CN105870026A - 载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法。一种制造用于无芯封装基板(100)的载体(10)的方法，包括：步骤S1，形成固化树脂(12)；以及步骤S2，在固化树脂(12)的表面(14)形成易于剥离的导体层(16)，该导体层(16)与固化树脂(12)之间的结合力为0.01‑0.05N/mm。

Description

载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法

技术领域

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种载体、其制造方法及使用载体制造无芯封装基板的方法。该无芯封装基板可用于各种电子产品中以满足多功能、小型化、便携式的发展要求。

背景技术

封装基板或IC载板除了支撑IC芯片、内部布有线路以导通芯片与PCB电路板之间的讯号之外，还具有保护电路、专线、设计散热途径、建立零组件模块化标准等附加功能。随着无线通信、汽车电子及其它消费类电子产品朝着多功能、轻薄短小、高频高速、低功耗和高可靠性等方向发展，对于支撑、导通芯片的刚性封装基板而言，其所涉及的线路越来越细，从常规L/S的50/50μm发展到25/25m、15/15μm甚至更小的8/8μm。

面对精细线路需求，目前应用于刚性封装基板的基材(或芯板)主要有如下三种。第一种主要借助表面粗糙度Rz≥3μm的铜箔(12μm厚，防止铜箔压合起皱)压合成基材，厂商对其施以“减薄铜+减法蚀刻工艺”而制作线路。基材制造成本低、线路剥离强度高，但需要减薄12μm铜箔，故而铜厚均匀性难以控制，所制作线路的合格率较低，只能应对L/S>35/35μm的线路设计。此外，还需额外蚀刻3μm以上的铜芽部分，故蚀刻量大，需要较多CAM线路补偿，最终影响线路制作能力。第二种主要借助Rz值约2μm的薄铜箔(2μm厚)压合成基材，厂商对其采用改良型半加成法(MSAP)来制作线路。L/S制作能力虽可提升至≥25/25μm，但2μm薄铜箔价格较贵，限制了该基材的大规模市场应用。第三种主要应对L/S<25/25μm的线路设计，主要以低粗糙度薄铜箔(Rz值≤1μm)或化学沉铜作为底铜，经由增加线路剥离强度的Primer涂层或ABF树脂压合成基材，再采用PSAP或SAP半加成法加工制作线路。该工艺需要更贵的低粗糙度薄铜箔和Primer、ABF材料，制造成本极高，而且由于底铜Rz值太小而容易发生线路剥离及其他制程问题(如外形后边缘余胶等)。总之，为了应对刚性封装基板不同L/S范围的线路设计，目前业界采用不同的铜箔进行压合来制造基材，导致下游封装基板制造商必须按不同基材选择不同的加工流程并评估其稳定性等，很难在成本与产品合格率间找到最佳基材。特别是对于L/S临界点的产品，其合格率的稳定性一直是让人头疼的问题。

与传统的积层芯板工艺相比，近年来发展出一种新的封装基板制作工艺：无芯板技术+埋线路ETS和MIS工艺。凭借将线路埋入PP(半固化片)或模塑胶中，只需蚀刻线路上方的薄铜就可避免线路侧蚀或剥离，不需要额外的Primer、ABF等材料，因而这种工艺具有成本低廉、更薄更轻、电气性能和布线自由度高的优点，容易制得L/S为20/20μm甚至10/10μm的基板，显出较好的市场应用前景。可是，由于无芯板太薄，制作过程超出许多工序的过板能力，因而易于卡板并造成板损报废。为了提升该工艺的良率和生产率，基板制造商一般采用分离工艺，即借助载体来支撑、增加板厚，在其上下积层制作无芯板线路，然后从载体分离而得到封装基板。也就是说，对于“无芯板技术+埋线路ETS和MIS工艺”，必须借助关键材料——“载体”来实现支撑和分离。目前采用的载体主要有两种。一种借助可分离的薄铜箔压合成载体，应用于无芯封装基板的制造中，在将无芯板从载体分离后再封装芯片，制作效率高。但是，这种载体采用了薄铜箔和压合工艺，因而制造程序复杂、成本高，而且在一次无芯板制作完成后无法重复利用，较为浪费。另一种是将薄铁合金卷对卷电镀后作为载体，应用于MIS工艺，在无芯板的制作过程中需要进行研磨、对薄铁合金开窗等。这种载体的材料和制作成本较低，但是受工艺特点和专有研磨设备的限制，存在着制作流程长、效率低下等缺点，难以广泛应用。而且，开窗后的薄铁合金无法重复利用，较为浪费。因此，需要一种可重复利用、低成本的载体及其制造方法，以应对封装基板领域中日益增长的无芯板ETS等高端芯片倒装产品的需求。

此外，在现有技术中制作无芯封装基板时，通常是先通过高温层压法将铜箔粘合在基材上，然后在基材上进行钻孔并进一步通过图形电镀或全板电镀等方法去除基材表面上的部分铜箔，从而得到最终的线路。在激光钻孔时，需要先对铜箔需要钻孔的位置进行蚀刻减薄才能在基材上钻孔。在对孔进行金属化时，先用化学沉铜(PTH)或黑孔、黑影等工艺在孔壁上形成导电籽晶层，再通过电镀在孔壁上形成金属导体层，以提升导电性能。这种工艺需要使用成品铜箔且需要多次蚀刻，因而难以满足精细线路需求，且会产生大量含有金属离子的污水而危害环境。而且，孔壁上的导电籽晶层和电镀铜层与基材之间的结合力较弱，易于从孔壁分离而导致金属化孔的导电性变差。因此，在制作无芯封装基板时需要一种流程简单、易于控制且能够确保其中过孔的导电性能的方法。

