KR20030063207A - 탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신 장치 - Google Patents

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KR20030063207A
KR20030063207A KR10-2003-0003655A KR20030003655A KR20030063207A KR 20030063207 A KR20030063207 A KR 20030063207A KR 20030003655 A KR20030003655 A KR 20030003655A KR 20030063207 A KR20030063207 A KR 20030063207A
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다카미네유이치
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

본 발명은 VSWR 및 통과대역 내의 편차가 개선된 탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라, 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 포함하고, 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 서로 약 180도 반전하고 있는 2개의 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)를 구비하며, 평형-불평형 변환 기능을 갖고 있다. 상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에, (N-1)/2+1개의 IDT가 불평형 신호 단자(13)에, 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)마다의 (N-1)/2개의 IDT가 평형 신호 단자(14ㆍ15)에 접속되어 있다. 각 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)의 IDT의 총 전극지 갯수는 각각 71개 이상이고, 각 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)의 불평형 신호 단자(14ㆍ15)에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에, N1〉N2를 만족하고 있다.

Description

탄성 표면파 장치 및 그것을 갖는 통신 장치{Surface acoustic wave device and communication apparatus including the same}
본 발명은 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치, 및 그것을 갖는 통신 장치에 관한 것이다.
종래, 최근의 휴대전화기 등의 통신 장치의 소형화, 경량화에 대한 기술적 진보는 눈부신 것이 있다. 이것을 실현하기 위한 수단으로서, 각 구성 부품의 삭감, 소형화는 물론, 복수의 기능을 복합한 부품의 개발도 진행되어 왔다.
이러한 상황을 배경으로, 휴대전화기의 RF단에 사용하는 탄성 표면파 장치에 평형-불평형 변환 기능, 소위 밸룬(balun) 기능을 부가한 것도 최근 열심히 연구되어, GSM(Global System for Mobile communications) 등을 중심으로 사용되어 왔다.이러한 평형-불평형 변환 기능을 갖춘 탄성 표면파 장치에 관한 특허도, 몇개인가 출원되어 있다.
예를 들면, 불평형 신호 단자에 대하여 평형 신호 단자의 임피던스가 약 4배 다른 탄성 표면파 장치로서, 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용한 탄성 표면파 장치를 예로 든다. 이 탄성 표면파 장치의 구성을 도 21에 나타낸다(종래예).
상기 탄성 표면파 장치는 도 21에 나타내는 바와 같이, 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101ㆍ102)를 구비하고 있다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101)는 3개의 발(簾) 전극부(Inter-Digital Transducer, 이하, IDT라고 함)(103ㆍ104ㆍ105)를 가지며, 그 양측에 반사기(리플렉터)(106ㆍ107)가 형성되어 있다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)는 마찬가지로 3개의 IDT(108ㆍ109ㆍ110)를 가지며, 그 양측에 반사기(리플렉터)(111ㆍ112)가 형성되어 있다. 각 IDT(103∼105), 및 각 IDT(108∼110)는 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 일렬로 배열되어 있다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101)의 IDT(103ㆍ105)에 대하여, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)의 IDT(108ㆍ110)의 방향이 교차폭 방향으로 반전되어 있다. 이에 따라, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)에서는, 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101)에 대하여 약 180도 다르게 되어 있다.
또한, IDT(104)와 IDT(109)는 신호 단자(113)에 접속되어 있다. IDT(103)와IDT(105)는 신호 단자(114)에 접속되어 있다. 그리고 IDT(108)와 IDT(110)는 신호 단자(115)에 접속되어 있다.
신호 단자(113)를 불평형 신호 단자, 신호 단자(114)와 신호 단자(115)를 평형 신호 단자로 하여, 평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 불평형 신호 단자에 대하여 평형 신호 단자의 임피던스가 약 4배 다른 탄성 표면파 장치가 실현되고 있다.
그러나, 상기 종래예의 구성에서는, 통과대역이 넓고, 주파수가 높은 DCS용 필터와 같은 탄성 표면파 장치를 실현하고자 하면, VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) 및 통과대역 내의 편차가 나쁘다는 문제가 있었다. 그 이유는 필터의 주파수가 높기 때문에 압전 기판상이나 패키지 내에 발생하는 기생 용량의 영향이 커지고, 특히, 통과대역이 넓은 필터 특성을 실현하고자 하면, 임피던스가 용량성이 되기 때문이다.
평형 단자측의 임피던스에 대해서는, 200Ω으로 실수축(real axis)상에 있는 것이 요구되지만, 접속되는 앰프나 믹서 사이에 정합 회로가 일반적으로 형성되며, 용량성인 것에 대해서는 그다지 큰 문제가 되지 않는다. 이에 비하여, 불평형 단자측의 임피던스에 대해서는, 50Ω으로 실수축상에 있는 것이 요구되지만, 임피던스 정합용의 외부 소자를 부가할 수 없는 경우가 많기 때문에, 큰 문제가 된다.
