CN104779191A - 标记检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种标记检测方法，其能够在短时间内高精度地检测出表示晶片的晶体取向的标记。标记检测方法是从保持于保持工作台(5)上的晶片(W)的外周检测凹口(N)的方法，构成为，使保持工作台进行分度旋转，对晶片的外周的至少3个部位摄像并检测出晶片的外周的3个点的坐标，根据3个点的坐标计算出晶片的中心并实施晶片相对于保持工作台的定心，一边使保持工作台连续地旋转一周，一边使用与晶片的外周相对应的一部分摄像区域对晶片的外周在整周的范围内摄像，检测出凹口所位于的角度。

Description

标记检测方法
技术领域
本发明涉及检测半导体晶片的外周的表示晶体取向的标记的标记检测方法，特别是涉及检测450mm大口径尺寸的晶片的标记的标记检测方法。
背景技术
通常，在晶片的外周形成有表示晶体取向的标记，在切削装置等中，考虑由标记表示的晶体取向来决定加工方向。以往，作为这种标记检测方法，已知一边对晶片的外周进行摄像一边同时检测晶片的中心和表示晶体取向的标记的方法(例如，参照专利文献1)。在专利文献1所述的标记检测方法中，利用摄像装置对保持工作台上的晶片的外周在整周的范围内进行摄像。然后，根据拍摄到的晶片的外周计算出晶片的中心，进而根据外周位置的变化检测出标记。
专利文献1：日本特开2011-40637号公报
在专利文献1所述的标记检测方法中，能够在晶片旋转一周的期间检测出晶片的中心的偏移量和标记。可是，必须考虑晶片的中心相对于保持工作台的中心的位置偏移并较广地设定摄像区域，从而导致像素变粗而无法得到充分的检测精度。虽然可以通过增加像素数量来提高检测精度，但是，由于数据容量变大，因此存在数据的读入会耗费时间这样的问题。因此，必须对应于数据的读入速度使保持工作台的旋转变慢，从而存在标记的检测需要较长时间这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的，目的在于提供一种能够在短时间内高精度地检测出表示晶片的晶体取向的标记的标记检测方法。
本发明的标记检测方法是使用加工装置进行的晶片的标记检测方法，所述加工装置具备：保持工作台，其以面积比圆板状的晶片小的抽吸保持面来对晶片的中央进行抽吸保持，所述晶片在外周具有表示晶体取向的标记；旋转构件，其使所述保持工作台以该保持工作台的中心为轴，并且以高速和低速至少两个阶段的速度旋转；角度指定部，其指定通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度；角度检测部，其检测通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度；摄像构件，其通过该旋转构件使该保持工作台旋转并对晶片的外周进行摄像；坐标存储部，其存储该摄像构件在该角度检测部检测出的旋转角度处拍摄的晶片的外周的指定位置的坐标；和抽吸保持位置变更构件，其变更由该保持工作台抽吸保持的晶片的抽吸保持位置，其中，所述标记检测方法包括：外周坐标存储工序，在该外周坐标存储工序中，通过该旋转构件以该角度指定部所指定的角度使该保持工作台高速地进行分度旋转，并且，该坐标存储部存储由该摄像构件对晶片的外周进行摄像所得到的晶片的外周的至少3个部位的坐标；中心计算工序，在该中心计算工序中，使用在该外周坐标存储工序中存储的至少3个部位的坐标来计算晶片的中心；晶片定心工序，在该晶片定心工序中，使用该抽吸保持位置变更构件使在该中心计算工序中计算出的晶片的中心与预先存储的该保持工作台的中心一致；和标记检测工序，在该标记检测工序中，使用限定的像素，通过该旋转构件使该保持工作台以比该外周坐标存储工序低的速度连续旋转，对晶片的整个外周进行摄像而检测出该标记所处的角度，其中，所述限定的像素是在通过该摄像构件对抽吸保持着在该晶片定心工序中被定心后的晶片的该保持工作台进行拍摄而得的摄像图像中，拍摄了晶片外周的像素。
根据该结构，使保持工作台高速地进行分度旋转，利用摄像构件对晶片的外周摄像，从晶片的外周取得至少3个部位的坐标。然后，根据至少3个部位的坐标计算出晶片的中心，进行定心以使晶片的中心与保持工作台的中心一致。通过进行该晶片的定心，使得保持工作台旋转时的晶片的外周的抖动变小，在对晶片的整周进行摄像来检测晶片的外周的标记时，能够将摄像构件的摄像区域抑制在最小的限度。这样，由于保持工作台进行分度旋转，因此，晶片相对于保持工作台的定心实现了高速化。另外，由于检测晶片的外周的标记时的摄像区域被抑制在最小的限度，因此，即使增加像素数，数据容量也不会变得过大。因此，能够加快数据的读入，并加快保持工作台的旋转从而能够在短时间内高精度地检测出标记。
另外，在本发明的标记检测方法中，该中心计算工序包括：第1计算工序，在该第1计算工序中，使该保持工作台以该角度指定部所指定的角度进行分度旋转，并根据通过该摄像构件对晶片的外周的3个部位进行摄像所得到的摄像图像计算出晶片的中心坐标；第2计算工序，在该第2计算工序中，从使用过一次的该3个部位的摄像图像中将至少1个部位替换为不同的摄像图像，并利用与使用过一次的该3个部位的摄像图像不同的组合的3个部位的摄像图像来计算晶片的中心坐标；和判断工序，在该判断工序中，将在该第1计算工序中计算出的中心坐标与在该第2计算工序中计算出的中心坐标相比较，在2个计算出的中心坐标一致时，判断为中心坐标已被算出，其中，重复执行第2计算工序，使用至少4个摄像图像来计算晶片的中心，直至在该判断工序中判断为中心坐标已被算出。
另外，在本发明的标记检测方法中，该抽吸保持位置变更构件至少具备：载置工作台，其载置晶片的不与该保持工作台的进行抽吸保持的该抽吸保持面接触的外周区域；升降构件，其使该载置工作台和该保持工作台相对地上下移动；和移动构件，其使该载置工作台和该保持工作台相对地水平移动，在利用该抽吸保持位置变更构件实现的晶片定心工序中，通过下述工序来进行晶片的调换：载置工序，在该载置工序中，通过该升降构件将该载置工作台的上表面定位于比该保持工作台的抽吸保持面高的位置，将晶片载置于该载置工作台上；移动工序，在该载置工序后，在该移动工序中利用该移动构件使该保持工作台移动；和保持工序，在该移动工序后，在该保持工序中利用该升降构件将该载置工作台的上表面定位在比该保持工作台的抽吸保持面低的位置，并利用该保持工作台抽吸保持晶片。
根据本发明，通过在晶片的定心后检测晶片的外周的标记，能够将检测晶片的外周的标记时的摄像区域抑制在最小的限度，即使增加像素数，数据容量也不会变得过大。因此，能够与在短时间内读入数据相对应地加快保持工作台的旋转，从而能够在短时间内高精度地检测出表示晶片的晶体取向的标记。
附图说明
图1是本实施方式的标记检测装置的立体图。
图2是本实施方式的标记检测方法的说明图。
图3是第1比较例的标记检测方法的说明图。
图4是第2比较例的标记检测方法的说明图。
图5是示出本实施方式的中心计算工序的另一个例子的图。
图6是示出本实施方式的晶片定心工序的一个例子的图。
标号说明
1：标记检测装置(加工装置)；
3：移动构件；
4：旋转构件；
5：保持工作台；
6：抽吸保持位置变更构件；
7：摄像构件；
17：保持工作台的上表面(抽吸保持面)；
22：升降构件；
23：载置工作台；
24：载置工作台的上表面；
26：角度指定部；
27：角度检测部；
28：坐标存储部；
N：凹口(标记)；
W：晶片。
具体实施方式
以下，参照附图，对在本实施方式的标记检测方法中使用的标记检测装置进行说明。图1是本实施方式的标记检测装置的立体图。并且，本实施方式的标记检测装置并不限于图1所示的结构，能够适当地进行变更。
如图1所示，标记检测装置1构成为一边使保持着晶片W的保持工作台5旋转，一边利用摄像构件7对晶片W的外周进行摄像。这种情况下，标记检测装置1使保持工作台5高速地进行分度旋转(间歇旋转)并对晶片W的外周的几个部位进行摄像，由此实施晶片W相对于保持工作台5的定心(中心位置对准)。进而，标记检测装置1使保持工作台5低速地旋转并对晶片W的整个外周进行摄像，检测出作为表示晶片W的晶体取向的标记的凹口N。
并且，在本实施方式中，在晶片W的外周形成的凹口N被作为表示晶体取向的标记进行检测，但并不限定于该结构。表示晶体取向的标记只要形成于晶片W的外周即可，例如也可以是呈直线状将晶片W的外周切掉而成的定向平面。另外，晶片W也可以是硅、砷化镓等的半导体晶片，也可以是陶瓷、玻璃、蓝宝石系的光器件晶片。另外，标记检测装置1可以搭载于磨削装置、切削装置等加工装置，也可以作为标记检测专用装置来使用。
在标记检测装置1的固定基座2上设有使保持工作台5上的晶片W沿X轴方向移动的移动构件3。在移动构件3中设有：一对导轨11，其配置于固定基座2上，且与X轴方向平行；和马达驱动的移动基座12，其以能够滑动的方式设置在一对导轨11上。在移动基座12的背面侧形成有未图示的螺母部，滚珠丝杠13螺合于该螺母部。驱动马达14与滚珠丝杠13的一端部连结，利用驱动马达14驱动滚珠丝杠13旋转，由此使移动基座12沿着导轨11移动。
保持工作台5形成为直径比晶片W小的圆板状，并且被支承成能够相对于移动基座12旋转。在移动基座12内收纳有由马达等构成的旋转构件4，保持工作台5经由旋转连接件15与旋转构件4连接。旋转构件4能够以两个阶段来切换保持工作台5的转速，除了能够使保持工作台5以高速地进行分度旋转外，还能够使保持工作台5以低速连续地旋转。保持工作台5的上表面17成为面积比晶片W小的抽吸保持面，在上表面17的中心形成有对晶片W的中央进行抽吸的抽吸孔18。抽吸孔18经由移动基座12内的旋转连接件15与抽吸源19连接。
在移动基座12的侧方配置有一对支承板21，在各支承板21上设有气缸等的升降构件22。在各升降构件22上，且在保持工作台5的周围，以能够升降的方式支承有一对载置工作台23，所述一对载置工作台23用于载置晶片W的不与保持工作台5的上表面17接触(从上表面超出)的外周区域。并且构成为，通过使一对载置工作台23下降而将晶片W从一对载置工作台23交接至保持工作台5，并且，通过使一对载置工作台23上升而将晶片W从保持工作台5交接至一对载置工作台23。
在标记检测装置1中，利用这些移动构件3、载置工作台23、升降构件22构成了抽吸保持位置变更构件6，所述抽吸保持位置变更构件6用于变更保持工作台5上的晶片W的抽吸保持位置。在晶片W被从保持工作台5调换至一对载置工作台23的状态下，利用抽吸保持位置变更构件6对晶片W的中心相对于保持工作台5的中心的偏移进行修正。然后，再次将晶片W从一对载置工作台23调换至保持工作台5，由此使晶片W的中心与保持工作台5的中心一致，从而了实施晶片W的定心。
在保持工作台5的上方设有对晶片W的外周进行摄像的摄像构件7。在进行晶片W的定心时，一边使保持工作台5高速地进行分度旋转，一边利用摄像构件7对晶片W的外周的至少3个部位进行摄像。另外，在对晶片W定心后检测凹口N时，在使保持工作台5低速地连续旋转一周的期间，摄像构件7对晶片W的外周遍及整周地进行摄像。摄像构件7与后述的控制部8连接，分别在定心时和检测凹口N时将晶片W的外周的摄像图像从摄像构件7输出至控制部8。
另外，在控制部8上连接有：角度指定部26，其指定借助旋转构件4旋转的保持工作台5的旋转角度；和角度检测部27，其检测借助旋转构件4旋转的保持工作台5的旋转角度。在进行定心动作时，以角度指定部26所指定的旋转角度使保持工作台5进行分度旋转，并且，以角度检测部27所检测出的旋转角度对晶片W的外周进行摄像。并且，角度指定部26只要对晶片W的外周至少在3个部位进行摄像即可，可以指定等间隔的旋转角度，也可以指定不同间隔的旋转角度。
控制部8基于来自摄像构件7、角度指定部26、角度检测部27的输入集中控制装置的各部分，该控制部8由执行标记检测方法的各工序的处理器和存储器等构成。根据用途，存储器由ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random AccessMemory：随机存取存储器)等的一个或多个存储介质构成。在存储器中设有坐标存储部28，该坐标存储部28存储通过摄像构件7拍摄的晶片W的外周的指定位置的坐标。另外，在存储器中存储有晶片W的定心用的程序和晶片W的凹口检测用的程序等。
参照图2的A至图4的C并对比第1、第2比较例对本实施方式的标记检测方法进行说明。图2的A～图2的D是本实施方式的标记检测方法的说明图。图3的A～图3的D是第1比较例的标记检测方法的说明图。图4的A～图4的C是第2比较例的标记检测方法的说明图。第1比较例的标记检测方法在使用了光传感器这一点上与本实施方式的标记检测方法不同，第2比较例的标记检测方法在同时对晶片中心的偏移量和标记进行检测这一点上与本实施方式的标记检测方法不同。因此，对于第1、第2比较例，主要对不同点进行说明。
首先，对本实施方式的标记检测方法进行说明。在本实施方式中，在计算出晶片W的中心且实施了定心后，从晶片W的外周检测凹口N。如图2的A所示，摄像构件7(图1)的摄像区域A1被定位于晶片W的外周，利用在摄像区域A1中拍摄到的摄像图像来实施晶片W的定心和凹口N的检测。在晶片W的定心前的中心计算时，在摄像构件7的摄像区域A1中设定通过晶片W的中心的直线状的区域A11。以下，对晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态进行例示并说明。
如图2的B所示，在晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态下实施外周坐标存储工序。在外周坐标存储工序中，保持工作台5以角度指定部26(参照图1)所指定的角度高速地进行分度旋转。并且，利用摄像构件7对晶片W的外周的至少3个部位进行摄像，并将摄像图像内的晶片W的外周的3点的坐标P1－P3存储于坐标存储部28(参照图1)。这种情况下，直线状的摄像区域A11和晶片W的外周的交点的坐标被存储于坐标存储部28。
如图2的C所示，实施中心计算工序。在中心计算工序中，使用晶片W的外周的3点的坐标P1－P3来计算晶片W的中心O1。例如，根据连结晶片W的外周的2点的坐标而成的各弦的垂直平分线的交点来计算晶片W的中心O1。接下来，实施晶片定心工序。在晶片定心工序中，利用抽吸保持位置变更构件6(参照图1)使晶片W的中心O1与预先存储的保持工作台5的中心O2一致。这种情况下，求出晶片W的中心O1相对于保持工作台5的中心O2的位置偏移方向和位置偏移量，并基于位置偏移方向和位置偏移量控制抽吸保持位置变更构件6。并且，对于晶片定心工序的详细情况在后面进行叙述。
如图2的D所示，实施标记检测工序。在标记检测工序中，在晶片W相对于保持工作台5被定心的状态下，使保持工作台5低速旋转一周。并且，对晶片W的外周在整周的范围内进行摄像，检测出晶片W的凹口N所位于的角度。这种情况下，由于保持工作台5旋转时的晶片W的外周的抖动较小，因此，使用在摄像图像中对晶片W的外周进行摄像的限定的像素即摄像区域A1的一部分的区域A12，来对晶片W的外周进行摄像。因此，能够将摄像构件7的摄像区域A12抑制在最小的限度，即使增加像素数，数据容量也不会变得过大。
这样，本实施方式的标记检测方法中，由于保持工作台5高速地进行分度旋转，因此，能够在短时间内实施晶片W相对于保持工作台5的定心。另外，由于将标记检测时的摄像区域A12抑制在最小的限度，因此，即使增加摄像图像的像素数，摄像图像的数据容量也不会变得过大。虽然标记检测时的保持工作台5的速度比分度旋转时低，但是能够与摄像图像的数据的读入时间变短的量相对应地加快保持工作台5的旋转。因此，能够在短时间内高精度地从晶片W的外周检测出凹口N。
接下来，对第1比较例的标记检测方法进行说明。在第1比较例中，在计算出晶片W的中心并实施了定心后，从晶片W的外周检测凹口N。在第1比较例中，在使用光传感器来代替摄像构件7这点上与本实施方式不同。如图3的A所示，将光传感器的识别区域A2定位于晶片W的外周，根据识别区域A2中的受光量的变化检测晶片W的外周的凹口N。以下，对晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态进行例示并说明。
如图3的B所示，在晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态下，计算晶片W的中心位置。这种情况下，如图3的C所示，使保持工作台5向一个方向旋转，并存储晶片W离开光传感器的识别区域A2时的旋转角度。接下来，使保持工作台5向反方向旋转，并存储晶片W离开光传感器的识别区域A2时的旋转角度。基于这些旋转角度和晶片W的外形尺寸计算晶片W的中心O1，并求得晶片W相对于保持工作台5的位置偏移方向和位置偏移量。并且，对晶片W实施定心以使晶片W的中心O1与保持工作台5的中心O2一致。
如图3的D所示，在对晶片W相对于保持工作台5的位置偏移进行修正时，以晶片W的整个外周通过光传感器的识别区域A2的方式使保持工作台5低速旋转一周。由此，基于光传感器的受光量的变化检测出凹口N在晶片W的外周所处的角度。在第1比较例中，与本实施方式相同地实施中心计算工序、晶片定心工序、标记检测工序，但是，为了通过光传感器来识别晶片W的外周形状，无法加快保持工作台5的旋转。特别是无法进行分度旋转，定心会花费时间。这样，与本实施方式相比较，在第1比较例的标记检测方法中，从晶片W的外周检测出凹口N变慢。
接下来，对第2比较例的标记检测方法进行说明。在第2比较例中，与本实施方式相同地使用摄像构件7，但是在同时对晶片W的中心的偏移量和凹口N进行检测这点上与本实施方式不同。如图4的A所示，摄像构件7的摄像区域A3被定位于晶片W的外周，使用由摄像区域A3拍摄的摄像图像来检测晶片W的外周的凹口N。在第2比较例中，由于在不进行定心的情况下检测晶片W的凹口N，因此，考虑到保持工作台5旋转时的晶片W的外周的抖动而将摄像区域A3设定得较大。以下，对晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态进行例示并说明。
如图4的B所示，在晶片W相对于保持工作台5发生了位置偏移的状态下使保持工作台5低速旋转一周，对晶片W的整个外周进行摄像。然后，如图4的C所示，基于摄像图像来计算晶片W的中心O1，并求得晶片W的中心O1相对于保持工作台5的中心O2的位置偏移方向和位置偏移量。同时，还基于摄像图像检测出晶片W的外周的凹口N。由于使用整个摄像区域A3对晶片W的整周进行摄像，因此，与本实施方式的标记检测方法相比，摄像图像的数据容量变大。
因此，必须与数据的读入速度相一致地使保持工作台5的旋转减慢。另外，由于摄像区域A3被设定得较大，因此像素变粗而无法得到足够的检测精度。这种情况下，虽然可以通过增加像素数量来提高检测精度，但是数据容量会进一步变大而导致凹口N的检测花费较长的时间。特别是，近年来开发有450mm大口径尺寸的晶片W，对于这样的大口径尺寸的晶片W中，可以想象到凹口N的检测时间会变得更长。这样，与本实施方式相比较，在第2比较例的标记检测方法中，从晶片W的外周检测凹口N变慢。
如上所述，本实施方式的标记检测方法能够以比第1、第2比较例短的时间高精度地检测出凹口N。此外，在本实施方式的中心计算工序中，通过1次计算处理计算出晶片W的中心。可是，当在第1次计算处理所使用的3个部位的摄像图像中的1个部位的摄像图像中拍摄到凹口N时，存在无法高精度地计算出晶片W的中心的情况。因此，可以通过重复进行多次计算处理来计算晶片W的中心，由此提高计算精度。
这种情况下，实施第1计算工序，在该第1计算工序中，根据晶片W的外周的3个部位的摄像图像计算晶片W的中心坐标。在第1计算工序中，以角度指定部26(参照图1)所指定的角度使保持工作台5进行分度旋转，对晶片W的外周的3个部位进行摄像。接下来，实施第2计算工序，在该第2计算工序中，通过与第1计算工序不同的3个部位的摄像图像来计算晶片W的中心坐标。在第2计算工序中，从第1计算工序的3个部位的摄像图像的中将至少1个部位的摄像图像替换为不同的图像，从而使用与第1计算工序不同的组合的摄像图像。
接下来，实施判断工序，在该判断工序中，对在第1、第2计算工序中计算出的中心坐标进行比较，当这两个中心坐标一致时，判断为中心坐标被算出。在判断工序中，当在第1、第2计算工序中计算出的中心坐标不一致时，判断为：在某个摄像图像中含有凹口N而没有计算出晶片W的中心坐标。并且，重复执行第2计算工序直至在判断工序中判断为中心坐标已被算出。这样，考虑到要对凹口N进行摄像，至少使用4个摄像图像来计算晶片W的中心。
并且，判断工序中的中心坐标的一致并不限定于完全一致的情况。在第1、第2计算工序中计算出的中心坐标也可以以处于规定的允许范围内的程度发生位置偏移。这种情况下，优选的是，将允许范围设定为下述这样的程度：在定心后的保持工作台5旋转时，晶片W的外周的抖动处于最小限度的摄像区域内。
以下，参照图5的A～图5的C，对重复进行计算处理来计算晶片的中心的中心计算工序具体地进行说明。在图5的A所示的第1次计算处理中，使保持工作台5以等角度进行分度旋转，并利用摄像构件7(参照图1)对晶片W的外周的3个部位进行摄像。这种情况下，在从3个部位的摄像图像检测晶片W的外周的3个点的坐标P11－P13时，凹口N被作为第1点的坐标检测出来。并且，根据连结晶片W的外周的2个点的坐标而成的各弦的垂直平分线的交点，来计算出晶片W的中心坐标O11。此时，由于凹口N被作为第1点坐标检测出来，因此，晶片W的中心坐标O11中包括误差。
在图5的B所示的第2次计算处理中，从第1次计算处理的保持工作台5的初始状态偏移规定的角度，然后使保持工作台5以等角度进行分度旋转。从而利用摄像构件7对与第1次计算处理不同的3个部位进行摄像，并根据3个部位的摄像图像检测出晶片W的外周的3个点的坐标P21－P23。由于检测出与第1次计算处理不同的坐标，因此，凹口N不会被作为晶片W的外周的坐标检测出来，能高精度地计算出晶片W的中心坐标O12。由于第1次计算处理的中心坐标O11包括误差，因此与第2次计算处理的中心坐标O12不一致。因此，在该时刻不会判断为已计算出晶片W的中心坐标，从而接着实施第3次计算处理。
在图5的C所示的第3次计算处理中，从第2次计算处理的保持工作台5的初始状态进一步偏移规定的角度，然后使保持工作台5以等角度进行分度旋转。从而，利用摄像构件7对与第1、第2计算处理不同的3个部位进行摄像，并根据3个部位的摄像图像检测出晶片W的外周的3各点的坐标P31－P33。由于检测出与第1次计算处理不同的坐标，因此，凹口N不会被作为晶片W的外周的坐标检测出来，能高精度地计算出晶片W的中心坐标O13。由于第3次计算处理的中心坐标O13与第2次计算处理的中心坐标O12一致，因此，该坐标被作为晶片W的中心坐标检测出来。
接下来，参照图6的A～图6的E，对本实施方式的晶片定心工序进行说明。图6的A～图6的E是示出本实施方式的晶片定心工序的一个例子的图。
如图6的A和图6的B所示，当通过中心计算工序计算出晶片W的中心坐标O1时，实施晶片定心工序。在晶片定心工序的初始状态下，在晶片W的中心坐标O1相对于保持工作台5的中心坐标O2位置偏移的状态下将晶片W保持于保持工作台5。在该状态下，将一对载置工作台23的上表面24定位于比保持工作台5的上表面17低的位置，使晶片W离开一对载置工作台23。然后，使保持工作台5绕Z轴旋转规定的角度的量，将晶片W的中心坐标O1定位于通过保持工作台5的中心坐标O2的X轴线上。
接下来，如图6的C所示，使一对载置工作台23上升，将一对载置工作台23的上表面24定位于比保持工作台5的上表面17高的位置。由此，晶片W被从保持工作台5调换至一对载置工作台23上，从而将晶片W载置于一对载置工作台23上(载置工序)。接下来，如图6的D所示，与位置偏移量相对应地使保持工作台5沿X轴方向移动，以使保持工作台5的中心坐标O2与晶片W的中心坐标O1一致(移动工序)。
接下来，如图6的E所示，使一对载置工作台23下降，将一对载置工作台23的上表面24定位在比保持工作台5的上表面17低的位置。由此，晶片W被从一对载置工作台23调换至保持工作台5上，从而将晶片W抽吸保持于保持工作台5(抽吸保持工序)。这样，使晶片W的中心与保持工作台5的中心一致，实施了晶片W的定心。
如以上那样，在本实施方式的标记检测方法中，使保持工作台5高速地进行分度旋转，利用摄像构件7对晶片W的外周进行摄像，并从晶片W的外周取得至少3个部位的坐标。并且，根据至少3个部位的坐标计算出晶片W的中心，并进行定心以使晶片W的中心与保持工作台5的中心一致。通过对该晶片W进行定心，保持工作台5旋转时的晶片W的外周的抖动变小，由此，在对晶片W的整周进行摄像来检测晶片W的外周的凹口N时，能够将摄像构件7的摄像区域抑制在最小的限度。这样，由于使保持工作台5进行分度旋转，因此，晶片W相对于保持工作台5的定心实现了高速化。另外，由于检测晶片W的外周的凹口N时的摄像区域被抑制在最小的限度，因此，即使增加像素数，数据容量也不会变得过大。因此，能够加快数据的读入，并加快保持工作台5的旋转，从而能够在短时间内高精度地检测出凹口N。
并且，本发明并不限定于上述实施方式的形态，能够进行各种变更来实施。在上述实施方式中，关于附图中图示的大小和形状等，并不限定于此，能够在可发挥本发明的效果的范围内适当地进行变更。此外，只要不脱离本发明的目的的范围，能够适当地变更并实施。
例如，在本实施方式的外周坐标存储工序中，构成为将直线状的摄像区域A11和晶片W的外周的交点的坐标存储于坐标存储部28，但并不限定于该结构。关于坐标存储部28，只要存储摄像图像内的晶片W的外周的指定位置的坐标即可，并且只要是摄像图像内的晶片W的外周，可以存储任意位置的坐标。
另外，在本实施方式的中心计算工序，构成为根据晶片W的外周的3个点的坐标来计算晶片W的中心，但也可以根据4个点以上的坐标来计算晶片W的中心。另外，根据连结晶片W的外周的2个点而成的各弦的垂直平分线的交点来计算出晶片W的中心，但并不限定于该结构。关于晶片W的中心，也可以根据3个点的坐标的法线的交点来计算出晶片W的中心。
另外，在本实施方式的晶片定心工序中，升降构件22由使一对载置工作台23相对于保持工作台5上下移动的气缸构成，但并不限定于该结构。升降构件22只要是使载置工作台23和保持工作台5相对地上下移动的结构即可，例如也可以是使保持工作台5相对于一对载置工作台23升降的结构。
