CN104793460A - Euv用防尘薄膜组件、使用其的euv用组合体以及组合方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L rubidium carbonate Chemical compound [Rb+].[Rb+].[O-]C([O-])=O WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000026 rubidium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
- G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，使用其的EUV用组合体以及其组合方法。本发明的EUV用防尘薄膜组件为由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件。网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像。本发明的其特征在于，将间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，并且，这种间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。
Description
技术领域
本发明涉及极端紫外线(EUV：Extreme Ultra Violet)用防尘薄膜组件(以下，称“EUV用防尘薄膜组件”)，本发明进一步涉及减小了投影在晶片的网格结构体的影像的浓淡对比度的EUV用防尘薄膜组件。
背景技术
现在，半导体装置的高集成化，细微化正在进展，45nm左右的图案化也已经实用化。对于该图案化，可以用以往的用准分子光的技术，即，使用ArF的液浸法以及二重曝光等的技术来对应。但是，对下一代的更细微化的32nm以下的图案化，应用准分子光的曝光技术就难以对应了，用与准分子光相比极短波长的以13.5nm为主波长的EUV光的EUV曝光技术被认为是今后的主流。
进一步，关于该EUV曝光技术的实用化，虽然已经具有相当的进展，但是光源，光刻胶以及防尘薄膜组件，还有很多要解决的技术的课题。例如，关于将决定制造成品率的高低的来防止光掩模上异物附着的防尘用防尘薄膜组件，还有种种要解决的问题，这成了EUV用防尘薄膜组件的实现上的障碍。另外，特别是，防尘薄膜的材料要不仅EUV光的透过率要高，还要没有由于氧化等造成的随时间的变化以及具有化学安定行，但是该种材料的开发还没有头绪。
以往的EUV用防尘薄膜的材料中有种种问题，特别是，在有机材料中，具有不透EUV光，分解老化的问题。现在，对EUV光的波长带具有完全的透明性的材料还不存在，例如在下述的专利文献1以及非专利文献1中，记载了作为比较透明的材料的硅薄膜。
这些硅的薄膜，从使EUV光的衰减减少的观点，优选尽量薄的，但是另一方面，这些硅的薄膜，由于是厚度20nm的硅15nm的碳酸铷构成的纳米级的极薄薄膜，强度非常小，由此,有不能单独作为EUV用防尘薄膜来使用的问题。
为了对该问题加以解决，有人提议将有对该极薄膜进行补强作用的蜂窝形状的结构物和硅的薄膜一体化。例如在专利文献2中，提议了具有对使用SOI(Silicon On Insulator)的EUV用防尘薄膜有补强作用的蜂窝结构的网格结构体。
作为该补强用的网格结构体，在蜂窝形状以外，还有正方形或长方形形状，或圆形以及角形等的，另外配置有具有任意的形状的开口部的板状体等，只要能达到目的，什么形状都可以使用。进一步，强度，根据网目的间隔，网目的边宽，网目的边的高度来进行决定，间隔越窄，边宽越大，边越高，强度越大。
但是，这种补强用的网格结构体，由于不透EUV光，所以在使用这种补强用的网格结构体的场合，有必要设置可以透过EUV光的开口部。而且，为了将透过EUV用防尘薄膜组件的EUV光的衰减压到最小，这种网格结构体的开口率必须提高，但是，如提高强度，网格结构体的开口率就会降低，所以使用网格结构体进行的补强和透过率处于二律背反(你增我减、我增你减)的关系，所以就必须设计符合使用时的条件以及制约的EUV用防尘薄膜组件。
