KR20030097668A

KR20030097668A - 탄성 표면파 필터, 분파기, 통신기

Info

Publication number: KR20030097668A
Application number: KR10-2003-0039400A
Authority: KR
Inventors: 다카타도시아키
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2002-06-19
Filing date: 2003-06-18
Publication date: 2003-12-31
Also published as: ATE535056T1; CN1474625A; JP2004023611A; KR100567965B1; JP3896907B2; EP1376865A2; US6933803B2; KR100688885B1; EP1376865A3; US20040027213A1; EP1376865B1; CN1253042C; KR20060026931A

Abstract

본 발명은 반사특성이 양호하고 저손실이며, 감쇠특성이 우수한 탄성 표면파 필터를 제공한다. 압전성 기판 상에 형성된 각 빗형 전극을 조합시켜서 이루어지는 1-포트 탄성 표면파 공진자를, 복수개 사다리형으로 배치한다. 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 직렬 공진자(111a∼111c)의 전부에 시닝을 실시한다. 직렬 공진자(111a∼111c)의 적어도 하나의 빗형 전극을 다른 직렬 공진자의 빗형 전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지도록 형성한다.

Description

탄성 표면파 필터, 분파기, 통신기{Surface acoustic wave filter, branching filter, and communication apparatus}

본 발명은 대역 필터로서 이용되는 탄성 표면파 필터에 관한 것이고, 보다 상세하게는, 1-포트 탄성 표면파 공진자를, 복수개 사다리형으로 배치하여 이루어지는 탄성 표면파 필터, 분파기, 통신기에 관한 것이다.

최근, 휴대전화 등의 통신기의 고주파수(RF, 특히 GHz대 이상) 단에 사용되는 필터로, 1-포트 탄성 표면파 공진자를 이용한 탄성 표면파 필터가 개발되어 왔다. 상기 탄성 표면파 필터는 소형이며 경량이고, 내진동성이나 내충격성이 우수하고, 제품의 편차가 적어 신뢰성이 풍부하여, 회로의 무조정화를 도모할 수 있기 때문에 실장의 자동화, 간략화를 꾀할 수 있고, 게다가, 고주파화를 도모하더라도 제조가 용이하다는 우수한 각 특성을 가지고 있다.

또한, 상기 1-포트 탄성 표면파 공진자는, 도시하지 않지만, 압전체 기판 상에, 한 쌍의 각 빗형전극(이하, IDT전극이라고 함)으로 이루어지는 인터디지털 드랜스듀서(이하, IDT라고 약칭함); IDT를 좌우(탄성 표면파(이하, SAW라고 함)의 전파방향)로부터 끼우는 2개의 반사기;를 SAW의 전파방향을 따라 가지는 것이다.

상기 IDT는 알루미늄 등의 금속박막에 의해 형성되어 있고, 입력한 전기신호(교류)를 SAW(탄성 에너지)로 변환해서 압전체 기판 상에 전파시키고, 전파한 SAW를 전기신호로 변환해서 출력하는 SAW변환부로서 기능하는 것이다. 상기 반사기는 전파해 온 SAW를 전파해 온 방향으로 반사하는 기능을 가지는 것이다.

이러한 IDT에서는, 각 IDT전극의 각 전극지의 길이나 폭, 인접하는 각 전극지의 간격, 서로의 전극지간에서의 뒤얽힌 상태의 대면길이를 나타내는 교차폭을, 각각 설정함으로써 신호변환특성이나, 통과영역의 설정이 각각 가능하게 되어 있다. 또한, 반사기에 있어서는, 각 반사기 전극지의 폭이나 간격을 조정함으로써 반사특성의 설정이 가능하게 되어 있다.

상기와 같은 탄성 표면파 필터로서는 1-포트 탄성 표면파 공진자를 직렬암, 병렬암과 교대로 배치되어 이루어지는, 사다리(래더)형의 밴드패스필터가 일본국 특허 공개공보 평5-183380호에 개시되어 있다.

상기 공보에 나타낸 구성의 사다리형 필터는, 제1의 1-포트 탄성 표면파 공진자를 직렬로, 제2의 1-포트 탄성 표면파 공진자를 병렬로 접속하고, 병렬공진자의 반공진주파수와 직렬공진자의 공진주파수를 실질적으로 일치시킴으로써, 저손실이며 광대역이라는, 필터로서 사용하는데 대단히 양호한 특성을 얻을 수 있기 때문에, 주로 통신기용 필터 등에 폭넓게 이용되어 왔다.

또한, 상기 공보에서는 직렬공진자 또는 병렬공진자에 직렬의 인덕턴스를 부가하여, 광대역인 필터 특성을 얻을 수 있다고 기재되어 있다.

그러나, 필터 특성으로서는 일반적으로 광대역화뿐만 아니라, 양호한 반사특성이나 통과영역 근방에 있어서의 급준한 감쇠특성이 요구되고 있다. 또한, 도 23에 나타낸 것과 같은 GSM1900의 Rx용 RF필터로 대표되는 바와 같이, 통과영역 양측 근방에 감쇠영역이 존재하는 경우, 근방에 있어서의 급준한 감쇠특성뿐만 아니라, 적절한 통과영역 폭으로 조정할 필요가 있다.

적절한 통과영역 폭으로 조정하고, 통과영역 외의 근방에 있어서의 급준한 감쇠특성을 얻는 수법으로서, 시닝(thinning) 전극을 적용하는 방법이 알려져 있다. 시닝 전극이란 전극지의 일부에 전계가 가해지지 않도록, 예를 들면 일부의 전극지를 없애거나(도 24 참조), 전극지의 극성을 반전시키거나 하는(도 25참조) 구조를 가지는 IDT전극을 말한다.

일본국 특허 공개공보 평11-163664호(공개일: 1999년 6월 18일)에는, 주기적으로 시닝된 IDT전극을 이용한 탄성 표면파 필터가 나타나 있고, 그 실시예 로서 사다리형 필터가 개시되어 있다. 도 26에 나타낸 바와 같이, IDT전극에 시닝을 실시하면, 반공진주파수가 공진주파수에 가까운 측으로 변화되어, 공진주파수와 반공진주파수의 간격△f를 작게 할 수 있다. 이것을 사다리형 필터에 적용하면, 상기 공보의 도 6에 나타낸 바와 같이, 통과영역 근방의 급준성을 개선하여 통과영역 폭을 감소시켜서 자유자재로 조정할 수 있다.

