JPH0715753B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0715753B2 JPH0715753B2 JP60183079A JP18307985A JPH0715753B2 JP H0715753 B2 JPH0715753 B2 JP H0715753B2 JP 60183079 A JP60183079 A JP 60183079A JP 18307985 A JP18307985 A JP 18307985A JP H0715753 B2 JPH0715753 B2 JP H0715753B2
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- JP
- Japan
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- protective film
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- bxc
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に係り、特に耐食性ならびに耐ヘ
ッド摺動性に優れた磁気記録媒体に関する。
ッド摺動性に優れた磁気記録媒体に関する。
従来から高密度磁気記録化をはかるために、金属薄膜を
用いる磁気記録媒体の研究開発が積極的に進められてい
る。この金属薄膜磁気記録媒体はメッキ法，イオンプレ
ーティング法，スパッタリング法，真空蒸着法などの手
法によって、Co,Fe,Niなどの強磁性金属、またはこれら
の元素を主成分とする強磁性合金からなる磁性薄膜を、
高分子フイルム，アルミニウム，ガラスなどの非磁性材
料で作られた基板上に形成させた磁気記録媒体である。
しかしながら、この金属または合金薄膜を用いた磁気記
録媒体は、耐食性が悪く、磁気ヘッドなどを摩耗し易
く、また記録媒体自身も摩耗し易いという欠点があり、
さらにはヘッドタッチが悪いなどの諸点から実用化に際
してはかなりの問題を有している。
用いる磁気記録媒体の研究開発が積極的に進められてい
る。この金属薄膜磁気記録媒体はメッキ法，イオンプレ
ーティング法，スパッタリング法，真空蒸着法などの手
法によって、Co,Fe,Niなどの強磁性金属、またはこれら
の元素を主成分とする強磁性合金からなる磁性薄膜を、
高分子フイルム，アルミニウム，ガラスなどの非磁性材
料で作られた基板上に形成させた磁気記録媒体である。
しかしながら、この金属または合金薄膜を用いた磁気記
録媒体は、耐食性が悪く、磁気ヘッドなどを摩耗し易
く、また記録媒体自身も摩耗し易いという欠点があり、
さらにはヘッドタッチが悪いなどの諸点から実用化に際
してはかなりの問題を有している。
このような問題を解決する手段そして、磁性薄膜上に耐
酸化性を有する金属、例えばAu,Pt,Rh,Pd,Cr,Al,Siなど
の材料からなる保護膜を形成させる手法（特開昭53−40
505号公報，特開昭57−176537号公報）や、磁性薄膜の
表面を窒化あるいは酸化することによって磁性薄膜を強
化する手法（特開昭54−14311号公報）、あるいは非金
属系材料であるＣ系保護膜（特開昭53−143206号公報）
やＢ系材料であるB4Cの保護膜（特開昭50−104602号公
報）を形成させる手法などが提案されている。
酸化性を有する金属、例えばAu,Pt,Rh,Pd,Cr,Al,Siなど
の材料からなる保護膜を形成させる手法（特開昭53−40
505号公報，特開昭57−176537号公報）や、磁性薄膜の
