CN104704320B - 表面特征表征 - Google Patents

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Abstract

本文中所提供的是一种装置，包括：光子检测器阵列，配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子；以及表征装置，用于表征该物品的该表面中的这些特征，其中此表征装置对比了与从该物品的该表面中的这些特征散射的两组光子相对应的来自光子检测器阵列的信号，并且此两组光子分别地源自不同位置处的光子发射器。

Description

表面特征表征
交叉引用
本申请要求2012年8月11日提交的美国临时专利申请No.61/682,200的权益。
背景技术
在生产线上制造的物品可被检查某些特征，包括可能使该物品或包括该物品的系统的性能变差的缺陷。例如，硬盘驱动器的硬盘可在生产线上被制造并且可被检查某些表面特征，包括可能使硬盘或硬盘驱动器的性能变差的表面和次表面缺陷。因此，可操作以检查物品的特征(诸如缺陷)的装置和方法是应得的。
发明内容
本文中所提供的是一种装置，包括：光子检测器阵列，配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子；以及表征装置，用于表征物品的表面中的特征，其中此表征装置对比了与从物品的表面中的特征散射的两组光子相对应的来自光子检测器阵列的信号，并且此两组光子分别地源自不同位置处的光子发射器。
参考以下附图、描述以及所附权利要求书将更佳地理解本发明的这些和其它特征和方面。
附图说明
图1A提供了根据实施例的示出了利用高角度处的光子发射器的物品的表面特征的检测的示意图。
图1B提供了根据实施例的示出了利用低角度处的光子发射器的物品的表面特征的检测的示意图。
图2提供了根据实施例的示出了从物品的表面特征散射的光子的示意图。
图3提供了根据实施例的示出了从物品的表面特征散射的光子通过光学部件并到光子检测器阵列上的示意图。
图4提供了根据实施例的物品的表面特征映射的图像。
图5提供了图4所提供的表面特征映射的特写图像。
图6A(顶部)提供了来自图5所提供的映射的表面特征的特写图像，并且图6A(底部)提供了表面特征的光子散射强度分布。
图6B(顶部)提供了来自图6A的表面特征的像素插值图像，并且图6B(底部)提供了表面特征的像素插值的光子散射强度分布。
图7提供了根据实施例的示出了物品的不同表面特征的示意图。
图8A提供了根据实施例的物品的表面特征映射的特写图像，其中光子发射器相对于物品的表面以相对高的角度进行定位。
图8B提供了根据实施例的物品的表面特征映射的特写图像，其中光子发射器相对于物品的表面以相对低的角度进行定位。
描述
在更详细地描述本发明的实施例之前，由具有本发明所属领域的普通技术的人员应当理解，本发明不限于本文中所描述和/或示出的特定实施例，因为这些实施例中的元素可变化。同样地应当理解，本文中所描述和/或示出的特定实施例具有可容易地与特定实施例分开并可选地与若干其它实施例中的任何一个进行结合或代替本文中所描述的若干其它实施例中的任何一个中的元素的元素。
由具有本发明所属领域的普通技术的人员也应当理解，这里所用的术语是出于描述本发明的特定实施例的目的，并且该术语不旨在是限制性的。除非另外说明，序数(例如，第一、第二、第三等)被用于区分或识别一组元件或步骤中的不同元件或步骤，并且不在所声称的发明的元件或步骤或本发明的特定实施例上提供序列或数值限制。例如“第一”、“第二”和“第三”元件或步骤不需要必须以该顺序出现，并且所声称的发明或本发明的特定实施例不需要必须被限制于三个元件或步骤。还应当理解，除非另外说明，任何标记，诸如“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“正向”、“反向”、“顺时针”、“逆时针”、“上”、“下”或其它类似的术语，诸如“上部”、“下部”、“尾部”、“头部”、“垂直的”、“水平的”、“近端的”、“远端的”等等是为了方便而使用并且不旨在意味着，例如，任何特定的固定位置、取向或方向。相反，这些标记被用于反映，例如，相对位置、取向或方向。还应当理解，“一”、“一种”以及“该”的单数形式包括复数引用，除非上下文明确地指出相反情况。
除非另外定义，否则本文所使用的所有技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员所共知的一样的意思。
在生产线上制造的物品可被检查某些特征，包括可能使该物品或包括该物品的系统的性能变差的缺陷。例如，硬盘驱动器的硬盘可在生产线上被制造并且可被检查某些表面特征，包括可能使硬盘或硬盘驱动器的性能变差的表面和次表面缺陷。本文中所提供的是用于检查物品以检测、映射和/或表征某些表面特征(诸如表面和/或次表面缺陷)的装置和方法。现在将更详细地描述本发明的实施例。
关于可利用本文中的装置和方法进行检查的物品，这些物品包括具有一个或多个光学平滑表面的任何制品或其在制造的任何阶段中的工件，其示例包括但不限于半导体晶片、磁记录介质(例如，硬盘驱动器的硬盘)以及其在制造的任何阶段中的工件。这些物品可被检查某些特征，包括可能使物品的性能变差的表面和/或次表面缺陷，其中表面和/或次表面缺陷包括颗粒和污点污染，以及包括划痕和空隙的缺陷。关于颗粒污染，例如，捕获在硬盘驱动器的中间硬盘(即，工件)的表面上的颗粒可损坏随后溅射的膜。颗粒污染还可污染硬盘驱动器中的硬盘的已完成表面，导致划痕形成和碎片生成。硬盘的已完成表面的颗粒污染还可破坏硬盘和硬盘驱动器的读写头之间的间距，这同样是一个担忧。通过表征这些特征来区分颗粒污染和例如空隙会在维持高的产率的同时最小化了对硬盘和读写头之间的间隙的担忧。如此，利用本文的装置和方法检查物品以纠正导致表面和/或次表面缺陷的制造趋势并且增加产品质量是重要的。
图1A和1B组合地提供了根据实施例的用于检查、映射和/或表征物品的表面特征的示意图，该示意图示出了装置100，该装置100包括一对光子发射器110A和110B、光学设置120、光子检测器阵列130和计算机或等效设备140以及物品150和物品150的表面的一对有差别的表面特征映射160A和160B。在这样的实施例中，光子发射器110A可以相对高的角度进行定位以用于表面特征映射160A并且光子发射器110B可以相对低的角度进行定位以用于表面特征映射160B。有差别的表面特征映射160A和160B或用于产生表面特征映射160A和160B的信息可被用于表征物品的表面特征并且区分这样的表面特征。本发明的物品和装置以及本发明的方法不限于图1A和1B中的实施例，如本发明的附加实施例可通过本文中更详细地描述的特征来实现。
用于检测、映射和/或表征物品的表面特征的装置可包括两个光子发射器(例如，参见图1A和1B的光子发射器110A和110B)或超过两个光子发射器，其可被用于将光子发射到物品的表面(诸如物品的整个表面或物品的表面的某个预定部分(例如，如果需要，用于物品的分级旋转以用于分段检查))上。在某些实施例中，例如，此装置可包括多个光子发射器，诸如至少2、3、4、5、6、7、8、9或10个光子发射器。在某些实施例中，例如，此装置可包括多个光子发射器，诸如不超过10、9、8、7、6、5、4、3或2个光子发射器。前述内容的组合也可被用于描述前述多个光子发射器。在某些实施例中，例如，此多个光子发射器可包括至少2个光子发射器并且不超过10个光子发射器(例如，在2和10个光子发射器之间)，诸如至少2个光子发射器并且不超过6个光子发射器(例如，在2和6个光子发射器之间)，诸如至少2个光子发射器并且不超过4个光子发射器(例如，在2个和4个光子发射器之间)。进一步关于此多个光子发射器，此多个光子发射器中的每一个光子发射器可以是相同的或不同的或它们的某种组合(例如，至少2个相同的光子发射器，而其余的光子发射器是不同的；至少4个相同的光子发射器，而其余的光子发射器是不同的；等)。更进一步关于此多个光子发射器，可以如本文中所描述的一对或多对光子发射器来配置此多个光子发射器。
无论此装置包括两个光子发射器或超过两个光子发射器，每一光子发射器可以针对一种或多种类型的特征进行优化的距离和/或角度将光子发射到物品的表面上，这些类型的特征在本文中更详细地进行描述。可使两个光子发射器配对从而使得每一光子发射器可在不同的时间(例如，顺序地以用于顺序成像)以不同的距离和/或不同的角度将光子发射到物品的表面上以用于一种或多种类型的特征的表征，该表征可通过利用在两个光子发射器和/或用于产生这样的表面特征映射的信息之下所产生的两个不同的表面特征映射来完成。针对一种或多种类型的特征进行优化的角度可等于掠射角，该掠射角是入射角的余角，并且该入射角是包含入射在物品的表面上的发射光子的光线和此光线所入射在的点处的法线(即，垂直于物品的表面的线)之间的角度。此掠射角还可被描述为在包含入射在物品的表面上的发射的光子的光线和此光线入射到的点处的表面之间的角度。
图2提供了包含入射在物品150的表面152上的发射光子的若干光线，该光线与表面152形成掠射角。图2进一步提供了与相对于表面的法线形成反射角的包含反射光子的若干光线，该反射角等于入射角，并且图2还提供了包含来自物品150的表面152上的特征154的散射光子的若干光线，该若干光线包含形成各种散射角的散射光子。光子发射器可以从0°到90°的范围的掠射角发射光子，其中0°的掠射角表示光子发射器从物品的一侧将光子发射到物品的表面上，并且其中90°的掠射角表示光子发射器从物品的正上方将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，例如，光子发射器可将光子发射到物品的表面上从而使得掠射角至少是0°、5°、10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°、85°或90°。在某些实施例中，例如，光子发射器可将光子发射到物品的表面上从而使得掠射角不超过90°、85°、80°、75°、70°、65°、60°、55°、50°、45°、40°、35°、30°、25°、20°、15°、10°或5°。前述内容的组合也可被用于描述光子发射器可将光子发射到物品的表面上的掠射角。在某些实施例中，例如，光子发射器可将光子发射到物品的表面上从而使得掠射角为包括至少45°并且不超过90°(即，在45°和90°之间)的至少0°并且不超过90°(即，在0°和90°之间)，诸如至少0°并且不超过45°(即，在0°和45°之间)。
此装置可包括可选地置于装置的相同侧上的一对光子发射器(例如，参见图1A和1B的光子发射器110A和110B)，其中每一光子发射器可在不同的时间(例如，顺序地以用于顺序成像)以不同的距离和/或不同的角度将光子发射到物品的表面上。可配置这样的装置中的此对光子发射器从而使得第一光子发射器(例如，图1A和1B的光子发射器110A)可相对于物品的表面以相对高的角度进行定位并且第二光子发射器(例如，图1A和1B的光子发射器110B)可相对于物品的表面以相对低的角度进行定位。在某些实施例中，例如，第一光子发射器可以至少30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°或85°的相对高的角度进行定位，其中此角度是掠射角。在某些实施例中，例如，第一光子发射器可以不超过90°、85°、80°、75°、70°、65°、60°、55°、50°、45°、40°或35°的相对高的角度进行定位，其中此角度是掠射角。前述内容的组合也可被用于描述第一光子发射器可相对于物品的表面进行设置的相对高的角度。在某些实施例中，例如，第一光子发射器可以至少30°并且不超过90°(即，在30°和90°之间)(诸如包括至少30°并且不超过50°(即，在30°和50°之间)和至少30°并且不超过40°(即，在30°和40°之间)的至少30°并且不超过60°(即，在30°和60°之间))的相对高的角度进行定位，其中此角度是掠射角。在某些实施例中，例如，第二光子发射器可以至少0°、5°、10°、15°、20°或25°的相对低的角度进行定位，其中此角度是掠射角。在某些实施例中，例如，第二光子发射器可以不超过30°、25°、20°、15°、10°或5°的相对低的角度进行定位，其中此角度是掠射角。前述内容的组合也可被用于描述第二光子发射器可相对于物品的表面进行设置的相对低的角度。在某些实施例中，例如，第二光子发射器可以至少0°并且不超过30°(即，在0°和30°之间)(诸如包括至少0°并且不超过20°(即，在0°和20°之间)、至少0°并且不超过10°(即，在0°和10°之间)和至少3°并且不超过7°(即，在3°和7°之间)的至少0°并且不超过25°(即，在0°和25°之间))的相对低的角度进行定位，其中此角度是掠射角。相对于物品的表面处于相对高的角度的一对光子发射器中的第一光子发射器和相对于物品的表面处于相对低的角度的此对光子发射器中的第二光子发射器的布置允许如本文中所描述的来自物品中的表面特征的光子的有差别的散射，该光子的有差别的散射允许产生本文中所描述的有差别的映射，诸如图1A和1B的有差别的表面特征映射160A和160B。
光子发射器可将光子发射到物品的表面(诸如整个表面或表面的某个预定部分(例如，如果需要，用于物品的分级旋转以用于分段检查))上。光子发射器可进一步将光子发射到物品的整个表面上或该表面的某个预定部分上，从而使得整个表面或该表面的此预定部分被均匀地或同质地照明。均匀地照明物品的整个表面或表面的某个预定部分包括但不限于使物品的整个表面或物品的表面的某个预定部分经受相同或大约相同的每单位时间光子能量(例如，光子功率或光子通量)和/或每单位面积光子功率(例如，光子通量密度)。在辐射术语中，均匀地照明包括但不限于使物品的整个表面或物品的表面的某个预定部分经受相同或大约相同的每单位时间辐射能(例如，辐射功率或辐射通量)和/或每单位面积辐射功率(例如，辐照度或辐射通量密度)。
理解到光子是电磁辐射或光的基本粒子，光子发射器或光源可提供包括相对宽的波长范围(例如，全谱、紫外-可见、可见、红外等)、相对窄的波长范围(例如，紫外的细分诸如UVA、UVB、UVC等；可见的细分诸如红、绿、蓝等；红外的细分诸如近红外、中红外等)或特定的波长(例如，单色)的光；包括相对宽的频率范围(例如，全谱、紫外-可见、可见、红外等)、相对窄的频率范围(例如，紫外的细分诸如UVA、UVB、UVC等；可见的细分诸如红、绿、蓝等；红外的细分诸如近红外、中红外等)或特定的频率(例如，单色)的光；偏振(例如，线性偏振、圆偏振等)光、部分偏振光或非偏振光；和/或从相干光(例如，激光)到非相干光的范围的具有不同程度的时间和/或空间相干性的光。如本文中所讨论的，光子发射器或光源可与光学设置的一个或多个光学部件结合使用以提供具有前述品质中的任何一个的光。
鉴于前述内容，光子发射器或光源可包括被配置成在利用光子检测器阵列检测从物品的表面中的特征散射的光子时最小化振动的灯(诸如包括高速闪光灯的闪光灯)。在某些实施例中，例如，光子发射器或光源可包括高速Xe(氙)闪光灯(诸如500W Xe闪光灯)以在利用光子检测器阵列检测从物品的表面中的特征散射的光子时最小化振动。
同样鉴于前述内容，光子发射器或光源可包括诸如激光器(包含激光器的组合)之类的准直光源，该准直光源被配置成以一个或多个角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，例如，激光器的组合可被提供至激光束整形器从而使得激光器的组合以一个角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，例如，激光器的组合可被提供至激光束整形器从而使得激光器的组合以多个角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，例如，至少2、4、6、8、10、12、14、16、18、20、22、24、26、28或30个激光器或甚至超过30个激光器可被提供至激光束整形器从而使得激光器的组合以一个或多个角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，例如，不超过30、28、26、24、22、20、18、16、14、12、10、8、6、4或2个激光器可被提供至激光束整形器从而使得激光器的组合以一个或多个角度将光子发射到物品的表面上。前述内容的组合也可被用于描述被提供至激光束整形器的激光器的组合。在某些实施例中，例如，至少2个激光器并且不超过30个激光器(例如，在2和30个激光器之间)(诸如包括至少20个激光器并且不超过30个激光器(例如，在20和30个激光器之间)并且进一步包括至少24个激光器并且不超过28个激光器(例如，在24和28个激光器之间)的至少10个激光器并且不超过30个激光器(例如，在10和30个激光器之间))可被提供至激光束整形器从而使得激光器的组合以一个或多个角度将光子发射到物品的表面上。
进一步鉴于前述内容，光子发射器或光源可包括被配置成将光子发射到物品的表面上的二维光源，诸如包括点光源的线性组合、弧形组合等的点光源的组合。在某些实施例中，例如，二维光源可包括至少10、20、40、60、80、100、110、120、140、160、180或200个点光源或甚至超过200个点光源的组合。在某些实施例中，例如，二维光源可包括不超过200、180、160、140、120、100、80、60、40、20或10个点光源的组合。前述内容的组合也可被用于描述包括点光源的组合的二维光源。在某些实施例中，例如，二维光源可包括至少10并且不超过200(例如，在10和200之间)个点光源(诸如包括至少60并且不超过140(例如，在60和140之间)个点光源并且进一步包括至少80并且不超过120(例如，在80和120之间)个点光源的至少40并且不超过160(例如，在40和160之间)个点光源)的组合。这种点光源可被线性地组合以形成诸如条形光之类的二维光源。这种点光源可被弧形地组合以形成诸如环形光之类的二维光源。在某些实施例中，例如，光子发射器或光源可包括包含至少60个点光源的二维光源，诸如包含至少60个点光源的环形光，其中包括包含至少60个发光二极管(“LED”)的环形光，并且进一步包括包含至少100个LED的环形光。包含LED的二维光源可包括白光LED，其中每一LED具有至少10mW的功率。基于LED的环形光可增强特征，诸如物品的表面中的划痕(例如，圆周划痕)和/或空隙，尤其当基于LED的环形光被配置成以较低角度(例如，掠射角等于或小于45°)将光子发射到物品的表面上时。
此装置可进一步包括光学设置(例如，参见图1A和1B的光学设置120)，该光学设置可操纵从一个或多个光子发射器发射的光子和/或从物品的表面特征散射的光子。理解到光子是电磁辐射或光的基本粒子，光学设置可操纵从一个或多个光子发射器发射的光和/或从物品的表面特征散射的光。光学设置可包括置于物品之前的光路中的若干光学部件中的任何一个从而使得光学部件可被用于在均匀地或同质地照明物品的整个表面或物品的表面的预定部分之前，操纵从一个或多个光子发射器发射的光子/光。光学设置可包括置于物品之后的光路中的若干光学部件中的任何一个从而使得光学部件可被用于操纵从物品的表面中的特征散射的光子/光。前述光学部件可包括但不限于诸如透镜、镜子以及滤光片之类的光学部件。关于诸如滤光片之类的光学部件，这样的滤光片可包括，例如，波片滤光片和偏振滤光片。波片滤光片可与本文中所描述的光子发射器结合使用以提供包括相对宽的波长或频率范围、相对窄的波长或频率范围或特定的波长或频率的光。偏振滤光片可与本文中所描述的光子发射器结合使用以提供包括偏振光、部分偏振光或非偏振光的期望的偏振的光。
此光学设置可包括单个透镜或多个透镜，包括但不限于耦合至用于收集并检测从物品的表面中的特征散射的光子的光子检测器阵列(例如，图1A和1B的光子检测器阵列130)的透镜的组合。耦合至光子检测器阵列的透镜可以是物镜，诸如包括物空间远心透镜(即，入射光瞳在无限远处)、像空间远心透镜(即，出射光瞳在无限远处)或双远心透镜(即，两个光瞳均在无限远处)的远心透镜。将远心透镜耦合至光子检测器阵列降低了关于物品的表面特征的位置的误差、降低了物品的表面特征的失真和/或使得从物品的表面特征散射的光子的定量分析成为可能，该定量分析包括对光子散射强度分布进行积分以用于物品的表面特征的尺寸确定。
为检测从物品的表面特征散射的光子，装置可进一步包括包含多个光子检测器的单个光子检测器阵列(例如，参见图1A和1B的光子检测器阵列130)或每一个包含多个光子检测器的多个光子检测器阵列。在某些实施例中，例如，此多个光子检测器阵列可包括至少2、3、4、5、6、7、8、9或10个光子检测器阵列。在某些实施例中，例如，此多个光子检测器阵列可包括不超过10、9、8、7、6、5、4、3或2个光子检测器阵列。前述内容的组合也可被用于描述此多个光子检测器阵列。在某些实施例中，例如，此多个光子检测器阵列可包括至少2个光子检测器阵列并且不超过10个光子检测器阵列(例如，在2和10个光子检测器阵列之间)，诸如至少2个光子检测器阵列并且不超过5个光子检测器阵列(例如，在2和5个光子检测器阵列之间)。进一步关于此多个光子检测器阵列，此多个光子检测器阵列中的每一个光子检测器阵列可以是相同的或不同的或它们的某种组合(例如，至少2个相同的光子检测器阵列，而其余的光子检测器阵列是不同的；至少3个相同的光子检测器阵列，而其余的光子检测器阵列是不同的；等等)。
无论此装置包括单个光子检测器阵列或多个光子检测器阵列，每一光子检测器阵列可被定向成针对从一种或多种类型的特征散射的光子的最佳接受度(例如，具有最小背景噪声的光子的最大接受度)以一距离和/或一角度检测从物品的表面特征散射的光子，这些类型的特征在本文中更详细地进行描述。类似地，光子检测器阵列和透镜(例如，远心透镜)组合可被定向成针对从一种或多种类型的特征散射的光子的最佳接受度以一距离和/或一角度收集并检测从物品的表面特征散射的光子。这样的角度可以是包括延伸至物品的表面的光子检测器阵列和/或透镜的中心线轴的光线和此光线延伸在的点处的法线(即，垂直于物品的表面的线)之间的角度。可选地与可针对具有最小背景噪声的光子的最大接受度而最佳地设计尺寸的孔结合的此角度，可允许具有多个散射角的散射光子的接受，该散射光子可从一种或多种类型的特征散射。散射角可不同于反射角，该反射角等于如本文中所描述的入射角。图2提供了包括从物品150的表面152上的特征154散射的光子的若干光线，该光线表示各种散射角。
鉴于前述内容，可以从0°到90°(包含首尾)的范围的角度定向光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合，其中0°的角度表示光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合的取向在物品的侧边处，并且其中90°的角度表示光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合的取向在物品的正上方。在某些实施例中，例如，可以至少0°、5°、10°、15°、20°、25°、30°、35°、40°、45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°、85°或90°的角度定向光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合。在某些实施例中，例如，可以不超过90°、85°、80°、75°、70°、65°、60°、55°、50°、45°、40°、35°、30°、25°、20°、15°、10°或5°或0°的角度定向光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合。前述内容的组合也可被用于描述光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合可被定向的角度。在某些实施例中，例如，可以至少0°并且不超过90°(即，在0°和90°之间)(诸如至少0°并且不超过45°(即，在0°和45°之间)或至少45°并且不超过90°(即，在45°和90°之间))的角度定向光子检测器阵列或光子检测器阵列和透镜组合。
可选地与透镜(例如，远心透镜)结合的光子检测器阵列可检测从物品的表面(诸如物品的整个表面或物品的表面的某个预定部分)中的特征散射的光子。可选地与透镜(例如，远心透镜)结合的光子检测器阵列可在针对从一种或多种类型的特征散射的光子的最佳接受度以一距离和/或一角度进行定向时，检测从物品的表面(诸如物品的整个表面或物品的表面的某个预定部分)中的特征散射的光子。如本文中所提供的，用于从一种或多种类型的特征散射的光子的最佳接受度的角度可允许具有多个散射角的散射光子的接受，该散射光子可从一种或多种类型的特征散射。
理解到光子是电磁辐射或光的基本粒子，光子检测器阵列或光检测器阵列可检测包括相对宽的波长范围(例如，紫外-可见、可见、红外等)、相对窄的波长范围(例如，紫外的细分诸如UVA、UVB、UVC等；可见的细分诸如红、绿、蓝等；红外的细分诸如近红外、中红外等)或特定的波长(例如，单色)的光；包括相对宽的频率范围(例如，紫外-可见、可见、红外等)、相对窄的频率范围(例如，紫外的细分诸如UVA、UVB、UVC等；可见的细分诸如红、绿、蓝等；红外的细分诸如近红外、中红外等)或特定的频率(例如，单色)的光；偏振(例如，线性偏振、圆偏振等)光、部分偏振光或非偏振光；和/或从相干光(例如，激光)到非相干光的范围的具有不同程度的时间和/或空间相干性的光。如本文中所讨论的，光子检测器阵列或光检测器阵列可与光学设置的一个或多个光学部件结合使用以检测具有前述品质中的任何一个的光。
光子检测器阵列可包括多个像素传感器，该多个像素传感器又可各自包括耦合至包括被配置用于放大的晶体管的电路的光子检测器(例如，光电二极管)。包括这种像素传感器的光子检测器阵列的特征包括但不限于：低温操作(例如，低至-40℃)、低电子噪声(例如：2-10e-RMS、1e-RMS、<1e-RMS等)、宽动态范围(例如：30,000:1、8,500:1、3,000:1等)和/或减少的光子/光收集时间。光子检测器阵列可包括按二维阵列的行和列布置的大量的像素传感器(例如，≥1,000,000或≥1M像素传感器)，其中每一像素传感器包括被耦合至放大器的光子检测器。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括至少1M、2M、3M、4M、5M、6M、7M、8M、9M、10M或更多的按二维阵列的行和列布置的像素传感器。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括不超过10M、9M、8M、7M、6M、5M、4M、3M、2M或1M的按二维阵列的行和列布置的像素传感器。前述内容的组合也可被用于描述光子检测器阵列中的多个像素传感器。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括至少1M并且不超过10M(例如，在1M和10M之间)的按二维阵列的行和列布置的像素传感器，诸如至少1M并且不超过8M(例如，在1M和8M之间)的像素传感器，其中包括至少1M并且不超过6M(例如，在1M和8M之间)的像素传感器，进一步包括至少2M并且不超过6M(例如，在1M和8M之间)的像素传感器，并且更进一步包括至少2M并且不超过5M(例如，在2M和5M之间)的像素传感器。
归因于物品中表面特征的表面反射和/或小角度散射(例如，4π散射)，表面特征在尺寸上可显得大得多，使得像素传感器能够大于要使用的表面特征。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括其最小尺寸至少1μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm的微米尺寸的(即，如测得的容许μm单位)像素传感器。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括其最小尺寸不超过10μm、9μm、8μm、7μm、6μm、5μm、4μm、3μm、2μm或1μm的微米尺寸的像素传感器。前述内容的组合也可被用于描述光子检测器阵列中的微米尺寸的像素传感器的尺寸。在某些实施例中，例如，光子检测器阵列可包括其最小尺寸包括至少4μm并且不超过10μm(例如，在4μm和10μm之间)并且进一步包括至少4μm并且不超过7μm(例如，在4μm和7μm之间)的至少1μm并且不超过10μm(例如，在1μm和10μm之间)(诸如至少1μm并且不超过7μm(例如，在1μm和7μm之间))的微米尺寸的像素传感器。这种微米尺寸的像素传感器可被用在装置中以检测、映射和/或表征比微米尺寸的像素传感器小超过100倍的物品的表面特征。
鉴于前述内容，单个光子检测器阵列或多个光子检测器阵列可各自包括互补金属氧化物半导体(“CMOS”)或科学互补金属氧化物半导体(“sCMOS”)，这两者中的每一个可分别可选地为CMOS相机或sCMOS相机的一部分。
图3提供了物品中的表面特征的检测的示意图，该示意图示出了包括光学设置和光子检测器阵列的装置的特写、截面图。如所示，物品150包括表面152和至少表面特征154。从单个光子发射器或多个光子发射器发射的光子可被表面特征154散射并且可被包括被耦合至光子检测器阵列130的光学设置120的组合收集并检测，该组合可针对从一种或多种类型的特征散射的光子的最佳接受度(例如，具有最小背景噪声的光子的最大接受度)被置于一距离和/或一角度处。可包括远心透镜的光学设置120可将从表面特征154散射的光子收集并聚焦到光子检测器阵列130的一个或多个像素传感器132上，该一个或多个像素传感器各自包括耦合至放大器的光子检测器。其中每一个对应于物品的表面上的特定、固定区域和物品的表面特征的映射中的像素的此一个或多个像素传感器132可将一个或多个信号提供至计算机或等效设备以用于映射或确定如例如在图6A中所示的表面特征154，该图6A是图5中所提供的表面特征的映射的特写图像，该图5又是图4中所提供的表面特征的映射的特写图像。计算机或等效设备可随后使用像素插值以用于进一步映射如图6B所示的表面特征154。
此装置可进一步包括一个或多个计算机或等效设备(例如，包括主和/或辅助存储器以及可操作以执行算术和逻辑运算的一个或多个处理元件的设备)，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令使得此装置可操作但不限于将每一物品传送至用于检查的装置；定位每一物品以用于检查，可选地包括物品的分级旋转以用于分段检查；保持或维持每一物品的位置以用于检查；将光学部件插入光学设置中；将光学部件从光学设置中移除；定位和/或调节光学部件以用于检查；将每一光子发射器移动至用于检查的位置中，其中用于检查的位置可包括针对一种或多种类型的特征进行优化的光子发射器-物品距离和/或角度(例如，掠射角)。在开启和关闭或在发射光子和不发射光子的模式之间切换每一光子发射器；将每一光子检测器阵列移动到用于检查的位置中，其中用于检查的位置可包括针对一种或多种类型的特征进行优化的光子检测器阵列-物品距离和/或角度(例如，散射角)；在开启和关闭或在检测光子和不检测光子的模式之间切换每一光子检测器阵列；处理光子检测器阵列信号，可选地包括像素插值以用于关于表面特征的位置的更佳准确度(例如，比像素尺寸好10倍)；从光子检测器阵列信号或经处理的光子检测器阵列信号(例如，光子散射强度分布)映射或确定物品的表面特征的位置；相对于类型(例如，颗粒、污点、划痕、空隙等)和/或尺寸(例如，来自光子散射强度分布的积分的体积)表征物品的表面特征；分类物品的表面特征；以及确定关于物品的表面特征的趋势。
此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征其最小尺寸(例如，长度、宽度、高度或深度，取决于表面特征)为纳米尺寸的(即，如测得的容许nm单位)或更小的物品的表面特征，该特征可小于从此装置的光子发射器所发射的光子/光的波长。然而，此装置不限制于检测、映射和/或表征为纳米尺寸的或更小的物品的表面特征，因为此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征为微米尺寸的(即，如测得的容许μm单位)或更大的物品的表面特征。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征其最小尺寸小于500nm、250nm、200nm、150nm、125nm、110nm、100nm、90nm、80nm、70nm、60nm、50nm、40nm、30nm、20nm、10nm或1nm或甚至更小的物品的表面特征，诸如其最小尺寸小于 或的物品的表面特征。鉴于前述内容，在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征在0.1nm和1000nm之间(诸如在0.1nm和500nm之间，其中包括在0.1nm和250nm之间，并且进一步包括在0.1nm和100nm之间，并且更进一步包括在0.1nm和80nm之间)的物品的表面特征。
此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征包括表面和/或次表面缺陷的某些特征，该表面和/或次表面缺陷包括其中颗粒其最小尺寸(例如，长度、宽度或高度)为纳米尺寸的(即，如测得的容许nm单位)或更小的颗粒污染。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征其最小尺寸小于125nm(诸如小于100nm，包括小于80nm，并且进一步包括小于10nm)的表面和/或次表面颗粒。检测、映射和/或表征高度直至10nm级别的表面和/或次表面颗粒对于硬盘驱动器的硬盘是重要的，因为高度大于10nm的颗粒(例如，来自表面)可破坏硬盘和硬盘驱动器的读写头之间的间距。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征高度小至或小于4nm的表面和/或次表面颗粒。
此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征某些特征，包括表面和/或次表面缺陷，该表面和/或次表面缺陷包括其最小尺寸(例如，长度、宽度或深度)为微米尺寸的(即，如测得的容许μm单位)或更小的(诸如纳米尺寸的(即，如测得的容许nm单位)或更小的、诸如埃尺寸的(即，如测得的容许单位)或更小的)划痕(例如，圆周划痕)。关于微米尺寸的划痕，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征长度从例如1μm到1000μm的划痕，该划痕可显著长于从此装置的光子发射器发射的光子/光的波长。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征表面特征，诸如包括划痕长度小于1000μm(诸如小于500μm，包含小于250μm，进一步包含小于100μm，并且更进一步包含小于50μm)的划痕的缺陷。关于纳米尺寸的划痕，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征划痕宽度从例如1nm到500nm的划痕。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征表面特征，诸如包括划痕宽度小于500nm(诸如小于250nm，包含小于100nm，进一步包含小于50nm，并且更进一步包含小于15nm)的划痕的缺陷。令人惊讶地，归因于高级别的空间相干性，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征关于划痕深度为埃尺寸的划痕。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征表面特征，诸如包括划痕深度小于(诸如小于包含小于进一步包含小于并且更进一步包含小于(例如，))的划痕的缺陷。例如，此装置可以是可操作的以检测、映射和/或表征表面特征，诸如包括长度小于500μm、宽度小于100nm并且深度小于的划痕的缺陷。
