JP4682356B2 - マイクロプラズマ反応装置 - Google Patents
マイクロプラズマ反応装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4682356B2 JP4682356B2 JP2004295457A JP2004295457A JP4682356B2 JP 4682356 B2 JP4682356 B2 JP 4682356B2 JP 2004295457 A JP2004295457 A JP 2004295457A JP 2004295457 A JP2004295457 A JP 2004295457A JP 4682356 B2 JP4682356 B2 JP 4682356B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microplasma
- plasma
- gas
- deposition apparatus
- film deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
従って、従来のマイクロプラズマ反応装置に関する発明では、有機化合物や有機金属化合物を原料とした高分子合成に用いることが可能なプラズマガス温度が著しく低温のマイクロプラズマの発生には達成していなかった。さらに、反応容器は通常、固定して設置する形態をとるため、例えば絶縁性を有するプラズマ重合膜を基板上の一部の望んだ場所に、所定の大きさで、かつ所定の厚みで作製するためには、それ以外の部分を予め被覆するマスクやシャッター機構の存在が不可欠であり、大量の他品種・少量部品を、常時、複雑に生産項目を切り替えながら生産する工業材料の製造技術には不適とされていた。本発明は、これを、基板およびプラズマトーチ部の独立制御する三次元駆動機構で可能とした。
すなわち、本発明は、
(1)原料モノマーガス導入管が接続されたプラズマトーチ外管の中にプラズマガス導入管が接続されたプラズマトーチ内管を入れ子にした筒状のプラズマトーチ、前記プラズマトーチ内管の出口部近傍の外周に設けられたプラズマガス励起用高周波コイル、前記高周波コイルに高周波電力を供給する高周波電源、および原料モノマーガス供給手段を備えたことを特徴とするマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(2)前記高周波コイルに環囲されるプラズマトーチ内管内の位置又はその近傍に導線先端部が配設される高融点導線、および該高融点導線に電圧を印加するイグナイターを備えたことを特徴とする(1)項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(3)前記高融点導線が直径0.05〜0.5mmタングステン製の単心線であることを特徴とする(2)項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(5)原料モノマーが、標準状態(1気圧、20℃)で気体状、液体状、または固体状の化合物であって、マイクロプラズマで部分分解することで重合性に変換できる少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
(6)原料モノマーガスが不活性ガス等のキャリアーガスによって希釈されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
(7)放電出力が10〜100Wであり、印可交流電圧が10〜1000Vであり、印可電流が1〜10Aであり、放電周波数が1Hz〜1,000MHzであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
(9)プラズマガス及びキャリアーガスがアルゴン等の不活性ガス(希ガスのヘリウム、クリプトン、キセノン)であることを特徴とする(1)〜(8)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
(10)プラズマガス及びキャリアーガスが、不活性ガス、清浄空気、乾燥空気、酸素、窒素、水素、ハロゲンガス、オゾンガス、クロロフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン、ペルフルオロカーボン、CF4、C2F6、およびSF6からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする(1)〜(9)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(11)マイクロ秒〜ナノ秒単位で磁極を切り替え、ラジカル密度を均一化する機能を備えたことを特徴とする(1)〜(10)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(12)プラズマガス及び原料モノマーガスの流速と流量を制御して、プラズマ発生を安定化する機能を備えたことを特徴とする(1)〜(11)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(13)プラズマトーチを1〜100個備えたことを特徴とする(1)〜(12)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(15)前記アクチュエーター(作動装置)による厳密な位置決めより、複数のプラズマ発生反応トーチまたは、前記基板の位置を三次元的に厳密に機械制御することにより基材上への望みの場所に望みの大きさ、かつ望みの量(膜厚を時間制御可能なため)の薄膜作成を厳密に制御可能であることを特徴とする(1)〜(14)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(16)前記プラズマトーチの出口から0.5〜2mmの位置に、重合物が堆積される基板が配置されることを特徴とする(1)〜(15)のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(17)前記基板の材料が、シリコン、ガラス、金属、または合成高分子であることを特徴とする(16)項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(18)前記基板上に膜厚1Å〜1mmの薄膜が形成されることを特徴とする(16)又は(17)項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(19)前記プラズマトーチが基板に対して90〜30度の範囲内で配置されることを特徴とする(16)〜(18)項のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置、
(20)(1)〜(19)項のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置を用いて、基板上に高分子からなる堆積膜を形成することを特徴とするマイクロプラズマ重合膜形成方法、
(21)堆積膜が形成された基板が、バイオセンサーや化学センサーの情報変換素子である圧電素子、表面プラズモン共鳴素子、電気化学センサー用の電極、DNAチップ、RNAチップ、タンパクチップ、又はELISA基板のいずれかであることを特徴とする(21)項に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法、
(22)前記高分子が、水酸基を有することを特徴とする請求項20又は21に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法、
(23)原料モノマーにプロパギルアルコールを用いることを特徴とする(22)項に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法
を提供するものである。
本発明において、低温マイクロプラズマとは、プラズマガス温度が−273℃〜+300℃であって、発生するプラズマの大きさが直径ミリメートル〜サブマイクロメートル単位のものをいう。
また、本発明のマイクロプラズマ反応装置は、原料モノマーガスをキャリアーガスで希釈することでプラズマ温度を低温に制御することができる。
また、本発明のマイクロプラズマ反応装置は、モノマーを溶解する溶媒、重合開始剤等の通常の高分子合成で必要とされる試薬、開始剤、フラスコやオートクレーブなどの反応容器などが不要であり、しかも真空状態や高圧状態にすることなく、高分子を単離するための洗浄操作やその溶媒も不要であり、かつ環境負荷の小さな常温・常圧下で重合反応を行うことができる。
図2は、単管プラズマトーチを用いた高密度マイクロプラズマ反応装置全体図であり、図5、6は、単管プラズマトーチの形状図である。これらの図に示すような、単一のガラスチューブ内でマイクロプラズマを発生させ、その中で2種類のガスを重合させる方法では、安定なプラズマが発生しにくく、また、単一のガラスチューブ内でマイクロプラズマを発生させ、もう1つの原料モノマーガスを他の装置からマイクロプラズマ反応装置の近くで加える方法では、安定な重合ができないという問題があった。しかし、本実施態様のような二重構造とすることでこのような問題を解消することができる。
プラズマトーチの大きさは特に限定されないが、好ましくは1μm〜1000mmであり、より好ましくは10mm〜100mmであり、最も好ましくは10mm〜70mmである。
また、プラズマトーチの数は、好ましくは1個〜10000個であり、より好ましくは1個〜1000個であり、最も好ましくは1個〜100個であり、これらのプラズマトーチは個別にマイクロプラズマを発生させることが可能であることが好ましい。
プラズマトーチ内管7に巻きつけた高周波コイル8に高周波電源1から高周波を印加することでトーチ内に設置された高融点導線5の先端部が高周波加熱され、この状態において点火装置(イグナイター)4を用いて高融点導線5に高電圧を印加すると高周波コイル8を介して供給された高周波電力による誘導プラズマを安定に発生させる。
高融点導線5の材料としては、好ましくはタングステン、白金、モリブデン、タンタル、導電性セラミックス、ステンレスであり、より好ましくはタングステン、白金、モリブデンであり、最も好ましくはタングステンである。高融点導線5の形状としては、好ましくは単心線、多心線、縒り線であり、より好ましくは単心線、多心線であり、最も好ましくは単心線である。高融点導線5の太さとしては、好ましくは直径が0.01mm〜5mmであり、より好ましくは0.02mm〜2mmであり、最も好ましくは0.05mm〜0.5mmである。
なお、図4に示すように、高融点導線を用いない構成としてもよいが、上記のような高融点導線5を用いる構成の方が好ましい。
分子構造の明確なポリアクリル酸上に固定化した抗体によるセンサー応答の増幅反応
(プラズマ重合膜の被覆)
At−cut 9MHz水晶振動子上にプロパルギルアルコールをモノマーとしてマイクロプラズマ重合プロパルギルアルコール膜(pp−プロパルギルアルコール膜)を重合する。重合前に水晶振動子表面をヘリウムガス中で、放電出力100W、反応圧力100Paの条件で2分間エッチングを行った。プラズマ重合の条件は、水酸基の割合が高くかつ重合膜の溶媒への耐久性が高い条件である、放電出力40W、モノマー圧力100Paを用いた。重合時間は、1分間とした。
重合後にプラズマ重合膜被覆前後の水晶振動子の発振周波数を計測し、水晶振動子電極上の重合膜の量を測定した。
水晶振動子表面の水酸基に臭化2−ブロモイソブチリルを結合し、表面の官能基を水酸基から臭素基に変換する。水晶振動子をジクロロメタンに浸し、等モルのトリチルアミンと臭化2−ブロモイソブチリルを加えて、窒素雰囲下、0℃で1時間反応させた。
スターラーバーを入れたねじ口試験管内を窒素ガスで置換する。触媒となる臭化第一銅の粉末を試験管にいれ、窒素ガスで置換する。以後、試薬を加えるためにふたを開けるたびに窒素ガスで試験管内を充填する。次にモノマーであるアクリル酸t−ブチルを加える。溶媒としてアセトンを加えて、スターラーで攪拌する。触媒の活性化剤として、N,N,N’,N’,N”,−ペンタメチルジエチレントリアミン(PMDETA)を加えて攪拌する。反応開始剤として2−ブロモイソ酪酸エチルを加えてしっかりと栓を締めて、オイルバスで摂氏60度に保った。モノマーのアクリル酸tert−ブチルのモル数を基準とし、このモル数を目的の重合度で割ったモル数をモノマー以外の試薬の必要量とした。ただし、溶媒のアセトンはその比率に関係なく、重合後の溶液の粘度により調整し、モノマー5mLに対してアセトン1mLを加えた。