表面を窒化あるいは酸化することによって磁性薄膜を強
化する手法（特開昭54−14311号公報）、あるいは非金
属系材料であるＣ系保護膜（特開昭53−143206号公報）
やＢ系材料であるB4Cの保護膜（特開昭50−104602号公
報）を形成させる手法などが提案されている。
しかしながら、本発明者らの研究によると、上記の金属
系あるいは合金系の保護膜の場合においては耐摩耗性が
十分でなく、また保護膜の膜面内のピンホールを通して
磁性薄膜が少しずつ変質するなどの問題があって、必ず
しも耐食性を十分に満足するとは言い難い点がある。そ
して、上記の磁性薄膜の表面を窒化もしくは酸化させる
方法は、耐ヘッド摺動性ならびに耐酸化性は向上する反
面、磁性薄膜の表面に形成される窒化層ならびに酸化層
の厚さによっては磁性薄膜の磁気的特性が変化したり、
あるいは窒化，酸化に際して磁性薄膜がかなりの高温に
さらされることになるので磁気的特性に変化が生じるな
どの問題がある。さらに、上記の非金属系の材料である
Ｃ系の保護膜は磁気ヘッド摺動時に摩耗量が非常に多い
という欠点があり、Ｂ系のB4C保護膜は、この化学量論
的組成をもつ薄膜の形成が極めて困難であるという欠点
があった。
系あるいは合金系の保護膜の場合においては耐摩耗性が
十分でなく、また保護膜の膜面内のピンホールを通して
磁性薄膜が少しずつ変質するなどの問題があって、必ず
しも耐食性を十分に満足するとは言い難い点がある。そ
して、上記の磁性薄膜の表面を窒化もしくは酸化させる
方法は、耐ヘッド摺動性ならびに耐酸化性は向上する反
面、磁性薄膜の表面に形成される窒化層ならびに酸化層
の厚さによっては磁性薄膜の磁気的特性が変化したり、
あるいは窒化，酸化に際して磁性薄膜がかなりの高温に
さらされることになるので磁気的特性に変化が生じるな
どの問題がある。さらに、上記の非金属系の材料である
Ｃ系の保護膜は磁気ヘッド摺動時に摩耗量が非常に多い
という欠点があり、Ｂ系のB4C保護膜は、この化学量論
的組成をもつ薄膜の形成が極めて困難であるという欠点
があった。
本発明の目的は、上述した従来技術の問題点を解消し、
一般式BxC1-x（式中、ｘは0.80を超え、0.96以下の正数
を表わす。）で示される炭化ホウ素系の保護膜を磁気記
録媒体の膜面に形成させることにより、耐食性ならびに
耐ヘッド摺動性を大幅に改善した磁気記録媒体を提供す
ることにある。
一般式BxC1-x（式中、ｘは0.80を超え、0.96以下の正数
を表わす。）で示される炭化ホウ素系の保護膜を磁気記
録媒体の膜面に形成させることにより、耐食性ならびに
耐ヘッド摺動性を大幅に改善した磁気記録媒体を提供す
ることにある。
本発明における磁気記録媒体の保護膜としての必要条件
は、耐食性があり媒体の磁性薄膜層を保護すること、磁
気ヘッドに対して滑り性があること、および電磁変換特
性の低下を抑えるために保護膜はできるだけ薄く、その
膜厚は1000Å以下とすることが基本である。そして、非
磁性基板上に形成された磁性薄膜の表面にはミクロ的な
起伏があるので、保護膜は上記条件を満たすことに加え
て、このミクロ的な起伏の上に強固に密着していること
が必要であって、保護膜の形成によりミクロ的起伏が平
担化されることが望ましい。そして、磁性薄膜表面のミ
クロ的な起伏は、磁性薄膜を構成する微結晶粒子が垂直
に配向した柱状晶からなる垂直磁化膜の場合において最
も大きくなり、例えばCo基合金薄膜からなる垂直磁化膜
では、その表面に周期が200〜500Å，深さが50〜200Å
の起伏が存在する。また、上記微結晶粒子の界面が表面
