CN104735894A - 等离子体点火装置,等离子体点火方法及等离子体发生装置 - Google Patents

等离子体点火装置,等离子体点火方法及等离子体发生装置 Download PDF

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Abstract

本发明的课题在于,提供不需要监视或不需要手工动作、能容易且确实地进行等离子体点火或再点火的等离子体点火技术。本发明的解决手段在于,等离子体点火装置包括:高频电源装置(101),向用于使得发生等离子体的负载电极(114)供给所定的高频信号(HS)；匹配装置(105),使得高频电源装置侧和负载电极侧的阻抗匹配；前进波/反射波检测装置(102),检测高频信号(HS)的前进波及反射波；高压发生装置(103),发生所定的高压(HV)；以及控制装置(100),当反射波相对前进波的比率比第一阈值大场合,将高压HV叠加在高频信号(HS)上。

Description

等离子体点火装置,等离子体点火方法及等离子体发生装置
本申请是申请号为201080055528.9、申请日为2010年7月29日、发明名称为“等离子体点火装置,等离子体点火方法及等离子体发生装置”的中国发明专利申请的分案申请，原申请为国际申请号为PCT/JP2010/062780的国家阶段申请，该国际申请要求申请日为2009年12月10日的申请序列号为JP2009-280581的日本专利申请的优先权。
技术领域
本发明涉及等离子体点火装置,等离子体点火方法,以及等离子体发生装置。
背景技术
在许多生产现场使用等离子体。例如,在半导体电路的制造领域中,通过等离子体清洁成为焊接对象的半导体电路的表面。
作为以往的等离子体发生装置,例如,在日本特开2002-342599号公报中,公开了以下装置:引线配置在导入氩气的玻璃管的轴心,高频线圈及点火用线圈卷绕在玻璃管的前端部分(专利文献1)。在该装置中,将氩气导入玻璃管,等离子气流稳定后,从高频电源向高频线圈供给高频电力,接着,通过向点火用线圈施加高压,发生放电,产生等离子体。
又,在日本特开2003-328138号公报中,公开了以下等离子体点火机构:从点火器向包含引线的等离子体点火用线圈施加高压,在等离子体点火用线圈和引线之间诱发放电,使得等离子体点火(专利文献2,图3)。
再有,在日本特开2006-104545号公报中,公开了以下微等离子体反应装置:将高熔点导线插入通过等离子枪内管,用混合气体流通的等离子枪外管围住上述等离子枪内管的周围,通过设在外部的点火器,使其开始放电(专利文献3,图1-6)。
又,在日本特开平6-215894号公报中,公开了以下高频等离子用电源:通过阻抗匹配电路向等离子室的电极间供给高频电力(专利文献4)。根据该装置,在直到电源输出阻抗和等离子室的阻抗匹配前的期间,低低地设定供给功率放大器的FET的电压值,防止因反射波引起FET破损。
【专利文献1】日本特开2002-343599号公报
【专利文献2】日本特开2003-328138号公报
【专利文献3】日本特开2006-104545号公报
【专利文献4】日本特开平6-215894号公报
但是,在等离子体发生装置中,若等离子用惰性气体的流动状态恶化等,则等离子体成为不稳定或灭火。当等离子体不稳定或灭火场合,半导体电路等制品大多会产生缺陷。且因这种缺陷,有时还会在与缺陷处不同的地方产生发热等不良状况。若注意到等离子体灭火化费时间长,则在许多制品上会产生缺陷。因此,在上述专利文献记载的等离子体发生装置中,需要监视等离子体是否没有灭火。又,等离子体灭火场合,必须通过手工动作再点火。再有,等离子体的点火作业与高频电力的施加作业并行,需要估计时间实施,因此,点火作业需要某种程度熟练才行。
发明内容
于是,鉴于上述课题提出本发明。本发明的目的之一是提供不需要监视或不需要手工动作、能容易且确实地进行等离子体点火或再点火的等离子点火技术。
为了解决上述课题,本发明的等离子体点火装置的特征在于,包括:
高频电源装置,向使得发生等离子体的负载电极供给所定的高频信号；
匹配装置,使得上述高频电源装置侧和上述负载电极侧的阻抗匹配；
前进波/反射波检测装置,检测上述高频信号的前进波及反射波；
高压发生装置,发生所定的高压；以及
控制装置,当上述反射波相对上述前进波的比率比第一阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上。
根据上述构成,若高频信号供给到负载电极,则根据那时的等离子体状态等的负载电极侧的阻抗确定。若这时等离子体没有合适地发生,则匹配装置侧的输出阻抗和负载电极侧的输出阻抗产生不匹配,因此,高频信号的反射波相对前进波的比率变大。若该反射波相对前进波的比率为某种程度大,则可推测为点火前状态,或一旦点火的等离子体因什么原因灭火的状态。于是,为了推测等离子体灭火状态,预先设定第一阈值,所述比率比该第一阈值大场合,判断为等离子体没有点火,将高压叠加在高频信号上。通过该高压,负载电极发生放电,等离子体点火或被再点火。
“反射波相对前进波的比率”通常作为反射波的振幅值相对前进波的振幅值的比把握,例如,为驻波比(SWR(Standing Wave Ratio)值)。
下面,说明本发明的效果:
按照本发明,用反射波相对前进波的比率判断等离子体的点火状态,实行点火作业,因此,不需要监视且不需要手工动作,能容易且确实地进行等离子体点火或再点火。
附图说明
图1是实施形态1的包含等离子体点火装置的等离子体发生装置的构成图。
图2是说明实施形态1的等离子体点火方法的流程图。
图3是说明实施形态1的等离子体点火方法的波形图。
图4是说明实施形态2的等离子体点火方法的流程图。
图5是说明实施形态2的等离子体点火方法的波形图。
图6是说明实施形态3的等离子体点火方法的流程图。
图7是说明实施形态3的等离子体点火方法的波形图。
图8是说明实施形态4的等离子体点火方法的流程图。
图9是说明实施形态4的等离子体点火方法的波形图。
图10是说明应用例的等离子体点火方法的流程图。
图11是变形例涉及的等离子体发生装置的构成图。
图中符号意义如下:
1－等离子体发生装置
10－等离子体点火装置
100－控制装置
