JP2010016351A - 液晶ブラインド、それを適用した半導体装置の製造方法、及び半導体製造用縮小投影露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この縮小投影露光装置に備えられた液晶ブラインド17は、液晶駆動方式で駆動されて照射光の照射パターンを可変設定し、各液晶セルに対応した電極への電圧印加で各液晶セル毎に光の透過、遮断を制御できる光学的開口部を成すため、照射領域の形状を任意に設定できる。この開口部は、露光制御プログラムをコントローラ14が実行すると、照射領域に応じて照射時間を任意に設定可能に開閉状態が部分的に制御される。コントローラ14によるシャッタ3の開閉制御、液晶ブラインド17の駆動制御に伴い、レチクル10の投影領域内(露光ショット面内)を通る半導体ウエハ13のレジスト膜面上の投影露光によるレジストパターン像の寸法精度が向上する。
【選択図】図1
Description
この半導体製造用縮小投影露光装置の場合、発光源としての水銀ランプ1での発光が楕円鏡2により反射乃至集光されて照射光となり、シャッタ3の開閉状態により照射時間が調整された照射光が全反射ミラー4で全反射されて干渉フィルタ5により必要な波長のみが選択された後、フライアイレンズ6を透過して光強度が均一化される。
ブラインド7では、光強度が均一化された照射光の照射パターンを定め、その照射パターンが全反射ミラー8で全反射された後、コンデンサーレンズ9を透過してレチクル10上で照射領域が設定される。コンデンサーレンズ9では、照射光を透過してレチクル10上に照射させるが、このときにブラインド7の照射パターンの像がレチクル10上に結像される。
図11は、この半導体製造用縮小投影露光装置におけるブラインド7の使用によるレチクル10上へ照射される照射光の照射領域の設定を説明するために示した概略図である。
このブラインド7は、上下左右の4枚の片部で構成され、具体的には上片部7a、下片部7b、左片部7c、右片部7dを組み合わせてその開口部分で照射パターンを設定するが、その照射パターンの像は、上述したようにコンデンサーレンズ9を透過してレチクル10上に結像される。
分と成し、その他の部分を遮蔽する位置までそれぞれ中央部分へ向けて駆動して遮光状態とし、露光中はそのまま固定される様子を示している。
図12は、ここでのレチクル10の開口部分の投影領域内で規定される製品パターン領域EPの細部を拡大して例示した模式図である。
個の製品チップa〜pをレジストパターン像として配列するもので、1ショット露光で同時に各製品チップa〜pが投影露光されることを示している。半導体製造用縮小投影露光装置では、1ショット露光に必要な照射光の照射時間がシャッタ3の開閉状態によって調整され、シャッタ3が開口して照射光が照射されている間、ブラインド7が固定されているため、レチクル10の製品パターン領域EPに存在する各製品チップa〜pは、何れも
半導体ウエハ13のレジスト膜面上に同じ照射時間でレジストパターン像として投影露光される。
因みに、ここで説明した露光装置に関連する周知技術としては、液晶セルを隙間なく連続させて制御不可能な領域を無くし、電気光学的なリフレッシュ動作を不要にした液晶フォトマスクを備えたもの(特許文献1参照)等が挙げられる。
又、シャッタが開口して照射光が照射されている間、ブラインドの開口部分の形状が固定されているため、レチクル上の照射領域に応じて照射時間を任意に設定することができないという不便もある。
なお、特許文献1の液晶セルを隙間なく連続させた構造の液晶フォトマスクは、集積回路パターンを露光するために液晶セルを用いたものであるため、特許文献1記載の技術においても、上記課題は同様に存在するものである。
そこで、本発明の技術的課題は、レチクル上に照射される照射光を柔軟に制御することことにある。
また、上記の液晶ブラインドにおいて、前記液晶セルは、前記照射領域に応じて照射時間を制御されることを特徴としても良い。
また、上記の半導体装置の製造方法において、前記液晶ブラインドは、第1の方向を有する第1の電極層と、前記第1の方向に交差する第2の方向を有する第2の電極層と、をさらに含み、前記照射パターンは、前記第1の電極層および前記第2の電極層への電圧印加を制御することにより形成されることを特徴としても良い。
また、上記の半導体装置の製造方法において、前面遮光状態にする段階をさらに含み、前記遮光状態にする段階は、前記投影露光を行う段階の前及び後に行われることを特徴としても良い。
本発明のさらに別の態様に係る縮小投影露光装置は、複数の液晶セルを有し液晶駆動方式により駆動する液晶ブラインドと、記憶装置と、コントローラと、を備え、前記記憶装置は、露光制御プログラムを有し、前記コントローラは、前記露光制御プログラムにより前記液晶ブラインドに照射パターンを定めて露光条件を設定することを特徴とするものである。
第1の発明は、被露光半導体基板面上への縮小投影露光時にレチクル上へ照射される照射光の照射領域を設定するための照射パターンを可変設定する機能を持ち、液晶駆動方式により駆動されて前記照射領域を可変設定することを特徴とする液晶ブラインドである。このような構成によれば、液晶駆動方式により駆動される構造であるため、レチクル上へ照射される照射光の照射領域の形状を可変設定することが可能となる。即ち、レチクル上に照射される照射光を柔軟に制御することが可能となる。
(実施形態1)
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体製造用縮小投影露光装置の基本構成を示した概略図である。又、図2はこの半導体製造用縮小投影露光装置の要部である液晶ブラインド17の基本構造を一部破断して示した平面図である。
この液晶セル構造では、縦方向電極171及び横方向電極172の間への電圧印加に応じて液晶分子の配向が揃うことにより、照射領域として液晶セル毎に光透過率を選択的に制御可能な光学的開口部を成す。
即ち、この液晶ブラインド17の場合、液晶駆動方式により駆動されて照射光の照射パターンを可変設定することにより、レチクル10上へ照射される照射光の照射領域の形状を可変設定することが可能となる。
又、この半導体製造用縮小投影露光装置は、全反射ミラー8で全反射された照射光を透過してその照射パターンの像をレチクル10上に結像するコンデンサーレンズ9と、コンデンサーレンズ9を透過した照射パターンを開口部分の投影領域内(露光ショット面内)の製品パターン領域として規定するレチクル10と、レチクル10からの製品パターン領域とされた照射光を縮小投影するように透過して被露光半導体基板面上へレジストパターン像として投影露光する縮小投影レンズ11と、被露光半導体基板が載置されるテーブル12と、製品パターン領域のレジストパターン像が投影露光される被露光半導体基板としての半導体ウエハ13と、を備えている。
図3は、図2中のA−A´線方向における液晶ブラインド17の側面断面図である。又、図4は、図2中のB−B´線方向における液晶ブラインド17の側面断面図である。
具体的に云えば、光透過率を持つ基板は石英基板173であり、石英基板173上に形成される縦方向透明電極171については、錫をドープした酸化インジウム(ITO)を用いて石英基板173上に1層目の縦方向電極171aを形成した後、その上に二酸化ケイ素(SiO2)等による第1の絶縁膜174aを形成し、更にその上に同じく酸化イン
ジウム(ITO)を用いて2層目の縦方向電極171bを形成した多層構造である。2層目の縦方向電極171b上にはPIQ膜等による第1の配向膜175aが形成され、その上に液晶セル構造の液晶176が形成され、更にその上にPIQ膜等による第2の配向膜175bが形成される。
その上に同じく酸化インジウム(ITO)を用いて2層目の横方向電極172bを形成した多層構造である。
即ち、この液晶ブラインド17は、2層構造の縦方向透明電極171a、171bと2層構造の横方向透明電極172a、172bとの間に第1の配向膜175a、第2の配向膜175bを介在させて液晶176を挟んだ構造となっている。液晶176の各液晶セルの番地に対応した縦方向電極171a、171bと横方向透明電極172a、172bに書き込み信号(電圧印加の制御信号)を与えれば、液晶分子の配向を制御することができ、その結果として、各液晶セル毎に照射光の透過、遮断を選択的に制御することが可能となる。
実施形態1に係る半導体製造用縮小投影露光装置の場合、記憶装置15及びコントローラ14の働きにより、液晶ブラインド17においてレチクル10上に照射される照射光の照射領域の形状、及びその照射領域に応じた照射時間を任意に設定する。
換言すれば、記憶装置15及びコントローラ14の働きにより、液晶ブラインド17の光学的開口部において照射光の照射時間を何段階かに分け、各段階で照射領域の形状を変化させることにより、レチクル10上の照射領域に応じて照射時間を任意に制御できると共に、レチクル10の投影領域内の露光エネルギーを適切な値にして部分的に制御できる。
従って、実施例1に係る液晶ブラインド17を備えた半導体製造用縮小投影露光装置によれば、レチクル10上に照射される照射光の照射領域の形状、及びその照射領域に応じた照射時間を任意に設定でき、投影露光されるレジストパターン像の寸法精度を露光ショット面内において良好(ほぼ均一)に保ち得る。
図5は、この半導体製造用縮小投影露光装置における液晶ブラインド17の照射制御を受けたレチクル10上の照射パターンにより可変される製品パターン領域EPを例示した
もので、同図(a)は全領域照射パターンに関するもの、同図(b)は部分領域照射パターンに関するものである。
又、図6は、図5(a)、(b)の場合に半導体ウエハ13のレジスト膜面上に投影露光されるレジストパターン寸法の計測結果を例示したもので、同図(a)は全領域照射パターンの各製品チップ毎のレジストパターン寸法に関するもの、同図(b)は部分領域照射パターンの各製品チップ毎のレジストパターン寸法に関するものである。
ここでは、先ず半導体製造用縮小投影露光装置において、記憶装置15に格納されている露光制御プログラムに従ってコントローラ14が液晶ブラインド17の各液晶セルの番地に対応した縦方向電極171(171a、171b)及び横方向電極172(172a、172b)に書き込み信号を与え、図5(a)に示されるような全領域照射パターンとして製品パターン領域EPに存在する各製品チップ(a〜p)の全体が照射領域となるよう制御する。
、記憶装置15に格納された特性データから必要な露光(照射)時間の300msec(図7に示される)を読み取ったコントローラ14がシャッタ3の開閉状態を制御し、照射光を300msec間照射する。但し、本来投影露光後の各製品チップ(a〜p)のレジストパターン寸法は1μmとして仕上げる必要があるものの、装置の照射光学系、投影光学系に起因する照度ムラや収差等に影響されて露光ショット面内の寸法精度が著しく低下する場合がある。
図6(a)に示される結果に基づいて、図7の特性図から各製品チップ(a〜p)の最適な露光(照射)時間を見積もると、ショット中心部に位置される各製品チップ(f、g、j、k)については、それらの平均寸法が0.88μmであることにより+0.12μmとするためには260msecとし、その周囲の各製品チップ(a、b、c、d、e、h、i、l、m、n、o、p)については、平均寸法が0.99μmであるため、そのまま300msecで投影露光するのが最適であることが判る。
図6(b)は、こうした手順で照射領域を可変設定して投影露光された各製品チップ(a〜p)について、レジストパターン寸法を計測した結果を示している。図6(b)を参照すれば、各製品チップ(a〜p)の露光ショット面内における平均寸法が0.99μmと設計値1.00μmに近付き、寸法精度も5.0%に改善され、装置の照射光学系、投影光学系に起因する照度ムラや収差等の影響が解消されることが判る。
そのため、半導体ウエハ13のレジスト膜面上に投影露光されるレジストパターン像の寸法精度を露光ショット面内においてほぼ均一に保ち得るため、各製品チップ(a〜p)間のパターン寸法差が小さく抑えられることになり、レジストパターン像の寸法精度が優れた品質高い半導体装置を歩留まり良く簡易に製造し得る。
実施形態1に係る半導体製造用縮小投影露光装置の場合、記憶装置15及びコントローラ14の働きで液晶ブラインド17の光学的開口部を2段階に制御して照射光の照射領域の形状を可変設定した場合を説明したが、実施形態2では更に細かく段階的な制御を行って照射領域の形状を可変設定する。
図8は、実施形態2に係る半導体製造用縮小投影露光装置における液晶ブラインド17の照射制御を受けたレチクル10上の照射パターンにより可変される製品パターン領域EPを例示したもので、同図(a)は全領域照射パターンに関するもの、同図(b)は第1
の部分領域照射パターンに関するもの、同図(c)は第2の部分領域照射パターンに関するもの、同図(d)は第3の部分領域照射パターンに関するもの、同図(e)は全領域非照射パターンに関するものである。又図9は、図8(a)〜(e)の場合に半導体ウエハ13のレジスト膜面上に投影露光された各製品チップ(a〜p)毎のレジストパターン寸法の計測結果を例示したものである。
具体的に云えば、ショット中心部に位置される各製品チップ(f、g、j、k)については露光時間を260msecとし、その上方部分の各製品チップ(b、c)については露光時間を290msecとし、その下方部両端の各製品チップ(m、p)については露光時間を310msecとし、その他の各製品チップ(a、d、e、h、i、l、n、o)については露光時間を300msecとする。
即ち、図8(a)に示される全領域照射パターンの各製品チップ(a〜p)では照射時間が0〜260msecの範囲となり、図8(b)に示される第1の部分領域照射パターンの各製品チップ(a、b、c、d、e、h、i、l、m、n、o、p)では、照射時間が260〜290msecの範囲となる。又、図8(c)に示される第2の部分領域照射パターンの各製品チップ(a、d、e、h、i、l、m、n、o、p)では、照射時間が290〜300msecの範囲となり、図8(d)に示される第3の部分領域照射パターンの各製品チップ(m、p)では、照射時間が300〜310msecの範囲となる。尚、図8(e)に示される全領域非照射パターンは、コントローラ14がシャッタ3を制御し、照射光の照射前[図8(a)の前]と照射後[図8(d)の後]とにおける液晶ブラインド17の状態(投影領域内)を全面遮光状態とするものである。
尚、上述した実施形態1、2に係る半導体製造用縮小投影露光装置では、照射光の照射時間を開閉状態により調整可能なシャッタ3を備え、液晶ブラインド17において適当な照射時間の入射光が得られるようにコントローラ14によりシャッタ3の開閉制御を行わせると共に、レチクル10上へ照射される照射光の照射領域を可変的に設定するための液晶ブラインド17への電圧印加の制御を追従して行わせることにより、投影露光によるレジストパターン像の寸法精度の確保を一層安定して行わせることができる構成を説明したが、ここでの液晶ブラインド17は図8(e)の全領域非照射パターンの全面遮光状態で説明したようにそれ自体がシャッタ3の役割を兼ね備えるため、シャッタ3を具備しない構成とすることもできる。こうした場合においても、投影露光によるレジストパターン像の寸法精度の確保を同様に安定して行わせることができる。
即ち、記憶装置15及びコントローラ14の働きにより、投影露光を行わない照射光の照射前後で全面遮光データに基づいて、例えば液晶ブラインド17自体の光学的開口部の全体を閉状態とすれば、レチクル10の投影領域内が全面遮光状態となってシャッタ3の役割を兼ね備えることが可能であるため、照射光学系でシャッタ3を用いなくても済むようになる。
上記の実施形態1、2では、縦方向電極171又は横方向電極172のうちの一方が本発明の「第1の電極層」に対応し、縦方向電極171又は横方向電極172のうちの他方が本発明の「第2の電極層」に対応している。
記憶装置、17 液晶ブラインド、171 縦方向透明電極、172 横方向透明電極
Claims (7)
- 透明な第1の電極層と、
前記第1の電極層に交差する透明な第2の電極層と、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に形成された液晶セルと、を含む液晶ブラインドであって、
前記液晶ブラインドは、照射パターンを備え、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の間に電圧印加することにより、半導体基板に照射光を照射する照射領域を設定し、前記照射パターンが決定されることを特徴とする液晶ブラインド。 - 前記液晶セルは、前記照射領域に応じて照射時間を制御されることを特徴とする請求項1に記載の液晶ブラインド。
- 複数の液晶セルを有し液晶駆動方式により駆動する液晶ブラインドを用いた半導体装置の製造方法であって、
露光条件を設定する段階と、
投影露光を行う段階と、を含み、
前記露光条件を設定する段階は、前記複数の液晶セルごとに、電圧引加することにより、照射パターンを定める段階であって、
前記投影露光を行う段階は、前記照射パターンを介して、投影露光する段階であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記液晶ブラインドは、第1の方向を有する第1の電極層と、前記第1の方向に交差する第2の方向を有する第2の電極層と、をさらに含み、
前記照射パターンは、前記第1の電極層および前記第2の電極層への電圧印加を制御することにより形成されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記電圧印加は、前記投影露光する領域に応じた照射時間データに基づいて制御されることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前面遮光状態にする段階をさらに含み、
前記遮光状態にする段階は、前記投影露光を行う段階の前及び後に行われることを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数の液晶セルを有し液晶駆動方式により駆動する液晶ブラインドと、
記憶装置と、
コントローラと、を備え、
前記記憶装置は、露光制御プログラムを有し、
前記コントローラは、前記露光制御プログラムにより前記液晶ブラインドに照射パターンを定めて露光条件を設定することを特徴とする縮小投影露光装置。
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