CN104770065A - Oled中的具有高导电率和高效率的透明层及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及制备透明电极的方法，其包括以下工艺步骤：I)提供透明基底层，II)向基底层施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，III)向具有网格结构的透明基底层施加包含以下组分的分散体：a)至少一种聚噻吩，b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和d)至少一种分散剂，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，和IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。本发明还涉及可通过该方法得到的透明电极、透明电极、电子组件和分散体。

Description

OLED中的具有高导电率和高效率的透明层及其制备方法
本发明涉及制备透明电极的方法，可通过该方法得到的透明电极、透明电极、电子组件和分散体。
电致发光装置(EL装置)的特征在于当施加电压时，它随着电流流过而发光。这类装置已经以名称“发光二极管”(LED)已知很长时间。光的发射由正电荷(“空穴”)和负电荷(“电子”)重组产生，伴随该重组发射光。本领域中常用的LED都主要由无机半导体材料制成。然而，基本组分为有机材料的EL装置(OLED＝“有机发光二极管”)已经已知一些年。这些有机EL装置通常包含一个或多个有机电荷传输化合物层。
EL装置的主要层结构例如如下所示：
1  载体，基底
2  基电极
3  空穴注入层
4  空穴传输层
5  发射体层
6  电子传输层
7  电子注入层
8  顶电极
9  触点
10  外壳，包封
该结构是详尽的情况，其可通过省去单独的层而简化，使得一个层承担几个任务。在最简单的情况下，EL装置包含两个电极，二者之间是实现包括发光在内的所有功能的有机层。然而，在实践中已发现，为了提高亮度，电子-和/或空穴注入层在电致发光结构中是特别有利的。
DE-A-10 2004 010 811公开了使用导电有机聚合物导体，例如聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)，包含SO3 -M+基团的聚合物，例如聚苯乙烯磺酸(PSS)，和包含SO3 -M+基团的部分氟化或全氟化聚合物，例如的特定混合物作为OLED的空穴注入层，其中涂有ITO(氧化铟锡)的玻璃优选用作该现有技术OLED的基电极。
除用于制备OLED中的空穴注入层外，包含PEDOT/PSS的分散体通常还用于制备OPV元件(“有机光伏”元件；有机太阳能电池)中的导电层。因此，PEDOT/PSS分散体例如用于制备P3HT:PCBM太阳能电池标准构造中的ITO涂覆基底与半导体层之间的中间层，或者用于制备具有倒装构造的太阳能电池中的层，例如如论文“Zur Funktionsweise organischerSolarzellen auf der Basis interpenetrierenderDonator/Akzeptor-Netzwerke”(2007)的第2.1章，Markus Glatthaar，University of Freiburg中所述。在该上下文中，PEDOT/PSS层由水性或异丙醇基分散体旋涂(例如通过“旋涂”)在基底(在具有标准构造的太阳能电池的情况下的ITO，或者在具有倒装构造的太阳能电池的情况下，旋涂于半导体层如P3HT:PCBM层上)。
然而，在制备OLED或OPV元件的领域中，目前致力于省去ITO的使用，因为与导电聚合物层不同，例如其不是挠性的。然而，由现有技术已知的含PEDOT/PSS的分散体的缺点是这些层的导电率太低以至于它们不能既用作OLED中的空穴注入层或P3HT:PCBM太阳能电池标准构造中的ITO涂覆基底与半导体层之间的中间层，又同时用作下面ITO层(基电极)的替代物。为了包含导电聚合物的层可代替OLED和OPV元件中的ITO层，它们必须不仅具有高导电率(或者低表面电阻)，而且具有高透射率。
本发明所基于的目的是克服由现有技术产生的与电子组件有关，特别是与OLED和OPV元件有关的缺点。
特别地，本发明所基于的目的是提供可得到透明电极的方法，所述透明电极可例如用作OLED中的空穴注入层，同时替代ITO基电极。
此外，本发明所基于的目的是提供电子组件，例如OLED和OVP元件，所述电子组件的特征是与由现有技术已知的OLED和OVP元件相比复杂性低的层状结构。
本发明还基于的目的是提供可沉积透明导电层的分散体，所述透明导电层在OLED或OPV元件中同时用作空穴注入层和基电极，因此特别是可替代常规OLED中的层序列：ITO层/空穴注入层。
对实现这些目的的贡献由一种制备透明电极的方法提供，所述方法包括以下工艺步骤：
I)提供透明基底层，
II)向基底层上施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，
III)向具有网格结构的透明基底层上施加包含以下组分的分散体：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和
d)至少一种分散剂，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，和
IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。
在本发明方法的工艺步骤I)中，首先提供透明基底层。在本文中，可能的透明基底为可用于电子组件如OLED或OVP元件中的所有层。在本文中，玻璃或透明塑料膜特别是可能的。特别合适的透明塑料为例如聚碳酸酯、聚酯如PET和PEN(聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚乙烯-萘二甲酸酯)、共聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚砜、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、环聚烯烃或环烯烃共聚物(COC)、氢化苯乙烯聚合物或氢化苯乙烯共聚物。合适的聚合物基底还可以为例如膜，例如聚酯膜，来自Sumitomo的PES膜或来自Bayer AG的聚碳酸酯膜根据本发明特别优选的透明基底层为透明聚合物层，特别是具有0.1-500μm的层厚度，特别优选具有50-250μm的层厚度的挠性透明聚合物层。
在本发明方法的工艺步骤II)中，将包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构施加于基底层上，该施加可通过使用相应荫罩板(shadowmask)的金属汽相沉积(可任选叠加不同金属的层)，通过借助包含金属颗粒的糊印刷，或者通过将施加于基底层的整个表面上的金属层蚀刻而进行。在本文中，可能的金属为常用于电子组件中以制备线性金属结构(所谓的“母线”)的所有金属，例如铝、银、金、铜或铬。在包含金属颗粒的条的情况下，优选这些以糊的形式施加，所述糊包含具有小于1μm的粒径的这类金属颗粒。就这点而言，非常特别优选导电银颗粒或铜颗粒。如果使用除金属颗粒外还特别可包含溶剂和粘结剂的糊，则此外优选网格结构借助丝网印刷方法施加。在本文中，网格结构可包含相邻的线、相邻的矩形、相邻的蜂窝(“蜂窝状结构”)或具有规则结构的任何其它排列。
此外，根据本发明优选的是网格结构的条的宽度优选为1-1,000μm，仍更优选20-200μm，而网格结构的条的高度为0.1-20μm，仍更优选0.2-5μm。此外，根据本发明优选的是网格结构中相邻条之间的距离优选为0.5-30mm，仍更优选3-10mm。还证明有利的是本发明透明电极中透明基底层表面的0.1-20％，特别优选0.5-5％被网格结构的条覆盖。条的导电率优选为至少1,000S/cm，仍更优选至少50,000S/cm。
在本发明方法的工艺步骤III)中，然后将包含以下组分的分散体施加于具有网格结构的透明基底层上：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和
d)至少一种分散剂，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +。
工艺步骤III)中所用分散体包含聚噻吩作为组分a)，特别优选该聚噻吩为具有通式(i)或(ii)的重复单元或者通式(i)和(ii)单元的组合的聚噻吩，非常特别优选具有通式(ii)重复单元的聚噻吩：
其中：
A表示任选取代的C1-C5亚烷基，
R表示线性或支化、任选取代的C1-C18烷基、任选取代的C5-C12环烷基、任选取代的C6-C14芳基、任选取代的C7-C18芳烷基、任选取代的C1-C4羟烷基或羟基，
x表示0-8的整数，且
在几个基团R与A键合的情况下，这些可以为相同或不同的。
通式(i)和(ii)应当理解意指x个取代基R可与亚烷基A键合。
特别优选具有通式(ii)的重复单元的聚噻吩，在该通式(ii)中A表示任选取代的C2-C3亚烷基，且x表示0或1。
在本发明上下文中，前缀“聚”应当理解意指聚合物或聚噻吩包含多于一个相同或不同的通式(i)和(ii)的重复单元。除通式(i)和/或(ii)的重复单元外，聚噻吩还可任选包含其它重复单元，但优选聚噻吩的所有重复单元中的至少50％，特别优选至少75％，最优选至少95％具有通式(i)和/或(ii)，优选通式(ii)。上述百分数数值在此处意欲表示外来掺杂的导电聚合物中的单体单元总数中结构式(i)和(ii)单元的数目含量。聚噻吩包含总计n个通式(i)和/或(ii)，优选通式(ii)的重复单元，其中n为2-2,000，优选2-100的整数。通式(i)和/或(ii)，优选通式(ii)的重复单元每种情况下在聚噻吩内可以为相同或不同的。优选的是具有每种情况下相同的通式(ii)重复单元的聚噻吩。
根据本发明方法的非常具体的实施方案中，聚噻吩a)的所有重复单元中的至少50％，特别优选至少75％，仍更优选至少95％，最优选100％为3,4-亚乙基二氧噻吩单元(即最优选的根据组分a)的聚噻吩为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩))。
聚噻吩优选每种情况下在端基团上带有H。
在本发明上下文中，C1-C5亚烷基A优选为亚甲基、亚乙基、亚正丙基、亚正丁基或亚正戊基。C1-C18烷基R优选表示线性或支化C1-C18烷基，例如甲基、乙基、正-或异丙基、正-、异-、仲-或叔丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C5-C12环烷基R表示例如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基或环癸基，C5-C14芳基R表示例如苯基或萘基，且C7-C18芳烷基R表示例如苄基，邻-、间-、对-甲苯基，2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-、3,5-二甲苯基或基。前述列举用于举例说明本发明，并认为是穷举的。
在本发明上下文中，大量有机基团可作为基团A和/或基团R的任选的进一步取代基，例如烷基、环烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、卤素、醚、硫醚、二硫醚、亚砜、砜、磺酸酯、氨基、醛、酮基、羧酸酯、羧酸、碳酸酯、羧酸盐、氰基、烷基硅烷和烷氧基硅烷基团和羧酰胺基团。
聚噻吩a)优选为阳离子的，“阳离子”仅涉及聚噻吩主链上的电荷。式中未显示正电荷，因为它们的确切数目和位置不能绝对地确定。然而，正电荷的数目为至少1且至多n，其中n为聚噻吩内所有(相同或不同的)重复单元的总数。
为补偿正电荷，阳离子聚噻吩需要阴离子作为抗衡离子，根据本发明优选具有SO3 -M+基团的聚合物(＝聚阴离子)用作聚噻吩的抗衡离子。具有SO3 -M+基团的聚阴离子b)优选为聚磺酸，例如聚苯乙烯磺酸或聚乙烯基磺酸。这些聚磺酸也可以为乙烯基羧酸和乙烯基磺酸与其它可聚合单体如丙烯酸酯和苯乙烯的共聚物。在组分b)的含义内，聚苯乙烯磺酸(PSS)的阴离子特别优选作为具有SO3 -M+基团的聚合物。具有SO3 -M+基团的聚合物的分子量优选为1,000-2,000,000，特别优选2,000-500,000。具有SO3 -M+基团的聚合物或其碱金属盐是市售的或者可通过已知的方法制备(例如参见，Houben Weyl，Methoden der organischen Chemie，第E 20卷，Makromolekulare Stoffe，第2部分，(1987)，第1141及随后各页)。
根据本发明特别优选聚噻吩a)和具有SO3 -M+基团的聚合物b)以聚噻吩和聚阴离子的离子络合物的形式存在于工艺步骤III)中所用分散体中，非常特别优选为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸的离子络合物(所谓的PEDOT/PSS络合物)的形式。这类离子络合物可通过使3,4-亚乙基二氧噻吩在水溶液中在聚苯乙烯磺酸的存在下氧化聚合而得到。这样的细节可见于例如“PEDOT·Principles and Applications of an IntrinsicallyConductive Polymer”，Elschner等人，CRC Press(2011)的第9.1.3章。其它细节也描述在下文中的制备工艺步骤III)中所用分散体的方法中。
聚噻吩a)和具有SO3 -M+基团的聚合物b)的离子络合物，特别是PEDOT/PSS离子络合物优选以颗粒的形式存在于工艺步骤III)中所用分散体中。这些颗粒优选具有1-100nm，特别优选1-60nm，仍更优选5-40nm的直径d50。在在本文中直径分布的d50值表示分散体中所有颗粒总重量的50％可归于具有小于或等于所述d50值的直径的那些颗粒。颗粒的直径借助超离心测量测定。一般程序描述于Colloid Polym.Sci.267，1113-1116(1989)中。
此外，工艺步骤III)中所用分散体包含至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物作为组分c)，全氟化磺酸和四氟乙烯的共聚物特别优选作为组分c)。就这点而言，非常特别优选的共聚物为包含式(II-a)和(II-b)的重复单元的那些：
其中Rf表示具有至少一个，优选1-30个式(II-c)重复单元的基团：
这类全氟化聚合物例如为以商品名市售的聚合物或者以溶解形式以商品名市售的聚合物。此外，合适的具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物为可由德国FuMA-Tech GmbH得到的聚合物，其可以以分散体的形式以商品名805、905和1005得到。
此外，工艺步骤III)中所用分散体包含至少一种分散剂作为组分d)，其中水、有机溶剂或者有机溶剂和水的混合物优选作为分散剂。可提到的分散剂为例如以下溶剂：脂族醇，例如甲醇、乙醇、异丙醇和丁醇；脂族酮，例如丙酮和甲乙酮；脂族羧酸酯，例如乙酸乙酯和乙酸丁酯；芳族烃，例如甲苯和二甲苯；脂族烃，例如己烷、庚烷和环己烷；氯代烃，例如二氯甲烷和二氯乙烷；脂族腈，例如乙腈；脂族亚砜和砜，例如二甲亚砜和环丁砜；脂族羧酸酰胺，例如甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺；脂族和芳脂族醚，例如乙醚和茴香醚。此外，水或者水与上述有机溶剂的混合物也可用作分散剂。优选的分散剂为水或其它质子溶剂，例如醇，例如甲醇、乙醇、异丙醇和丁醇，以及水与这些醇的混合物。特别优选的分散剂为水。
除至少一种聚噻吩a)、至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物b)、至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)和至少一种分散剂d)外，工艺步骤III)中所用分散体可包含至少一种不同于组分a)-d)的添加剂作为组分e)。可能的添加剂e)为：
-表面活性物质，例如阴离子表面活性剂，例如烷基苯磺酸和盐、链烷烃磺酸盐、醇磺酸盐、醚磺酸盐、磺基琥珀酸盐、磷酸酯、烷基醚羧酸或羧酸酯，阳离子表面活性剂，例如季烷基铵盐，非离子表面活性剂，例如线性醇乙氧基化物、羰基合成醇乙氧基化物、烷基酚乙氧基化物或烷基聚葡糖苷，
-附着力促进剂，例如有机官能硅烷或其水解产物，例如3-环氧丙氧丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷或辛基三乙氧基硅烷，或者
-交联剂，例如三聚氰胺化合物，掩蔽异氰酸酯，官能硅烷，例如四乙氧基硅烷，烷氧基硅烷水解产物，例如基于四乙氧基硅烷的那些，环氧硅烷，例如3-环氧丙氧丙基三烷氧基硅烷，环氧化物或氧杂环丁烷，
-粘结剂，例如聚亚烷基二醇、聚丙烯酸酯、聚氨酯、聚酯、聚醚、聚酰胺或聚乙烯醇，
-提高导电率的添加剂，例如，聚亚烷基二醇，特别是聚乙二醇或聚丙二醇、聚甘油或者这些的混合物，多元醇，例如丙二醇和乙二醇，亚砜，例如二甲亚砜，羧酸酰胺，例如甲基乙酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N-环己基吡咯烷酮，离子液体，糖如山梨糖醇，特别优选交联剂用作添加剂e)。
根据工艺步骤III)中所用分散体的一个优选实施方案，其包含如下组分,每种情况下基于分散体的总重量：
a)0.01-1重量％，特别优选0.05-0.5重量％至少一种聚噻吩,
b)0.01-5重量％，特别优选0.1-3重量％至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)0.01-5重量％，特别优选0.1-3重量％至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，
d)69-99.97重量％，特别优选83.5-98.75重量％至少一种分散剂，和
e)0-20重量％，特别优选1-10重量％至少一种不同于组分a)-d)的添加剂。
此外，优选的是工艺步骤III)中所用分散体在25℃的温度下具有1-7，特别优选3-7范围内的pH。工艺步骤III)中所用分散体在20℃下的粘度优选为小于1,000mPas，优选小于400mPas。此外，工艺步骤III)中所用分散体可包含限值内的少量离子杂质，例如如EP-A-991303中所述。优选，工艺步骤III)中所用分散体包含小于1,000ppm离子杂质。
工艺步骤III)中所用分散体的固体含量优选为0.1-10重量％，特别优选0.5-7.5重量％，最优选1-5重量％。
工艺步骤III)中所用分散体优选通过FOM值(FOM＝“品质因数”)表征，该值根据本文所述试验方法测定为至多100Ω/sq，特别优选至多50Ω/sq，最优选至多25Ω/sq。
工艺步骤III)中所用分散体优选通过包括以下工艺步骤的方法制备：
(α1)提供包含至少一种分散剂和所述至少一种聚噻吩a)与所述至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物b)的络合物的分散体，这些络合物通过噻吩单体在具有SO3 -M+基团的聚合物b)的存在下氧化聚合而得到，其中由该分散体形成的涂层具有至少25S/cm，优选至少50S/cm的导电率；
(α2)将工艺步骤(a1)中所得分散体与所述至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)混合。
在工艺步骤(α1)中，首先提供包含至少一种分散剂和所述至少一种聚噻吩a)与所述至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物b)的络合物的分散体，这些络合物通过噻吩单体在具有SO3 -M+基团的聚合物b)的存在下氧化聚合而得到。
噻吩单体的聚合在合适的溶剂中用合适的氧化剂进行(在聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)作为根据组分a)的聚噻吩的情况下，聚合3,4-亚乙基二氧噻吩)。合适的氧化剂的实例为铁(III)盐，特别是FeCl3，以及芳族和脂族磺酸的铁(III)盐，H2O2、K2Cr2O7、K2S2O8、Na2S2O8、KMnO4，碱金属过硼酸盐和碱金属或铵过硫酸盐或者这些氧化剂的混合物。其它合适的氧化剂描述于例如Handbook of Conducting Polymers(编辑Skotheim，T.A.)，Marcel Dekker:New York，1986，第1卷，46-57中。特别优选的氧化剂为FeCl3、Na2S2O8和K2S2O8或者这些的混合物。聚合优选在-20至100℃的反应温度下进行。特别优选20-100℃的反应温度。聚合优选在惰性气体气氛下进行，且反应特别优选在减压下(在真空下)进行。如果合适的话，然后将反应溶液用至少一种离子交换剂处理。
用于上述反应的合适溶剂为例如极性溶剂，例如水，醇，例如甲醇、乙醇、2-丙醇、正丙醇、正丁醇、双丙酮醇、乙二醇、甘油或这些的混合物。脂族酮，例如丙酮和甲乙酮，脂族腈，例如乙腈，脂族和环状酰胺，例如N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，醚，例如四氢呋喃(THF)，和亚砜，例如二甲亚砜(DMSO)，或者这些相互或者与上述溶剂的混合物也是更合适的。
根据本发明特别优选的是，氧化剂仅在借助惰性气体使反应介质呈惰性时加入溶于或分散于溶剂中的噻吩单体中。在本发明上下文中，当惰性气体通过反应介质至少5分钟，优选至少20分钟时，认为已使反应介质呈惰性。氩气、氦气或氮气例如适用作惰性气体。当反应容器的内部压力已被降低至少一次且内部压力然后通过加入惰性气体已提高时，也认为已使反应介质呈惰性。此外，根据本发明优选的是，聚合在低于大气压的压力下进行，如DE-A-102007041722所述。通过上述方法措施，可制得包含至少一种聚噻吩a)与至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物b)的络合物且以特别高的导电率为特征的分散体。
在工艺步骤(α1)中制备包含组分a)和b)的分散体以后，然后将其在工艺步骤(α2)中与至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)混合，该混合可例如通过高压均化而进行，其还可任选进行几次。优选，在本文中，具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)以分散体的形式，例如以现有技术已知的来自DuPont de Nemours GmbH的分散体形式，或者来自FuMa-Tech GmbH的分散体的形式与工艺步骤(α1)中所得分散体混合。以这种方式，得到这样的分散体，其中包含SO3 -M+基团(且并非为氟化或全氟化)的聚合物b)至少部分地结合为络合物(与聚噻吩a))而存在于分散体中，而具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)基本完全以游离形式而不是结合为络合物地存在于分散体中。如果合适的话，包含SO3 -M+基团的(并非为氟化或全氟化的)聚合物b)中的一些也可仅在工艺步骤(α1)中所得分散体的聚合反应结束以后加入，因此在方法的这一实施方案中，具有SO3 -M+基团的聚合物b)的一部分结合为络合物地存在于分散体中，而一部分(即仅在聚合反应结束以后加入的那部分)并未结合为络合物地存在于分散体中。
如果合适的话，在另一工艺步骤(α3)中，也可通过加入合适的碱，例如通过加入碱金属氢氧化物溶液或氢氧化铵溶液将以此方式得到的分散体中的pH调节至1-7的范围，优选调节至5-7的范围。
将工艺步骤III)中的分散体施加于具有网格结构的透明基底层上可例如通过已知方法，例如通过旋涂、浸渍、倾注、滴涂(dripping on)、喷涂、雾散(misting)、刮涂、刷涂或印刷，例如喷墨、丝网、凹版、胶版或移印，以0.5μm至250μm的湿膜厚度，优选以2μm至50μm的湿膜厚度进行。根据本发明方法的一个可能实施方案，分散体以一定湿膜厚度施加，所述厚度使得在工艺步骤IV)中至少部分除去分散剂以后得到厚度至少相当于条的高度的导电聚合物层。也可以以这样的湿膜厚度施加分散体，所述厚度使得在工艺步骤IV)中至少部分除去分散剂以后得到厚度大于条的高度且因此覆盖透明基底层的整个表面的导电聚合物层。为实现所需的聚合物层厚度，分散体也可以相继施加数次，每次施加之后是干燥步骤。
然后在本发明方法的工艺步骤IV)中，至少部分地除去分散剂以得到透明电极。分散剂的至少部分除去在本文中优选通过在20-200℃的温度下干燥而进行，可有利地的是，在干燥方法以前，从基底至少部分除去上清液分散体，例如通过旋除进行。
对实现上述目的的贡献还由可通过上述方法得到的透明电极做出。
对实现上述目的的贡献还由包含以下组件的透明电极做出：
-透明基底层，
-在基底层上的网格结构，其施加于透明基底层上且包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条，
其中网格结构的条之间的中间空间用至少包含以下组分的导电聚合物层填充：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，和
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，
其中该透明电极可例如通过制备透明电极的本发明方法得到。上文已作为与本发明方法有关的优选基底、网格结构和聚合物描述的那些基底、网格结构或聚合物优选作为透明基底层、作为包含多个金属或至少包含金属颗粒的条的网格结构、作为聚噻吩a)、作为具有SO3 -M+基团的聚合物b)以及作为具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)。本发明透明电极中导电聚合物层的厚度优选为50nm至2μm，特别优选200nm至1μm。
对实现上述目的的贡献还由包含可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极的电子组件做出。电子组件优选为OLED或OPV元件。
优选的是包含至少两个电极和在两个电极之间的至少一个发射体层的OLED，在所述至少两个电极中的至少一个相当于可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极。根据本发明优选的OLED由以下层构建：可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极/任选的空穴传输层/发射体层/任选的电子注入层/阴极。
可能的空穴传输层例如为包含以下物质的层：聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、侧链或主链中具有芳族胺的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、茋衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(对-亚苯基亚乙烯基)或其衍生物和聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)特别优选作为空穴传输层。
用于发射体层的合适材料为共轭聚合物，例如聚亚苯基亚乙烯基和/或聚芴，例如WO-A-90/13148中所述的聚对亚苯基亚乙烯基衍生物和聚芴衍生物，或者来自低分子量发射体类的发射体，在技术领域中也称为“小分子”，例如铝络合物，例如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)，荧光染料，例如喹吖啶酮，或者磷光发射体，例如Ir(ppy)3。用于发射体层的其它合适材料描述于例如DE-A-19627071中。根据本发明，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)特别优选作为发射体层。
单独的Ca层或者Ca层和另一层的叠层结构优选用于电子注入层，所述另一层由一种或多种选自周期表IA族和不包括Ca的IIA族金属且具有1.5-3.0eV的逸出功的材料、其氧化物、卤化物和碳酸盐制成。具有1.5-3.0eV的逸出功的周期表IA族金属及其氧化物、卤化物和碳酸盐的实例为锂、氟化锂、氧化钠、氧化锂和碳酸锂。具有1.5-3.0eV的逸出功(exit work)的不包括Ca的周期表IIA族金属及其氧化物、卤化物和碳酸盐的实例为锶、氧化镁、氟化镁、氟化锶、氟化钡、氧化锶和碳酸镁。
用于阴极层的合适材料特别是具有较低逸出功(优选小于4.0eV)的透明或半透明材料。这类材料的实例为金属，例如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)、Be、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铝(Al)、钪(Sc)、钒(V)、Zn、钇(Y)、铟(In)、铈(Ce)、钐(Sm)、Eu、Tb和镱(Yb)；包含这些金属中的两种或更多种的合金；包含这些金属中的一种或多种以及一种或多种选自Au、Ag、Pt、Cu、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)和锡(Sn)的金属的合金；石墨或石墨插层化合物；和金属氧化物，例如ITO和氧化锡。特别优选铝用作阴极层。
其它层，特别是空穴传输层、发射体层、电子注入层和阴极层的施加可以以本领域技术人员已知的方式，优选通过汽相沉积进行，例如如WO-A-2009/0170244中所述。
除上述层外，本发明OLED可包含其它功能层。一个层也可承担几个任务。因此，例如，可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极在上述常规OLED中承担ITO层和空穴注入层的功能。此外，例如，上述发射体材料可与在可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极与发射体层之间的空穴传输中间层组合使用(例如参见US4,539,507和US 5,150,006)。
关于上述OLED的制备细节，参考DE-A-10 2004 010 811中的论述。
由于可通过本发明方法得到的透明电极或根据本发明的透明电极特别高的导电率和高透射率，可省去ITO层的使用，因此根据本发明OLED(以及本发明OPV元件)的一个特别优选实施方案，这些电子组件不包含ITO层。
对实现上述目的的贡献还由包含以下组分的分散体做出:
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和
d)至少一种分散剂，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，且其中分散体的特征是至多100Ω/sq，特别优选至多50Ω/sq，最优选至多25Ω/sq的FOM值(FOM＝“品质因数”)。关于本发明分散体的优选实施方案，参考关于本发明方法的工艺步骤III)中所用分散体的详细论述。
对实现上述目的的贡献还由包含至少包封本发明OLED的照明容器做出。对于在本文中的用途，透明容器为相对于包封在透明容器中的OLED发射的电磁辐射具有至少0.5，优选至少0.6，更优选至少0.7，仍更优选至少0.8，仍更优选至少0.9，仍更优选至少0.95的透射系数的容器。透射系数可定义为包封在容器中的OLED照射在容器内壁上的电磁辐射的强度与容器外部的由容器中OLED发出的电磁辐射的强度之比。
在本发明照明装置的一个优选实施方案中，透明容器包封有惰性气体。对于本文中的应用，惰性气体为这样的的气体：经至少2星期的时间，通过该气体与OLED的化学反应，使与该气体化学接触的OLED的发光强度降低最多10％，优选最多5％，更优选最多1％，仍更优选最多0.1％。惰性气体优选为至少一种选自N2、He、Ne、Ar、Kr、Xe、CO2或者这些中至少两种的组合的气体。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，透明容器是抽空的。对于本文中的应用，如果容器中的气压相当于容器外部气压的最大50％，优选最大25％，更优选最大5％，仍更优选最大1％，则容器是抽空的。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，透明容器是气密密封的。对于本文中的应用，如果水蒸气向透明容器中的渗透率为小于10-6g/(m2*d)，特别优选小于10-8g/(m2*d)，则容器为气密密封的，其中m2考虑容器的总外表面。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，透明容器由本领域技术人员了解适于该目的的玻璃、塑料或透明材料制成。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，本发明OLED是挠性的，使得它可卷绕从而安装在透明容器中。为此，透明基底优选为膜，更优选为塑料膜。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，透明容器以及因此照明装置具有最小可能的尺寸，从而在一个面积上可使用最大可能数目的照明装置。因此可提高照明装置占据的单位面积的总发光强度。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，在透明容器中包封几个OLED以实现照明装置的最高可能发光强度。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，照明装置用在提高特定立体角元件中的发光强度的布置中。这种布置可包含在透明容器内壁上的反射层。金属层特别适用作反射层。该光学系统也可以为折射光学系统。优选的折射光学系统为透镜。
在本发明照明装置的另一优选实施方案中，照明装置用在控制OLED发射的电磁辐射的电磁光谱的布置中。OLED发射的电磁辐射的电磁光谱的控制可以为波长范围的选择性吸收、波长范围的发射方向变化或者电磁光谱范围的波长移动。在该上下文中，所述布置优选包含至少一个来自吸收掩模、光棱柱、透镜、光导体、荧光物质或这些的组合的元件。
对实现上述目的的贡献还由生产照明装置的方法做出，其中生产方法至少包括提供根据本发明的OLED和将根据本发明的OLED引入透明容器中的步骤。
现在借助试验方法以及非限定性图和实施例更详细地解释本发明。
图1显示了可通过本发明方法得到的透明电极或本发明的透明电极的第一实施方案的截面。该透明电极包含透明基底层1，在其上施加了金属或至少包含金属颗粒的条2。相邻的条2之间的中间空间用包含至少一种聚噻吩、至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物和至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物的层3填充。在该第一实施方案中，层3的厚度近似地对应于条2的高度。
图2显示了可通过本发明方法得到的透明电极或本发明透明电极的第二实施方案的截面。与图1中的第一实施方案不同，此处层3的厚度大于条2的高度，因此层3覆盖了透明基底层1的全部表面。
图3显示了本发明OLED构造8，其包含来自图2的透明电极作为基电极的截面。将可以例如为NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)层的空穴传输层4施加于该基电极上，其后是发射体层5，其可以例如为Alq3(三-(8-羟基喹啉)铝)层。发射体层5之后可以为电子注入层6(例如LiF层)。外部施加阴极层7(例如铝)。
图4中所示照明装置包含根据图3的OLED构造8，OLED构造8被包封。OLED构造8位于具有底板的透明玻璃圆筒9中。具有底板的玻璃圆筒9具有40mm的直径且在顶部开口。在具有底板的玻璃圆筒9顶部的开口被具有45mm的直径和1mm的厚度的透明圆形玻璃板10封闭并用双组份环氧粘合剂(型号：UHU-Plus 300)密封。以此方式封闭的具有底板的玻璃圆筒9包含惰性气体11。两个相互电绝缘的电极12汽相沉积在玻璃板10的面对具有底板的玻璃圆筒9的一侧上，因此它们以导电方式将具有底板的玻璃圆筒9的内部空间与具有底板的玻璃圆筒9的外部空间连接。电极12包含200nm厚Ag层。电极12各自与电绝缘Cu丝13连接。Cu丝13与电极12之间的电连接每种情况下通过一滴环氧导电粘合剂14(型号：CW2400，ITW Chemtronics)建立。根据图3的OLED构造8包含透明基底层1、OLED层15、金属或至少包含金属颗粒的条2和导电交叉条16，导电交叉条16垂直且中心横断地使所有金属或至少包含金属颗粒的条2彼此连接。在该上下文中，OLED构造8为挠性的，因此在卷绕状态下，它可包封在具有底板的玻璃圆筒9中。OLED层15施加于透明基底层1上40mm×40mm的面积上且包含根据图3的含有组分a)、b)和c)的层3、空穴传输层4、发射体层5、电子注入层6和阴极层7。两个Cu丝13中的一个以导电方式与根据图3的阴极层7连接。另一Cu丝13与导电交叉条16电连接。OLED构造8平行于具有底板的玻璃圆筒9的纵轴卷起，使得OLED构造8完全安装在具有底板的玻璃圆筒9中，基底层1朝外面向具有底板的玻璃圆筒9的壁，且OLED层15朝内面向具有底板的玻璃圆筒9的纵轴。在具有底板的玻璃圆筒9的底部上的是2个Dryflex干燥器17(型号：DFX/SS-30-A/F/10X18X0.14，SAES Getters GmbH)。
试验方法
FOM值的测定
对于透明导电聚合物层的表面电阻和光吸收的表征，将聚合物溶液借助回转式涂漆器分布于尺寸25mm×25mm的玻璃基底上，然后在热板上干燥。
用双通道分光计(PerkinElmer Lambda 900)记录层的吸收。分光计装配有光度计球。用于测量的涂覆基底固定在分光计中，使得测量光束以8°的角中心地透过基底。由此一起记录测量光束的透射光和反射光的强度。有层与没层下测得的强度差相当于吸收，对应于A＝1-(T+R)。在320nm至780nm的范围内记录强度谱。根据ASTM E308，由强度谱计算对光类型D65和10°观察者而言的标准光谱值Y。
层的表面电阻通过首先借助荫罩板在所述层上汽相沉积平行排列的两个银电极而测定。电极具有20mm的长度且距离10mm。通过平行于电极边缘刮下所述层而将电极之间的区域电绝缘。使用欧姆计测定两个Ag电极之间的电阻。表面电阻(SR)则相当于测量电阻值的两倍。
由涂覆基底的标准色值Y、未涂覆基底的Y0和由表面电阻SR，如下计算“品质因数”值(FOM值，以[Ω/sq]表示)：
FOM＝ln(Y0/Y)×SR
该值相当于经可见光谱范围求平均值的吸收常数除以层的导电率(参见R.G.Gordon，MRS Bulletin/August 2000，第52页)。
粘度测量
粘度借助与低温恒温器连接的Haake RV 1流变仪测定。为此，使用均来自Haake的具有双隙的DG 43测量杯和DG 43转子。将12g水溶液称重入测量杯中。通过低温恒温器将温度调节至20℃。对于分散体的温度控制，温度控制首先以50s-1的剪切速率进行240秒。然后将剪切速率提高至100s-1。将系统保持在该剪切速率下30秒。然后经另外30秒以100s-1的剪切速率进行30次粘度测量(1个测量值/秒)。这30个测量值的平均值为分散体的粘度值。
实施例
实施例部分地基于来自Heraeus Precious Metals GmbH&Co KG的商业PEDOT/PSS分散体。由于这些是公开的且可在市场上自由地得到，省去制备PEDOT/PSS分散体的合成说明。
对比例1：制备高导电PEDOT/PSS配制剂
将84.2g Clevios PH 510(在水中的PEDOT/PSS，2.2％浓度，HeraeusPrecious Metals，德国)和45.4g聚苯乙烯磺酸(PSS，5.99％浓度，Mw＝350,000g/mol；Agfa Gevaert，比利时)混合。然后将混合物在600巴下均化5次。还将5g DMSO(Sigma-Aldrich Chemie GmbH，德国)加入每种情况下95g该混合物中，并将混合物搅拌15分钟。
分析：
固体含量：3.4％
粘度：50mPas[100s-1；20℃]
导电率：93S/cm
FOM值：24.4Ω/sq
实施例1：制备PEDOT/PSS和全氟化聚磺酸的高导电配制剂(根据本发明)
将315g Clevios PH 510(在水中的PEDOT/PSS；1.95％浓度；HeraeusPrecious Metals，德国)与179gFLA-805(磺酸化氟聚合物；在水中4.91％浓度，FuMA-Tech GmbH，德国)混合。然后将混合物在600巴下均化5次。还将5g DMSO(Sigma-Aldrich Chemie GmbH，德国)加入每种情况下95g该混合物中，并将混合物搅拌15分钟。
分析：
固体含量：2.69％
粘度：7mPas[100s-1；20℃]
导电率：220S/cm
FOM值：14.5Ω/sq
实施例2：制备PEDOT/PSS和全氟化聚磺酸的高导电配制剂(根据本发明)
将315g Clevios PH 510(在水中的PEDOT/PSS；1.95％浓度；HeraeusPrecious Metals，德国)与102g聚苯乙烯磺酸(5.99％浓度，Mw＝350,000g/mol；Agfa-Gevaert，比利时)和53.7gFLA-805(磺酸化氟聚合物；在水中4.91％浓度；FuMA-Tech GmbH，德国)混合。然后将混合物在600巴下均化5次。还将5g DMSO(Sigma-Aldrich ChemieGmbH，德国)加入每种情况下95g该混合物中，并将混合物搅拌15分钟。分析：
固体含量：2.89％
粘度：16mPas[100s-1；20℃]
导电率：156S/cm
FOM值：20.2Ω/sq
实施例3：制备PEDOT/PSS和全氟化聚磺酸的高导电配制剂(根据本发明)
将314g Clevios PH 510(在水中的PEDOT/PSS；1.95％浓度；HeraeusPrecious Metals，德国)与179gFLA-805(FuMA-Tech GmbH，德国)混合。然后将混合物在600巴下均化5次。还将5g DMSO(Sigma-AldrichChemie GmbH，德国)加入每种情况下95g该混合物中，并将混合物搅拌15分钟。然后将混合物用25％浓度氢氧化铵溶液(Sigma-Aldrich ChemieGmbH，D-89555Steinheim)调节至pH 6。
分析：
固体含量：2.4％
粘度：6mPas[100s-1；20℃]
导电率：121S/cm
FOM值：28.3Ω/sq
实施例4：制备PEDOT/PSS和全氟化聚磺酸的高导电配制剂(根据本发明)
将314g Clevios PH 510(在水中的PEDOT/PSS；1.95％浓度；HeraeusPrecious Metals，德国)与179gFLA-805(FuMA-Tech GmbH，德国)混合。然后将混合物在600巴下均化5次。还将5g DMSO(Sigma-AldrichChemie GmbH，德国)加入每种情况下95g该混合物中，并将混合物搅拌15分钟。然后将混合物用25％浓度氢氧化铵溶液(Sigma-Aldrich ChemieGmbH，D-89555Steinheim)调节至pH 6。此外将0.1gWetlink78(Momentive，德国)作为交联剂加入每种情况下100g分散体中。
分析：
固体含量：2.4％
粘度：6mPas[100s-1；20℃]
导电率：213S/cm
FOM值：17.4Ω/sq
表1对比例1和实施例1-4中制得的混合物的组成和pH值
PEDOT含量 PSS含量 氟聚合物含量 pH 交联剂[％]
对比例1 1 7.5 0 <2 0
对比例2 1 7.5 0 6 0.1
实施例1 1 2.5 5 <2 0
实施例2 1 6 1.5 <2 0
实施例3 1 2.5 5 6 0
实施例4 1 2.5 5 6 0.1
实施例5：制造不含ITO层的OLED
包含本发明分散体的无ITO OLED的构造和表征
借助荫罩板在尺寸为50mm×50mm的玻璃基底上汽相沉积金属条的连续结构。该结构包含10条宽1mm且长45mm的线，它们以3.5mm的距离彼此平行排列。将所有横向线相互连接的一条3mm宽的线与它们中心垂直交叉。在汽相沉积装置(Leybold，Univex 350)中汽相沉积包含以下层序列的金属条：10nm铬、200nm银和10mm铬。
将来自实施例4的本发明分散体施加于用金属条汽相沉积的基底上。该分散体借助回转式涂漆器(Carl Süss，RC8)沉积。为此，将基底用该溶液完全润湿并在开盖下以500rpm在200rpm/s的加速度下旋转30秒而除去该溶液。然后将层在热板上在130℃下干燥15分钟。金属条之间的层厚度用针式轮廓仪(Dektak 150，Veeco)测量为200nm。
在下一步骤中，再次将基底转移至汽相沉积装置(Univex 350，Leybold)中。在10-3Pa的压力下，由两个分开的蒸发器相继地汽相沉积两个有机分子层：首先以60nm的厚度沉积NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)的空穴传输层，然后以50nm的厚度沉积Alq3(三-(8-羟基喹啉)铝)的发射体层。汽相沉积速率每种情况下为
然后将层体系转移至在充有N2气氛的手套箱中的汽相沉积装置(Edwards)中，并用相应的阴极汽相沉积。为此，使用每种情况下2.0mm直径的具有8个孔的荫罩板。放置多孔掩模，使得孔在平行的金属条之间但不接触金属条。在p＝10-3Pa的压力下由两个汽相沉积皿相继地汽相沉积0.5nm厚LiF层，然后200nm厚Al层。汽相沉积速率对LiF而言为对Al而言为各OLED的面积为3.14mm2。
将OLED试验结构保持在充有N2气氛的手套箱中并在其中表征。为此，将中心金属条与正极连接并将汽相沉积的金属触点借助弹簧金丝与电流/电压来源的负极连接。此处OLED在用于记录电致发光(EL)的Si光电二极管以上。通过在-8V至+8V的范围内逐步提高电压，记录电流/电压特征线，同时检测EL强度。然后进行操作寿命测量，其中使恒定1.507mA的规则电流流过OLED，同时记录施加电压的提高和EL强度的降低。
对比例2
程序如实施例5，不同的是代替本发明分散体，使用来自对比例1的分散体，首先将其用25％浓度氢氧化铵溶液(Sigma-Aldrich ChemieGmbH，D-89555Steinheim)调节至pH 6，此外将0.1gWetlink78(Momentive，德国)作为交联剂加入100g该分散体中。类似于实施例5，通过以1,600rpm旋除溶液而在基底上沉积200nm厚层，其它条件相同，然后干燥。
表2显示关于OLED构造ITO/HIL(实施例5、对比例2)//NPB//Alq3//LiF//Al的特征线和操作寿命。
因此表明，本发明分散体适用作代替ITO的透明导电电极，且氟聚合物的添加也导致在不存在ITO层下OLED性能的显著改进。在U＝5V下的EL强度因此高超过2个因子，且操作寿命也显著改进。
实施例6：OLED照明装置的生产，其中在无ITO PET膜上具有金属母线和本发明物质的涂层，随后将该装置包封
程序如同实施例5，不同在于：1)尺寸为50×50mm2的PET膜(Melinex505，DuPont Teijin，175μm厚)用作基底代替玻璃基底。2)不同的荫罩板用于阴极汽相沉积。荫罩板完全覆盖基底，且在中心具有40×40mm2的正方形开口。在其中在p＝10-3Pa的压力下相继汽相沉积0.5nm厚LiF层，然后200nm厚Al层的阴极汽相沉积步骤以后，使OLED灯在充有N2气氛的手套箱中经受功能测试。为此，借助薄挠性金丝，将4.5V电池的正极与中心金属条连接，且负极与阴极连接。该布置在整个阴极面积上均匀地照亮。
40mm直径的扣盖(snap-cover)玻璃用于包封OLED照明装置。借助金刚石锯除去开口并在抛光盘上使切口平滑。因此形成在底部封闭且在顶部打开的约80mm高玻璃圆筒。将这样去头的扣盖玻璃转移至手套箱中并在其中在150℃热板上彻底干燥几小时。将具有约45mm直径的1mm厚圆形玻璃盘在一侧上汽相沉积200nm Ag，作为荫罩板位于基底中央的5mm宽的带夹(band clamp)将汽相沉积的Ag层分成彼此电绝缘的两个区域。现在使用金属丝将这两个电极与OLED照明装置的阴极和阳极连接。为此，将薄的绝缘Cu丝用一小滴环氧导电粘合剂(CW2400，ITW Chemtronics，Georgia)各自固定在相应电极上。在环氧导电粘合剂彻底干燥以后，将OLED照明装置卷起并插入扣盖玻璃中。这里阴极向内取向。预先将两个Dryflex干燥器(DFX/SS-30-A/F/10X18X0.14，SAES Getters GmbH，D)粘在扣盖玻璃的基底上。将切割边缘用双组份环氧粘合剂(UHU-Plus 300)完全涂覆，并牢固地压上玻璃盖，电极至粘合剂。现在接触线完全在扣盖玻璃中而不占据胶粘区域中的空间。在压力下将环氧粘合剂彻底干燥以后，可将这样包封的OLED照明装置从手套箱中取出。
通过将稍微伸出玻璃盖的两个汽相沉积的Ag电极与电池的正极和负极连接，OLED照明装置现在也可在环境空气中操作。在4.5V的施加电压下的发光强度为30cd/m2。经2星期的观察时间不可检测到发光强度的降低。未气密包封的OLED照明装置在空气中储存几分钟以后将会不能使用。
附图标记列表
1  透明基底层
2  金属或至少包含金属颗粒的条
3  包含组分a)、b)和c)的层
4  空穴传输层
5  发射体层
6  电子注入层
7  阴极层
8  OLED结构
9  具有底板的玻璃圆筒
10  圆形玻璃板
11  惰性气体
12  电极
13  电绝缘Cu丝
14  导电环氧粘合剂
15  OLED层
16  导电交叉条
17  Dryflex层

Claims (22)

1.制备透明电极的方法，其包括以下工艺步骤：
I)提供透明基底层，
II)向基底层施加包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条的网格结构，
III)向具有网格结构的透明基底层施加包含以下组分的分散体：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和
d)至少一种分散剂，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，和
IV)至少部分地除去分散剂，导致得到透明电极。
2.根据权利要求1的方法，其中工艺步骤I)中提供的透明基底层为透明聚合物层。
3.根据权利要求1或2的方法，其中工艺步骤II)中网格结构的施加通过包含银颗粒的糊进行。
4.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体的特征是至多100Ω/sq的FOM值(FOM＝“品质因数”)。
5.根据权利要求4的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体的特征是至多50Ω/sq的FOM值。
6.根据权利要求5的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体的特征是至多25Ω/sq的FOM值。
7.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体中的所述至少一种聚噻吩a)为聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)。
8.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体中的所述至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物b)为聚苯乙烯磺酸。
9.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体中的所述至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物c)为全氟化磺酸和四氟乙烯的共聚物。
10.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体中的所述至少一种分散剂d)为水。
11.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体包含至少一种交联剂作为不同于组分a)-d)的其它添加剂e)。
12.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体包含如下组分，每种情况下基于分散体的总重量：
a)0.01-1重量％所述至少一种聚噻吩，
b)0.01-5重量％所述至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)0.01-5重量％所述至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，
d)69-99.97重量％所述至少一种分散剂，和
e)0-20重量％所述至少一种不同于组分a)-d)的添加剂。
13.根据前述权利要求中一项的方法，其中工艺步骤III)中所用分散体在25℃的温度具有1-7范围内的pH。
14.可通过根据权利要求1-13中一项的方法得到的透明电极。
15.透明电极，其包含：
-透明基底层，
-在基底层上的网格结构，其施加于透明基底层上且包含多个金属的或至少包含金属颗粒的条，
其中网格结构的所述条之间的中间空间用至少包含以下组分的导电聚合物层填充：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，和
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +。
16.包含根据权利要求14或15的透明电极的电子组件。
17.根据权利要求16的电子组件，其中组件为OLED(“有机发光二极管”)或OVP元件(“有机光伏”元件)。
18.根据权利要求17的电子组件，其中OLED至少由以下层构建：根据权利要求14或15的透明电极/任选的空穴传输层/发射体层/任选的电子注入层/阴极。
19.根据权利要求18的电子组件，其中OLED不包含ITO层。
20.分散体，其包含：
a)至少一种聚噻吩，
b)至少一种具有SO3 -M+基团的聚合物，
c)至少一种具有SO3 -M+基团的氟化或全氟化聚合物，和
d)至少一种分散剂，
其中M+表示H+、Li+、Na+、K+或NH4 +，且
其中该分散体的特征是至多100Ω/sq的FOM值。
21.照明装置，其包含至少包封根据权利要求17-19中一项的OLED的透明容器(9、10)。
22.生产照明装置的方法，其至少包括如下工艺步骤：
a)提供根据权利要求17-19中一项的OLED，
b)将OLED引入透明容器(9、10)中。
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