JPH07192252A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPH07192252A JPH07192252A JP32936793A JP32936793A JPH07192252A JP H07192252 A JPH07192252 A JP H07192252A JP 32936793 A JP32936793 A JP 32936793A JP 32936793 A JP32936793 A JP 32936793A JP H07192252 A JPH07192252 A JP H07192252A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- protective film
- film
- storage body
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】記録媒体である磁性層上に保護膜を有する磁気
記憶体において、記録媒体と磁気ヘッドスライダとの摩
擦・摩耗を低減し、高記録密度の磁気記憶体において耐
久性および信頼性を向上させる。 【構成】記録記憶体は、基板１１、下地層１２、情報を
記録する磁性層１３、磁性層を摩耗や機械的損傷から保
護するための保護膜１４、および潤滑層１５とからな
る。保護膜１４は、組成を膜厚方向に連続的に変化させ
た傾斜組成膜を用い、磁性層１３との界面付近では付着
力が高い組成を用いており、磁気ヘッドと接触する側の
領域では摩擦力を低減させ、潤滑性能が良好な組成を用
いている。
記憶体において、記録媒体と磁気ヘッドスライダとの摩
擦・摩耗を低減し、高記録密度の磁気記憶体において耐
久性および信頼性を向上させる。 【構成】記録記憶体は、基板１１、下地層１２、情報を
記録する磁性層１３、磁性層を摩耗や機械的損傷から保
護するための保護膜１４、および潤滑層１５とからな
る。保護膜１４は、組成を膜厚方向に連続的に変化させ
た傾斜組成膜を用い、磁性層１３との界面付近では付着
力が高い組成を用いており、磁気ヘッドと接触する側の
領域では摩擦力を低減させ、潤滑性能が良好な組成を用
いている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置などに
用いる磁気記憶体に関するものである。
用いる磁気記憶体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記憶ファイルの分野におい
て、高記録密度化が着実に向上している。磁気ディスク
装置では、情報を読み書きする磁気ヘッドと情報を保持
している記録媒体との間隔を小さくすることが高密度化
の重要な要素の一つとなっている。一方、磁気ヘッドと
記録媒体との摩擦・摩耗による劣化の防止を目的として
記録媒体上に保護膜が設けられている（例えば特開平１
−２８２７２３号公報など）。さらなる高記録密度実現
のためには、この保護膜の厚さを低減する必要がある。
膜厚の小さい保護膜を用いた磁気ディスク装置では、磁
気ヘッドとの接触・摺動によって、保護膜の剥離・損傷
および磁気ヘッドとディスクとの摩擦係数の増加による
記録・再生不能などの状態に陥ることがあった。これを
回避するために、たとえば特開昭６３−６１４１６号公
報に開示されたように、記録媒体と保護膜の組成比を連
続的に変化させた磁気記憶体を用いることなどが行われ
ていた。
て、高記録密度化が着実に向上している。磁気ディスク
装置では、情報を読み書きする磁気ヘッドと情報を保持
している記録媒体との間隔を小さくすることが高密度化
の重要な要素の一つとなっている。一方、磁気ヘッドと
記録媒体との摩擦・摩耗による劣化の防止を目的として
記録媒体上に保護膜が設けられている（例えば特開平１
−２８２７２３号公報など）。さらなる高記録密度実現
のためには、この保護膜の厚さを低減する必要がある。
膜厚の小さい保護膜を用いた磁気ディスク装置では、磁
気ヘッドとの接触・摺動によって、保護膜の剥離・損傷
および磁気ヘッドとディスクとの摩擦係数の増加による
記録・再生不能などの状態に陥ることがあった。これを
回避するために、たとえば特開昭６３−６１４１６号公
報に開示されたように、記録媒体と保護膜の組成比を連
続的に変化させた磁気記憶体を用いることなどが行われ
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気記憶体では、保護膜厚が２０ｎｍ以下になるとヘッ
ドとディスクの摩擦・摩耗によって保護膜の剥離・損傷
が進行するという重大な問題点があった。さらに、記録
媒体と保護膜の組成比を連続的に変化させた磁気記憶体
では、保護膜を設けることによって記録媒体の記録・再
生性能を劣下させるなどの問題点が指摘されていた。
磁気記憶体では、保護膜厚が２０ｎｍ以下になるとヘッ
ドとディスクの摩擦・摩耗によって保護膜の剥離・損傷
が進行するという重大な問題点があった。さらに、記録
媒体と保護膜の組成比を連続的に変化させた磁気記憶体
では、保護膜を設けることによって記録媒体の記録・再
生性能を劣下させるなどの問題点が指摘されていた。
【０００４】本発明の目的は、上記問題点を解決した、
高記録密度で高信頼性の磁気記憶体を提供することであ
る。
高記録密度で高信頼性の磁気記憶体を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、記録媒体であ
る磁性層上に保護膜を有する磁気記憶体において、保護
膜として組成を膜厚方向に連続的に変化させた傾斜組成
膜を用いることを特徴とする磁気記憶体である。又、特
に傾斜組成元素としてはフッ素を用い、フッ素の組成を
磁性媒体側に低濃度、逆側に高濃度とすることを特徴と
する磁気記憶体である。
る磁性層上に保護膜を有する磁気記憶体において、保護
膜として組成を膜厚方向に連続的に変化させた傾斜組成
膜を用いることを特徴とする磁気記憶体である。又、特
に傾斜組成元素としてはフッ素を用い、フッ素の組成を
磁性媒体側に低濃度、逆側に高濃度とすることを特徴と
する磁気記憶体である。
【０００６】
【作用】傾斜組成膜は一般に、ある成分の組成を膜厚方
向に連続的に変化させ、ある特性が膜厚方向に連続的に
変化しているものである。保護膜の材質としては特に限
定はされず、炭素、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化
シリコン、酸化タンタル、窒化タンタル、炭化タンタ
ル、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウムまたは炭化ジ
ルコニウム等より適宜選択して使用することができる。
一方保護膜中の傾斜組成元素としては窒素、酸素、炭
素、ハロゲン元素等が使用できるが、特にフッ素を用い
ることが好適である。フッ素を用い、かつフッ素の組成
を磁性媒体側に低濃度、逆側に高濃度とすることによっ
て、記録媒体と保護膜との付着力が高められ、さらに保
護膜上に塗布される潤滑剤との親和性を高め、保護膜自
身に潤滑性能を付与することができる。付着力が高く、
潤滑性能の良い保護膜を用いることが重要な点である。
向に連続的に変化させ、ある特性が膜厚方向に連続的に
変化しているものである。保護膜の材質としては特に限
定はされず、炭素、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化
シリコン、酸化タンタル、窒化タンタル、炭化タンタ
ル、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウムまたは炭化ジ
ルコニウム等より適宜選択して使用することができる。
一方保護膜中の傾斜組成元素としては窒素、酸素、炭
素、ハロゲン元素等が使用できるが、特にフッ素を用い
ることが好適である。フッ素を用い、かつフッ素の組成
を磁性媒体側に低濃度、逆側に高濃度とすることによっ
て、記録媒体と保護膜との付着力が高められ、さらに保
護膜上に塗布される潤滑剤との親和性を高め、保護膜自
身に潤滑性能を付与することができる。付着力が高く、
潤滑性能の良い保護膜を用いることが重要な点である。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。図
１は本発明の記録記憶体の基本構成を示す断面図で、１
１は基板、１２は下地層、１３は磁性層、１４は保護
膜、１５は潤滑層である。
１は本発明の記録記憶体の基本構成を示す断面図で、１
１は基板、１２は下地層、１３は磁性層、１４は保護
膜、１５は潤滑層である。
【０００８】基板１１は、アルミ合金を用いた。下地層
１２は、メッキ法により形成したＮｉ−Ｐを用いた。磁
性層１３は、ＣｏＮｉＣｒをスパッタ法により６０ｎｍ
成膜した。潤滑層１５は、パ−フルオロポリエ−テル系
の材料を用いた。なお、上記基板１１、下地層１２、磁
性層１３および潤滑層１５の種類、形成方法などは特に
限定されるものではなく、公知の材料、形成方法を特別
な制限なく用いることができる。
１２は、メッキ法により形成したＮｉ−Ｐを用いた。磁
性層１３は、ＣｏＮｉＣｒをスパッタ法により６０ｎｍ
成膜した。潤滑層１５は、パ−フルオロポリエ−テル系
の材料を用いた。なお、上記基板１１、下地層１２、磁
性層１３および潤滑層１５の種類、形成方法などは特に
限定されるものではなく、公知の材料、形成方法を特別
な制限なく用いることができる。
【０００９】保護膜１４は、図２に示す装置により形成
した。２１はマグネトロンスパッタ装置である。２２は
２種類のガスを混合するガス混合制御装置であり、２種
類のガスの組成をプログラムにしたがって制御すること
ができる。２３および２４はそれぞれガスボンベ１およ
び２である。まず、スパッタ装置のタ−ゲットとして炭
素を用いた。スパッタガスとしては、アルゴンとＣＦ４
を用いた。スパッタガス圧は、全圧を１０ｍｔｏｒｒと
して、成膜初期をアルゴン：１００％、ＣＦ４：０％、
成膜時間の増加と比例してＣＦ４の分圧を増加させ、成
膜終了時にはアルゴン：５０％、ＣＦ４：５０％とし
た。投入電圧は、３００Ｗとした。膜厚は１０ｎｍとし
た。形成された保護膜の組成を光電子分光法により測定
した結果、磁性層との界面付近では炭素１００％であ
り、膜厚の増加に比例してフッ素の組成が増加してい
き、１０ｎｍ膜厚の時はＣ：Ｆ＝７．８：２．２（原子
比）となっていた。
した。２１はマグネトロンスパッタ装置である。２２は
２種類のガスを混合するガス混合制御装置であり、２種
類のガスの組成をプログラムにしたがって制御すること
ができる。２３および２４はそれぞれガスボンベ１およ
び２である。まず、スパッタ装置のタ−ゲットとして炭
素を用いた。スパッタガスとしては、アルゴンとＣＦ４
を用いた。スパッタガス圧は、全圧を１０ｍｔｏｒｒと
して、成膜初期をアルゴン：１００％、ＣＦ４：０％、
成膜時間の増加と比例してＣＦ４の分圧を増加させ、成
膜終了時にはアルゴン：５０％、ＣＦ４：５０％とし
た。投入電圧は、３００Ｗとした。膜厚は１０ｎｍとし
た。形成された保護膜の組成を光電子分光法により測定
した結果、磁性層との界面付近では炭素１００％であ
り、膜厚の増加に比例してフッ素の組成が増加してい
き、１０ｎｍ膜厚の時はＣ：Ｆ＝７．８：２．２（原子
比）となっていた。
【００１０】比較のために保護膜として炭素のみを用い
た磁気記憶体を作製した。炭素保護膜磁気記憶体は、保
護膜として炭素のみを用いた点を除いて実施例に示した
磁気記憶体とまったく同様にして作製した。
た磁気記憶体を作製した。炭素保護膜磁気記憶体は、保
護膜として炭素のみを用いた点を除いて実施例に示した
磁気記憶体とまったく同様にして作製した。
【００１１】本発明による磁気記憶体に対して、次のよ
うな機械的耐久性試験を行った。磁気記憶体上に磁気ヘ
ッドが形成されているスライダをセットした。スライダ
の浮上量は０．０２５μｍであり、磁気記憶体の記録密
度は３Ｇｂｉｔ／ｉｎ２である。磁気記憶体を静止状態
から回転数５４００回転／分まで４秒で上げ、１秒間定
速回転させ、その後、４秒かけて静止状態に戻す。１秒
間静止状態を保つ。これを１サイクルとして１０万回繰
り返した。この試験中、１サイクル毎にスライダにかか
る摩擦力を歪ゲ−ジによって測定し、摩擦係数と耐久性
試験サイクルとの関係を求めた。結果は１０万サイクル
までは摩擦係数は０．３で一定値を示し増加は認められ
なかった。
うな機械的耐久性試験を行った。磁気記憶体上に磁気ヘ
ッドが形成されているスライダをセットした。スライダ
の浮上量は０．０２５μｍであり、磁気記憶体の記録密
度は３Ｇｂｉｔ／ｉｎ２である。磁気記憶体を静止状態
から回転数５４００回転／分まで４秒で上げ、１秒間定
速回転させ、その後、４秒かけて静止状態に戻す。１秒
間静止状態を保つ。これを１サイクルとして１０万回繰
り返した。この試験中、１サイクル毎にスライダにかか
る摩擦力を歪ゲ−ジによって測定し、摩擦係数と耐久性
試験サイクルとの関係を求めた。結果は１０万サイクル
までは摩擦係数は０．３で一定値を示し増加は認められ
なかった。
【００１２】比較として、炭素保護膜磁気記憶体につい
て同様な試験を行った。比較試料では５０００サイクル
で摩擦係数の増加し始め、１２０００サイクルで磁気記
憶体に傷がつくヘッドクラッシュが発生した。
て同様な試験を行った。比較試料では５０００サイクル
で摩擦係数の増加し始め、１２０００サイクルで磁気記
憶体に傷がつくヘッドクラッシュが発生した。
【００１３】したがって、本発明の磁気記憶体では、従
来の磁気記憶体と比較して少なくとも２０倍の耐久性が
達成され、高記録密度および高信頼性を確保することが
できた。
来の磁気記憶体と比較して少なくとも２０倍の耐久性が
達成され、高記録密度および高信頼性を確保することが
できた。
【００１４】上記実施例ではスパッタタ−ゲットに炭素
を使用しているが、他の実施例としてスパッタタ−ゲッ
トに酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化
タンタル、窒化タンタル、炭化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、窒化ジルコニウムまたは炭化ジルコニウムを用い
ることによっても同様の耐久性の向上が実現され、高記
録密度および高信頼性を確保することができた。
を使用しているが、他の実施例としてスパッタタ−ゲッ
トに酸化シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、酸化
タンタル、窒化タンタル、炭化タンタル、酸化ジルコニ
ウム、窒化ジルコニウムまたは炭化ジルコニウムを用い
ることによっても同様の耐久性の向上が実現され、高記
録密度および高信頼性を確保することができた。
【００１５】
【発明の効果】以上本発明によれば、保護膜の組成を膜
厚方向に連続的に変化させた傾斜組成膜を用いることに
よって、記録媒体と磁気ヘッドスライダとの摩擦・摩耗
を低減し、高記録密度の磁気記憶体において耐久性およ
び信頼性が著しく向上するという効果が得られた。
厚方向に連続的に変化させた傾斜組成膜を用いることに
よって、記録媒体と磁気ヘッドスライダとの摩擦・摩耗
を低減し、高記録密度の磁気記憶体において耐久性およ
び信頼性が著しく向上するという効果が得られた。
【図１】本発明の磁気記憶体の断面図である。
【図２】保護膜形成装置のブロック図である。
１１ 基板 １２ 下地層 １３ 磁性層 １４ 保護膜 １５ 潤滑層 ２１ マグネトロンスパッタ装置 ２２ ガス混合制御装置 ２３ ガスボンベ１ ２４ ガスボンベ２
Claims (2)
- 【請求項１】 記録媒体である磁性層上に保護膜を有す
る磁気記憶体において、組成を膜厚方向に連続的に変化
させた傾斜組成膜を保護膜として用いることを特徴とす
る磁気記憶体。 - 【請求項２】 傾斜組成元素としてフッ素を用い、かつ
磁性媒体側の傾斜組成元素組成濃度が逆側の元素組成濃
度よりも低いことを特徴とする請求項１記載の磁気記憶
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32936793A JPH07192252A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32936793A JPH07192252A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07192252A true JPH07192252A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18220666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32936793A Pending JPH07192252A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07192252A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292114A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62283413A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体用保護膜 |
| JPH03183010A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH06162491A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置 |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP32936793A patent/JPH07192252A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292114A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62283413A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体用保護膜 |
| JPH03183010A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH06162491A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-10 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及び磁気記録装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |