JPS6352318A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS6352318A JPS6352318A JP19528386A JP19528386A JPS6352318A JP S6352318 A JPS6352318 A JP S6352318A JP 19528386 A JP19528386 A JP 19528386A JP 19528386 A JP19528386 A JP 19528386A JP S6352318 A JPS6352318 A JP S6352318A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は討摩耗四に浸れたＣＯＣｒ系の垂直磁気記録媒
体に関するものでおる。
体に関するものでおる。
［従来技術およびその問題点コ
高密度磁気記録媒体として、ＣＱＣｒ系合金をスパッタ
リングした垂直磁気記録媒体が滞れていることが知られ
ている。しかし、磁気記録媒体としてＣＯＣｒ系合金層
を使用した場合、Ｅｆｉ気ヘッドとの７涼抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受は易く、耐久性に欠けるという問
題点がおる。
リングした垂直磁気記録媒体が滞れていることが知られ
ている。しかし、磁気記録媒体としてＣＯＣｒ系合金層
を使用した場合、Ｅｆｉ気ヘッドとの７涼抵抗が大きい
ため、摩耗や損傷を受は易く、耐久性に欠けるという問
題点がおる。
このため、磁性金属薄膜上に耐摩耗性または潤滑性の保
護層を設けることが考えられ、右派高分子、耐蝕性金屈
、金ａ酸化物等の材料が試みられている。しかし、垂直
磁気記録媒体が必要とされる高密度記録では、保護層の
厚さが問題となる。
護層を設けることが考えられ、右派高分子、耐蝕性金屈
、金ａ酸化物等の材料が試みられている。しかし、垂直
磁気記録媒体が必要とされる高密度記録では、保護層の
厚さが問題となる。
すなわち、保護層を設けるとヘッドと媒体とのスペーシ
ングが拡がり、出力が低下する。このため、保護層の厚
みは高々５００Ａ以下で、スペーシング損失をなくすた
めには３０Ａ程度以下にする必要がおる。耐摩耗性の点
からは保護層の厚みは十分厚い必要があり、このような
厚さで耐摩耗性を十分改善することは極めて困難である
。 このような問題を解決するためには磁化膜自体の耐
摩耗性を向上させることが必要である。その一方法とし
て磁化膜中に微量の酸素を混入し、コバルトおよびクロ
ムの酸化物を生成ざぜることが行なわれている。磁化膜
中にに微量の酸素を混入する方法としては一般にスパッ
タリングガス中に酸素を混入し、反応性スパッタリング
を行う方法が行なわれている。しかし、この方法では微
量の潴素を制御して混入することはかなり難しい。［問
題点を解決するための手段］ 本発明はこのような問題点を解決するもので、金属酸化
物を含有する高分子成形物の基板と、該基板上にスパッ
タリング法により形成されたＣＯＣｒ系合金層とからな
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体に関するものであ
る。
ングが拡がり、出力が低下する。このため、保護層の厚
みは高々５００Ａ以下で、スペーシング損失をなくすた
めには３０Ａ程度以下にする必要がおる。耐摩耗性の点
からは保護層の厚みは十分厚い必要があり、このような
厚さで耐摩耗性を十分改善することは極めて困難である
。 このような問題を解決するためには磁化膜自体の耐
摩耗性を向上させることが必要である。その一方法とし
て磁化膜中に微量の酸素を混入し、コバルトおよびクロ
ムの酸化物を生成ざぜることが行なわれている。磁化膜
中にに微量の酸素を混入する方法としては一般にスパッ
タリングガス中に酸素を混入し、反応性スパッタリング
を行う方法が行なわれている。しかし、この方法では微
量の潴素を制御して混入することはかなり難しい。［問
題点を解決するための手段］ 本発明はこのような問題点を解決するもので、金属酸化
物を含有する高分子成形物の基板と、該基板上にスパッ
タリング法により形成されたＣＯＣｒ系合金層とからな
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体に関するものであ
る。
本発明によれば、磁化膜中に微量の酸素を安定的に混入
することにより、耐摩耗性に優れた垂直磁気記録媒体を
得ることができる。スパッタリング法はプラズマ雰囲気
中でターゲット原子がスパッタされることにより基板上
に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の衝撃を
受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が起こる
と考えられる。本発明はこの現象を利用するもので、基
板中に混入した酸化物がスパッタされることにより、磁
化膜中に酸素が混入されることを特徴とする。
することにより、耐摩耗性に優れた垂直磁気記録媒体を
得ることができる。スパッタリング法はプラズマ雰囲気
中でターゲット原子がスパッタされることにより基板上
に薄膜が形成されるが、その際基板表面も原子の衝撃を
受け、ある程度スパッタされるのと同様な現象が起こる
と考えられる。本発明はこの現象を利用するもので、基
板中に混入した酸化物がスパッタされることにより、磁
化膜中に酸素が混入されることを特徴とする。
本発明で使用される金属酸化物としては、酸化チタン、
酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、配
化コバルト、酸化クロム、酸化タングステン、酸化鉄笠
を挙げることができる。その形状は粉末が最も好ましい
が、他の形状でおってもかまわない。金属酸化物の使用
但は、高分子成形物に対して１〜１０ｗ ｔ％が好適で
おる。
酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、配
化コバルト、酸化クロム、酸化タングステン、酸化鉄笠
を挙げることができる。その形状は粉末が最も好ましい
が、他の形状でおってもかまわない。金属酸化物の使用
但は、高分子成形物に対して１〜１０ｗ ｔ％が好適で
おる。
本発明で使用される高分子成形物とじては、ポリイミド
、ポリエステル等を羊げることができる。
、ポリエステル等を羊げることができる。
本発明のＣＯＣｒ系合金層としては、Ｃ０−Ｃｒの二元
系、おるいは前記二元系に＼・■、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍ
Ｏ，Ｎ ｉ ＳＶ、Ｃｕ、Ｍｎ等の少なくとも１種を添
加した系を挙げることができる。
系、おるいは前記二元系に＼・■、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍ
Ｏ，Ｎ ｉ ＳＶ、Ｃｕ、Ｍｎ等の少なくとも１種を添
加した系を挙げることができる。
［実施例］
以下に実施例および比較例を示し、本発明を更に詳しく
説明する。
説明する。
実施例１
ジカルボン醒無水物とジアミンからなるポリイミドモノ
マー溶液に平均位径０．０７〜０．０８μｍのＴ：Ｏｚ
粉末を３ Ｗ ｔ％混入し、ガラス基板上に流延したの
ち加熱してイミド反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイ
ミドフィルムを作成した。
マー溶液に平均位径０．０７〜０．０８μｍのＴ：Ｏｚ
粉末を３ Ｗ ｔ％混入し、ガラス基板上に流延したの
ち加熱してイミド反応を行い、厚さ約５０μｍのポリイ
ミドフィルムを作成した。
これを基板とし、その表面にＣＯＣｒ合金（Ｃｒ含有率
２０ｗ ｔ％）をスパッタし、厚さ約０−３μｍの薄膜
Ａを形成した。
２０ｗ ｔ％）をスパッタし、厚さ約０−３μｍの薄膜
Ａを形成した。
スパッタリング条件
ｇ 置 マグネトロン式高周波スパッタリング装
置（二極平行平板型） ターゲット ＣｏＣｒ合金（２０Ｗ ｔ％Ｃｒ）直径６
インチ 厚さ５ｍ スパッタガス Ａｒ 圧力０．５Ｐａ 基板の前処理 真空中３８０’Ｃで２時間スパッタ電力
１．５ＫＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度水冷 比較例１ １ｉ○２粉末を混入しなかった以外は実施例１と同様な
方法により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｂを形成した。
置（二極平行平板型） ターゲット ＣｏＣｒ合金（２０Ｗ ｔ％Ｃｒ）直径６
インチ 厚さ５ｍ スパッタガス Ａｒ 圧力０．５Ｐａ 基板の前処理 真空中３８０’Ｃで２時間スパッタ電力
１．５ＫＶ ６０ｍ１ｎスパツタ基板温度水冷 比較例１ １ｉ○２粉末を混入しなかった以外は実施例１と同様な
方法により厚さ約０．３μｍの薄膜Ｂを形成した。
実施例１および比較例１で得られた各磁化膜中の区素の
分布状態を二次イオン質量分析により分析した結果を第
１図に示す。比較例１のＴ ！ ０２を含まない基板の
場合、磁化膜中にはほとんど酸素は存在しない。これに
対してＴ ！ ０２入り基板の場合、磁化膜中にも基板
付近に基板内と同程度の口の酸素が存在し、その量は表
面に近付くにつれて次第に減少するが、表面付近まで分
布していることがわかる。
分布状態を二次イオン質量分析により分析した結果を第
１図に示す。比較例１のＴ ！ ０２を含まない基板の
場合、磁化膜中にはほとんど酸素は存在しない。これに
対してＴ ！ ０２入り基板の場合、磁化膜中にも基板
付近に基板内と同程度の口の酸素が存在し、その量は表
面に近付くにつれて次第に減少するが、表面付近まで分
布していることがわかる。
上記の試料を５．２５インチのフロッピーディスクに加
工し、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リン
グヘッドを接触させたときの出力の変化を第２図に示す
。酸素の混入により出力低下が小ざくなっており、耐摩
耗性に優れていることがわかる。
工し、フロッピーディスク試験装置にかけＶＴＲ用リン
グヘッドを接触させたときの出力の変化を第２図に示す
。酸素の混入により出力低下が小ざくなっており、耐摩
耗性に優れていることがわかる。
第１図は実施例１および比較例１で得られた各磁化膜中
の酸素の分布状態を二次イオン質量分析法により分析し
た結果を示す図である。 第２図は実施例１および比較例１で得られた各磁化膜を
５．２５インチのフロッピーディスクに加工し、フロッ
ピーディスク試験ＨにかけＶＴＲ用リングヘッドを接触
させたときの出力の変化を示す図である。 第１図 工ツ千ンク゛′８ｆｆ間にｆ＋） 第２図 へ・ラド接角宏回数（万バス）
の酸素の分布状態を二次イオン質量分析法により分析し
た結果を示す図である。 第２図は実施例１および比較例１で得られた各磁化膜を
５．２５インチのフロッピーディスクに加工し、フロッ
ピーディスク試験ＨにかけＶＴＲ用リングヘッドを接触
させたときの出力の変化を示す図である。 第１図 工ツ千ンク゛′８ｆｆ間にｆ＋） 第２図 へ・ラド接角宏回数（万バス）
Claims (1)
- 金属酸化物を含有する高分子成形物の基板と、該基板上
にスパッタリング法により形成されたＣＯＣｒ系合金と
からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19528386A JPS6352318A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19528386A JPS6352318A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352318A true JPS6352318A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16338580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19528386A Pending JPS6352318A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015101135A1 (en) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | Byd Company Limited | Polyimide film, flexible circuit board, and method of preparing the same |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19528386A patent/JPS6352318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015101135A1 (en) * | 2013-12-30 | 2015-07-09 | Byd Company Limited | Polyimide film, flexible circuit board, and method of preparing the same |
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