に露出している部分には、原子規模（10Å以下）の深さ
の孔も存在する。したがって、保護膜は上記の薄性薄膜
の表面のミクロ的な起伏のすみずみにまで回り込んで強
固に密着して形成されることが必要である。
は、耐食性があり媒体の磁性薄膜層を保護すること、磁
気ヘッドに対して滑り性があること、および電磁変換特
性の低下を抑えるために保護膜はできるだけ薄く、その
膜厚は1000Å以下とすることが基本である。そして、非
磁性基板上に形成された磁性薄膜の表面にはミクロ的な
起伏があるので、保護膜は上記条件を満たすことに加え
て、このミクロ的な起伏の上に強固に密着していること
が必要であって、保護膜の形成によりミクロ的起伏が平
担化されることが望ましい。そして、磁性薄膜表面のミ
クロ的な起伏は、磁性薄膜を構成する微結晶粒子が垂直
に配向した柱状晶からなる垂直磁化膜の場合において最
も大きくなり、例えばCo基合金薄膜からなる垂直磁化膜
では、その表面に周期が200〜500Å，深さが50〜200Å
の起伏が存在する。また、上記微結晶粒子の界面が表面
に露出している部分には、原子規模（10Å以下）の深さ
の孔も存在する。したがって、保護膜は上記の薄性薄膜
の表面のミクロ的な起伏のすみずみにまで回り込んで強
固に密着して形成されることが必要である。
本発明者らは、種々研究を重ねた結果、保護膜として、
一般式BxC1-x（式中、ｘは0.80を超え、0.96以下の正数
を表わす。）で示される組成の炭化ホウ素系の材料を用
いると、耐ヘッド摺動性ならびに耐食性が一段と向上す
ることを知見して本発明を完成するに至った。すなわ
ち、Ｂ（ホウ素）,C（炭素）原子の大きさが、磁性薄膜
を構成するFe,Ni,Coなどの強磁性体原子の大きさに比べ
て十分に小さく、磁性薄膜面のミクロ的な窪みにまで容
易に浸入し易いこと、およびＢおよびＣ原子はFe,Ni,Co
などの金属原子との親和性が高く、磁性薄膜面に強固に
密着し、アモルフアス状になり易いからである。このア
モルフアス状の保護膜の特長は、化学的な活性点が少な
いので耐食性が良く、また均質であるために機械的強度
に優れるという点があって、これに対し結晶質の保護膜
においては、結晶粒界や、結晶粒中の欠陥部分は化学的
な活性点となり易く、化学反応が優先的に進行し、耐食
性劣化の原因となる。また、結晶質保護膜では、磁気ヘ
ッドの荷重の応力が結晶粒界に集中し、そのために機械
的強度が悪化することになる。
一般式BxC1-x（式中、ｘは0.80を超え、0.96以下の正数
を表わす。）で示される組成の炭化ホウ素系の材料を用
いると、耐ヘッド摺動性ならびに耐食性が一段と向上す
ることを知見して本発明を完成するに至った。すなわ
ち、Ｂ（ホウ素）,C（炭素）原子の大きさが、磁性薄膜
を構成するFe,Ni,Coなどの強磁性体原子の大きさに比べ
て十分に小さく、磁性薄膜面のミクロ的な窪みにまで容
易に浸入し易いこと、およびＢおよびＣ原子はFe,Ni,Co
などの金属原子との親和性が高く、磁性薄膜面に強固に
密着し、アモルフアス状になり易いからである。このア
モルフアス状の保護膜の特長は、化学的な活性点が少な
いので耐食性が良く、また均質であるために機械的強度
に優れるという点があって、これに対し結晶質の保護膜
においては、結晶粒界や、結晶粒中の欠陥部分は化学的
な活性点となり易く、化学反応が優先的に進行し、耐食
性劣化の原因となる。また、結晶質保護膜では、磁気ヘ
ッドの荷重の応力が結晶粒界に集中し、そのために機械
的強度が悪化することになる。
本発明の一般式BxC1-x（0.80＜ｘ≦0.96）で示される組
