘层结构的表面上；
所述倒装N型电极的下端设置在所述N型接触金属以及第二绝缘层结构表面上。
优选地，所述倒装P型电极与倒装N型电极结构相同，进一步为，由内向外依次排列的Ti层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层、第二Ni层、Pt层、第二Ni层、AuSn层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，其中，所述第一Ni层的厚度为0.4-3nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Ti层的厚度为10-300nm，Al层的厚度为50-300nm，Au层的厚度为20-3000nm，中间Cr层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，AuSn层的厚度为1000-5000nm。
与现有技术相比，本申请所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，具有以下优点：
(1)本发明一律采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞(vias)技术。
(2)本发明的第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层来当反射镜结构以及绝缘层，取代倒装的反射镜结构设计以及第一绝缘层，也可以省略金属保护层，而且传统倒装的线凸形台面侧壁并没有反射镜结构，使用本发明线凸形台面侧壁是有反射镜结构，并且制作隔离槽，隔离槽也是有反射镜结构。
(3)本发明的第一步骤可将透明导电层与线凸形台面图案一起制作，不但简化了一道制程，也解决了透明导电层与线凸形台面图案对准的问题。
(4)本发明的第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，然后镀P型接触金属与N型接触金属，就可在此步骤测出倒装的光电特性。
当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1是现有技术中Ⅲ族氮化物半导体发光器件的倒装结构示意图；
图2a-图2g本发明具有第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层倒装LED芯片的制作流程结构图；
图3a-图3b现有技术中多个孔洞(vias)的俯视图以及剖面图；
图4a-图4b线凸形台面的俯视图以及剖面图；
图5为P型线电极的剖面图；
图6为N型线电极的剖面图；
图7为本发明另一种具有第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层倒装LED芯片的结构示意图；
图8为本发明倒装LED芯片的亮度-电流-电压特性；
图9为本发明倒装LED芯片的峰值波长対电流特性。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置，或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
以下结合附图对本申请作进一步详细说明，但不作为对本申请的限定。
实施例1：
本实施例提供一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，详见图2a-图2g，包括以下步骤：
第一步：结构图如图2a所示，方法为在衬底1、缓冲层2、n型氮化物半导体层3、有源层4和所述p型氮化物半导体层5自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层5的上表面，此结构为外延结构，其为通过现有技术中的制作工艺得到的，在所述外延结构上制作倒装芯片的方法包括以下步骤：
第二步：结构图如图2b所示，方法为沉积透明导电层14在p型氮化物半导体5上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面19图案，再蚀刻透明导电层14、p型氮化物半导体层5和有源层4，而暴露n型氮化物半导体层3，再用蚀刻溶液将透明导电层14内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面19，且所述线凸形台面19的上表面有透明导电层14(此步骤也可以将透明导电层14与线凸形台面19分开做)；
第三步：结构图如图2c所示，方法为黄光蚀刻制程定义隔离槽20图案，再蚀刻n型氮化物半导体层3和缓冲层2、而暴露衬底1，最后去除光阻，此步骤可以放在任何步骤；
第四步：假如第一绝缘层结构8-1的结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，结构图如图2d所示，方法为先沉积布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属9与透明导电层14及N型接触金属10与线凸形台面的第二上表面19-3的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构8-1；
第五步：结构图如图2e所示，方法为黄光剥离制程定义P型接触金属9与N型接触金属10图案，同时沉积P型接触金属9与N型接触金属10，后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属9与N型接触金属10；
图2e为所述P型接触金属与N型接触金属包括P型线电极15、N型线电极17、P型连接金属21及N型连接金属22，所述P型线电极15的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上及透明导电层14上，所述P型连接金属21的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上；所述N型线电极17的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1以及线凸形台面的第二上表面19-3上，所述N型连接金属22的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上；