본 발명의 목적은 상기의 과제를 해결하기 위하여, 불평형 신호 단자에는 리액턴스 소자를 부가하지 않고, 종래보다 VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선된,평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 불평형 신호 단자에 대하여 평형 신호 단자의 임피던스가 약 4배 다른 탄성 표면파 장치 및 통신 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 비교예의 탄성 표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 단면도이다.
도 4는 도 1의 탄성 표면파 장치의 주파수-전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 도 1의 탄성 표면파 장치의 입력측(불평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 6은 도 1의 탄성 표면파 장치의 출력측(평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 7은 도 2의 탄성 표면파 장치의 주파수-전송 특성을 나타내는 그래프이다.
도 8은 도 2의 탄성 표면파 장치의 입력측(불평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 9는 도 2의 탄성 표면파 장치의 출력측(평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 10은 도 2의 탄성 표면파 장치의 반사 특성을 스미스차트로 표시한 도면이다.
도 11은 도 1의 탄성 표면파 장치의 반사 특성을 스미스차트로 표시한 도면이다.
도 12는 도 1의 탄성 표면파 장치에 있어서의 IDT의 총 전극지 갯수에 대한 VSWR의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 13은 도 1의 탄성 표면파 장치에 있어서의 IDT의 전극지 갯수비에 의한 VSWR의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 14는 도 1의 탄성 표면파 장치의 비대역(比帶域)에 대한 VSWR의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 15는 탄성 표면파 장치의 한 변형예를 나타내는 개략 구성도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 탄성 표면파 장치의 개략 구성도이다.
도 17은 도 16의 탄성 표면파 장치의 반사 특성을 스미스차트로 표시한 도면이다.
도 18은 도 16의 탄성 표면파 장치의 입력측(불평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 19는 도 16의 탄성 표면파 장치의 출력측(평형 신호 단자측)의 VSWR을 나타내는 그래프이다.
도 20은 상기 실시형태의 탄성 표면파 장치를 사용한 통신 장치의 요부 블록도이다.
도 21은 종래의 탄성 표면파 장치의 개략 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
1 : 공진자형 필터(SAW 필터)2 : 공진자형 필터(SAW 필터)
3 : IDT(입력용 IDT)4 : IDT(출력용 IDT)
5 : IDT(입력용 IDT)8 : IDT(입력용 IDT)
9 : IDT(출력용 IDT)10 : IDT(입력용 IDT)
13 : 불평형 신호용 단자14 : 평형 신호용 단자
15 : 평형 신호용 단자
본 발명의 탄성 표면파 장치는, 상기의 과제를 해결하기 위하여, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라, 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 포함하고, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 탄성 표면파 필터를 구비하며, 상기 2개의 탄성 표면파 필터의 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 서로 약 180도 반전하여 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에, (N-1)/2+1개의 IDT가 1개의 불평형 신호 단자에 접속되고, 상기 탄성 표면파 필터마다의 (N-1)/2개의 IDT가 각각의 평형 신호 단자에 접속되어 있으며, 또한 상기 각 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수는 각각 71개 이상이고, 각 탄성 표면파 필터의 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에, N1〉N2를 만족하고 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기의 구성에 따르면, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 가지며, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 탄성 표면파 필터를 사용하고, 또한 상기 2개의 탄성 표면파 필터는 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 약 180도 다르며, 상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에 (N-1)/2+1개의 IDT를 1개의 불평형 신호 단자에 접속하고, (N-1)/2개의 IDT를 각각 2개의 탄성 표면파 필터마다 각각의 평형 신호 단자에 접속하며, 또한상기 각 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수를 각각 71개 이상으로 하고, 또한 각 탄성 표면파 필터에 있어서, 상기 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 상기 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에, N1〉N2를 만족하도록 구성되어 있기 때문에, 불평형 신호 단자의 임피던스를, 보다 실수축상에 올릴 수 있으며, 종래보다 VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선된, 평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 불평형 신호 단자에 대하여 평형 신호 단자의 임피던스가 약 4배 다른 탄성 표면파 장치를 실현할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 탄성 표면파 필터가 3개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터인 것이 바람직하다. 이에 따라, 압전 기판(칩)상의 배선이 적어, 패턴 레이아웃을 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 중심 주파수에 대한 통과대역 폭의 비율이 약 4.3%이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 보다 바람직한 VSWR을 얻을 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 한쪽의 탄성 표면파 필터에 있어서의 IDT의 방향이 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 다른쪽 탄성 표면파 필터에 있어서의 IDT의 방향에 대하여 교차폭 방향으로 반전하고 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 2개의 탄성 표면파 필터에 있어서의 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상을, 평형 신호 단자 사이의 평형도 및 통과대역의 삽입 손실 등을 악화시키지 않고, 약 180도 다르게 할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 탄성 표면파 필터에, 적어도 1개 이상의 탄성 표면파 공진자를, 직렬, 또는 병렬 혹은 그 양방으로 접속하고 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 입력측의 통과대역 내의 임피던스를 실수축상에 보다 가깝게 할 수 있기 때문에, 제조 변동에 의한 VSWR의 변동이 작은 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 상기의 구성에 더하여, 상기 압전 기판을 수납하는 패키지와 상기 압전 기판의 도통(導通)이 플립칩 공법에 의해 취해지고 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 인덕턴스 성분이 부가되는 일이 없고, 임피던스가 용량성이 되기 때문에, 패키지에 VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선되어, 패키지에 수납된 탄성 표면파 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 통신 장치는 상기 과제를 해결하기 위하여, 상기 탄성 표면파 장치 중 어느 하나를 갖는 것을 특징으로 하고 있다. 상기의 구성에 따르면, VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선된 탄성 표면파 장치를 가짐으로써, VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선된 통신 장치를 제공할 수 있다.
<발명의 실시형태>
〔실시형태 1〕
본 발명의 한 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 15에 기초하여 설명하면, 이하와 같다. 본 실시형태에서는, DCS(digital communication system) 수신용 탄성 표면파 장치를 예로 들어 설명한다.
도 1에, 본 실시형태의 탄성 표면파 장치의 요부의 구성을 나타낸다. 상기탄성 표면파 장치는 압전 기판(도시하지 않음)상에, Al전극에 의해 형성되어 있는 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)를 구비하고 있다. 이와 같이, 본 실시형태에 있어서의 탄성 표면파 장치는 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)를 사용하여 실현된다. 본 실시형태에서는 압전 기판으로서 40±5°Y컷 X전파 LiTaO3기판을 사용하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)의 구성은 IDT(4)(출력용 IDT)를 사이에 두도록 IDT(3ㆍ5)(입력용 IDT)가 형성되며, 그 양측에 반사기(6ㆍ7)가 형성되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 서로 이웃하는 IDT(3)와 IDT(4) 사이, 및 IDT(4)와 IDT(5) 사이의 몇개의 전극지는 IDT의 다른 부분보다도 피치가 작게 되어 있다(협피치 전극지부(16ㆍ17)).
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(2)의 구성은 IDT(9)(출력용 IDT)를 사이에 두도록 IDT(8ㆍ10)(입력용 IDT)가 형성되며, 그 양측에 반사기(11ㆍ12)가 형성되어있다. 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)와 마찬가지로, IDT(8)와 IDT(9) 사이, 및 IDT(9)와 IDT(10) 사이에서는, 협피치 전극지부(18ㆍ19)가 형성되어 있다. 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(2)의 IDT(8)와 IDT(10)의 방향은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)의 IDT(3)와 IDT(5)에 대하여, 교차폭 방향으로 반전시키고 있다. 이에 따라, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(2)에 있어서의 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상은 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)에 대하여 약 180도 반전되어 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)에 있어서의, 중앙에 위치하는 IDT(4ㆍ9)를 각각 사이에 두고 있는 IDT(3ㆍ5) 및 IDT(8ㆍ10)가 불평형 신호 단자(13)에 접속되어 있다. 또한, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)에 있어서의 3개의 IDT 중에서 중앙에 위치하는 IDT(4ㆍ9)가 각각 평형 신호 단자(14ㆍ15)에 접속되어 있다.
이에 비하여 도 2에 비교예의 구성을 나타낸다. 이 비교예는 종래예에서 나타낸 탄성 표면파 장치의 평형 신호 단자 사이에, 인덕턴스 소자(116)를 부가한 구성이다. 다시 말하면, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(101ㆍ102)에 있어서는, 3개의 IDT 중에서 중앙에 위치하는 IDT(104ㆍ109)가 불평형 신호 단자(113)에 접속되며, 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 IDT(103ㆍ105) 및 IDT(108ㆍ110)가 각각 다른 평형 신호 단자(114ㆍ115)에 접속되어 있는 구성이다.
상기와 같이, 본 실시형태의 탄성 표면파 장치는, 비교예의 탄성 표면파 장치에 있어서 3개의 IDT 중에서 중앙에 위치하는 IDT(104ㆍ109)가 불평형 신호 단자에 접속되며, 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 IDT(103ㆍ105) 및 IDT(108ㆍ110)가 각각 다른 평형 신호 단자에 접속되어 있었던 것에 비하여, 3개의 IDT 중에서 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 IDT(3ㆍ5) 및 IDT(8ㆍ10)가 불평형 신호 단자에 접속되며, 중앙에 위치하는 IDT(4ㆍ9)가 각각 다른 평형 신호 단자에 접속되어 있는 점에서 다르다.
다시 말하면, 본 실시형태에서는, IDT의 갯수를 N개로 한 경우에, (N-1)/2+1개의 IDT를 1개의 불평형 신호 단자에 접속하고, (N-1)/2개의 IDT를 각각 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터마다 각각의 평형 신호 단자에 접속한다는 구성으로 되어 있다.
또한, 평형 신호 단자(14)와 평형 신호 단자(15) 사이에는, 인덕턴스 소자(리액턴스)(16)가 부가되어 있다. 덧붙여서 말하면 본 실시형태에서는, 인덕턴스 소자(16)에 있어서의 값을, 22nH로 설정하고 있다. 비교예에서는, 마찬가지로 인덕턴스 소자(116)에 있어서의 값을 22nH로 설정하고 있다.
이러한 불평형형-평형형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 필터를 구비한 탄성 표면파 장치는, 최근, 압전 기판에 형성되어 있는 탄성 표면파 필터를 세라믹제의 패키지 내에 수납하여 봉지(封止)하는 형태가 일반적이 되어 왔다.
다음으로, 본 실시형태에 있어서의 패키지에 수납되어 있는 탄성 표면파 장치의 단면도를 도 3에 나타낸다. 상기 탄성 표면파 장치는 패키지와 탄성 표면파 필터가 형성되어 있는 압전 기판(305)의 도통을, 범프 본딩(306)에 의해 취하는 플립칩 공법에 의해 만들어진 구조이다.
상기 패키지는 2층 구조로 되어 있으며, 바닥판부(301), 측벽부(302), 및 캡(cap)(303)을 구비하고 있다. 이 바닥판부(301)는 예를 들면 직사각형 형상이며,이 바닥판부(301)의 4주변부로부터 각각 측벽부(302)가 세워 설치되어 있다. 캡부(303)는 이 각 측벽부(302)에 의해 형성되는 개구를 덮어서 막고 있다. 이 바닥판부(301)의 상면(내표면)에는 압전 기판(305)과의 도통을 취하는 다이 어태치(die attach)부(304)가 형성되어 있다. 압전 기판(305)과 다이 어태치부(304)는 범프(306)에 의해 결합되어 있다. 또한, 바닥판부(301)의 외표면(내표면의 반대면)상에는, 도시하지 않으나, 배선 패턴에 스루홀(through hole) 등을 통하여 접속되는 외부 단자가 형성되어 있다.
상기 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)의 상세한 설계의 일례에 대해서는 이하와 같다.
협피치 전극지의 피치(협피치 전극지부(16ㆍ17))로 정해지는 파장을 λI2, 그 밖의 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λI1이라고 하면,
교차폭 W : 46.6λI1
IDT의 전극지 갯수(IDT(3), IDT(4), IDT(5)의 순) : 25/33/25개
IDT파장 λI1 : 2.148㎛, λI2 : 1.942㎛
반사기 파장 λR : 2.470㎛
반사기 갯수 : 150개
IDT-IDT 간격 : 0.500λI2
IDT-반사기 간격 : 2.170㎛
듀티 : 0.63(IDT), 0.57(반사기)
전극 막두께 : 0.094λI1
상기의 "간격"이란, 서로 이웃하는 2개의 전극지의 중심간 거리이다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(2)의 상세한 설계의 일례는 IDT(8)와 IDT(10)의 방향을 반대로 하고 있는 것 이외는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)와 완전히 동일하다.
본 실시형태의 탄성 표면파 장치에 있어서의, 주파수에 대한 전송 특성을 도4, 입력측(불평형 신호 단자측)의 VSWR을 도 5에, 출력측(평형 신호 단자측)의 VSWR을 도 6에 나타낸다.
또한, 비교예는, 불평형 신호 단자(113)에 각 탄성 표면파 필터(101ㆍ102)의 중앙에 위치하는 IDT(104ㆍ109)를 접속하고, 중앙에 위치하는 IDT(104ㆍ109)를 사이에 두고 있는 IDT(103ㆍ105) 및 IDT(108ㆍ110)를 각각 2개의 평형 신호 단자(114ㆍ115)에 접속한 점과, 임피던스를 조정하기 위하여 각 IDT의 파장 λI1을 2.153㎛, λI2를 1.935㎛로 변경한 점 이외는, 본 실시형태의 IDT에 대응하는 각 IDT와 동일한 구성이다. 이 비교예의 탄성 표면파 장치에 있어서의, 주파수에 대한 전송 특성을 도 7, 입력측의 VSWR을 도 8, 출력측의 VSWR을 도 9에 나타낸다.
또한, 도 4, 도 7에서는, 상측의 곡선을 좌측의 눈금으로 읽도록 되어 있으며, 하측의 곡선은 상측의 곡선을 확대한 것으로, 우측의 눈금으로 읽도록 되어 있다.
DCS 수신용 필터에 있어서의 통과대역의 주파수 범위는 1805∼1880MHz이다. 이 범위에 있어서 통과대역의 편차를 비교하면, 비교예에서는 약 1.0dB인 것에 비하여, 본 실시형태에서는 약 0.7dB로, 약 0.3dB 개선되어 있다. 또한, 통과대역 내의 최대 삽입 손실도, 비교예에서는 약 2.5dB인 것에 비하여, 본 실시형태에서는 약 2.2dB로, 약 0.3dB 개선되어 있다.
다음으로, VSWR을 비교하면, 비교예에서는 입력측, 출력측 모두 VSWR이 약 2.2였던 것에 비하여, 본 실시형태에서는 입력측에서 약 1.8, 출력측에서 약 1.7로, 각각 약 0.4, 약 0.5 개선되어 있다. 다시 말하면, 본 실시형태에서는, 비교예에 비하여, 통과대역 내의 편차, 최대 삽입 손실, 및 VSWR 모두가 개선되게 된다.
본 실시형태의 효과가 얻어진 이유를 이하에 설명한다. 비교예의 반사 특성을 스미스차트로 표시한 도면을 도 10, 본 실시형태의 경우를 도 11에 나타낸다. 비교예의 입력측(불평형 신호 단자측)의 반사 특성에 대하여 본 실시형태의 반사 특성은 공진 A, B 모두 유도성 쪽으로 시프트하고 있는 것을 알 수 있다. 이것은 비교예와 같이 중앙에 위치하는 IDT가 아니라, 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 2개의 IDT를 불평형 신호 단자측에 접속한 효과이다.
비교예나 본 실시형태와 같이, 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용하여 불평형-평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치를 형성하면, 2개의 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT는 접지 전위를 통하여, 직렬로 접속되는 형태가 된다. 그 때문에, 특히 DCS용 필터와 같이 주파수가 높은 필터에 있어서는 기생 용량의 영향이 커지고, 평형 신호 단자측의 임피던스는 크게 용량성이 된다. 따라서, 주파수가 높고, 통과대역 폭이 넓은 탄성 표면파 장치에 있어서는, 평형 신호 단자 사이에 인덕턴스 소자 등의 리액턴스 소자를 부가하는 것이 필수가 된다.
이 때 비교예와 같이 중앙에 위치하는 IDT를 불평형 신호 단자측에 접속하면, 중앙에 위치하는 IDT의 전극지 쪽이, 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 2개의 IDT의 전극지 갯수를 더한 갯수보다 적기 때문에, 불평형 신호 단자측의 임피던스도 용량성이 된다. 그래서, 본 실시형태에서는, 전극지 갯수의 총수가 많은 중앙 IDT를 사이에 두고 있는 IDT를 불평형 신호 단자에 접속함으로써 불평형 신호 단자의 임피던스를 보다 유도성으로 하고, 또한 평형 신호 단자측에 인덕턴스 소자를 부가함으로써 유도성으로 하여, 비교예보다도 통과대역 내의 편차, 및 VSWR이 개선된 것이다.
또한, 본 실시형태에서는, 평형 단자 사이의 평형도나 통과대역 외의 감쇠량을 크게 할 목적으로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(2)의 설계를 다르게 해도 된다. 이 경우에 있어서도, 본 발명의 효과를 동일하게 얻을 수 있다.
본 실시형태에 있어서, 중앙에 위치하는 IDT를 사이에 두고 있는 2개의 IDT를 불평형 신호 단자에 접속하는 것 외에, 편차 및 VSWR이 개선되는 요소로서, 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 총 전극지 갯수와, 중앙에 위치하는 IDT와 그것을 사이에 두고 있는 IDT의 총 전극지 갯수의 비, 다시 말하면 불평형 신호 단자와 평형 신호 단자에 접속하는 총 전극지 갯수의 비를 들 수 있다.
각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수에 주목하여, 비교예의 탄성 표면파 장치보다 양호한 VSWR이 얻어지는 총 전극지 갯수를 조사하였다. 그 결과를 도 12에 나타낸다. 가로축은 IDT(3ㆍ8), IDT(4ㆍ9), IDT(5ㆍ10)의 전극지 갯수를 차례대로 기재하고, 괄호안은 총 전극지 갯수를 나타내고 있다. 조사 방법은 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터의 IDT의 전극지 갯수를 줄여 가고, 그 때, 협피치 전극지의 피치나 IDT-IDT 간격 등의 설계 파라미터를 조정하여 각 전극지 갯수의 경우에 가장 양호한 VSWR이 얻어지는 조건을 찾아, 그에 따라 얻어진 VSWR의 값을 플롯(plot)하였다. 그 결과, VSWR의 값이 비교예에서 얻어진 2.2이상이 되는 것은, IDT의 전극지 갯수가 71개 미만이 된 경우인 것을 알 수 있다.즉, 비교예보다 양호한 VSWR을 얻기 위해서는, 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터 각각의 IDT의 총 전극지 갯수를 71개 이상으로 할 필요가 있는 것을 알 수 있다.
다음으로, 불평형 신호 단자와 평형 신호 단자에 접속하는 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 있어서의 IDT의 총 전극지 갯수의 비에 대하여 조사하였다. 그 결과를 도 13에 나타낸다. 이 때, IDT의 총 전극지 갯수는 83개로 고정해 갔다. 가로축은 IDT(3ㆍ8), IDT(4ㆍ9), IDT(5ㆍ10)의 전극지의 갯수를 차례대로 기재하고 있다. 조사 방법은 상기 IDT의 총 전극지 갯수의 비 (25/33/25)로부터, 평형 신호 단자(14ㆍ15)에 접속되는 전극지 갯수를 늘려 가고, 그 때, 협피치 전극지의 피치나 IDT-IDT 간격 등의 설계 파라미터를 조정하여 각 전극지 갯수의 비의 경우에 가장 양호한 VSWR이 얻어지는 조건을 찾았다. 상기와 같이 하여 얻어진 VSWR의 값을 플롯하였다. 그 결과, IDT(3ㆍ8), IDT(4ㆍ9), IDT(5ㆍ10)에 있어서의 전극지의 갯수가 23/37/23, 다시 말하면 불평형 신호 단자에 접속하는 IDT의 총 전극지 갯수가 46개, 평형 신호 단자에 접속되는 전극지 갯수가 37개까지는, 비교예에서 얻어진 2.2보다 양호한 VSWR을 얻을 수 있었다. 또한, 각 IDT의 전극지 갯수가 21/41/21, 다시 말하면 불평형 신호 단자에 접속하는 IDT의 총 전극지 갯수가 42개, 평형 신호 단자에 접속하는 총 전극지 갯수가 41개에서는, 비교예와 동등한 VSWR을 얻을 수 있었다. 그러나, 평형 신호 단자에 접속하는 총 전극지 갯수가 41개보다 많아지면, 비교예보다 VSWR이 악화하고 있다. 다시 말하면, 불평형 신호 단자에 접속하는 IDT의 총 전극지 갯수와 평형 신호 단자에 접속하는 총 전극지 갯수는 평형 신호단자에 접속하는 쪽이 많아짐으로써, VSWR이 악화하고 있다. 즉, 양호한 VSWR을 얻기 위해서는, 불평형 신호 단자에 접속하는 IDT의 총 전극지 갯수를 평형 신호 단자에 접속하는 총 전극지 갯수보다 많게 해 둘 필요가 있다고 말할 수 있다.
본 발명은 특히 통과대역 폭이 넓은 탄성 표면파 장치에서 효과를 이룬다. 그래서, 어느 정도의 통과대역 폭을 갖는 탄성 표면파 장치까지, 본 발명이 유효해지는지에 대하여 조사하였다. 조사는 비교예의 구성으로부터 전극지 갯수 등의 설계 파라미터를 변화시켜 가며, 몇개인가의 통과대역 폭을 갖는 탄성 표면파 장치를 작성하였다. 그 때, 본 실시형태에서 얻어진 1.8이라고 하는 VSWR의 값이 얼마만큼의 통과대역 폭으로 하면 비교예에서도 얻을 수 있는지를 조사하였다.
도 14에, 통과대역 폭에 대한 VSWR의 값의 변화를 나타낸다. 통과대역 폭은 필터로서 요구되는 삽입 손실의, 스루(through) 레벨에 대한 레벨(본 실시형태에서는 4dB)에 있어서의 통과대역 폭/중심 주파수로 나타나는, 비대역(比帶域)으로 표시하고 있다. 도 14로부터, VSWR이 1.8이하가 되는 것은 비대역이 4.3%미만인 경우인 것을 알 수 있다. 다시 말하면, 비대역 4.3%이상의 탄성 표면파 장치를 구성하는 경우는, 본 발명이 유효하다고 말할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 상기에서는, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 3개의 IDT를 가지며, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용하고, 또한 상기 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터는 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 약 180도 다른 구성에 있어서, 중앙에 위치하는 IDT를 평형 신호 단자에, 중앙에 위치하는 IDT를사이에 두고 있는 2개의 IDT를 불평형 신호 단자에 접속하며, 또한 불평형 신호 단자에 인덕턴스 소자를 부가하지 않고, 통과대역 내의 편차, 최대 삽입 손실, 및 VSWR이 종래보다 개선된 탄성 표면파 장치를 얻을 수 있다.
상기 탄성 표면파 장치에서는, 3개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용한 탄성 표면파 장치의 예를 나타내었다. 그러나, 도 15에 나타내는 바와 같이, 5개의 IDT(23∼27)를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(21)와, 5개의 IDT(30∼34)를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(22)를 갖는 탄성 표면파 장치를 사용해도 된다.
또한 상기의 갯수 이상의 홀수개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용한 탄성 표면파 장치에 있어서도, IDT의 갯수를 N개로 한 경우에 (N-1)/2+1개의 IDT를 1개의 불평형 신호 단자에 접속하고, (N-1)/2개의 IDT를 각각 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터마다 각각의 평형 신호 단자에 접속하며, 또한 2개의 평형 신호 단자 사이에 인덕턴스 소자를 부가함으로써, 통과대역 내의 편차, VSWR이 종래보다 개선된, 탄성 표면파 장치를 얻을 수 있다. 그러나, 다전극형 탄성 표면파 필터를 사용한 경우, 압전 기판(칩)상의 배선이 많아져, 패턴 레이아웃이 복잡해진다는 단점이 있다. 그 때문에, 상기에서 설명한 바와 같이 3IDT형의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 사용하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, IDT(3ㆍ5)에 대하여, IDT(8ㆍ10)의 방향을 교차폭 방향으로 반전시킴으로써, 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상을 약 180도 반전시켰으나, 위상을 약 180도 반전하는 방법은 이 방법에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, IDT(4)와 IDT(9)의 방향을 교차폭 방향으로 반전시킴으로써, 위상을 약 180도 반전시켜도 된다. 또한 IDT-IDT 간격을 2개의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에서 0.5λI1 다르게 함으로써, 위상을 약 180도 반전시켜도 된다.
그러나, 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT를 반전시키는 방법에서는, 평형 신호 단자 사이의 평형도가 악화한다. 또한, IDT-IDT 간격을 0.5λI1 다르게 하는 방법에서는, IDT-IDT 간격을 0.5λI1 크게 한 쪽의 탄성 표면파 필터에서 탄성 표면파가 벌크파(bulk wave)로 변환함으로써 발생하는 손실이 커지기 때문에, 통과대역의 삽입 손실이 악화한다는 결점이 있다. 그러므로, 바람직하게는 상기와 같이, 불평형 신호 단자에 접속하고 있는 IDT의 방향을 교차폭 방향으로 반전함으로써 위상을 약 180도 반전시키는 방법을 사용하는 것이 보다 바람직하다.
상기에서는 패키지와 압전 기판의 도통을, 범프 본딩에 의해 취하는 플립칩 공법에 의해 만들어진 구조로 설명하였다. 플립칩 공법이 아니라, 와이어 본드에 의해 패키지와 압전 기판의 도통을 취하는 구조에 있어서는, 와이어의 인덕턴스 성분에 의해 임피던스가 유도성이 되기 쉽다. 이에 비하여, 플립칩 공법에 의한 구조에서는, 상기 와이어의 인덕턴스 성분이 없어지기 때문에 임피던스가 용량성이 되기 쉽다. 그 때문에, 특히 플립칩 공법에 의해 만들어진 구조에서는, 큰 효과를 얻을 수 있다.
상기에서는, 2개의 평형 신호 단자 사이에 인덕턴스 소자를 접속하고 있으나, 이것은 예를 들면 2개의 평형 신호 단자 각각에 직렬로 접속한 커패시턴스 소자 등, 본 실시형태와는 다른 리액턴스 소자를 사용해도 된다. 또한, 인덕턴스 소자는 평형 신호 단자 사이에서 매칭(matching)을 취할 필요가 없는 경우 등에, 접속하지 않아도 된다.
상기에서는, 40±5°Y컷 X전파 LiTaO3기판을 사용하였으나, 효과가 얻어지는 원리로부터도 알 수 있듯이, 본 발명은 이 기판에 한하지 않으며 64∼74°Y컷 X전파 LiTaO3기판, 41°Y컷 X전파 LiTaO3기판 등의 기판에서도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
〔실시형태 2〕
본 발명의 다른 실시형태에 대하여 도 16 내지 도 20에 기초하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 설명의 편의상, 상기 실시형태 1에 나타낸 각 부재와 동일한 기능을 갖는 부재에는, 동일한 부호를 부기하고, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태에 있어서의 탄성 표면파 장치의 구성을 도 16에 나타낸다. 본 실시형태에서는, 실시형태 1에 있어서의 구성에 더하여, 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)를, 각각 불평형 신호 단자(13)와 IDT(3ㆍ5) 사이, 및 불평형 신호 단자(13)와 IDT(8ㆍ10) 사이에 형성하고 있다. 다시 말하면, 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)가 불평형 신호 단자(13)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2) 사이에 각각 직렬로 접속되어 있는 구성이다. 이 때, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)는 실시형태 1과 동일한 설계이다. 또한, 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)는 IDT(42ㆍ45)를 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 반사기(43ㆍ46)와 반사기(44ㆍ47)에서 사이에 두고 있는 구성이다.
탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)의 상세한 설계는 이하와 같다.
교차폭 W : 13.8λ
IDT의 전극지 갯수 : 241개
파장 λ : 2.167㎛(IDT, 반사기 모두)
반사기 갯수 : 30개
IDT-반사기 간격 : 0.500λ
듀티 : 0.60
전극 막두께 : 0.095λ
상기의 "간격"이란, 2개의 전극지의 중심간 거리이다.
본 실시형태의 탄성 표면파 장치의 반사 특성을 스미스차트로 표시한 도면을 도 17, 입력측의 VSWR을 도 18, 출력측의 VSWR을 도 19에 나타낸다. 불평형 신호 단자(13)와 IDT(3ㆍ5) 사이, 및 불평형 신호 단자(13)와 IDT(8ㆍ10) 사이에 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)를 형성한 효과에 의해, 입력측의 통과대역 내의 임피던스가 실시형태 1에 있어서의 보다 실수축상에 있음으로써, 제조 변동에 의한 VSWR의 변동이 작은 탄성 표면파 장치를 얻을 수 있다. 또한, 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)를 직렬로 접속하고 있기 때문에, 통과대역보다 고주파측의 감쇠량이 큰, 탄성 표면파 장치를 얻을 수 있다.
본 실시형태에서는 탄성 표면파 공진자(40ㆍ41)를 탄성 표면파 필터(1ㆍ2)와 불평형 신호 단자(13) 사이에 직렬로 접속한 구성으로 설명하였으나, 탄성 표면파 공진자가 병렬로 접속된 구성이나, 직렬, 병렬의 양방으로 접속되어 있는 구성이여도 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
다음으로, 상기 실시형태에 기재된 탄성 표면파 장치(SAW 디바이스)를 사용한 통신 장치에 대하여 도 20에 기초하여 설명한다. 상기 통신 장치(600)는 수신을 행하는 리시버측(Rx측)으로서, 안테나(601), 안테나 공용부/RF Top 필터(602), 앰프(603), Rx 단간 필터(604), 믹서(605), 제 1 IF 필터(606), 믹서(607), 제 2 IF 필터(608), 제 1+제 2 로컬 신시사이저(611), TCXO(Temperature Compensated crystal Oscillator(온도보상형 수정발진기))(612), 디바이더(613), 로컬 필터(614)를 구비하여 구성되어 있다.
Rx 단간 필터(604)로부터 믹서(605)에는, 도 20에 이중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스성을 확보하기 위하여 각 평형 신호로 송신하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 통신 장치(600)는 송신을 행하는 트랜스미터측(Tx측)으로서, 상기 안테나(601) 및 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(602)를 공용함과 아울러, Tx IF 필터(621), 믹서(622), Tx 단간 필터(623), 앰프(624), 커플러(625), 아이솔레이터(626), APC(Automatic Power Control(자동출력제어))(627)를 구비하여 구성되어 있다.
그리고, 상기의 Rx 단간 필터(604)에는, 상술한 본 실시형태에 기재된 SAW 디바이스를 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명에 따른 SAW 디바이스는 필터 기능과 함께 불평형형-평형형 변환 기능을 구비할 수 있으며, 게다가, VSWR 및 통과대역 내의 편차가 개선되어 있다는 우수한 특성을 갖는 것이다. 따라서, 상기 SAW 디바이스를 갖는 본 발명의 통신 장치는 전송 특성을 향상할 수 있는 것이 되고 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 이상과 같이, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라, 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 포함하고, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 탄성 표면파 필터를 구비하며, 상기 2개의 탄성 표면파 필터의 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 서로 약 180도 반전하여 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치에 있어서, 상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에, (N-1)/2+1개의 IDT가 1개의 불평형 신호 단자에 접속되고, 상기 탄성 표면파 필터마다의 (N-1)/2개의 IDT가 각각의 평형 신호 단자에 접속되어 있으며, 또한 상기 각 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수는 각각 71개 이상이고, 각 탄성 표면파 필터의 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에, N1〉N2를 만족하고 있는 구성이다.
상기의 구성에 따르면, 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 가지며, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 탄성 표면파 필터를 사용하고, 또한 상기 2개의 탄성 표면파 필터는 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 약 180도 다르며, 상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에 (N-1)/2+1개의 IDT를 1개의 불평형 신호 단자에 접속하고, (N-1)/2개의 IDT를 각각 2개의 탄성 표면파 필터마다 각각의 평형 신호 단자에 접속하며, 또한 상기 각 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수를 각각 71개 이상으로 하고, 또한 각 탄성 표면파 필터에 있어서, 상기 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 상기 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에, N1〉N2를 만족하도록 구성되어 있기 때문에, 불평형 신호 단자의 임피던스를, 보다 유도성으로 할 수 있으며, 종래보다 VSWR이나 통과대역 내의 편차가 개선된, 평형-불평형 변환 기능을 가지며, 또한 불평형 신호 단자에 대하여 평형 신호 단자의 임피던스가 약 4배 다른 탄성 표면파 장치를 실현할 수 있다는 효과를 이룬다.

Claims (7)

  1. 압전 기판상에 탄성 표면파의 전파 방향을 따라, 적어도 3개 이상의 홀수개의 IDT를 포함하고, 입력용 IDT와 출력용 IDT가 번갈아 배치되어 있는 2개의 탄성 표면파 필터를 구비하며, 상기 2개의 탄성 표면파 필터의 입력 신호에 대한 출력 신호의 위상이 서로 약 180도 반전하여 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성 표면파 장치로서,
    상기 IDT의 갯수를 N개로 한 경우에, (N-1)/2+1개의 IDT가 1개의 불평형 신호 단자에 접속되고, 상기 탄성 표면파 필터마다의 (N-1)/2개의 IDT가 각각의 평형 신호 단자에 접속되어 있으며,
    또한 상기 각 탄성 표면파 필터의 IDT의 총 전극지 갯수는 각각 71개 이상이고,
    각 탄성 표면파 필터의 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N1, 평형 신호 단자에 접속되어 있는 IDT의 총 전극지 갯수를 N2라고 한 경우에,
    N1〉N2
    를 만족하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터가 3개의 IDT를 갖는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 중심 주파수에 대한 통과대역 폭의 비율이 약 4.3% 이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 한쪽의 탄성 표면파 필터에 있어서의 IDT의 방향이 불평형 신호 단자에 접속되어 있는 다른쪽 탄성 표면파 필터에 있어서의 IDT의 방향에 대하여 교차폭 방향으로 반전하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터에, 적어도 1개 이상의 탄성 표면파 공진자를, 직렬, 또는 병렬 혹은 그 양방으로 접속하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 압전 기판을 수납하는 패키지와 상기 압전 기판상의 도통(導通)이 플립칩 공법에 의해 취해지고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 장치.
  7. 제 1 항에 기재된 탄성 표면파 장치를 갖는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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