JPH06260395A - 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品 - Google Patents
半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品Info
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- JPH06260395A JPH06260395A JP5043797A JP4379793A JPH06260395A JP H06260395 A JPH06260395 A JP H06260395A JP 5043797 A JP5043797 A JP 5043797A JP 4379793 A JP4379793 A JP 4379793A JP H06260395 A JPH06260395 A JP H06260395A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体露光装置において、塵挨の拡散及び摩
耗による発塵の抑制、装置の小型化並びに調整の簡略化
を目的とする。 【構成】 シャッター４と、シャッター４を透過した光
の広がり角度を調整するシグマ絞りと、あるいは変形光
源用絞りと、光の照射範囲を決定するレチクルブライン
ド７と、露光パターンを有し、露光パターンの光学像を
与えるレチクル９と、露光パターンの光学像を半導体基
板上に投影する投影レンズ１０の開口数を決定する開口
数絞り１１とを液晶基板で構成し、電気信号の印加によ
りこれらの光学的特性を変化させる。 【効果】 上記光学部品の機械的駆動や交換が不要とな
るので、塵挨の拡散及び摩耗による発塵を抑制し、装置
の小型化並びに調整の簡略化を達成できる。
耗による発塵の抑制、装置の小型化並びに調整の簡略化
を目的とする。 【構成】 シャッター４と、シャッター４を透過した光
の広がり角度を調整するシグマ絞りと、あるいは変形光
源用絞りと、光の照射範囲を決定するレチクルブライン
ド７と、露光パターンを有し、露光パターンの光学像を
与えるレチクル９と、露光パターンの光学像を半導体基
板上に投影する投影レンズ１０の開口数を決定する開口
数絞り１１とを液晶基板で構成し、電気信号の印加によ
りこれらの光学的特性を変化させる。 【効果】 上記光学部品の機械的駆動や交換が不要とな
るので、塵挨の拡散及び摩耗による発塵を抑制し、装置
の小型化並びに調整の簡略化を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体露光装置の概略構成
を示す図である。
を示す図である。
【０００３】この露光装置は、光源手段としての水銀ラ
ンプ１と反射鏡２を備え、水銀ランプ１から照射される
露光光の光軸上には、水銀ランプ１からの光を反射し光
軸調整を行う第１反射板３と、露光光量調整のためのシ
ャッター２５と、照度均一化のためのフライアイレンズ
５と、露光光の光束角度調整のためのシグマ絞りあるい
は変形光源用絞り６と、露光光の光束面積調整のための
レチクルブラインド７と、光軸調整のための第２反射板
８と、露光パターンを有するレチクル９と、前記レチク
ル９の露光パターンの光学像を半導体基板１２上に縮小
投影する縮小投影レンズ１０と、縮小投影レンズ１０の
開口数を決める開口数絞り１１を備えている。縮小投影
レンズ１０と開口数絞り１１は添設しており、温度調整
された容器３０内に設置されている。
ンプ１と反射鏡２を備え、水銀ランプ１から照射される
露光光の光軸上には、水銀ランプ１からの光を反射し光
軸調整を行う第１反射板３と、露光光量調整のためのシ
ャッター２５と、照度均一化のためのフライアイレンズ
５と、露光光の光束角度調整のためのシグマ絞りあるい
は変形光源用絞り６と、露光光の光束面積調整のための
レチクルブラインド７と、光軸調整のための第２反射板
８と、露光パターンを有するレチクル９と、前記レチク
ル９の露光パターンの光学像を半導体基板１２上に縮小
投影する縮小投影レンズ１０と、縮小投影レンズ１０の
開口数を決める開口数絞り１１を備えている。縮小投影
レンズ１０と開口数絞り１１は添設しており、温度調整
された容器３０内に設置されている。
【０００４】また、この露光装置はレチクル９の収納の
ためのレチクルライブラリ２４と、塵挨検査用のパーテ
ィクルチェックボックス２３を備えている。
ためのレチクルライブラリ２４と、塵挨検査用のパーテ
ィクルチェックボックス２３を備えている。
【０００５】動作において、水銀ランプ１から出射した
露光光は反射鏡２で集光され第１反射板３に照射され
る。反射板３は照射された露光光を、予め設定された光
学系の光軸に導く。反射板３により光路を変更された露
光光は回転する４枚羽によって構成されるシャッター２
５に導かれ、光量を調節されてフライアイレンズ５に導
かれる。シャッター２５は回転することにより羽根と羽
根の間から必要な光量を通し、光量を調節する。光量調
節後にシャッター２５は再び羽根により露光光を遮断す
る。光量を調節した露光光は、フライアイレンズ５に導
かれ、露光光の照度を均一化してシグマ絞り６に導かれ
る。シグマ絞り６は光の広がり角度である光束角度を調
整する作用を有し、レチクル９を照射する露光光の光束
角度を決定する。光束角度を決定した光をレチクルブラ
インド７に導き、レチクルブラインド７によりレチクル
９を照射する領域を決定する。以上の光学系により照射
条件を具備した露光光は、第２の反射板８により反射さ
れて光路を変更しレチクル９を照射する。
露光光は反射鏡２で集光され第１反射板３に照射され
る。反射板３は照射された露光光を、予め設定された光
学系の光軸に導く。反射板３により光路を変更された露
光光は回転する４枚羽によって構成されるシャッター２
５に導かれ、光量を調節されてフライアイレンズ５に導
かれる。シャッター２５は回転することにより羽根と羽
根の間から必要な光量を通し、光量を調節する。光量調
節後にシャッター２５は再び羽根により露光光を遮断す
る。光量を調節した露光光は、フライアイレンズ５に導
かれ、露光光の照度を均一化してシグマ絞り６に導かれ
る。シグマ絞り６は光の広がり角度である光束角度を調
整する作用を有し、レチクル９を照射する露光光の光束
角度を決定する。光束角度を決定した光をレチクルブラ
インド７に導き、レチクルブラインド７によりレチクル
９を照射する領域を決定する。以上の光学系により照射
条件を具備した露光光は、第２の反射板８により反射さ
れて光路を変更しレチクル９を照射する。
【０００６】レチクル９は半導体の露光パターンを有
し、露光光の照射により露光パターンの光学像を与え
