CN113659048B - 倒装发光二极管及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及发光二极管相关技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管及其制备方法。
背景技术
发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于各个领域，其中，倒装发光二极管由于具备耐大电流、电压低、光效高、无需打线等优势受到越来越多的重视。在传统的倒装发光二极管中，外延层侧壁处的绝缘层在后续切割工艺中易因内部产生较大应力而出现断裂，影响倒装发光二极管的可靠性。
发明内容
本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管，其通过在外延主体层与切割处之间设置挡墙，以在切割时避免外延主体层侧壁处的保护层断裂，并提高倒装发光二极管的可靠性。
另一目的还在于提供一种上述倒装发光二极管的制备方法。
第一方面，本申请实施例提供了一种倒装发光二极管，包括：
外延主体层，具有相对的第一表面、第二表面以及侧壁；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
挡墙，位于外延主体层侧壁的外围；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；
保护层，至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。
在一种可能的实施方案中，位于第一半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层连通。
在一种可能的实施方案中，位于第一半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第二间隙。
在一种可能的实施方案中，在与第一表面平行的方向上，第一间隙的宽度等于或者大于第二间隙的宽度。
在一种可能的实施方案中，位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙的宽度等于或者大于2μm。
在一种可能的实施方案中，位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。
在一种可能的实施方案中，挡墙为环绕于外延主体层侧壁外围的连续结构；或者，挡墙为环绕于外延主体层侧壁外围的间断结构。
在一种可能的实施方案中，挡墙包含的结构层与外延主体层包含的结构层相同。
在一种可能的实施方案中，挡墙包括相连的第一部和第二部；第一部位于第一半导体层侧壁的外围，第二部位于有源层和第二半导体层侧壁的外围；第二部的厚度大于有源层和第二半导体层的总厚度。
在一种可能的实施方案中，保护层覆盖外延主体层的第二表面、第一间隙的内表面以及挡墙。
在一种可能的实施方案中，第一绝缘层位于保护层靠近外延主体层的一侧；第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层位于第一绝缘层靠近外延主体层的一侧。
在一种可能的实施方案中，第一叠层包括原子层沉积层；第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
在一种可能的实施方案中，外延主体层开设有自第二表面延伸至第一半导体层内部的开口；开口内设有与第一半导体层电性连接的第一电极；第二表面设有与第二半导体层电性连接的第二电极。
在一种可能的实施方案中，保护层远离外延主体层的一侧设有与第一电极电性连接的第一焊盘，以及与第二电极电性连接的第二焊盘。
第二方面，本申请实施例提供了一种倒装发光二极管的制备方法，包括：
提供生长衬底，并在生长衬底上形成外延层；外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
蚀刻外延层并形成第一沟槽；第一沟槽自第二半导体层至少延伸至第一半导体层的内部；第一沟槽将外延层划分为外延主体层和挡墙；
在外延主体层和第一沟槽处形成保护层；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。
在一种可能的实施方案中，第一沟槽自第二半导体层延伸至生长衬底。
在一种可能的实施方案中，在外延主体层和第一沟槽处形成保护层之前，第一沟槽将外延层划分为外延主体层和挡墙之后，还包括：
蚀刻挡墙并使挡墙远离生长衬底的表面为齿状结构，相邻齿之间预留出间隙。
在一种可能的实施方案中，保护层覆盖外延主体层、第一沟槽以及挡墙。
在一种可能的实施方案中，第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层包括原子层沉积层；第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
1)本申请通过在切割处与外延主体层之间设置挡墙，该挡墙能够在后续切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。另外，挡墙能够阻挡水汽进入至第一半导体层，使得水汽仅停留在第二半导体层，避免倒装发光二极管的老化失效。
2)本申请中保护层为由第一绝缘层、金属层、第二绝缘层所组成的多层结构，其能够在后续切割时避免保护层在应力作用下断裂。另外，该保护层为全方向反射镜结构，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内，其能够提高倒装发光二极管的亮度，且保证金属层不与PN结导通。其中，第一绝缘层由制备工艺不同的第一叠层和第二叠层组成，其能够防止因金属层中的金属通过第一绝缘层中的微孔迁移而导致的PN导通，提高倒装发光二极管的可靠性。
3)对于mini/micro结构的倒装发光二极管来说，切割工艺的操作窗口很窄，需采用蚀刻法将切割处的保护层打开，在采用蚀刻法蚀刻切割处的保护层时，因切割处与外延主体层之间无阻挡结构，易出现外延主体层侧壁处的保护层被部分蚀刻的现象，进而出现mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效。而本申请通过在切割处与外延主体层之间设置挡墙，在采用蚀刻法蚀刻切割处的保护层时，该挡墙能够避免外延主体层侧壁处的保护层被部分蚀刻，从而避免mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效，提高倒装发光二极管的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图2为根据本申请实施例示出的一种保护层的截面示意图；
图3为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图4为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图5为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图6为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的截面示意图；
图7～12为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管处于不同制备过程的截面示意图。
图示说明：
10生长衬底；20外延层；21外延主体层；22挡墙；23第一沟槽；24第二沟槽；201第一半导体层；202有源层；203第二半导体层；221第一部；222第二部；30透明导电层；40反射层；50第一电极；51第二电极；60保护层；601第一绝缘层；602金属层；603第二绝缘层；70第一焊盘；71第二焊盘；80阻挡层。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”和“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
根据本申请的一个方面，提供一种倒装发光二极管。参见图1和图2，该倒装发光二极管包括外延主体层21、挡墙22和保护层60，I区为外延主体层21，II区为挡墙22。外延主体层21具有相对的第一表面、第二表面以及侧壁，且包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层201、有源层202和第二半导体层203。在本实施例中，第一半导体层201为N型半导体层，第二半导体层203为P型半导体层，有源层202为多层量子阱层。
挡墙22位于外延主体层21侧壁的外围。位于有源层202和第二半导体层203侧壁处的挡墙22与外延主体层21之间存在第一间隙，第一间隙的深度H1大于有源层202和第二半导体层203的总厚度。保护层60至少覆盖外延主体层21的第二表面和第一间隙的内表面，保护层60包括第一绝缘层601、第二绝缘层603和金属层602，金属层602位于由第一绝缘层601和第二绝缘层603所围合成的封闭空间内。
将保护层60配置为多层结构的全方向反射镜结构，不仅能够在后续切割时避免保护层60在应力作用下断裂，而且能够提高倒装发光二极管的亮度。其中，金属层602位于由第一绝缘层601和第二绝缘层603所围合成的封闭空间内，保证金属层602不与PN结导通。挡墙22位于切割处A与外延主体层21之间，其能够在后续沿着切割处A切割时减小外延主体层21侧壁处的保护层60所产生的应力，并避免外延主体层21侧壁处的保护层60在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。另外，挡墙22能够阻挡水汽进入至第一半导体层201，使得水汽仅停留在第二半导体层203，避免倒装发光二极管的老化失效。
在一种实施方式中，参见图1，位于第一半导体层201侧壁处的挡墙22与外延主体层21连通。挡墙22包含的结构层与外延主体层21包含的结构层相同。挡墙22为环绕于外延主体层21侧壁外围的连续结构；或者，挡墙22为环绕于外延主体层21侧壁外围的间断结构。
具体地，挡墙22包括相连的第一部221和第二部222；第一部221位于第一半导体层201侧壁的外围，第二部222位于有源层202和第二半导体层203侧壁的外围。第一部221与外延主体层21连通，第二部222与外延主体层21之间存在第一间隙。第二部222的厚度H1大于有源层202和第二半导体层203的总厚度，也可以描述为第二部222由部分第一半导体层、有源层和第二半导体层组成。
第二部222的宽度等于或者大于2μm。将第二部222的宽度配置为上述范围，主要是保证挡墙22在切割时能够更好地起到缓冲作用以减小外延主体层21侧壁处的保护层60内部所产生的应力，避免外延主体层21侧壁处的保护层60在应力作用下断裂。