第六步：结构图如图2f所示，方法为沉积第二绝缘层结构11-1，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属9与N型接触金属10图案，再蚀刻第二绝缘层结构11-1的开孔图案，最后去除光阻；
第七步：结构图如图2g所示，方法为黄光剥离制程定义倒装P/N型电极12、13图案，沉积倒装P/N型电极12、13，后利用剥离制程，再去除光阻；
第八步：最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选，其步骤为通过现有技术中的制作工艺得到的。
通过上述方法，得到了一种III族半导体发光器件的倒装结构，包括：衬底1、缓冲层2、n型氮化物半导体层3、有源层4、p型氮化物半导体层5、第一绝缘层结构8-1、P型接触金属9、N型接触金属10、第二绝缘层结构11-1、倒装P型电极12、倒装N型电极13以及透明导电层14；
所述衬底1、缓冲层2、n型氮化物半导体层3、有源层4以及p型氮化物半导体层5形成具有线凸形台面19的氮化物半导体结构；
所述线凸形台面19包括线凸形台面的第一上表面19-1、线凸形台面的侧表面19-2以及线凸形台面的第二上表面19-3，所述第一上表面的两端分别设有所述侧表面以及所述第二上表面形成的L形表面；
所述线凸台台面的第一上表面19-1为p型氮化物半导体层5的上表面，所述线凸台台面的第二上表面19-3为n型氮化物半导体层的上表面；
所述线凸形台面19被蚀刻掉的区域为单一或多个线条；
所述线凸形台面的第一上表面19-1上均设有透明导电层14；
所述透明导电层14的材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化镉锡、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铜铝、氧化铜镓以及氧化锶铜所组成之一族群。
所述线凸形台面的第一上表面19-1、侧表面19-2、第二上表面19-3以及透明导电层14的上表面以及隔离槽20表面均设有第一绝缘层结构8-1；
优选地，所述第一绝缘层结构8-1的结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层。
所述布拉格反射层的结构为二氧化与二氧化钛组成的、或为二氧化硅与五氧化二钽组成的、或为二氧化硅与五氧化二铌组成的，上述布拉格反射层中的二氧化硅厚度为30-1000nm，二氧化钛厚度为10-200nm，五氧化二钽厚度为10-200nm，五氧化二铌厚度为10-200nm。
优选的，所述布拉格反射层的材质结构为3.5对的二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅。
优选地，第一绝缘层结构8-1为布拉格反射层-金属层-布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，上述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1的布拉格反射层上表面上以及在所述第一绝缘层结构8-1的多层氧化物绝缘层内。
所述金属层的材料为银、铝、银铟、铂、镍、以及钛中的一种或几种组合，以述银、铝、银铟、铂的厚度为50-500nm，所述镍及钛的厚度为0.3-30nm。
所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的两种或两种以上的组合而成。
所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
所述P型接触金属9的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上及透明导电层14上；
所述N型接触金属10的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上以及线凸形台面的第二上表面19-3上；
所述P型接触金属9包括P型线电极15以及P型连接金属21，所述P型线电极15的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上及透明导电层14上，所述P型连接金属21的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上；
所述N型接触金属10为型线电极17以及N型连接金属22，所述N型线电极17的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1以及线凸形台面的第二上表面19-3上，所述N型连接金属22的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上；
所述P型接触金属9、N型接触金属10的结构为单层金属层或多层金属层。
所述P型接触金属9和N型接触金属10结构相同，且均为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Cr层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、以及第三Ni层组成，或由Rh层组成，其中Rh层的厚度为50-3000nm，第一Ni层的厚度为0.3-300nm，Al层的厚度为50-3000nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.3-300nm。
所述第一绝缘层结构8-1、P型接触金属9以及N型接触金属10的上表面设有第二绝缘层结构11-1；
所述第二绝缘层结构11-1的结构为多层氧化物绝缘层。
所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的两种及两种以上的组合。
所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
所述倒装P型电极12的下端设置在所述P型接触金属9以及第二绝缘层结构11-1表面上；
所述倒装N型电极13的下端设置在所述N型接触金属10以及第二绝缘层结构11-1表面上；
所述倒装P型电极12、倒装N型电极13的结构为由内向外依次排列的Ti层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层、第二Ni层、Pt层、第二Ni层、AuSn层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，其中所述第一Ni层的厚度为0.4～3nm，第二Ni层的厚度为10～300nm，Ti层的厚度为10～300nm，Al层的厚度为50～300nm，Au层的厚度为20～3000nm，中间Cr层的厚度为10～300nm，Pt层的厚度为10～300nm，AuSn层的厚度为1000～5000nm。
实施例2：
本发明新结构一律采用线凸形台面19技术取代多个孔洞(vias)技术。
如图3a所示为现有技术中多个孔洞(vias)的俯视图，图3b为图3a沿A-B方向的剖面图。
如图4a所示为线凸形台面的俯视图，图4b为图4a沿A-B方向的剖面图。
所述线凸形台面19被蚀刻掉的区域为单一或多个线条；
所述衬底1、缓冲层2、n型氮化物半导体层3、有源层4以及p型氮化物半导体层5形成具有线凸形台面19的氮化物半导体结构；
所述线凸形台面包括第一上表面19-1、侧表面19-2以及第二上表面19-3，所述第一上表面的两端分别设有由所述侧表面以及所述第二上表面形成的L形表面；
所述线凸台台面的第一上表面19-1为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸台台面的第二上表面19-3为n型氮化物半导体层的上表面；
实施例3：
所述P型线电极15的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上及透明导电层14上(如图5所示)。
实施例4：
所述N型线电极17填满线凸台台面19的凹槽，位于所述第一绝缘层结构8-1以及线凸形台面的第二上表面19-3上(如图6所示)。
实施例5：
在制作芯片的第四步骤，如图2d(或图7)所示，本实施例提供第一绝缘层结构8-1为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层。
上述布拉格反射层的结构为二氧化硅(SiO2)/二氧化钛(TiO2)的组合、二氧化硅(SiO2)/五氧化二钽(Ta2O5)的组合、或二氧化硅(SiO2)/五氧化二铌(Nb2O5)的组合，上述布拉格反射层中的二氧化硅(SiO2)厚度为30-1000nm，二氧化钛(TiO2)厚度为10-200nm，五氧化二钽(Ta2O5)厚度为10-200nm，五氧化二铌(Nb2O5)厚度为10-200nm。
以上技术方案中优选的，所述布拉格反射层的材质结构为3.5対的SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2、或3.5対的SiO2/Ta2O5/SiO2/Ta2O5/SiO2/Ta2O5/SiO2、或3.5対的SiO2/Nb2O5/SiO2/Nb2O5/SiO2/Nb2O5/SiO2。
以上技术方案中，第一绝缘层结构8-1为布拉格反射层-金属层-布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，上述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1的布拉格反射层上表面上以及在所述第一绝缘层结构8-1的多层氧化物绝缘层内。
以上技术方案中，所述金属层的材料为银(Ag)、铝(Al)、银铟(AgIn)、铂(Pt)、镍(Ni)、以及钛(Ti)中的一种或几种组合，其中所述银(Ag)、铝(Al)、银铟(AgIn)、铂(Pt)厚度为50-500nm，所述镍(Ni)、钛(Ti)厚度为0.3-30nm。
上述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、氮氧化硅(Si2N2O)以及氮化硅(Si3N4)中的一种或几种组合，其中所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
上述优选的多层氧化物绝缘层的材质结构为二氧化钛(TiO2)/二氧化硅(SiO2)的组合，其中所述每层厚度为30-2000nm。
以上技术方案中，所述第一绝缘层结构8-1的结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层的制作方法如下，先沉积布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属9与透明导电层14及N型接触金属10与线凸形台面的第二上表面19-3的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构8-1；
实施例6：
在制作芯片的第五步骤，结构图如图2e所示，方法为黄光剥离制程定义P型接触金属9与N型接触金属10图案，同时沉积P型接触金属9与N型接触金属10，后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属9与N型接触金属10；
图2e为所述P型接触金属9与N型接触金属10为P/N型线电极15、17以及P/N型连接金属16、18，所述P型线电极15的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上及透明导电层14上；所述N型线电极17的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1以及线凸形台面的第二上表面19-3上；所述P/N型连接金属16、18的下端设置在所述第一绝缘层结构8-1表面上；
实施例7：
在制作芯片的第六步骤，本实施例提供第二绝缘层结构11-1为多层氧化物绝缘层。
所述第一绝缘层结构8-1、P型接触金属9以及N型接触金属10的上表面设有第二绝缘层结构11-1；
上述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、五氧化二铌(Nb2O5)、氮氧化硅(Si2N2O)以及氮化硅(Si3N4)中的几种组合。
以上技术方案中，所述或多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
上述优选的多层氧化物绝缘层的材质结构为二氧化钛(TiO2)/二氧化硅(SiO2)的组合，所述二氧化钛的厚度为10-300nm，所述二氧化硅的厚度为100-1000nm。
实施例8：
在实施例1、实施例2、实施例3、实施例4和实施例5的基础上，制作Ⅲ族氮化物半导体倒装发光器件，规格为840um×410um，该Ⅲ族氮化物半导体倒装器件其制作方法包括以下步骤：
第一步：结构图如图2a所示，方法为在衬底1、缓冲层2、n型氮化物半导体层3、有源层4和所述p型氮化物半导体层5自下而上依次生长形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层5的上表面，此结构为外延结构，其为通过现有技术中的制作工艺得到的，在所述外延结构上制作芯片的方法包括以下步骤：
第二步：结构图如图2b所示，使用电子束蒸镀法、或溅镀法、或反应等离子体(reactive plasma deposition，RPD)沉积ITO(氧化铟锡)当透明导电层14在p型氮化物半导体5上表面，ITO厚度为10-400nm，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面19图案，再利用ICP蚀刻透明导电层14、p型氮化物半导体层5和有源层4，而暴露n型氮化物半导体层3，再用蚀刻溶液将透明导电层14内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面19，且所述线凸形台面19的上表面有透明导电层14(此步骤也可以将透明导电层14与线凸形台面19分开做)；再将Wafer进行高温退火，使透明导电层14与p型氮化物半导体层5之间形成良好的欧姆接触和穿透率。退火方式用快速退火炉(RTA)快速退火，温度为560℃，时间为3分钟。
第三步：结构图如图2c所示，方法为黄光蚀刻制程定义隔离槽20图案，再蚀刻n型氮化物半导体层3和缓冲层2、而暴露衬底1，最后去除光阻，此步骤可以放在任何步骤；
第四步：第一绝缘层结构8-1的结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，结构图如图2d所示，使用光学真空镀膜机镀布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，利用电子束蒸镀法沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再使用光学真空镀膜机镀沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属9与透明导电层14及N型接触金属10与线凸形台面的第二上表面19-3的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构8-1；
本实施例中，所述布拉格反射层的结构为SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2，其中的SiO2的厚度为30-1000nm，TiO2的厚度为10-200nm。
本实施例中，所述金属层的结构为铝/钛组成的剁成结构，其中，铝的厚度为50-500nm，钛的厚度为0.3-30nm。
本实施例中，所述多层氧化物绝缘层的结构为二氧化钛(TiO2)/二氧化硅(SiO2)，其中每层厚度为30-2000nm。
第五步：结构图如图2e所示，方法为黄光剥离制程定义P型接触金属9与N型接触金属10图案(包括P/N型线电极15、17以及P/N型连接金属16、18)，使用电子束蒸镀法同时沉积P型接触金属9与N型接触金属10，后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属9与N型接触金属10；
本实施例中P型接触金属9和N型接触金属10结构相同，且均为由内向外依次排列第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，其中第一Ni层的厚度为0.4-3nm，Al层的厚度为50-300nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.4-3nm。
第六步：第二绝缘层结构11-1的结构为多层氧化物绝缘层，结构图如图2f所示，使用光学真空镀膜机镀沉积多层氧化物绝缘层，所述多层氧化物绝缘层的结构为二氧化钛(TiO2)/二氧化硅(SiO2)的组合，其中二氧化钛的厚度为10-300nm，所述二氧化硅的厚度为100-1000nm。
第七步：结构图如图2g所示，方法为黄光剥离制程定义倒装P/N型电极12、13图案，使用电子束蒸镀法同时沉积倒装P/N型电极12、13，后利用剥离制程，再去除光阻；
本实施例中倒装P型电极12和倒装N型电极13结构相同，且均为由内向外依次排列Ti层、第二Ni层、以及Au层，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层组成，其中Ti层的厚度为10-300nm，第一Ni层的厚度为0.4～3nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为20-3000nm。
第八步：最后将圆片进行减薄、划片、裂片、测试、分选，其步骤为通过现有技术中的制作工艺得到的。
第九步：将倒装芯片封装，测量光电特性。
按照实施例8提供的方法制作的产品，特性测试结果如图8和图9所示：
从图8和图9中可知产品的光电特性，在输入电流为150mA时，产品电压为2.88V，产品亮度为55.3m(色温6900K)，峰值波长为447.1nm；在输入电流为300mA时，产品电压为3.01V，产品亮度为92.6lm(色温7174K)，峰值波长为446.2nm；在输入电流为860mA时，产品电压为3.29V，产品亮度为157.4lm(色温7724K)，峰值波长为447.1nm；由图8和图9可知此产品可以比正装的操作电流更高且电压更低，亮度更高，波长位移更少。
与现有技术相比，本申请所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，具有以下优点：
(1)本发明一律采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞(vias)技术。
(2)本发明的第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层来当反射镜结构以及绝缘层，取代倒装的反射镜结构设计以及第一绝缘层8，也可以省略金属保护层7，而且传统倒装的线凸形台面侧壁并没有反射镜结构，使用本发明线凸形台面侧壁是有反射镜结构，并且制作隔离槽，隔离槽也是有反射镜结构。
(3)本发明的第一步骤可将透明导电层与线凸形台面图案一起制作，不但简化了一道制程，也解决了透明导电层与线凸形台面图案对准的问题。
(4)本发明的第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，然后镀P型接触金属与N型接触金属，就可在此步骤测出倒装的光电特性。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
A1、一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；
沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形线凸形台面图案，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形线凸形台面，且所述线凸形线凸形台面的上表面有透明导电层，其中，所述线凸形线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面；
黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层、而暴露衬底，最后去除光阻；
沉积第一绝缘层结构，所述第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，先沉积布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层及N型接触金属与线凸形台面的第二上表面的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构；
黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与N型接触金属，其中，所述P型接触金属包括P型线电极与P型连接金属，N型接触金属包括N型线电极与N型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述线凸形台面的第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
沉积第二绝缘层结构，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，再蚀刻第二绝缘层结构的开孔图案，最后去除光阻；
黄光剥离制程定义倒装P型电极与倒装N型电极的图案，沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；
将圆片进行减薄、划片、裂片、测试及分选。
A2、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层结构，位于所述第一上表面、侧表面、第二上表面、透明导电层以及隔离槽上。
A3、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层的结构为二氧化与二氧化钛组成的、或为二氧化硅与五氧化二钽组成的、或为二氧化硅与五氧化二铌组成的。
A4、根据A3所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅的厚度为30-1000nm，二氧化钛的厚度为10-200nm，五氧化二钽的厚度为10-200nm，五氧化二铌的厚度为10-200nm。
A5、根据A3所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层，进一步为，3.5对的二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅。
A6、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，所述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构的布拉格反射层上表面上，和/或在所述第一绝缘层结构的多层氧化物绝缘层内。
A7、根据A6所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层至少为银、铝、银铟、铂、镍和钛中的一种，其中，所述银、铝、银铟与铂的厚度均为50-500nm，所述镍与钛厚度为0.3-30nm。
A8、根据A6所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的至少两种，所述多层氧化物绝缘层的每一层的厚度为30-2000nm。
A9、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属，包括：P型线电极和P型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
