CN104701189B - 三层封装基板的制作方法及三层封装基板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种三层封装基板的制作方法及三层封装基板，通过在承载板双面形成第一线路结构，承载板包括第一半固化片及依次压合于第一半固化片双面的超薄铜箔，在第一线路结构上低温压合第二半固化片和第二铜箔并对第二铜箔刻蚀形成第二线路结构，在第二线路结构上高温压合第三半固化片和第三铜箔，之后经过第一次激光钻孔、整版镀铜、第二次激光钻孔以及去除电镀铜层后在第三半固化片上形成第三线路结构，在承载板的双面形成三层线路结构的基板，分离后在三层线路结构的基板表面形成阻焊结构，形成两个三层封装基板。本发明能够加厚三层封装基板加工的起始结构厚度，有利于良率改善，且避免了基板翘曲现象。

Description

三层封装基板的制作方法及三层封装基板

技术领域

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种三层封装基板的制作方法及三层封装基板。

背景技术

随着无线通信、汽车电子和其他消费类电子产品的快速发展，微电子封装技术向着多功能、小型化、便携式、高速度、低功耗和高可靠性的方向发展。其中，系统级封装(System In a Package，简称SIP)是一种新型的封装技术，能够有效减小封装面积。

三层封装基板是芯片封装过程中经常用到的封装基板，现有的三层基板的制作方法是在承载板的双面涂覆临时键合材料再压合ABF树脂之后，使用增层法形成线路，进行三次增层加工后在承载板的双面形成两个三层封装基板，将该两个三层封装基板从所述承载板上揭下来，形成两个三层基板。但是，现有技术中制作的三层基板，由于相邻两层树脂压合时的条件不同，导致相邻两层树脂之间型内应力，因此，形成的三层基板在结构上不对称，造成三层封装基板存在高翘曲度的问题，此外，采用ABF树脂制作三层基板的价格昂贵。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种三层封装基板的制作方法及三层封装基板，以避免三层封装基板的翘曲现象。

第一方面，本发明实施例提供了一种三层封装基板的制作方法，包括：

在承载板的双面形成第一线路结构，所述第一线路结构包括第一电极和第一电路，所述承载板包括第一半固化片及依次压合于第一半固化片双面的超薄铜箔；

在所述第一线路结构上依次低温压合第二半固化片和第二铜箔，刻蚀所述第二铜箔形成第二线路结构，所述第二线路结构包括第二电极和第三电极；

在所述第二线路结构上依次高温压合第三半固化片和第三铜箔；

进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔；

整版镀铜，在第一次激光钻孔后所述第三铜箔的表面以及在所述至少一个第一盲孔中形成电镀铜层；

进行第二次激光钻孔形成贯穿所述电镀铜层和所述第三半固化片直至所述第三电极的至少一个第二盲孔；

去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层；

在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板；

将所述承载板双面的三层线路结构的基板分离处理形成两个三层封装基板。

进一步地，所述第一半固化片双面的超薄铜箔通过高温压合在一起，所述超薄铜箔包括依次层叠的铜支撑板、离型膜和第一铜箔。

进一步地，所述铜支撑板的厚度为18μm，所述第一铜箔的厚度为2μm。

进一步地，所述低温压合的温度为110℃-130℃，所述低温压合的时间为5min-20min。

进一步地，所述高温压合的温度为210℃-220℃。

进一步地，进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔包括：

进行激光钻孔形成贯穿第三铜箔和第三半固化片直至第二电极的至少一个一阶盲孔；

形成所述至少一个一阶盲孔后进行激光钻孔形成贯穿第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔。

进一步地，在进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔之后，在整版镀铜，在所述第一次激光钻孔后的第三铜箔表面以及在所述至少一盲孔中形成电镀铜层之前，所述方法还包括：

对所述至少一个第一盲孔进行除胶渣处理；

进行第一次化学镀镀铜，在除胶渣处理后至少一个第一盲孔中以及以及激光钻孔后所述第三铜箔表面形成第一化学镀铜层。

进一步地，在进行第二次激光钻孔形成贯穿所述电镀铜层和所述第三半固化片直至所述第三电极的至少一个第二盲孔之后，在去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片之前，所述方法还包括：

对所述至少一个第二盲孔进行除胶渣处理。

进一步地，在去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层之后，在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板之前，所述方法还包括：