101－高频电源装置
102－前进波/反射波检测装置
103－高压发生装置
104－叠加线圈
105－匹配装置
106－同轴电缆
110、110b－气体室
111－电抗补正线圈
112－陶瓷管
114、114b－负载电极
115－屏蔽盖
116、116b－接地电极
118－等离子气体供给口
HS－高频信号
HV、HV1、HV2、HV3－高压
M－存储介质
S－清洗面(被加工面)
SHS、SHV－控制信号
Vf－前进波振幅值
Vr－反射波振幅值
Z－负载阻抗
Z0－特性阻抗
Γ(gamma)－电压反射系数
具体实施方式
下面，说明本发明的实施形态。在以下附图记载中，对于相同或类似的步骤用相同或类似符号表示。但是,附图所示方框图、波形图、以及流程图都是例示。因此,具体的方框、发生波形、处理流程应参照以下说明进行判断。
[实施形态1]
本发明的实施形态1涉及以下能自动点火的等离子体点火装置的基本型:当反射波相对前进波(progressive wave)的比率比所定阈值大场合,将高压叠加在高频信号,又,将高压叠加在高频信号后,当反射波相对前进波的比率成为上述阈值以下场合,停止高压叠加。
图1表示本实施形态的包含等离子体点火装置的等离子体发生装置的构成图。等离子体发生装置1用于半导体电路制造场合,与作为清洗对象的半导体电路(焊接对象)的清洗面对向配置,使其发生等离子体,用于清洗半导体电路的清洗面。
如图1所示，本实施形态的等离子体发生装置1包括等离子体点火装置10,气体室110,电抗补正线圈111,陶瓷管112,负载电极114,接地电极116,等离子气体供给口118。
气体室110是用于向陶瓷管112供给等离子气体的气体充填室。作为等离子气体,优选惰性气体。也可以使用H2、O2、N2、或上述气体和惰性气体的混合气体。作为惰性气体,可以利用氩(Ar)、氦(He)、氙(Xe)、氖(Ne),最常用的是氩(Ar)、氦(He)。从等离子气体供给口118,由没有图示的压缩机向气体室110供给等离子气体,加压到所定气压,例如从大气压到三气压左右。等离子气体通过设有储气瓶、压力计、流量计、配管等的任意的气体供给系统,供给到等离子气体供给口118。
陶瓷管112是由作为绝缘体材料的陶瓷构成的结构物,其具有耐等离子体发生的高温及耐高反应性的特性,成形为适合等离子体发生的所定的直径。除了陶瓷,还可以利用石英玻璃等。陶瓷管112包括第一端部及第二端部,负载电极114配置在外部,接地电极116配置在内部,从第一端部导入惰性气体,在内部发生等离子体,将发生的等离子体从第二端部向清洗对象照射。在陶瓷管112,沿轴心延伸设置接地电极116。陶瓷管112与气体室110连通,使得气体室110内部的被加压的等离子气体高速流通接地电极116的周围。与陶瓷管112的开口(图1的左侧端面)对向,配置应照射等离子体的面(半导体电路的被清洗面等)。也可以将多根陶瓷管112构成为能加工宽广范围(详细在后文作为变形例说明)。
接地电极116是为了使得产生等离子体的接地的电极,是负载电极114的对极。接地电极116沿陶瓷管112的轴心延伸。接地电极116的前端部位于负载电极114的覆盖范围,可以超过负载电极114的覆盖范围,延伸到陶瓷管112的前端附近。接地电极116由具有能耐周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属例如铂或钨等引线构成。接地电极116经气体室110在外部接地。
负载电极114是与接地电极116成对的电极,从等离子体点火装置10施加高频信号HS。负载电极114从陶瓷管112的外侧围住,与上述接地电极的一部分对向,在本实施形态中,是截面管形状(圆环状)的电极。负载电极114由具有耐氧化性的金属例如不锈钢或通过电镀等赋与耐氧化性的金属形成。负载电极114和接地电极116的距离根据施加的高频信号的电力和希望产生的等离子体密度的关系设定。负载电极114除了截面形成圆环状之外,也可以形成为卷绕在陶瓷管112等的线圈状。
电抗补正线圈111是任意选择的构成要素,是与负载电极114连接的线圈元件。电抗补正线圈111具有以下功能:抑制因负载电极114和接地电位之间存在的容量成份产生的电抗(阻抗)的影响,改善后述的电压驻波比VSWR(即,使得VSWR接近1)。
等离子体点火装置10包括控制装置100,高频电源装置101,前进波/反射波检测装置102,高压发生装置103,叠加线圈104。也可以将高频电源装置101和高压发生装置103合在一起构成为一个装置。
又,匹配装置(coordination device)105配置在等离子体点火装置10和气体室110之间。在此,也可以将匹配装置105和前进波/反射波检测装置102合在一起构成为一个装置,配置在等离子体点火装置10的内部。
高频电源装置101是向产生等离子体的负载电极114供给所定的高频信号HS的RF电源。高频信号HS是具有适合等离子体发生的频率以及输出的信号。适合等离子体发生的高频信号HS从10KHz左右到1GHz左右,适合的功率为0.1W左右～100W左右。在本实施形态中,设为以频率450MHz输出30W的高频信号。高频电源装置101用具有组装高频功率晶体管和高频变压器的输出段的振荡电路等构成。与来自控制装置100的控制信号SHS对应,高频电源装置101开始生成高频信号HS或停止生成高频信号HS。
匹配装置105设在等离子体点火装置10和负载电极114之间的传输路径上,起着使得高频电源装置101侧和负载电极114侧的阻抗匹配的功能。匹配装置105具有由线圈及可变电容器等构成的滤波器电路结构,设计为从高频电源装置101的输出侧看,在稳定地生成等离子体状态下的负载阻抗成为特性阻抗Z0(例如50Ω)。但是,等离子气体的负载阻抗Z在等离子气体产生等离子体的过程中急剧变化。又,即使因等离子气体的种类、流量、压力、温度等,负载阻抗Z也急剧变化。若负载阻抗Z与高频电源装置101的特性阻抗Z0不匹配,则供给的高频功率的一部分作为反射波反馈,有时发生电力效率降低,或对高频电源装置101的输出段的元件带来损伤。匹配装置105通过阻抗匹配功能,进行高频电源装置101侧和负载电极114侧的阻抗匹配,多少抑制反射波发生。