所述N型接触金属，包括：N型线电极以及N型连接金属，所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上。
A10、根据A1或A9所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属与N型接触金属的结构相同，为单层金属层或多层金属层，且均为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Cr层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、以及第三Ni层组成，或由Rh层组成，其中，Rh层的厚度为50-3000nm，第一Ni层的厚度为0.3-300nm，Al层的厚度为50-3000nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.3-300nm。
A11、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层结构位于所述第一绝缘层结构的上表面、P型接触金属的上表面以及N型接触金属的上表面。
A12、根据A1或A11所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层结构的结构为多层氧化物绝缘层，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅和氮化硅中的两种及以上，所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
A13、根据A1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述倒装P型电极的下端设置在所述P型接触金属及第二绝缘层结构的表面上；
所述倒装N型电极的下端设置在所述N型接触金属以及第二绝缘层结构表面上。
A14、根据权利要求1或13所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述倒装P型电极与倒装N型电极结构相同，进一步为，由内向外依次排列的Ti层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层、第二Ni层、Pt层、第二Ni层、AuSn层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，其中，所述第一Ni层的厚度为0.4-3nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Ti层的厚度为10-300nm，Al层的厚度为50-300nm，Au层的厚度为20-3000nm，中间Cr层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，AuSn层的厚度为1000-5000nm。
Claims (11)
1.一种III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：
自下而上依次生长衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层形成外延结构，所述外延结构的上表面为p型氮化物半导体层的上表面；
沉积透明导电层在所述p型氮化物半导体上表面，并利用黄光蚀刻制程定义线凸形台面图案，所述线凸形台面被蚀刻掉的区域为单一或多个线条，再蚀刻透明导电层、p型氮化物半导体层和有源层，暴露n型氮化物半导体层，再用蚀刻溶液将透明导电层内缩，最后去除光阻，得到线凸形台面，且所述线凸形台面的上表面有透明导电层，其中，所述线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形台面的第一表面均设有所述透明导电层，所述透明导电层的材料为氧化铟锡(ITO)、氧化镉锡、氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铜铝、氧化铜镓以及氧化锶铜所组成之一族群；
对沉积所述透明导电层、所述p型氮化物半导体层及所述n型氮化物半导体层后的衬底在温度为560℃的条件下退火处理3分钟；
黄光蚀刻制程定义隔离槽，再蚀刻n型氮化物半导体层和缓冲层、而暴露衬底，最后去除光阻；
沉积第一绝缘层结构，所述第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，先沉积布拉格反射层，再利用黄光剥离制程定义金属层图案，沉积金属层，后利用剥离制程，再去除光阻，得到金属层，再沉积多层氧化物绝缘层，再利用黄光蚀刻制程定义P型接触金属与透明导电层及N型接触金属与线凸形台面的第二上表面的连接图案，再连续蚀刻多层氧化物绝缘层及布拉格反射层的连接图案，最后去除光阻，得到第一绝缘层结构，所述第一绝缘层结构，位于所述第一上表面、侧表面、第二上表面、透明导电层以及隔离槽上；所述布拉格反射层的结构为二氧化硅与二氧化钛组成的、或为二氧化硅与五氧化二钽组成的、或为二氧化硅与五氧化二铌组成的，所述二氧化硅的厚度为30-1000nm，二氧化钛的厚度为10-200nm，五氧化二钽的厚度为10-200nm，五氧化二铌的厚度为10-200nm；
黄光剥离制程定义P型接触金属与N型接触金属的图案，同时沉积P型接触金属与N型接触金属，然后利用剥离制程，再去除光阻，得到P型接触金属与N型接触金属，其中，所述P型接触金属包括P型线电极与P型连接金属，N型接触金属包括N型线电极与N型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述线凸形台面的第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
沉积第二绝缘层结构，利用黄光蚀刻制程定义开孔存取P型接触金属与N型接触金属的图案，再蚀刻第二绝缘层结构的开孔图案，最后去除光阻；
黄光剥离制程定义倒装P型电极与倒装N型电极的图案，沉积倒装P型电极与倒装N型电极，后利用剥离制程，再去除光阻，得到圆片；
将圆片进行减薄、划片、裂片、测试及分选。
2.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述布拉格反射层，进一步为，3.5对的二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，第一绝缘层结构为布拉格反射层-金属层-布拉格反射层-金属层-多层氧化物绝缘层，所述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构的布拉格反射层上表面上，和/或在所述第一绝缘层结构的多层氧化物绝缘层内。
4.根据权利要求3所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层至少为银、铝、银铟、铂、镍和钛中的一种，其中，所述银、铝、银铟与铂的厚度均为50-500nm，所述镍与钛厚度为0.3-30nm。
5.根据权利要求3所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅以及氮化硅中的至少两种，所述多层氧化物绝缘层的每一层的厚度为30-2000nm。
6.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属，包括：P型线电极和P型连接金属，所述P型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上及透明导电层上，所述P型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上；
所述N型接触金属，包括：N型线电极以及N型连接金属，所述N型线电极的下端设置在所述第一绝缘层结构以及所述第二上表面上，所述N型连接金属的下端设置在所述第一绝缘层结构表面上。
7.根据权利要求1或6所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述P型接触金属与N型接触金属的结构相同，为单层金属层或多层金属层，且均为由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层、第二Ni层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Ti层、Al层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的Cr层、Pt层、Au层以及第三Ni层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、以及第三Ni层组成，或由Rh层组成，其中，Rh层的厚度为50-3000nm，第一Ni层的厚度为0.3-300nm，Al层的厚度为50-3000nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，Au层的厚度为10-3000nm，第三Ni层的厚度为0.3-300nm。
8.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层结构位于所述第一绝缘层结构的上表面、P型接触金属的上表面以及N型接触金属的上表面。
9.根据权利要求1或8所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层结构的结构为多层氧化物绝缘层，所述多层氧化物绝缘层的材料为三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氮氧化硅和氮化硅中的两种及以上，所述多层氧化物绝缘层的每层厚度为30-2000nm。
10.根据权利要求1所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述倒装P型电极的下端设置在所述P型接触金属及第二绝缘层结构的表面上；
所述倒装N型电极的下端设置在所述N型接触金属以及第二绝缘层结构表面上。
11.根据权利要求1或10所述的III族半导体发光器件倒装结构的制作方法，其特征在于，所述倒装P型电极与倒装N型电极结构相同，进一步为，由内向外依次排列的Ti层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层、第二Ni层、Pt层、第二Ni层、AuSn层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Au层组成，或由内向外依次排列的中间Cr层、Pt层、Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、中间Cr层、第二Ni层以及Au层组成，或由内向外依次排列的第一Ni层、Al层、第二Ni层、Pt层、Au层组成，其中，所述第一Ni层的厚度为0.4-3nm，第二Ni层的厚度为10-300nm，Ti层的厚度为10-300nm，Al层的厚度为50-300nm，Au层的厚度为20-3000nm，中间Cr层的厚度为10-300nm，Pt层的厚度为10-300nm，AuSn层的厚度为1000-5000nm。
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| CN105932120A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-09-07 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种具有侧壁dbr的led芯片的制造方法 |
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Citations (3)
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Patent Citations (3)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |