JPH0778869B2 - 磁気記録媒体用保護膜 - Google Patents
磁気記録媒体用保護膜Info
- Publication number
- JPH0778869B2 JPH0778869B2 JP12577786A JP12577786A JPH0778869B2 JP H0778869 B2 JPH0778869 B2 JP H0778869B2 JP 12577786 A JP12577786 A JP 12577786A JP 12577786 A JP12577786 A JP 12577786A JP H0778869 B2 JPH0778869 B2 JP H0778869B2
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- JP
- Japan
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- protective film
- film
- magnetic
- magnetic recording
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ほ磁気記録媒体の改良に係り、特に耐ヘツド摺動
性の改良された磁気記録媒体に関する。
性の改良された磁気記録媒体に関する。
高密度磁気記録を実現するために、連続磁性膜を記録媒
体に用いる研究開発が進められている。高分子フイル
ム，アルミニウム，ガラスなどの非磁性材料の基板上
に、Fe,Co,Ni等の強磁性金属を主成分とする合金や化合
物の薄膜を真空蒸着法，スパツタリング法，メツキ法等
で形成することにより、磁気記録媒体が製造される。し
かし、磁性膜表面に記録再生用のヘツドを直接接触させ
ると、磁性膜表面が摩耗したり、ヘツドも損傷し易いと
いう問題がある。
体に用いる研究開発が進められている。高分子フイル
ム，アルミニウム，ガラスなどの非磁性材料の基板上
に、Fe,Co,Ni等の強磁性金属を主成分とする合金や化合
物の薄膜を真空蒸着法，スパツタリング法，メツキ法等
で形成することにより、磁気記録媒体が製造される。し
かし、磁性膜表面に記録再生用のヘツドを直接接触させ
ると、磁性膜表面が摩耗したり、ヘツドも損傷し易いと
いう問題がある。
このような問題を解決する手段として、磁性膜表面にSi
O2,Al2O3,Cr2O3,SiC,TiCなどの硬質材料から成る保護層
を形成したり（特開昭50−104602,特開昭58−13043
7）、あるいはAu,Pt,Rh,Pd,Al等の金属膜を保護層とし
て形成する方法（特開昭53−40505,特開昭57−176537）
などが提案されている。
O2,Al2O3,Cr2O3,SiC,TiCなどの硬質材料から成る保護層
を形成したり（特開昭50−104602,特開昭58−13043
7）、あるいはAu,Pt,Rh,Pd,Al等の金属膜を保護層とし
て形成する方法（特開昭53−40505,特開昭57−176537）
などが提案されている。
しかし、本発明者らの実験によると金属系の保護膜の場
合は耐摩耗性が十分とは言い難く、また化合物系の硬質
材料の場合は衝撃力に弱く、さらにヘツドを損傷し易い
といつた問題点があることがわかつた。
合は耐摩耗性が十分とは言い難く、また化合物系の硬質
材料の場合は衝撃力に弱く、さらにヘツドを損傷し易い
といつた問題点があることがわかつた。
保護膜に必要な条件は、磁性膜を保護するとともにヘツ
ドも損傷し難いことである。前記従来技術は、両目的を
達成するための十分な配慮がされておらず、磁性膜の保
護作用が不十分であつたり、ヘツドを傷つけ易いといつ
た問題点が残つていた。本発明は、磁性膜に十分な保護
作用を与えると同時にヘツドを傷つけ難い保護膜を提供
することを目的とする。
ドも損傷し難いことである。前記従来技術は、両目的を
達成するための十分な配慮がされておらず、磁性膜の保
護作用が不十分であつたり、ヘツドを傷つけ易いといつ
た問題点が残つていた。本発明は、磁性膜に十分な保護
作用を与えると同時にヘツドを傷つけ難い保護膜を提供
することを目的とする。
磁性膜は一般にFe,Co,Niなどを主成分とする合金や化合
物から成る。その上に形成される保護膜は、磁性膜に対
する親和性を増して付着強度を上げると同時に磁性膜に
歪を与えないことが必要である。このためには、磁性膜
を構成する元素と同程度のもしくは比較的大きい原子サ
イズを持つ元素を主成分とする保護膜がこの条件を満た
すことになる。一方、保護膜は磁性膜に耐蝕性を与える
こと、耐摩耗性を与えること、あるいは磁気ヘツドに対
して滑性を与えるためには、保護膜は緻密で高強度を持
つことが必要となる。保護膜の緻密性と高強度性はヘツ
ドもしくは外気に触れる保護膜表面部で特に要求され
る。この様な性質は、原子サイズの小さい元素、もしく
はその化合物，混合物で実現可能で、例えば、C,B,N,O,
Siなどが相当する。本発明は保護膜の膜厚方向で元素の
分布状態を、前記観点で変えることにより、磁性膜に保
護作用を与えると同時に対ヘツド滑性を満足させるもの
である。
物から成る。その上に形成される保護膜は、磁性膜に対
する親和性を増して付着強度を上げると同時に磁性膜に
歪を与えないことが必要である。このためには、磁性膜
を構成する元素と同程度のもしくは比較的大きい原子サ
イズを持つ元素を主成分とする保護膜がこの条件を満た
すことになる。一方、保護膜は磁性膜に耐蝕性を与える
こと、耐摩耗性を与えること、あるいは磁気ヘツドに対
して滑性を与えるためには、保護膜は緻密で高強度を持
つことが必要となる。保護膜の緻密性と高強度性はヘツ
ドもしくは外気に触れる保護膜表面部で特に要求され
る。この様な性質は、原子サイズの小さい元素、もしく
はその化合物，混合物で実現可能で、例えば、C,B,N,O,
Siなどが相当する。本発明は保護膜の膜厚方向で元素の
分布状態を、前記観点で変えることにより、磁性膜に保
護作用を与えると同時に対ヘツド滑性を満足させるもの
である。
例えば、A,B2種の元素から成る保護膜を磁性膜上に設け
る場合、磁性膜に接する側ではＢに比べて相対的に原子
サイズの大きいＡの濃度を高くし、磁性膜から離れるに
つれてＡの濃度を下げてＢの濃度を増すことによつて前
記目的を達成できる。３元素以上から成る保護膜の場
合、保護膜の単位体積あたりの原子密度を磁性膜に接す
る部分から表面に向つて連続的に増大させることによつ
て前記目的を達成できる。保護膜の形態としては、膜組
成を膜厚方向で連続的に変え易い非晶質が望ましいが、
非晶質に結晶質が混つていても良い。保護膜厚としては
50〜2000Å、望ましくは100〜300Åである。また、膜の
両面近傍で比較したとき原子密度が少なくとも５％以上
変化していることが望ましい。
る場合、磁性膜に接する側ではＢに比べて相対的に原子
サイズの大きいＡの濃度を高くし、磁性膜から離れるに
つれてＡの濃度を下げてＢの濃度を増すことによつて前
記目的を達成できる。３元素以上から成る保護膜の場
合、保護膜の単位体積あたりの原子密度を磁性膜に接す
る部分から表面に向つて連続的に増大させることによつ
て前記目的を達成できる。保護膜の形態としては、膜組
成を膜厚方向で連続的に変え易い非晶質が望ましいが、
非晶質に結晶質が混つていても良い。保護膜厚としては
50〜2000Å、望ましくは100〜300Åである。また、膜の
両面近傍で比較したとき原子密度が少なくとも５％以上
変化していることが望ましい。
実施例１ 基板としてポリイミドフイルムを用いて、連続スパツタ
法によつて第１図に示す磁気記録媒体を作製した。10-6
Torr以下にスパツタ装置ベルジヤーを真空排気した後、
10-3TorrのArを導入し、フイルム基板温度120℃でパー
マロイを0.5μｍ、Siを0.02μm,Co−20wtCrを0.2μｍス
パツタ蒸着した。試料移動機構により、保護膜形成室に
移し、SiをＣの２つのターゲツトの同時スパツタ法によ
りSixC1−ｘ保護膜を200Å形成した。ここでSiとＣの原
子サイズはＣの方が小さい。２つのターゲツトに加える
スパツタ出力を制御して膜厚方向でｘの値を変化させ
た。試料として保護膜の組成ｘを形成初期（x1）から形
成終期（x2）にむかつて変化させた。ｘの変化量Δｘ＝
x2−x1を変えた５種類の試料を作製した。これらの試料
は保護膜以外の磁性膜形成条件等は同一とした。
法によつて第１図に示す磁気記録媒体を作製した。10-6
Torr以下にスパツタ装置ベルジヤーを真空排気した後、
10-3TorrのArを導入し、フイルム基板温度120℃でパー
マロイを0.5μｍ、Siを0.02μm,Co−20wtCrを0.2μｍス
パツタ蒸着した。試料移動機構により、保護膜形成室に
移し、SiをＣの２つのターゲツトの同時スパツタ法によ
りSixC1−ｘ保護膜を200Å形成した。ここでSiとＣの原
子サイズはＣの方が小さい。２つのターゲツトに加える
スパツタ出力を制御して膜厚方向でｘの値を変化させ
た。試料として保護膜の組成ｘを形成初期（x1）から形
成終期（x2）にむかつて変化させた。ｘの変化量Δｘ＝
x2−x1を変えた５種類の試料を作製した。これらの試料
は保護膜以外の磁性膜形成条件等は同一とした。
上記試料から円板状のデイスクを切り抜き、いずれも同
一の液体潤滑剤を150Å厚塗布した後、デイスク駆動装
置にとりつけ、Mn−ZnフエライトとCoNbZn合金膜を磁性
材料に用いたヘツドで摺動試験を行つた。ヘツドの荷重
は15g、試料のヘツドに対する相対速度2m/sで、記録再
生出力が初期の70％に低下するまでの回転数を測定し
た。第２図にSixC1-xの膜厚方向でのｘの値の変化の大
きさ（Δｘ）と、回転数の関係を示す。膜厚方向でＣ農
度が増大している試料の方が耐摺動性が優れていること
を示している。
一の液体潤滑剤を150Å厚塗布した後、デイスク駆動装
置にとりつけ、Mn−ZnフエライトとCoNbZn合金膜を磁性
材料に用いたヘツドで摺動試験を行つた。ヘツドの荷重
は15g、試料のヘツドに対する相対速度2m/sで、記録再
生出力が初期の70％に低下するまでの回転数を測定し
た。第２図にSixC1-xの膜厚方向でのｘの値の変化の大
きさ（Δｘ）と、回転数の関係を示す。膜厚方向でＣ農
度が増大している試料の方が耐摺動性が優れていること
を示している。
実施例２ 実施例１と同様な磁気記録媒体で、保護膜材料としてTi
xC1-xを用いた以外は同様の試料を作製した。膜厚方向
で原子サイズの小さいＣの濃度が増大する程耐摺動性が
向上する傾向を確認した。
xC1-xを用いた以外は同様の試料を作製した。膜厚方向
で原子サイズの小さいＣの濃度が増大する程耐摺動性が
向上する傾向を確認した。
実施例３ 基板として表面にアルミナ膜を形成したアルミニウム合
金円板を用いた。実施例１に述べたのと同様の方法で、
Crを0.3μm,Co−Ni合金を0.1μｍを形成した後、Al2O3
とB4Cの２つのターゲツトを用いた同時スパツタ方によ
り200Å厚の保護膜を形成した。膜厚が増加するにつれ
てB4Cターゲツトに加えるパワーを変えることによつ
て、保護膜の組成を変えた。保護膜構成元素の原子サイ
ズの順はAl＞Ｏ＞Ｃ＞Ｂである。保護膜の組成をxAl2O3
＋（１−ｘ）B4Cで表わしたときの膜形成初期のｘの値
をx1,膜形成終期の値をx2で表わし、Δｘ＝x2−x1と摺
動強度の関係を測定した結果を第３図に示す。なお、摺
動強度は実施例１と同様である。保護膜の組成はオージ
エ電子分光法とイオンマイクロアナライザー法を併用す
ることによつて決定した。図に示す通り、保護膜厚の増
大につれてB,Cの占める割合が大きくなる程、即ち、原
子サイズの小さい元素に富んでくる程、耐摺動強度が増
大することが確認された。
金円板を用いた。実施例１に述べたのと同様の方法で、
Crを0.3μm,Co−Ni合金を0.1μｍを形成した後、Al2O3
とB4Cの２つのターゲツトを用いた同時スパツタ方によ
り200Å厚の保護膜を形成した。膜厚が増加するにつれ
てB4Cターゲツトに加えるパワーを変えることによつ
て、保護膜の組成を変えた。保護膜構成元素の原子サイ
ズの順はAl＞Ｏ＞Ｃ＞Ｂである。保護膜の組成をxAl2O3
＋（１−ｘ）B4Cで表わしたときの膜形成初期のｘの値
をx1,膜形成終期の値をx2で表わし、Δｘ＝x2−x1と摺
動強度の関係を測定した結果を第３図に示す。なお、摺
動強度は実施例１と同様である。保護膜の組成はオージ
エ電子分光法とイオンマイクロアナライザー法を併用す
ることによつて決定した。図に示す通り、保護膜厚の増
大につれてB,Cの占める割合が大きくなる程、即ち、原
子サイズの小さい元素に富んでくる程、耐摺動強度が増
大することが確認された。
上述したように、本発明によれば耐摺動性に優れた磁気
記録媒体用保護膜が得られる。これは、（１）磁性膜に
接する側の保護膜の構成元素を磁性膜の元素に近い比較
的原子サイズの大きい元素とすることにより、原子サイ
ズのミスマツチ等によつて生ずる歪，応力を下げて良好
な接着界面を形成できたこと、および（２）ヘツドに接
触する保護膜表面付近の構成元素を原子サイズの小さい
元素を主とすることにより、表面付近が緻密で平滑化さ
れて、ヘツドに対する滑性が増大したものと解釈でき
る。磁気記録媒体用の保護膜厚は記録再生出力のスペー
シング損失との関係から2000Å以下に規定され、望まし
くは300Å以下である。この膜厚の範囲で保護膜表面に
向つて原子サイズの小さい元素の濃度分布を増大させる
ことで、上述の効果が得られる。
記録媒体用保護膜が得られる。これは、（１）磁性膜に
接する側の保護膜の構成元素を磁性膜の元素に近い比較
的原子サイズの大きい元素とすることにより、原子サイ
ズのミスマツチ等によつて生ずる歪，応力を下げて良好
な接着界面を形成できたこと、および（２）ヘツドに接
触する保護膜表面付近の構成元素を原子サイズの小さい
元素を主とすることにより、表面付近が緻密で平滑化さ
れて、ヘツドに対する滑性が増大したものと解釈でき
る。磁気記録媒体用の保護膜厚は記録再生出力のスペー
シング損失との関係から2000Å以下に規定され、望まし
くは300Å以下である。この膜厚の範囲で保護膜表面に
向つて原子サイズの小さい元素の濃度分布を増大させる
ことで、上述の効果が得られる。
第１図は本発明による磁気記録媒体用保護膜の一実施例
を示す断面図、第２図，第３図は保護膜の組成変化と耐
摺動強度の関係を示す図である。 １……基板、２……パーマロイ膜、３……Si膜、４……
磁性膜、５……保護膜。
を示す断面図、第２図，第３図は保護膜の組成変化と耐
摺動強度の関係を示す図である。 １……基板、２……パーマロイ膜、３……Si膜、４……
磁性膜、５……保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 真一郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 西村 孝司 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 吉田 和悦 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 奥脇 東洋治 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 岩田 仁志 埼玉県熊谷市三ヶ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (72)発明者 鈴木 博之 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基板上に形成された磁性膜上に設け
られた２種類以上の元素から成る保護膜において、上記
保護膜は、膜厚方向で元素分布濃度が異なり、該保護膜
を構成する元素のうち原子半径の小さい元素の濃度分布
が原子半径の大きい元素の分布に比べて膜の表面方向へ
向かって増加していることを特徴とする磁気記録媒体用
保護膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12577786A JPH0778869B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 磁気記録媒体用保護膜 |
| US07/056,661 US4840844A (en) | 1986-06-02 | 1987-06-02 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12577786A JPH0778869B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 磁気記録媒体用保護膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283413A JPS62283413A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0778869B2 true JPH0778869B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=14918581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12577786A Expired - Lifetime JPH0778869B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 磁気記録媒体用保護膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778869B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11298779B2 (en) | 2017-11-08 | 2022-04-12 | Uacj Corporation | Brazing sheet and manufacturing method thereof |
| US11571769B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-02-07 | Uacj Corporation | Method of manufacturing a brazing sheet |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192252A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12577786A patent/JPH0778869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11298779B2 (en) | 2017-11-08 | 2022-04-12 | Uacj Corporation | Brazing sheet and manufacturing method thereof |
| US11571769B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-02-07 | Uacj Corporation | Method of manufacturing a brazing sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62283413A (ja) | 1987-12-09 |
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| JPH0451883B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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