对所述露出的第二次激光钻孔后的第三半固化片以及所述至少一个第二盲孔表面进行活化处理；

对活化处理后的所述第二次激光钻孔后的第三半固化片表面以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层表面形成第二化学镀铜层。

进一步地，在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板之后，所述方法还包括：

闪蚀位于第三半固化片表面的第二化学镀铜层。

进一步地，将所述承载板双面的三层线路结构的基板分离处理形成两个三层无芯封装基板包括：

去除分离后的所述三层线路结构的基板表面的离型膜，露出第一铜箔；

闪蚀所述露出的第一铜箔；

对闪蚀掉第一铜箔后的三层线路结构的基板表面形成阻焊层，曝光显影后在所述阻焊层上形成窗口，固化形成窗口的所述阻焊层。

第二方面，本发明实施例提供了一种三层封装基板，所述三层封装基板采用第一方面所述的三层封装基板的制作方法制得。

本发明实施例提供的三层封装基板的制作方法及三层封装基板，通过在第一半固化片的双面依次压合超薄铜箔来形成承载板，提高了三层封装基板加工的起始结构的厚度，使得加工工艺更容易控制，减少加工操作带来的问题，有利于良率的改善，通过一次高温压合将三层封装基板中的第二半固化片和第三半固化片进行固化，使得相邻两层半固化片的压合条件相同，形成内部应力均匀的三层封装基板结构，避免了三层封装基板的翘曲现象。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明一个实施例的三层封装基板的制作方法的流程图；

图2a-图2n为实现图1中各步骤对应的结构剖面示意图。

图中的附图标记所分别指代的技术特征为：

11、第一半固化片；a、承载板；b、超薄铜箔；12、铜支撑板；13、离型膜；14、第一铜箔；151、第一电极；152、第一电路；16、第二半固化片；171、第二电极；172、第三电极；18、第三半固化片；19、第三铜箔；20、第一盲孔；21、第一化学镀铜层；22、电镀铜层；23、第二盲孔；24、第二化学镀铜层；25、第三线路结构；26、干膜；27、阻焊层。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

本发明实施例提供一种三层封装基板的制作方法。图1是本发明一个实施例的三层封装基板的制作方法的流程图，如图1所示，该三层封装基板的制作方法包括：

步骤11、在承载板a的双面形成第一线路结构，所述第一线路结构包括第一电极151和第一电路152，所述承载板a包括第一半固化片11及依次压合于第一半固化片11双面的超薄铜箔b。

在本发明中，如图2a所示，承载板a包括第一半固化片11以及压合在第一半固化片11双面的超薄铜箔b，所述超薄铜箔b包括铜支撑板12、离型膜13和第一铜箔14，第一半固化片11双面的超薄铜箔b通过高温压合在一起。第一半固化片11的厚度为60μm以上，以保证高温压合后的承载板a有足够的厚度可以在基板线的自动化设备上进行后续操作，所述压合是指利用高温高压使半固化片受热融化，并使其流动，再转化为固化片，从而将第一半固化片11双面的超薄铜箔b压合在一起，所述高温压合的温度可以为210℃-220℃，所述高温压合的时间可根据第一半固化片11的特性进行决定。

在本实施例中，铜支撑板12的厚度优选为18μm，第一铜箔14的厚度优选为2μm，铜支撑板12和第一铜箔14能够增加承载板a的起始厚度，离型膜13是指表面具有分离性的薄膜，用于在后续工艺中便于将承载板a两个的三层封装基板分离开来。本发明实施例制作的承载板a使得加工三层封装基板的起始结构的厚度大幅度提高，从而提高了加工的可操作性，使得后续工艺易于控制，从而改善三层封装基板的制作良率。

具体地，在承载板a的双面形成第一线路结构时，可在第一铜箔14的双面压合干膜，光刻所述干膜形成第一线路结构图形，图形电镀后形成第一线路结构，之后去除所述第一线路结构图形，可以采用剥膜液将所述第一线路结构图形去除掉，所述剥膜液一般为碱性溶液。

步骤12、在所述第一线路结构上依次低温压合第二半固化片16和第二铜箔，刻蚀所述第二铜箔形成第二线路结构，所述第二线路结构包括第二电极171和第三电极172。

如图2b所示，第二铜箔的厚度可以为9μm-36μm，在真空压膜机中将第二半固化片16和第二铜箔低温压合在第一线路结构上，所述低温压合的温度为110℃-130℃，所述低温压合的时间为5min-20min，在本步骤中，低温压合后的所述第二半固化片16的状态为半固化状态。

可以在第二铜箔上压合干膜，对所述干膜曝光显影后形成第二线路结构图形，图形电镀后形成第二线路结构，之后用剥膜液去除第二线路结构图形。

步骤13、在所述第二线路结构上依次高温压合第三半固化片18和第三铜箔19。

如图2c所示，在本步骤中，在高温压膜机中将第三半固化片18和第三铜箔19依次压合在第二线路结构上，所述高温压合时的温度可以为210℃-220℃，经过高温压合后，第二半固化片16和第三半固化片18成为固化状态，由于第二半固化片16和第三半固化片18固化时的条件相同，因此第二半固化片16和第三半固化片18之间的内部应力均匀，避免了三层封装基板的翘曲现象。

步骤14、进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔19、第三半固化片18、第二电极171、第二半固化片16直至第一电极151的至少一个第一盲孔20。

在本实施例中，可分两次加工形成贯穿第三铜箔19、第三半固化片18、第二电极171、第二半固化片16直至第一电极151的至少一个第一盲孔20，具体地，所述步骤14可包括：

步骤141、进行激光钻孔形成贯穿第三铜箔19和第三半固化片18直至第二电极171的至少一个一阶盲孔。

如图2d所示，可采用UV激光钻孔的方法，利用紫外激光对第三铜箔19和第三半固化片18进行加工。由于激光钻孔的过程中，钻盲孔的深度度不容易控制，因此，可以先用激光钻孔形成贯穿第三铜箔19和第三半固化片18直至第二电极171的至少一个一阶盲孔。

步骤142、在形成至少一个一阶盲孔后进行激光钻孔形成贯穿第二电极171、第二半固化片16直至第一电极151的至少一个第一盲孔20。

如图2e所示，形成至少一个一阶盲孔后再进行激光钻孔形成贯穿第二电极171、第二半固化片16直至第一电极151的至少一个第一盲孔20，从而能够控制形成第一盲孔20的深度。

优选的，在步骤14之后，在步骤15之前，所述方法还包括：

步骤15a、对所述至少一个第一盲孔20进行除胶渣处理。

在第一次激光钻孔时，树脂气化后，部分气化挥发的树脂预冷，沉积在盲孔内表面，激光切割铜箔和半固化片中玻纤产生的碎削也会部分残留在盲孔中，在金属化盲孔前必须去除，以免层间互连和可靠性出问题，因此，在激光钻孔后需要进行除胶渣处理，从而实现电极间良好的接触。所述除胶渣处理方法可采用等离子清洗和化学腐蚀的方法。除胶渣同时对孔内壁表面树脂进行轻微腐蚀使孔壁表面进行粗化。粗化药水可以使硫酸也可以是碱性高锰酸钾。

步骤15b、进行第一次化学镀铜，在除胶渣处理后的至少一个第一盲孔20中以及激光钻孔后所述第三铜箔表面形成第一化学镀铜层21。

如图2f所示，除胶渣处理后进行第一次化学镀铜，在至少一个第一盲孔20以及第三铜箔表面形成第一化学镀铜层21，所述化学镀铜也叫沉铜，它的作用是在第三铜箔19表面以及至少一个第一盲孔20中沉积一层铜，以确保内层第一线路结构和第二线路结构的可靠性。

步骤15、整版镀铜，在第一次激光钻孔后所述第三铜箔19的表面以及在所述至少一个第一盲孔20中形成电镀铜层22。

如图2g所示，在第一化学镀铜层21上通过电解方法沉积金属铜，以提供足够的导电性和厚度，以提供所述第一线路结构和所述第二线路结构间互连盲孔有足够的机械强度。

步骤16、进行第二次激光钻孔形成贯穿所述电镀铜层22和所述第三半固化片18直至所述第三电极172的至少一个第二盲孔23。

如图2h所示，进行第二次激光钻孔，形成贯穿所示电镀铜层22和所述第三半固化片18直至所述第三电极172的至少一个第二盲孔23，所述至少一个第二盲孔23为一阶盲孔。

优选的，在步骤16之后，所述方法还包括：

步骤16a、对所述至少一个第二盲孔23进行除胶渣处理。

在本步骤中，进行除胶渣处理与本实施例中步骤15a中所述的除胶渣处理的方法相同，在此不再赘述。

步骤17、去除第二次激光钻孔后的电镀铜层22和第三铜箔19，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片18以及至少一个第一盲孔20中的电镀铜层22。

如图2i所示，可用腐蚀液经第二次激光钻孔后的电镀铜层22和第三铜箔19腐蚀掉，所述腐蚀液可以是三氯化铁腐蚀液，当然还可以是其他腐蚀液。露出第二次激光钻孔后的第三半固化片18以及至少一个第一盲孔20中的电镀铜层22，在此过程中，至少一个第一盲孔20中的电镀铜层22也会被部分腐蚀掉。

优选的，在步骤17之后，所述方法还包括：

步骤17a、对所述露出的第二次激光钻孔后的第三半固化片18表面以及所述至少一个第二盲孔23表面进行活化处理。

可采用在氧气中等离子清洗露出的第二次激光钻孔后的第三半固化片18表面的薄层半固化片，露出新的第三半固化片18表面，清除裸露半固化片表面上的任何非半固化片树脂材料的有机物残留，以便后续工艺中进行化学镀铜时，能够将第二化学镀铜层24更好的沉积在第三半固化片18表面以及至少一个第二盲孔23表面。

步骤17b、对活化处理后的所述第二次激光钻孔后的第三半固化片18表面以及至少一个第一盲孔20中的电镀铜层22表面形成第二化学镀铜层24。

如图2j所示，在活化处理后的第三半固化片以及至少一个第一盲孔20中的电镀铜层22表面进行第二次化学镀铜形成第二化学镀铜层24。所述第二次化学镀铜与第一次化学镀铜的方法相同，在此不再赘述。

步骤18、在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片18上形成第三线路结构25，从而在所述承载板a的双面形成三层线路结构的基板。

如图2k所示，可在第二次激光钻孔后的第三半固化片18上压合干膜，曝光显影后形成第三线路图形，图形电镀后形成第三线路结构25，之后用剥膜液去除所述第三线路图形。

优选的，在步骤18之后，所述方法还包括：

步骤18a、闪蚀位于第三半固化片18表面的第二化学镀铜层24。

采用闪蚀溶液将形成第三线路结构25后裸露的第三半固化片18表面的第二化学镀铜层24刻蚀掉。

步骤19、将所述承载板a双面的三层线路结构的基板分离处理形成两个三层封装基板。

在本步骤中，由于承载板a中第一半固化片11的双面压合有离型膜13，因此，通过施加外力可将所述承载板a双面的三层线路结构的基板进行分离。

具体地，步骤19包括：

步骤191、去除分离后的所述三层线路结构的基板表面的离型膜13，露出第一铜箔14。

如图2l所示，在分离承载板a双面的所述三层线路结构的基板之前，可以在所述三层线路结构上压合干膜26，以保护所述第三层线路结构不被后续工艺损伤。分离所述三层线路结构的基板之后，去除所述三层线路结构的基板表面的离型膜13，露出第一铜箔14。

步骤192、闪蚀所述露出的第一铜箔14。

如图2m所示，采用闪蚀溶液，将露出的第一铜箔14快速刻蚀掉。在此步骤中，由于第三线路结构25的表面压合有干膜26，因此能够避免在闪蚀第一铜箔14的过程中造成对第三线路的腐蚀，闪蚀所述第一铜箔14后，去除位于第三线路结构25表面的干膜26。

步骤193、对闪蚀掉第一铜箔14后的三层线路结构的基板表面形成阻焊层27，曝光显影后在阻焊层27上形成窗口，固化形成窗口的所述阻焊层27。

如图2n所示，阻焊层27俗称绿油，是一层保护层，能够防止第三线路结构25的物理性断线，在焊接工艺中，能够防止因桥连产生的短路，且能防止因水汽、灰尘等外界因素的污染造成绝缘恶化并腐蚀第三线路结构25，通过阻焊层27开窗，将需要设置贴片和插件的电极裸露出来，之后固化开窗后的阻焊层27，形成两个三层封装基板。从图2n可以看出，所述三层封装基板中，表层线路中的其中一层(第一线路结构)埋入所述第二半固化片16，从而形成两层高密度布线层，能够提高布线密度。

本实施例还提供了一种三层封装基板，所述三层基板采用本实施例上述的三层封装基板的制作方法制得。

本发明实施例提供的三层封装基板的制作方法及三层封装基板，通过在第一半固化片的双面分别压合超薄铜箔，提高了三层封装基板加工的起始结构的厚度，使得加工工艺更容易控制，减少加工操作带来的问题，有利于良率的改善，此外，相邻的第二半固化片和第三半固化片的固化条件相同，使得相邻两层半固化片之间的内部应力均匀，从而避免了基板翘曲现象，另外，所述三层封装基板中表层线路中的其中一层采用线路埋入技术形成两层高密度布线层，能够提高布线密度，且进行一次加工能够形成两个无翘曲的三层封装基板，提高了加工效率，降低了制作成本。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (12)

1.一种三层封装基板的制作方法，其特征在于，包括：

在承载板的双面形成第一线路结构，所述第一线路结构包括第一电极和第一电路，所述承载板包括第一半固化片及依次压合于第一半固化片双面的超薄铜箔；

在所述第一线路结构上依次低温压合第二半固化片和第二铜箔，刻蚀所述第二铜箔形成第二线路结构，所述第二线路结构包括第二电极和第三电极；

在所述第二线路结构上依次高温压合第三半固化片和第三铜箔；

进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔；

整版镀铜，在第一次激光钻孔后所述第三铜箔的表面以及在所述至少一个第一盲孔中形成电镀铜层；

进行第二次激光钻孔形成贯穿所述电镀铜层和所述第三半固化片直至所述第三电极的至少一个第二盲孔；

去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层；

在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板；

将所述承载板双面的三层线路结构的基板分离处理形成两个三层封装基板。

2.根据权利要求1所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，所述第一半固化片双面的超薄铜箔通过高温压合在一起，所述超薄铜箔包括依次层叠的铜支撑板、离型膜和第一铜箔。

3.根据权利要求2所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，所述铜支撑板的厚度为18μm，所述第一铜箔的厚度为2μm。

4.根据权利要求1所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，所述低温压合的温度为110℃-130℃，所述低温压合的时间为5min-20min。

5.根据权利要求1或2所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，所述高温压合的温度为210℃-220℃。

6.根据权利要求1所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔包括：

进行激光钻孔形成贯穿第三铜箔和第三半固化片直至第二电极的至少一个一阶盲孔；

形成所述至少一个一阶盲孔后进行激光钻孔形成贯穿第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔。

7.根据权利要求6所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，在进行第一次激光钻孔形成贯穿所述第三铜箔、第三半固化片、第二电极、第二半固化片直至第一电极的至少一个第一盲孔之后，在整版镀铜，在所述第一次激光钻孔后的第三铜箔表面以及在所述至少一盲孔中形成电镀铜层之前，所述方法还包括：

对所述至少一个第一盲孔进行除胶渣处理；

进行第一次化学镀镀铜，在除胶渣处理后至少一个第一盲孔中以及激光钻孔后所述第三铜箔表面形成第一化学镀铜层。

8.根据权利要求1所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，在进行第二次激光钻孔形成贯穿所述电镀铜层和所述第三半固化片直至所述第三电极的至少一个第二盲孔之后，在去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片之前，所述方法还包括：

对所述至少一个第二盲孔进行除胶渣处理。

9.根据权利要求8所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，在去除第二次激光钻孔后的电镀铜层和第三铜箔，露出第二次激光钻孔后的第三半固化片以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层之后，在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板之前，所述方法还包括：

对所述露出的第二次激光钻孔后的第三半固化片以及所述至少一个第二盲孔表面进行活化处理；

对活化处理后的所述第二次激光钻孔后的第三半固化片表面以及至少一个第一盲孔中的电镀铜层表面形成第二化学镀铜层。

10.根据权利要求9所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，在所述第二次激光钻孔后的第三半固化片上形成第三线路结构，从而在所述承载板的双面形成三层线路结构的基板之后，所述方法还包括：

闪蚀位于第三半固化片表面的第二化学镀铜层。

11.根据权利要求3所述的三层封装基板的制作方法，其特征在于，将所述承载板双面的三层线路结构的基板分离处理形成两个三层封装基板包括：

去除分离后的所述三层线路结构的基板表面的离型膜，露出第一铜箔；

闪蚀所述露出的第一铜箔；

对闪蚀掉第一铜箔后的三层线路结构的基板表面形成阻焊层，曝光显影后在所述阻焊层上形成窗口，固化形成窗口的所述阻焊层。

12.一种三层封装基板，其特征在于，所述三层封装基板采用权利要求1-11任一项所述的三层封装基板的制作方法制得。