如以上所说明，本发明具有能够在短时间内高精度地检测出表示晶片的晶体取向的标记这样的效果，特别是对于检测450mm大口径尺寸的晶片的标记的标记检测方法有用。

Claims (3)

1.一种标记检测方法，所述标记检测方法是使用加工装置进行的晶片的标记检测方法，所述加工装置具备：保持工作台，其以面积比圆板状的晶片小的抽吸保持面来对晶片的中央进行抽吸保持，所述晶片在外周具有表示晶体取向的标记；旋转构件，其使所述保持工作台以该保持工作台的中心为轴，并且以高速和低速至少两个阶段的速度旋转；角度指定部，其指定通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度；角度检测部，其检测通过该旋转构件旋转的该保持工作台的旋转角度；摄像构件，其通过该旋转构件使该保持工作台旋转并对晶片的外周进行摄像；坐标存储部，其存储该摄像构件在该角度检测部检测出的旋转角度处拍摄的晶片的外周的指定位置的坐标；和抽吸保持位置变更构件，其变更由该保持工作台抽吸保持的晶片的抽吸保持位置，其中，
所述标记检测方法包括：
外周坐标存储工序，在该外周坐标存储工序中，通过该旋转构件以该角度指定部所指定的角度使该保持工作台高速地进行分度旋转，并且，该坐标存储部存储由该摄像构件对晶片的外周进行摄像所得到的晶片的外周的至少3个部位的坐标；
中心计算工序，在该中心计算工序中，使用在该外周坐标存储工序中存储的至少3个部位的坐标来计算晶片的中心；
晶片定心工序，在该晶片定心工序中，使用该抽吸保持位置变更构件使在该中心计算工序中计算出的晶片的中心与预先存储的该保持工作台的中心一致；和
标记检测工序，在该标记检测工序中，使用限定的像素，通过该旋转构件使该保持工作台以比该外周坐标存储工序低的速度连续旋转，对晶片的整个外周进行摄像而检测出该标记所处的角度，其中，所述限定的像素是在通过该摄像构件对抽吸保持着在该晶片定心工序中被定心后的晶片的该保持工作台进行拍摄而得的摄像图像中，拍摄了晶片外周的像素。
2.根据权利要求1所述的标记检测方法，其中，
该中心计算工序包括：
第1计算工序，在该第1计算工序中，使该保持工作台以该角度指定部所指定的角度进行分度旋转，并根据通过该摄像构件对晶片的外周的3个部位进行摄像所得到的摄像图像计算出晶片的中心坐标；
第2计算工序，在该第2计算工序中，从使用过一次的该3个部位的摄像图像中将至少1个部位替换为不同的摄像图像，并利用与使用过一次的该3个部位的摄像图像不同的组合的3个部位的摄像图像来计算晶片的中心坐标；和
判断工序，在该判断工序中，将在该第1计算工序中计算出的中心坐标与在该第2计算工序中计算出的中心坐标相比较，在2个计算出的中心坐标一致时，判断为中心坐标已被算出，
其中，
重复执行第2计算工序，使用至少4个摄像图像来计算晶片的中心，直至在该判断工序中判断为中心坐标已被算出。
3.根据权利要求1或2所述的标记检测方法，其中，
该抽吸保持位置变更构件至少具备：载置工作台，其载置晶片的不与该保持工作台的进行抽吸保持的该抽吸保持面接触的外周区域；升降构件，其使该载置工作台和该保持工作台相对地上下移动；和移动构件，其使该载置工作台和该保持工作台相对地水平移动，
在利用该抽吸保持位置变更构件实现的晶片定心工序中，通过下述工序来进行晶片的调换：
载置工序，在该载置工序中，通过该升降构件将该载置工作台的上表面定位于比该保持工作台的抽吸保持面高的位置，将晶片载置于该载置工作台上；
移动工序，在该载置工序后，在该移动工序中利用该移动构件使该保持工作台移动；和
保持工序，在该移动工序后，在该保持工序中利用该升降构件将该载置工作台的上表面定位在比该保持工作台的抽吸保持面低的位置，并利用该保持工作台抽吸保持晶片。
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