此装置可以是可操作的以准确地和/或精确地映射或确定物品的表面上的特征的位置(例如，图6A(顶部)和6B(顶部))。关于准确度，此装置可以是可操作的以将物品的表面上的特征的位置映射或确定在微米尺寸的(即，如测得的容许μm单位)半径或更好的半径内。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以将物品的表面上的特征的位置准确地映射或确定在100μm、90μm、80μm、70μm、60μm、50μm、40μm、30μm、20μm、10μm、9μm、8μm、7μm、6μm、5μm、4μm、3μm、2μm或1μm的半径或更好的半径内。前述内容的组合也可被用于描述此装置可映射或确定物品的表面上的特征的位置的准确度。在某些实施例中，例如，此装置可以是可操作的以将物品的表面上的特征的位置准确地映射或确定在从1μm到100μm的范围(诸如从1μm到50μm的范围，包括从1μm到30μm的范围，并且进一步包括从5μm到10μm的范围)的半径内。
除了准确地和/或精确地映射或确定物品的表面上的特征的位置之外，此装置可以是可操作的以准确地和/或精确地确定物品的表面上的特征的光子散射强度分布(例如，图6A(底部)和6B(底部))。这样的光子散射强度分布可被用于定量地和定性地表征物品的表面特征。关于物品的表面特征的定量表征，光子散射强度分布的数学积分提供了物品的表面特征的尺寸(例如，体积)。物品的表面特征的定量表征可进一步包括如本文中所描述的物品上的表面特征位置的确定。定量表征可更进一步包括每一物品的表面特征的总数量以及物品上的每种类型的表面特征的数量。如果这些特征包括可能使物品的性能变差的表面和/或次表面缺陷，则这种表征信息可跨多个物品进行分类并且被用于纠正制造趋势。
关于物品的表面特征的定性表征，定性表征包括物品上的表面特征的类型(例如，颗粒、污点、划痕、空隙等)的确定，该确定可受到但不限于对光子散射强度分布的分析的影响。如本文中所描述的，此装置可包括一对光子发射器(例如，配置成发射广谱、非偏振光；偏振、单色光等的一对光子发射器)，其中第一光子发射器可相对于物品的表面以相对高的角度进行定位，并且其中第二光子发射器可相对于物品的表面以相对低的角度进行定位。取决于表面特征的类型，在第一光子发射器下产生的表面特征的光子散射强度分布和在第二光子发射器下产生的表面特征的光子散射强度分布可以是大约相同的或不同的。关于图7的物品150的表面152上的颗粒类型特征154A，例如，在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的颗粒的光子散射强度分布和在第二光子发射器(相对低的角度)下产生的颗粒的光子散射强度分布可以是大约相同的或对于在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的颗粒的光子散射强度分布和在第二光子发射器(相对低的角度)下产生的颗粒的光子散射强度分布的比率可以是大约单位1(unity)。关于图7的空隙类型特征154B，例如，在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的空隙的光子散射强度分布和在第二光子发射器(相对低的角度)下产生的空隙的光子散射强度分布可以不同到与在第一光子发射器下产生的空隙的光子散射强度分布(例如，参见图8A中的相同空隙类型特征154B的相应的特写图像)相比，在第二光子发射器下产生的空隙的光子散射强度分布可以是非常小的或可以忽略的(例如，参见图8B中的空隙类型特征154B的相应的特写图像)的程度。如此，在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的空隙的光子散射强度分布和在第二光子发射器下产生的空隙的光子散射强度分布的比率可以是相当大的或数学上未定义的。在另一示例中，图7的特征154C，该特征154C可被视为具有边缘的空隙或紧邻于颗粒的空隙，在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的特征154C的光子散射强度分布和在第二光子发射器(相对低的角度)下产生的特征154C的光子散射强度分布可以是某种程度上不同的，因为在第一光子发射器下针对特征154C所产生的光子散射强度分布可类似于针对颗粒所产生的光子散射强度分布并且在第二光子发射器下针对特征154C所产生的光子散射强度分布可大于空隙的光子散射强度分布而小于颗粒的光子散射强度分布。如此，在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的特征154C的光子散射强度分布和在第二光子发射器下产生的特征154C的光子散射强度分布的比率可大于单位1或在前述颗粒和空隙的比率之间。在相对成高角度的和相对成低角度的光子发射器下产生的前述光子散射强度分布可提供信息、信息的一部分或被并入以用于产生本文中所描述的有差别的映射，诸如图1A和1B的有差别的表面特征映射160A和160B。如此，在某些实施例中，物品的一个或多个表面特征的定性表征可包括：将用于产生在第一光子发射器(相对高的角度)下产生的第一映射的信息与用于产生在第二光子发射器(相对低的角度)下产生的第二映射的信息进行对比，或将在第一光子发射器下产生的第一映射与在第二光子发射器下产生的第二映射进行对比，或者对比。如果这些特征包括可能使物品的性能变差的表面和/或次表面缺陷，则连同定量表征信息，这种定性表征信息可跨多个物品进行分类并且被用于纠正制造趋势。
取决于可包括物品的类型、表面特征的类型等的多种因素，有时可能期望增加从单个光子发射器或多个光子发射器发射的光子数(例如，光子能量)以提供增强的散射信号以用于物品的表面特征的表征(例如，定性的和/或定量的)。这种光子能量的增加可相对于单位时间以用于增加的光子功率或光子通量，或相对于单位面积以用于增加的光子通量密度。替换地或另外地，可能期望增加单个光子检测器阵列或多个光子检测器阵列的检测时间以检测更多的光子以用于准确地和/或精确地映射或确定表面特征的位置。替换增加光子能量或检测时间中的一者或两者，或除了增加光子能量和检测时间之外，有时可能期望最小化包括来自一个或多个光子发射器的杂散光、背景光和/或背景荧光辐射的背景噪声。
本文中所描述的装置可被配置成以大于制造物品或其中的工件的速率的速率或与制造物品或其中的工件的速率相称的速率处理或检查物品。在某些实施例中，例如，此装置可被配置成以每秒至少1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、14、16、18或20个物品的速率处理或检查物品，该速率可与制造物品或其中的工件的速率相称。在某些实施例中，例如，此装置可被配置成以每秒不超过20、18、16、14、12、10、9、8、7、6、5、4、3、2或1个物品的速率处理或检查物品，该速率可与制造物品或其中的工件的速率相称。前述内容的组合也可被用于描述物品或其中的工件被装置处理或检查的速率。在某些实施例中，例如，此装置可被配置成每秒处理或检查至少1个并且不超过20个物品(例如，在每秒1和20个物品之间)，诸如每秒至少1个并且不超过10个物品(例如，在每秒1和10个物品之间)，包括每秒至少1个并且不超过5个物品(例如，在每秒1和5个物品之间)。以大于制造物品或其中的工件的速率的速率或与制造物品或其中的工件的速率相称的速率处理或检查物品与本文中所描述的装置的多个特征有关，包括但不限于光子发射器和/或在处理或检查期间不需要被移动(例如，以用于扫描)的物品。例如，诸如硬盘驱动器的硬盘之类的物品在处理或检查期间不需要被旋转。如此，此装置可被配置成在将光子发射到物品的表面上时保持物品固定。
尽管此装置可被配置成以大于制造物品或其中的工件的速率的速率或与制造物品或其中的工件的速率相称的速率处理或检查物品，但如果需要的话，此装置可以较慢的速率操作。在某些实施例中，例如，此装置可被配置成以小于每秒一个物品的速率处理或检查物品。在这样的实施例中，例如，此装置可被配置成以小于每5、10、25、50、75或100或更多秒一个物品的速率处理或检查物品。
包括一对光子发射器、光学设置、光子检测器阵列以及计算机或等效设备的本文中所描述的此装置可以是完全自动化的并且可运行在不同的模式，包括但不限于超速模式、超灵敏模式和超灵敏+模式中。关于超速模式，此装置可比其它光学表面分析器(例如，KLA-Tencor Candela CS10或CS20)操作快至少200倍、检测诸如包括小至至少100nm的嵌入颗粒的缺陷之类的表面特征、部分地检测诸如包括划痕(例如，纳米尺寸的划痕)的缺陷之类的表面特征以及提供粗糙度的测量值。关于超灵敏模式，此装置可比其它光学表面分析器操作快至少50倍、检测诸如包括小至至少30nm的嵌入颗粒的缺陷之类的表面特征以及提供粗糙度的测量值。关于超灵敏+模式，此装置可比其它光学表面分析器操作快至少20倍、检测诸如包括小至至少30nm的嵌入颗粒的缺陷之类的表面特征、充分地检测诸如包括划痕(例如，纳米划痕)的缺陷之类的表面特征以及提供粗糙度的测量值。
如此，本文中所提供的是一种装置，包括：两个光子发射器，配置成将光子发射到物品的表面上；光子检测器阵列，包括配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；以及映射装置，用于映射物品的表面中的特征，其中此映射装置提供分别地对应于两个光子发射器的物品的表面中的特征的两个映射。在某些实施例中，此两个光子发射器被定位在此装置的相同侧上。在某些实施例中，此两个光子发射器被定位成以不同的角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，两个光子发射器中的第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上，并且两个光子发射器中的第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以从接收自光子检测器阵列的信号映射物品的表面中的特征。在某些实施例中，此装置被配置成通过将两个映射中的第一映射与两个映射中的第二映射进行对比来表征物品的表面中的特征。在某些实施例中，两个光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射第一组光子，两个光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射第二组光子，并且此装置被配置成通过将对应于从物品的表面中的特征散射的第一组光子的来自光子检测器阵列的信号与对应于从物品的表面中的特征散射的第二组光子的来自光子检测器阵列的信号进行对比来表征物品的表面中的特征。在某些实施例中，此装置进一步包括耦合至光子检测器阵列的远心透镜和一个或多个附加光子发射器，其中映射装置提供分别地对应于一个或多个附加光子发射器的物品的表面中的特征的一个或多个附加映射。
本文中同样提供的是一种装置，包括：多个光子发射器，配置成以不同的角度将光子发射到物品的表面上；物镜；耦合至所述物镜的光子检测器阵列，包括配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；以及映射装置，用于映射物品的表面中的特征，其中此映射装置提供分别地对应于此多个光子发射器的物品的表面中的特征的多个映射。在某些实施例中，此多个光子发射器被定位在此装置的相同侧上。在某些实施例中，此多个光子发射器中的第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上，并且此多个光子发射器中的第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以从接收自光子检测器阵列的信号映射物品的表面中的特征。在某些实施例中，此装置被配置成通过将此多个映射中的第一映射与此多个映射中的第二映射进行对比来表征物品的表面中的特征。
