CN104744696B - 聚酰亚胺膜和柔性电路板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜中含有化学镀促进剂，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种。本发明还提供了该聚酰亚胺膜的制备方法。本发明还提供了一种柔性电路板的制备方法，该方法包括通过激光照射上述聚酰亚胺膜的一面或两面后，将该激光照射后的所述聚酰亚胺膜进行化学镀处理，本发明还提供了该方法制备的柔性电路板。本发明的聚酰亚胺膜性能好，其制备的柔性电路板的方法特别是制备两面电导通的方法简单，且其铜附着力强、耐焊性能好以及表面阻抗、体积阻抗和线间绝缘电阻也优良。

Description

聚酰亚胺膜和柔性电路板及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种聚酰亚胺膜及其制备方法、一种使用该聚酰亚胺膜制备柔性电路板的方法以及该柔性电路板的制备方法制备的柔性电路板。
背景技术
柔性电路板（FPC）因其具有布线密度高、轻薄等特点被广泛地应用于印刷电路板的制作中，以用于生产手机、电脑、数码相机等。然而传统的FPC是将铜箔基板的一面上粘贴上聚酰亚胺膜，得到复合基材，然后在该复合基材的铜箔基板另一面上贴上干膜，根据所需要的电路图案将该干膜面进行曝光、显影等处理，将未固化的干膜部分去除，曝露出铜箔基板，再将该曝露的铜箔基板处通过蚀刻除去，而后剥去干膜便得到所需的线路。然而，该制备方法具有工艺复杂、环境污染严重、成本较高等缺点。
近年来有不少关于在聚酰亚胺上诱导化学镀的研究工作，例如CN1772948A公开了一种聚酰亚胺薄膜上激光诱导选择性化学镀的方法。该方法包括将聚酰亚胺薄膜通过在强碱溶液中浸泡，使得该聚酰亚胺薄膜表面生成酰亚胺盐再在硝酸银溶液中浸泡，从而得到表明束缚银离子的聚酰亚胺薄膜。该束缚了银离子的聚酰亚胺薄膜上的银离子可以通过激光辐射还原为金属银粒子，从而可以选择性地用激光辐射束缚了银离子的聚酰亚胺薄膜的部位而控制之后的化学镀的微观图形。然而，该方法工艺较为复杂，成本较高，并且没有得到两面导通的电路板。
发明内容
本发明的目的在于克服现有的柔性电路板的制作工艺复杂、周期长、成本高的缺陷，提供了一种方法简单、成本低的聚酰亚胺膜及其制备方法，使用该聚酰亚胺膜制备柔性电路板的方法以及该柔性电路板的制备方法制备的柔性电路板。
本发明的发明人深入研究发现，在化学镀促进剂的存在下，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4和CoC2O4中的一种或多种，将所述二胺和四羧酸二酐进行接触反应得到聚酰胺酸浆料，再通过亚胺化，能够得到一种新的聚酰亚胺膜。该聚酰亚胺膜能够根据所需要的电路图案，通过激光能够对其进行灼烧活化，在曝露出上述化学镀促进剂后，再通过化学镀的方法，可以在该化学镀促进剂的位点上镀上所需要的金属从而形成所需要的电路图案；并且，还可以在该聚酰亚胺膜上钻孔，无需经过黑孔化处理而是直接通过化学镀的方法使得该聚酰亚胺膜的孔壁上镀上金属，从而可以得到两面电导通的柔性电路板，由此完成了本发明。
本发明提供了一种聚酰亚胺膜，其中，所述聚酰亚胺膜中含有所述化学镀促进剂，该化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种。
本发明还提供上述聚酰亚胺膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
1）在溶剂存在下，将二胺和四羧酸二酐进行接触反应得到聚酰胺酸浆料；
2）将该聚酰胺酸浆料涂布于基材上并进行亚胺化；
其中，在步骤1）中，所述接触反应在化学镀促进剂的存在下进行，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种。
本发明还提供一种柔性电路板的制备方法，其中，该制备方法包括：通过激光照射上述聚酰亚胺膜或通过上述制备方法制备得到的聚酰亚胺膜的一面或两面后，将该激光照射后的所述聚酰亚胺膜进行化学镀处理。
本发明还提供上述柔性电路板的制备方法制备得到的柔性电路板。
根据本发明，通过制备一种含有所述化学镀促进剂（该化学镀促进剂TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O、CoO和CoC2O4中的一种或多种）的聚酰亚胺膜，从而能够根据所需的电路图案，通过激光对该聚酰亚胺膜进行灼烧并曝露出所述化学镀促进剂，再通过化学镀在该曝露出的所述化学镀促进剂上镀上金属，形成柔性电路板。另外，还可以将聚酰亚胺膜进行钻孔，在孔壁处曝露出化学镀促进剂处通过化学镀的方法镀上金属，从而使得所述聚酰亚胺膜的两面可以导通，得到具有两面电路图案的导通的柔性电路板。
并且，本发明所提供的聚酰亚胺膜的热膨胀系数可以达到16-25μm/(m·℃)，拉伸强度可以达到155MPa以上，断裂拉伸率可以达到20%以上，镀铜速度可以达到3μm/h以上。
进而，通过本发明的方法所得到的柔性电路板具有强的铜附着力、好的耐焊性能等优点，且表面阻抗、体积阻抗和线间绝缘电阻满足使用要求。
本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
具体实施方式
以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
本发明提供了一种聚酰亚胺膜，其中，所述聚酰亚胺膜中含有化学镀促进剂，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种。
根据本发明，为了得到能够形成综合性能更为优良的聚酰亚胺膜，优选所述化学镀促进剂为Co2O3、CoSiO3、Ni2O3、CuSiO3、NiSiO3、CuB2O4、NiB2O4和NiC2O4中的一种或多种，更优选为Co2O3、CoSiO3、CuSiO3和Ni2O3中的一种或多种。
根据本发明，所述化学镀促进剂在所述聚酰亚胺膜中均匀分布，从成本及综合性能的方面来考虑，优选情况下，相对于所述聚酰亚胺膜中的聚酰亚胺的总量，所述化学镀促进剂的含量为5-20重量%，更优选为10-16重量%。
根据本发明，所述聚酰亚胺膜可以用于制作柔性电路板，因此，所述聚酰亚胺膜的厚度可以为本领域常规的用于制作柔性电路板时的厚度，例如可以为15-160μm，优选为25-50μm。
根据本发明，所述聚酰亚胺膜中还可以含有添加剂，所述添加剂可以为本领域通常用于聚酰亚胺膜中的添加剂，例如，所述添加剂可以为无机填料、抗氧剂、阻燃剂等。从增强聚酰亚胺膜的强度、拉伸性能、耐磨性能等方面来考虑，优选所述聚酰亚胺膜中还含有所述无机填料，所述无机填料可以为本领域通常使用的各种无机填料，例如可以为碳酸钙、硫酸钙、滑石粉、二氧化钛、硅灰石、硅藻土、高岭土、云母（粉剂）、氧化铝、炭黑、和二氧化硅中的一种或多种，优选为滑石粉、二氧化钛、云母粉和二氧化硅中的一种或多种。
根据本发明，所述聚酰亚胺膜中的所述无机填料的含量可以为本领域通常使用的含量，优选情况下，相对于所述聚酰亚胺膜中的聚酰亚胺的总量，所述无机填料的含量为5-50重量%，优选为10-30重量%。
本发明还提供了上述聚酰亚胺膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
1）在溶剂存在下，将二胺和四羧酸二酐进行接触反应得到聚酰胺酸浆料；
2）将该聚酰胺酸浆料涂布于基材上并进行亚胺化；
其特征在于，在步骤1）中，所述接触反应在化学镀促进剂的存在下进行，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种。
根据本发明，在所述溶剂和所述化学镀促进剂的存在下，将所述二胺和所述四羧酸二酐进行接触反应就可以得到含有TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种的所述化学镀促进剂的聚酰胺酸浆料。使用该聚酰胺酸浆料进行亚胺化就可以得到本发明的含有化学镀促进剂的聚酰亚胺膜，从而能够通过化学镀简单快速地得到金属附着力强且线间绝缘性能好的柔性电路板，但是为了得到能够形成综合性能更为优良的柔性电路的聚酰亚胺膜，优选所述化学镀促进剂为Co2O3、CoSiO3、Ni2O3、CuSiO3、NiSiO3、CuB2O4、NiB2O4和NiC2O4中的一种或多种，更优选为Co2O3、CoSiO3、CuSiO3和Ni2O3中的一种或多种。
根据本发明，从成本和综合性能方面来考虑，步骤1）中，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述化学镀促进剂的用量可以为5-20重量%，更优选为10-16重量%。
在本发明中，可以制备得到含有上述化学镀促进剂的聚酰亚胺膜，该聚酰亚胺膜可以根据所需要的电路图案，通过激光对其进行灼烧，在暴露出其中的所述化学镀促进剂后，再通过后期的化学镀的方法，可以在该曝露出的所述化学镀促进剂的位点上镀上所需要的金属，从而得到具有所需要的电路图案的柔性电路板。因此，所述化学镀促进剂在所述聚酰亚胺膜中的分布状态非常重要，为了能够得到所述化学镀促进剂在所述聚酰亚胺膜中均匀分布的聚酰亚胺膜，优选所述化学镀促进剂的粒径为0.2-2μm，更优选为0.5-1.5μm。
另外，为了能够得到所述化学镀促进剂在所述聚酰亚胺膜中均匀分布的聚酰亚胺膜，优选将化学镀促进剂和反应原料（二胺和四羧酸二酐）充分混合，使得所述化学镀促进剂均匀分布在得到的聚酰胺酸浆料中。
根据本发明，优选的情况下，所述接触反应还在添加剂的存在下进行，所述添加剂可以为本领域通常用于聚酰亚胺膜中的添加剂，例如，所述添加剂可以为无机填料、抗氧剂、阻燃剂等。从增强聚酰亚胺膜的强度、拉伸性能、耐磨性能等方面来考虑，优选所述接触反应在无机填料的存在下进行，所述无机填料可以为本领域通常使用的各种无机填料，例如可以为碳酸钙、硫酸钙、滑石粉、二氧化钛、硅灰石、硅藻土、高岭土、云母（粉剂）、氧化铝、炭黑、和二氧化硅中的一种或多种，优选为滑石粉、二氧化钛、云母粉和二氧化硅中的一种或多种。
根据本发明，对所述无机填料的用量并没有特别限定，可以根据具体的对聚酰亚胺膜的强度等性能的要求进行调整，优选情况下，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述无机填料的用量为5-50重量%，更优选为10-30重量%。此外，所述无机填料的粒径可以为本领域用于聚酰亚胺膜的制备中的常规粒径，优选情况下，所述无机填料的粒径为0.2-5μm。
根据本发明，所述二胺和所述四羧酸二酐进行接触反应需要在溶剂特别是极性溶剂的存在下进行，对所述溶剂的选择也没有特别限定，只要能够使得所述二胺和所述四羧酸二酐能够接触反应生成聚酰胺酸即可。例如，所述溶剂可以为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、四氢呋喃和甲醇中的一种或多种。此外，对所述溶剂的用量也没有特别地限定，可以根据所需聚酰胺酸浆料的粘度进行适当地调整，优选情况下，相对比所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述溶剂的用量为350-600重量%。
根据本发明的一种优选实施方式，可以先将所述无机填料和所述化学镀促进剂在所述溶剂中进行均匀分散，例如可以采用机械搅拌的方式使其均匀分散。然后再加入所述二胺溶解，再向该混合物中加入所述二酐。优选所述二酐在低温搅拌条件下（例如5-20℃）加入，从而可以较好地控制所得的聚酰胺酸浆料的分子量和粘度。为了保证亚胺化步骤中形成的聚酰亚胺膜的力学性能，优选情况下，所述二胺和所述四羧酸二酐的摩尔比为1：（0.85-1.1），更优选为1：（0.9-1.05）。
在本发明中，所述二胺和所述四羧酸二酐可以本领域常规的用于制备聚酰亚胺膜时所用的二胺和四羧酸二酐，例如所述二胺可以优选为3,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯砜、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷和双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜中的一种或多种；所述四羧酸二酐可以优选为均苯四甲酸二酐、二苯醚四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、二苯甲酮四酸二酐和2,2'-双[4-(3,4-二羧苯氧基)苯基]丙烷四酸二酐中的一种或多种。
根据本发明，上述制备所述聚酰亚胺膜的聚酰亚胺浆料的粘度可以在较大范围内变动，优选情况下，在25℃时，所述聚酰胺酸浆料的粘度为60000-100000cp。其中，为了可以将所述聚酰胺酸浆料涂布得更均匀以及在亚胺化时所述溶剂更容易脱除，所述聚酰胺酸浆料的粘度需要控制在100000cp以下；同时，为了保证所制备的聚酰亚胺膜的耐化学药品性，所述聚酰胺酸浆料的粘度需要控制在60000cp以上。
根据本发明，可以将步骤1）得到的所述聚酰胺酸浆料通过本领域常规的涂布方式（例如涂布机、刮刀涂布等）涂布到基材上（例如玻璃板、不锈钢板等），然后进行亚胺化。对所述聚酰胺酸浆料涂布在所述基材上的厚度和所得的聚酰亚胺膜的厚度都没有特别限定，可以为本领域常规的厚度。从市场上对所述聚酰亚胺膜的使用要求方面考虑，优选所述聚酰亚胺膜的厚度为15-160μm，更优选25-50μm。另外，可以根据所需的聚酰亚胺膜的厚度适当地调整所述聚酰胺酸浆料涂布在所述基材上的厚度，例如当所述聚酰亚胺膜的厚度为15-160μm时，所述聚酰胺酸浆料涂布在所述基材上的厚度为100-1500μm。
根据本发明，为了使得涂布在基材上的所述聚酰胺酸浆料转化为所述聚酰亚胺膜，需要进行亚胺化处理。所述亚胺化的处理方法为本领域常规的亚胺化的方法，优选地，所述亚胺化包括依次进行第一阶段亚胺化和第二阶段亚胺化。所述第一阶段亚胺化可以使得上述涂布在基材上的所述聚酰胺酸浆料中的溶剂除去，同时可以完成初步亚胺化以促进第二阶段亚胺化更好地进行。优选地，所述第一阶段亚胺化的条件包括：从30-45℃以6-10℃/min的升温速度进行加热至160-180℃。其中，从30-45℃（该温度可以为烘箱初始温度，可以通过设定进行调控）开始升温可以有效地使得溶剂开始排出，以6-10℃/min的升温速度升温可以在保证溶剂有足够的时间排出的同时也可以缩减时间，加热至160-180℃是为了保证溶剂彻底排出又不会使得第一阶段因温度太高而导致大量亚胺化使得形成的膜性质下降。将第一阶段亚胺化完成后的膜直接取出或者卷取，在冷却到室温后，再进行第二阶段亚胺化，该第二阶段亚胺化可以使得最终的聚酰亚胺膜的形成。优选地所述第二阶段亚胺化的条件包括：从20-40℃（该温度为室温，无需通过烘箱进行初始温度的设定）以4-6℃/min的升温速度进行加热至320-350℃后并保温50-70min。经过第一阶段亚胺化的处理，初步形成了膜的形状，在取出降至室温后，再进行第二阶段的亚胺化。第二阶段亚胺化的升温速度优选较慢为4-6℃/min，且加热至320-350℃后需要保温50-70min，以完成亚胺化而得到本发明的聚酰亚胺膜。通过该两个阶段的亚胺化处理，能够将涂布在基材上的所述聚酰胺酸浆料成功地转化为没有气泡、没有裂纹且拉伸性能好的聚酰亚胺膜。
并且，在本发明中，通过上述方法得到的聚酰亚胺膜的热膨胀系数可以达到16-25μm/(m·℃)，拉伸强度可以达到155MPa以上，断裂拉伸率可以达到20%以上。
另外，本发明还提供了一种柔性电路板的制备方法，其中，该制备方法包括：通过激光照射上述聚酰亚胺膜的一面或两面后，将该激光照射后的所述聚酰亚胺膜进行化学镀处理。
根据本发明，可以根据所需的电路图案对所述聚酰亚胺膜的一面或两面的全部或局部进行激光照射，通过激光照射的聚酰亚胺膜的部位的聚合物树脂成分就会被灼烧掉，而曝露出原本在所述聚酰亚胺膜中均匀分布的所述化学镀促进剂。该曝露出的所述化学镀促进剂形成的就是所需的电路图案的式样，并且呈现凹凸不平的蜂窝结构，有利于后续的化学镀处理中金属的稳固粘接。所述激光照射的条件可以根据聚酰亚胺膜中的聚合物树脂的成分进行适当地调整，优选地，所述激光照射的条件包括：波长为800-2500nm，扫描速度为500-8000mm/s，激光器功率为3-20W。更优选地，所述激光照射的条件包括：波长为800-1200nm，扫描速度为800-1500mm/s，激光器功率为3-5W。其中，激光器的功率过大，所述聚酰亚胺膜中的聚合物的烧灼程度越大，甚至可能会导致所述聚酰亚胺膜变形或烧灼至穿孔，因此，可以根据具体的所述聚酰亚胺膜的厚度以及所需的电路图案的样式进行调整。本发明中优选激光器功率为3-20W，更优选为3-5W，正是出于这样的考虑。并且，当激光器功率在3-5W的范围内，可以在较短的时间内、较小的电能损耗下得到较为清楚的电路图案，同时又不会使得所述聚酰亚胺膜因被烧灼得太多而变形或者穿孔。
上述激光照射可以使用本领域常规的激光器进行，例如CO2激光打标机等激光器。在参考上述激光照射的条件下，通过适当地设置激光器的参数可以将所述聚酰亚胺膜上的聚合物灼烧掉形成所需的电路图案。对激光器的参数的设置例如频率、步长、延时、填充间距并没有特别的限定，可以根据具体的激光照射条件进行设置，例如所述频率可以为30-40KHz，所述步长可以为3-9μm，所述延时可以为30-100μs，所述填充间距为10-50μm。
上述激光处理后，可以直接通过化学镀的方法镀上金属。在制备两面都有电路图案且两面的电路图案能够电导通的柔性电路板时，可以在化学镀之前对所述聚酰亚胺膜进行钻孔，再通过化学镀的方法镀上金属。对于钻孔采取的方式并没有特别限定，只要能够使得所述聚酰亚胺膜中可以具有能够通过后期的化学镀得到两面导通的孔隙即可，在此不再赘述。在此，术语“电导通”是指所述聚酰亚胺膜的两面上的经过化学镀形成的金属覆盖的电路图案可以通过孔隙中镀上的金属连接而实现通电的目的。
根据本发明，在所述化学镀之前且在钻孔处理之后，不对所述聚酰亚胺膜的孔壁进行黑孔化处理。通常，为了制备两面导通的电路板，需要在对电路板进行钻孔后，通过黑孔化处理以便在该电路板的孔壁内形成一层导电的碳沉积层，才能在孔壁上镀上铜等金属。而本发明的柔性电路板在经过钻孔后，孔壁上也会曝露出化学镀促进剂，因此，在无需进行黑孔化处理的条件下，直接进行后面的化学镀处理，就可以在激光烧灼的部位和孔壁上镀上金属，从而得到两面导通的柔性电路板，简化了操作工艺。
将经过前文叙述的步骤处理后的所述聚酰亚胺膜进行化学镀处理，镀上所需要的一种或多种金属，所述金属可以为本领域常用的各种金属，例如为铜、镍和金等中的一种或多种。
根据本发明，所述化学镀的方法可以采用本领域常规的化学镀金属的方法。主要是将激光照射后的所述聚酰亚胺膜与化学镀金属液接触，使得化学镀金属液可以在所述聚酰亚胺膜上曝露出来的所述化学镀促进剂上还原为金属，包裹于所述化学镀促进剂的表面。
根据本发明，可以在所述聚酰亚胺膜与一种化学镀金属液接触从而镀上一种金属，也可以依次或同时与多种化学镀金属液接触镀上多种金属。根据本发明的一种优选实施方式，将所述聚酰亚胺膜依次与化学镀铜液、化学镀镍液和化学镀金液接触，能够得到所述聚酰亚胺膜上的金属层从里到外为Cu-Ni-Au的结构。对所述化学镀铜液、化学镀镍液和化学镀金液并没有特别限定，可以为本领域技术人员通常用于镀铜、镀镍和镀金的化学镀铜液、化学镀镍液和化学镀金液，该化学镀铜液、化学镀镍液和化学镀金液可以通过商购获得或自行进行配制。例如所述化学镀铜液含有：0.12mol/L的CuS04·5H2O、0.14mol/L的Na2EDTA·2H2O、10mg/L的亚铁氰化钾、10mg/L的2,2-联吡啶、0.10mol/L的乙醛酸且pH值为12.5-13（用NaOH和H2SO4调节）；化学镀镍液含有：23g/L的硫酸镍、18g/L的次亚磷酸钠、15g/L的苹果酸且在85-90℃下的pH为5.2（用NaOH调节）；所述化学镀金液可以直接采用BG-24中性镀金液（购自深圳金研创化工公司），采用本领域常规的闪镀金层技术，这里不再赘述。
根据本发明，得到的Cu层的厚度可以为0.1-100μm，优选为1-50μm，更优选为5-30μm；得到的Ni层的厚度可以为0.1-50μm，优选为1-10μm，更优选为2-3μm；得到的Au层的厚度可以为0.01-10μm，优选为0.01-2μm，
本发明还提供了上述柔性电路板制备方法所制备的柔性电路板。
根据本发明，所述柔性电路板可以是一面具有经过化学镀镀上金属层的电路图案的电路板，也可以是两面可电导通的两面都有电路图案的电路板。所述柔性电路板具有的金属附着力强，耐焊性优异，表面阻抗为大于1013Ω，体积阻抗为大于1014Ω·cm，线间绝缘电阻为大于100MΩ。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
以下实施例和应用实施例中，对聚酰亚胺膜的热膨胀系数、剥离强度、拉伸强度、断裂拉伸率的性能的测定通过以下方法：
热膨胀系数：根据ASTM D3386-2000的方法进行测定；
拉伸强度：根据IPC-TM-6502.4.19的方法进行测定；
断裂拉伸率：根据IPC-TM-6502.4.19的方法进行测定；
柔性电路板的金属附着力、耐焊性、表面阻抗、体积阻抗和线间绝缘电阻的性能的测定是通过以下方法完成：
金属附着力：根据GB/T9286-1998的方法进行测定
耐焊性：根据IPC-TM-650NO.2.4.13的方法进行测定
表面阻抗：根据IPC-TM-6502.5.17的方法进行测定；
体积阻抗：根据IPC-TM-6502.5.17的方法进行测定；
线间绝缘电阻：根据IPC-TM-6502.6.3.2的方法进行测定；
两面电导通的柔性电路板的电导通情况测定是采用万用表测试正反面电路的电阻值，当电阻值为0或非常小时，两面的线路是通路。化学镀促进剂Co2O、Ni2O3、CuSiO3和CoSiO3购自天元化工有限公司，无机填料云母粉、滑石粉和二氧化硅购自金阳化工有限公司，对苯二胺购自安诺化学公司，3,4'-二氨基二苯醚和4,4'-二氨基二苯醚购自购自常吉化工有限公司，均苯四甲酸二酐和3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐购自石家庄海力精化有限责任公司，3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐购自上海聚豪精细化工有限公司，3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐购自上海隆垒生物科技有限公司。
实施例1
本实施例用于说明本发明的聚酰亚胺膜及其制备方法。
将13.759g的粒径为1.5μm的云母粉、13.759g的粒径为2μm的Co2O3和353ml的N,N-二甲基乙酰胺进行混合并搅拌分散35min，然后加入27.3g的4,4'-二氨基二苯醚和6.318g对苯二胺，再搅拌30min使二胺完全溶解。再向其中缓慢加入3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐使得反应体系的粘度逐渐上升，当联3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐添加至53g时，反应体系粘度上升至6.7万cp，停止3,3',4,4'-联苯四甲酸二酐的添加，得到聚酰胺酸浆料。
将以上聚酰胺酸浆料抽真空，使该聚酰胺酸浆料中的气泡排除掉。
在玻璃板上采用500μm间隙的刮刀对该聚酰胺酸浆料进行涂布，将涂布后的玻璃板进行第一次升温加热，从40℃匀速升温至180℃，升温时间为15min，取出后冷却至25℃后进行第二次加热，从25℃匀速升温至340℃，升温时间为1h，在340℃保温1h。取出冷却后，将得到的聚酰亚胺膜从玻璃板上脱离，其厚度为45μm。并对该膜进行了热膨胀系数、拉伸强度（MD-横向和TD-纵向）和断裂拉长率（MD-横向和TD-纵向）的测试，其结果见表1。
实施例2
本实施例用于说明本发明的聚酰亚胺膜及其制备方法。
将14g的粒径为0.8μm的云母粉、7g的粒径为2μm的CoSiO3和280ml的N,N-二甲基乙酰胺进行混合并搅拌分散15min，然后加入35g的4,4'-二氨基二苯醚，再搅拌30min使二胺完全溶解。再向其中缓慢加入均苯四甲酸二酐使得反应体系的粘度逐渐上升，当均苯四甲酸二酐添加至35g时，体系粘度上升至8.7万cp，停止均苯四甲酸二酐的添加，得到聚酰胺酸浆料。
将以上聚酰胺酸浆料抽真空，使该聚酰胺酸浆料中的气泡排除掉。
在玻璃板上采用700微米间隙的刮刀对该聚酰胺酸浆料进行涂布，将涂布后的玻璃板进行第一次升温加热，从40℃匀速升温至180℃，升温时间为15min，取出后进行第二次升温加热，从25℃匀速升温至340℃，升温时间为1h，在340℃保温1h。取出冷却后，将得到的聚酰亚胺膜从玻璃板上脱出，测试其厚度为60微米。并对该膜进行了热膨胀系数、拉伸强度（MD-横向和TD-纵向）和断裂拉长率（MD-横向和TD-纵向）的测试，其结果见表1。
实施例3
本实施例用于说明本发明的聚酰亚胺膜及其制备方法。
将15.4g的粒径为0.5μm的滑石粉、7.7g的粒径为1μm的CuSiO3和500ml的N,N-二甲基乙酰胺进行混合并搅拌分散40min，然后加入31.15g的3,4'-二氨基二苯醚，再搅拌25min使二胺完全溶解。再向其中缓慢加入3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐使得反应体系的粘度逐渐上升，当3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐添加至45.85g时，反应体系粘度上升至9.2万cp，停止3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐的添加，得到聚酰胺酸浆料。
将以上聚酰胺酸浆料抽真空，使该聚酰胺酸浆料中的气泡排除掉。
在玻璃板上采用1100μm间隙的刮刀对该聚酰胺酸浆料进行涂布，将涂布后的玻璃板进行第一次升温加热，从30℃匀速升温至170℃，升温时间为20min，取出后进行第二次加热，从30℃匀速升温至330℃，升温时间为50min，在330℃保温70min。取出冷却后，将得到的聚酰亚胺膜从玻璃板上脱出，测试其厚度为100μm。并对该膜进行了热膨胀系数、拉伸强度（MD-横向和TD-纵向）和断裂拉长率（MD-横向和TD-纵向）的测试，其结果见表1。
实施例4
本实施例用于说明本发明的聚酰亚胺膜及其制备方法。
将20.17g的粒径为2μm的二氧化硅、9.63g的粒径为0.5μm的Ni2O3和550ml的四氢呋喃和甲醇混合溶液（体积比1:1）进行混合并搅拌分散30min，然后加入32.78g的3,4'-二氨基二苯醚，再搅拌25min使二胺完全溶解。再向其中缓慢加入3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐使得反应体系的粘度逐渐上升，当3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐添加至47.5g时，反应体系粘度上升至7.5万cp，停止3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐的添加，得到聚酰胺酸浆料。
将以上聚酰胺酸浆料抽真空，使该聚酰胺酸浆料中的气泡排除掉。
在玻璃板上采用1500μm间隙的刮刀对该聚酰胺酸浆料进行涂布，将涂布后的玻璃板进行第一次升温加热，从45℃匀速升温至160℃，升温时间为12min，取出后进行第二次加热，从35℃匀速升温至345℃，升温时间为65min，在345℃保温55min。取出冷却后，将得到的聚酰亚胺膜从玻璃板上脱出，测试其厚度为145μm。并对该膜进行了热膨胀系数、拉伸强度（MD-横向和TD-纵向）和断裂拉长率（MD-横向和TD-纵向）的测试，其结果见表1。
应用实施例1
本实施例用于说明本发明的柔性电路板及其制备方法。
将实施例1-4的聚酰亚胺膜置于激光器（大族YLP-20型）样品台上，对准后根据表2所示的参数分别对实施例1-4的聚酰亚胺膜进行激光照射。将经激光照射后的聚酰亚胺膜进行除污，然后置于组成为CuSO4·5H2O（0.12mol/L）、Na2EDTA·2H2O（0.14mol/L）、亚铁氰化钾（10mg/L）、2,2'-联吡啶（10mg/L）和乙醛酸（（0.1mol/L）的镀铜液（pH值为12.5）中，进行化学镀铜120min。其镀铜速率以及而后得到的柔性电路板的金属附着力、耐焊性、表面阻抗、体积阻抗和线间绝缘电阻的测试结果见表3。
应用实施例2
在实施例1的聚酰亚胺膜的正反面电路需要导通的位置进行钻孔，孔径为0.5mm，再进行与应用实施例1中相同的处理，得到两面电导通的柔性电路板，该电路板的两面的电阻值为0.05Ω，说明两面可通电。
表1
表2
表3
从表1和3的数据可以看出，本发明的聚酰亚胺膜具有良好的机械性能和绝缘性能，通过本发明的聚酰亚胺膜得到柔性电路板的制备方法简单，制得的柔性电路板具有强度高、镀层附着力好等优点，通过应用实施例2的结果可知，本发明的聚酰亚胺膜还可以制备两面电导通的柔性电路板。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (18)

1.一种聚酰亚胺膜的制备方法，该方法包括以下步骤：
1)在溶剂存在下，将二胺和四羧酸二酐进行接触反应得到聚酰胺酸浆料；
2)将该聚酰胺酸浆料涂布于基材上并进行亚胺化；
其特征在于，在步骤1)中，所述接触反应在化学镀促进剂的存在下进行，所述化学镀促进剂为TiO、Ni2O3、Co2O3、CuSiO3、NiSiO3、CoSiO3、CuB2O4、NiB2O4、NiC2O4、CoO和CoC2O4中的一种或多种；
所述亚胺化包括依次进行第一阶段亚胺化和第二阶段亚胺化，所述第一阶段亚胺化的条件包括：从30-45℃以6-10℃/min的升温速度加热至160-180℃；所述第二阶段亚胺化的条件包括：从20-40℃以4-6℃/min的升温速度加热至320-350℃后保温50-70min。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述化学镀促进剂为Co2O3、CoSiO3、Ni2O3、CuSiO3、NiSiO3、CuB2O4、NiB2O4和NiC2O4中的一种或多种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤1)中，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述化学镀促进剂的用量为5-20重量％。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，步骤1)中，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述化学镀促进剂的用量为10-16重量％。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中，步骤1)中，所述化学镀促进剂的粒径为0.2-2μm。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在25℃时，所述聚酰胺酸浆料的粘度为60000-100000cp。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述溶剂的用量为350-600重量％；所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、四氢呋喃和甲醇中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括：所述接触反应在无机填料的存在下进行，所述无机填料为碳酸钙、硫酸钙、滑石粉、二氧化钛、硅灰石、硅藻土、高岭土、云母、氧化铝、炭黑、和二氧化硅中的一种或多种；相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述无机填料的用量为5-50重量％；所述无机填料的粒径为0.2-5μm。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述无机填料为滑石粉、二氧化钛、云母粉和二氧化硅中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，相对于所述二胺和所述四羧酸二酐的总量，所述无机填料的用量为10-30重量％。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述二胺和所述四羧酸二酐的用量的摩尔比为1：(0.85-1.1)；所述二胺为3,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯醚、4,4'-二氨基二苯砜、1,4-双(4-氨基苯氧基)苯、2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷和双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜中的一种或多种；所述四羧酸二酐为均苯四甲酸二酐、二苯醚四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、二苯甲酮四酸二酐和2,2'-双[4-(3,4-二羧苯氧基)苯基]丙烷四酸二酐中的一种或多种。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述二胺和所述四羧酸二酐的用量的摩尔比为1：(0.9-1.05)。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，涂布于基材上的所述聚酰胺酸浆料的厚度为100-1500μm。
14.一种由权利要求1-13中任意一项所述的方法制得的聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜中含有化学镀促进剂。
15.一种柔性电路板的制备方法，其中，该制备方法包括：通过激光照射权利要求1-13中任意一项所述的聚酰亚胺膜的制备方法制备得到的聚酰亚胺膜的一面或两面后，将该激光照射后的所述聚酰亚胺膜进行化学镀处理。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述激光照射的条件包括：波长为800-2500nm，扫描速度为500-8000mm/s，激光器功率为3-20W。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其中，在所述化学镀之前，将所述聚酰亚胺膜进行钻孔处理。
18.一种柔性电路板，其特征在于，所述柔性电路板由权利要求15-17中任意一项所述的方法所制备。
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