前进波/反射波检测装置102系构成为检测流过传输路径的高频信号HS的前进波以及从负载电极114反射的反射波的装置。具体地说,作为检测的物理量,为前进波及反射波的功率值或振幅(电压)值,下面,为便于说明起见,使用振幅值(电压值)。即,前进波/反射波检测装置102构成为能分别检测高频信号HS的前进波的振幅值Vf和反射波的振幅值Vr。
在此,信号源和负载阻抗Z与特性阻抗Z0的传输路径的两端连接场合,使用前进波振幅值Vf和反射波振幅值Vr,用下式(1)和(2)表示负载侧的电压驻波比VSWR(Voltage Standing Wave Ratio):
VSWR = 1 + | Γ | 1 - | Γ | - - - ( 1 )
Γ = Z - Z 0 Z + Z 0 = Vr Vf - - - ( 2 )
Γ(gamma)是电压反射系数。根据式(1),(2),若传输路径的特性阻抗Z0和负载阻抗Z一致,则Z0＝Z,电压驻波比VSWR＝1。匹配装置105变更控制内部的阻抗,使得电压反射系数Γ尽可能接近零。
在使得阻抗匹配的过程中,必须检测前进波振幅值Vf和反射波振幅值Vr,因此,可以用一个装置构成匹配装置105和前进波/反射波检测装置102。但是,匹配装置105系使得从等离子体点火装置10到负载电极114的传输路径的阻抗匹配的装置,因此,必须配置在等离子体点火装置10的输出端和气体室110之间。
高压发生装置103是与来自控制装置100的控制信号SHV对应生成所定的高压HV的电压发生电路。高压HV的振幅值设为对于成为负载的等离子气体,为激发等离子体能给与充分的放电那样的电压值。例如,高压发生装置103生成0.8kV～2kV左右的高压HV。作为现实的电路,为了对于电源电压使其发生相当高的电压,高压发生装置103使用开关元件,因此,高压HV生成具有所定的开关频率(例如1kHz)的脉冲信号。该脉冲信号可以作为用电容器平滑化的直流电压输出。
叠加线圈104具有对于高频信号HS成为充分高的阻抗、对于高压HV成为充分低的阻抗那样的电抗。因此,叠加线圈104起着作为高频信号HS和高压HV的加法器的功能。
同轴电缆106是将高频信号HS供给负载电极114的特性阻抗Z0的传输路径。同轴电缆106用连接器分别与匹配装置105和气体室110连接,同轴电缆106的包覆通过匹配装置105或气体室110的至少一方接地。
控制装置100构成为能作为设有没有图示的CPU、RAM、ROM、I/O等的通用计算机动作。控制装置100构成为通过实行存储在内部或外部的存储介质的使得所定的等离子体点火方法实行的程序,能实行本发明的等离子体点火方法涉及的各功能。具体地说,控制装置100起着以下功能:发送控制信号SHS,向高频电源装置101指示高频信号HS的发生开始或停止。又,发送控制信号SHV,向高压发生装置103指示高压HV的发生开始或停止。又,控制装置100从前进波/反射波检测装置102输入前进波振幅值Vf和反射波振幅值Vr,能根据上述式(1)及(2)计算电压驻波比VSWR(以下,也称为“VSWR值”)。控制装置100也可以构成能实行对没有图示的等离子气体供给系统的指示,例如等离子气体的供给及供给停止的控制。控制装置100也可以利用根据上述式(2)计算的电压反射系数Γ或利用反射波振幅值Vr,代替VSWR值。
在此,若高频信号HS的电力高至必要以上,则因发热会产生坏影响,因此,较好的是,构成为高频信号HS的供给电力能根据等离子体状态进行变更。但是,若变更高频信号HS的电力,则反射波振幅值Vr也连动变化。因此,为了不受到振幅值变化的影响,较好的是,使用反射波对前进波的比率,例如,VSWR值等的驻波比。
用于使得本发明的等离子体点火方法实行的程序可以存储在存储介质M流通。作为这种存储介质M,包括各种ROM,设有闪存器的USB存储器,USB存储器,SD存储器,存储体,存储卡,FD,CD-ROM,DVD-ROM等物理存储介质,也包括能传送程序的因特网等的传输介质。典型地说,程序预先存储在控制装置100的ROM中。当存储在其它装卸自如的存储介质M场合,控制装置100设有没有图示的存储介质读取装置,如图1所示,读取存储在外部的存储介质M中的程序实行。
尤其,在本实施形态1中,当反射波对前进波的比率(VSWR值)比所定的阈值Vth大场合,控制装置100起着将所定的高压HV叠加在高频信号HS的功能。即,若判断为检测到某种程度的VSWR值,则控制装置100动作使得高压HV发生,将高压HV叠加在高频信号HS。又,将高压HV叠加在高频信号HS后,当反射波对前进波的比率(VSWR值)成为所定阈值以下场合,控制装置100起着停止高压HV叠加的功能。在本发明中,上述“成为所定阈值以下”,包括该所定阈值。可以将判断叠加高压HV的条件的阈值和判断停止叠加高压HV的条件的阈值设为不同的值,但是,在本实施形态1中,双方的阈值为相同值。双方阈值设为不同值的场合,将在实施形态2说明。
如上所述,等离子体发生装置的负载阻抗在从等离子气体点火前到稳定地发生等离子体的过渡期发生急剧变化。匹配装置105的阻抗匹配动作需要数秒时间,因此,在负载阻抗继续变化的过渡期不能使得阻抗匹配。在该期间,由于阻抗不匹配,产生反射波多,成为一定以上的VSWR值。对于本实施形态1的等离子体点火装置,将阈值Vth设定为能识别等离子体不稳定时期的VSWR值和稳定时期的VSWR值的值。因此,通过比较检测到的VSWR值和阈值Vth,控制装置100能判断等离子体是否稳定地发生。即,能容易地识别等离子体是否有效发生还是灭火(是否不稳定)。
[动作说明]
下面,参照图2的流程图及图3的波形图,说明本实施形态1的等离子体点火方法的处理。图2的流程图是定期或根据需要不定期地反复实行的程序处理。
若成为用于对等离子体点火的准备状态(以下,称为“等离子体待机状态),通过控制装置100的控制,或通过管理者的操作,从等离子气体供给口118向气体室110供给等离子气体。若供给等离子气体,则充填到气体室110的等离子气体以所定压力流经陶瓷管112。若等离子气流一稳定,则对控制装置100输出等离子体点火指示。等离子气体的点火设为由管理者指示,但是也可以构成为估计等离子气体的点火时间,由控制装置100自身决定。
在图2中,控制装置100判断系统状态是否等离子体待机状态。是否等离子体待机状态可以通过检测存储在控制装置100的存储器的标志(flag)或各种开关的操作状态进行判断。当不是等离子体待机状态场合(步骤S10的“否”),则从该处理循环复原,结束该处理。若是等离子体待机状态(步骤S10的“是”),则移到步骤S11。在步骤S11中,控制装置100向高频电源装置101发送控制信号SHS,指示供给高频信号HS。与该控制信号SHS对应,高频电源装置101向传输路径输出频率450MHz、输出30W的高频信号HS。若供给高频信号HS,则在负载电极114和接地电极116之间感应高频电磁波。
接着,移到步骤S12,伴随供给高频信号HS,前进波/反射波检测装置102检测前进波振幅值Vf以及从负载电极114反射的反射波振幅值Vr,控制装置100计算VSWR值。负载电极114侧的负载阻抗在发生合适的等离子体的状态下,成为与高频电源装置101的特性阻抗相同值。在等离子体发生前的该阶段,负载电极114侧的负载阻抗与特性阻抗Z0大幅度不同。因此,在前进波/反射波检测装置102检测到的反射波振幅值Vr成为大的值。因此,控制装置100计算的VSWR值也成为相对大的值。
在图3的波形图中,时刻t0～t1与上述步骤S10～S11的过程对应。在时刻t0,控制装置100使得高频信号变化为接通状态,对传输路径施加高频信号HS。高频信号HS成为具有所定振幅的交流信号。初始,负载阻抗与特性阻抗Z0不匹配,因此,VSWR值大大超过阈值Vth。
回到图2,移到步骤S13,控制装置100判断计算得到的VSWR值是否比用于识别等离子体发生的阈值Vth大。判断结果,当判断为VSWR值比阈值Vth大的场合(步骤S13的“是”),则移到步骤S14,控制装置100向高压发生装置103发送控制信号SHV,指示开始发生高压HV。与该控制信号SHV对应,高压发生装置103使得高压HV发生。所发生的高压HV通过叠加线圈104供给到传输路径,与高频信号HS叠加。若高压HV叠加在高频信号HS,则高压HV也施加在负载电极114和接地电极116之间,陶瓷管112内发生放电。若发生放电,则在接地电极116发生的电子成为火种,等离子体发生。若发生等离子体,则因施加到负载电极114的高频信号HS维持等离子体。若稳定地发生等离子体,则从陶瓷管112的前端喷出等离子喷流,能供给必要的半导体电路等的处理。若发生等离子体,则负载电极114侧的负载阻抗向着特性阻抗Z0收敛。
步骤S13的判断结果,当VSWR值成为阈值Vth以下场合(步骤S13的“否”),则移到步骤S15,控制装置100向高压发生装置103发送控制信号SHV,指示停止供给高压HV。与该控制信号SHV对应,高压发生装置103停止供给高压HV。向传输路径仅仅供给高频信号HS。在该阶段中,等离子体稳定发生,因此,即使不叠加高压HV,等离子体也不会灭火。
在图3中,时刻t1～t3与上述步骤S13～S15的过程对应。在时刻t1,控制装置100使得高压HV变化为接通状态,高压HV叠加在高频信号HS上。通过叠加高压HV,高频信号HS成为以高压HV为中心以高频信号HS的振幅增减的交流信号。若施加高压HV,则发生成为火种的等离子体。在时刻t2,发生等离子体。与此伴随,负载电极114侧的负载阻抗急速地向着特性阻抗Z0收敛。伴随负载阻抗的收敛,从负载电极114反射的反射波相对前进波的比率,即VSWR值也变小。在时刻t3,当VSWR值成为阈值Vth以下时,控制装置100使得高压HV变化为断开状态。停止叠加高压HV,高频信号HS成为以0伏为中心振动的交流信号。VSWR值收敛为等离子体稳定时的值Vrmin。
上述处理系成为等离子体待机状态自动对等离子体点火场合的控制,但是,在等离子体处理中途,等离子体灭火场合,对等离子体再点火时也适用。在根据上述图2的流程图的处理中,开始供给高压HV(步骤S14)后,定期反复计算VSWR值(步骤S12)以及判断VSWR值(步骤S13)。该VSWR值计算以及判断可以在等离子体灭火不带来坏影响程度的时间反复,因此,在从步骤S14回到步骤S12的过程中,可以等待一定时间进行处理。该等待时间可以根据等离子体发生装置1的状态适当变更。
例如,在图3的时刻t4,等离子气体供给产生不良状态,等离子体状态成为不稳定,在时刻t5,等离子体灭火。上述图2所示的程序处理不管等离子体状态如何,定期或不定期地实行。因此,在所定时刻,在图3中,在时刻t6,判断VSWR值比阈值Vth大(步骤S13的“是”),高压HV叠加在高频信号HS(步骤S14)。通过叠加高压HV,在时刻t7,发生等离子体火种,发生等离子体。若等离子体发生,反射波减少。接着,在时刻t8,判断VSWR值成为阈值Vth以下(步骤S13的“否”),停止叠加高压HV(步骤S15)。即使等离子体中途灭火,本实施形态的等离子体点火装置也能自动地进行再点火处理。
如上所述,根据本实施形态涉及的等离子体点火装置的处理,根据VSWR值是否比所定的阈值Vth大,判断有无发生等离子体。当该VSWR值比阈值Vth大场合,判断为等离子体点火前状态,或一时点火的等离子体因什么原因灭火的状态,将高压HV叠加在高频信号HS。因此,不需要人监视等离子体点火状态,且能不通过人手工,容易且确实地进行等离子体点火或再点火。
[实施形态2]
本发明的实施形态2涉及上述实施形态1的发展,系关于使得为了等离子体点火开始供给高压场合的阈值(第一阈值)和停止供给高压场合的阈值(第二阈值)不同的实施形态。
本实施形态2涉及的等离子体发生装置1以及等离子体点火装置10的构成与上述实施形态1相同,其说明省略。但是,控制装置100的程序处理在与图4的流程图对应部分与实施形态1不同。
在本实施形态2中,控制装置100实行如下动作:当VSWR值比第一阈值Vth1大场合,将高压HV叠加在高频信号HS上,将高压HV叠加在高频信号HS上后,当VSWR值成为第二阈值Vth2以下场合,停止叠加高压HV。
更具体地说,在上述实施形态1中,在将高压HV施加在高频信号HS场合以及停止施加高压HV场合,用于判断的阈值Vth设为相同值,但在本实施形态2中使其不同。即,在上述实施形态2中,为了判断等离子体是否灭火状态,使用第一阈值Vth1,为了判断是否从等离子体灭火状态变化为点火状态,使用第二阈值Vth2。较好的是,第一阈值Vth1和第二阈值Vth2具有以下那样的关系:
Vth1＞Vth2   (3)
为了从等离子体没有发生状态或灭火状态,对等离子体点火,若将高压HV叠加在高频信号HS,则通过放电对等离子体点火,发生等离子体。在此,等离子体发生初始,有时气体状态等不稳定时,VSWR值不马上降低,能停留在阈值Vth附近。这种场合的等离子体弱,或处于不稳定状态。若对这种状态的等离子体,因偶尔VSWR值超过阈值Vth而施加高压HV,则有时因其冲击,等离子体灭火。若实际上等离子体灭火,VSWR值超过阈值Vth,施加高压HV,因此,也可能陷于因高压HV引起放电和等离子体的灭火反复的、所谓跳动(hunting)状态。
于是,在本实施形态2中,为了判断等离子体是否灭火状态,使用第一阈值Vth1,为了判断是否从等离子体灭火状态变化为点火状态,使用第二阈值Vth2,使得第一阈值Vth1和第二阈值Vth2不同。通过使用不同的阈值进行判断,高压施加处理具有滞后特性(hysteresis),能使得动作稳定地转变。
下面,参照图4的流程图及图5的波形图,说明本实施形态2的等离子体点火方法。图4的流程图是定期或根据需要不定期地反复实行的程序处理。与上述实施形态1相同的处理内容,标以相同的步骤号。
在图4中,等离子体待机状态的判断(S10)、高频信号HS的供给(S11)、计算VSWR值(S12)之前的处理与上述实施形态1相同。
移到步骤S13b,控制装置100判断计算得到的VSWR值是否比用于识别等离子体发生的第一阈值Vth1大。判断结果,当判断为VSWR值比第一阈值Vth1大的场合(步骤S13b的“是”),确认等离子体灭火。于是,移到步骤S14,控制装置100向高压发生装置103发送控制信号SHV,指示开始发生高压HV。通过该处理,因供给到负载电极114和接地电极116之间的高频信号HS,发生等离子体。
步骤S13b的判断结果,当VSWR值成为第一阈值Vth1以下场合(步骤S13b的“否”),控制装置将处理移到步骤S13c,再判断VSWR值是否为第二阈值Vth2以下。其结果,当判断为VSWR值为第二阈值Vth2以下场合(步骤S13c的“是”),能判断为灭火的等离子体稳定地点火。于是,移到步骤S15,控制装置100向高压发生装置103发送控制信号SHV,指示停止供给高压HV。
在步骤S13c中,当VSWR值比第二阈值Vth2大场合(步骤S13c的“否”),不能说等离子体稳定地点火,处于等离子体弱或不稳定状态,因此,控制装置100使得处理回到步骤S12的计算VSWR值,继续叠加高压HV。
在基于上述图4的流程图的处理中,开始叠加高压HV(步骤S14)后,可以等待一定时间进行处理,这一点与上述实施形态1相同。该等待时间也可以根据等离子体发生装置1的状态适当变更。
在图5的波形图中,时刻t0～t2与上述步骤S10～S13b、S13c、S14的过程对应。在时刻t0,控制装置100使得高频信号变化为接通状态,对传输路径施加高频信号HS。在时刻t1,若判断为VSWR值比第一阈值Vth1大,则控制装置100使得高压HV变化为接通状态,高压HV叠加在高频信号HS上。若施加高压HV,则发生成为火种的等离子体。在时刻t2,发生等离子体。与此伴随,负载电极114侧的负载阻抗急速地向着特性阻抗Z0收敛,从负载电极114反射的反射波振幅值Vr及VSWR值也变小。在时刻t3中,当VSWR值成为第二阈值Vth2以下时,控制装置100使得高压HV变化为断开状态。停止叠加高压HV,VSWR值收敛为等离子体稳定时的值Vrmin。
等离子体的再点火也同样程序处理。在图5的时刻t4,等离子气体供给产生不良状态,等离子体状态成为不稳定,在时刻t5,等离子体灭火。该等离子体灭火判断为在时刻t6,因VSWR值比第一阈值Vth1大而引起。
如上所述,根据本实施形态2涉及的等离子体点火装置的处理,具有与上述实施形态1相同的作用效果,此外,当VSWR值比第一阈值Vth1大场合,供给高压HV。又,当VSWR值为比第一阈值Vth1小的第二阈值Vth2以下场合,停止供给高压HV。因此,能确实检测到等离子体灭火状态,以及从等离子体点火状态到灭火状态,能实行稳定的等离子体的点火控制。
[实施形态3]
本发明的实施形态3涉及上述实施形态1的发展,系关于以下实施形态:从高压叠加在高频信号时刻,即使经过第一时间,VSWR值仍比所定阈值Vth大场合,输出所定的警报信号,且停止叠加高压。系等离子体长时间没有点火场合,判断为异常状态的实施形态。
本实施形态3涉及的等离子体发生装置1以及等离子体点火装置10的构成与上述实施形态1相同,其说明省略。但是,控制装置100的程序处理在与图6的流程图对应部分与实施形态1不同。
在本实施形态3中,从高压HV叠加在高频信号HS时刻,即使经过第一时间T1,VSWR值仍然比阈值Vth大场合,控制装置100动作,输出所定的警报信号,停止供给高频信号以及停止供给等离子气体,且停止叠加高压HV。
更具体地说,在上述实施形态1中,当VSWR值比阈值Vth大场合,持续叠加高压HV。但是,有时因高频电源装置101或高压发生装置103的故障,不管经过多少时间,也不发生等离子体。又,因等离子体供给系统产生缺陷,等离子气体的流量或压力产生变化场合,也不产生等离子体。于是,在本实施形态3中,即使经过一定时间也不能检测到等离子体稳定发生场合,判断为处于异常状态。
下面,参照图6的流程图及图7的波形图,说明本实施形态3的等离子体点火方法。图6的流程图是定期或根据需要不定期地反复实行的程序处理。与上述实施形态1相同的处理内容,标以相同的步骤号。
在图6中,等离子体待机状态的判断(S10)、高频信号HS的供给(S11)、计算VSWR值(S12)、VSWR值和阈值Vth的比较(S13)、VSWR值比阈值Vth大场合的高压叠加(S14)、VSWR值为阈值Vth以下场合的停止叠加高压(S15)各处理与上述实施形态1相同。
在步骤S14中,叠加高压后,在本实施形态3中,实行步骤S16。在步骤S16中,控制装置100判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间T是否大于作为用于判断异常的阈值时间的第一时间T1。第一时间T1设定如下:若是正常的等离子气体的供给状态,则叠加高压后,期待确实发生等离子体的时间长度。判断结果,判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间经过第一时间T1场合(步骤S16的“是”),可以判断为异常状态。于是,移到步骤S17,控制装置100实行用于判断异常的处理,例如输出警报信号。接着,移到步骤S18,控制装置100输出高频信号HS,停止供给等离子气体。接着,移到步骤S15,停止叠加高压HV。在此,作为输出警报信号,可以考虑在显示装置显示,警报灯的点灯,警报蜂鸣器发音等。
在步骤S16中,判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间没有经过第一时间T1场合(步骤S16的“否”),判断为通常的等待等离子体点火的时间范围内,回到计算VSWR值(S12)。
在图7的波形图中,时刻t10～t11与上述步骤S10～S13的过程对应。在时刻t10,控制装置100使得高频信号变化为接通状态,对传输路径施加高频信号HS。在时刻t11,若判断为VSWR值比阈值Vth大,则控制装置100使得高压HV变化为接通状态,高压HV叠加在高频信号HS上。
在此,若发生什么异常,则即使施加高压HV也不会发生成为火种的等离子体,或者即使发生成为火种的等离子体,也不会稳定地发生等离子体。在这种状态下,负载阻抗不收敛,VSWR值在超过检测出等离子体稳定发生的阈值Vth的状态下,时间经过。若在该状态下,从施加高压HV的时刻t11成为经过第一时间T1的时刻t12,则控制装置100判断发生异常状态。接着,发出高频信号,将叠加高压设为截止状态,输出警报信号。
如上所述,根据本实施形态3涉及的等离子体点火装置的处理,具有与上述实施形态1相同的作用效果,此外,当叠加高压HV后,经过第一时间T1,VSWR值仍比阈值Vth大场合,判断为异常状态,输出警报信号。因此,能确实检测到等离子体发生装置1发生不良状况,能向管理者报告维修必要性。
[实施形态4]
本发明的实施形态4涉及上述实施形态1的发展,系关于以下实施形态:从高压叠加在高频信号时刻,即使经过第二时间,VSWR值仍比所定阈值Vth大场合,变更高压的电压值。系等离子体一定时间没有点火场合,变更所施加的高压的实施形态。
本实施形态4涉及的等离子体发生装置1以及等离子体点火装置10的构成与上述实施形态1相同,其说明省略。但是,控制装置100的程序处理在与图8的流程图对应部分与实施形态1不同。
在本实施形态4中,从高压HV叠加在高频信号HS时刻,即使经过第二时间T2,VSWR值仍然比阈值Vth大场合,控制装置100动作,变更高压HV的电压值。
更具体地说,在上述实施形态1中,叠加在高频信号HS的高压HV不变更。但是,根据等离子体状态,通过使得施加在高频信号HS的高压HS的电压值不同,有时容易发生放电。于是,在本实施形态4中,即使经过第二时间T2,等离子体不发生场合,控制变更叠加的高压HV的电压值。尤其,在本实施形态中,例示阶段地使得高压HV的电压值上升的处理场合。
下面,参照图8的流程图及图9的波形图,说明本实施形态4的等离子体点火方法。图8的流程图是定期或根据需要不定期地反复实行的程序处理。与上述实施形态1相同的处理内容,标以相同的步骤号。
在图8中,等离子体待机状态的判断(S10)、高频信号HS的供给(S11)、计算VSWR值(S12)、VSWR值和阈值Vth的比较(S13)、VSWR值比阈值Vth大场合的高压叠加(S14)、VSWR值为阈值Vth以下场合的停止叠加高压(S15)各处理与上述实施形态1相同。
在步骤S14中,叠加高压后,在本实施形态4中,实行步骤S19。在步骤S19中,控制装置100判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间T是否大于作为变更电压值的阈值的第二时间T2。第二时间T2设定如下:若是正常的等离子气体的供给状态,则设定为比叠加高压后期待确实发生等离子体的时间长度(实施形态3的第一时间T1)短。又,根据多少阶段变更电压值,进行设定。
判断结果,判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间经过第二时间T2场合(步骤S19的“是”),判断为应变更所叠加的高压HV的电压值。于是,移到步骤S20,控制装置100向高压发生装置103输出控制信号SHV,指示使得叠加的高压HV的电压值上升所定的阶梯(例如ΔV)。接着,移到步骤S14,高压发生装置103以被指示的电压值发生高压HV,叠加在高频信号HS。判断结果,判断从开始叠加高压HV的时刻,经过时间没有经过第二时间T2场合(步骤S19的“否”),回到计算SVWR值(S12)。
在步骤S19中,初次,将从开始叠加高压HV的时刻的经过时间T与第二时间T2进行比较,第二次及以后,将从上次变更高压HV的电压值的时刻的经过时间T与第二时间T2进行比较。即,每当经过第二时间T2,进行经过时间检测的内部时间器被复位。
在图9的波形图中,时刻t20～t21与上述步骤S10～S13的过程对应。在时刻t20,控制装置100使得高频信号变化为接通状态,对传输路径施加高频信号HS。在时刻t21,若判断为VSWR值比阈值Vth大,则控制装置100使得高压HV变化为接通状态,高压HV1(初始值)叠加在高频信号HS上。从图9可知,第一时间T1比第二时间T2长,且与从时刻t21到t24的时间相等。
在此,根据等离子体状态,有时即使施加所定电压值的高压HV,也不会稳定地发生等离子体。在这种状态下,负载阻抗不收敛,VSWR值在超过检测出等离子体稳定发生的阈值Vth的状态下,时间经过。若从上次开始叠加高压HV的时刻t21经过第二时间T2,成为时刻t22,则叠加在高频信号HS的高压HV的电压值变更为高出阶梯ΔV的HV2。即使因变更的高压HV2也不发生等离子体场合,保持VSWR值仍然超过阈值Vth的状态。于是,若从上次变更高压HV的电压值的时刻t22经过第二时间T2,成为时刻t23,则叠加在高频信号HS的高压HV的电压值进一步变更为高出阶梯ΔV的HV3。若通过变更的高压HV3,在时刻t24发生等离子体,则VSWR值收敛,成为阈值Vth以下,结果,停止叠加高压HV。
如上所述,根据本实施形态4涉及的等离子体点火装置的处理,具有与上述实施形态1相同的作用效果,此外,每当经过第二时间T2,变更叠加的高压HV的电压值,因此,即使等离子体状态变化也能确实对等离子体点火。
[其他变形例]
本发明并不局限于上述实施形态,在不脱离本发明宗旨的范围内可以作合适的变更，能适用本发明。
例如,上述实施形态1～4并不是排他的实施形态,可以将多个实施形态任意互相组合适用本发明。图10所示流程图表示反映实施形态1～4综合场合的应用例。根据该应用例,可以提供除了具有实施形态1的作用效果、还分别具有实施形态2～4的特征的作用效果的等离子体点火方法。
又,在上述实施形态1～4中,如图1所示,例示等离子体发生装置1设有一个陶瓷管112的形态,但是,也可以是由多个陶瓷管使得等离子体发生的装置。
在图11中表示设有多个陶瓷管112的等离子体发生装置1b的构成图。与上述实施形态1(图1)相同构成标以相同符号。
本等离子体发生装置1b包括等离子体点火装置10,气体室110b,电抗补正线圈111,陶瓷管112,负载电极114b,屏蔽盖115,接地电极116b,等离子气体供给口118。尤其,在本变形例中,在设有多个陶瓷管112方面具有特征。
气体室110b与实施形态1的气体室110相同,是用于供给等离子气体的气体充填室,在具有设有多个陶瓷管112的构架113方面不同。构架113用导电体构成,成为设有用于贯通保持陶瓷管112的保持孔的板状体。各保持孔形成与陶瓷管外径相同程度,以便能保持陶瓷管112。多个陶瓷管112保持在构架113上,使得各开口与清洗面S对向。负载电极114b由铜等导电体构成,成为设有插入通孔的板状体,将保持在构架113的陶瓷管112插入到该插入通孔通过。各插入通孔形成为比陶瓷管112外径稍稍大。负载电极114b与上述实施形态1相同,通过电抗补正线圈111与同轴电缆106电气连接,供给从等离子体点火装置10及匹配装置105输出的高频信号HS。在气体室110b,设有屏蔽盖115,围住陶瓷管112局部以及负载电极114b。屏蔽盖115由导电体构成,构成为能屏蔽从负载电极114b发生的电磁波。又,接地电极116b沿着各陶瓷管112的轴心设置多个。关于等离子体点火装置10和匹配装置105的构成及动作与上述实施形态1～4相同。
在上述变形例的等离子体发生装置1b中,与上述实施形态1～4相同,向等离子气体供给口118供给等离子气体,若从等离子体点火装置10向负载电极114b供给高压HV,则通过放电,产生等离子体。再从等离子体点火装置10供给高频信号HS,稳定地维持等离子体。尤其,根据上述变形例的等离子体发生装置1b,构成为多个陶瓷管112能向着清洗面S射出等离子体喷流。因此,能在宽广范围由等离子体喷流进行加工(清洗)。并且,即使在这种形态的等离子体发生装置1b也能适用本发明的等离子体点火方法。
下面说明本发明在产业上的可利用性。
本发明的等离子体点火装置10以及等离子体点火方法能适用于希望不通过手工动作、自动地实施密闭空间换气的环境。
本发明能适用根据用途或目的而适当组合的实施例,或加以若干变更或改良的应用例,本发明并不局限于通过上述发明的实施形态说明的实施例或应用例。即使根据用途或目的而适当组合的实施例或应用例,只要在不脱离本发明课题的范围内,都属于本发明的技术范围。

Claims (14)

1.一种等离子体点火装置，供给用于使得等离子体点火的所定高频信号以及高压,上述等离子体点火装置包括:
高频电源装置,生成所定的高频信号；
高压发生装置,发生所定的高压；
叠加线圈,将上述高压叠加在上述高频信号上；
前进波/反射波检测装置,检测上述高频信号的前进波及反射波；
匹配装置,使得上述高频电源装置侧和上述负载电极侧的阻抗匹配；以及
控制装置,当上述反射波相对上述前进波的比率比所定阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述所定阈值以下场合,停止叠加上述高压。
2.如权利要求1所述的等离子体点火装置,其特征在于:
上述所定阈值包含第一阈值以及第二阈值,上述第一阈值比上述第二阈值大,当上述反射波相对上述前进波的比率比上述第一阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述第二阈值以下场合,停止叠加上述高压。
3.一种气体室,从等离子体点火装置供给高频信号以及高压,
上述等离子体点火装置供给用于使得等离子体点火的所定高频信号以及高压,上述等离子体点火装置包括:
高频电源装置,生成所定的高频信号；
高压发生装置,发生所定的高压；
叠加线圈,将上述高压叠加在上述高频信号上；
前进波/反射波检测装置,检测上述高频信号的前进波及反射波；
匹配装置,使得上述高频电源装置侧和上述负载电极侧的阻抗匹配；以及
控制装置,当上述反射波相对上述前进波的比率比所定阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述所定阈值以下场合,停止叠加上述高压；
上述气体室包括:
第一连接器(108),接受上述高频信号以及上述高压；
负载电极,被施加上述高频信号以及上述高压；
接地电极,是上述负载电极的对极,用于使得发生上述等离子体；
电抗补正线圈,设在上述第一连接器(108)和上述负载电极之间；以及
陶瓷管,包括第一端部和第二端部,上述负载电极配置在外部,上述接地电极配置在内部,从上述第一端部导入惰性气体,在内部发生等离子体,将发生的上述等离子体从上述第二端部向清洗对象照射。
4.如权利要求3所述的气体室,其特征在于:
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室接地；
上述负载电极具有截面管形状,从上述陶瓷管的外部围住,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成。
5.如权利要求3所述的气体室,其特征在于:
设有多根上述陶瓷管；
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室在外部接地；
上述负载电极构成为共用的板状体,其设有多个插入通孔,各插入通孔形成为比陶瓷管外径大,用于分别插入上述多根陶瓷管,上述各插入通孔的内壁从外侧围住上述各陶瓷管,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成；
进一步包括导电体,其围住上述多根陶瓷管的局部以及上述负载电极,屏蔽从上述负载电极发生的电磁波。
6.一种半导体电路表面的清洗方法,使用等离子体发生装置照射等离子体,其包括以下工序:
准备气体室的工序,上述气体室包括:
负载电极,被施加高频信号以及高压；
接地电极,是上述负载电极的对极,用于使得发生等离子体；
电抗补正线圈,设在第一连接器(108)和上述负载电极之间；以及
陶瓷管,包括第一端部和第二端部,上述负载电极配置在外部,上述接地电极配置在内部,从上述第一端部导入惰性气体,在内部发生等离子体,将发生的上述等离子体从上述第二端部向清洗对象照射；
准备等离子体点火装置的工序,上述等离子体点火装置包括:
高频电源装置,向上述气体室的上述负载电极供给上述高频信号；
高压发生装置,发生高压；
叠加线圈,将上述高压叠加在上述高频信号上；
前进波/反射波检测装置,检测上述高频信号的前进波及反射波；
匹配装置,使得上述高频电源装置侧和上述负载电极侧的阻抗匹配；以及
控制装置,构成为可进行等离子体的点火/再点火；
以及以下工序:在上述气体室内发生的等离子体的状态,当上述反射波相对上述前进波的比率比所定阈值大场合,通过上述等离子体点火装置的上述控制装置,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述所定阈值以下场合,停止叠加上述高压。
7.如权利要求6所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室接地；
上述负载电极具有截面管形状,从上述陶瓷管的外部围住,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成。
8.如权利要求6所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
设有多根上述陶瓷管；
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室在外部接地；
上述负载电极构成为共用的板状体,其设有多个插入通孔,各插入通孔形成为比陶瓷管外径大,用于分别插入上述多根陶瓷管,上述各插入通孔的内壁从外侧围住上述各陶瓷管,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成；
进一步包括导电体,其围住上述多根陶瓷管的局部以及上述负载电极,屏蔽从上述负载电极发生的电磁波。
9.如权利要求6所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
上述所定阈值包含第一阈值以及第二阈值,上述第一阈值比上述第二阈值大,当上述反射波相对上述前进波的比率比上述第一阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述第二阈值以下场合,停止叠加上述高压。
10.一种半导体电路表面的清洗方法,使用供给用于使得等离子体点火的所定高频信号以及高压的等离子体点火装置照射等离子体,其包括以下工序:
准备等离子体点火装置的工序,上述等离子体点火装置包括:
高频电源装置,生成所定的高频信号；
高压发生装置,发生所定的高压；
叠加线圈,将上述高压叠加在上述高频信号上；
前进波/反射波检测装置,检测上述高频信号的前进波及反射波；
匹配装置,使得上述高频电源装置侧和负载电极侧的阻抗匹配；以及
控制装置,构成为可进行等离子体的点火/再点火；
以及以下工序:当上述反射波相对上述前进波的比率比所定阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为上述所定阈值以下场合,停止叠加上述高压。
11.如权利要求10所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
从等离子体点火装置供给上述高频信号及上述高压的气体室包括:
第一连接器(108),接受上述高频信号以及上述高压；
负载电极,被施加高频信号以及上述高压；
接地电极,是上述负载电极的对极,用于使得发生上述等离子体；
电抗补正线圈,设在上述第一连接器(108)和上述负载电极之间；
充填室,用于充填从气体供给口供给的惰性气体；以及
陶瓷管,包括第一端部和第二端部,上述负载电极配置在外部,上述接地电极配置在内部,从上述第一端部导入惰性气体,在内部发生等离子体,将发生的上述等离子体从上述第二端部向清洗对象照射。
12.如权利要求11所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室接地；
上述负载电极具有截面管形状,从上述陶瓷管的外部围住,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成。
13.如权利要求11所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
设有多根上述陶瓷管；
上述接地电极配设为沿着上述陶瓷管轴心延伸,使得其前端部位于由上述负载电极的覆盖范围延伸到陶瓷管的前端附近,直到上述第二端部之间,由具有能耐其周围发生的等离子体高温那样的高熔点的金属构成,经上述气体室在外部接地；
上述负载电极构成为共用的板状体,其设有多个插入通孔,各插入通孔形成为比陶瓷管外径大,用于分别插入上述多根陶瓷管,上述各插入通孔的内壁从外侧围住上述各陶瓷管,与上述接地电极的一部分对向,由赋与耐氧化性的金属形成；
进一步包括导电体,其围住上述多根陶瓷管的局部以及上述负载电极,屏蔽从上述负载电极发生的电磁波。
14.如权利要求10所述的半导体电路表面的清洗方法,其特征在于:
当上述反射波相对上述前进波的比率比第一阈值大场合,将上述高压叠加在上述高频信号上,将上述高压叠加在上述高频信号后,当上述反射波相对上述前进波的比率为第二阈值以下场合,停止叠加上述高压。
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