JP2010050167A - 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 - Google Patents

欠陥検査装置及び欠陥検査方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010050167A
JP2010050167A JP2008211106A JP2008211106A JP2010050167A JP 2010050167 A JP2010050167 A JP 2010050167A JP 2008211106 A JP2008211106 A JP 2008211106A JP 2008211106 A JP2008211106 A JP 2008211106A JP 2010050167 A JP2010050167 A JP 2010050167A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
inspection
laser
defect
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008211106A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Matsumiya
康夫 松宮
Yoshiaki Hori
義明 堀
Terutaka Ozawa
輝高 小澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2008211106A priority Critical patent/JP2010050167A/ja
Publication of JP2010050167A publication Critical patent/JP2010050167A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】斜め配線等のパターンが存在する場合でも高い感度での欠陥検出を行うことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】レーザ2及びレーザ3は、平面視で、検査対象5に照射するレーザ光が45度で交差するように配置されている。例えば、XYステージ6の中心を基準として、XYステージ6の互いに直交する2つの動作方向(X方向、Y方向)の一方(X方向)にレーザ2が配置され、そこからY方向側に45度ずれた位置にレーザ3が配置されている。また、欠陥検査装置には、XYステージ6の動作を制御するステージ制御装置7、並びにレーザ2及びレーザ3の動作を制御するレーザ制御装置4が設けられている。更に、データベース9に格納された検査対象5の設計データに基づいて、検出器8、ステージ制御装置7及びレーザ制御装置4の動作を制御する主制御装置1も設けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体装置等の歩留まりの向上を図った欠陥検査装置及び欠陥検査方法に関する。
大規模集積回路装置(LSI)等の半導体装置の製造過程、及び液晶表示パネルの製造過程では、トランジスタ等の半導体素子及び配線等のパターンの形成後に、適宜、表面の異物及びパターン不良の検査が行われている。このような検査は、製品歩留まりの向上及び製造ラインのトラブルの早期検出を目的として行われている。そして、このような検査には、レーザ光の散乱を利用する欠陥検査装置が用いられる。このような欠陥検査装置は、Dark Field欠陥検査装置とよばれる。
そして、従来の欠陥検査装置を用いた検査では、互いに直交する2方向の組み合わせのうちで、配線等が延びる方向の割合が最も高い2方向を縦方向及び横方向と規定し、これらから45度傾斜した方向からウェハに対してレーザを照射している。
その一方で、半導体装置等の高密度化及び高性能化のために、上記の縦方向及び横方向から45度傾斜した方向に延びる配線(斜め配線)等も使用され始めている。このような斜め配線等に対して、上記の方向からレーザ光を照射すると、そこに欠陥が存在しないにもかかわらず、欠陥を示す散乱光が生じることがある。この結果、欠陥の誤検出が生じることがある。
このため、斜め配線等を含む領域を検査の対象から外すこともある。しかしながら、近年では、斜め配線等の割合が高くなってきており、この領域を検査の対象から外すと、ウェハ内の検査対象の領域が狭くなってしまい、十分な検査を行うことが困難になってきている。
そこで、偏光を用いて検査を行う方法が提案されている。しかしながら、信号のダイナミックレンジを十分に確保することができず、適切な検査を行うことはできない。
また、デバイスの設計データに基づいて欠陥検査の条件を変化させる方法が提案されているが、これだけでは、斜め配線等における実際の欠陥の検出感度を向上させることはできない。
特開平3−148049号公報 特開平1−245136号公報 特開2007−240323号公報
本発明の目的は、斜め配線等のパターンが存在する場合でも高い感度での欠陥検出を行うことができる欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供することにある。
本願発明者は、上記課題を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
欠陥検査装置には、検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画する区画手段と、前記第1及び第2の領域に、夫々互いに異なる方向から光を照射する第1及び第2の照射手段と、が設けられている。更に、前記第1及び第2の照射手段を互いに排他的に動作させる照射制御手段と、前記第1の領域からの散乱光及び前記第2の領域からの散乱光を検出する検出手段と、が設けられている。
欠陥検査方法では、検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画し、その後、前記第1の領域に所定の方向から光を照射し、前記第1の領域からの散乱光を検出する。また、前記第2の領域に前記所定の方向とは異なる他の所定の方向から光を照射し、前記第2の領域からの散乱光を検出する。
これらの欠陥検査装置等によれば、斜め配線等のパターンが存在する場合でも、適切な方向から光を照射することができるので、高い感度での欠陥検査を行うことができる。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、実施形態に係る欠陥検査装置を示す模式図である。
この欠陥検査装置には、ウェハ等の検査対象5が載置されるXYステージ6、検査対象5に対してレーザ光を照射するレーザ2及びレーザ3、並びに検査対象5からの散乱光を検出する検出器8が設けられている。レーザ2及びレーザ3は、平面視で、検査対象5に照射するレーザ光が45度で交差するように配置されている。例えば、XYステージ6の中心を基準として、XYステージ6の互いに直交する2つの動作方向(X方向、Y方向)の一方(X方向)にレーザ2が配置され、そこからY方向側に45度ずれた位置にレーザ3が配置されている。また、欠陥検査装置には、XYステージ6の動作を制御するステージ制御装置7、並びにレーザ2及びレーザ3の動作を制御するレーザ制御装置4が設けられている。更に、データベース9に格納された検査対象5の設計データに基づいて、検出器8、ステージ制御装置7及びレーザ制御装置4の動作を制御する主制御装置1も設けられている。主制御装置1は、詳細については後述するが、検出器8による検出結果を取得し、その内容を集計し、その集計結果を表示装置及び/又は印刷装置等を介して出力する。このような主制御装置1の動作は、例えば、主制御装置1内に設けられた記憶装置等に記憶されたプログラムに基づいて行われる。
次に、上述のように構成された欠陥検査装置の動作について説明する。図2は、実施形態に係る欠陥検査装置の動作(欠陥検査方法)を示すフローチャートである。
先ず、搬送装置等により検査対象5、例えばウェハをXYステージ6上の所定の位置に載置する(ステップS1)。そして、画像認識技術等を用いて位置合わせを行う。この位置合わせは、例えば、主制御装置1がステージ制御装置7を介して行う。
次いで、主制御装置1が検査対象5の設計データをデータベース9から取得する(ステップS2)。ここでは、図3に示すように、検査対象5であるウェハの一部に、配線のパターンとして、互いに直交する縦パターン13及び横パターン12が含まれ、更に、これらと45度の角度で交差する斜めパターン11が含まれているとする。これらのパターンがゲートパターン又は素子分離領域のパターン等であってもよい。以下の説明では、縦パターン及び横パターンを総称して縦横パターンということがある。
その後、主制御装置1が、設計データに基づいて、レーザ2及びレーザ3におけるレーザ光の強度、XYステージ6の動作速度、及び検出器8の検出条件等の種々の条件を設定する(ステップS3)。
続いて、主制御装置1が、設計データに基づいて、検査対象領域を、縦横のパターンの割合が所定値以上の縦横領域31と、斜めパターンの割合が所定値以上の斜め領域32とに区画する(ステップS4)。例えば、図3中のパターン11〜13を含む領域については、図4(a)に示す縦横領域31と図4(b)に示す斜め領域32とに区画する。各領域の大きさの基本単位は特に限定されないが、入射するレーザ光のスポットサイズと同程度とすることが好ましい。また、区画の判断基準の所定値は、例えば、当該領域に含まれるパターンの総面積の50%とする。なお、ステップS4の処理をステップS3の処理の前に行ってもよい。また、区画の判断基準の所定値は、上記のような50%に限定されず、LSI等の検査対象5の設計時に利用するマクロ(回路パターンの単位)の偏りにより縦横のパターン及び斜めパターンの混ざり具合の分布が異なるため、これに応じて設定してもよい。例えば、斜めパターンの割合が50%以下の領域が検査対象5の90%で、かつ、斜めパターンの割合が10%の領域が検査対象5の80%程度ある場合には、区画の判断基準の所定値を10%としてもよい。
次いで、主制御装置1がレーザ制御装置4を制御し、レーザ制御装置4がレーザ2にレーザ光の照射を行わせる。この結果、図5(a)に示すように、平面視で、XYステージ6のX方向からのずれが0度の方向からレーザ光が検査対象5に入射する。そして、検出器8が検査対象5からの散乱光を検出し、その結果を主制御装置1が取得する。また、レーザ2がレーザ光を照射している間、主制御装置1がステージ制御装置7を制御し、レーザ光が照射される領域が主に斜め領域32となるように、ステージ制御装置7がXYステージ6を動作させる。この結果、斜め領域32についての検査結果が主制御装置1により取得される。このようにして、X方向からのずれが0度の方向から入射したレーザ光を用いた検査が行われる(ステップS5)。
このような検査の結果に基づき、主制御装置1は、例えば、表1に示すような検査結果データを作成する。つまり、検査番号毎に、検査を行った点の座標とその点で検出された異物の検出サイズ等との関係を示すデータが作成される。
Figure 2010050167
その後、主制御装置1がレーザ制御装置4を制御し、レーザ制御装置4がレーザ3にレーザ光の照射を行わせる。この結果、図5(b)に示すように、平面視で、XYステージ6のX方向からのずれが45度の方向からレーザ光が検査対象5に入射する。そして、検出器8が検査対象5からの散乱光を検出し、その結果を主制御装置1が取得する。また、レーザ3がレーザ光を照射している間、主制御装置1がステージ制御装置7を制御し、レーザ光が照射される領域が主に縦横領域31となるように、ステージ制御装置7がXYステージ6を動作させる。この結果、縦横領域31についての検査結果が主制御装置1により取得される。このようにして、X方向からのずれが45度の方向から入射したレーザ光を用いた検査が行われる(ステップS6)。なお、ステップS6の処理をステップS5の処理の前に行ってもよい。
このような検査の結果に基づき、主制御装置1は、例えば、表2に示すような検査結果データを作成する。
Figure 2010050167
続いて、主制御装置1が、ステップS5の検査の結果から斜めパターンの検査結果のみを抽出し、ステップS6の検査の結果から縦横パターンの検査結果のみを抽出する(ステップS7)。つまり、斜め領域32に関する検査の結果から、斜め領域32に含まれている縦横パターンの検査結果を取り除き、縦横領域31に関する検査の結果から、縦横領域31に含まれている斜めパターンの検査結果を取り除く。例えば、表1中の検査番号T3が縦横パターンの検査結果である場合、表3に示すように、検査番号T3のデータを削除し、表2中の検査番号T102が斜めパターンの検査結果である場合、表4に示すように、検査番号T102のデータを削除する。
Figure 2010050167
Figure 2010050167
次いで、主制御装置1が、ステップS7の処理後の検査結果データを合成する(ステップS8)。この結果、表5に示す合成データが作成される。
Figure 2010050167
そして、主制御装置1が、表示装置及び/又は印刷装置を介して外部に合成データを出力する(ステップS9)。
このような本実施形態によって取得される最後の検査結果には、縦横パターン及び斜めパターンのいずれについても、当該パターンが延びる方向に垂直な方向から入射したレーザ光を用いた検査の結果は含まれない。任意のパターンに対して当該パターンが延びる方向に垂直な方向から入射したレーザ光に伴う散乱光は極めて強く、このような散乱光は誤検出の原因となるが、本実施形態では、このような散乱光は生じない。このため、検査対象5に、縦横パターンの他に斜めパターンが多く含まれている場合であっても、異物等に伴う散乱光を容易に識別することが可能となり、欠陥の検出感度を向上させることができる。また、検査感度と検査速度はトレードオフの関係にあるので、従来と同程度の感度でよい場合には、より高速な検査が可能となり生産性が著しく向上する。
図6に、ある検査対象に対して縦パターン又は横パターンが延びる方向と平行な方向からレーザ光を入射した場合(0度入射)のしきい値画像を示す。また、図7に、当該検査対象に対して縦パターン又は横パターンが延びる方向から45度傾斜した方向からレーザ光を入射した場合(45度入射)のしきい値画像を示す。しきい値画像とは、検査対象の表面の散乱光強度のばらつきの大きさを明確に示す画像であり、しきい値画像中の暗い領域ほど、配線等のパターンによる散乱が少ないことを示す。つまり、暗い領域ほど、高い感度での異物の検出が可能であるといえる。
図6(a)及び図7(a)はしきい値画像そのものを示し、図6(b)及び図7(b)は、夫々図6(a)及び図7(a)に示すしきい値画像を取得する際のヒストグラムを示している。また、図6(a)及び図7(a)中の領域21は斜めパターンが多い領域であり、領域22は縦横パターンが多い領域である。図6(a)と図7(a)とを比較すると、領域21は図6(a)において暗くなっており、領域22は図7(a)において暗くなっている。このことは、領域21の検査には図6(a)の条件が適していて、領域22の検査には図7(a)の条件が適していることを示している。そして、上記のように、図6(a)のしきい値画像の取得の際には0度入射を行い、図7(a)のしきい値画像の取得の際には45度入射を行っている。従って、斜めパターンが多い領域21には0度入射が適しており、縦横パターンが多い領域22には45度入射が適しているといえる。また、図6(b)及び図7(b)に示すヒストグラムから明らかなように、いずれの条件においても、検出器のダイナミックレンジをほぼ有効に利用しているといえる。
なお、上述の実施形態では、レーザ2を用いた検査を行う際には、レーザ光の照射領域を主に斜め領域32とし、レーザ3を用いた検査を行う際には、レーザ光の照射領域を主に縦横領域31としているが、両検査において検査対象5の全体を走査してもよい。この場合、不要な検出データが増加する可能性があるが、ステージ制御装置7によるXYステージ6の制御が容易なものとなる。
また、上述の実施形態では、レーザ2による照射が終了した後にレーザ3による照射を行うこととしているが、レーザ光を照射するレーザをレーザ2及び3の間で随時切り替えることにより、検査対象5の全体の走査を1回のみとしてもよい。つまり、検査対象5の全体が走査される場合、検出器8が検出する散乱光の発生位置が随時変更されるので、その発生位置に縦横領域31がある時にはレーザ3にレーザ光を照射させ、斜め領域32がある時にはレーザ2にレーザ光を照射させてもよい。このような制御を行うと、不要な領域にレーザ光が照射されにくくなる。レーザ光の照射が不要な領域は強い散乱を示すことがあるため、このような領域への照射を回避することにより、より高い感度を得ることが可能となる。
また、レーザ2を用いた検査とレーザ3を用いた検査との間で検出器8の検出条件を適宜修正してもよい。
また、検査の対象は半導体装置に限定されることはなく、液晶表示装置等の検査を行うことも可能である。
次に、上述の欠陥検査装置を用いた検査を行いながら半導体装置を製造する方法について説明する。図8A乃至図8Dは、半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
先ず、図8Aに示すように、半導体基板51の表面にSTI(Shallow Trench Isolation)法により素子分離絶縁膜52を形成する。ここで、素子分離絶縁膜52のパターンに対し、上述の欠陥検査装置を用いた欠陥検査を行う。次いで、ウェル53を形成する。欠陥が検出された場合には、同一の製造装置を用いて次のウェハ(半導体基板51)に素子分離絶縁膜52を形成する際の条件設定に、当該検出結果をフィードバックする。
その後、図8Bに示すように、ゲート絶縁膜54及びゲート電極55を形成する。ここで、ゲート電極55のパターンに対し、欠陥検査装置を用いた欠陥検査を行う。欠陥が検出された場合には、同一の製造装置を用いて次のウェハ(半導体基板51)にゲート電極55を形成する際の条件設定に、当該検出結果をフィードバックする。ゲート絶縁膜54及びゲート電極55の形成後には、図4Bに示すように、不純物拡散層56及びサイドウォール絶縁膜57を形成する。このようにして、電界効果トランジスタが形成される。
次いで、図8Cに示すように、この電界効果トランジスタを覆う層間絶縁膜58を形成し、これに不純物拡散層56まで達するコンタクトホール59を形成する。ここで、コンタクトホール59のパターンに対し、欠陥検査装置を用いた欠陥検査を行う。その後、コンタクトホール59内にコンタクトプラグ60を形成する。欠陥が検出された場合には、同一の製造装置を用いて次のウェハ(半導体基板51)にコンタクトホール59を形成する際の条件設定に、当該検出結果をフィードバックする。
続いて、図8Dに示すように、コンタクトプラグ60に接続される配線61を層間絶縁膜58上に形成する。ここで、配線61のパターンに対し、欠陥検査装置を用いた欠陥検査を行う。欠陥が検出された場合には、同一の製造装置を用いて次のウェハ(半導体基板51)に配線61を形成する際の条件設定に、当該検出結果をフィードバックする。
その後、上層の配線、プラグ及び層間絶縁膜等を形成し、適宜、上述のように欠陥検査装置を用いた欠陥検査を行いながら、半導体装置を完成させる。
このような方法によれば、欠陥が抑制された半導体装置を製造することができる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
(付記1)
検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画する区画手段と、
前記第1及び第2の領域に、夫々互いに異なる方向から光を照射する第1及び第2の照射手段と、
前記第1及び第2の照射手段を互いに排他的に動作させる照射制御手段と、
前記第1の領域からの散乱光及び前記第2の領域からの散乱光を検出する検出手段と、
を有することを特徴とする欠陥検査装置。
(付記2)
前記区画手段は、
第1の方向又はこの第1の方向に直交する第2の方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第1の領域とし、
前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第2の領域とすることを特徴とする付記1に記載の欠陥検査装置。
(付記3)
前記第1の照射手段は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から前記第1の領域に光を照射し、
前記第2の照射手段は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から更に傾斜した方向から前記第2の領域に光を照射することを特徴とする付記2に記載の欠陥検査装置。
(付記4)
前記傾斜の角度は、いずれも45度であることを特徴とする付記2又は3に記載の欠陥検査装置。
(付記5)
前記検出手段による前記第1の領域からの散乱光の検出結果と、前記検出手段による前記第2の領域からの散乱光の検出結果とを合成する合成手段を有することを特徴とする付記1乃至4のいずれか1項に記載の欠陥検査装置。
(付記6)
検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画する工程と、
前記第1の領域に所定の方向から光を照射する工程と、
前記第1の領域からの散乱光を検出する工程と、
前記第2の領域に前記所定の方向とは異なる他の所定の方向から光を照射する工程と、
前記第2の領域からの散乱光を検出する工程と、
を有することを特徴とする欠陥検査方法。
(付記7)
前記第1及び第2の領域に区画する工程において、
第1の方向又はこの第1の方向に直交する第2の方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第1の領域とし、
前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第2の領域とすることを特徴とする付記6に記載の欠陥検査方法。
(付記8)
前記所定の方向は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向であり、
前記他の所定の方向は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から更に傾斜した方向であることを特徴とする付記7に記載の欠陥検査方法。
(付記9)
前記傾斜の角度は、いずれも45度であることを特徴とする付記7又は8に記載の欠陥検査方法。
(付記10)
前記第1の領域からの散乱光の検出結果と、前記第2の領域からの散乱光の検出結果とを合成する工程を有することを特徴とする付記6乃至9のいずれか1項に記載の欠陥検査方法。
実施形態に係る欠陥検査装置を示す模式図である。 実施形態に係る欠陥検査装置の動作(欠陥検査方法)を示すフローチャートである。 検査対象5の一例を示す模式図である。 区画された領域を示す模式図である。 レーザ光の照射の方向を示す模式図である。 しきい値画像の一例を示す図である。 しきい値画像の他の一例を示す図である。 半導体装置の製造方法を示す断面図である。 図8Aに引き続き、半導体装置の製造方法を示す断面図である。 図8Bに引き続き、半導体装置の製造方法を示す断面図である。 図8Cに引き続き、半導体装置の製造方法を示す断面図である。
符号の説明
1:主制御装置
2、3:レーザ
4:レーザ制御装置
5:検査対象
6:XYステージ
7:ステージ制御装置
8:検出器
9:データベース

Claims (6)

  1. 検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画する区画手段と、
    前記第1及び第2の領域に、夫々互いに異なる方向から光を照射する第1及び第2の照射手段と、
    前記第1及び第2の照射手段を互いに排他的に動作させる照射制御手段と、
    前記第1の領域からの散乱光及び前記第2の領域からの散乱光を検出する検出手段と、
    を有することを特徴とする欠陥検査装置。
  2. 前記区画手段は、
    第1の方向又はこの第1の方向に直交する第2の方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第1の領域とし、
    前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第2の領域とすることを特徴とする請求項1に記載の欠陥検査装置。
  3. 前記第1の照射手段は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から前記第1の領域に光を照射し、
    前記第2の照射手段は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から更に傾斜した方向から前記第2の領域に光を照射することを特徴とする請求項2に記載の欠陥検査装置。
  4. 検査対象に形成されているパターンが延びる方向に応じて、当該検査対象を第1及び第2の領域に区画する工程と、
    前記第1の領域に所定の方向から光を照射する工程と、
    前記第1の領域からの散乱光を検出する工程と、
    前記第2の領域に前記所定の方向とは異なる他の所定の方向から光を照射する工程と、
    前記第2の領域からの散乱光を検出する工程と、
    を有することを特徴とする欠陥検査方法。
  5. 前記第1及び第2の領域に区画する工程において、
    第1の方向又はこの第1の方向に直交する第2の方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第1の領域とし、
    前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向に延びるパターンの割合が所定値以上の領域を前記第2の領域とすることを特徴とする請求項4に記載の欠陥検査方法。
  6. 前記所定の方向は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向であり、
    前記他の所定の方向は、前記第1の方向及び前記第2の方向から傾斜した方向から更に傾斜した方向であることを特徴とする請求項5に記載の欠陥検査方法。
JP2008211106A 2008-08-19 2008-08-19 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 Pending JP2010050167A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211106A JP2010050167A (ja) 2008-08-19 2008-08-19 欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211106A JP2010050167A (ja) 2008-08-19 2008-08-19 欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010050167A true JP2010050167A (ja) 2010-03-04

Family

ID=42067037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008211106A Pending JP2010050167A (ja) 2008-08-19 2008-08-19 欠陥検査装置及び欠陥検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010050167A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104704320A (zh) * 2012-08-11 2015-06-10 希捷科技有限公司 表面特征表征

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104704320A (zh) * 2012-08-11 2015-06-10 希捷科技有限公司 表面特征表征

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5059297B2 (ja) 電子線式観察装置
US8121395B2 (en) Inspection apparatus and an inspection method for inspecting a circuit pattern
US7884948B2 (en) Surface inspection tool and surface inspection method
JP2007024737A (ja) 半導体の欠陥検査装置及びその方法
KR102234659B1 (ko) 고에너지 전자 빔을 이용하여 인-셀 오버레이 오프셋을 측정할 수 있는 sem 장치와 그 방법
TWI484169B (zh) Charged particle line device
JP2010127748A (ja) 欠陥レビュー装置及び欠陥レビュー方法
JP5525919B2 (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
KR102557190B1 (ko) 설계를 사용한 사전 층 결함 사이트 검토
KR102705854B1 (ko) 반도체 소자의 분석 시스템 및 방법
US7653236B2 (en) Surface inspection device and method
JP2010078478A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP2010050167A (ja) 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US8526708B2 (en) Measurement of critical dimensions of semiconductor wafers
US11280749B1 (en) Holes tilt angle measurement using FIB diagonal cut
JP5733011B2 (ja) 欠陥検査方法、半導体装置の製造方法及び欠陥検査装置
US20090206255A1 (en) Substrate inspection device and substrate inspection method
US6741733B1 (en) Drawing pattern verifying method
JP2005037291A (ja) 欠陥検査装置および欠陥検査方法
JP2023151121A (ja) 計測システム、計測方法
JP2005071129A (ja) 画像処理装置および画像処理方法
JP2006046943A (ja) マスクの欠陥分類方法および分類装置
KR20130077541A (ko) 광학 검사의 보정 방법 및 이에 따라 제조된 패키지용 기판
JP2011247603A (ja) 荷電粒子線を用いた試料検査方法および検査装置ならびに欠陥レビュー装置
JP2005250106A (ja) 荷電粒子線マスク検査方法、荷電粒子線マスク検査装置及び荷電粒子線マスクデータ構造