ジクロロメタンに対し、10%トリフロオロ酢酸を含む溶液に水晶振動子を浸漬し、振盪機で15時間振盪して加水分解した。
(抗体固定化のための官能基の活性化)
1−[3−(ジメチルアミノ)プロピル]−3−エチルカルボジイミド塩酸塩(EDC)、N−ヒドロキシこはく酸イミド(NHS)を10mlの蒸留水が入ったシャーレに混ぜ入れ、その溶液に加水分解した水晶振動子を浸漬し、1時間活性化処理を行った。
1−[3−(ジメチルアミノ)プロピル]−3−エチルカルボジイミド塩酸塩(EDC)、N−ヒドロキシこはく酸イミド(NHS)を10mlの蒸留水が入ったシャーレに混ぜ入れ、その溶液に加水分解した水晶振動子を浸漬し、1時間活性化処理を行った。
はじめに活性基導入後の水晶振動子の発振周波数(F1)を測定した。活性化した水晶振動子電極上に抗CRP抗体を30ml滴下し、25.0±0.1℃の空気恒温槽中で90分間、抗CRP抗体の固定化反応を行った。90分経過後、3ml(1ml×3回)の純水で洗浄し、流速2.5l/minの窒素流通下で90分間乾燥後、残った水晶振動子の発振周波数(F2)を測定した。個々の水晶振動子の発振周波数差を求めてその平均値を算出し、水晶振動子上に固定化した抗体量を得た(DF1=F2−F1)。続いて、未反応のアルデヒド基をブロッキング処理するために水晶振動子上に0.02Mのグリシン溶液を30ml滴下し、25.0±0.1℃の空気恒温槽中で20分間反応させた。3ml(1ml×3回)の純水で洗浄し、流速2.5l/minの窒素流通下で90分の間乾燥後、水晶振動子の発振周波数(F3)を測定した。水晶振動子の発振周波数変化の平均値からCRP抗体固定化及びグリシン処理で水晶振動子電極上に導入した抗体量を算出した(DF2=(F1−F3)−DF1)。抗CRP抗体を固定化した後、グリシンブロッキングした各水晶振動子上にCRPを30ml滴下し、25.0±0.1℃の空気恒温槽中で90分間の抗原抗体反応を行った。その後、3ml(1ml×3回)の純水で洗浄し、流速2.5l/minの窒素流通下で90分間の乾燥後に、各水晶振動子の発振周波数(F4)を測定した。各水晶振動子での発振周波数変化の平均値から各濃度のCRPとの抗原抗体反応量を算出し、その平均値(DF3)を求めた(DF3=(F1−F4)−DF2−DF1)。
本発明の効果(従来の真空での低温プラズマ重合や大気圧プラズマ重合では実現できない、低温マイクロプラズマ重合反応による常温・常圧下での任意の大きさ、時間制御が可能な重合堆積物の合成)を示す具体的な実施例として、図1に示す反応装置を用いて、重合性の官能基を有する常温・常圧下に液体状の有機化合物モノマーを原料として2重管プラズマトーチを用いて、基板10の上に重合堆積物(ポリマー薄膜、粒子、または重合度の低いオリゴマーを含む粘調なオイル状の液体の単体が反応条件により選択的に得られる。あるいは、それらの一つ以上が含まれる混合物もマイクロプラズマ重合の反応条件を選択すれば合成できる)を形成させる重合堆積物合成反応の工程を以下に説明する。液体モノマーを試料溶液タンク19内に5ml入れる。オイルを混合・加熱・冷却して液温を制御したオイルバス16を用いて液体モノマーの温度をおよそ40℃に調節する。プラズマトーチ内部には、ガス導入管12を通してアルゴンガスを供給する。このときガス供給量は100ccmから3000ccmまで変化させることが出来たが、100ccmではプラズマ生成による発熱によりトーチ温度が上がり過ぎてしまう、また3000ccmではアルゴンガス流通での風圧が大きく均一な製膜が難しいことから500ccmを選択した。
スチレンのマイクロプラズマ重合反応の実験条件
前記の図1の装置を使い、モノマー材料にスチレンを用いたマイクロプラズマ重合反応について記載する。プラズマトーチ形状は内径がおよそ1mmの石英ガラス製プラズマトーチ内管と管の先端内径がおよそ3mmパイレックス(登録商標)耐熱硬質ガラス製プラズマトーチ外管であり、反応装置の周囲の圧力は大気圧の760mTorrであり、周囲温度は室温の20℃である。プラズマガスとしてアルゴンガス、重合物を堆積する基板として、(1)錠剤に成形したKBr、(2)シリコン基板(1.0.0面の厚さ1mmの4インチの片面ミラーウェーハを10mm角で切断して使用)、(3)水晶振動子を用いた。基板とプラズマトーチ先端部との距離を5mmと10mm、プラズマガスとキャリアーガスの供給量を共に500ccmの流量の条件下で5分間、10分間、20分間基板上にポリマー薄膜を形成させた。図11にモノマー材料としてスチレンを使用して形成した高分子薄膜の化学構造をFT−IRで測定した。
プロパギルアルコールのマイクロプラズマ重合反応の実験条件
前記の装置を使いモノマーにプロパギルアルコールを用い、プラズマトーチ形状は内径がおよそ1mmの石英ガラス製プラズマトーチ内管と管の先端内径がおよそ3mm耐熱硬質ガラス(パイレックス(登録商標))製プラズマトーチ外管、圧力は空気中760mTorr、プラズマガスとしてアルゴンガス、基板として錠剤KBr、基板とプラズマトーチ先端部との距離を5mmと10mm、プラズマガスとキャリアーガスの供給量を共に500ccmの流量の条件下で5分間、10分間、20分間基板上にポリマー薄膜を形成させた。図12にモノマー材料としてプロパギルアルコールを使用して形成した高分子薄膜の化学構造をFT−IRで測定した。
プラズマ重合膜とマイクロプラズマ重合膜の赤外線吸収スペクトル測定
スチレン及びプロパルギルアルコールは、蒸留等は行わずにそのままモノマーとして用いた。プラズマ重合装置は、サムコインターナショナル製のBP−1 Mark II(商品名)を用いた。プラズマ重合の装置図を図9に示す。FT−IRは、Jasco 610 FT−IR(商品名)を用いた。水晶振動子の発振回路は、研究室で作成したTransistor−Transistor Logic回路を用いた。周波数計は、UNIVERSAL COUNTER SC−7201(岩崎通信社製、商品名)を用い、1秒間に1Hzの分解能で9MHzの水晶振動子の発振周波数を測定し、データはパーソナルコンピューターで記録した。水晶振動子は、AT−cut金電極9MHz水晶振動子(8×8×0.185mm)の日本電波(株)製#4000研磨のものを用いた。
マイクロプラズマ重合スチレン重合膜は、従来技術と同様にプラズマ重合の放電出力が低いほうがモノマーの構造が維持され、重合膜に含まれるフェニル基の割合が多い。
マイクロプラズマプラズマ重合プロパルギルアルコール膜は、従来技術と同様にプラズマ重合の放電出力が低いほうがモノマーの構造が維持され、重合膜に含まれる水酸基の割合が多い。
マイクロプラズマ重合膜に含まれる水酸基の割合は、マイクロプラズマ重合時の諸反応条件で制御することが可能である。
2 高周波マッチングボックス
3 同軸ケーブル
4 イグナイター
5 高融点導線
6 プラズマトーチ外管
7 プラズマトーチ内管
8 高周波コイル
9 プラズマトーチ管の支持具
10 重合堆積物の堆積用基板
11 原料モノマーガスのキャリアーガス(アルゴンガス)の導入管
12 プラズマトーチへのアルゴンガス導入管
13 原料モノマー導入管
14 プラズマトーチへのアルゴンガスの導入バルブ
15 キャリアーガスの導入バルブ
16 オイルバス
17 オイル
18 原料モノマー溶液
19 原料モノマー溶液の貯蔵溜
20 原料モノマー溶液の貯蔵溜栓
21 三次元移動式基板支持台
22 三次元移動式プラズマトーチ支持台
23 ガス混合用導入管支持具
24 混合ガス排出管
25 高周波電源(13.56MHz)
26 上部電極
27 下部電極
28 ボールバルブ
29 圧力計
30 原料モノマー導入管
31 ニードルバルブ
32 原料モノマー容器
33 オイルバス
34 スターラー
35 ベローズバルブ
36 コールドトラップ
37 真空ポンプ
38 重合対象物
Claims (23)
- 原料モノマーガス導入管が接続されたプラズマトーチ外管の中にプラズマガス導入管が接続されたプラズマトーチ内管を入れ子にした筒状のプラズマトーチ、前記プラズマトーチ内管の出口部近傍の外周に設けられたプラズマガス励起用高周波コイル、前記高周波コイルに高周波電力を供給する高周波電源、および原料モノマーガス供給手段を備えたことを特徴とするマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記高周波コイルに環囲されるプラズマトーチ内管内の位置又はその近傍に導線先端部が配設される高融点導線、および該高融点導線に電圧を印加するイグナイターを備えたことを特徴とする請求項1記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記高融点導線が直径0.05〜0.5mmタングステン製の単心線であることを特徴とする請求項2に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 原料モノマーが、標準状態(1気圧、20℃)で気体状、液体状、または固体状の化合物であって、重合性の官能基を有する、有機化合物、有機金属化合物、ケイ素化合物、有機ケイ素化合物および無機化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 原料モノマーが、標準状態(1気圧、20℃)で気体状、液体状、または固体状の化合物であって、マイクロプラズマで部分分解することで重合性に変換できる少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 原料モノマーガスが不活性ガス等のキャリアーガスによって希釈されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 放電出力が10〜100Wであり、印可交流電圧が10〜1000Vであり、印可電流が1〜10Aであり、放電周波数が1Hz〜1,000MHzであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- マイクロプラズマ温度が−5℃〜60℃であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- プラズマガス及びキャリアーガスがアルゴン等の不活性ガス(希ガスのヘリウム、クリプトン、キセノン)であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- プラズマガス及びキャリアーガスが、不活性ガス、清浄空気、乾燥空気、酸素、窒素、水素、ハロゲンガス、オゾンガス、クロロフルオロカーボン、ヒドロフルオロカーボン、ペルフルオロカーボン、CF4、C2F6、およびSF6からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- マイクロ秒〜ナノ秒単位で磁極を切り替え、ラジカル密度を均一化する機能を備えたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- プラズマガス及び原料モノマーガスの流速と流量を制御して、プラズマ発生を安定化する機能を備えたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- プラズマトーチを1〜100個備えたことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- プラズマ発生トーチまたは重合物が堆積される基板のいずれか少なくとも一つまたは両者が、二次元であるXY軸方向もしくは三次元の空間であるXYZ軸方向への数値制御による厳密な位置決めが可能なアクチュエーター(作動装置)に上に搭載したことを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記アクチュエーター(作動装置)による厳密な位置決めより、複数のプラズマ発生反応トーチまたは、前記基板の位置を三次元的に厳密に機械制御することにより基材上への望みの場所に望みの大きさ、かつ望みの量(膜厚を時間制御可能なため)の薄膜作成を厳密に制御可能であることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記プラズマトーチの出口から0.5〜2mmの位置に、重合物が堆積される基板が配置されることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記基板の材料が、シリコン、ガラス、金属、または合成高分子であることを特徴とする請求項16に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記基板上に膜厚1Å〜1mmの薄膜が形成されることを特徴とする請求項16又は17に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 