为了用这样的用网格结构体补强的EUV用防尘薄膜组件，保护掩模的图案部不受外部的灰尘以及粒子的侵害，可以使用如图10所示的那样的EUV曝光机。在这种EUV曝光机中，分段机内的光源的1发出的EUV光，被作为照明光从与由防尘薄膜组件2和掩模3的掩模的掩模图案面的垂线构成4－8°的角度的方向入射，通过防尘薄膜组件2到达掩模3。这种到达掩模3EUV光，被掩模3反射，再一次通过防尘薄膜组件2，进入光学系统4，在晶片5上成像。
即，EUV光，以光源1→防尘薄膜组件2→掩模3→防尘薄膜组件2→光学系统4→晶片5的顺序通过，将掩模3上的图案向晶片5上投影转印，所以2次通过防尘薄膜组件2。此时，如果防尘薄膜组件2如用上述那样的网格结构体进行补强的话，EUV光会被不透EUV光的网格结构体遮断，网格结构体就会在晶片5上被作为影像而投影，从而阻碍曝光作业。
现有技术文献
专利文献
【专利文献1】美国专利第6623893号说明书
【专利文献2】日本特开2010－256434号
非专利文献
【非专利文献1】Shroff et al.“EUV pellicle Development for MaskDefect Control,”Emerging Lithographic Technologies X,Proc of SPIEVol.6151615104-1(2006)
发明内容
因此，本发明的目的，就是提供一种可以将在晶片上投影的网格结构体的影像的浓淡对比度被减小了的EUV用防尘薄膜组件和使用该EUV用防尘薄膜组件的EUV用组合体以及其组合方法。
但是，EUV用防尘薄膜组件2，由为了将掩模3的图案部保护起来不受外部的灰尘以及粒子的侵害而将防尘薄膜用网格结构体进行补强而成的防尘薄膜结构体和将该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成。然后，虽然在图10中没有图示，但是，这种防尘薄膜结构体，通常，在防尘薄膜组件框架的一方的面被保持，防尘薄膜组件框架的另一面，在掩模3的图案面被固定。另外，掩模3，典型的为长方形，具有侧边。
因此，这样的EUV用防尘薄膜组件在光路上配置的场合，防尘薄膜结构体和掩模3的图案面，由于具有防尘薄膜组件框架的厚度为空间形成物，所以保持适当的距离。在本说明书中，将这一种距离称作“间隔”，但是在防尘薄膜结构体和掩模3的图案面距离近的场合，即防尘薄膜组件框架薄的场合，间隔值变小，距离大，即防尘薄膜组件框架厚的场合，间隔值大。
一般的EUV曝光机的场合，要进行设计组成光学系统4，以使掩模3的图案的图像正确地在晶片5上投影，由此，掩模3面上的图案像，即使将其形状缩小，也可以在晶片5上进行正确成像。此时，只要光学系统4的焦点，由于掩模3的面和晶片5的面相合，所以不与处于该面以外的物体对焦，由防尘薄膜和网格结构体构成的防尘薄膜结构体的图像，在晶片5面上模糊成像。
在此，所谓“模糊”，指防尘薄膜结构体的轮廓不清，同时由于成像的阴影像的部分也有光线入射，所以，防尘薄膜结构体的影像的浓淡对比度变小。因此，这种模糊的程度越大，防尘薄膜结构体的影像的浓淡对比度越小，所以如这种模糊的程度充分大，防尘薄膜结构体的影像就会实质上看不见。
如果EUV光为可干涉性高的光的场合，防尘薄膜结构体的影像不模糊而以浓淡对比度大的影像转印在晶片上，但是，曝光机的照明光一般为可干涉性低的光线，并且，实际具有从与掩模3的图案面的垂线成4―8°的角度的方向入射的角度，所以防尘薄膜结构体的影像的部分也可以得到光，以模糊像在晶片5的表面上成像。
因此，本发明人，从这种“模糊”的现象着眼，认识到，如果构成防尘薄膜结构体的网格结构体的模糊的程度大，这种网格结构体的影像的浓淡对比度会变小，就会在晶片5面上难以看见，从而这种网格结构体的影像的浓淡对比度就可以减小，在决定模糊的程度的因素中，间隔和网格结构体的影像的浓淡对比度之间具有特定的关系，所以如将如网格结构体的角度和间隔值进行适当地的设定，在晶片上成像的网格结构体的2种的影像的浓淡对比度就可以减小。
即，本发明的EUV用防尘薄膜组件，为将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于，网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种影像，对所述间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下，另外，所述间隔值，以设定为0.3mm～1.0mm的范围内为优选。
另外，本发明的EUV用组合体，包括由防尘薄膜被用网格结构体补强的防尘薄膜结构体、将该防尘薄膜结构体加以保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件以及带有具有侧边的掩模的EUV用组合体，而且，所述网格结构体，由于EUV光在掩模的面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，在晶片上投影形成2种影像，对防尘薄膜组件的间隔值进行设定，使网格结构体的影像的浓淡对比度比减小至25％以下，同时，使构成网格结构体的任意的网格边和掩模的至少一个侧边形成的投影角度比0°大并且在30°以下。
间隔值以及投影角度，都设定为使浓淡对比度比为极小。另外，网格结构体的网状单位的形状优选为四角形或正六角形。
进一步，本发明的EUV用组合体的组合方法，包括，对防尘薄膜组件的间隔值进行使网格结构体的影像的浓淡对比度比减少为25％以下的设定工序，以及将使网格结构体相对于掩模在投影角度在比0°大且30°以下的范围内进行转动，直至浓淡对比度比为极小的设定工序。
发明的效果
根据本发明，可以使网格结构体的影像的浓淡对比度减小，由此，在曝光处理时，可以进行曝光区域全体照度一定并且均一的曝光。
附图说明
图1有(a)～(d)5个图，为显示网格结构体的影像的模式图。
图2有(a)～(c)3个图，为间隔值为0.1mm～0.8mm的场合的网格结构体的光学图像。
图3为表示从点的图像图采取数字光量数据的部位的图。
图4被表示从条的图像图采取数字光量数据的部位的图。
图5是将从图3或图4表示的部位求得的光强度和位置的关系的曲线图。
图6为将网格结构体转动为0°，15°，30°的场合的模式图和点或条的图像图。
图7为按表1的结果，作成的间隔值，浓淡对比度比以及角度的关系曲线图。
图8为表示不优选的网格结构体的形状的表示图。
图9为表示不优选的网格结构体的形状的图。
图10为表示曝光机的基本的构成和从光源到晶片的光路的图。
具体实施方式
以下，对本发明的一个实施方式进行说明，本发明并不限于这种实施方式。
在具有本发明的防尘薄膜结构体的EUV用防尘薄膜组件中，所谓”间隔值”，指具有侧边的掩模3和网格结构体2之间的距离。因此，该间隔值为0，意味着具有图案像的掩模3和网格结构体2相接触。这种场合，网格结构体的影像为具有强浓淡对比度的影像，入射光形成的影像和反射光形成的影像相重合。如从这种状态，将防尘薄膜结构体2和掩模3和的距离拉大，取得间隔，这时网格结构体的影像，由于入射光造成的网格结构体的影像和反射光造成的网格结构体的影像分离，其影像的浓淡对比度降低。这种现象，是由于对掩模3，入射光以一定的角度入射，并以反射光以相同的角度反射而引起的。
然后，入射光造成的网格结构体的影像和反射光造成的网格结构体的影像分离的方向，由从光源到向防尘薄膜组件照射的入射光的方向来决定。如将此进行图示，如图1(a)的箭头作为入射光的方向的场合，通过设定间隔，在晶片5上投影的网格结构体的2种的影像，如图1的(b)那样，在入射光的方向上分离，错开。这种错开量，随着间隔值变大，从图1的(a)的错开量，以图1(b)→图1(c)→图1(d)的顺序变大，其位置关系，变成如图1的(a)～(d)表示的那样。然后，这种错开量和2种影像的位置关系，随着间隔的扩大而反复。另外，在图1(a)～(d)中，模糊的程度没有图示。
图1的(c)中表示的点线的○围起的部分，为入射光造成的影像和反射光造成的影像的边的交点相重合的7个重叠部分，这7处重叠部分发生浓淡对比度的强的影像。另外，在间隔进一步扩大的场合，图1的(d)中的被点线的椭圆包围的部分，是入射光造成的影像和反射光造成的影像的边重叠的带状部分，在这种带状部分也发生浓淡对比度强的影像。
本发明人，对图1的(c)以及图1的(d)所示的影像重叠变为高密度的部分和网格结构体的实际影像的关系，用光学模拟器对光学像进行了考察，图1(a)～(d)中图示的影像的高浓淡对比度的部分被实际确认到。
在这种光学模拟中，如图10所示的那样，设置由光源1，防尘薄膜组件2，具有侧边的掩模3，光学系统4以及晶片5形成的光路。在这种光路中，将EUV用组合体加以配置，该组合体具有蜂窝间距为200μm蜂窝边长3μm网格结构体的EUV用防尘薄膜组件以及无图案的掩模3，该EUV用防尘薄膜组件以及无图案的掩模3之间的间隔值为规定的值。以EUV光的入射角度为6°，入射光的张开度为3.8°，在电脑上进行了模拟。
图2的(a)～(c)，为这种模拟的结果的光学像的一部分图像，白的部分为光量多的地方，黑的部分为光量少的地方。从图2，可以很好地确认到由网格结构体遮蔽的入射光的影响在影像中的反映。
另外，模拟器中，使用Optical research associate公司的Light tools，投影光学系统，为反射光学系统和等同的衍射光学系统。
图2的(a)的间隔值0.1mm的场合，由于模糊的程度小，网格结构体的蜂窝的模样可确认到。另外，图2的(b)的间隔值0.5mm的场合，可以确认到点图案，图2的(c)的间隔值0.8mm的场合，确认到了纵条的图案。
这些点和条，在形状上，与图1的(c)以及图1的(d)的蜂窝形状分别对应。即，可以观察到，构成图1的(c)的蜂窝的网状的边的交点相重叠的部分成为图2的(b)的点而投影，图1的(d)的带状部分成为图2(c)的条进行投影。因此，如对成为图1(c)以及图1(d)的状态的蜂窝边长进行计算，分别为0.55mm和0.82mm，与模拟的结果很一致。
因此，这一现象，意味着如图1表示的那样的几何推定的模样即使在实际的曝光机中也有同样的模样，网格结构体的点或条的出现可以由间隔值推定。
另外，蜂窝的点或条，由于是由蜂窝的边的交点重合点或边重合的带状部分形成的，所以，这些模样也可以作为光的强度的差(浓淡对比度值)来加以确认。这可以用点模样的图3来进行说明，图3表示了，用所述的模拟器的得到的，具有上述的尺寸和形状的蜂窝的防尘薄膜组件在间隔值为0.4mm的场合的影像。图3的影像的用白线围起来的区域的数字光量数据，为在该区域的数个地点获取的5个数据的平均值，图5用这些值作成了曲线。
图5的横轴，表示了图3的白线包围的四角的部位的从上向下的位置关系，纵轴表示了所述位置的光强度。另外，虽然表示了曲线中实际数字和平滑后的数字，由于实际数字的不整齐，所以将平滑化的数字用于评价。然后，不连续的两端区域有异常值，所以用将两端区域的数字除去的数字，来求最大值和最小值，其光量浓淡对比度的比，可以用下式数值化。
浓淡对比度比＝(1－最小值/最大值)×100
作为具体例，将图5表示的光强度的数据中除去两端区域的数值后的最大的光强度作为最大值，将最小的光强度作为最小值，如按所述的计算式对间隔值0.4mm的场合和0.5mm的场合的浓淡对比度比进行计算，0.4mm的场合的浓淡对比度比为21.5％，0.5mm的场合的浓淡对比度比为22.0％。
另外，图4中，也可以用同样的方法进行浓淡对比度比的求取。如对间隔值0.7mm的场合和0.8mm场合的浓淡对比度比进行比较，间隔值0.7mm的场合的浓淡对比度比为7.2％，间隔值为0.8mm的场合的浓淡对比度比为9.1％。
间隔值和浓淡对比度的关系，作为一般道理，间隔值越大，浓淡对比度越少，网格结构体的影像的影响就会变弱，但是，从结果来看，并非绝对如此。这是因为，由所述的网格结构体的影像的特异的重叠而形成的点或条的模样带来了浓淡对比度的周期性的变动的缘故。
因此，本发明人，鉴于网格结构体的影像中产生的浓淡对比度的网状起因的周期性的变化，得出如果对网格结构体的间距进行设定，使这种浓淡对比度变小，EUV用防尘薄膜组件的网格结构体的影像的影响就会减小。
另外，网格结构体，或多会少都会对浓淡对比度有些影像响，本发明人发现了，通过使网状机构体平面转动而进行控制，使到达掩模3的过去和归来的网状起因的光的暗的部分相重叠的这种特异的重叠，从而使浓淡对比度在局部的增大，以致使这种浓淡对比度进行周期的变动。
因此，在将由具有网格结构体等的EUV用防尘薄膜组件2和具有侧边的掩模3构成的EUV用组合体进行组合的场合，如图10所示的那样，对网格结构体进行配置，在光路上，使EUV光被掩模3的面反射，由此使光EUV2次通过EUV用防尘薄膜组件2，在晶片5上进行2种的影像的投影。
然后，此时对防尘薄膜组件的间隔值进行设定，使网格结构体的影像的浓淡对比度比减小为25％以下，使构成网格结构体的任意的边和掩模3的至少一个侧边形成的投影角度为比0°大并且在30°以下。
另外，优选，对间隔值和投影角度进行设定，以使浓淡对比度比为极小，由此，具体地是使网格结构体在相对于掩模3相对比0°大且30°以下的投影角度的范围内转动，使其位置可以让浓淡对比度比为极小。
用网格结构体为蜂窝形状的例的图6进行说明。图6中，图示了蜂窝的投影角度为0°，15°，30°和间隔值为0.3mm，0.5mm的场合的影像的模拟结果。另外，图6的左侧，图示了图1所示的蜂窝的平面的投影角度为0°的状态和，将这种投影角度0°的状态的蜂窝反时计方向转动15°以及30°的场合的蜂窝的状态。
从图6，可以确认，将网格结构体的蜂窝在相对于掩模为0°～30°的投影角度的范围内，仅转动一定投影角度的场合，蜂窝的边的特异的重叠状态发生变化，对于间隔值0.5mm的场合的蜂窝的影像，如将蜂窝的投影角度0°的场合的浓淡对比度比和投影角度30°的场合的浓淡对比度比相比较的话，投影角度0°的场合的浓淡对比度比为22.0％，投影角度30°的场合的浓淡对比度比为14.6％。从这一结果，可以确定，根据蜂窝的投影角度的不同，蜂窝的影像的浓淡对比度比会发生大的不同。
因此，在间隔值由于曝光机的构造以及防尘薄膜组件的构造等的关系被制限的场合，在其被限制的间隔值中，网格结构体的特异的的重合造成的浓淡对比度比的局部的增大发生时，如果要将其加以回避，可以将网格结构体转动，设定其平面的投影角度，就可以使其影像的浓淡对比度比减小。
作为网格结构体的形状，在蜂窝形状那样的网格结构体之外，正方形或长方形的形状的网格结构体，圆形以及多边形的网格结构体，配置任意的形状的开口部的板状体等，根据目的可以选择任何形状。但是，如在网格结构体中存在6条边集合的部分以及影像的密度高的部分的话，网格结构体的影像的重叠造成的局部的的浓淡对比度会增大，所以不优选。
例如，图8所示的三角形单位的网格结构体，边的集合部一定有6点，所以不优选。另外，图9所示的网格结构体，也由于网格结构体的影像易于重叠，也不优选。网格结构体的单位为四角形或正六角形优选。
<实施例>
以下，对本发明的实施例进行说明。首先，在直径200mm，厚度725μm的硅基板的操作基板上，贴附COP(Crystal Originated Particle)等的实质上结晶缺陷少的硅单结晶(Nearly Perfect Crystal：NPC)形成的厚度100nm的薄膜，形成通过厚度100nm的热氧化膜(SiO2)贴附SOI(Silicon OnInsulator)基板。
将这种SOI基板的操作基板削薄至50μm后，在这种操作基板侧用光刻将网格结构体的蜂窝图案加以制作。其后，用DRIE(Deep Reactive IonEtching)，在使这种蜂窝单位的6角形的各个的内角具有曲线的同时，制成间距200μm，边长3μm，边高20μm之物。然后，将其进HF处理，BOX(Buried Oxide)膜除去，在EUV用防尘薄膜被制作后，将该防尘薄膜在铝制的防尘薄膜组件框架用接着剂固定，得到EUV用防尘薄膜组件2。
然后，使用Optical research associate社的Light tools，制成如图10所示的具有由光源1，防尘薄膜组件2，具有侧边的掩模3，投影光学系统4以及晶片5构成的光路的曝光机。另外，在这种曝光机中，NA0.33，入射角度6°，入射光的张开度3.8°，在这种曝光机上，使具有间距200μm，边幅3μm的蜂窝结构体的所述防尘薄膜结构体分别转动到相对于掩模3为0°，15°，30°的投影角度，加以设置。将没有图案的掩模3和以规定的间隔值设置EUV用组合体加以配置。然后，以数字式数据的形式取得处于各个间隔值的晶片5上的光学像的图像数据。
从这种图像数据，用图3的例子说明的方法，求取个个的浓淡对比度比。表1，为从各蜂窝的投影角度和间隔值求取的浓淡对比度比的结果。另外，图7，为用表1的结果作成的曲线。
表1
图7以及表1可知，根据蜂窝的投影角度和间隔值的不同，浓淡对比度比变动。另外，浓淡对比度比的变动，如在0°或15°的场合那样，间隔值越宽，越处于减小的倾向。但是，投影角度30°的场合，并不一定显示出该倾向。进一步，浓淡对比度比的变动，间隔值被定为0.3mm，0.8mm以及1.0mm的场合，蜂窝的投影角度越大，浓淡对比度比显示出增大的倾向，但是，在间隔值0.5mm的场合，并非显示出这种的倾向，而是蜂窝的投影角度如0°→15°→30°，即越大，浓淡对比度比越小。
从以上的结果可知，蜂窝结构体的影像的浓淡对比度比，与间隔值以及蜂窝的投影角度都有关系，所以，要将以蜂窝为代表的网格结构体的影像的浓淡对比度比减小至25％以下，设置适当的间隔值是非常重要的。
另外，在间隔值由于曝光机的构成造以及防尘薄膜组件的构成造等被制限的场合，如要使网格结构体的影像的浓淡对比度比进一步减小，优选使网格结构体对掩模面的投影角度为30°以下的范围，进一步，如想使浓淡对比度比为极小，更优选对间隔值和投影角度的组合进行选择。
符号的说明
1 光源
2 防尘薄膜组件
3 具有侧边的掩模
4 光学系统
5 晶片
Claims (7)
1.一种EUV用防尘薄膜组件，由将防尘薄膜用网格结构体进行补强了的防尘薄膜结构体以及对该防尘薄膜结构体进行保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件，网格结构体，由于EUV光在掩模面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上被投影为2种的影像，其特征在于，通过对防尘薄膜组件的间隔值进行设定，使所述影像的浓淡对比度比减小至25％以下。
2.根据权利要求1的EUV用防尘薄膜组件，所述间隔值，为0.3mm～1.0mm的范围。
3.一种EUV用组合体，包括由防尘薄膜被用网格结构体补强的防尘薄膜结构体以及将该防尘薄膜结构体加以保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件和带有具有侧边的掩模，所述网格结构体，由于EUV光在掩模的面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，所以在晶片上投影形成2种影像，其特征在于，通过对防尘薄膜组件的间隔值进行设定，使网格结构体的影像的浓淡对比度比减小至25％以下，同时，构成网格结构体的任意的网格边和掩模的至少一个侧边形成的投影角度比0°大并且在30°以下。
4.根据权利要求3的EUV用组合体，其特征在于，对使网格结构体的影像的浓淡对比度比减小至25％以下的任意的所述间隔值进行设定，以使浓淡对比度比为极小。
5.根据权利要求3的EUV用组合体，其特征在于，所述间隔值以及投影角度，被设定为使浓淡对比度比为极小。
6.根据权利要求3的EUV用组合体，其特征在于所述网格结构体的网状单位的形状优选为四角形或正六角形。
7.一种EUV用组合体的组合方法，所述组合体包括，由防尘薄膜被用网格结构体补强的防尘薄膜结构体以及将该防尘薄膜结构体加以保持的防尘薄膜组件框架构成的EUV用防尘薄膜组件和带有具有侧边的掩模，所述网格结构体，由于EUV光在掩模的面反射，2次通过EUV用防尘薄膜组件，在晶片上投影形成2种影像，其特征在于，包括，对防尘薄膜组件的间隔值进行使网格结构体的影像的浓淡对比度比减少至25％以下的设定工序，以及将所述网格结构体在相对于掩模投影角度为比0°大且30°以下的范围内进行转动，直至浓淡对比度比为极小的设定工序。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-007641 | 2014-01-20 | ||
| JP2014007641 | 2014-01-20 | ||
| JP2014-255102 | 2014-12-17 | ||
| JP2014255102A JP6261004B2 (ja) | 2014-01-20 | 2014-12-17 | Ｅｕｖ用ペリクルとこれを用いたｅｕｖ用アセンブリーおよびその組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104793460A true CN104793460A (zh) | 2015-07-22 |
| CN104793460B CN104793460B (zh) | 2018-12-28 |
Family
ID=52449939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510028801.3A Active CN104793460B (zh) | 2014-01-20 | 2015-01-20 | Euv用防尘薄膜组件、使用其的euv用组合体以及组合方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9405184B2 (zh) |
| EP (1) | EP2896994B1 (zh) |
| JP (1) | JP6261004B2 (zh) |
| KR (1) | KR102361848B1 (zh) |
| CN (1) | CN104793460B (zh) |
| HK (1) | HK1207429A1 (zh) |
| TW (1) | TWI532077B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6265181B2 (ja) | 2015-08-06 | 2018-01-24 | トヨタ自動車株式会社 | 車両用エアバッグ制御システム |
| US9759997B2 (en) * | 2015-12-17 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pellicle assembly and method for advanced lithography |
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2014
- 2014-12-17 JP JP2014255102A patent/JP6261004B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-06 KR KR1020150001166A patent/KR102361848B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-16 EP EP15151391.8A patent/EP2896994B1/en active Active
- 2015-01-16 US US14/598,616 patent/US9405184B2/en active Active
- 2015-01-20 TW TW104101735A patent/TWI532077B/zh active
- 2015-01-20 CN CN201510028801.3A patent/CN104793460B/zh active Active
- 2015-08-21 HK HK15108117.4A patent/HK1207429A1/zh not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2896994B1 (en) | 2021-06-30 |
| US9405184B2 (en) | 2016-08-02 |
| TW201533777A (zh) | 2015-09-01 |
| KR102361848B1 (ko) | 2022-02-14 |
| JP6261004B2 (ja) | 2018-01-17 |
| EP2896994A1 (en) | 2015-07-22 |
| CN104793460B (zh) | 2018-12-28 |
| US20150205193A1 (en) | 2015-07-23 |
| HK1207429A1 (zh) | 2016-01-29 |
| TWI532077B (zh) | 2016-05-01 |
| KR20150087105A (ko) | 2015-07-29 |
| JP2015156014A (ja) | 2015-08-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| REG | Reference to a national code |
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|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |