CN106847706A - 一种基板的封装工艺 - Google Patents
一种基板的封装工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106847706A CN106847706A CN201611198182.3A CN201611198182A CN106847706A CN 106847706 A CN106847706 A CN 106847706A CN 201611198182 A CN201611198182 A CN 201611198182A CN 106847706 A CN106847706 A CN 106847706A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- packaging technology
- copper foil
- bakeed
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 title claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 12
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 9
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 claims description 9
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 4
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板的封装工艺，通过改变铜箔的厚度，铜箔的厚度由原来的2μm变为现在的12μm，减少二次镀铜所带来的工序，可以减少17%的基板制作工序，极大地缩短封装周期，从而可以生产降低成本；同时，可以防止镀铜时发生低电流现象而直接导致键合手指表面金层不均匀的问题。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体技术领域，具体的说是一种基板封装工艺。
背景技术
目前相关基板产品上的铜厚度大约为8μm左右，因此使用2μm厚度的铜箔，需要进行镀铜工艺，镀铜容易受电流影响，使得铜表面粗糙直接影响后面镀镍镀金工艺，直接影响键合手指表面粗糙度；而开发使用12μm厚度铜箔不需要进行镀铜，进行减铜工艺即可，即可以减少工序，又可以提高品质。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足之处，从而提供一种基板封装工艺。本发明是通过下述技术方案解决上述技术问题的：一种基板的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：热压叠合，准备浸有树脂的玻璃纤维织布，将12μm的铜箔与玻璃纤维织布进行热压叠合；
第二步：材料烘焙，将热压叠合好的基板进行烘焙，使得预浸材料中的树脂熔融，得到硬化成型的基板；
第三步：钻孔，在烘焙好的基板上进行钻孔；
第四步：表面预处理，在基板的表面进行表面预处理，使其表面光滑，增进未来电路蚀刻的精确度；
第五步：电路预处理，在表面预处理好后的基板上布置线路；
第六步：蚀刻，对基板表面上的玻璃纤维的突出物以氯化亚铜溶液去除；
第七步：清洗，对基板表面上残留的一些杂质进行清洗；
第八步：涂布保护层，在表面处理好后的基板上涂布一层环氧树脂保护层；
第九步：测试包装。
优选的，所述铜箔与玻璃纤维织布之间采用高分子树脂黏结。
优选的，所述环氧树脂的厚度为60μm。
本发明的有益效果：本发明通过改变铜箔的厚度，铜箔的厚度由原来的2μm变为现在的12μm，减少二次镀铜所带来的工序，可以减少17%的基板制作工序，极大地缩短封装周期，从而可以生产降低成本；同时，可以防止镀铜时发生低电流现象而直接导致键合手指表面金层不均匀的问题。
附图说明
图1为本发明一种基板的封装工艺的原理图；
图2为本发明一种基板的封装工艺的原理示意图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实例。
如图1和图2所示，一种基板的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：热压叠合，准备浸有树脂的玻璃纤维织布，将12μm的铜箔与玻璃纤维织布进行热压叠合；
第二步：材料烘焙，将热压叠合好的基板进行烘焙，使得预浸材料中的树脂熔融，得到硬化成型的基板；
第三步：钻孔，在烘焙好的基板上进行钻孔；
第四步：表面预处理，在基板的表面进行表面预处理，使其表面光滑，增进未来电路蚀刻的精确度；
第五步：电路预处理，在表面预处理好后的基板上布置线路；
第六步：蚀刻，对基板表面上的玻璃纤维的突出物以氯化亚铜溶液去除；
第七步：清洗，对基板表面上残留的一些杂质进行清洗；
第八步：涂布保护层，在表面处理好后的基板上涂布一层环氧树脂保护层；
第九步：测试包装。
在本实施例中，优选的，所述铜箔与玻璃纤维织布之间采用高分子树脂黏结。
在本实施例中，优选的，所述环氧树脂的厚度为60μm。
以上所述仅为本发明的优选实施例方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (3)
1.一种基板的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：热压叠合，准备浸有树脂的玻璃纤维织布，将12μm的铜箔与玻璃纤维织布进行热压叠合；
第二步：材料烘焙，将热压叠合好的基板进行烘焙，使得预浸材料中的树脂熔融，得到硬化成型的基板；
第三步：钻孔，在烘焙好的基板上进行钻孔；
第四步：表面预处理，在基板的表面进行表面预处理，使其表面光滑，增进未来电路蚀刻的精确度；
第五步：电路预处理，在表面预处理好后的基板上布置线路；
第六步：蚀刻，对基板表面上的玻璃纤维的突出物以氯化亚铜溶液去除；
第七步：清洗，对基板表面上残留的一些杂质进行清洗；
第八步：涂布保护层，在表面处理好后的基板上涂布一层环氧树脂保护层；
第九步：测试包装。
2.根据权利要求1所述的一种基板的封装工艺，其特征在于，所述铜箔与玻璃纤维织布之间采用高分子树脂黏结。
3.根据权利要求1所述的一种基板的封装工艺，其特征在于，所述环氧树脂的厚度为60μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611198182.3A CN106847706A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种基板的封装工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201611198182.3A CN106847706A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种基板的封装工艺 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106847706A true CN106847706A (zh) | 2017-06-13 |