成の炭化ホウ素系のアモルフアス状の保護膜は、Ｃ保護
膜と比べて硬度が高いためにヘッド摺動時の摩耗量が少
なく、またその保護膜の作製に際しても、ＢとB4Cの混
合物を蒸着源とするか、または上記の混合物をターゲッ
トとして用いることにより比較的容易に本発明の保護膜
を形成させることができる。
成の炭化ホウ素系のアモルフアス状の保護膜は、Ｃ保護
膜と比べて硬度が高いためにヘッド摺動時の摩耗量が少
なく、またその保護膜の作製に際しても、ＢとB4Cの混
合物を蒸着源とするか、または上記の混合物をターゲッ
トとして用いることにより比較的容易に本発明の保護膜
を形成させることができる。
本発明の炭化ホウ素系の保護膜である一般式BxC1-xで示
される組成のｘの範囲は、第２図に示すごとく、Ｂ単体
保護膜（ｘ＝1.0）における耐ヘッド摺動強度（回）よ
りも大きい値を示す炭化ホウ素系保護膜組成、すなわ
ち、ｘ＝0.96と、B4C保護膜組成（ｘ＝0.80）を含まな
い炭化ホウ素系保護膜組成、すなわち、ｘ＞0.80との間
で示される組成範囲のBxC1-x保護膜とした。したがっ
て、BxC1-x組成におけるｘの範囲は、0.80を超え、0.96
以下（0.80＜ｘ≦0.96）である。そして、より高い耐ヘ
ッド摺動性ならびにその再現性の点からいって、第２図
に示す特性カーブから、より好ましいｘの範囲は0.81〜
0.91である。
される組成のｘの範囲は、第２図に示すごとく、Ｂ単体
保護膜（ｘ＝1.0）における耐ヘッド摺動強度（回）よ
りも大きい値を示す炭化ホウ素系保護膜組成、すなわ
ち、ｘ＝0.96と、B4C保護膜組成（ｘ＝0.80）を含まな
い炭化ホウ素系保護膜組成、すなわち、ｘ＞0.80との間
で示される組成範囲のBxC1-x保護膜とした。したがっ
て、BxC1-x組成におけるｘの範囲は、0.80を超え、0.96
以下（0.80＜ｘ≦0.96）である。そして、より高い耐ヘ
ッド摺動性ならびにその再現性の点からいって、第２図
に示す特性カーブから、より好ましいｘの範囲は0.81〜
0.91である。
本発明のBxC1-x（0.80＜ｘ≦0.96）で示される組成の保
護膜は、真空蒸着法，スパッタリング法，イオンプレー
ティング法などの物理蒸着法であるいわゆる乾式法によ
って形成された磁性薄膜上に本発明の保護膜を設ける
と、特に強固な付着力が得られる。また、本発明のBxC
1-x（0.80＜ｘ≦0.96）で示される保護膜を、磁性薄膜
の表面に、上記の乾式法によって、50〜1000Åの膜厚に
形成させると、磁性薄膜の表面のミクロ的な起伏が平担
化される。
護膜は、真空蒸着法，スパッタリング法，イオンプレー
ティング法などの物理蒸着法であるいわゆる乾式法によ
って形成された磁性薄膜上に本発明の保護膜を設ける
と、特に強固な付着力が得られる。また、本発明のBxC
1-x（0.80＜ｘ≦0.96）で示される保護膜を、磁性薄膜
の表面に、上記の乾式法によって、50〜1000Åの膜厚に
形成させると、磁性薄膜の表面のミクロ的な起伏が平担
化される。
本発明のBxC1-x（0.80＜ｘ≦0.96）で示される組成の保
護膜の膜厚は、50Å未満では保護膜としての効果が少な
く、1000Åを超えると磁気記録再生特性が劣化するか
ら、50〜1000Åの範囲が好ましく、より好ましい膜厚範
囲は100〜800Åであり、最も好ましい膜厚範囲は150〜3
00Åである。
護膜の膜厚は、50Å未満では保護膜としての効果が少な
く、1000Åを超えると磁気記録再生特性が劣化するか
ら、50〜1000Åの範囲が好ましく、より好ましい膜厚範
囲は100〜800Åであり、最も好ましい膜厚範囲は150〜3
00Åである。
以下に本発明の実施例を挙げ、図面を参照しながらさら
に具体的に説明する。
に具体的に説明する。
（実施例 １） 基板としてポリイミドフイルムを用い、真空蒸着法によ
って第１図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。真空
蒸着装置の試料室を１×10-6Torrまで真空排気した後、
基板１の温度を150℃となし、Co−20wt（重量）％Crの
組成をもつ磁性薄膜２を0.2μｍの厚さに真空蒸着し
た。ついで、試料室の真空を破らずに蒸着源をＢとB4C
の混合物に変換して、上記と同様の条件で200Å膜厚の
保護膜３を形成した。この場合、蒸着源であるＢとB4C
の混合比を変えることにより、保護膜３の組成であるBx
C1-xのｘを0.81〜0.99の範囲に自在に調製することがで
きた。なお、保護膜３の組成はオージエ電子分光分析に
よって決定した。
って第１図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。真空
蒸着装置の試料室を１×10-6Torrまで真空排気した後、
基板１の温度を150℃となし、Co−20wt（重量）％Crの
組成をもつ磁性薄膜２を0.2μｍの厚さに真空蒸着し
た。ついで、試料室の真空を破らずに蒸着源をＢとB4C
の混合物に変換して、上記と同様の条件で200Å膜厚の
保護膜３を形成した。この場合、蒸着源であるＢとB4C
の混合比を変えることにより、保護膜３の組成であるBx
C1-xのｘを0.81〜0.99の範囲に自在に調製することがで
きた。なお、保護膜３の組成はオージエ電子分光分析に
よって決定した。
比較例として、保護膜を設けない試料と、Ｂ単体を保護
膜として設けた試料とを作製した。
膜として設けた試料とを作製した。
上記のそれぞれの試料について、以下に示し耐ヘッド摺
動性および耐食性のテストを行なった。
動性および耐食性のテストを行なった。
耐ヘッド摺動性テストは、各試料からディスク試料を切
り出して、ディスク回転装置にセットした後、荷重18g
のヘッドを接触させて、ディスクを2m/sの速度で連続回
転させ、試料である磁気記録媒体に傷が生じるまでの回
転数によってその耐ヘッド摺動強度（回）を判定した。
また、耐食性のテストは、各試料を関係湿度90％，温度
60℃の環境中に１カ月放置した後、その表面を光学顕微
鏡で観察することにより耐食性を判定した。
り出して、ディスク回転装置にセットした後、荷重18g
のヘッドを接触させて、ディスクを2m/sの速度で連続回
転させ、試料である磁気記録媒体に傷が生じるまでの回
転数によってその耐ヘッド摺動強度（回）を判定した。
また、耐食性のテストは、各試料を関係湿度90％，温度
60℃の環境中に１カ月放置した後、その表面を光学顕微
鏡で観察することにより耐食性を判定した。
耐ヘッド摺動性テストの結果を第２図に示す。図から明
らかなごとく、保護膜の組成であるBxC1-xは0.80＜ｘ≦
0.96の範囲で優れた耐ヘッド摺動性があることを示して
いる。ここで、ｘの上限値は、Ｂ単体保護膜（ｘ＝1.
0）における耐ヘッド摺動強度（回）よりも大きい値を
示すBxC1-x組成のｘ値、すなわち0.96をとり、ｘの下限
値は、B4C保護膜（ｘ＝0.80）を除くBxC1-x組成のｘ値
すなわちｘ＞0.80をとっている。
らかなごとく、保護膜の組成であるBxC1-xは0.80＜ｘ≦
0.96の範囲で優れた耐ヘッド摺動性があることを示して
いる。ここで、ｘの上限値は、Ｂ単体保護膜（ｘ＝1.
0）における耐ヘッド摺動強度（回）よりも大きい値を
示すBxC1-x組成のｘ値、すなわち0.96をとり、ｘの下限
値は、B4C保護膜（ｘ＝0.80）を除くBxC1-x組成のｘ値
すなわちｘ＞0.80をとっている。
なお、BxC1-x（0.80＜ｘ≦0.96）組成の保護膜を200Å
の膜厚に形成した試料と保護膜を形成しない試料の表面
を走査型顕微鏡で観察し比較したところ、保護膜を形成
した試料の表面の方が起伏が少ない平滑であることがわ
かった。そして、耐食性テストの結果については、保護
膜を設けなかった比較例における試料だけに変色が観察
され、保護膜を設けた試料においては、いずれも変色が
なく腐食は全く認められなかった。
の膜厚に形成した試料と保護膜を形成しない試料の表面
を走査型顕微鏡で観察し比較したところ、保護膜を形成
した試料の表面の方が起伏が少ない平滑であることがわ
かった。そして、耐食性テストの結果については、保護
膜を設けなかった比較例における試料だけに変色が観察
され、保護膜を設けた試料においては、いずれも変色が
なく腐食は全く認められなかった。
また、本実施例における保護膜の膜厚が大きいほど、耐
ヘッド摺動性は向上する傾向が認められるが、磁気記録
媒体と磁気ヘッド間の距離が増大するために電磁変換特
性が低下した。この電磁変換特性の低下がなく、耐ヘッ
ド摺動性の良好な膜厚の範囲は50〜1000Åで、より望ま
しい範囲は100〜800Åであり、最も望ましい範囲は150
〜300Åであった。
ヘッド摺動性は向上する傾向が認められるが、磁気記録
媒体と磁気ヘッド間の距離が増大するために電磁変換特
性が低下した。この電磁変換特性の低下がなく、耐ヘッ
ド摺動性の良好な膜厚の範囲は50〜1000Åで、より望ま
しい範囲は100〜800Åであり、最も望ましい範囲は150
〜300Åであった。
さらに、本実施例においては磁性薄膜を形成した後に、
同一装置内で連続して保護膜を形成させる方法について
述べたが、磁性薄膜の形成の後に別の装置に試料を移し
てから保護膜を形成させてもよい。しかし、接着強度の
大きい保護膜を形成させるためには磁性薄膜の表面に空
気が接触して酸化しないようにする必要があり、この点
においては本実施例に示すごとく連続して保護膜を形成
させる方法が望ましい。
同一装置内で連続して保護膜を形成させる方法について
述べたが、磁性薄膜の形成の後に別の装置に試料を移し
てから保護膜を形成させてもよい。しかし、接着強度の
大きい保護膜を形成させるためには磁性薄膜の表面に空
気が接触して酸化しないようにする必要があり、この点
においては本実施例に示すごとく連続して保護膜を形成
させる方法が望ましい。
また、本実施例においては、Co−Cr合金の磁性薄膜を用
いたが、それ以外のCo基合金,Fe基合金,Ni基合金などを
磁性薄膜として用いた場合においても、BxC1-x（0.80＜
ｘ≦0.96）組成からなる保護膜を設けることによって、
耐ヘッド摺動性ならびに耐食性を著しく向上させること
ができた。
いたが、それ以外のCo基合金,Fe基合金,Ni基合金などを
磁性薄膜として用いた場合においても、BxC1-x（0.80＜
ｘ≦0.96）組成からなる保護膜を設けることによって、
耐ヘッド摺動性ならびに耐食性を著しく向上させること
ができた。
（実施例 ２） アルミニウム基板を用いて、スパッタリング法により第
３図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。スパッタリ
ング装置の試料室を１×10-6Torrまで真空排気した後、
Arガスを導入してAr圧を５×10-3Torrに調整し、アルミ
ニウム基板４の温度を120℃となし、高周波スパッタリ
ング法により、19wt％Fe−Niの組成をもつ高透磁率薄膜
５を0.5μｍの厚さに形成した。ついで、同じ試料室に
おいて、基板４の温度を100℃とし、Co−20wt％Crの組
成をもつ磁性薄膜６を0.2μｍの膜厚にスパッタリング
した。
３図に示す構造の磁気記録媒体を作製した。スパッタリ
ング装置の試料室を１×10-6Torrまで真空排気した後、
Arガスを導入してAr圧を５×10-3Torrに調整し、アルミ
ニウム基板４の温度を120℃となし、高周波スパッタリ
ング法により、19wt％Fe−Niの組成をもつ高透磁率薄膜
５を0.5μｍの厚さに形成した。ついで、同じ試料室に
おいて、基板４の温度を100℃とし、Co−20wt％Crの組
成をもつ磁性薄膜６を0.2μｍの膜厚にスパッタリング
した。
保護膜７は、Ｂ上にB4Cを配置したターゲットまたはB4C
上にＢを配置したターゲットを用いて、基板温度90℃で
200Åの厚さに形成した。この場合、ターゲットを構成
するＢとB4Cの存在比を変えることにより、BxC1-x（0.8
0＜ｘ≦0.96）なる組成の保護膜７を得ることができ
た。
上にＢを配置したターゲットを用いて、基板温度90℃で
200Åの厚さに形成した。この場合、ターゲットを構成
するＢとB4Cの存在比を変えることにより、BxC1-x（0.8
0＜ｘ≦0.96）なる組成の保護膜７を得ることができ
た。
比較例として、保護膜を設けない試料と、Ｂ単体を保護
膜として設けた試料とを作製し、実施例１と同様の耐食
性テストならびに耐ヘッド摺動性テストを行なったとこ
ろ、実施例１の真空蒸着法における場合と同様に、耐食
性は保護膜を設けたすべての磁気記録媒体において優れ
た値を示し、耐ヘッド摺動性は、保護膜組成BxC1-xのｘ
が0.80を超え、0.96以下の範囲において、比較例である
Ｂ保護膜よりも優れた値を示した。
膜として設けた試料とを作製し、実施例１と同様の耐食
性テストならびに耐ヘッド摺動性テストを行なったとこ
ろ、実施例１の真空蒸着法における場合と同様に、耐食
性は保護膜を設けたすべての磁気記録媒体において優れ
た値を示し、耐ヘッド摺動性は、保護膜組成BxC1-xのｘ
が0.80を超え、0.96以下の範囲において、比較例である
Ｂ保護膜よりも優れた値を示した。
また、イオンプレーティング法によって保護膜を形成し
た場合においても、本実施例と同様に優れた効果を認め
ることができた。
た場合においても、本実施例と同様に優れた効果を認め
ることができた。
（実施例 ３） 基板としてNi−P/Al基板を用い、第４図に示す構造の磁
気記録媒体を、マグネトロンスパッタリング法により作
製した。スパッタリング装置の試料室を１×10-6Torrま
で真空排気した後、Arガスを導入してAr圧を５×10-3To
rrとなし、マグネトロンスパッタリング法により、基板
温度120℃で、Ni−P/Al基板８上に中間層９としてCrを5
00Åの膜厚に形成した。ついで、その上に磁性薄膜10と
して、25wt％Co−Ni合金を、基板温度100℃で0.2μｍの
厚さに形成させた。保護膜11は、Ｂ上にB4Cを配置した
ターゲットもしくはB4C上にＢを配置したターゲットを
用いて、基板温度90℃で、上記と同じマグネトロンスパ
ッタリング法により200Åの膜厚に形成した。
気記録媒体を、マグネトロンスパッタリング法により作
製した。スパッタリング装置の試料室を１×10-6Torrま
で真空排気した後、Arガスを導入してAr圧を５×10-3To
rrとなし、マグネトロンスパッタリング法により、基板
温度120℃で、Ni−P/Al基板８上に中間層９としてCrを5
00Åの膜厚に形成した。ついで、その上に磁性薄膜10と
して、25wt％Co−Ni合金を、基板温度100℃で0.2μｍの
厚さに形成させた。保護膜11は、Ｂ上にB4Cを配置した
ターゲットもしくはB4C上にＢを配置したターゲットを
用いて、基板温度90℃で、上記と同じマグネトロンスパ
ッタリング法により200Åの膜厚に形成した。
本実施例によって作製した磁気記録媒体は、上述の実施
例１および２と同等の優れた耐食性ならびに耐ヘッド摺
動性を示した。
例１および２と同等の優れた耐食性ならびに耐ヘッド摺
動性を示した。
以上詳細に説明したごとく、本発明による一般式BxC1-x
（0.80＜ｘ≦0.96）で示される組成の炭化ホウ素系のア
モルフアス状の保護膜は、磁性薄膜の表面に強固に密着
し易く、化学的に活性点が少ないために耐食性が良く、
かつ均質であるために機械的強度が大であるので、これ
を保護膜として用いた磁気記録媒体は、耐食性に優れる
ことはもちろんのこと、特に耐ヘッド摺動強度が高くな
り、高密度磁気記録再生に際して極めて耐用寿命の長い
記録媒体が認められる。
（0.80＜ｘ≦0.96）で示される組成の炭化ホウ素系のア
モルフアス状の保護膜は、磁性薄膜の表面に強固に密着
し易く、化学的に活性点が少ないために耐食性が良く、
かつ均質であるために機械的強度が大であるので、これ
を保護膜として用いた磁気記録媒体は、耐食性に優れる
ことはもちろんのこと、特に耐ヘッド摺動強度が高くな
り、高密度磁気記録再生に際して極めて耐用寿命の長い
記録媒体が認められる。
そして、本発明の炭化ホウ素系の保護膜は乾式法である
物理蒸着法によって容易に形成させることができるの
で、工業上の利用価値は極めて大きい。
物理蒸着法によって容易に形成させることができるの
で、工業上の利用価値は極めて大きい。
第１図は本発明の実施例１における磁気記録媒体の構造
を示す断面図、第２図は本発明に関する保護膜BxC1-xの
組成範囲と耐ヘッド摺動強度との関係を示すグラフ、第
３図は本発明の実施例２における磁気記録媒体の構造を
示す断面図、第４図は本発明の実施例３における磁気記
録媒体の構造を示す断面図である。 １……ポリイミド基板 ２……磁性薄膜 ３……保護膜 ４……Al基板 ５……高透磁率薄膜 ６……磁性薄膜 ７……保護膜 ８……Ni−P/Al基板 ９……中間薄膜 10……磁性薄膜 11……保護膜
を示す断面図、第２図は本発明に関する保護膜BxC1-xの
組成範囲と耐ヘッド摺動強度との関係を示すグラフ、第
３図は本発明の実施例２における磁気記録媒体の構造を
示す断面図、第４図は本発明の実施例３における磁気記
録媒体の構造を示す断面図である。 １……ポリイミド基板 ２……磁性薄膜 ３……保護膜 ４……Al基板 ５……高透磁率薄膜 ６……磁性薄膜 ７……保護膜 ８……Ni−P/Al基板 ９……中間薄膜 10……磁性薄膜 11……保護膜
フロントページの続き (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 本多 幸雄 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 吉田 和悦 東京都国分寺市東恋ヶ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−18817（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に磁性薄膜層を設けた磁気記録媒体
において、上記磁性薄膜の上に、一般式BxC1-x（式中、
ｘは0.81以上、0.91以下の正数を表わす。）で示される
組成のアモルファス状の炭化ホウ素系保護膜を形成して
なることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】一般式BxC1-xで示される組成の炭化ホウ素
系保護膜の膜厚が、50〜1000Åの範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】一般式BxC1-xで示される組成の炭化ホウ素
系保護膜の膜厚が、100〜800Åであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】一般式BxC1-xで示される組成の炭化ホウ素
系保護膜の膜厚が、150〜300Åであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】一般式BxC1-xで示される組成の炭化ホウ素
系保護膜は、物理蒸着法によって形成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１
項に記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183079A JPH0715753B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60183079A JPH0715753B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6243821A JPS6243821A (ja) | 1987-02-25 |
| JPH0715753B2 true JPH0715753B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=16129389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60183079A Expired - Lifetime JPH0715753B2 (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715753B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09512127A (ja) * | 1994-04-19 | 1997-12-02 | サン−ゴバン／ノートン インダストリアル セラミックス コーポレイション | 改良されたディスク基材 |
| US5552204A (en) * | 1995-01-13 | 1996-09-03 | International Business Machines Corporation | Magnetic disk with boron carbide overcoat layer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP60183079A patent/JPH0715753B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6243821A (ja) | 1987-02-25 |
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