作为可替换的实施方式，参见图3和图4，位于第一半导体层201侧壁处的挡墙22与外延主体层21之间存在第二间隙。也就是说，第一部221与外延主体层21之间存在第二间隙。在与第一表面平行的方向上，第一间隙的宽度等于或者大于第二间隙的宽度。
作为可替换的实施方式，参见图5，位于有源层202和第二半导体层203侧壁处的挡墙22为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。也就是说，第二部222为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。将第二部222配置为上述齿状结构，提高挡墙22在切割时缓冲作用能力，进一步减小外延主体层21侧壁处的保护层60内部所产生的应力，并避免外延主体层21侧壁处的保护层60在应力作用下断裂。
在一种实施方式中，参见图1、图3～图5，保护层60覆盖外延主体层21的第二表面、第一间隙的内表面以及挡墙22。
作为可替换的实施方式，参见图6，保护层60覆盖外延主体层21的第二表面和第一间隙的内表面。尤其是对于mini/micro结构的倒装发光二极管来说，切割工艺的操作窗口很窄，需采用蚀刻法将切割处A的保护层60打开，在采用蚀刻法蚀刻切割处A的保护层60时，因切割处A与外延主体层21之间无阻挡结构，易出现外延主体层21侧壁处的保护层60被部分蚀刻的现象，进而出现mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效。通过在切割处A与外延主体层21之间设置挡墙22，在采用蚀刻法蚀刻切割处A的保护层60时，该挡墙22能够避免第一间隙处的保护层60被部分蚀刻，也就是说，该挡墙22能够避免外延主体层21侧壁处的保护层60被部分蚀刻，从而避免mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效，提高mini/micro结构的倒装发光二极管的可靠性。
在一种实施方式中，第一绝缘层601位于保护层60靠近外延主体层21的一侧。第一绝缘层601至少包括第一叠层和第二叠层；第一叠层位于第一绝缘层601靠近外延主体层21的一侧，且第一叠层的致密度大于第二叠层的致密度。第一叠层和第二叠层的制备工艺不同，其制备材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化钛的一种或多种。在本实施例中，第一叠层包括原子层沉积层，第一叠层的厚度介于30～200nm；第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层，第二叠层的厚度介于400～1000nm。
第一绝缘层601由制备工艺不同的第一叠层和第二叠层组成，且第一叠层的致密度大于第二叠层的致密度，其能够防止金属层602中的金属通过第一绝缘层601中的微孔迁移，从而避免出现PN导通的现象，提高倒装发光二极管的可靠性。
较佳地，第二绝缘层603的结构与第一绝缘层601的结构相同。
需要说明的是，第一绝缘层601包括第一叠层和第二叠层只是示例性的，本申请对于第一绝缘层601所包含的叠层数不作具体限定，第一绝缘层601还可包括第三叠层，凡是能够实现防止金属层602中的金属通过第一绝缘层601中的微孔迁移的结构均落入本申请所保护的范围内。
在一种实施方式中，参见图1，外延主体层21的第一表面具有生长衬底10。
外延主体层21的第二表面形成有透明导电层30，该透明导电层30的制备材料一般选择具有透明性质的导电材料，在本实施例中，透明导电层30的制备材料为氧化铟锡，其主要起到欧姆接触与横向电流扩展作用。
透明导电层30远离外延主体层21的表面形成有反射层40，该反射层40的制备材料为银。
外延主体层21开设有自第二表面延伸至第一半导体层201内部的开口，该开口内设有与第一半导体层201电性连接的第一电极50；反射层40远离透明导电层30的表面设有与第二半导体层203电性连接的第二电极51。第一电极50和第二电极51的制备材料包括Au或Au的合金。较佳地，开口处设有阻挡层80。
保护层60远离外延主体层21的一侧设有与第一电极50电性连接的第一焊盘70，以及与第二电极51电性连接的第二焊盘71。
根据本申请的一个方面，提供一种倒装发光二极管的制备方法。以上述实施例中图1所示的倒装发光二极管的制备方法来示例说明。该制备方法包括以下步骤：
参见图7，提供一生长衬底10，生长衬底10包括蓝宝石平底衬底或蓝宝石图形化衬底；采用化学气相沉积的方法在生长衬底10上形成外延层20；外延层20至少包括顺序排列的第一半导体层201、有源层202和第二半导体层203，第一半导体层201位于靠近生长衬底10的一侧。在本实施例中，第一半导体层201为N型半导体层，第二半导体层203为P型半导体层，有源层202为多层量子阱层。
参见图8，蚀刻外延层20并形成第一沟槽23；第一沟槽23自第二半导体层203至少延伸至第一半导体层201的内部；第一沟槽23将外延层20划分为外延主体层21和挡墙22，其中，图8中的I区为外延主体层21，II区为挡墙22。
蚀刻外延主体层21并形成第二沟槽24，第二沟槽24自第二半导体层203至少延伸至第一半导体层201的内部，以暴露出部分第一半导体层201。
参见图9，在外延主体层21远离生长衬底10的表面形成透明导电层30。透明导电层30的制备材料一般选择具有透明性质的导电材料，在本实施例中，透明导电层30的制备材料为氧化铟锡，其可采用电子束蒸镀或离子束溅射等技术形成于外延主体层21上。
在透明导电层30远离外延主体层21的表面形成反射层40。该反射层40为银层。
参见图10，在第二沟槽24所暴露的第一半导体层201上形成第一电极50，在反射层40远离透明导电层30的表面上形成第二电极。第一电极50和第二电极51的制备材料为金或者金的合金。
作为可替换的实施方式，参见图11，在第二沟槽24的侧壁处形成阻挡层80。
参见图12，在外延主体层21、第一沟槽23和挡墙22处形成保护层60，并在与第一电极50、第二电极51对应的位置预留出用于形成第一焊盘70和第二焊盘71的空间。保护层60为由第一绝缘层601、金属层602和第二绝缘层603组成的全方向反射镜结构，金属层602位于由第一绝缘层601和第二绝缘层603所围合成的封闭空间内，其能够提高倒装发光二极管的亮度，且保证金属层602不与PN结导通。第一绝缘层601位于保护层60靠近外延主体层21的一侧。
第一绝缘层601至少由两种不同制备工艺制备而成，例如，第一绝缘层601包括第一叠层和第二叠层，第一叠层位于第一绝缘层601靠近外延主体层21的一侧；第一叠层由原子层沉积法制备而成，第二叠层由高密度等离子体化学气相沉积法或者等离子体化学气相沉积法制备而成，且第一叠层和第二叠层的制备材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化钛的一种或多种。
较佳地，第二绝缘层603的结构与第一绝缘层601的结构相同。
在上述保护层60所预留出的空间内分别形成与第一电极50电性连接的第一焊盘70和与第二电极51电性连接的第二焊盘71即可得到图1所示的倒装发光二极管。第一焊盘70和第二焊盘71的制备材料为金属材料，具体为Au、Ti、Al、Cr、Pt、TiW合金或Ni的任意组合。
需要说明的是，若制备图3和图4所示的倒装发光二极管，只需将第一沟槽23自第二半导体层203延伸至生长衬底10即可。
需要说明的是，若制备图5所示的倒装发光二极管，在形成保护层60之前，第一沟槽23将外延层20划分为外延主体层21和挡墙22之后，该倒装发光二极管的制备方法还包括：
蚀刻挡墙22并使挡墙22远离生长衬底10的表面为齿状结构，相邻齿之间预留出间隙。
需要说明的是，若制备图6所示的倒装发光二极管，需蚀刻切割处A的保护层60，并保证第一沟槽23处的保护层不会被蚀刻。保护层60中的金属层602始终位于由第一绝缘层601和第二绝缘层603所围合成的封闭空间内。
由以上的技术方案可知，本申请通过在切割处A与外延主体层21之间设置挡墙22，该挡墙22能够在后续切割时减小外延主体层21侧壁处的保护层60所产生的应力，避免外延主体层21侧壁处的保护层60在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。挡墙22能够阻挡水汽进入至第一半导体层201，使得水汽仅停留在第二半导体层203，避免倒装发光二极管的老化失效。
进一步地，保护层60为由第一绝缘层601、金属层602、第二绝缘层603所组成的多层结构，其能够在后续切割时避免保护层60在应力作用下断裂。另外，该保护层60为全方向反射镜结构，金属层602位于由第一绝缘层601和第二绝缘层603所围合成的封闭空间内，其能够提高倒装发光二极管的亮度，且保证金属层602不与PN结导通。其中，第一绝缘层601由制备工艺不同的第一叠层和第二叠层组成，其能够防止因金属层602中的金属通过第一绝缘层601中的微孔迁移而导致的PN导通，提高倒装发光二极管的可靠性。
进一步地，对于mini/micro结构的倒装发光二极管来说，切割工艺的操作窗口很窄，需采用蚀刻法将切割处A的保护层60打开，在采用蚀刻法蚀刻切割处A的保护层60时，因切割处A与外延主体层21之间无阻挡结构，易出现外延主体层21侧壁处的保护层60被部分蚀刻的现象，进而出现mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效。而本申请通过在切割处A与外延主体层21之间设置挡墙22，在采用蚀刻法蚀刻切割处A的保护层60时，该挡墙22能够避免外延主体层21侧壁处的保护层60被部分蚀刻，从而避免mini/micro结构的倒装发光二极管因PN导通而失效，提高倒装发光二极管的可靠性。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。
Claims (19)
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：
外延主体层，具有相对的第一表面、第二表面以及侧壁；所述外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
挡墙，位于所述外延主体层侧壁的外围；所述挡墙是由刻蚀所述外延主体层的外围至所述外延主体层的第一半导体层的内部而形成，位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙与所述外延主体层之间存在第一间隙；所述第一间隙的深度大于所述有源层和第二半导体层的总厚度；
保护层，完全填充所述挡墙与所述外延主体层之间的第一间隙，并部分覆盖所述外延主体层的第二表面；所述保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，所述金属层位于由所述第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内，所述第一绝缘层位于所述保护层靠近外延主体层的一侧；所述第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层，所述第一叠层的致密度大于第二叠层的致密度。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于第一半导体层侧壁处的所述挡墙与所述外延主体层连通。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙的第一半导体层与所述外延主体层的第一半导体层不连通，所述挡墙包括第一部和第二部，所述第一部位于第一半导体层侧壁的外围，所述第二部位于所述有源层和第二半导体层侧壁的外围，所述第一部与所述外延主体层之间存在第二间隙。
4.根据权利要求3所述的倒装发光二极管，其特征在于，在与第一表面平行的方向上，所述第一间隙的宽度等于或者大于所述第二间隙的宽度。
5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙的宽度等于或者大于2μm。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，位于有源层和第二半导体层侧壁处的所述挡墙为齿状结构，相邻齿之间存在第三间隙。
7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙为环绕于所述外延主体层侧壁外围的连续结构；或者，所述挡墙为环绕于所述外延主体层侧壁外围的间断结构。
8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙包含的结构层与所述外延主体层包含的结构层相同。
9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述挡墙包括相连的第一部和第二部；所述第一部位于所述第一半导体层侧壁的外围，所述第二部位于所述有源层和第二半导体层侧壁的外围；所述第二部的厚度大于所述有源层和第二半导体层的总厚度。
10.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层覆盖所述挡墙。
11.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一叠层位于所述第一绝缘层靠近外延主体层的一侧。
12.根据权利要求11所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一叠层包括原子层沉积层；所述第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述外延主体层开设有自第二表面延伸至所述第一半导体层内部的开口；所述开口内设有与所述第一半导体层电性连接的第一电极；所述第二表面设有与所述第二半导体层电性连接的第二电极。
14.根据权利要求13所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述保护层远离外延主体层的一侧设有与所述第一电极电性连接的第一焊盘，以及与所述第二电极电性连接的第二焊盘。
15.一种倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
提供生长衬底，并在所述生长衬底上形成外延层；所述外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
蚀刻所述外延层并形成第一沟槽；所述第一沟槽自所述第二半导体层延伸至所述第一半导体层的内部；所述第一沟槽将所述外延层划分为外延主体层和挡墙；
在所述外延主体层和所述第一沟槽处形成保护层；所述保护层完全填充所述挡墙与所述外延主体层之间的第一沟槽；所述保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，所述金属层位于由所述第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内，所述第一绝缘层位于所述保护层靠近外延主体层的一侧；所述第一绝缘层至少包括第一叠层和第二叠层，所述第一叠层的致密度大于所述第二叠层的致密度。
16.根据权利要求15所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽自所述第二半导体层延伸至所述生长衬底。
17.根据权利要求15所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述外延主体层和所述第一沟槽处形成保护层之前，所述第一沟槽将所述外延层划分为外延主体层和挡墙之后，还包括：
蚀刻所述挡墙并使所述挡墙远离生长衬底的表面为齿状结构，相邻齿之间预留出间隙。
18.根据权利要求15所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，所述保护层覆盖所述挡墙。
19.根据权利要求15所述的倒装发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一叠层包括原子层沉积层；所述第二叠层包括高密度等离子体化学气相沉积层或者等离子体化学气相沉积层。
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