또한, 일본국 특허 공표 2001-500697호(공표일: 2001년 1월 16일)에도, 동일한 효과를 가지는 사다리형 필터가 개시되어 있다.

더욱이, 일본국 특허 공개공보 평9-153753호(공개일: 1997년 6월 10일)에는, 발형상 전극(IDT전극)의 컨덕턴스가 소망의 주파수대역에서 작은 값이 되도록 웨이팅(weighting)이 실시되고, 또한 전극 피치를 바꿈으로써 적당한 감쇠영역의 대역폭을 확보하는 수법이 개시되어 있다. 이 수법을 이용함으로써, 통과영역 외의 감쇠가 급준하며 감쇠영역의 대역폭이 넓은 필터 특성을 얻을 수 있다. 한편, 일본국 특허 공개공보 평9-153753호에는 발형상 전극에 대하여 시닝을 실시하는 것에 대해서 아무런 개시도 시사도 되어 있지 않다.

그러나, 시닝된 IDT전극을 구비한 1-포트 탄성 표면파 공진자를 사다리형 필터에 적용하면, 통과영역 근방의 감쇠영역의 감쇠특성이 급등하여, 주파수 특성이 악화한다는 불량이 생긴다.

이 이유는, 일본국 특허 공개공보 평11-163664호에 기재된 도 6의 특성변화에 의해, 직렬공진자에 있어서는 반공진주파수보다 고주파측 근방의 임피던스 특성이 작아진다는 점으로부터, 또한 병렬공진자에 있어서는 공진주파수보다 저주파측 근방의 임피던스 특성이 커지므로, 감쇠영역에 해당하는 주파수 범위의 임피던스 특성이 변화되기 때문이다.

도 27에, 직렬공진자만을 전부 동일한 시닝율로 시닝하고, 시닝율을 여러가지로 바꾸고, 통과영역과 감쇠영역의 주파수를 맞추기 위해서 전체의 전극 피치를 바꾸어서 중심주파수를 조정한, Tx용 필터에 있어서의 전기적인 주파수 특성의 각 예를 나타낸다. 시닝율이란 IDT전극의 대수에 대하여, 어느 정도의 비율로 시닝했는지를 나타내는 값이다.

도 27에 나타낸 바와 같이, 시닝율을 크게 하면 할수록, 주파수 특성이 악화된다고 하는, 전술의 경향은 현저하게 나타난다. 따라서, 시닝 전극을 적용해서 급준성을 개선했다고 하여도, 근방의 감쇠특성의 급등에 의해, 감쇠영역 전체로서 보았을 경우의 감쇠특성은 오히려 악화하게 된다.

일본국 특허 공개공보 평9-153753호의 수법에서는, 웨이팅을 실시한 전극뿐만 아니라, 또한 전극 피치를 다르게 함으로써, 상기에서 말하는 감쇠특성의 급등을 억제해서 개선할 수 있다.

그러나, 일본국 특허 공개공보 평9-153753호에서는 시닝 전극을 사용한 구조가 개시되어 있지 않고, 어포다이즈(apodize)법을 이용한 전극이 개시되어 있을 뿐으로 본원과 구성이 다르다. 어포다이즈법에서는, 시닝 전극에 비하여 전극면적이커지는 디메리트가 생기기 때문에, 시닝 전극을 적용한 경우에 비하여 소자의 소형화에 공헌할 수 없다.

예를 들면, 직렬공진자에 있어서, 단순하게 전부 동일한 값으로 시닝을 행하면, 도 27에 나타낸 바와 같이 급준성은 개선되지만 감쇠영역의 급등이 심해진다고 하는 문제가 있었다.

이에 대하여 전극 피치의 최적화를 가하면, 감쇠영역의 급등은 개선되지만, 반사특성이 악화되어 버린다. 따라서, 종래의 구조에서는 반사특성, 감쇠특성 둘다 최적화하여 개선하는 것은 곤란하였다.

본 발명의 목적은 전극 피치뿐만 아니라 시닝율도 다르게 하여, 반사특성·감쇠특성 둘다 개선할 수 있는 탄성 표면파 필터를 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 회로도이다.

도 2는 상기 탄성 표면파 필터의 개략구성도이다.

도 3은 상기 탄성 표면파 필터를 패키지에 수납한 단면도이다.

도 4는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품(試作品) A1, B1, C1에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 5는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A1, B1, C1에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 6은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A1, D1에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 7은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A1, D1에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 8은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 B1, C1, E1에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 9는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 B1, C1, E1에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 10은 비교예에 있어서의, 각 공진자의 미스매치의 모양을 나타내기 위한, 각 공진자에 있어서의, 임피던스의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.

도 11은 상기 제 1 실시형태에 있어서의, 각 공진자의 미스매치를 감소시킨 경우의, 각 공진자에 있어서의, 임피던스의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.

도 12는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 회로도이다.

도 13은 상기 탄성 표면파 필터의 개략구성도이다.

도 14는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A2, B2, C2에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 15는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A2, B2, C2에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 16은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A2, D2에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 17은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 A2, D2에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 18은 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 B2, C2, E2에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 19는 상기 탄성 표면파 필터에 따른 각 시작품 B2, C2, E2에 있어서의, S11의 VSWR의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 20은 비교예에 있어서의, 각 공진자의 미스매치의 모양을 나타내기 위한, 각 공진자에 있어서의, 임피던스의 주파수 특성을 나타내는 그래프이다.

도 21은 본 발명의 탄성 표면파 필터를 탑재한 분파기의 회로 블록도이다.

도 22는 본 발명의 탄성 표면파 필터를 탑재한 통신기의 회로 블록도이다.

도 23은 종래의 탄성 표면파 필터에 있어서의, 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

도 24는 종래의 탄성 표면파 필터에 있어서의, 시닝 전극의 일예를 나타내는 IDT의 개략구성도이다.

도 25는 종래의 탄성 표면파 필터에 있어서의, 시닝 전극의 다른 예를 나타내는 IDT의 개략구성도이다.

도 26은 종래의 탄성 표면파 필터에 있어서, 시닝에 의한, 임피던스의 주파수 특성의 변화예를 나타내는 그래프이다.

도 27은 종래의 탄성 표면파 필터에 있어서, 시닝율을 각각 바꾸었을 때의 삽입손실의 주파수 특성을 각각 나타내는 그래프이다.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>

111a∼111c 직렬공진자112a, 112b 병렬공진자

113a 입력단자113b 출력단자

본 발명의 탄성 표면파 필터는 이상의 과제를 해결하기 위해서, 압전성 기판 상에 형성된 각 IDT전극을 조합시켜서 이루어지는 1-포트 탄성 표면파 공진자가, 복수개 사다리형으로 배치되어 있는 탄성 표면파 필터로서, 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 직렬공진자의 적어도 하나에, 보다 바람직하게는 전부에 시닝이 실시되어 있고, 상기 직렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 직렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.

상기 탄성 표면파 필터에서는, 상기 직렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 직렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것이 바람직하다.

상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 입출력측에 접속되는 1-포트 탄성 표면파 공진자는 직렬공진자인 T자형 구성이 사다리형으로서 이용되고, 입출력측 이외에 접속되는 적어도 하나의 직렬공진자가 다른 직렬공진자에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지고 있어도 좋다.

상기 탄성 표면파 필터에서는, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 상기 직렬공진자는, 다른 직렬공진자에 비하여 시닝율을 크게 하고, 또한 전극 피치를 작게 해도 좋다.

상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 통과영역의 고주파측 근방에 있어서의 통과영역 외의 감쇠량을 필요로 하는 송신용 필터인 것이 바람직하다.

상기 구성에 따르면, 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 직렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있고, 상기 직렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 직렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지도록 설정하여, 시닝에 의해 감쇠특성, 특히 고주파측의 통과영역 외의 감쇠특성을 개선할 수 있는 동시에, 피치를 다르게 함으로써, 상기 감쇠영역의 급등을 억제할 수 있다.

본 발명의 다른 탄성 표면파 필터는, 이상의 과제를 해결하기 위해서, 압전성 기판 상에 형성된 각 IDT전극을 조합시켜서 이루어지는 1-포트 탄성 표면파 공진자가, 복수개 사다리형으로 배치되어 있는 탄성 표면파 필터로서, 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 병렬공진자의 적어도 하나에, 보다 바람직하게는 전부에 시닝이 실시되어 있고, 상기 병렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 병렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.

상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 병렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 병렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것이 바람직하다.

상기 탄성 표면파 필터에서는, 입출력측에 접속되는 1-포트 탄성 표면파 공진자는 병렬공진자인 π자형 구성이 사다리형으로서 이용되고, 입출력측 이외에 접속되는 적어도 하나의 병렬공진자가 다른 병렬공진자에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지고 있어도 좋다.

상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 통과영역의 저주파측 근방에 있어서의 통과영역 외의 감쇠량을 필요로 하는 수신용 필터인 것이 바람직하다.

상기 구성에 따르면, 병렬공진자에 있어서, 적어도 하나의 1-포트 탄성 표면파 공진자의 IDT에 시닝을 실시했을 때에, 전극 피치와 시닝율을 다르게 함으로써, 통과영역 근방(특히 저주파수측)의 통과영역 외의 급준한 감쇠성과 감쇠영역의 감쇠특성, 및 반사특성까지 균형있게 개선되어, 상기 종래예에 있어서의 불량을 모두 해소할 수 있고, 종래에 비해서 반사특성이 양호하고 저손실이며, 저지 억압도가 높은 소형의 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.

본 발명의 분파기는 상기에 기재된 것 중 어느 하나의 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하고 있다.

본 발명의 통신기는 상기에 기재된 것 중 어느 하나의 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하고 있다.

<발명의 실시형태>

본 발명에 따른 탄성 표면파 필터의 각 실시형태에 대해서 도 1∼도 20에 기초하여 설명하면 이하와 같다.

(제 1 실시형태)

제 1 실시형태의 탄성 표면파 필터로서, 사다리형 필터를 적용한, 통과영역의 중심주파수가 1441MHz대인 Tx용 필터에 대해서 나타낸다. 상기 탄성 표면파 필터는 도 1의 회로도, 및 도 2의 개략구성도에 나타낸 바와 같이, 압전기판(110)상에 각 직렬공진자(111a∼111c)와, 각 병렬공진자(112a, 112b)를 사다리형으로 배치해서 가지고 있다.

각 직렬공진자(111a∼111c) 및 각 병렬공진자(112a, 112b)는 그들의 각 탄성 표면파의 전파방향이 서로 실질적으로 평행이 되도록 배치되어 있는 것이, 소형화가 가능하다는 점에서 바람직하다.

또한, 각 직렬공진자(111a∼111c)는 입력단자(113a)와 출력단자(113b)의 사이에 서로 직렬로 접속되고, 또한, 각 직렬공진자(111a∼111c)의 각 탄성 표면파의 전파방향으로 대하여 실질적으로 직교하는 방향으로 나란히 배치되어 있다.

한편, 각 병렬공진자(112a, 112b)는 각 직렬공진자(111a∼111c)간과 어스(접지전위)와의 사이에 각각 접속되고, 또한, 각 병렬공진자(112a, 112b)의 각 탄성 표면파의 전파방향에 대하여 실질적으로 직교하는 방향으로 늘어서서, 게다가, 각직렬공진자(111a∼111c)의 각 탄성 표면파에 있어서의 전파방향의 각 연장선상과는 상이하는, 상기 각 연장선의 사이가 되도록 늘어서서 배치되어 있다.

상기 탄성 표면파 필터는, 입력단자(113a)측은 직렬공진자(111a)에서 시작되고, 출력단자(113b)측은 직렬공진자(111c)에서 끝나 있어, T자형 구성이 되어 있다.

이 명세서에서는, 입출력측이 둘다 직렬공진자로 시작되는 구성이라면, 그들의 사이의 직렬·병렬공진자의 조합은 어떤 구성이라도 되고, T자형 구성이라고 부르기로 한다. 이 제 1 실시형태에 있어서는, 36°Ycut X전파 LiTaO₃로 이루어지는 압전기판(110)상에 각 직렬공진자(111a, 111b, 111c)의 3소자와 각 병렬공진자(112a, 112b)의 2소자를, 포토리소그래피 공정 및 리프트 오프 공정에 의해 형성하고 있다.

각 직렬공진자(111a, 111c)는 교차폭이 30㎛, 시닝된 전극지를 제외하는 IDT전극의 유효대수가 200쌍, 반사기의 리플렉터(반사기 전극지) 개수가 100개이며，둘다 동일한 구조를 하고 있다. 한편, 직렬공진자(111b)는 교차폭이 15㎛, IDT전극의 유효대수가 200쌍, 반사기의 리플렉터 개수가 100개로 설정되어 있다.

또한, 각 병렬공진자(112a, 112b)는 교차폭이 30㎛, IDT전극의 대수가 200쌍, 반사기의 리플렉터 개수가 100개이며，둘다 동일한 구조로 설정되어 있다. 3개의 소자가 있는 모든 직렬공진자(111a∼111c)의 IDT전극에는 시닝이 실시되어 있다.

시닝 전극의 구조로 있어서는, 도 25에 나타낸 극성을 반전시키는 방법을 이용하고, 주기적으로 등간격으로 시닝하는 것이 아니고, IDT전극에 있어서 좌측에서 우측으로 갈수록(각 병렬공진자(112a, 112b)로부터 떨어질수록) 시닝 비율을 순차적으로 많아지도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.

각 입출력 단자(113a, 113b)는 각각 실질적으로 직사각형 판 형상의 패드 형상으로 형성되고, 각 병렬공진자(112a, 112b)에 접속되는 각 어스 단자(114a, 114b)도, 각각 실질적으로 직사각형 판 형상의 패드 형상으로 형성되어 있다. 도 3에 나타낸 바와 같이 패키지(115)와의 전기적 도통에는, 각 본딩와이어(116)에 의한 접속이 이용되고 있다.

또한, 직렬공진자(111a∼111c)의 시닝율과 전극 피치의 관계를 표 1 및 표 2에 나타낸다. 시닝율과 전극 피치를 다르게 한 것을 시작품(試作品) A1(본 발명의 범위내), 시닝율을 전부 동일하게 하고 전극 피치를 다르게 한 것을 시작품 B1(본 발명의 범위내), 시작품 B1과는 전극 피치만이 다른 것을 시작품 C1(본 발명의 범위내), 전극 피치는 전부 동일하게 하고 시닝율만을 다르게 한 것을 시작품 D1(제 1 비교예), 전극 피치·시닝율 둘다 동일하게 한 것을 시작품 E1(제 2 비교예)이라고 한다.

	시작품 A1	시작품 B1	시작품 C1
시닝율	(111a, 111c) 5.20%	(111a, 111c) 5.20%	(111a, 111c) 5.20%
시닝율	(111b) 12.70%	(111b) 5.20%	(111b) 5.20%
전극피치	(111a, 111c) 1.3657㎛	(111a, 111c) 1.3657㎛	(111a, 111c) 1.3657㎛
전극피치	(111b) 1.3484㎛	(111b) 1.3484㎛	(111b) 1.3575㎛

	시작품 D1	시작품 E1
시닝율	(111a, 111c) 5.20%	(111a, 111c) 5.20%
시닝율	(111b) 12.70%	(111b) 5.20%
전극 피치	(111a, 111c) 1.3657㎛	(111a, 111c) 1.3657㎛
전극 피치	(111b) 1.3657㎛	(111b) 1.3657㎛

시작품 A1에서는 감쇠특성 및 반사특성(VSWR (Voltage Standing Wave Ratio, 전압 정상파 비))이 양쪽 다 좋아지도록 시닝율·전극 피치가 최적화되어 있는데 대하여, 시작품 B1에서는 반사특성이 좋아지도록 시닝율을 동일하게 하고 전극 피치만을 최적화하고, 시작품 C1에서는 감쇠특성이 좋아지도록 시닝율을 동일하게 하고 전극 피치만을 최적화하고 있다. 시작품 D1은 전극 피치를 동일하게 하고 시닝율을 다르게 한 제 1 비교예이다. 시작품 E1은 전극 피치·시닝율 둘다 동일하게 한 제 2 비교예이다.

상기 각 시작품 A1∼E1의 각 전기적 특성을 도 4∼도 9에 각각 나타낸다. 도 6 및 도 7에는, 전극 피치를 동일하게 하고 시닝율만을 다르게 한 시작품 D1의 비교 데이타를 참고로 나타낸다. 도 6 및 도 7로부터 명확한 바와 같이, 시작품 A1과 시작품 D1를 비교하면, 시작품 D1은 시작품 A1보다 통과영역이 좁고, 감쇠영역의 급등도 크고, 반사특성(VSWR)도 나빠지고 있다. 따라서, 전극 피치를 바꾸는 것의 유효성을 알 수 있다.

도 8 및 도 9로부터 명확한 바와 같이, 종래 구성에 준한 시작품 E1과 비교하여, 전극 피치를 다르게 한 시작품 B1, C1의 쪽이 통과영역의 반사특성이 양호한 필터 특성을 나타내고 있다는 것을 알 수 있다. 이와 같이, 전극 피치를 다르게 한 본원의 구성을 이용함으로써, 시닝을 실시하여 급준성을 높인 채로, 반사특성의 개선이 가능해진다.

도 4 및 도 5에서는 시작품 A1과 시작품 B1, C1과의 비교결과를 각각 나타냈다. 시작품 A1에서는 통과영역 고주파측 근방의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성 둘다 양호한 필터 특성을 나타내고 있는데 대하여, 각 시작품 B1, C1에서는 감쇠특성·반사특성 중 어느 하나가 시작품 A1에 비하여 뒤떨어진다.

이 이유로서, 직렬공진자에 있어서, 반사특성을 변화시키는 요인의 하나로서 각 공진자의 공진주파수의 차이가 있고, 또한 감쇠특성을 변화시키는 요인의 하나로서 각 공진자의 반공진주파수의 차이가 있기 때문에, 시작품 A1에서는 공진주파수의 차이는 전극 피치의 차이로, 반공진주파수의 차이는 시닝율의 차이로 최적화하여, 감쇠특성·반사특성 둘다 양호한 특성을 얻을 수 있다.

한편, 시작품 B1, C1에서는, 각 공진자의 공진주파수와 반공진주파수 중 어느 하나의 차이만 최적화할 수 있기 때문에, 감쇠특성·반사특성 중 어느 하나가 악화되게 된다.

일반적으로, 적당한 감쇠영역의 대역폭을 확보하기 위한 각 공진자에 있어서의 전극 피치의 차이의 최적값과, 반사특성이 가장 좋아질 때의 각 공진자에 있어서의 전극 피치의 차이의 최적값이 다르기 때문에, 어느쪽인가를 우선하지 않으면 안되고, 감쇠영역의 대역폭 및 반사특성을 양쪽 모두 최적화하여 좋게 하기 위해서는 전극 피치뿐만 아니라 시닝율도 다르게 하는 것이 필요하다.

여기에서, 본 실시형태에 있어서 T자형 구조를 적용하고, 가운데의 직렬공진자(111b)를 다르게 한 것은 이하의 이유에 따른다. 사다리형 필터에서는 각 공진자를 종속접속할 때에, 일본국 특허 공개공보 평5-183380호에 나타나 있는 바와 같이직렬공진자·병렬공진자의 조합을 1단위로 하면, 그 단위를 기본으로 하여 종속접속으로 단수를 늘려 가는 것이 일반적인 설계수법이다.

따라서, 입출력측에 직렬공진자를 배속해서 이루어지는 T자형 구조에 있어서는, 입출력측에 접속한 직렬공진자보다도, 그 이외의 직렬공진자 쪽이 대수·교차폭으로 결정되는 등가적인 용량이 작아져, 그 용량에 의존하고 있는 감쇠특성의 효과가 보다 커짐으로써, 입출력측의 각 직렬공진자 이외의, 상기에서는 가운데의 직렬공진자(111b)를 다르게 하는 것이, 가장 본원의 효과를 발휘하기 쉽게 하는 구성이라고 할 수 있다.

다음으로, 다른 직렬공진자(111a, 111c)와 비교하여, 직렬공진자(111b)에 있어서의, 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 한 것은 이하의 이유에 따른다. 가운데의 직렬공진자(111b)는 전술한 바와 같이, 입출력측에 접속한 각 직렬공진자(111a, 111c)보다도 등가적인 용량이 작다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 용량이 다른 공진자를 사용하면, 공진주파수와 반공진주파수 사이의 임피던스 특성에 미스매치(mismatch)가 생긴다.

그래서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 그 미스매치를 없애도록 전극 피치를 작게 하여 주파수를 높이면, 그 범위에 있어서 반사특성이 양호해진다. 그러나 그 때, 주파수를 높게 하여 반공진주파수의 차이가 크게 퍼져서 감쇠특성이 악화하기 때문에, 시닝율을 크게 하여 반공진주파수의 차이를 적절한 값으로까지 작게 할 수 있어 , 감쇠특성의 개선을 도모할 수 있다.

따라서, 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 하는 것이, 가장 본원의 효과를 발휘하기 쉽게 하는 구성이라고 할 수 있다. 특히 본 실시형태에 따른 구성에서는, 전극 피치를 0.975배(보다 바람직하게는, 하한치가 0.980배, 상한치가 0.995배)까지 작게 하고, 시닝율을 2.7배(보다 바람직하게는, 하한치가 2.0배, 상한치가 2.5배)까지 크게 하는 범위에서 효과가 현저하게 나타났다.

또한, 그 때에 가운데의 직렬공진자의 용량을 작게 하면 할수록, 감쇠특성은 개선되지만 미스매치가 커져서 반사특성은 보다 악화한다. 그 때에, 본원의 구성을 적용해서 종래의 것에 비하여 보다 크게 반사특성이 개선되고 감쇠영역에 있어서의 영향을 막아, 양호한 필터 특성을 얻을 수 있다.

더욱이, 본 실시형태에 따른 시닝의 구성은 상기에 한정되지 않고, 도 22와 같은 구조여도 좋고, 그밖에 전극지의 일부에 전계가 가해지지 않는 구조라면, 어떤 구조라도 좋다. 또한 시닝 부분도, 주기적, 변칙적을 막론하고, IDT전극이라면 어느 범위를 시닝해도 좋지만, 전술한 구성이 바람직하다.

압전기판은 36°Ycut X전파 LiTaO₃기판을 이용한 예를 들었지만, 압전기판의 종류에 의존하지 않고, 38°∼46°Ycut X전파 LiTaO₃기판이나 64°∼72°LiNbO₃기판이라는 다른 압전기판이어도 좋다.

전극 형성방법도, 리프트 오프 공정이 아니라 에칭 공정이어도 좋고, 형성법에 관계되지 않는다. 또한, 와이어 본드뿐만 아니라 플립칩 본딩 등의 다른 실장방법이라도 본원의 수법을 적용할 수 있다는 것은 명백하다.

상술한 바와 같이 사다리형의 탄성 표면파 필터에 있어서, 모든 직렬공진자에 시닝을 실시하고, 게다가 적어도 하나의 직렬공진자의 전극 피치를 다른 직렬공진자와 다르게 함으로써, 급준성을 향상시킨 채 통과영역의 반사특성을 개선할 수 있다. 또한, 시닝율도 다르게 하여, 통과영역 고주파측 근방의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성을 균형있게 개선할 수 있다. 따라서, 종래에 비하여 반사특성이 양호하고 저손실이며, 저지 억압도가 높은(감압 특성이 우수한), 소형의 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.

게다가, 그 때에 입출력 단자측에 직렬공진자가 각각 접속된 T자형 구조를 적용하고, 입출력 이외의 직렬공진자의 시닝율과 전극 피치를 다른 직렬공진자와 다르게 함으로써, 본원의 효과가 보다 강하게 발휘된다.

또한, 그 때에 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 하여, 본원의 효과가 더욱 강하게 발휘된다.

(제 2 실시형태)

본 발명의 탄성 표면파 필터에 있어서의, 제 2 실시형태로서, 사다리형 필터를 적용한 중심주파수가 1489MHz대인 Rx용 필터에 대해서 나타낸다. 도 12에, 제 2 실시형태의 회로도를, 도 13에 압전기판(110)상의 IDT전극의 개략구성도를 나타낸다. 상기 탄성 표면파 필터는, 각 병렬공진자(212a, 212b, 212c), 및 각 직렬공진자(211a, 211b)를, 전기의 제 1 실시형태에 준한 배치로, 압전기판(110) 상에 가지고 있다.

상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 입력측은 병렬공진자(212a)에서 시작되고, 출력측은 병렬공진자(212c)에서 끝나 있어, π자형 구성이 나타나 있다. 여기에서는, 입출력 단자(213b, 213a) 측에 각 병렬공진자(212a, 212b)가 접속되어 있는 구성이라면, 그들 사이의 직렬·병렬공진자의 조합은 어떠한 구성이라도 좋고, 그것을 π자형 구성이라고 부르기로 한다.

각 병렬공진자(212a, 212c)는 교차폭이 58㎛, IDT전극의 유효대수가 75쌍, 반사기의 리플렉터 개수가 60개이며，둘다 동일한 구조를 하고 있다. 병렬공진자(212b)는 교차폭이 85㎛, IDT전극의 유효대수가 75쌍, 반사기의 리플렉터 개수가 60개이다. 또한, 각 직렬공진자(211a, 211b)는 교차폭이 36㎛, IDT전극의 대수가 50쌍, 반사기의 리플렉터 개수가 60개이며，둘다 동일한 구조를 하고 있다.

3개의 소자가 있는 모든 병렬공진자(212a∼212c)의 각 IDT전극에는 시닝이 각각 실시되어 있다. 또한, 그들의 시닝의 구조에 대해서는, 전술의 제 1 실시형태와 동일하게, 도 25에서 나타낸 극성을 반전시키는 방법을 이용하고, 주기적으로 등간격으로 시닝하는 것이 아니고, IDT전극에 있어서 좌측에서 우측으로 갈수록(각 직렬공진자(211a, 211b)로부터 멀어질수록) 시닝 비율을 순차적으로 많아지도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.

입출력 단자(213a, 213b)는 패드 형상으로, 어스 단자(214a, 214b, 215c)는 패드 형상으로 형성되어 있다. 시닝 방법, 압전기판(110)이나 전극 형성방법, 패키지와의 전기적 도통방법은 모두 전술의 제 1 실시형태와 동일하다.

또한, 시닝율과 전극 피치의 관계를 표 3 및 표 4에 나타낸다. 시닝율과 전극 피치를 둘다 다르게 한 것을 시작품 A2(본 발명의 범위내), 시닝율을 전부 동일하게 하고 전극 피치를 다르게 한 것을 시작품 B2(본 발명의 범위내), B2와는 전극 피치만이 다른 것을 시작품 C2(본 발명의 범위내), 전극 피치는 전부 동일하게 하고 시닝율만을 다르게 한 것을 시작품 D2(제 3 비교예), 전극 피치·시닝율 둘다 동일하게 한 것을 시작품 E2(제 4 비교예)라고 한다.

	시작품 A2	시작품 B2	시작품 C2
시닝율	(212a, 212c) 6.25%	(212a, 212c) 6.25%	(212a, 212c) 6.25%
시닝율	(212b) 9.60%	(212b) 6.25%	(212b) 6.25%
전극 피치	(212a, 212c) 1.3647㎛	(212a, 212c) 1.3647㎛	(212a, 212c) 1.3647㎛
전극 피치	(212b) 1.3573㎛	(212b) 1.3573㎛	(212b) 1.3610㎛

	시작품 D2	시작품 E2
시닝율	(212a, 212c) 6.25%	(212a, 212c) 6.25%
시닝율	(212b) 9.60%	(212b) 6.25%
전극 피치	(212a, 212c) 1.3647㎛	(212a, 212c) 1.3647㎛
전극 피치	(212b) 1.3647㎛	(212b) 1.3647㎛

시작품 A2에서는, 감쇠특성 및 반사특성이 양쪽 다 좋아지도록 시닝율·전극 피치가 최적화되어 있는데 대하여, 시작품 B2에서는 반사특성이 좋아지도록 시닝율을 동일하게 하고 전극 피치만을 최적화하였으며, 시작품 C2에서는 감쇠특성이 좋아지도록 시닝율을 동일하게 하고 전극 피치만을 최적화하고 있다. 시작품 D2는 전극 피치를 동일하게 하고 시닝율을 다르게 한 제 3 비교예이다. 시작품 E2는 전극 피치·시닝율 둘다 동일하게 한 종래 구성에 준한 제 4 비교예이다.

상기 각 시작품 A2∼E2의 각 전기적 특성을 도 14∼도 19에 각각 나타낸다. 도 16 및 도 17에는, 전극 피치를 동일하게 하고 시닝율만을 다르게 한 시작품 D2의 비교 데이타를 참고로 나타낸다. 도 16 및 도 17로부터 명확한 바와 같이, 시작품 A2와 시작품 D2를 비교하면, 시작품 D2는 시작품 A2보다 반사특성(VSWR)도 나빠지고 있다. 따라서, 전극 피치를 바꾸는 것의 유효성을 알 수 있다.

또한, 도 18 및 도 19로부터 명확한 바와 같이, 제 4 비교예의 시작품 E2와 비교하여, 전극 피치를 다르게 한 시작품 B2, C2의 쪽이 통과영역 저주파측 근방의 감쇠특성이 양호한 필터 특성을 나타내고 있다는 것을 알 수 있다.

이와 같이, 전극 피치를 다르게 한 본원의 구성을 이용함으로써, 시닝을 실시하여 급준성을 높인 채, 감쇠특성의 개선이 가능하게 된다.

도 14 및 도 15에서는, 시작품 A2와 시작품 B2, C2의 비교를 나타냈다. 도 14 및 도 15로부터 명확한 바와 같이, 시작품 A2에서는 통과영역 저주파측 근방의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성 둘다 양호한 필터 특성을 나타내고 있는데 대하여, 시작품 B2, C2에서는 감쇠특성·반사특성 중 어느 하나가 시작품 A2와 비교해서 뒤떨어져 있다.

이 이유로서는, 전술의 제 1 실시형태와 동일한 것을 들 수 있다. 즉, 병렬공진자에 있어서, 반사특성을 변화시키는 요인 중 하나로 각 공진자의 반공진주파수의 차이가 있고, 또한 감쇠특성을 변화시키는 요인 중 하나로 각 공진자의 공진주파수의 차이가 있기 때문에, 시작품 A2에서는 공진주파수의 차이는 전극 피치의 차이로, 반공진주파수의 차이는 시닝율의 차이로 최적화하여, 감쇠특성·반사특성 둘다 양호한 특성을 얻을 수 있는 것이다.

여기에서, 제 2 실시형태에 있어서 π자형 구조를 적용하고, 가운데의 병렬공진자(212b)를 다르게 한 이유는, 등가적인 용량이 커지기 때문이며, 제 1 실시형태에서 서술한 이유와 용량의 대소가 다를 뿐, 근본은 동일하다.

다음으로, 병렬공진자(212b)에 있어서의, 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 한 것은 이하의 이유에 따른다. 가운데의 병렬공진자(212b)는 전술한 바와 같이, 입출력 단자(213b, 213a) 측에 접속된 각 병렬공진자(212a, 212c)보다도 등가적인 용량이 크기 때문에, 와이어나 패키지에 기생하는 인덕턴스의 영향을 받기 쉬워진다.

이것은, 도 20에 나타낸 바와 같이, 동일한 값의 인덕턴스를 직렬 접속했을 때, 용량이 다른 공진자에서는 용량이 클수록 공진주파수가 보다 저주파측으로 이행하는 것에 의한다. 그로 인하여, 입출력측과 가운데의 각 병렬공진자에 있어서의 공진주파수의 차이가 크게 퍼지고, 통과영역 저주파측 근방의 감쇠특성은 악화한다. 그 차이를 작게 해서 적절한 값으로 하기 위하여, 가운데의 병렬공진자의 전극 피치를 작게 해서 주파수를 높이면, 감쇠특성은 개선된다.

그러나, 그 때, 주파수를 높게 한 것에 의해 임피던스 특성의 미스매치가 증대하여 반사특성이 악화하기 때문에, 시닝율을 크게 하여 반공진주파수를 고주파측으로 이행시킴으로써, 미스매치를 작게 하여 반사특성의 개선을 도모할 수 있다.

따라서, 입출력 단자(213b, 213a) 측에 접속된 각 병렬공진자(212a, 212c) 이외의, 병렬공진자에 있어서의, 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 하는 것이, 가장 본원의 효과를 발휘하기 쉽게 하는 구성이라고 할 수 있다. 특히 제 2 실시형태에서는, 전극 피치를 0.991배(보다 바람직하게는, 하한치가 0.993배, 상한치가 0.998배)까지 작게 하고, 시닝율을 1.9배(보다 바람직하게는 하한치가 1.3배, 상한치가 1.7배)까지 크게 하는 범위에서 효과가 현저하게 나타났다.

이상과 같이, 사다리형의 탄성 표면파 필터에 있어서, 모든 병렬공진자에 시닝을 실시하고, 게다가 적어도 하나의 병렬공진자의 전극 피치를 다르게 함으로써, 급준성을 향상시킨 채 통과영역 저주파측 근방의 감쇠특성을 개선할 수 있다.

또한, 시닝율도 다르게 함으로써, 통과영역 저주파측 근방의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성을 균형있게 개선할 수 있다. 이에 의해, 종래에 비하여, 반사특성이 양호하고 저손실이며, 저지 억압도가 높은(감쇠특성이 우수한), 소형의 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다.

게다가, 그 때에 입출력측이 병렬공진자로 구성되는 π자형 구조를 적용하고, 입출력 이외의 병렬공진자의 시닝율과 전극 피치를 둘다 다르게 하여, 본원의 효과가 보다 강하게 발휘된다.

게다가, 그 때에 전극 피치를 작게 하고, 시닝율을 크게 하여, 본원의 효과가 더욱 강하게 발휘된다.

더욱이, 상기의 각 실시형태에서는, 공진자의 전부에 대하여 시닝을 실시하고 있지만, 일부의 공진자에 대해서만 시닝을 실시하여도 좋다. 단, 모든 공진자에 시닝을 실시하는 것이, 보다 특성을 개선하기 쉽다.

본 발명에 따른 DPX는 도 21에 나타낸 바와 같이, ANT(안테나)에 접속된 정합회로(52), 정합회로(52)와 송신측 단자(Tx)와의 사이에 형성된 송신측 필터(53), 및 정합회로(52)와 수신측 단자(Rx)와의 사이에 형성된 수신측 필터(54)를 가지고 있다. 송신측 필터(53) 및 수신측 필터(54)는 통과대역이 서로 상이하도록 설정되어 있다.

그리고, 송신측 필터(53)는 상기 제 1 실시형태에 기재된 시작품 A1에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하고, 수신측 필터(54)는 제 2 실시형태에 기재된 시작품 A2에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 송신측 필터(53) 및 수신측 필터(54)의 적어도 하나에, 본 발명의 탄성 표면파 필터를 이용하여, 숄더부의 잘림이 좋은, 양호한 필터 특성을 가지는 DPX로 하는 것이 가능해진다. 숄더부의 잘림이 좋다는 것은, 통과대역 상하단에서, 소정의 감쇠량까지 떨어뜨리는데 필요한 주파수 간격이 작은 것을 의미한다.

다음으로, 상기 각 실시형태에 기재된 탄성 표면파 필터를 탑재한 통신기에 대하여 도 22에 기초하여 설명한다. 상기 통신기(600)는 수신을 행하는 리시버(receiver)측(Rx측)으로서, 안테나(601), 안테나 공용부/RF Top필터(602), 앰프(603), Rx단간 필터(604), 믹서(605), 1st IF필터(606), 믹서(607), 2nd IF필터(608), 1st＋2nd 로컬 신시사이저(611), TCXO(temperature compensated crystal oscillator(온도 보상형 수정 발진기))(612), 디바이더(613), 로컬 필터(614)를 구비하여 구성되어 있다.

Rx단간 필터(604)로부터 믹서(605)에는, 도 22에 이중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스성을 확보하기 위해서 각 평형신호로 송신하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 통신기(600)는 송신을 행하는 트랜스시버(transceiver)측(Tx측)으로서, 상기 안테나(601) 및 상기 안테나 공용부/RF Top필터(602)를 공용하는 동시에, Tx IF필터(621), 믹서(622), Tx단간 필터(623), 앰프(624), 커플러(625), 아이솔레이터(626), APC(automatic power control(자동출력제어))(627)를 구비하여구성되어 있다.

그리고, 상기의 Rx단간 필터(604), 1st IF필터(606), Tx IF필터(621), Tx단간 필터(623)에는, 상술한 본 실시형태에 기재된 탄성 표면파 필터를 적합하게 이용할 수 있다.

본 발명에 따른 탄성 표면파 필터는, 통과영역 외의 급준한 감쇠특성을 높게 유지한 채 통과영역의 반사특성을 개선할 수 있는 동시에, 통과영역 근방의 각 통과영역 외(고주파측과 저주파측)의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성을 균형있게 개선할 수 있다.

이 결과, 상기 구성은 종래에 비하여 반사특성이 양호하고 저손실이며, 감쇠특성이 우수한 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있으므로, 상기 탄성 표면파 필터를 가지는 본 발명의 통신기는, 전송특성을 향상할 수 있는 것이다.

본 발명의 탄성 표면파 필터는, 이상과 같이, 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 직렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있고, 상기 직렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 직렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 구성이다.

그러므로, 상기 구성은 적어도 하나의 직렬공진자의 IDT전극의 전극 피치를 다른 직렬공진자와 다르게 함으로써, 통과영역 외의 급준한 감쇠특성을 높게 유지(급등을 억제)한 상태에서, 통과영역의 반사특성을 개선할 수 있다.

또한, 상기 구성에서는 그 이외에, 직렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있는 것에 의해, 통과영역 근방의 통과영역 외(특히 고주파측)의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성을 균형있게 개선할 수 있다.

이 결과, 상기 구성은 종래에 비하여 반사특성이 양호하고 저손실이며, 감쇠특성이 우수한 탄성 표면파 필터를 제공할 수 있다는 효과를 가진다.

본 발명의 다른 탄성 표면파 필터는, 이상과 같이 사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 병렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있고, 상기 병렬공진자의 적어도 하나의 IDT전극이, 다른 병렬공진자의 IDT전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 구성이다.

그러므로, 상기 구성은 적어도 하나의 병렬공진자의 IDT전극의 전극 피치를 다른 병렬공진자와 다르게 함으로써, 통과영역 외의 급준한 감쇠특성을 높게 유지(급등을 억제)한 상태에서, 통과영역의 반사특성을 개선할 수 있다.

또한, 상기 구성에서는 그 이외에, 병렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있는 것에 의해, 통과영역 근방의 통과영역 외(특히 저주파측)의 감쇠특성과 통과영역의 반사특성을 균형있게 개선할 수 있다.

Claims

압전성 기판 상에 형성된 각 빗형전극을 조합시켜서 이루어지는 1-포트 탄성 표면파 공진자가, 복수개 사다리형으로 배치되어 있는 탄성 표면파 필터로서,

사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 직렬공진자의 적어도 하나에 시닝(thinning)이 실시되어 있고,

상기 직렬공진자의 적어도 하나의 빗형전극이, 다른 직렬공진자의 빗형전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
압전성 기판 상에 형성된 각 빗형전극을 조합시켜서 이루어지는 1-포트 탄성 표면파 공진자가, 복수개 사다리형으로 배치되어 있는 탄성 표면파 필터로서,

사다리형으로 배치된 각 1-포트 탄성 표면파 공진자 중, 병렬공진자의 적어도 하나에 시닝이 실시되어 있고,

상기 병렬공진자의 적어도 하나의 빗형전극이, 다른 병렬공진자의 빗형전극에 비하여, 다른 전극 피치를 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 1항에 있어서, 상기 직렬공진자의 전부에 시닝이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 2항에 있어서, 상기 병렬공진자의 전부에 시닝이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 1항에 있어서, 상기 직렬공진자의 적어도 하나의 빗형전극이, 다른 직렬공진자의 빗형전극에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 2항에 있어서, 상기 병렬공진자의 적어도 하나의 빗형전극이, 다른 병렬공진자의 빗형전극에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 5항에 있어서, 입출력측에 접속되는 1-포트 탄성 표면파 공진자는 직렬공진자인 T자형 구성이 사다리형으로서 이용되고,

입출력측 이외에 접속되는 적어도 하나의 직렬공진자가 다른 직렬공진자에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 6항에 있어서, 입출력측에 접속되는 1-포트 탄성 표면파 공진자는 병렬공진자인 π자형 구성이 사다리형으로서 이용되고,

입출력측 이외에 접속되는 적어도 하나의 병렬공진자가 다른 병렬공진자에 비하여, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 7항에 있어서, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 상기 직렬공진자는, 다른 직렬공진자에 비하여, 시닝율을 크게 하고, 또한 전극 피치를 작게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 8항에 있어서, 다른 시닝율과 다른 전극 피치를 함께 가지는 상기 병렬공진자는, 다른 병렬공진자에 비하여, 시닝율을 크게 하고, 또한 전극 피치를 작게 한 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 1항에 있어서, 통과영역의 고주파측 근방에 있어서의 통과영역 외의 감쇠량을 필요로 하는 송신용 필터인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 2항에 있어서, 통과영역의 저주파측 근방에 있어서의 통과영역 외의 감쇠량을 필요로 하는 수신용 필터인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
제 1항에 기재된 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하는 분파기.
제 1항에 기재된 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하는 통신기.