前記プラズマトーチが基板に対して90〜30度の範囲内で配置されることを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置。
- 請求項1〜19のいずれか1項に記載のマイクロプラズマ重合膜堆積装置を用いて、基板上に高分子からなる堆積膜を形成することを特徴とするマイクロプラズマ重合膜形成方法。
- 堆積膜が形成された基板が、バイオセンサーや化学センサーの情報変換素子である圧電素子、表面プラズモン共鳴素子、電気化学センサー用の電極、DNAチップ、RNAチップ、タンパクチップ、又はELISA基板のいずれかであることを特徴とする請求項20に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法。
- 前記高分子が、水酸基を有することを特徴とする請求項20又は21に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法。
- 原料モノマーにプロパギルアルコールを用いることを特徴とする請求項22に記載のマイクロプラズマ重合膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295457A JP4682356B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | マイクロプラズマ反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004295457A JP4682356B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | マイクロプラズマ反応装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006104545A JP2006104545A (ja) | 2006-04-20 |
JP4682356B2 true JP4682356B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=36374617
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004295457A Expired - Fee Related JP4682356B2 (ja) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | マイクロプラズマ反応装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4682356B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008023523A1 (fr) * | 2006-08-22 | 2008-02-28 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Procédé de formation de film mince par traitement par microplasma et appareil associé |
US8512437B2 (en) | 2008-03-04 | 2013-08-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Method of producing inorganic nanoparticles in atmosphere and device therefor |
KR101012345B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2011-02-09 | 포항공과대학교 산학협력단 | 저 전력 휴대용 마이크로파 플라즈마 발생기 |
JP4891384B2 (ja) | 2009-12-10 | 2012-03-07 | 株式会社新川 | プラズマ発生装置 |
JP5613641B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2014-10-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置およびcvd装置 |
KR101930726B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2018-12-19 | 포항공과대학교 산학협력단 | 전력 전달 효율이 향상된 마이크로파 플라즈마 발생기 |
CN111203164B (zh) * | 2020-02-23 | 2024-01-23 | 李容毅 | 一种基于大气压微波等离子体炬的气相反应缓冲室 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003328138A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロプラズマcvd装置 |
-
2004
- 2004-10-07 JP JP2004295457A patent/JP4682356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003328138A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロプラズマcvd装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006104545A (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Eslava et al. | Metal-organic framework ZIF-8 films as low-κ dielectrics in microelectronics | |
US7597869B2 (en) | Method for producing carbon nanotubes | |
TWI262748B (en) | Method of treatment with a microwave plasma | |
WO2009140439A1 (en) | Nanomanufacturing devices and methods | |
JP4682356B2 (ja) | マイクロプラズマ反応装置 | |
Bashir et al. | Plasma polymerization in a microcapillary using an atmospheric pressure dielectric barrier discharge | |
US20210387161A1 (en) | Apparatus and method for producing films of porous coordination polymers by flow of reagents | |
JP2007070669A (ja) | 窒化硼素炭素および窒化硼素の成膜方法並びに前記方法で得られた膜、基板、デバイス | |
Morent et al. | Deposition of polyacrylic acid films by means of an atmospheric pressure dielectric barrier discharge | |
Flaherty et al. | Growth and characterization of high surface area titanium carbide | |
Jung et al. | Surface modification of fine powders by atmospheric pressure plasma in a circulating fluidized bed reactor | |
US8541068B2 (en) | Process for producing an amorphous carbon film | |
KR100770945B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 단백질칩 기판의 제조 방법 및 이로부터제조된 단백질칩 기판 | |
JP2001077038A (ja) | Iii−v族窒化物半導体の成長方法および気相成長装置 | |
Akdoğan et al. | A new method for immunosensor preparation: Atmospheric plasma torch | |
US5002652A (en) | Plasma polymerized polysiloxane membrane | |
Liao et al. | Surface chemistry of aerosolized nanoparticles: thermal oxidation of silicon | |
Arnoult et al. | Localized growth of silicon oxide nanowires by micro‐afterglow oxidation | |
Chifen et al. | Adhesion improvement of plasma‐polymerized maleic anhydride films on gold using HMDSO/O2 adhesion layers | |
Liu et al. | CNTs grown on the surface of various materials by large volume MP-CVD for VME applications | |
Olivares et al. | Direct growth of few-layer graphene on AlN-based resonators for high-sensitivity gravimetric biosensors | |
Terajima et al. | A cold plasma generator and its applications to combinatorial copolymerization of carbon dioxide with organic molecules | |
Cendejas et al. | Synthesis of Ultrafine Aluminum-Rich Corundum Nanocrystals | |
JPH05295544A (ja) | ダイヤモンド膜合成装置 | |
Muguruma et al. | Characterization of nitrogen-rich coating films with atmospheric-pressure plasma generated by re-entrant microwave cavity |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070508 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110119 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |