CN104781944A - 导电基板及制造该导电基板的方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的制备导电基板的方法包括以下步骤：1)在基板上形成结晶透明导电层；2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；3)使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。

Description

导电基板及制造该导电基板的方法
技术领域
本申请要求享有于2012年11月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2012-0138364和10-2012-0138340的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容以参考的方式并入本文中。
本发明涉及一种导电基板及制备该导电基板的方法。
背景技术
在相关领域中，有机发光装置、有机太阳能电池等的阴极基本上采用氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)作为主电极，且主要使用由金属制成的辅助电极，以防止由ITO的高电阻所造成的光学效率的损失等。
在形成辅助电极的方法里，辅助电极的形成可通过在完全沉积于基板上的ITO上沉积并图案化金属，再钝化金属，或者在带沟槽的基板的沟槽部分处形成辅助电极，然后在其上沉积ITO作为主电极。然而，这个方法并非是一个适宜的方法，因为工序数目很多，且基板价格上涨。
发明内容
[技术问题]
在本领域中，需要研究一种性能卓越、制备方法简单的导电基板，及制备该导电基板的方法。
[技术方案]
本发明提供一种制备导电基板的方法，包括：
1)在基板上形成结晶透明导电层；
2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；
3)通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及
4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
另外，本发明提供一种导电基板，包括：
基板；
设置于所述基板上的第一透明导电层；以及
设置于所述第一透明导电层上的第二透明导电层，
其中，所述第二透明导电层中包括金属图案。
此外，本发明提供一种包括所述导电基板的防窥膜(privacy film)。
另外，本发明提供一种包括所述导电基板的电子器件。
[有益效果]
根据本发明的示例性实施例，可凭借简单的工艺而形成高效导电基板。此外，在本发明中，引入了非晶态透明导电层和金属层以将结晶透明导电层的电阻损耗减至最低。
此外，根据本发明的示例性实施例，由于制备导电基板可不需要如在相关领域中的引入形成于辅助电极上的附加绝缘层，所以可减少工序数目，因此能够确保有竞争力的价格。
附图说明
图1至3为示意性说明根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法的图。
图4至6为示意性说明根据本发明的示例性实施例的导电基板的图。
[附图标记说明]
10：基板
20：第一透明导电层
30：第二透明导电层
40：金属层
50：图案开放区域
60：金属氧化物层
具体实施方式
下文中，将更加详细地描述本发明。
根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法包括：1)在基板上形成结晶透明导电层；2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；3)通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤1)中，所述结晶透明导电层形成于所述基板上。
所述基板没有特别限定，且可采用本领域公知的材料。例如，玻璃、塑料基板、塑料膜等均可采用，但本发明并不限于此。
实施步骤1)的方法为，在所述基板上形成非晶态透明导电层，然后对所述非晶态透明导电层进行热处理，或者在沉积工艺中进行高温沉积。更详细的说，采用用于非晶态透明导电层的材料，通过沉积法或涂布法而在基板上形成非晶态透明导电层，然后可以通过热处理使非晶态透明导电层结晶，并且由沉积步骤实施高温沉积，由此实现所述高温沉积。本领域的技术人员可根据所用基板的玻璃态转变温度(Tg,Glass transition Temperature)来选择与使用形成结晶透明导电层的方法。作为热处理方法的详细的举例，当结晶透明导电层形成于具有低玻璃态转变温度的基板(如聚对苯二甲酸乙二酯膜(PET film))上时，以120℃作为透明导电材料的沉积温度进行沉积，然后于150℃、Ar气氛下，再热处理透明导电材料30至50分钟，以得到结晶透明导电层。此外，当结晶透明导电层形成于具有高Tg的基板(如玻璃)上时，通过升高沉积透明导电材料时的腔室的温度在200℃以上来进行沉积，由此实现所述沉积。本领域的技术人员可根据基板和目的加以选择。
所述结晶透明导电层可包含选自氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的一种或多种，且本发明不仅限于此。
在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤2)中，所述非晶态透明导电层形成于所述结晶透明导电层上。
在此情况下，可通过上述材料和结晶透明导电层的方法形成非晶态透明导电层。
在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤3)中通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层。
可通过光刻法使所述非晶态透明导电层图案化，且本发明不仅限于此。例如，通过激光使非晶态ITO区域的部分图案结晶，然后将结晶化的图案浸入草酸蚀刻溶液中，以利用蚀刻选择性获得图案。
由于设置于非晶态透明导电层下的结晶透明导电层在非晶态透明导电层的图案化过程中不被蚀刻，因此可以用一步形成透明导电层的图案。
也就是说，可通过采用蚀刻溶液来使非晶态透明导电层图案化，且可以通过非晶态透明导电层与结晶透明导电层对蚀刻溶液的溶解度的差异，仅对非晶态透明导电层选择性地图案化。作为蚀刻溶液，可通过考虑非晶态透明导电层与结晶透明导电层的溶解度的差异，采用本领域公知的材料。一般而言，采用盐酸:硝酸:水＝4:1:5的组合物来蚀刻结晶透明导电层，而基于草酸的材料等可用于使本发明的非晶态透明导电层图案化的过程中，且本发明不仅限于此。
在更详细的实施例中，在使非晶态透明导电层图案化的过程中，可采用5％的草酸溶液来进行蚀刻过程，且在此情况下，由于对于草酸出现下部的结晶透明导电层与非晶态透明导电层蚀刻速率的差异，所以下部的结晶透明导电层不被蚀刻而可保留下来。
在此情况下，在非晶态透明导电层与结晶透明导电层之间取决于蚀刻溶液的溶解度的差异，可根据组成透明导电层的组合物而改变，而某一特定部分可以是普便现象：非晶态透明导电层的部分区域随着在非晶态透明导电层与结晶透明导电层之间的界面上的外延生长(Epitaxial Growth)而结晶，蚀刻后可得到的图案开放区域的厚度小于实际沉积的非晶态透明导电层的厚度。
以如此方式进行图案化后，如需要，可根据本领域技术人员的选择进行上部的非晶态透明导电层的结晶化过程。
在根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法中，在步骤4)中，形成至少一个图案开放区域，然后在所述区域中形成金属层。
所述金属层可包含选自银、铝、铜、钕、钼及其合金中的一种或多种，但本发明不仅限于此。所述金属层可通过沉积法或电镀而形成。
当通过电镀形成金属层时，可不需移除光致抗蚀剂而进行使非晶态透明导电层图案化的光刻过程，且由于电镀是在露出结晶透明导电层的图案开放区域中进行，因此可形成结晶透明导电层与金属层并行存在的结构。在此情况下，进行电镀的区域可只在露出结晶透明导电层的图案开放区域中实现。特别是，金属层通过电镀而形成，因此，由于表面张力，金属层的顶部具有半球形。因此，之后，当沉积其它材料时，可改善堆积覆盖度(stack coverage)。接着，通过移除光致抗蚀剂和热处理金属层，可制得最终的导电基板。
如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图1中示例说明了制备导电基板的方法，其包括利用电镀形成金属层。
此外，当利用沉积法形成金属层时，可不需移除光致抗蚀剂而进行使非晶态透明导电层图案化的光刻过程，且可在露出结晶透明导电层的图案开放区域中形成金属层。接着，通过剥离而移除光致抗蚀剂和热处理金属层，可制得最终的导电基板。
如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图2中示例说明了制备导电基板的方法，其包括利用沉积过程形成金属层。
需要时，可在金属层上额外形成包含有机材料的绝缘层。
此外，根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法可进一步包括：在步骤3)或4)之后，对非晶态透明导电层进行热处理。通过热处理过程，可使非晶态透明导电层结晶，并可使得金属层紧实。
透明导电层是否结晶可通过测量透明导电层的电阻来判断。在此情况下，当所述电阻显示出结晶的透明导电层的电阻值时，大体上可判断已完成结晶，但是关于是否进行了充分结晶，当额外将透明导电层浸入到用于非晶态透明导电层的蚀刻溶液中观察到电阻值的大的变化时，则可判断所述结晶并未充分实现。原因是由于充分结晶的透明导电层与金属蚀刻溶液的反应很微弱，所述电阻不会显著升高。
另一种测量透明导电层的结晶度的方法为观察结晶化的透明导电层的平面晶粒尺寸。通过以相同厚度形成结晶透明导电层和非晶态透明导电层，在进行非晶态透明导电层的图案化过程之后，如果以另外的方法进行额外的热处理，则当所述晶粒尺寸接近结晶透明导电层区域的晶粒尺寸时，可判断非晶态透明导电层已结晶。
再一种测量透明导电层的结晶度的方法为观察制得的样本的断面结构。当观察断面结构时，以具有结晶透明导电层的晶粒生长的下部较小而晶粒生长的上部较大的形式的柱形结构而进行生长，在此情况下，当上部的非晶态透明导电层的薄膜另外结晶时，在结晶透明导电层的柱形结构上又会生长和凸起新的柱形结构，并可确认其间的界面。
最后，判断结晶化的最简单的方法是测量方块电阻的方法。例如，由于非晶态ITO的方块电阻约为270Ω/□而结晶ITO的方块电阻约为50Ω/□，在结晶化前/后测量透明导电层的方块电阻，以判断透明导电层是否结晶。
此外，根据本发明的示例性实施例的制备导电基板的方法可进一步包括：在步骤4)后，在所述金属层上形成金属氧化物层。
所述金属氧化物层可通过将所述金属层浸入氧化剂溶液而形成。更详细的说，通过将金属层浸入氧化剂溶液，而仅在选择性露出的金属层的表面部分诱导氧化反应，因此，在金属层上形成金属氧化物层。所述金属氧化物层可用来作为金属层的绝缘层。
所述氧化剂溶液可不需特别限定地采用本领域公知的材料，只要氧化剂溶液是可使金属层氧化的材料。例如，当金属层包括Cu时，可采用NaOH作为氧化剂溶液，因此，可在金属层的上表面上形成CuO金属氧化物层。在此情况下，在结晶透明导电层与NaOH之间不存在反应性，因而不会影响电导率。
如上所述，作为本发明的示例性实施例，在下图3中示例说明了制备导电基板的方法，其额外包括在金属层上形成金属氧化物层。
此外，根据本发明的示例性实施例的导电基板包括：基板；设置于所述基板上的第一透明导电层；以及设置于所述第一透明导电层上的第二透明导电层，且所述第二透明导电层中包括金属图案。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，由于所述基板、透明导电层、金属层等已如上所述，其详细说明将予以省略。
如上所述，设置于第二透明导电层中的金属图案可通过以下方式形成：在第一透明导电层(即结晶透明导电层)上形成非晶态透明导电层；通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出所述第一透明导电层；以及在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述第一透明导电层与第二透明导电层设置为彼此接触，第一透明导电层与第二透明导电层彼此接触的两个表面的组成材料可彼此相同。
此外，所述第一透明导电层与第二透明导电层设置为彼此接触，并且从第一透明导电层与第二透明导电层彼此接触的表面的观察位置所观察的晶粒结构可具有以下形式，其中，上部与下部以具有柱形的结构彼此接触而具有边界，其中，上面的宽度与下面的宽度彼此不同。
所述金属图案的厚度可小于所述第二透明导电层的厚度，但不仅限于此。此外，所述金属图案的厚度可为第二透明导电层厚度的80-120％，但不仅限于此。
所述第一透明导电层、第二透明导电层和金属层的各自厚度可独立地为50nm-2000nm，但不仅限于此。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述第二透明导电层可包括第二透明导电图案和至少一个图案开放区域，且所述金属图案可设置于所述至少一个图案开放区域中。在此情况下，所述金属图案的上部面积可为所述图案开放区域的上部面积的20％以上且小于100％，以及所述金属图案的上部面积可为所述图案开放区域的上部面积的80％以上且小于100％，但本发明不仅限于此。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，当将所述第二透明导电层的厚度设为D且顶部的高度设为0时，所述金属图案的顶部的位置D2可满足下列方程式1：
[方程式1]
-0.2D<D2<0.2D
此外，所述金属图案的顶部的位置D2可满足下列方程式2：
[方程式2]
-0.8D<D2<D
由于金属层形成于露出第一透明导电层的图案开放区域中，第一透明导电层的顶部可与金属图案的底部相接触，因此第一透明导电层与金属图案可彼此电连接。
所述金属图案的平面形状可具有各种图案形状，包括规则图案结构、不规则图案结构等，且可根据本领域技术人员的选择来控制开口率。
金属图案和第二透明导电层之间的界面可垂直于第一透明导电层。此外，金属图案和第二透明导电层之间的界面可与第一透明导电层的顶部保持顺时针方向的预定角度。例如，所述界面可与第一透明导电层的顶部之间具有顺时针方向的10°至170°、30°至150°等的角度。所述角度可在所述制备过程中自然形成。
所述金属图案的高度/宽度可等于或小于1且可为1/3至1，但不仅限于此。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述金属图案上可额外包含金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。所述金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案可用来作为金属图案的绝缘层。所述金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案可设置于所述金属图案的顶部上，也可设置于暴露在第二透明导电层上的金属图案的侧面上。
在根据本发明的示例性实施例的导电基板中，所述金属图案的至少一个表面不与第一透明导电层和第二透明导电层相接触，且所述金属图案的不与第一透明导电层和第二透明导电层相接触的至少一个表面上可额外包含金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。
所述金属氧化物层可通过将金属层浸入氧化剂溶液中或通过在氧气氛围下热处理对应的基板而形成。更详细的说，通过将金属层浸入氧化剂溶液中或通过在氧气氛围下热处理对应的基板，仅在选择性露出的金属层的表面部分诱导氧化反应，因此在金属层上形成金属氧化物层。金属氧化物层可用来作为金属层的绝缘层或非发光层。当所述层以用作绝缘层的目的来描述时，对应的层不需要绝对是氧化物层，必要时，也可为氮化物层。不过，因为氧化物层和氮化物层均可容易地的通过对应金属的变性而得到，金属图案和金属氧化物层可包含相同的金属。
本发明可提供一种包括所述导电基板的防窥膜(privacy film)。
本发明提供一种包括所述导电基板的电子器件。
所述电子器件可为有机发光装置、有机发光照明装置、有机太阳能电池、触摸屏或显示器，但不仅限于此。
下图7图示了根据本发明的示例性实施例的有机发光装置的例子。如下图7所示，根据本发明的示例性实施例的有机发光装置可形成自然地在基板的屏幕部分(发光区域)的外侧边缘形成的绝缘层区域(橙色)，且具有的优势有，当有机发光装置材料的沉积过程和极板的沉积形成具有如下结构时：发光区域<有机发光装置材料沉积区域<绝缘层区域、发光区域<极板区域<有机发光装置材料沉积区域<绝缘层区域，不同于相关现有技术，可不需要用以形成电极终端的额外的PAD形成过程来制备所述装置。
更详细的说，所述导电基板可用来作为在电子器件中的电极。在此情况下，第一透明导电层可用来作为主电极，而金属图案可用来作为辅助电极。
根据本发明的示例性实施例的导电基板如下图4至6所示。
根据本发明的示例性实施例，可凭借简单的工艺而形成高效导电基板。此外，在本发明中，引入了非晶态透明导电层和金属层以将结晶透明导电层的电阻损耗减至最低。
[最佳实施方式]
下文中，本发明将参照实施例进行详述。然而，所列实施例仅用来说明本发明，而非限定本发明的范围于此。
<实施例>
<实施例1>
1)在玻璃基板上形成结晶透明导电层
通过使用下述材料与条件，在玻璃基板上形成厚度为300nm的结晶氧化铟锡(ITO)薄膜。所制得的结晶ITO薄膜的比电阻为2×10-4Ωcm。
沉积温度：400℃(使用RF磁控溅射)
靶材：In2O3:SnO2＝90mol％:10mol％，纯度99.99％(Cerac公司产品)
RF功率：150W
沉积条件：沉积时间(30分钟)，压力(10毫托)
后热处理：400℃，1分钟
2)在结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层
通过使用下述材料、设备与条件，在结晶ITO薄膜上形成厚度为300nm的非晶态ITO薄膜。所制得的非晶态ITO薄膜的比电阻为10×10-4Ωcm。
沉积温度：110℃(使用RF磁控溅射)
靶材：In2O3:SnO2＝90mol％:10mol％，纯度99.99％(Cerac公司产品)
RF功率：150W
沉积条件：沉积时间(30分钟)，压力(10毫托)
后热处理：400℃，1分钟
3)使非晶态透明导电层图案化
采用光致抗蚀剂(JC 800，Dongjin Semi Chem公司产品)，通过曝光仪(KarlSuss，30mJ)对制得的非晶态ITO薄膜进行曝光，然后用TMAH(2.38％，羟化四甲铵)显影45秒。再之后，在40℃以草酸溶液(3％)蚀刻显影后的薄膜5分钟。
4)金属电镀
通过溅射过程，在有光致抗蚀剂的图案上沉积约20nm的Cu晶种层，然后，电源装置采用正向脉冲电流通过用CuSO4硫酸溶液(CuSO45H2O 90g/lH2SO4180g/l)溶解的充当阳极和阴极的基板，放置基板用作负极并使Cu生长于其上。在此情况下，镀铜电流密度维持在约60mA/cm2。
<实施例2>
在根据上述实施例1的金属电镀之后，使用RTA设备，通过无电镀的方式，在氧气氛围下在500℃热处理约30分钟而形成金属氧化物层。
根据本发明的具体实施例，可凭借简单的工艺而形成高效导电基板。此外，在本发明中，引入了非晶态透明导电层和金属层以将结晶透明导电层的电阻损耗减至最低。
此外，根据本发明的示例性实施例，由于制备导电基板可不需要如在相关领域中的引入形成于辅助基板上的附加绝缘层，则可减少工序数目，因此能够确保有竞争力的价格。

Claims (35)

1.一种制备导电基板的方法，所述方法包括：
1)在基板上形成结晶透明导电层；
2)在所述结晶透明导电层上形成非晶态透明导电层；
3)通过使所述非晶态透明导电层图案化，形成至少一个图案开放区域以露出部分的结晶透明导电层；以及
4)在所述至少一个图案开放区域中形成金属层。
2.权利要求1所述的方法，其中，实施步骤1)的方法为，在所述基板上形成非晶态透明导电层，然后对所述非晶态透明导电层进行热处理。
3.权利要求1所述的方法，其中，实施步骤1)的方法为，在所述基板上高温沉积用于透明导电层的材料。
4.权利要求1所述的方法，其中，所述结晶透明导电层和所述非晶态透明导电层包含选自氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的一种或多种。
5.权利要求1所述的方法，其中，通过光刻法使所述非晶态透明导电层图案化。
6.权利要求1所述的方法，其中，通过采用蚀刻溶液来使所述非晶态透明导电层图案化，并且
通过所述非晶态透明导电层与所述结晶透明导电层对所述蚀刻溶液的溶解度的差异，仅对所述非晶态透明导电层选择性地图案化。
7.权利要求6所述的方法，其中，所述蚀刻溶液包含基于草酸的材料。
8.权利要求1所述的方法，其中，所述金属层包含选自银、铝、铜、钕、钼及其合金中的一种或多种。
9.权利要求1所述的方法，其中，所述金属层通过沉积法或电镀而形成。
10.权利要求1所述的方法，进一步包括：
在步骤3)或4)之后，对所述非晶态透明导电层进行热处理。
11.权利要求1所述的方法，进一步包括：
在步骤4)后，在所述金属层上形成金属氧化物层。
12.权利要求11所述的方法，其中，所述金属氧化物层通过将所述金属层浸入氧化剂溶液而形成。
13.一种导电基板，包括：
基板；
设置于所述基板上的第一透明导电层；以及
设置于所述第一透明导电层上的第二透明导电层，
其中，所述第二透明导电层中包括金属图案。
14.权利要求13所述的导电基板，其中，所述第一透明导电层与所述第二透明导电层设置为彼此接触，并且
所述第一透明导电层与所述第二透明导电层彼此接触的两个表面的组成材料彼此相同。
15.权利要求13所述的导电基板，其中，所述第一透明导电层与所述第二透明导电层设置为彼此接触，并且
从所述第一透明导电层与所述第二透明导电层彼此接触的表面的观察位置所观察的晶粒结构具有以下形式，其中，上部与下部以具有柱形的结构彼此接触而具有边界，其中，上面的宽度与下面的宽度彼此不同。
16.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案的厚度小于所述第二透明导电层的厚度。
17.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案的厚度为所述第二透明导电层的厚度的80-120％。
18.权利要求13所述的导电基板，其中，所述第二透明导电层包括第二透明导电图案和至少一个图案开放区域，并且
所述金属图案设置于所述至少一个图案开放区域中。
19.权利要求18所述的导电基板，其中，所述金属图案的上部面积为所述图案开放区域的上部面积的20％以上且小于100％。
20.权利要求18所述的导电基板，其中，所述金属图案的上部面积为所述图案开放区域的上部面积的80％以上且小于100％。
21.权利要求13所述的导电基板，其中，当将所述第二透明导电层的厚度设为D，且顶部的高度设为0时，所述金属图案的顶部的位置D2满足下列方程式1：
[方程式1]
-0.2D<D2<0.2D。
22.权利要求13所述的导电基板，其中，当将所述第二透明导电层的厚度设为D，且顶部的高度设为0时，所述金属图案的顶部的位置D2满足下列方程式2：
[方程式2]
-0.8D<D2<D。
23.权利要求13所述的导电基板，其中，所述第一透明导电层和第二透明导电层包含选自氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌和透明导电聚合物中的一种或多种。
24.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属层包含选自铝、铜、钕、钼及其合金中的一种或多种。
25.权利要求13所述的导电基板，其中，所述第一透明导电层的顶部与所述金属图案的底部相接触。
26.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案和所述第二透明导电层之间的界面垂直于所述第一透明导电层。
27.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案的高度/宽度等于或小于1。
28.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案的高度/宽度为1/3至1。
29.权利要求13所述的导电基板，进一步包括：
在所述金属图案上的金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。
30.权利要求13所述的导电基板，其中，所述金属图案的至少一个表面不与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层相接触，并且
在所述金属图案的不与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层相接触的至少一个表面上额外包含金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物图案。
31.权利要求29所述的导电基板，其中，所述金属氧化物图案设置于所述金属图案的顶部和暴露在所述第二透明导电层上的金属图案的侧面上。
32.权利要求29所述的导电基板，其中，所述金属图案和所述金属氧化物图案、金属氮化物图案或金属氧氮化物包含相同的金属。
33.一种防窥膜，包括权利要求13-32中任一项所述的导电基板。
34.一种电子器件，包括权利要求13-32中任一项所述的导电基板。
35.权利要求34所述的导电基板，其中，所述电子器件为有机发光装置、有机发光照明装置或有机太阳能电池。
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