る。露光パターンの光学像は縮小投影レンズ１０によ
り、フォトレジストを塗布した半導体基板１２上に縮小
投影され、フォトレジストを感光して露光パターンを半
導体基板１２上に形成する。
し、露光光の照射により露光パターンの光学像を与え
る。露光パターンの光学像は縮小投影レンズ１０によ
り、フォトレジストを塗布した半導体基板１２上に縮小
投影され、フォトレジストを感光して露光パターンを半
導体基板１２上に形成する。
【０００７】露光パターンを有するレチクル９は、露光
パターン変更の際には交換する必要があるので、多数の
レチクル９が用意されている。用意されたレチクル９
は、レチクルライブラリ２４に収納されており、必要に
応じて取り出される。レチクル９の光学系への取り付け
の際は、パーティクルチェックボックス２３により、レ
チクル９の塵挨付着状況の確認が行われる。また、レチ
クルの搬送にはロボットアーム等の搬送装置が使用され
る。
パターン変更の際には交換する必要があるので、多数の
レチクル９が用意されている。用意されたレチクル９
は、レチクルライブラリ２４に収納されており、必要に
応じて取り出される。レチクル９の光学系への取り付け
の際は、パーティクルチェックボックス２３により、レ
チクル９の塵挨付着状況の確認が行われる。また、レチ
クルの搬送にはロボットアーム等の搬送装置が使用され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体露光装置
は以上のように構成されているので、露光光の光量調整
に伴うシャッター２５の回転による塵挨の拡散や可動部
の摩耗による発塵、また露光パターンの細密化に伴って
必要となるシグマ絞りあるいは変形光源用絞り６の交換
に際して発塵が起こる。
は以上のように構成されているので、露光光の光量調整
に伴うシャッター２５の回転による塵挨の拡散や可動部
の摩耗による発塵、また露光パターンの細密化に伴って
必要となるシグマ絞りあるいは変形光源用絞り６の交換
に際して発塵が起こる。
【０００９】最も大きな発塵は、露光パターンの変更の
ためにレチクル９を交換する際に、レチクル９をレチク
ルライブラリ２４から取り出し、パーティクルチェック
ボックス２３を通して光学系の所定位置に取り付ける場
合及び逆に取り外す場合に、使用されるロボットアーム
等の搬送機器の可動により発生する。
ためにレチクル９を交換する際に、レチクル９をレチク
ルライブラリ２４から取り出し、パーティクルチェック
ボックス２３を通して光学系の所定位置に取り付ける場
合及び逆に取り外す場合に、使用されるロボットアーム
等の搬送機器の可動により発生する。
【００１０】また、半導体装置の製造過程においては多
数の露光パターンを必要とするために、レチクル９も多
数必要であり交換の頻度も高い。またレチクル９の取り
付けには高精度な位置決めが必要であり、露光パターン
の細密化に伴う位置決め装置の大型化による本体露光装
置の大型化及び調整の複雑化による調整時間の長時間化
が懸念されている。
数の露光パターンを必要とするために、レチクル９も多
数必要であり交換の頻度も高い。またレチクル９の取り
付けには高精度な位置決めが必要であり、露光パターン
の細密化に伴う位置決め装置の大型化による本体露光装
置の大型化及び調整の複雑化による調整時間の長時間化
が懸念されている。
【００１１】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、塵挨の拡散及び摩耗による
発塵の抑制、さらにはレチクルの数量削減と装置全体の
小型化並びに調整の簡略化を達成する半導体露光装置を
得ることを目的とする。
ためになされたものであり、塵挨の拡散及び摩耗による
発塵の抑制、さらにはレチクルの数量削減と装置全体の
小型化並びに調整の簡略化を達成する半導体露光装置を
得ることを目的とする。
【００１２】さらには機械的可動部を有しない、電子的
可動部のみからなる半導体露光装置用フォトマスク、半
導体露光装置用シャッター、半導体露光装置用レチクル
ブラインド、半導体露光装置用シグマ絞り、半導体露光
装置用変形光源用絞り、半導体露光装置用開口数絞りを
得ることを目的とする。
可動部のみからなる半導体露光装置用フォトマスク、半
導体露光装置用シャッター、半導体露光装置用レチクル
ブラインド、半導体露光装置用シグマ絞り、半導体露光
装置用変形光源用絞り、半導体露光装置用開口数絞りを
得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体露光
装置の第１の態様は、前記半導体露光装置の光学系にお
いて、液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成する
ことにより、前記液晶基板への電気信号の印加に応じて
光学的特性を変化できるようにした光学部品を少なくと
も１つ備えている。
装置の第１の態様は、前記半導体露光装置の光学系にお
いて、液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成する
ことにより、前記液晶基板への電気信号の印加に応じて
光学的特性を変化できるようにした光学部品を少なくと
も１つ備えている。
【００１４】本発明に係る半導体露光装置の第２の態様
は、前記光学部品として、前記露光装置の光源手段から
の露光光を透過または遮断するシャッターと、前記シャ
ッターを透過した光の広がり角度を調整するシグマ絞り
あるいは変形光源用絞りと、前記シグマ絞りあるいは変
形光源用絞りにより広がり角度を調整された光の、照射
範囲を決定するレチクルブラインドと、露光パターンを
有し、前記レチクルブラインドからの光を受け前記露光
パターンの光学像を与えるレチクルと、前記レチクルで
与えられた前記光学像を半導体基板上に投影するレンズ
の開口数を決定する開口数絞りとを備えている。
は、前記光学部品として、前記露光装置の光源手段から
の露光光を透過または遮断するシャッターと、前記シャ
ッターを透過した光の広がり角度を調整するシグマ絞り
あるいは変形光源用絞りと、前記シグマ絞りあるいは変
形光源用絞りにより広がり角度を調整された光の、照射
範囲を決定するレチクルブラインドと、露光パターンを
有し、前記レチクルブラインドからの光を受け前記露光
パターンの光学像を与えるレチクルと、前記レチクルで
与えられた前記光学像を半導体基板上に投影するレンズ
の開口数を決定する開口数絞りとを備えている。
【００１５】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるレチクルは露光パターンを有し、前記露光パターン
の形成に液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成さ
れ、前記液晶基板への電気信号の印加に応じて前記露光
パターンが可変できることを特徴とする。
あるレチクルは露光パターンを有し、前記露光パターン
の形成に液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成さ
れ、前記液晶基板への電気信号の印加に応じて前記露光
パターンが可変できることを特徴とする。
【００１６】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるシャッターは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過または遮断ができることを特徴とする。
あるシャッターは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過または遮断ができることを特徴とする。
【００１７】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるレチクルブラインドは、液晶の光学的特性を利用し
た液晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印
加に応じて露光光の透過領域が可変できることを特徴と
する。
あるレチクルブラインドは、液晶の光学的特性を利用し
た液晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印
加に応じて露光光の透過領域が可変できることを特徴と
する。
【００１８】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるシグマ絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする。
あるシグマ絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする。
【００１９】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
ある変形光源用絞りは、液晶の光学的特性を利用した液
晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に
応じて開口部形状が可変できることを特徴とする。
ある変形光源用絞りは、液晶の光学的特性を利用した液
晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に
応じて開口部形状が可変できることを特徴とする。
【００２０】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
ある開口数絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする半導
体露光装置用光学部品。
ある開口数絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする半導
体露光装置用光学部品。
【００２１】本発明に係る半導体露光装置用光学部品に
おいては望ましくは、液晶と、前記液晶の両側に配置さ
れた前記液晶を挟み込むための透明基板と、前記透明基
板の両内側に密着して形成された、前記液晶に電界を加
えるための透明電極膜とを少なくとも備えて構成された
液晶基板により構成される。
おいては望ましくは、液晶と、前記液晶の両側に配置さ
れた前記液晶を挟み込むための透明基板と、前記透明基
板の両内側に密着して形成された、前記液晶に電界を加
えるための透明電極膜とを少なくとも備えて構成された
液晶基板により構成される。
【００２２】
【作用】本発明に係る半導体露光装置の第１の態様によ
れば、光学系を構成する光学部品の少なくとも１つを、
液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成することに
より、液晶基板への電気信号の印加に応じて光学的特性
が変化できるので、従来は光学的特性を変更するに際し
ては機械的駆動を伴ったり、交換作業が必要であった光
学部品を、機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部
品にすることができる。
れば、光学系を構成する光学部品の少なくとも１つを、
液晶の光学的特性を利用した液晶基板で構成することに
より、液晶基板への電気信号の印加に応じて光学的特性
が変化できるので、従来は光学的特性を変更するに際し
ては機械的駆動を伴ったり、交換作業が必要であった光
学部品を、機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部
品にすることができる。
【００２３】本発明に係る半導体露光装置の第２の態様
によれば、光学部品には露光装置の光源手段からの露光
光を透過または遮断するシャッターと、シャッターを透
過した露光光の広がり角度を調整するシグマ絞りあるい
は変形光源用絞りと、シグマ絞りあるいは変形光源用絞
りにより広がり角度を調整された露光光の照射範囲を決
定するレチクルブラインドと、露光パターンを有し、レ
チクルブラインドからの露光光を受け露光パターンの光
学像を与えるレチクルと、レチクルで与えられた光学像
を半導体基板上に投影するレンズの開口数を決定する開
口数絞りとを含んでいるので、これらの少なくとも１つ
を機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部品にする
ことができる。
によれば、光学部品には露光装置の光源手段からの露光
光を透過または遮断するシャッターと、シャッターを透
過した露光光の広がり角度を調整するシグマ絞りあるい
は変形光源用絞りと、シグマ絞りあるいは変形光源用絞
りにより広がり角度を調整された露光光の照射範囲を決
定するレチクルブラインドと、露光パターンを有し、レ
チクルブラインドからの露光光を受け露光パターンの光
学像を与えるレチクルと、レチクルで与えられた光学像
を半導体基板上に投影するレンズの開口数を決定する開
口数絞りとを含んでいるので、これらの少なくとも１つ
を機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部品にする
ことができる。
【００２４】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるレチクルは、液晶の光学的特性を利用した液晶基板
で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露光
パターンが可変できるので、従来は必要であった露光パ
ターンの変更に伴うレチクルの交換作業を不要にするこ
とができる。
あるレチクルは、液晶の光学的特性を利用した液晶基板
で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露光
パターンが可変できるので、従来は必要であった露光パ
ターンの変更に伴うレチクルの交換作業を不要にするこ
とができる。
【００２５】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるシャッターは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過または遮断ができるので、従来は必要であっ
た露光光の透過、遮断に伴う機械的駆動を不要にするこ
とができる。
あるシャッターは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過または遮断ができるので、従来は必要であっ
た露光光の透過、遮断に伴う機械的駆動を不要にするこ
とができる。
【００２６】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるレチクルブラインドは、液晶の光学的特性を利用し
た液晶基板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に
応じて露光光の透過領域が可変できるので、従来は必要
であった露光光の透過領域の変更に伴うレチクルブライ
ンドの交換作業を不要にすることができる。
あるレチクルブラインドは、液晶の光学的特性を利用し
た液晶基板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に
応じて露光光の透過領域が可変できるので、従来は必要
であった露光光の透過領域の変更に伴うレチクルブライ
ンドの交換作業を不要にすることができる。
【００２７】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
あるシグマ絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過面積が可変できるので、従来は必要であった
露光光の透過面積の変更に伴うシグマ絞りの交換作業を
不要にすることができる。
あるシグマ絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過面積が可変できるので、従来は必要であった
露光光の透過面積の変更に伴うシグマ絞りの交換作業を
不要にすることができる。
【００２８】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
ある変形光源用絞りは、液晶の光学的特性を利用した液
晶基板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じ
て開口部形状が可変できるので、従来は必要であった開
口部形状の変更に伴う変形光源用絞りの交換作業を不要
にすることができる。
ある変形光源用絞りは、液晶の光学的特性を利用した液
晶基板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じ
て開口部形状が可変できるので、従来は必要であった開
口部形状の変更に伴う変形光源用絞りの交換作業を不要
にすることができる。
【００２９】本発明に係る半導体露光装置の光学部品で
ある開口数絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過面積が可変できるので、従来は必要であった
露光光の透過面積の変更に伴う開口数絞りの交換作業を
不要にすることができる。
ある開口数絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、液晶基板への電気信号の印加に応じて露
光光の透過面積が可変できるので、従来は必要であった
露光光の透過面積の変更に伴う開口数絞りの交換作業を
不要にすることができる。
【００３０】本発明に係る半導体露光装置用光学部品を
構成する液晶基板は、液晶と、液晶の両側に配置された
液晶を挟み込むための透明基板と、透明基板の両内側に
密着して形成されたされた液晶に電界を加えるための透
明電極膜とを少なくとも備えている。よって、透明電極
の一方を分割し、各々に制御のための薄膜トランジスタ
（以後ＴＦＴと略記）を添設して、独立制御可能な画素
電極とした場合においては、液晶の応答特性の向上、解
像度の増加、液晶基板の透明化を達成できる。
構成する液晶基板は、液晶と、液晶の両側に配置された
液晶を挟み込むための透明基板と、透明基板の両内側に
密着して形成されたされた液晶に電界を加えるための透
明電極膜とを少なくとも備えている。よって、透明電極
の一方を分割し、各々に制御のための薄膜トランジスタ
（以後ＴＦＴと略記）を添設して、独立制御可能な画素
電極とした場合においては、液晶の応答特性の向上、解
像度の増加、液晶基板の透明化を達成できる。
【００３１】
【実施例】図１に本発明に係る半導体露光装置の一実施
例を示す。図１において、露光光量調整のためのシャッ
ター４と、露光光の広がり角度調整のためのシグマ絞り
６あるいは変形光源用絞りと、露光光の照射面積調整の
ためのレチクルブラインド７と、露光パターンを有する
レチクル９と、縮小投影レンズ１０の開口数を決める開
口数絞り１１は液晶基板により構成されている。その他
の構成は図４に示す従来の半導体露光装置と同じであ
る。
例を示す。図１において、露光光量調整のためのシャッ
ター４と、露光光の広がり角度調整のためのシグマ絞り
６あるいは変形光源用絞りと、露光光の照射面積調整の
ためのレチクルブラインド７と、露光パターンを有する
レチクル９と、縮小投影レンズ１０の開口数を決める開
口数絞り１１は液晶基板により構成されている。その他
の構成は図４に示す従来の半導体露光装置と同じであ
る。
【００３２】動作において、シャッター４に導かれた露
光光は液晶の光透過作用によりシャッター４を透過す
る。この場合、透過光量は液晶の光透過作用を示す部分
の面積と透過作用の持続時間によって決定される。故
に、光量を加減するには液晶基板の電気的制御により、
光透過部分と光遮断部分の割合と透過時間を調整するこ
とで対応できるので、機械的可動部分を必要としない。
光量調節後には、シャッター４は光遮断部分のみとなっ
て露光光を遮断する。
光光は液晶の光透過作用によりシャッター４を透過す
る。この場合、透過光量は液晶の光透過作用を示す部分
の面積と透過作用の持続時間によって決定される。故
に、光量を加減するには液晶基板の電気的制御により、
光透過部分と光遮断部分の割合と透過時間を調整するこ
とで対応できるので、機械的可動部分を必要としない。
光量調節後には、シャッター４は光遮断部分のみとなっ
て露光光を遮断する。
【００３３】シャッター４を透過した露光光はフライア
イレンズ５に導かれ、露光光の照度が均一化された後シ
グマ絞り６に導かれる。シグマ絞り６はレチクル９を照
射する露光光の広がり角度を決定するためのものであ
り、従来の半導体露光装置では径の寸法が固定された円
孔開口部により構成されていた。よって、露光パターン
の細線化に伴って円孔の径を変化させる必要がある場合
には、機械的な交換作業を行う必要があり、交換作業に
よる発塵等が発生した。
イレンズ５に導かれ、露光光の照度が均一化された後シ
グマ絞り６に導かれる。シグマ絞り６はレチクル９を照
射する露光光の広がり角度を決定するためのものであ
り、従来の半導体露光装置では径の寸法が固定された円
孔開口部により構成されていた。よって、露光パターン
の細線化に伴って円孔の径を変化させる必要がある場合
には、機械的な交換作業を行う必要があり、交換作業に
よる発塵等が発生した。
【００３４】本実施例では液晶基板の電気的制御によ
り、円孔開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の寸
法を任意に変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要
としない。これは、シグマ絞り６の代わりに変形光源用
絞りを用いた場合も同様である。
り、円孔開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の寸
法を任意に変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要
としない。これは、シグマ絞り６の代わりに変形光源用
絞りを用いた場合も同様である。
【００３５】変形光源用絞りはシグマ絞りと同様な機能
を備えており、異なるのはシグマ絞りの開口部が円孔で
あるのに対して、開口部形状が円孔ではないことであ
る。その形状は楕円や矩形、多角形等である。よって従
来は、開口部形状を変更する際にはシグマ絞りと同様に
発塵を伴う交換作業が必要であった。
を備えており、異なるのはシグマ絞りの開口部が円孔で
あるのに対して、開口部形状が円孔ではないことであ
る。その形状は楕円や矩形、多角形等である。よって従
来は、開口部形状を変更する際にはシグマ絞りと同様に
発塵を伴う交換作業が必要であった。
【００３６】本実施例では液晶基板の電気的制御によ
り、開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の形状を
任意に変更できる。
り、開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の形状を
任意に変更できる。
【００３７】シグマ絞り６を透過した露光光はレチクル
ブラインド７に導かれる。レチクルブラインド７はレチ
クル９を照射する露光光の照射面積を決定するためのも
のであり、従来の半導体露光装置ではレチクル９の面積
に応じて変更する必要がある場合には発塵を伴う交換作
業を必要とした。
ブラインド７に導かれる。レチクルブラインド７はレチ
クル９を照射する露光光の照射面積を決定するためのも
のであり、従来の半導体露光装置ではレチクル９の面積
に応じて変更する必要がある場合には発塵を伴う交換作
業を必要とした。
【００３８】本実施例では液晶基板の電気的制御によ
り、開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の面積を
任意に変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要とし
ない。
り、開口部分に相当する液晶基板の光透過部分の面積を
任意に変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要とし
ない。
【００３９】レチクルブラインド７を透過した露光光は
レチクル９に導かれる。レチクル９は半導体の露光パタ
ーンを有し、露光光の照射により露光パターンの光学像
を与える機能を有している。従来の半導体露光装置で
は、レチクルは石英ガラス等の透明基板に露光パターン
を描画したものであった。
レチクル９に導かれる。レチクル９は半導体の露光パタ
ーンを有し、露光光の照射により露光パターンの光学像
を与える機能を有している。従来の半導体露光装置で
は、レチクルは石英ガラス等の透明基板に露光パターン
を描画したものであった。
【００４０】本実施例では露光パターンを液晶基板上に
液晶表示で描くため、露光パターンの形成は液晶基板の
電気的制御により任意にできるので、露光パターンの変
更にはレチクル９の機械的移動を伴わず、発塵を伴う交
換作業を必要としない。それだけでなく、レチクル９を
搬送するロボットアーム等の搬送装置が必要なく、多数
のレチクルを収納する装置も移動中のレチクルの塵挨付
着状況を確認する装置も必要ない。さらに、基本的には
レチクルの取り付け、取り外しを行う必要がないので、
取り付けに伴うアライメント調整機構も簡略化できる。
液晶表示で描くため、露光パターンの形成は液晶基板の
電気的制御により任意にできるので、露光パターンの変
更にはレチクル９の機械的移動を伴わず、発塵を伴う交
換作業を必要としない。それだけでなく、レチクル９を
搬送するロボットアーム等の搬送装置が必要なく、多数
のレチクルを収納する装置も移動中のレチクルの塵挨付
着状況を確認する装置も必要ない。さらに、基本的には
レチクルの取り付け、取り外しを行う必要がないので、
取り付けに伴うアライメント調整機構も簡略化できる。
【００４１】レチクル９の露光パターンの光学像は縮小
投影レンズ１０により、フォトレジストを塗布した半導
体基板１２上に縮小投影され、フォトレジストを感光し
て露光パターンを半導体基板１２上に形成する。縮小投
影レンズ１０には、レンズの開口数を決定する開口数絞
り１１が添設されており、これらは温度調整された容器
３０の中に収納されている。
投影レンズ１０により、フォトレジストを塗布した半導
体基板１２上に縮小投影され、フォトレジストを感光し
て露光パターンを半導体基板１２上に形成する。縮小投
影レンズ１０には、レンズの開口数を決定する開口数絞
り１１が添設されており、これらは温度調整された容器
３０の中に収納されている。
【００４２】本実施例では開口絞り１１も液晶基板によ
り構成されているため、液晶基板の電気的制御により開
口部分に相当する液晶基板の光透過部分の寸法を任意に
変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要としない。
り構成されているため、液晶基板の電気的制御により開
口部分に相当する液晶基板の光透過部分の寸法を任意に
変更できるので、発塵を伴う交換作業を必要としない。
【００４３】図２及び図３は各々、図１に示す半導体露
光装置に用いられるシャッター４、シグマ絞りあるいは
変形光源用絞り６、レチクルブラインド７、レチクル
９、開口数絞り１１を構成する液晶基板の基本構造を示
す断面図と平面図である。
光装置に用いられるシャッター４、シグマ絞りあるいは
変形光源用絞り６、レチクルブラインド７、レチクル
９、開口数絞り１１を構成する液晶基板の基本構造を示
す断面図と平面図である。
【００４４】図２において、液晶基板の主要構成材料で
ある液晶１３には、ネマティック液晶、スメクティック
液晶、コレステリック液晶等が使用される。
ある液晶１３には、ネマティック液晶、スメクティック
液晶、コレステリック液晶等が使用される。
【００４５】液晶は２枚の透明基板４０に挟み込まれる
形で保持される。透明基板４０の両内面には透明電極膜
１４が密着して形成され、透明基板４０の外側には偏光
子１５が配置されている。
形で保持される。透明基板４０の両内面には透明電極膜
１４が密着して形成され、透明基板４０の外側には偏光
子１５が配置されている。
【００４６】動作において、入射光１６は偏光子１５に
より、特定方向の偏光成分のみを選別され液晶１３に入
射する。透明電極膜１４は液晶１３に電圧を印加するた
めのものであり、光の透過性が優れている、酸化すずを
含む酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）等が使用される。液
晶１３に入射した光は、液晶１３の光透過作用を受け、
出射側の偏光子１５により再び偏光成分を選別された後
透過光１７として出射されるか、あるいは液晶１３の光
遮断作用により遮断される。偏光子１５は本発明を実施
するにあたっては必須の構成ではないので、偏光子１５
を使用しない場合もある。
より、特定方向の偏光成分のみを選別され液晶１３に入
射する。透明電極膜１４は液晶１３に電圧を印加するた
めのものであり、光の透過性が優れている、酸化すずを
含む酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）等が使用される。液
晶１３に入射した光は、液晶１３の光透過作用を受け、
出射側の偏光子１５により再び偏光成分を選別された後
透過光１７として出射されるか、あるいは液晶１３の光
遮断作用により遮断される。偏光子１５は本発明を実施
するにあたっては必須の構成ではないので、偏光子１５
を使用しない場合もある。
【００４７】図３は、図２で示した液晶基板の透明電極
１４の一方を分割した場合の構造を平面図として示した
ものである。分割した透明電極（以後画素電極１８と記
載）は、透明基板４０上に形成したＴＦＴ２２に密接し
て形成されている。ＴＦＴ２２はドレイン・バス２１と
ゲート・バス１９が直交する位置に設けられており、Ｔ
ＦＴ２２からはソース電極２０が画素電極１８に接続さ
れている。透明基板４０の材料としては、透明度が高く
ＴＦＴを形成する上で密着性の良いガラス等が使われ
る。
１４の一方を分割した場合の構造を平面図として示した
ものである。分割した透明電極（以後画素電極１８と記
載）は、透明基板４０上に形成したＴＦＴ２２に密接し
て形成されている。ＴＦＴ２２はドレイン・バス２１と
ゲート・バス１９が直交する位置に設けられており、Ｔ
ＦＴ２２からはソース電極２０が画素電極１８に接続さ
れている。透明基板４０の材料としては、透明度が高く
ＴＦＴを形成する上で密着性の良いガラス等が使われ
る。
【００４８】図３は、透明基板４０上の１画素分のみを
示しているが、透明基板４０上には同様の画素を５００
万個以上形成する。
示しているが、透明基板４０上には同様の画素を５００
万個以上形成する。
【００４９】動作において、画素ごとに設けられた各々
のＴＦＴをＯＮ、ＯＦＦにより液晶の光学的特性を操作
して所望のパターンを得る。画素は透明基板上に配置さ
れているので、液晶が透過状態にあるときは透明基板を
通して光が透過することになる。
のＴＦＴをＯＮ、ＯＦＦにより液晶の光学的特性を操作
して所望のパターンを得る。画素は透明基板上に配置さ
れているので、液晶が透過状態にあるときは透明基板を
通して光が透過することになる。
【００５０】
【発明の効果】以上のように請求項１記載の半導体露光
装置によれば、光学系を構成する光学部品の少なくとも
１つを、機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部品
にすることで、可動部における発塵、塵挨の拡散を抑制
する効果がある。
装置によれば、光学系を構成する光学部品の少なくとも
１つを、機械的駆動あるいは交換作業が不要な光学部品
にすることで、可動部における発塵、塵挨の拡散を抑制
する効果がある。
【００５１】請求項２記載の半導体露光装置によれば、
光学系における、露光装置の光源手段からの露光光を透
過または遮断するシャッターと、シャッターを透過した
露光光の広がり角度を調整するシグマ絞りあるいは変形
光源用絞りと、シグマ絞りあるいは変形光源用絞りによ
り広がり角度を調整された露光光の、照射範囲を決定す
るレチクルブラインドと、露光パターンを有し、レチク
ルブラインドからの露光光を受け露光パターンの光学像
を与えるレチクルと、レチクルで与えられた光学像を半
導体基板上に投影するレンズの開口数を決定する開口数
絞りの少なくとも１つを、機械的駆動あるいは交換作業
が不要な光学部品にすることで、可動部における発塵、
塵挨の拡散の抑制ができ、またレチクルを機械的駆動あ
るいは交換作業が不要な光学部品にすることで、レチク
ル取り付けに伴うアライメント調整作業の簡略化とレチ
クル数の低減ができる。また、レチクルの光学系への取
り付け、取り外しに付随する機器を省略あるいは簡略化
できるので、光学系を単一の容器内に納めることも可能
となり、半導体露光装置が小型化できる効果がある。
光学系における、露光装置の光源手段からの露光光を透
過または遮断するシャッターと、シャッターを透過した
露光光の広がり角度を調整するシグマ絞りあるいは変形
光源用絞りと、シグマ絞りあるいは変形光源用絞りによ
り広がり角度を調整された露光光の、照射範囲を決定す
るレチクルブラインドと、露光パターンを有し、レチク
ルブラインドからの露光光を受け露光パターンの光学像
を与えるレチクルと、レチクルで与えられた光学像を半
導体基板上に投影するレンズの開口数を決定する開口数
絞りの少なくとも１つを、機械的駆動あるいは交換作業
が不要な光学部品にすることで、可動部における発塵、
塵挨の拡散の抑制ができ、またレチクルを機械的駆動あ
るいは交換作業が不要な光学部品にすることで、レチク
ル取り付けに伴うアライメント調整作業の簡略化とレチ
クル数の低減ができる。また、レチクルの光学系への取
り付け、取り外しに付随する機器を省略あるいは簡略化
できるので、光学系を単一の容器内に納めることも可能
となり、半導体露光装置が小型化できる効果がある。
【００５２】請求項３記載の半導体露光装置用光学部品
であるレチクルによれば、露光パターンを液晶表示で描
くため、露光パターンを任意に変更できるので、露光パ
ターンの変更に伴うレチクルの交換作業が不要になり、
半導体装置の製造に要するレチクルの数を低減する効果
がある。
であるレチクルによれば、露光パターンを液晶表示で描
くため、露光パターンを任意に変更できるので、露光パ
ターンの変更に伴うレチクルの交換作業が不要になり、
半導体装置の製造に要するレチクルの数を低減する効果
がある。
【００５３】請求項４記載の半導体露光装置用光学部品
であるシャッターによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的可動を伴わずに露光光の透過、遮断がで
きるので、可動部における発塵、塵挨の拡散を抑制する
効果がある。
であるシャッターによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的可動を伴わずに露光光の透過、遮断がで
きるので、可動部における発塵、塵挨の拡散を抑制する
効果がある。
【００５４】請求項５記載の半導体露光装置用光学部品
であるレチクルブラインドによれば、液晶の光遮断、光
透過作用により、機械的移動を伴わずに開口領域を変更
できるので、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効
果がある。
であるレチクルブラインドによれば、液晶の光遮断、光
透過作用により、機械的移動を伴わずに開口領域を変更
できるので、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効
果がある。
【００５５】請求項６記載の半導体露光装置用光学部品
であるシグマ絞りによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的移動を伴わずに開口面積を変更できるの
で、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果があ
る。
であるシグマ絞りによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的移動を伴わずに開口面積を変更できるの
で、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果があ
る。
【００５６】請求項７記載の半導体露光装置用光学部品
である変形光源用絞りによれば、液晶の光遮断、光透過
作用により、機械的移動を伴わずに開口形状を変更でき
るので、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果が
ある。
である変形光源用絞りによれば、液晶の光遮断、光透過
作用により、機械的移動を伴わずに開口形状を変更でき
るので、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果が
ある。
【００５７】請求項８記載の半導体露光装置用光学部品
である開口数絞りによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的移動を伴わずに開口面積を変更できるの
で、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果があ
る。
である開口数絞りによれば、液晶の光遮断、光透過作用
により、機械的移動を伴わずに開口面積を変更できるの
で、移動に伴う発塵、塵挨の拡散を抑制する効果があ
る。
【００５８】請求項９記載の半導体露光装置用光学部品
を構成する液晶基板は液晶と、液晶の両側に配置された
液晶を挟み込むための透明基板と、透明基板の両内側に
密着して形成された液晶に電界を加えるための透明電極
膜とを少なくとも備えている。よって、透明電極の一方
を分割し、各々に制御のためのＴＦＴを添設して、独立
制御可能な画素電極とした場合においては、液晶の応答
特性の向上、解像度の増加、液晶基板の透明化を達成で
きるので、半導体露光装置用光学部品の性能を向上でき
る効果がある。
を構成する液晶基板は液晶と、液晶の両側に配置された
液晶を挟み込むための透明基板と、透明基板の両内側に
密着して形成された液晶に電界を加えるための透明電極
膜とを少なくとも備えている。よって、透明電極の一方
を分割し、各々に制御のためのＴＦＴを添設して、独立
制御可能な画素電極とした場合においては、液晶の応答
特性の向上、解像度の増加、液晶基板の透明化を達成で
きるので、半導体露光装置用光学部品の性能を向上でき
る効果がある。
【図１】本発明の一実施例である半導体露光装置の概略
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】本発明に係る液晶基板の基本構造を示す断面図
である。
である。
【図３】本発明に係る液晶基板の基本構造を示す平面図
である。
である。
【図４】従来の半導体露光装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
１ 水銀ランプ ２ 反射鏡 ３ 第１反射板 ４ シャッター ５ フライアイレンズ ６ シグマ絞り ７ レチクルブラインド ８ 第２反射板 ９ レチクル １０ 縮小投影レンズ １１ 開口数絞り １２ 半導体基板 １３ 液晶 １４ 透明電極膜 １５ 偏光子 １６ 入射光 １７ 透過光 １８ 画素電極 １９ ゲート・バス ２０ ソース電極 ２１ ドレイン・バス ２２ シリコン基板 ２３ パーティクルチェックボックス ２４ レチクルライブラリ ２５ シャッター ３０ 容器 ４０ 透明電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 7316−2Ｈ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体製造に係る露光装置の光学系にお
いて、 前記光学系を構成する、機械的駆動あるいは交換作業が
必要である光学部品の少なくとも１つを、液晶の光学的
特性を利用した液晶基板で構成することにより、前記液
晶基板への電気信号の印加に応じて前記光学部品の光学
的特性を変化できるようにしたことを特徴とする半導体
露光装置。 - 【請求項２】 前記光学部品には、前記露光装置の光源
手段からの露光光の透過または遮断するシャッターと、 前記シャッターを透過した露光光の広がり角度を調整す
るシグマ絞りあるいは変形光源用絞りと、 前記シグマ絞りあるいは変形光源用絞りにより広がり角
度を調整された露光光の、照射範囲を決定するレチクル
ブラインドと、 露光パターンを有し、前記レチクルブラインドからの露
光光を受け前記露光パターンの光学像を与えるレチクル
と、 前記レチクルで与えられた前記光学像を半導体基板上に
投影するレンズの開口数を決定する開口数絞りとを含
む、請求項１記載の半導体露光装置。 - 【請求項３】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、露光パターンを有し、入射光を受けて前記露光
パターンの光学像を与えるレチクルであって、 前記レチクルは、液晶の光学的特性を利用した液晶基板
で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じて
前記露光パターンが可変できることを特徴とする半導体
露光装置用光学部品。 - 【請求項４】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、前記露光装置の光源手段からの露光光を透過ま
たは遮断するシャッターであって、 前記シャッターは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過または遮断ができることを特徴とする半
導体露光装置用光学部品。 - 【請求項５】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、前記露光装置の光源手段からの露光光の照射範
囲を決定するレチクルブラインドであって、 前記レチクルブラインドは、液晶の光学的特性を利用し
た液晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印
加に応じて露光光の透過領域が可変できることを特徴と
する半導体露光装置用光学部品。 - 【請求項６】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、前記露光装置の光源手段からの露光光の広がり
角度を調整するシグマ絞りであって、 前記シグマ絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする半導
体露光装置用光学部品。 - 【請求項７】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、前記露光装置の光源手段からの露光光の広がり
角度を調整する変形光源用絞りであって、 前記変形光源用絞りは、液晶の光学的特性を利用した液
晶基板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に
応じて露光光の透過面積が可変できることを特徴とする
半導体露光装置用光学部品。 - 【請求項８】 半導体製造に係る露光装置の光学系に用
いられ、前記露光装置の光源手段からの露光光を半導体
基板に投影するレンズの開口数を決定する開口数絞りで
あって、 前記開口数絞りは、液晶の光学的特性を利用した液晶基
板で構成され、前記液晶基板への電気信号の印加に応じ
て露光光の透過面積が可変できることを特徴とする半導
体露光装置用光学部品。 - 【請求項９】 液晶と、 前記液晶の両側に配置された前記液晶を挟み込むための
透明基板と、 前記透明基板の両内側に密着して形成されたされた前記
液晶に電界を加えるための透明電極膜とを少なくとも備
えて構成された液晶基板を使用する、請求項３〜８のい
ずれかに記載の半導体露光装置用光学部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043797A JPH06260395A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5043797A JPH06260395A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260395A true JPH06260395A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12673744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5043797A Pending JPH06260395A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 半導体露光装置及び半導体露光装置用光学部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260395A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002102A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 |
| JP2010016351A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | 液晶ブラインド、それを適用した半導体装置の製造方法、及び半導体製造用縮小投影露光装置 |
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1993
- 1993-03-04 JP JP5043797A patent/JPH06260395A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002102A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 |
| JP2010016351A (ja) * | 2008-06-03 | 2010-01-21 | Seiko Epson Corp | 液晶ブラインド、それを適用した半導体装置の製造方法、及び半導体製造用縮小投影露光装置 |
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