Family
ID=59135760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201611198182.3A Pending CN106847706A (zh) | 2016-12-22 | 2016-12-22 | 一种基板的封装工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106847706A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109301398A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-01 | 昆山科正荣电子材料有限公司 | 一种新能源电池加热系统 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103491732A (zh) * | 2013-10-08 | 2014-01-01 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种电路板增层结构的制造方法 |
| CN104701189A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-06-10 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三层封装基板的制作方法及三层封装基板 |
| CN105304504A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-02-03 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种半导体器件用基板的制造方法 |
| CN105295308A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-02-03 | 苏州鑫德杰电子有限公司 | 一种印刷电路板基板及其制备方法 |
-
2016
- 2016-12-22 CN CN201611198182.3A patent/CN106847706A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103491732A (zh) * | 2013-10-08 | 2014-01-01 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种电路板增层结构的制造方法 |
| CN104701189A (zh) * | 2014-12-29 | 2015-06-10 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 三层封装基板的制作方法及三层封装基板 |
| CN105304504A (zh) * | 2015-09-21 | 2016-02-03 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种半导体器件用基板的制造方法 |
| CN105295308A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-02-03 | 苏州鑫德杰电子有限公司 | 一种印刷电路板基板及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109301398A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-01 | 昆山科正荣电子材料有限公司 | 一种新能源电池加热系统 |
| CN109301398B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-07-16 | 昆山科正荣电子材料有限公司 | 一种新能源电池加热系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104465418A (zh) | 一种扇出晶圆级封装方法 | |
| CN104752234A (zh) | 一种柔性封装基板的微盲孔制作方法 | |
| CN101567355B (zh) | 半导体封装基板及其制法 | |
| CN105870026A (zh) | 载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法 | |
| CN105578704B (zh) | 多层柔性电路板的制作方法 | |
| CN105246249A (zh) | 电路基板及其制造方法 | |
| CN104661445A (zh) | 防止油墨外溢的树脂塞孔制作方法 | |
| CN104902696A (zh) | 一种基于埋线结构在印制电路板上制作铜柱的方法 | |
| JP2016134624A (ja) | 電子素子内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 | |
| CN103945657A (zh) | 一种在印制电路板上制作铜柱的方法 | |
| CN104979314A (zh) | 半导体封装结构及半导体工艺 | |
| JP2011187913A (ja) | 電子素子内蔵型印刷回路基板及びその製造方法 | |
| CN205595327U (zh) | 无芯封装基板 | |
| CN106847706A (zh) | 一种基板的封装工艺 | |
| JP2007288055A (ja) | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 | |
| CN104821371B (zh) | 一种led集成封装基板的制作方法 | |
| CN107846784B (zh) | 一种高密度嵌入式线路的制作方法 | |
| CN104465575A (zh) | 半导体封装及其制造方法 | |
| JP2015050309A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
| WO2018113741A1 (zh) | 一种二极管的封装方法及二极管 | |
| CN105161474A (zh) | 扇出型封装结构及其生产工艺 | |
| CN105489504B (zh) | 一种封装基板的制作方法 | |
| CN104051278A (zh) | Dbc陶瓷基板的成型铣切方法 | |
| CN105023910B (zh) | 导电盲孔结构及其制法 | |
| TWI573502B (zh) | 基板結構及其製作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20170613 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |