CN104702239A - 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器 - Google Patents

梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器 Download PDF

Info

Publication number
CN104702239A
CN104702239A CN201510007289.4A CN201510007289A CN104702239A CN 104702239 A CN104702239 A CN 104702239A CN 201510007289 A CN201510007289 A CN 201510007289A CN 104702239 A CN104702239 A CN 104702239A
Authority
CN
China
Prior art keywords
series resonator
ladder
acoustic wave
type acoustic
wave filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510007289.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104702239B (zh
Inventor
鹤成哲也
藤原城二
中村弘幸
中西秀和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Publication of CN104702239A publication Critical patent/CN104702239A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104702239B publication Critical patent/CN104702239B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Abstract

本发明涉及梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器。梯型弹性波滤波器包括第一串联谐振器和第二串联谐振器，所述第一串联谐振器具有最低的谐振频率，所述第二串联谐振器具有比所述第一串联谐振器的谐振频率高的谐振频率，所述第一串联谐振器的频率温度依赖性小于所述第二串联谐振器的频率温度依赖性。结果，可以抑制第一串联谐振器的频率变动量。

Description

梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器
本申请是申请日为2012年6月21日、题为“梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器”的发明专利申请201280002042.8的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种梯型弹性波滤波器及使用该梯型弹性波滤波器的天线双工器。
背景技术
如图10所示，现有技术中的梯型弹性波滤波器101包括压电基板120、形成在压电基板120上的具有串联谐振器中最低的谐振频率的第1串联谐振器103、以及形成在压电基板120上且以覆盖第1串联谐振器103的方式形成的电介质膜106。还包括形成在压电基板120上且具有比第1串联谐振器高的谐振频率的第2串联谐振器105、以及以覆盖第2串联谐振器105的方式形成在压电基板120上的电介质膜107。
在该结构中，电介质膜106的膜厚Ha与电介质膜107的膜厚Hb相等。
另外，作为与该技术相关的现有技术文献，例如公知有专利文献1。
现有技术文献 
专利文献
专利文献1：国际公开第2010/146826号小册子
发明内容
在现有的梯型弹性波滤波器101中，第1串联谐振器103是在串联谐振器中具有最低的谐振频率的串联谐振器，因此梯型弹性波滤波器101的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器103的功耗比另一个串联谐振器105的功耗大。因此，第1串联谐振器103中的发热量增大，第1串联谐振器103的频率温度依赖性(TCF：Temperature Coefficient of Frequency)引起 的特性的频率变动量比第2串联谐振器105的特性的频率变动量大。其结果，存在梯型弹性波滤波器101的通过特性劣化的问题。
因此，本发明的目的在于抑制梯型弹性波滤波器的通过特性劣化。
为了实现上述目的，本发明的梯型弹性波滤波器包括在多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器、以及具有比第1串联谐振器的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器，第1串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚比第2串联谐振器的形成区域中的电介质膜的膜厚厚。
根据上述结构，第1串联谐振器的特性的频率温度依赖性小于第2串联谐振器的特性的频率温度依赖性。其结果，即使第1串联谐振器的功耗比第2串联谐振器的功耗大从而发热量增大，第1串联谐振器的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器的通过特性的劣化。
附图说明
图1是本发明的实施方式1及实施方式2的梯型弹性波滤波器的电路框图。
图2是表示该梯型弹性波滤波器的各串联谐振器的导纳特性的图。
图3是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图4是表示该梯型弹性波滤波器和各串联谐振器的通过特性的图。
图5是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图6是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图7是该梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图8是本发明的实施方式2的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
图9是本发明的实施方式3的天线双工器的电路框图。
图10是现有技术中的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下，参照附图说明本发明的实施方式1的梯型弹性波滤波器1。
图1是实施方式1的梯型弹性波滤波器1中的一个实施方式的电路框图。在图1中，梯型弹性波滤波器1例如在输入端子11与输出端子12之间具有从输入端子11侧依次连接的串联谐振器2、3、4、5。此外，梯型弹性波滤 波器1包括在串联谐振器2、3的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器8、在串联谐振器3、4的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器9、以及在串联谐振器4、5的连接部分与接地端子13之间连接的并联谐振器10。
另外，(表1)表示各串联谐振器2、3、4、5的(1)谐振器的分割数(级数)、(2)IDT(InterDigital Transducer)的电极指间距(其被设为主要弹性波的波长λ的1/2)、(3)IDT电极指个数、(4)夹着IDT的反射器的个数、(5)IDT电极指交叉宽度、(6)占空比(电极宽度/间距)的一个实施方式。
表1
图2表示各串联谐振器2、3、4、5的导纳特性。纵轴是导纳(dB)，横轴是频率(MHz)。如图2所示，各串联谐振器2、3、4、5的谐振频率中，串联谐振器3的谐振频率最低，接着，串联谐振器5的谐振频率第2低。接着，串联谐振器2的谐振频率低，串联谐振器4的谐振频率在各串联谐振器的谐振频率中最高。即，在本实施方式中，串联谐振器3是第1串联谐振器。此外，在本实施方式中，将串联谐振器2、4、5中的串联谐振器4作为第2串联谐振器进行说明，但第2串联谐振器也可以是串联谐振器2或串联谐振器5。
此外，图3是包括各串联谐振器2、3、4、5中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器3、和具有比该第1串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4的梯型弹性波滤波器1的剖面示意图。在图3中，梯型弹性波滤波器1包括压电基板7、在压电基板7上形成的多个串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10(没有图示串联谐振器2、5、并联谐振器8、9、10)、以及附着在串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10中的至少第1串联谐振器3上且具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温 度依赖性的电介质膜6。此外，第1串联谐振器3的形成区域(至少覆盖第1串联谐振器3的区域)中的电介质膜6的膜厚Ha比第2串联谐振器4的形成区域(至少覆盖第2串联谐振器4的区域)中的电介质膜6的膜厚Hb厚。此外，第2串联谐振器4的形成区域的电介质膜6的膜厚Hb也可以是零。另外，本说明书中的电介质膜6的膜厚是指，谐振器形成区域中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离。
图4表示各串联谐振器的通过特性(信号通过损耗)和梯型弹性波滤波器1的通过特性。如图4所示，例如1910MHz处的第1串联谐振器3中的通过损耗为约-2.8dB，而第2串联谐振器4中的信号通过损耗为约-0.2dB。这是因为，第1串联谐振器3的谐振频率比第2串联谐振器4的谐振频率低，与第2串联谐振器4相比，第1串联谐振器3中1910MHz处的阻抗大。因此，梯型弹性波滤波器1的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器3的功耗比另一个第2串联谐振器4的功耗大。
因此，如图3所示，通过设置成第1串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha比第2串联谐振器4的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb厚的结构，使第1串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第1串联谐振器3的功耗比另一个第2串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第1串联谐振器3的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器1的通过特性劣化。
以下，详细说明本实施方式1的梯型弹性波滤波器1的各结构。 
在本实施方式中，压电基板7使用以欧拉角(θ、ψ)表示压电基板7的切角θ及传播角ψ时满足33°≤θ≤43°、-10°≤ψ≤10°的铌酸锂(LiNbO3)系基板，也可以是例如水晶、钽酸锂(LiTaO3)系、或铌酸钾(KNbO3)系、其他欧拉角的铌酸锂(LiNbO3)系的基板或薄膜等其他压电单晶介质。
另外，在压电基板7使用欧拉角表示(θ、ψ)满足-100°≤θ≤-60°的范围的铌酸锂(LiNbO3)系基板的情况下，优选的是，该基板是下述范围的欧拉角。即，如国际公开2011/052218号小册子中所记载那样，优选的是，由该铌酸锂构成的压电基板7的欧拉角(θ、ψ)满足-100°≤θ≤-60°、 通过设置为该欧拉角，能够抑制由瑞利波引起的无用乱真信号(spurious)的产生，并且抑制产生快的横波的频带附近的无用乱真信号。
谐振器2、3、4、5、8、9、10是被配置成从压电基板7的上方观察时1组梳形形状的IDT(Inter Digital Transducer)啮合、且在该IDT的两端设有反射器的结构。在本实施方式中，谐振器2、3、4、5、8、9、10从压电基板7侧依次具有膜厚为0.04λ的以钼为主成分的第1电极层、和设置在第1电极层的上的膜厚为0.08λ的以铝为主成分的第2电极层。但是，谐振器2、3、4、5、8、9、10也可以是其他金属，例如也可以是由铝、铜、银、金、钛、钨、铂或铬构成的单体金属，或以上述金属为主成分的合金或层叠这些金属而成的结构。此外，也可以是在压电基板7与第1电极层之间或第1电极层与第2电极层之间夹着钛或氮化钛的3层或4层电极构成。通过设置成这样的结构，能够提高电极的取向性，且能够抑制由迁移引起的劣化。
电介质膜6是具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的薄膜，例如，由二氧化硅(SiO2)构成。此外，在图3中表示了电介质膜6覆盖谐振器3、4的IDT电极指的结构，但如图5所示，也可以是电介质膜6被设置在第1串联谐振器3的IDT电极指之间、或第2串联谐振器4的IDT电极指之间而第2串联谐振器4的IDT电极指的上表面从电介质膜6露出的结构。此外，也可以是第1串联谐振器3的IDT电极指的上表面从电介质膜6露出、第2串联谐振器4的IDT电极指的上表面被电介质膜6覆盖。在这种情况下，本说明书中的电介质膜6的膜厚还指，谐振器中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离Ha或Hb。
此外，在图3中表示了电介质膜6的上表面平坦的状态，但电介质膜6的上表面也可以不平坦。例如，如图6所示，也可以在串联谐振器3、4的IDT电极指的上方的电介质膜6的上表面上设置突起20。此时，本说明书中的电介质膜6的膜厚还指，谐振器中电极指与电极指之间的电极指非形成区域中的压电基板7的上表面与电介质膜6的上表面之间的距离Ha或Hb。
此外，在压电基板7为铌酸锂(LiNbO3)系基板构成、电介质膜6由二氧化硅构成的情况下，从串联谐振器2、3、4、5、并联谐振器8、9、10的频率温度依赖性的抑制以及机电耦合系数的确保这两个观点出发，优选第1 串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha为0.29λ以上且小于0.34λ，包括第2串联谐振器4在内的其他串联谐振器2、4、5、8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb为0.24λ以上且小于0.29λ。此外，优选第1串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚Ha比包括第2串联谐振器4在内的其他串联谐振器2、4、5、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚Hb在0.02λ以上。由此，与其他谐振器的频率温度依赖性相比，能够将第1串联谐振器3的频率温度依赖性抑制在约4ppm/℃以上。
另外，在上述说明中，表示了只有第1串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6比其他串联谐振器2、4、5、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚厚的结构，但并不限于此。例如，也可以是第1串联谐振器3和谐振频率仅比第1串联谐振器3高的串联谐振器5的形成区域中的电介质膜6的膜厚比其他串联谐振器2、4、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚厚。此外，例如，也可以是串联谐振器中谐振频率最高的第2串联谐振器4的形成区域中的电介质的膜厚比其他串联谐振器2、3、5、并联谐振器8、9、10的形成区域中的电介质膜6的膜厚薄、或电介质膜6的膜厚为零。
根据上述结构，第1串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第1串联谐振器3的功耗比另一个串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第1串联谐振器3的特性的频率变动量也能被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器1的通过特性劣化。
此外，优选所附着的电介质膜6的膜厚相对厚的第1串联谐振器3的反谐振频率，比所附着的电介质膜6的膜厚相对薄的第2串联谐振器4的反谐振频率低。换言之，优选使反谐振频率相对低的第1串联谐振器3的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚比反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚厚。以下说明其理由。
由于第1串联谐振器3的反谐振频率相对低，因此第1串联谐振器3的机电耦合系数对梯型弹性波滤波器1的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性影响较大。另一方面，由于第2串联谐振器4的反谐振频率相对高，因此第2串联谐振器4的机电耦合系数对梯型弹性波滤波器1的通带高频侧的截止 频率附近的陡峭性几乎没有影响。在此，谐振器上附着的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚越厚，该谐振器的机电耦合系数越小，利用该特性，控制第1串联谐振器3和第2串联谐振器4的机电耦合系数，同时实现梯型弹性波滤波器1的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。
即，通过相对地减小反谐振频率相对低的第1串联谐振器3的机电耦合系数，从而能够提高梯型弹性波滤波器1的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性。此外，通过确保反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的机电耦合系数大，梯型弹性波滤波器1的通带宽度变宽，能够抑制宽的通带中的损耗。即，通过该结构，能够同时实现梯型弹性波滤波器1的通带高频侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。
此外，优选第1串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量。如上所述，梯型弹性波滤波器1的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器3中的功耗比第2串联谐振器4大，第1串联谐振器3与第2串联谐振器4相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过使第1串联谐振器3的电容量比第2串联谐振器4的电容量大，能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
另外，谐振器的电容量、与IDT电极指交叉宽度和IDT电极指个数之积成正比，优选通过使第1串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量，从而使第1串联谐振器3的IDT电极指个数多于第2串联谐振器4的IDT电极指个数。这是因为，第1串联谐振器3的IDT电极指个数越大，第1串联谐振器3的电阻越小，第1串联谐振器3的发热也被抑制。其结果，能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
此外，优选第1串联谐振器如本实施方式的串联谐振器2那样是不与梯型弹性波滤波器的输入端子11直接连接的第2级以后的串联谐振器。在梯型弹性波滤波器中，输入级的谐振器中的施加电力最大，越靠后级，施加电力越小。另一方面，梯型弹性波滤波器中的各谐振器的功耗与所施加的电力成正比。如上所述，梯型弹性波滤波器1的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器3中的功耗比其他串联谐振器大，第1串联谐振器3与其他串联谐振器相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过将第1串联谐振器从输入端子11侧开始配置在第2级以后，能够减小第1串联谐振器3中的功耗，并且能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
另外，梯型弹性波滤波器1作为一个实施方式表示了具有4个串联谐振器和3个并联谐振器的滤波器，但并不限于此，只要是至少具有谐振频率不同的多个串联谐振器的梯型弹性波滤波器即可。
此外，梯型弹性波滤波器1作为一个实施方式表示了弹性表面波滤波器，但不限于此，如图7所示，也可以是在电介质膜6之上还具有膜厚为波长λ以上且且5λ以下的SiN膜、AlN膜等由通过的横波的音速比主要弹性波的音速慢的介质构成的第2电介质膜25的弹性边界波滤波器。
(实施方式2)
以下，参照附图说明本发明的实施方式2的梯型弹性波滤波器。另外，在没有特别说明的情况下，其结构与实施方式1相同。
图8是实施方式2的梯型弹性波滤波器的剖面示意图。详细而言，图8是包括各串联谐振器2、3、4、5中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器3、和具有比该第1串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4的梯型弹性波滤波器1的剖面示意图。
在实施方式2中，第1串联谐振器3的形成区域中的电介质膜6的膜厚与第2串联谐振器4的形成区域中的电介质膜6的膜厚相同，第1串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于第2串联谐振器4的占空比(电极宽度/间距)。
即，实施方式2的梯型弹性波滤波器1包括压电基板7、在压电基板7上形成的连接在输入端子与输出端子之间的多个串联谐振器、在压电基板7上形成的连接在串联谐振器与接地端子之间的至少一个并联谐振器、以及附着在串联谐振器中的至少1个串联谐振器上且具有与压电基板7的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性的电介质膜6，多个串联谐振器包括多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器3、和具有比第1串联谐振器3的谐振频率高的谐振频率的第2串联谐振器4，第1串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于第2串联谐振器4的占空比。另外，只要多个串联谐振器中具有最低的谐振频率的第1串联谐振器3的占空比(电极宽度/间距)小于其他串联谐振器2、4、5的占空比(电极宽度/间距)中的至少1个即可。另外，在实施方式2中，电介质膜6不是构成梯型弹性波滤波器1所必要的要素。
若谐振器的占空比减小，则主要弹性波的能量分布从压电基板7侧向电 介质膜6侧移动，由此谐振器特性的频率温度依赖性变小。即，根据上述结构，第1串联谐振器3的特性的频率温度依赖性比第2串联谐振器4的特性的频率温度依赖性小。其结果，即使第1串联谐振器3的功耗比另一个串联谐振器4的功耗大从而发热量增大，第1串联谐振器3的特性的频率变动量也被抑制。由此，能够抑制梯型弹性波滤波器1的通过特性劣化。
此外，优选第1串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量。如上所述，梯型弹性波滤波器1的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器3中的功耗比第2串联谐振器4大，第1串联谐振器3与第2串联谐振器4相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过使第1串联谐振器3的电容量比第2串联谐振器4的电容量大，能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
另外，谐振器的电容量、与IDT电极指交叉宽度和IDT电极指个数之积成正比，优选通过使第1串联谐振器3的电容量大于第2串联谐振器4的电容量，使第1串联谐振器3的IDT电极指个数大于第2串联谐振器4的IDT电极指个数。这是因为，第1串联谐振器3的IDT电极指个数越多，第1串联谐振器3的电阻越小，第1串联谐振器3的发热也被抑制。其结果，能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
此外，优选第1串联谐振器如本实施方式的串联谐振器2那样是不与梯型弹性波滤波器的输入端子11直接连接的第2级以后的串联谐振器。在梯型弹性波滤波器中，输入级的谐振器中的施加电力最大，越靠后级，施加电力越小。另一方面，梯型弹性波滤波器中的各谐振器的功耗与所施加的电力成正比。如以上说明，梯型弹性波滤波器1的通带的高频侧截止频率附近的第1串联谐振器3中的功耗比其他串联谐振器大，第1串联谐振器3与其他串联谐振器相比因发热而劣化的可能性更高。因此，通过将第1串联谐振器从输入端子11侧开始配置在第2级以后，能够减小第1串联谐振器3中的功耗，并且能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
此外，与其他串联谐振器相比占空比小的第1串联谐振器3的耐电力性小于其他串联谐振器的耐电力性。因此，从提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性的观点出发，优选将该第1串联谐振器3配置在与输入端子11相比更靠近输出端子12串联臂(串联谐振器4或串联谐振器5的位置)上。更优选的是，通过将第1串联谐振器3配置在最靠近输出端子12的串联臂(串 联谐振器5的位置)上，能够提高梯型弹性波滤波器1的耐电力性。
(实施方式3)
以下，参照附图说明本发明的实施方式3。另外，在没有特别说明的情况下，其结构与实施方式1相同。
实施方式3涉及将实施方式1的梯型弹性波滤波器1用于发送侧滤波器的天线双工器。
图9作为一个实施方式表示在3GPP(3rd Generation Partnership Project)中确定的Band2的天线双工器14的电路框图。
天线双工器14包括连接在输入端子11与天线端子16(实施方式1的输出端子12)之间且具有第1频带(1.85GHz～1.91GHz)的通带的发送侧滤波器15、以及连接在天线端子16与两个输出端子17、18之间且具有比第1频带高的第2频带(1.93GHz～1.99GHz)的通带的接收侧滤波器19。另外，接收侧滤波器19作为一个实施方式表示了从输入侧开始包括谐振器21、与该谐振器21级联连接的2个双模SAW滤波器22、23、以及与双模SAW滤波器22、23级联连接的双模SAW滤波器24的结构，但并不限于此。
这种天线双工器14的发送侧滤波器15能够同时实现宽频带的低损耗和在交叉频带(Cross band)侧(通带高频侧)的截止频率附近陡峭这两点。
因此，通过使所附着的电介质膜6的膜厚相对厚的第1串联谐振器3的反谐振频率，比所附着的电介质膜6的膜厚相对薄的第2串联谐振器4的反谐振频率低，从而能够同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带中的低损耗。换言之，通过使反谐振频率相对低的第1串联谐振器3的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚，比反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的形成区域中的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚厚，从而能够得到上述效果。
由于第1串联谐振器3的反谐振频率相对低，因此第1串联谐振器3的机电耦合系数对交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性影响较大。另一方面，由于第2串联谐振器4的反谐振频率相对高，因此第2串联谐振器4的机电耦合系数对交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性几乎没有影响。在此，谐振器上所附着的由二氧化硅构成的电介质膜6的膜厚越厚，该谐振器的机电耦合系数越小，利用该特性，控制第1串联谐振器3和第2串联谐振器4的机电耦合系数，同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带 的低损耗。
即，通过相对地减小反谐振频率相对低的第1串联谐振器3的机电耦合系数，能够提高交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性。此外，通过确保反谐振频率相对高的第2串联谐振器4的机电耦合系数大，从而发送侧滤波器15的通带宽度变宽，能够抑制宽通带中的损耗。即，通过该结构，能够同时实现交叉频带侧的截止频率附近的陡峭性的提高、和通带的低损耗。
(工业上的可利用性)
本发明所涉及的梯型弹性波滤波器及使用了该梯型弹性波滤波器的天线双工器具有能够抑制梯型弹性波滤波器的通过特性劣化的效果，能够适用于移动电话等电子设备。
符号说明
1  梯型弹性波滤波器
2  串联谐振器 
3  第1串联谐振器
4  第2串联谐振器
5  串联谐振器 
6  电介质膜
7  压电基板
8、9、10  并联谐振器
11  输入端子
12  输出端子
13  接地端子
14  天线双工器
15  发送侧滤波器
16  天线端子
17、18  输出端子
19  接收侧滤波器
21  谐振器
22、23、24  双模SAW滤波器
25  第2电介质膜。

Claims (20)

1.一种梯型弹性波滤波器，包括：
基板；
输入端子；
输出端子；以及
多个串联谐振器，形成在所述基板上，并且连接在所述输入端子和所述输出端子之间，所述多个串联谐振器包括第一串联谐振器和第二串联谐振器，所述第一串联谐振器具有在所述多个串联谐振器中最低的谐振频率，所述第二串联谐振器具有比所述第一串联谐振器的谐振频率高的谐振频率，所述第一串联谐振器的频率温度依赖性小于所述第二串联谐振器的频率温度依赖性。
2.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的通过特性的频率温度依赖性小于所述第二串联谐振器的通过特性的频率温度依赖性。
3.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，还包括：
接地端子；以及
至少一个并联谐振器，形成在所述基板上，并且连接在所述串联谐振器和所述接地端子之间。
4.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述基板包括压电基板。
5.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，还包括：附着在所述多个串联谐振器中的至少一个上的电介质膜。
6.根据权利要求5所述的梯型弹性波滤波器，其中所述电介质膜具有与所述基板的频率温度依赖性相反的频率温度依赖性。
7.根据权利要求5所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的形成区域中的所述电介质膜的膜厚大于所述第二串联谐振器的形成区域中的所述电介质膜的膜厚。
8.根据权利要求5所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的形成区域中的所述电介质膜的膜厚大于所述基板的其它区域中的所述电介质膜的膜厚。
9.根据权利要求5所述的梯型弹性波滤波器，其中所述电介质膜由二氧化硅形成。
10.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的占空比小于所述第二串联谐振器的占空比。
11.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器具有所述多个串联谐振器中最小的占空比。
12.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的反谐振频率低于所述第二串联谐振器的反谐振频率。
13.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器的电容量大于所述第二串联谐振器的电容量。
14.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器具有比所述第二串联谐振器多的叉指换能器电极指。
15.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器从所述输入端子侧开始连接在第二级以后。
16.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器配置在与所述输入端子相比更靠近所述输出端子的串联臂上。
17.根据权利要求1所述的梯型弹性波滤波器，其中所述第一串联谐振器配置在最靠近所述输出端子的串联臂上。
18.一种天线双工器，包括：
根据权利要求1-17中的任一项所述的梯型弹性波滤波器；以及
具有比所述梯型弹性波滤波器的通带更高的通带的滤波器。
19.一种电子设备，包括根据权利要求18所述的天线双工器。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其中所述电子设备是移动电话。
CN201510007289.4A 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器 Active CN104702239B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011139080 2011-06-23
JP2011-139080 2011-06-23
CN201280002042.8A CN103004085B (zh) 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280002042.8A Division CN103004085B (zh) 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104702239A true CN104702239A (zh) 2015-06-10
CN104702239B CN104702239B (zh) 2017-09-22

Family

ID=47422311

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510007289.4A Active CN104702239B (zh) 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器
CN201280002042.8A Active CN103004085B (zh) 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280002042.8A Active CN103004085B (zh) 2011-06-23 2012-06-21 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9203376B2 (zh)
JP (1) JP5182459B2 (zh)
CN (2) CN104702239B (zh)
HK (1) HK1207482A1 (zh)
WO (1) WO2012176455A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106788314A (zh) * 2015-11-19 2017-05-31 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及多工器
CN109039298A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 开元通信技术（厦门）有限公司 声表面波器件及其制作方法
CN109661777A (zh) * 2016-09-02 2019-04-19 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
CN109863695A (zh) * 2016-10-28 2019-06-07 株式会社村田制作所 梯型滤波器、双工器以及弹性波滤波器装置
CN112600532A (zh) * 2016-11-25 2021-04-02 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102460967B (zh) * 2009-06-18 2015-01-21 天工松下滤波方案日本有限公司 阶梯型弹性波滤波器及使用其的双工器
WO2012176455A1 (ja) * 2011-06-23 2012-12-27 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたアンテナ共用器
DE102013100286B3 (de) 2013-01-11 2014-06-05 Epcos Ag Breitbandiges Filter in Abzweigtechnik
JP2017522822A (ja) * 2014-07-28 2017-08-10 スカイワークスフィルターソリューションズジャパン株式会社 弾性波素子、アンテナデュプレクサ、モジュール及びこれらを使用する電子機器
US9634644B2 (en) 2014-07-28 2017-04-25 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Acoustic wave elements and antenna duplexers, and modules and electronic devices using same
US9641151B2 (en) * 2014-07-31 2017-05-02 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave filters and duplexers using same
KR20170034389A (ko) * 2014-07-31 2017-03-28 스카이워크스 필터 솔루션즈 재팬 씨오., 엘티디. 탄성파 필터 및 이것을 이용한 듀플렉서
CN107710613A (zh) * 2015-07-06 2018-02-16 株式会社村田制作所 弹性波装置
WO2017038679A1 (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 京セラ株式会社 弾性表面波素子
CN109155622B (zh) * 2016-05-13 2022-07-12 株式会社村田制作所 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置
US10187039B2 (en) * 2016-06-07 2019-01-22 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Filter devices having reduced spurious emissions from lamb waves
CN109328431B (zh) * 2016-06-27 2022-07-29 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
JP6788024B2 (ja) * 2016-10-11 2020-11-18 京セラ株式会社 弾性波装置
DE112017005316B4 (de) * 2016-10-20 2021-08-05 Skyworks Solutions, Inc. Elastikwellenvorrichtung mit einer piezoelektrischen Schicht mit Subwellenlängendicke
CN110235364B (zh) * 2017-02-06 2023-04-04 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及滤波器装置
KR102304886B1 (ko) * 2017-02-22 2021-09-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 소자
KR102306240B1 (ko) * 2017-04-17 2021-09-30 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP6882929B2 (ja) * 2017-05-01 2021-06-02 太陽誘電株式会社 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ
JP6949607B2 (ja) * 2017-07-31 2021-10-13 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP6913619B2 (ja) * 2017-12-12 2021-08-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP7068974B2 (ja) * 2018-09-06 2022-05-17 太陽誘電株式会社 ラダー型フィルタ及びマルチプレクサ
US20210391844A1 (en) * 2018-06-15 2021-12-16 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10992284B2 (en) * 2018-06-15 2021-04-27 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers
JP7278305B2 (ja) * 2018-11-05 2023-05-19 京セラ株式会社 弾性波装置、分波器および通信装置
JP6940012B2 (ja) 2018-12-25 2021-09-22 株式会社村田製作所 フィルタ装置
US11811390B2 (en) * 2019-05-06 2023-11-07 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Resonator devices and methods of fabricating resonator devices
WO2020261808A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
JP7352855B2 (ja) * 2019-08-21 2023-09-29 株式会社村田製作所 分波器
CN110798166A (zh) * 2019-10-11 2020-02-14 天津大学 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备
JP7456799B2 (ja) 2020-02-26 2024-03-27 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
CN111384922A (zh) * 2020-04-09 2020-07-07 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种小型化梯型晶体滤波器
KR102482602B1 (ko) * 2020-08-19 2022-12-29 삼성전기주식회사 음향 공진기 필터
WO2023085189A1 (ja) * 2021-11-09 2023-05-19 株式会社村田製作所 フィルタ装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068784A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2000196409A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
KR20030097668A (ko) * 2002-06-19 2003-12-31 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 필터, 분파기, 통신기
JP2004007094A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Kyocera Corp 弾性表面波装置
JP2005045475A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
JP2008074212A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nippon Plast Co Ltd 自動車のフェンダープロテクタ
CN101166020A (zh) * 2006-10-17 2008-04-23 富士通媒体部品株式会社 梯型滤波器
WO2010146826A1 (ja) * 2009-06-18 2010-12-23 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたデュプレクサ

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632909A (en) * 1995-06-19 1997-05-27 Motorola, Inc. Filter
US6201457B1 (en) * 1998-11-18 2001-03-13 Cts Corporation Notch filter incorporating saw devices and a delay line
US6570470B2 (en) * 2000-06-30 2003-05-27 Kyocera Corporation Surface acoustic wave ladder filter utilizing parallel resonators with different resonant frequencies
JP2002232264A (ja) * 2000-11-30 2002-08-16 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP3414384B2 (ja) * 2001-01-12 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置
EP1249934B1 (en) * 2001-04-09 2013-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and communications unit
JP4056762B2 (ja) * 2002-02-25 2008-03-05 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
JP3844725B2 (ja) * 2002-09-30 2006-11-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタ、それを有する弾性表面波分波器
KR101027002B1 (ko) * 2002-12-25 2011-04-11 파나소닉 주식회사 전자부품 및 이 전자부품을 이용한 전자기기
JP4273935B2 (ja) * 2003-01-24 2009-06-03 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP4333673B2 (ja) * 2004-02-06 2009-09-16 パナソニック株式会社 アンテナ共用器
US7327205B2 (en) * 2004-03-12 2008-02-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Demultiplexer and surface acoustic wave filter
DE102004037819B4 (de) * 2004-08-04 2021-12-16 Snaptrack, Inc. Elektroakustisches Bauelement mit geringen Verlusten
CN1825759B (zh) * 2005-02-24 2011-11-16 京瓷株式会社 声表面波元件、分波器和通信设备
US20080116993A1 (en) * 2005-02-28 2008-05-22 Takehiko Yamakawa Piezoelectric Filter, and Duplexer and Communications Apparatus Using the Same
DE102005045372B4 (de) * 2005-09-22 2021-08-19 Snaptrack, Inc. Bauelement mit mindestens einem mit akustischen Wellen arbeitenden Filter
CN101356730B (zh) * 2006-02-13 2011-02-16 株式会社村田制作所 Saw滤波器装置
JP4917396B2 (ja) * 2006-09-25 2012-04-18 太陽誘電株式会社 フィルタおよび分波器
JP2008131128A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、およびそれらの製造方法
WO2009119007A1 (ja) * 2008-03-27 2009-10-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
CN102077465B (zh) * 2008-06-30 2013-06-12 株式会社村田制作所 带阻滤波器
CN104734662B (zh) * 2009-04-22 2017-09-22 天工滤波方案日本有限公司 弹性波元件和使用它的电子设备
CN104467729B (zh) 2009-11-02 2018-08-03 天工滤波方案日本有限公司 弹性波元件、和其使用的双工器及电子设备
WO2012176455A1 (ja) * 2011-06-23 2012-12-27 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたアンテナ共用器

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000068784A (ja) * 1998-08-25 2000-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2000196409A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタ
JP2004007094A (ja) * 2002-05-30 2004-01-08 Kyocera Corp 弾性表面波装置
KR20030097668A (ko) * 2002-06-19 2003-12-31 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 필터, 분파기, 통신기
JP2005045475A (ja) * 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
JP2008074212A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nippon Plast Co Ltd 自動車のフェンダープロテクタ
CN101166020A (zh) * 2006-10-17 2008-04-23 富士通媒体部品株式会社 梯型滤波器
WO2010146826A1 (ja) * 2009-06-18 2010-12-23 パナソニック株式会社 ラダー型弾性波フィルタ及びこれを用いたデュプレクサ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R.TAKAYAMA: "US-PCS SAW Duplexer using high-Q SAW resonator with SiO2 coat for stabilizing temperature characteristics", 《2004 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS AND FERROELECTRICS AND FREQUENCY CONTROL JOINT 50TH ANNIVERSARY CONFERENCE》 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106788314A (zh) * 2015-11-19 2017-05-31 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及多工器
CN106788314B (zh) * 2015-11-19 2019-12-24 株式会社村田制作所 弹性波装置、双工器以及多工器
CN109661777A (zh) * 2016-09-02 2019-04-19 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
CN109661777B (zh) * 2016-09-02 2023-05-16 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
CN109863695A (zh) * 2016-10-28 2019-06-07 株式会社村田制作所 梯型滤波器、双工器以及弹性波滤波器装置
CN109863695B (zh) * 2016-10-28 2024-03-12 株式会社村田制作所 梯型滤波器、双工器以及弹性波滤波器装置
CN112600532A (zh) * 2016-11-25 2021-04-02 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置
CN109039298A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 开元通信技术（厦门）有限公司 声表面波器件及其制作方法
CN109039298B (zh) * 2018-07-27 2022-06-24 开元通信技术（厦门）有限公司 声表面波器件及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012176455A1 (ja) 2012-12-27
JPWO2012176455A1 (ja) 2015-02-23
CN103004085B (zh) 2015-04-15
US9819329B2 (en) 2017-11-14
CN104702239B (zh) 2017-09-22
US20130162368A1 (en) 2013-06-27
CN103004085A (zh) 2013-03-27
US9203376B2 (en) 2015-12-01
JP5182459B2 (ja) 2013-04-17
HK1207482A1 (zh) 2016-01-29
US20160056793A1 (en) 2016-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103004085B (zh) 梯型弹性波滤波器及使用该弹性波滤波器的天线双工器
US9124243B2 (en) Surface acoustic wave filter device
US9294071B2 (en) Antenna duplexer
CN104641555B (zh) 弹性波器件和使用弹性波器件的天线双工器
US7573178B2 (en) Acoustic wave device, resonator and filter
JP5569621B2 (ja) アンテナ共用器およびラダー型フィルタとそれを搭載した電子機器
WO2013080461A1 (ja) ラダー型弾性波フィルタと、これを用いたアンテナ共用器
JP4407696B2 (ja) 弾性表面波装置
CN102652395B (zh) 天线共用器
US7812688B2 (en) Surface acoustic wave filter, boundary acoustic wave filter, and antenna duplexer using same
JP2012175315A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JP7278305B2 (ja) 弾性波装置、分波器および通信装置
WO2019031202A1 (ja) 弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN102204094A (zh) 弹性波元件及使用了该弹性波元件的电子设备
JPWO2018092511A1 (ja) 弾性表面波フィルタおよびマルチプレクサ
JP5810113B2 (ja) 弾性波共振器とこれを用いた弾性波フィルタおよびアンテナ共用器
Inoue et al. Ultra-steep cut-off double mode SAW filter and its application to a PCS duplexer
JP4548305B2 (ja) 二重モード弾性表面波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1207482

Country of ref document: HK

CB02 Change of applicant information

Address after: Osaka Japan

Applicant after: Japan Industrial Co., Ltd.

Address before: Osaka Japan

Applicant before: PANASONIC CORPORATION

COR Change of bibliographic data
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1207482

Country of ref document: HK