本文中同样提供的是一种装置，包括：光子检测器阵列，配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子；以及表征装置，用于表征物品的表面中的特征，其中此表征装置对比了与从物品的表面中的特征散射的两组光子相对应的来自光子检测器阵列的信号，并且此两组光子分别地源自不同位置处的光子发射器。在某些实施例中，此装置进一步包括远心透镜，其中远心透镜被耦合至光子检测器阵列。在某些实施例中，光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射此两组光子中的第一组光子，并且光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射此两组光子中的第二组光子。在某些实施例中，第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此表征装置包括一个或多个计算机或等效设备，此一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以相对于类型和/或尺寸表征物品的表面特征。在某些实施例中，此装置进一步包括用于映射物品的表面中的特征的映射装置，并且此映射装置提供分别地对应于光子发射器的物品的表面中的特征的映射。
本文中同样提供的是一种装置，包括：至少两个光子发射器，配置成将光子发射到物品的表面上；光子检测器阵列，包括配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；以及映射装置，用于映射物品的表面中的特征，其中此映射装置提供分别地对应于此至少两个光子发射器的物品的表面中的特征的至少两个映射。在某些实施例中，此装置进一步包括远心透镜，其中远心透镜被耦合至光子检测器阵列。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的每一个被定位成以不同的角度将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此至少两个光子发射器被定位在此装置的相同侧上。在某些实施例中，此映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以从接收自光子检测器阵列的信号映射物品的表面中的特征。在某些实施例中，此装置被配置成通过将此至少两个映射中的第一映射与此至少两个映射中的第二映射进行对比来表征物品的表面中的特征。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射第一组光子，此至少两个光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射第二组光子，并且此装置被配置成通过将对应于从物品的表面中的特征散射的第一组光子的来自光子检测器阵列的信号与对应于从物品的表面中的特征散射的第二组光子的来自光子检测器阵列的信号进行对比来表征物品的表面中的特征。
本文中同样提供的是一种装置，包括：至少两个光子发射器，配置成以不同的角度将光子发射到物品的表面上；物镜；耦合至所述物镜的光子检测器阵列，包括配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；以及映射装置，用于映射物品的表面中的特征，其中此映射装置提供分别地对应于此至少两个光子发射器的物品的表面中的特征的至少两个映射。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此至少两个光子发射器被定位在此装置的相同侧上。在某些实施例中，此映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以从接收自光子检测器阵列的信号映射物品的表面中的特征。在某些实施例中，此装置被配置成通过将此至少两个映射中的第一映射与此至少两个映射中的第二映射进行对比来表征物品的表面中的特征。
本文中同样提供的是一种装置，包括：至少两个光子发射器，配置成将光子发射到物品的表面上；光子检测器阵列，包括配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；以及表征装置，用于表征物品的表面中的特征，其中此表征装置对比了与从物品的表面中的特征散射的至少两组光子相对应的来自光子检测器阵列的信号。在某些实施例中，此装置进一步包括远心透镜，其中远心透镜被耦合至光子检测器阵列。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射此至少两组光子中的第一组光子。在某些实施例中，此至少两个光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射此至少两组光子中的第二组光子。在某些实施例中，第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到物品的表面上。在某些实施例中，此表征装置包括一个或多个计算机或等效设备，此一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以相对于类型和/或尺寸表征物品的表面特征。在某些实施例中，此装置进一步包括用于映射物品的表面中的特征的映射装置，其中此映射装置提供分别地对应于此至少两个光子发射器的物品的表面中的特征的至少两个映射。在某些实施例中，此映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，该一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，该指令可操作以从接收自光子检测器阵列的信号映射物品的表面中的特征。
尽管已通过特定实施例和/或示例描述和/或示出了本发明，并且尽管已相当详细地描述了这些实施例和/或示例，但将本发明的范围约束或以任何方式限制到这些细节并不是申请人的意图。本发明的另外的改编和/或修改可容易地呈现至具有本发明所属领域的普通技术的人员，并且在其更宽方面中，本发明可包含这些改编和/或修改。因此，可从前述实施例和/或示例作出变更而不背离本发明的范围，当适当地构建时，该范围仅由所附权利要求限定。

Claims (15)

1.一种用于表面特征表征的装置，包括：
两个光子发射器，配置成将光子发射到物品的同一表面上，包括
闪光灯，配置成在检测从所述物品的所述同一表面中的特征散射的光子时最小化振动；
光子检测器阵列，包括配置成接收从所述物品的所述同一表面中的特征散射的光子的多个光子检测器；
映射装置，用于映射所述物品的所述同一表面中的特征，其中
所述映射装置提供分别地对应于所述两个光子发射器的所述物品的所述同一表面中的特征的两个映射；
表征装置，用于基于所述特征的光子散射强度分布来表征所述物品的所述同一表面的特征。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个光子发射器被定位在所述装置的相同侧上。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个光子发射器被定位成以不同的角度将光子发射到所述物品的所述同一表面上。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述两个光子发射器中的第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到所述物品的所述同一表面上，并且所述两个光子发射器中的第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到所述物品的所述同一表面上。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述映射装置包括一个或多个计算机或等效设备，所述一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，所述指令可操作以从接收自所述光子检测器阵列的信号映射所述物品的所述同一表面中的特征。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述表征装置被配置成将所述两个映射中的第一映射与所述两个映射中的第二映射进行对比。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射第一组光子，所述两个光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射第二组光子，并且所述表征装置被配置成将对应于从所述物品的所述同一表面中的特征散射的所述第一组光子的来自所述光子检测器阵列的信号与对应于从所述物品的所述同一表面中的特征散射的所述第二组光子的来自所述光子检测器阵列的信号进行对比。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括耦合至所述光子检测器阵列的远心透镜和一个或多个附加光子发射器，其中所述映射装置提供分别地对应于所述一个或多个附加光子发射器的所述物品的所述同一表面中的特征的一个或多个附加映射。
9.一种用于表面特征表征的装置，包括：
光子检测器阵列，配置成接收从物品的表面中的特征散射的光子；以及
表征装置，用于基于所述特征的光子散射强度分布来表征所述物品的表面中的特征，
其中，所述表征装置被配置成将与从所述物品的表面中的特征散射的两组光子相对应的来自所述光子检测器阵列的信号进行对比，
其中，所述两组光子分别地源自不同位置处的光子发射器，并且
其中，所述光子发射器包括闪光灯，所述闪光灯被配置成在检测从所述物品的表面中的特征散射的光子时最小化振动。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，进一步包括远心透镜，其中所述远心透镜被耦合至所述光子检测器阵列。
11.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述光子发射器中的第一光子发射器被配置成发射所述两组光子中的第一组光子，并且所述光子发射器中的第二光子发射器被配置成发射所述两组光子中的第二组光子。
12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第一光子发射器被定位成以至少30°的掠射角将光子发射到所述物品的表面上。
13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第二光子发射器被定位成以小于30°的掠射角将光子发射到所述物品的表面上。
14.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述表征装置包括一个或多个计算机或等效设备，所述一个或多个计算机或等效设备被加载有指令，所述指令可操作以相对于类型和/或尺寸来表征物品的表面特征。
15.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括用于映射所述物品的表面中的特征的映射装置，并且所述映射装置提供分别地对应于所述光子发射器的所述物品的表面中的特征的映射。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2847556A4 (en) 2012-05-09 2016-01-27 Seagate Technology Llc MAPPING CHARACTERISTICS OF A SURFACE
US9297759B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Classification of surface features using fluorescence
US9297751B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Chemical characterization of surface features
US9377394B2 (en) 2012-10-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Distinguishing foreign surface features from native surface features
US9217714B2 (en) 2012-12-06 2015-12-22 Seagate Technology Llc Reflective surfaces for surface features of an article
KR20140128741A (ko) * 2013-04-29 2014-11-06 삼성디스플레이 주식회사 결정화 얼룩 검출 장치
US9201019B2 (en) 2013-05-30 2015-12-01 Seagate Technology Llc Article edge inspection
US9217715B2 (en) * 2013-05-30 2015-12-22 Seagate Technology Llc Apparatuses and methods for magnetic features of articles
US9274064B2 (en) 2013-05-30 2016-03-01 Seagate Technology Llc Surface feature manager
US9513215B2 (en) * 2013-05-30 2016-12-06 Seagate Technology Llc Surface features by azimuthal angle
US9581554B2 (en) * 2013-05-30 2017-02-28 Seagate Technology Llc Photon emitter array
US9678018B2 (en) 2015-03-30 2017-06-13 Gemological Institute Of America Inc. (Gia) Apparatus and method for assessing optical quality of gemstones
KR20180028787A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 삼성전자주식회사 디펙 검사 시스템과 방법, 및 그 검사 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
ES2904556T3 (es) * 2016-11-21 2022-04-05 Carestream Dental Tech Topco Ltd Caracterización de la superficie intraoral en 3D
US11260678B2 (en) * 2019-06-26 2022-03-01 Xerox Corporation Print substrate optical motion sensing and dot clock generation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1424576A (zh) * 2001-12-04 2003-06-18 株式会社拓普康 表面检查装置
CN1434919A (zh) * 2000-06-28 2003-08-06 泰拉丁公司 光学系统
CN1815206A (zh) * 2005-02-03 2006-08-09 夏普株式会社 光学元件的缺陷检测方法和缺陷检测装置
CN102141526A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 三星康宁精密素材株式会社 平板玻璃表面的异物检测装置

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4207467A (en) 1978-09-05 1980-06-10 Laser Precision Corp. Film measuring apparatus and method
US4806776A (en) * 1980-03-10 1989-02-21 Kley Victor B Electrical illumination and detecting apparatus
US4598997A (en) 1982-02-15 1986-07-08 Rca Corporation Apparatus and method for detecting defects and dust on a patterned surface
US4477890A (en) 1982-03-01 1984-10-16 Discovision Associates Mapping disc defect detector
GB2130835A (en) 1982-10-04 1984-06-06 Andrzej Kamil Drukier Apparatus for the diagnosis of body structures into which a gamma-emitting radioactive isotape has been introduced
US4551919A (en) 1982-10-27 1985-11-12 Mitutoyo Mfg. Co., Ltd. Measuring instrument
US4794550A (en) * 1986-10-15 1988-12-27 Eastman Kodak Company Extended-range moire contouring
GB8729246D0 (en) 1987-12-15 1988-01-27 Renishaw Plc Opto-electronic scale-reading apparatus
US5131755A (en) 1988-02-19 1992-07-21 Chadwick Curt H Automatic high speed optical inspection system
US5066130A (en) 1988-05-10 1991-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Displacement measuring apparatus
US5058178A (en) * 1989-12-21 1991-10-15 At&T Bell Laboratories Method and apparatus for inspection of specular, three-dimensional features
DE4222804A1 (de) * 1991-07-10 1993-04-01 Raytheon Co Einrichtung und verfahren zur automatischen visuellen pruefung elektrischer und elektronischer baueinheiten
US5168322A (en) 1991-08-19 1992-12-01 Diffracto Ltd. Surface inspection using retro-reflective light field
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
JPH06241758A (ja) 1993-02-15 1994-09-02 Canon Inc 欠陥検査装置
EP0622624B1 (en) 1993-04-23 1999-12-01 Research Development Corporation Of Japan A method for observing film thickness and/or refractive index
US5627638A (en) 1993-07-01 1997-05-06 Prolaser Ltd. Method and apparatus for detecting defects in lenses
IL110618A (en) 1994-08-10 1996-12-05 Optomic Techn Corp Ltd Device for testing optical elements
JP3483948B2 (ja) 1994-09-01 2004-01-06 オリンパス株式会社 欠陥検出装置
US5548403A (en) 1994-11-28 1996-08-20 The Regents Of The University Of California Phase shifting diffraction interferometer
JPH08178867A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Aichi Steel Works Ltd 平鋼熱間探傷装置
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
US5726455A (en) 1995-06-30 1998-03-10 Stormedia, Inc. Disk film optical measurement system
US5790252A (en) * 1995-09-27 1998-08-04 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method of and apparatus for determining residual damage to wafer edges
US5778039A (en) 1996-02-21 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF)
US5661559A (en) 1996-03-14 1997-08-26 Phase Metrics, Inc. Optical surface detection for magnetic disks
US5781649A (en) 1996-04-15 1998-07-14 Phase Metrics, Inc. Surface inspection of a disk by diffraction pattern sampling
US6556783B1 (en) * 1997-01-16 2003-04-29 Janet L. Gelphman Method and apparatus for three dimensional modeling of an object
US5774212A (en) 1997-03-19 1998-06-30 General Electric Co. Method and apparatus for detecting and analyzing directionally reflective surface flaws
US5898491A (en) 1997-03-28 1999-04-27 Hitachi Electronics Engineering Co. Ltd. Surface defect test method and surface defect tester
DE19717488C2 (de) 1997-04-25 2003-05-15 Baumer Optronic Gmbh Vorrichtung zur Inspektion der Oberfläche von Objekten
US5859698A (en) 1997-05-07 1999-01-12 Nikon Corporation Method and apparatus for macro defect detection using scattered light
US6040592A (en) * 1997-06-12 2000-03-21 Intel Corporation Well to substrate photodiode for use in a CMOS sensor on a salicide process
US5973839A (en) 1998-03-05 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Optical homogenizer
US20010036588A1 (en) 1998-05-05 2001-11-01 Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh Lithographic imaging of a structure pattern onto one or more fields on a substrate
IL126866A (en) * 1998-11-02 2003-02-12 Orbotech Ltd Apparatus and method for fabricating flat workpieces
US6256097B1 (en) 1999-01-08 2001-07-03 Rudolph Technologies, Inc. Ellipsometer and ellipsometry method
US6327374B1 (en) * 1999-02-18 2001-12-04 Thermo Radiometrie Oy Arrangement and method for inspection of surface quality
DE19909534B4 (de) 1999-03-04 2011-07-07 BYK-Gardner GmbH, 82538 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Qualität strukturierter Oberflächen
US6529270B1 (en) 1999-03-31 2003-03-04 Ade Optical Systems Corporation Apparatus and method for detecting defects in the surface of a workpiece
WO2001016410A1 (fr) * 1999-08-30 2001-03-08 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Procede de fabrication de silicium monocristallin, silicium monocristallin fabrique par ce procede et plaquette de silicium
EP1116932A3 (de) 2000-01-14 2003-04-16 Leica Microsystems Wetzlar GmbH Messgerät und Verfahren zun Vermessen von Strukturen auf einem Substrat
US6476908B1 (en) * 2000-04-10 2002-11-05 Eclipse Optics, Inc. Optical probe
US6483584B1 (en) 2000-04-14 2002-11-19 National Science Council Device for measuring the complex refractive index and thin film thickness of a sample
US7751609B1 (en) * 2000-04-20 2010-07-06 Lsi Logic Corporation Determination of film thickness during chemical mechanical polishing
JP2001304835A (ja) * 2000-04-26 2001-10-31 Toshiba Eng Co Ltd 凹凸測定用照明装置、凹凸測定装置、欠陥検査用照明装置、欠陥検査装置およびその照明方法
US6392745B1 (en) 2000-06-13 2002-05-21 American Air Liquide, Inc. Method and apparatus for the fast detection of surface characteristics
DE10031558A1 (de) 2000-06-28 2002-01-10 Clariant Gmbh Verfahren zur Konditionierung von organischen Pigmenten
FR2811761B1 (fr) 2000-07-17 2002-10-11 Production Rech S Appliquees Ellipsometre a haute resolution spatiale fonctionnant dans l'infrarouge
JP2002049143A (ja) * 2000-08-03 2002-02-15 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトマスクの欠陥検査装置
JP2002190444A (ja) 2000-10-10 2002-07-05 Canon Inc パターン露光装置、パターン作製方法、及びこれらを用いて作製したデバイス
US6809809B2 (en) 2000-11-15 2004-10-26 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
AU2002219847A1 (en) 2000-11-15 2002-05-27 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6515742B1 (en) 2000-11-28 2003-02-04 Memc Electronic Materials, Inc. Defect classification using scattered light intensities
US6509966B2 (en) 2000-12-27 2003-01-21 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Optical system for detecting surface defect and surface defect tester using the same
US6617603B2 (en) 2001-03-06 2003-09-09 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Surface defect tester
US6778273B2 (en) 2001-03-30 2004-08-17 Therma-Wave, Inc. Polarimetric scatterometer for critical dimension measurements of periodic structures
US6617087B1 (en) * 2001-06-27 2003-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Use of scatterometry to measure pattern accuracy
JP4808871B2 (ja) * 2001-07-12 2011-11-02 倉敷紡績株式会社 表面性状評価装置
JP2003202214A (ja) 2002-01-04 2003-07-18 Mitsubishi Electric Corp 形状計測装置および形状計測方法
JP4102081B2 (ja) 2002-02-28 2008-06-18 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨面の異物検出方法
KR100798320B1 (ko) 2002-03-06 2008-01-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 패널의 검사 장치 및 그 방법
US20040207836A1 (en) * 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US6847907B1 (en) 2002-12-31 2005-01-25 Active Optical Networks, Inc. Defect detection and repair of micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices
DE10313038B4 (de) * 2003-03-24 2005-02-17 Klingelnberg Gmbh Vorrichtung zur Erfassung der Lage eines Tastelements in einem Mehrkoordinatenmessgerät
US7068363B2 (en) * 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US20050067740A1 (en) 2003-09-29 2005-03-31 Frederick Haubensak Wafer defect reduction by short pulse laser ablation
US7433031B2 (en) * 2003-10-29 2008-10-07 Core Tech Optical, Inc. Defect review system with 2D scanning and a ring detector
DE102004004761A1 (de) 2004-01-30 2005-09-08 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Wafers
WO2005100961A2 (en) * 2004-04-19 2005-10-27 Phoseon Technology, Inc. Imaging semiconductor strucutures using solid state illumination
DE102004029014B4 (de) * 2004-06-16 2006-06-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
US7580126B2 (en) 2004-06-30 2009-08-25 Chemimage Corp. Method and apparatus for producing a streaming Raman image of nucleation, aggregation, and chemical interaction
US7489399B1 (en) 2004-08-20 2009-02-10 Kla-Tencor Corporation Spectroscopic multi angle ellipsometry
US7295739B2 (en) * 2004-10-20 2007-11-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Coherent DUV illumination for semiconductor wafer inspection
WO2006066205A2 (en) 2004-12-19 2006-06-22 Ade Corporation System and method for inspection of a workpiece surface using multiple scattered light collectors
US20060147814A1 (en) 2005-01-03 2006-07-06 Ted Liang Methods for repairing an alternating phase-shift mask
JP2006308511A (ja) 2005-05-02 2006-11-09 Canon Inc 化学分析装置及びその分析方法
US8243272B2 (en) 2005-09-19 2012-08-14 Jmar Llc Systems and methods for detecting normal levels of bacteria in water using a multiple angle light scattering (MALS) instrument
JP4988224B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
US7463369B2 (en) 2006-03-29 2008-12-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measuring one or more characteristics of patterned features on a specimen
WO2007121208A2 (en) * 2006-04-11 2007-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanometer-precision tip-to-substrate control and pattern registration for scanning-probe lithography
US20090122304A1 (en) 2006-05-02 2009-05-14 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
JP4959225B2 (ja) 2006-05-17 2012-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式検査方法及び光学式検査装置
JP5138268B2 (ja) * 2006-06-14 2013-02-06 株式会社タニタ 寸法測定装置
WO2008002659A2 (en) 2006-06-29 2008-01-03 Cdex, Inc. Methods and apparatus for molecular species detection, inspection and classification using ultraviolet to near infrared enhanced photoemission spectroscopy
WO2008013909A2 (en) 2006-07-27 2008-01-31 Rudolph Technologies, Inc. Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples
JP4843399B2 (ja) 2006-07-31 2011-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
KR100763942B1 (ko) 2006-09-04 2007-10-05 (주)포씨스 표면검사장치
EP1901190A1 (en) 2006-09-15 2008-03-19 Sony DADC Austria AG Method and system for managing access to add-on data files
US7714996B2 (en) 2007-01-23 2010-05-11 3i Systems Corporation Automatic inspection system for flat panel substrate
WO2008139735A1 (ja) 2007-05-14 2008-11-20 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
US7636156B2 (en) 2007-06-15 2009-12-22 Qimonda Ag Wafer inspection system and method
JP2009014510A (ja) 2007-07-04 2009-01-22 Hitachi High-Technologies Corp 検査方法及び検査装置
JP2009139248A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出光学系および欠陥検出画像処理を搭載した表面欠陥検査装置
KR100913484B1 (ko) 2008-02-19 2009-08-25 에스엔유 프리시젼 주식회사 암시야 검사장치
JP2010050167A (ja) * 2008-08-19 2010-03-04 Fujitsu Microelectronics Ltd 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5198189B2 (ja) 2008-08-29 2013-05-15 富士フイルム株式会社 ハードディスク検査装置
US8456650B2 (en) * 2008-09-09 2013-06-04 Cornell University Optical grid for high precision and high resolution method of wafer-scale nanofabrication
JP5341440B2 (ja) 2008-09-10 2013-11-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP5469839B2 (ja) 2008-09-30 2014-04-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 物体表面の欠陥検査装置および方法
JP5027775B2 (ja) 2008-10-03 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板表面形状検出方法及びその装置
JP4719284B2 (ja) 2008-10-10 2011-07-06 トヨタ自動車株式会社 表面検査装置
WO2011001678A1 (ja) * 2009-07-01 2011-01-06 株式会社ニコン 露光条件設定方法および表面検査装置
KR101123638B1 (ko) 2009-08-26 2012-03-20 주식회사 케이엔제이 스크래치 검사장치 및 방법
JP5282002B2 (ja) 2009-09-30 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁気ディスクの両面欠陥検査方法及びその装置
JP5321490B2 (ja) 2010-02-08 2013-10-23 新日鐵住金株式会社 微粒子分析方法
JP2011185503A (ja) 2010-03-08 2011-09-22 Bekku Kk 温度制御方法
JP2012026862A (ja) 2010-07-23 2012-02-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 表面検査装置、表面検査方法
JP5806808B2 (ja) * 2010-08-18 2015-11-10 倉敷紡績株式会社 撮像光学検査装置
JP2012078140A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi High-Technologies Corp 基板表面欠陥検査方法およびその装置
JP5721070B2 (ja) 2011-03-08 2015-05-20 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光学特性測定装置
US9075934B2 (en) 2011-09-24 2015-07-07 Globalfoundries Inc. Reticle defect correction by second exposure
JP5875812B2 (ja) * 2011-09-27 2016-03-02 オリンパス株式会社 顕微鏡システムおよび照明強度調整方法
EP2847556A4 (en) 2012-05-09 2016-01-27 Seagate Technology Llc MAPPING CHARACTERISTICS OF A SURFACE
US9297759B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Classification of surface features using fluorescence
US9297751B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Chemical characterization of surface features
US9377394B2 (en) 2012-10-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Distinguishing foreign surface features from native surface features
US20140129179A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Datacolor, Inc. System and apparatus for multi channel gloss measurements
US9217714B2 (en) 2012-12-06 2015-12-22 Seagate Technology Llc Reflective surfaces for surface features of an article
US9201019B2 (en) 2013-05-30 2015-12-01 Seagate Technology Llc Article edge inspection
US9513215B2 (en) 2013-05-30 2016-12-06 Seagate Technology Llc Surface features by azimuthal angle
US9581554B2 (en) * 2013-05-30 2017-02-28 Seagate Technology Llc Photon emitter array
US9217715B2 (en) 2013-05-30 2015-12-22 Seagate Technology Llc Apparatuses and methods for magnetic features of articles
US9274064B2 (en) 2013-05-30 2016-03-01 Seagate Technology Llc Surface feature manager

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434919A (zh) * 2000-06-28 2003-08-06 泰拉丁公司 光学系统
CN1424576A (zh) * 2001-12-04 2003-06-18 株式会社拓普康 表面检查装置
CN1815206A (zh) * 2005-02-03 2006-08-09 夏普株式会社 光学元件的缺陷检测方法和缺陷检测装置
CN102141526A (zh) * 2010-01-29 2011-08-03 三星康宁精密素材株式会社 平板玻璃表面的异物检测装置

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