发明内容

本发明是鉴于上述情形而作出的，其目的在于，提供一种可重复利用、低成本的载体及其制造方法，以及一种使用载体制造无芯封装基板的流程简单、易于控制且能够确保过孔的导电性能的方法。

本发明的第一技术方案为一种制造用于无芯封装基板的载体的方法，该方法包括以下步骤：形成固化树脂(S1)；以及，在固化树脂的表面形成易于剥离的导体层，导体层与固化树脂之间的结合力为0.01-0.05N/mm(S2)。

在这样制得的载体中，导体层与固化树脂之间的结合力低至0.01-0.05N/mm。因此，在利用该载体来制造无芯封装基板时，很容易将封装基板连同导体层从固化树脂剥离，剥离下来的固化树脂可进一步在步骤S2中进行处理，容易重复应用于载体的制备过程中。

本发明的第二技术方案为，在第一方案中，步骤S1包括使金属片的低粗糙面与未固化的树脂贴合，在层压、热固化后除去金属片，从而得到固化树脂。

本发明的第三技术方案为，在第二方案中，树脂包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂以及它们的改性树脂中的一种或多种。

本发明的第四技术方案为，在第一方案中，步骤S2包括先在固化树脂的表面形成导电籽晶层，之后在导电籽晶层上形成导体加厚层，导电籽晶层与导体加厚层组成导体层。

本发明的第五技术方案为，在第四方案中，通过下列方式来形成导电籽晶层：通过离子注入将导电材料注入到固化树脂的表面下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层；或者，通过等离子体沉积将导电材料沉积在固化树脂的表面上，以形成等离子体沉积层作为导电籽晶层；或者，先通过离子注入将导电材料注入到固化树脂的表面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在离子注入层的上方形成等离子体沉积层，离子注入层与等离子体沉积层一起组成导电籽晶层。

本发明的第六技术方案为，在第五方案中，离子注入层为导电材料与固化树脂形成的掺杂结构，其外表面与固化树脂的表面平齐，而内表面位于固化树脂的表面下方1-100nm深度处。

本发明的第七技术方案为，在第五方案中，等离子体沉积层包括厚度为0-500nm的金属或金属氧化物沉积层、以及位于金属或金属氧化物沉积层上方且厚度为0-500nm的Cu沉积层，其中金属沉积层包含Ni或Ni-Cu合金，金属氧化物沉积层包含NiO。

本发明的第八技术方案为，在第四方案中，步骤S2包括通过电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射中的一种或多种，在导电籽晶层的上方形成导体加厚层。

本发明的第九技术方案为一种用于无芯封装基板的载体，该载体包括：固化树脂；以及，在固化树脂的表面易于剥离的导体层，导体层与固化树脂之间的结合力为0.01-0.05N/mm。

在这种载体中，导体层与固化树脂之间具有低至0.01-0.05N/mm的结合力。因此，在利用该载体来制造无芯封装基板时，很容易将封装基板连同导体层从固化树脂剥离，剥离下来的固化树脂可进一步形成导体层而容易再次用于载体中。

本发明的第十技术方案为，在第九方案中，固化树脂包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂以及它们的改性树脂中的一种或多种，并且固化树脂的表面粗糙度为2.5μm以下。

本发明的第十一技术方案为，在第九方案中，导体层包括导电籽晶层和位于导电籽晶层上方的导体加厚层。

本发明的第十二技术方案为，在第十一方案中，导电籽晶层包括：外表面与固化树脂的表面平齐而内表面位于固化树脂内部的离子注入层；或者，位于固化树脂的表面上方的等离子体沉积层；或者，外表面与固化树脂的表面平齐而内表面位于固化树脂内部的离子注入层、以及位于离子注入层上方的等离子体沉积层。

本发明的第十三技术方案为，在第十二方案中，离子注入层是导电材料与固化树脂形成的掺杂结构，其内表面位于固化树脂的表面下方1-100nm深度处。

本发明的第十四技术方案为，在第十二方案中，等离子体沉积层包括厚度为0-500nm的金属或金属氧化物沉积层、以及位于金属或金属氧化物沉积层上方且厚度为0-500nm的Cu沉积层，其中金属沉积层包含Ni或Ni-Cu合金，金属氧化物沉积层包含NiO。

本发明的第十五技术方案为，在第十一方案中，导体加厚层包括厚度为0-5μm的Cu层。

本发明的第十六技术方案为一种制造无芯封装基板的方法，该方法包括以下步骤：在载体的表面上形成第一线路结构(S11)；在第一线路结构的上方层压第一贴合层(S12)；对第一贴合层钻孔(S13)；通过下列方式在第一贴合层的表面和孔的壁面上形成导电籽晶层，即，通过离子注入将导电材料注入到第一贴合层的表面及孔的壁面下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层，或者通过等离子体沉积将导电材料沉积到第一贴合层的表面及孔的壁面上，以形成等离子体沉积层作为导电籽晶层，或者先通过离子注入将导电材料注入到第一贴合层的表面及孔的壁面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在离子注入层的上方形成等离子体沉积层，离子注入层与等离子体沉积层一起组成导电籽晶层(S14)；在第一贴合层的表面上形成第二线路结构(S15)；以及，剥离载体而获得封装基板(S16)。

通过在贴合层的表面和孔的壁面上形成导电籽晶层，贴合层表面的金属化和孔壁的金属化能够同时进行。因此，可以通过一次成型而直接制得金属化过孔和带有导电籽晶层的贴合层表面，无需像现有技术那样需要事先对基材覆上较厚金属箔且之后对金属箔进行蚀刻减薄才能在基材上钻孔，并且不需要通过化学沉铜或黑孔、黑影等工艺在孔壁上形成导电层以得到金属化过孔。与现有技术相比，上述方法的工艺流程可以显著缩短，而且可以减少蚀刻液的使用，有利于环境保护。此外，通过调整各种工艺参数，例如电镀时的电压、电流和电镀液浓度等，上述方法很容易制得厚度极薄的线路结构层，易于满足狭窄线宽线距的精细线路需求。另外，在形成有离子注入层时，可以在孔壁与导电籽晶层之间产生很高的结合力，孔壁的金属层因而不会在后续的各种加工或应用过程中容易脱落或划伤。因此，有利于提升过孔的导电性，便于制得导通性良好的封装基板。

本发明的第十七技术方案为，在第十六方案中，重复步骤S12至S15，形成带有第一、第二、第三、……第N线路结构的多层封装基板。

本发明的第十八技术方案为，在第十七方案中，在形成多层封装基板的中间线路结构，即第二、第三、……第N-1线路结构中的一个或多个时，先将铜箔层压到贴合层上，对铜箔和贴合层钻孔，然后蚀刻铜箔而获得中间线路结构。

本发明的第十九技术方案为，在第十六方案中，载体是通过第一至第八方案中的任何一种方法制造的载体、或者是第九至第十五方案中所述的任何一种载体。

本发明的第二十技术方案为，在第十六方案中，步骤S11包括在载体的双面上形成第一线路结构，并且步骤S16包括从双面剥离载体而获得两个单独的封装基板。

本发明的第二十一技术方案为，在第十六方案中，在步骤S11、S15中，通过全板电镀或图形电镀方法来形成第一、第二线路结构。

本发明的第二十二技术方案为，在第十六方案中，离子注入层为导电材料与第一贴合层形成的掺杂结构，其外表面与第一贴合层的表面或孔的壁面平齐，而内表面位于第一贴合层的表面或孔的壁面下方1-500nm深度处。

本发明的第二十三技术方案为，在第十六方案中，步骤S14还包括通过电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射中的一种或多种，在导电籽晶层的上方形成导体加厚层，导体加厚层包含Cu。

附图说明

在参照附图阅读以下的详细描述之后，本领域技术人员将更容易理解本发明的这些及其他的特征、方面和优点。为了清楚起见，附图不一定按比例绘制，而是其中有些部分可能被夸大以示出具体细节。在所有附图中，相同的参考标号表示相同或相似的部分，其中：

图1是表示根据本发明的制造用于无芯封装基板的载体的方法的流程图；

图2(a)-(d)是示出通过图1所示的方法所制得的各种载体的剖面示意图；

图3是表示根据本发明的制造无芯封装基板的方法的流程图；

图4(a)-(f)是示出在生产双层封装基板时与图3所示方法的各个步骤相应的结构剖面示意图；以及

图5(a)-(j)是示出在生产三层封装基板时与图3所示方法的各个步骤相应的结构剖面示意图。

参考标号：

10 载体

12 固化树脂

14 固化树脂的表面

16 导体层

17 导电籽晶层

18 离子注入层

20 等离子体沉积层

201 金属或金属氧化物沉积层

202 Cu沉积层

22 导体加厚层

100 封装基板

102 第一线路结构

104 第一贴合层

106 第一贴合层的表面

108 孔

110 孔的壁面

116 导体层

117 导电籽晶层

118 离子注入层

120 等离子体沉积层

122 导体加厚层

124 第二线路结构

126 第二贴合层

128 第三线路结构

130 离型膜

132 铜箔

134 半固化片。

具体实施方式

以下，参照附图，详细地描述本发明的实施方式。本领域技术人员应当理解，这些描述仅仅列举了本发明的示例性实施例，而决不意图限制本发明的保护范围。此外，为了便于描述各材料层之间的位置关系，在本文中使用了空间相对用语，例如“上方”和“下方”、以及“内”和“外”等，这些术语均是相对于载体或贴合层的表面而言的。如果A层材料相对于B层材料位于朝向载体或贴合层外侧的方向上，则认为A层材料位于B层材料的上方，反之亦然。另外，在描述封装基板时，所用的“双层”、“三层”和“多层”等术语实际上指代该封装基板中线路结构的层数。

图1是表示根据本发明的制造用于无芯封装基板的载体的方法的流程图。该方法包括以下步骤：形成固化树脂(步骤S1)；以及在固化树脂的表面形成易于剥离的导体层，该导体层与固化树脂之间的结合力为0.01-0.05N/mm(步骤S2)。在这样制得的载体中，导体层与固化树脂之间的结合力低至0.01-0.05N/mm。因此，在利用该载体来制造无芯封装基板时，很容易将封装基板连同导体层一起从固化树脂剥离，剥离下来的固化树脂可进一步在步骤S2中进行处理，很容易重复应用于载体的制备过程中。

在形成固化树脂时，可通过使金属片的低粗糙面与未固化的树脂贴合，在层压、热固化后去除该金属片，从而得到固化树脂。所采用的树脂原材料可包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂以及它们的改性树脂中的一种或多种。所采用的金属片可以是不锈钢片、铝片、铜片等常见的各种金属薄片，也可以是较厚的金属板等。金属片的低粗糙面优选地具有2.5μm以下(即≤2.5μm，例如2.0μm、1.0μm、0.5μm等)的表面粗糙度Rz值，使得最终得到的固化树脂也具有相应的较低表面粗糙度，便于形成平整的导体层。此外，热固化过程可以在真空压机中进行，而金属片的去除可通过蚀刻等方式实现。实际上，除了固化树脂之外，其他性能稳定的绝缘刚性板材也可以在本发明中用于载体的制造。例如，还可以使用有机高分子刚性板、陶瓷板(如二氧化硅板)、玻璃板等，其中有机高分子刚性板又可包括LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成橡胶板、玻纤布/陶瓷填料增强板等。另外，还可以使用半固化片来代替固化树脂，不是在载体的制造过程中，而是可在利用该载体制造封装基板的后续过程中对该半固化片进行固化。

形成导体层的步骤S2可包括先在固化树脂的表面形成导电籽晶层，之后再在导电籽晶层上形成导体加厚层。在形成导电籽晶层时，可以通过离子注入将导电材料注入到固化树脂的表面下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层。可选地，可以通过等离子体沉积将导电材料沉积在固化树脂的表面上，以形成等离子体沉积层作为导电籽晶层。可选地，还可以先通过离子注入将导电材料注入到固化树脂的表面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在该离子注入层的上方形成等离子体沉积层，该离子注入层与等离子体沉积层一起组成导电籽晶层。此外，不限于离子注入和等离子体沉积这两种方式，还可以通过溅射沉积、化学气相沉积等方法在固化树脂的表面形成易于剥离的导体层。通过调整各种方法的操作参数，可以将导体层与固化树脂之间的结合力稳定地控制在0.01-0.05N/mm之间。

离子注入可通过以下方法来进行：使用导电材料作为靶材，在真空环境下，通过电弧作用使靶材中的导电材料电离而产生离子，然后在电场下使该离子加速而获得一定的能量。高能的导电材料离子接着以一定的速度直接撞击到固化树脂的表面上，并且注入到该表面下方一定的深度。在所注入的导电材料离子与树脂分子之间形成了较为稳定的化学键(例如离子键或共价键)，二者共同构成了掺杂结构。该掺杂结构(即，离子注入层)的外表面与固化树脂的表面平齐，而其内表面深入到固化树脂的内部，即，位于固化树脂的表面下方。在离子注入之前，可以对固化树脂的表面进行去污、表面清洁、封孔剂处理、真空环境霍尔源处理、表面沉积处理等，以便于离子注入过程的顺利进行。

可以使用各种金属、合金、导电氧化物、导电碳化物、导电有机物等作为离子注入用的导电材料，例如Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种，该合金为NiCr、TiCr、VCr、CuCr、MoV、NiCrV、TiNiCrNb等。而且，离子注入层可以包括一层或多层，例如从内到外依次排列的Ni层和Cu层。在离子注入过程中，可通过控制各种参数(例如电压、电流、真空度、离子注入剂量等)而容易地调节离子注入的深度、以及固化树脂与导电籽晶层之间的结合力。例如，离子注入的深度(即，离子注入层的内表面与固化树脂的表面之间的距离)可以被调节为处于0-100nm之间，同时固化树脂与导电籽晶层之间的结合力可以被调节为0.01-0.05N/mm，例如0.02、0.03、0.04N/mm等。用于离子注入过程的导电材料离子通常具有纳米级的尺寸，在离子注入期间分布较为均匀，而且到固化树脂表面的入射角度差异较小。因此，可确保所得的离子注入层具有良好的均匀性和致密度，不容易出现针孔现象。

等离子体沉积可采用与上文所述的离子注入相似的方式来进行，只不过在沉积期间施加较低的电压。即，同样使用导电材料作为靶材，在真空环境下，通过电弧作用使靶材中的导电材料电离而产生离子，然后在电场下使该离子加速而获得一定的能量且沉积到固化树脂的表面上，从而构成等离子体沉积层。此时，可以使用与离子注入相同或不同的导电材料作为靶材。优选地，可根据所选用的树脂材料或离子注入层(若存在)的组分和厚度等来选择等离子体沉积层用的导电材料。此外，等离子体沉积层也可以包括一层或多层，例如从内到外依次排列的金属或金属氧化物沉积层和Cu层。在一个优选实施例中，金属沉积层是厚度为0-500nm的Ni层，金属氧化物沉积层是厚度为0-500nm的Ni-Cu合金层，而Cu的厚度也可为0-500nm。用于等离子体沉积的导电材料离子同样具有纳米级的尺寸，在沉积期间分布较为均匀，而且到固化树脂表面的入射角度差异较小。因此，能够确保所得的等离子体沉积层具有良好的均匀性和致密度，不容易出现针孔现象。

如上文所述，可以单独地采用离子注入或者等离子体沉积来在固化树脂的表面上形成导电籽晶层，也可以同时采用离子注入和等离子体沉积这两种方式来形成导电籽晶层。例如，在图2(a)所示的示例中，在固化树脂12的表面14上形成的导电籽晶层17仅仅由离子注入层18构成，该离子注入层18的外表面与固化树脂12的表面14平齐，而内表面则位于固化树脂12的表面14下方，即，位于固化树脂12的内部。在图2(d)所示的示例中，导电籽晶层17仅仅由等离子体沉积层20构成，该等离子体沉积层20的内表面与固化树脂12的表面14平齐，而外表面则位于固化树脂12的外部。换而言之，等离子体沉积层20直接位于固化树脂12的表面14上方。此外，在图2(b)和(c)所示的示例中，在固化树脂12的表面14上形成的导电籽晶层17包括离子注入层18和位于该离子注入层18上方的等离子体沉积层20，其中离子注入层18的外表面与固化树脂12的表面14平齐，而内表面位于固化树脂12的表面14下方，等离子体沉积层20则附着于离子注入层18的上方。在一个优选实施例中，如图2(c)所示，等离子体沉积层20又包括直接位于离子注入层18及固化树脂的表面14上方的金属或金属氧化物沉积层201、以及位于该金属或金属氧化物沉积层201上方的Cu沉积层202。

位于导电籽晶层上方的导体加厚层可以采用电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射等方法中的一种或多种处理方式，使用例如Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb及它们之间的合金中的一种或多种来形成。电镀法是优选的，因为电镀速度快、成本低，而且可电镀的材料范围非常广泛，尤其适用于Cu、Ni、Sn、Ag以及它们之间的合金等。对于某些导电材料，特别是金属和合金(例如Al、Cu、Ag及其合金)，溅射的速度可以达到100nm/min，因而可使用溅射方式在导电籽晶层上快速地镀覆导体加厚层。由于之前已经通过离子注入和/或等离子体沉积在固化树脂的表面上形成了均匀、致密的导电籽晶层，所以很容易通过上述方法在该导电籽晶层上形成均匀、致密的导体加厚层，进而与导电籽晶层一起组成导体层。

在图2(a)至2(d)中均清楚地示出了形成于导电籽晶层17上方的导体加厚层22。为了便于在制造无芯封装基板的后续过程中使用、加厚封装基板加工的起始结构厚度以利于良率改善、以及避免基板翘曲现象的发生，载体10上包括导电籽晶层17和导体加厚层22的导体层16优选地具有5μm以下(即≤5μm，例如1μm、2μm、3μm、4μm、5μm等)的厚度。

在形成了载体之后，可接着使用该载体来形成无芯封装基板。图3是表示根据本发明的制造无芯封装基板的方法的流程图。该方法包括以下步骤：在载体的表面上形成第一线路结构(步骤S11)；在第一线路结构的上方层压第一贴合层(步骤S12)；对第一贴合层钻孔(步骤S13)；在第一贴合层的表面和孔的壁面上形成导电籽晶层(步骤S14)；在第一贴合层的表面上形成第二线路结构(步骤S15)；以及，剥离载体而获得无芯封装基板(步骤S16)。

通过上述步骤S11至S16，可以获得带有表层和底层线路结构的双层封装基板。应当容易理解，在想要形成多层线路结构的情况下，可以重复上述步骤S12至S15。例如，可以在第二线路结构的上方继续层压第二贴合层，然后对该第二贴合层钻孔，继而在第二贴合层的表面和形成于该第二贴合层中的孔的壁面上形成导电籽晶层，接着再在第二贴合层的表面上形成第三线路结构，最后剥离载体而获得带有三层线路结构的封装基板。依此类推，可以形成带有第一、第二、第三、……第N线路结构的多层封装基板。在形成多层封装基板的中间线路结构，即第二、第三、……第N-1线路结构中的一个或多个时，可以先将铜箔层压到贴合层上，再对该铜箔和贴合层钻孔，然后蚀刻铜箔而获得期望的中间线路结构。由于中间线路结构不会暴露在外，因而可通过这种简便的方法制得对线框、线距要求不那么高的电路图案。此外，在形成多层封装基板时，可以不在每个循环中单独地对各个贴合层钻孔，而是在某一循环中对层压在一起的多个贴合层钻出一个或多个通孔，以便一次性地导通相应的线路结构。

作为制造无芯封装基板用的载体，除了通过上述方法制得的图2(a)至2(d)所示的载体10之外，还可以使用本领域中常用的载体，例如经由离型膜将超薄铜箔高温压合到半固化片上而形成的承载板。此外，在制造无芯封装基板时，可以仅在载体的单面上形成线路结构，也可以在载体的双面上均形成线路结构，此时可一次性地从载体分离而形成两个单独的无芯封装基板。

作为形成线路结构的方法，可采用现有技术公知的全板电镀或图形电镀。例如，可以先在载体的导体层上或者在贴合层表面的导电籽晶层上覆盖光阻膜并进行曝光、显影，然后进行蚀刻以去除非电路部分且进行褪膜，从而形成线路结构。也可以先在载体的导体层上或者在贴合层表面的导电籽晶层上覆盖光阻膜并进行曝光、显影，然后进行整体电镀，再进行褪膜和快速蚀刻掉非电路部分，从而形成线路结构。其中，导体层可以是图2(a)至2(d)中所示的任何一种导体层16。

作为贴合层的材料，典型地使用常见的半固化片，也可以使用PP、PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP、PPA等有机高分子薄膜，或者不含玻纤布的纯树脂胶膜(例如环氧树脂胶膜)。在钻孔时，可以采用机械钻孔、冲孔、激光打孔、等离子体刻蚀和反应离子刻蚀等，其中激光打孔又可包括红外激光打孔、YAG激光打孔和紫外激光打孔，可在基材上形成孔径达到2-5微米的微孔。孔的形状可以是圆形、矩形、梯台形等各种各样的形状，在激光钻孔时通常形成截面为倒置梯形的孔。此外，在激光钻孔时，树脂气化后部分挥发的树脂会遇冷而沉积在孔的壁面上，切割时产生的碎片也可能残留于孔内。因此，在对孔进行金属化(步骤S14中形成导电籽晶层)之前，需要进行胶渣去除处理，以避免层间互连和可靠性出现问题，并且实现电极间良好的电接触。胶渣去除处理可采用等离子体清洗或化学腐蚀方法来进行。在去除胶渣的同时还可对孔的壁面进行轻微的腐蚀从而粗化壁面，这有助于导体层附着于孔的壁面上。粗化所采用的药剂可以是硫酸或碱性高锰酸钾。

步骤S14中，在第一贴合层的表面和孔的壁面上形成导电籽晶层时，可采用上文描述的方法来进行。例如，可通过离子注入将导电材料注入到第一贴合层的表面及孔的壁面下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层。可选地，可通过等离子体沉积将导电材料沉积到第一贴合层的表面及孔的壁面上，以形成等离子体沉积层作为导电籽晶层。可选地，还可以先通过离子注入将导电材料注入到第一贴合层的表面及孔的壁面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在离子注入层的上方形成等离子体沉积层，该等离子体沉积层与离子注入层一起组成导电籽晶层。

具体地，离子注入采用上文描述的方法来进行。需要注意的是，在形成载体时，希望该载体上的导体层能够容易地从固化树脂的表面剥离，因而在注入过程中调节离子注入过程的参数，尤其是使用较低的加速电压以获得较低的离子飞行速度，使得导体层与固化树脂之间的预定结合力低达0.01-0.05N/mm。但是，在对孔进行金属化和形成线路结构时，则希望所形成的导体层与贴合层材料之间具有较大的结合力。此时，需要在离子注入设备中施加较高的电压，使得导电材料离子获得较高的能量并以较高的速度直接撞击到贴合层的表面和孔的壁面上，并且注入到其下方一定深度处，例如1-500nm(如50、100、200、300、400nm等)。这样，导电材料离子被强行地注入到贴合层内部，与组成贴合层的材料分子之间形成稳定的化学键而构成掺杂结构，相当于在贴合层表面和孔的壁面下方形成了数量众多的“基桩”。掺杂结构(即，离子注入层)的外表面与贴合层的表面或孔的壁面平齐，而其内表面位于贴合层的表面或孔的壁面下方1-500nm的深度处。“基桩”与贴合层之间的结合力较高，可以达到0.5N/mm以上，例如在0.7-1.5N/mm之间，更具体地在0.8-1.2N/mm之间，远远大于通过常规的磁控溅射所能获得的结合力。此外，如上文所述，用于离子注入的导电材料离子通常具有纳米级的粒径，在离子注入期间分布较为均匀，而且到贴合层表面和孔壁的入射角度差别不大。因此，可确保离子注入层具有良好的均匀性和致密度，不容易出现针孔现象。而且，孔壁与贴合层表面上的导体层厚度比例可达到1:1，在后续电镀等过程中不会出现镀层不均匀及孔洞或裂缝等问题，能够有效地提高金属化孔的导电性能。

除了离子注入层之外，在贴合层的表面和孔的壁面上形成的导电籽晶层还可以进一步包括位于该离子注入层上方的等离子体沉积层。此外，也可以仅仅通过等离子体沉积方法直接在贴合层的表面和孔的壁面上形成等离子体沉积层，作为导电籽晶层。这些离子注入层和等离子体沉积层均可以包括由相同或不同材料组成的一层或多层。例如，图2(a)至2(d)所示的导电籽晶层17均可以形成于在贴合层上所钻出的孔的壁面上。当然，在形成等离子体沉积层的情况下，所钻出的孔可能被该等离子体沉积层填满，即，整个孔都被导电材料填充而在宏观上不再存在孔结构。

不论如何，通过在贴合层的表面和孔的壁面上形成导电籽晶层，贴合层表面的金属化和孔壁的金属化能够同时进行。因此，可以通过一次成型而直接制得金属化过孔和带有导电籽晶层的贴合层表面，无需像现有技术那样需要事先对基材覆上较厚金属箔且之后对金属箔进行蚀刻减薄才能在基材上钻孔，并且不需要通过化学沉铜或黑孔、黑影等工艺在孔壁上形成导电层以得到金属化过孔。与现有技术相比，本发明的方法其工艺流程可以显著缩短，而且可以减少蚀刻液的使用，有利于环境保护。此外，通过调整各种工艺参数，例如电镀时的电压、电流和电镀液浓度等，上述方法很容易制得厚度极薄(例如为12μm以下，如5μm、7μm、9μm等)的线路结构层，易于满足狭窄线宽线距的精细线路需求。另外，在形成离子注入层作为导电籽晶层的至少一部分时，由于孔壁中离子注入层的存在而会在孔壁与导电籽晶层之间产生很高的结合力(例如0.5N/mm以上、0.7-1.5N/mm之间、更特定地0.8-1.2N/mm之间)，孔壁的金属层不会在后续的各种加工或应用过程中容易脱落或划伤。因此，有利于提升过孔的导电性能，便于制得导通性良好的封装基板。

在步骤S15中形成线路结构时，可以先在贴合层表面上的导电籽晶层上方形成导体加厚层，这样导电籽晶层的整体均被加厚。接着，在导体加厚层的上方覆盖光阻膜并进行曝光、显影，以暴露出非电路部分(即，不需要形成导电层的区域)。然后，进行蚀刻以去除非电路部分中的导电籽晶层和导体加厚层。最后，褪去光阻膜而形成仅在电路部分(即，需要形成导电层的区域)带有导电籽晶层和导体加厚层的线路结构。备选地，也可以先在贴合层的表面上方覆盖光阻膜并进行曝光、显影，以暴露出电路部分。接着，进行电镀以在导电籽晶层的上方形成导体加厚层。然后，褪去光阻膜并进行快速蚀刻，以去除非电路部分的导电籽晶层，从而得到线路结构。此时，导体加厚层也会被蚀刻掉至少与导电籽晶层的厚度相等的厚度，但是这不会较大地影响线路结构的导电性能。导体加厚层的形成可采用上文所述的方法来进行。例如，可以利用由硫酸铜100-200g/L、硫酸50-100g/L、氯离子浓度30-90mg/L及少量添加剂组成的电镀液，通过电镀方式在导电籽晶层的上方形成厚度为1-1000μm(例如2μm、5μm、10μm、12μm、50μm、100μm、500μm等)的加厚铜层。此外，还可以将铜箔压合到贴合层的表面上，通过蚀刻去除掉该铜箔的非电路部分，从而获得线路结构。

在步骤S16中，将载体上的整个线路结构从载体分离而得到期望的无芯封装基板。在使用图2(a)至2(d)所示的载体10时，这种分离过程会将线路结构连同形成于载体10上的包括导电籽晶层17和导体加厚层22的导体层16一起剥离下来，因为该导体层16与固化树脂12之间的结合力低达0.01-0.05N/mm。剥离后的固化树脂12在表面上不再存在导体层16，可通过进一步处理而继续用于制造载体。此外，在使用常见的高温压合承载板作为载体时，由于半固化片的表面上压合有离型膜，因而可通过施加外力将线路结构连同离型膜上的铜箔一起撕下而形成无芯封装基板。在这两种情况下，均需要对封装基板的靠近载体的一面进行快速蚀刻，以去除所存在的导体层或铜箔从而避免第一线路结构的短路。在直接通过蚀刻去除掉载体10上的较厚导体层16来形成第一线路结构的情况下，尽管非电路部分的导体层不再存在于封装基板的下表面上，也可能需要通过快速蚀刻来获得相对平整的表面。

在分离、快速蚀刻之后，还可以在封装基板的表面上形成阻焊层，在曝光、显影后再在阻焊层上形成窗口，并且固化形成有窗口的阻焊层。阻焊层是一层保护层，可以防止封装基板上线路结构的物理性断线，而且在焊接工艺中，可以防止因桥连产生的短路，并防止因水汽、灰尘等外界因素的污染而造成绝缘恶化及腐蚀线路结构。通过对阻焊层开窗，可以将需要设置贴片和插件的电极裸露出来，以便接入其他的电路或电子元器件。

通过上述方法制得的无芯封装基板依次由第一线路结构、第一贴合层、第二线路结构、第二贴合层、第三贴合层、……、第N线路结构组成，其中第一线路结构嵌入到第一贴合层内，该无芯封装基板形成有孔且在该孔的壁面上形成有导电籽晶层，该导电籽晶层包括注入到孔的壁面下方的离子注入层和/或形成于孔的壁面上方的等离子体沉积层。第一线路结构的外表面与第一贴合层的外表面平齐，而内表面位于第一贴合层的内部。离子注入层(若存在)是导电材料与贴合层形成的掺杂结构，其外表面与孔的壁面或贴合层的表面平齐，而内表面位于孔的壁面或贴合层的表面下方1-500nm深度处。等离子体沉积层(若存在)的内表面与孔的壁面或贴合层的表面平齐，而外表面位于贴合层的外部。

上文概括地描述了根据本发明的制造无芯封装基板的方法。下面，将举例示出用于实施该方法的若干具体实施例，以便增进对于本发明的了解。

(第一实施例)

图4(a)至4(f)示出了根据本发明的第一实施例在生产双层封装基板时与图3所示方法的各个步骤相应的结构剖面示意图。

首先，如图4(a)所示，使用通过上文描述的方法制得的如图2(a)所示的载体10来制备无芯封装基板，该载体10包括外表面与固化树脂12的表面14平齐而内表面位于表面14下方的离子注入层18、以及位于该离子注入层18上方的导体加厚层22。在载体10的上、下两个表面上，使用常规的图形电镀或全板电镀方法来形成第一线路结构102。在本实施例中，直接将铜箔压合到载体10的表面上，通过蚀刻去除掉该铜箔的非电路部分，从而获得第一线路结构102。在载体10上的导体层16足够厚的情况下，也可以直接通过蚀刻去除该导体层16的非电路部分而获得第一线路结构102。这样可以不必使用铜箔和高温压合，能够缩短工艺流程并降低成本。

接着，如图4(b)所示，在第一线路结构102的上方层压第一贴合层104。在该步骤中，可以在高温压膜机中，在210-220℃的温度下，将由半固化片构成的第一贴合层压合在第一线路结构102的上方。在热固化后，半固化片成为固化状态，可以避免双层封装基板的翘曲现象。之后，如图4(c)所示，通过激光钻孔方式在该第一贴合层104上钻出孔108。该孔108直接通向第一线路结构102中的电路图案，以便电连接第一贴合层104双面上的电路图案。虽然在图4(c)中示出了纵截面为矩形的孔108，但是应当容易理解，该图示仅仅是示例性的。通过激光钻孔所形成的孔通常具有倒置梯形的纵向截面，而且孔的形状也可以是圆柱形、矩形、梯台形等各种各样的形状。

然后，如图4(d)所示，通过离子注入将导电材料注入到第一贴合层104的表面106下方和孔108的孔壁110下方，以形成离子注入层118，并且通过等离子体沉积来沉积导电材料，在离子注入层118的上方形成等离子体沉积层120，该等离子体沉积层120与离子注入层118一起组成导电籽晶层117。在图4(d)中示出了由离子注入层118和等离子体沉积层120两者构成的导电籽晶层117，但是应当容易理解，导电籽晶层117也可以仅仅包括离子注入层118和等离子体沉积层120中的任何一种结构，如上文所述。

接着，先在贴合层表面106上的导电籽晶层117上方形成导体加厚层122，再在该导体加厚层122的上方覆盖光阻膜并进行曝光、显影，以暴露出非电路部分。然后，进行蚀刻以去除非电路部分中的导电籽晶层117和导体加厚层122。最后，褪去光阻膜而形成仅在电路部分带有导电籽晶层117和导体加厚层122的线路结构。如图4(e)所示，所得的第二线路结构124包括注入到第一贴合层104的表面106下方的离子注入层118、位于该离子注入层118上方的等离子体沉积层120、以及位于该等离子体沉积层120上方的导体加厚层122。这种方法即是上文描述的“全板电镀”。

最后，通过施加外力而将载体10的上、下两个表面上的整个线路结构从该载体10剥离，从而获得两个单独的无芯封装基板100，如图4(f)所示。在载体10中，导体层与固化树脂之间的结合力可以被控制为低达0.01-0.05N/mm，因而该导体层在剥离过程中容易与固化树脂分离。在剥离之后，导体层16便会粘附到第一线路结构124的下方。此时，需要通过快速蚀刻等方式来去除导体层16，然后在所得封装基板100的表面上形成阻焊层并进行开窗，以保护封装基板上的线路结构并形成期望的电连接。

可以在剥离下来的固化树脂12上再次进行离子注入和/或等离子体沉积，在该固化树脂12的表面上再次形成易于剥离的导体层。通过调整离子注入和/或等离子体沉积过程的各种参数(例如电压、电流、真空度、注入剂量等)，可以容易地在固化树脂与导体层之间获得期望的较低结合力，例如0.01-0.05N/mm之间，这样的结合力可以重复且稳定地获得。也就是说，剥离后的固化树脂可以容易地重复用于制备无芯封装基板用的载体。

(第二实施例)

图5(a)至5(j)示出了根据本发明的第二实施例在生产三层封装基板时与图3所示方法的各个步骤相应的结构剖面示意图。

首先，如图5(a)所示，使用经由离型膜130将薄铜箔132压合至半固化片134而形成的载体10。可选地，还可以将半固化片、铜支撑板、离型膜和薄铜箔依次高温压合在一起，从而制得所需的载体。高温压合是指利用高温高压使半固化片受热融化，并使其流动再转化为固化片，从而将半固化片双面的铜板或铜箔压合在一起。这样制得的载体使得三层封装基板的起始结构的厚度大幅度提高，从而可提高加工的可操作性并使后续工序易于控制，而且可改善封装基板的制作良率。除了所用的载体不同之外，图5(a)至5(e)所示的剖面结构分别对应于图4(a)至4(e)。需要注意的是，在形成第二线路结构124时，可以简单地先将铜箔层压到第一贴合层上，接着对该铜箔和第一贴合层钻孔，然后蚀刻铜箔而获得期望的线路结构。

为了形成三层线路结构，需要在形成第二线路结构124之后，在该第二线路结构124的上方继续层压第二贴合层126，如图5(f)中所示。在层压第二贴合层126时，可以如上文所述，在高温压膜机中，在210-220℃的温度下，将由半固化片构成的第二贴合层126高温压合在第二线路结构124的上方。在形成三层封装基板的情况下，使用了两个贴合层104和126。因而优选地，在110-130℃的温度下低温压合第一贴合层104，持续5-20分钟，此时第一贴合层104保持为半固化状态。在后续层压第二贴合层126时，在210-220℃的温度下进行高温压合，此时，第一贴合层104随同第二贴合层126被高温压合而成为固化状态。由于第一和第二贴合层固化时的条件相同，因而它们之间内部应力是均匀的，可以避免三层封装基板的翘曲现象。

然后，通过激光钻孔方式在该第二贴合层126上钻出孔108。该孔108直接通向第二线路结构124中的电路图案，便于电连接第二贴合层126双面上的电路图案，如图5(g)中所示。在该实施例中，也可以事先不在第一贴合层104上钻孔，而是在层压了第二贴合层126之后，分别钻出贯通第一、第二贴合层104、126两者的通孔、以及仅仅贯通第二贴合层126的通孔。这样，可以减少钻孔工序，但是可能不再实现仅在第一贴合层104双面上的线路结构之间需要的电连接。在钻通两个贴合层时，可以先后进行两次或多次激光钻孔，使该孔相继贯通第二贴合层126和第一贴合层104。

接着，采用上文所述的方法，通过离子注入将导电材料注入到第二贴合层126的表面下方和孔108的孔壁110下方，以形成离子注入层118，作为导电籽晶层117，如图5(h)所示。当然，如上文所述，导电籽晶层117还可以包括位于离子注入层118上方的等离子体沉积层120，或者可以仅仅包括直接位于第二贴合层126的表面和孔108的壁面110上方的等离子体沉积层120。

然后，通过图形电镀法在第二贴合层126的表面上形成第三线路结构128。即，先在形成于第二贴合层126的表面下方的离子注入层118(即，导电籽晶层117)上覆盖光阻膜并进行曝光、显影，以暴露出电路部分。接着，进行电镀而仅在导电籽晶层117的电路部分上方形成导体加厚层122。然后，褪去光阻膜并进行快速蚀刻，以去除非电路部分的导电籽晶层117，从而得到第三线路结构128。此时，电路部分中位于导电籽晶层117上方的导体加厚层122也会被蚀刻掉至少与该导电籽晶层117的厚度相等的厚度，但不会对线路结构的导电性能造成较大的负面影响。

最后，通过施加外力而将载体10双面上的整个线路结构从该载体10剥离，从而获得两个单独的带有三层线路结构(即，第一、第二和第三线路结构102、124和128)的无芯封装基板100，如图5(j)所示。在剥离之后，离型膜130可能随着铜箔132一起粘附到第一线路结构102的下表面上。此时，需要事先去除离型膜130，然后再通过快速蚀刻去除附着于第一线路结构的下表面上的铜箔132而得到期望的封装基板。当然，离型膜130在剥离后也可能保持粘附在半固化片134上，此时其粘附性大大降低，需要替换成新的离型膜才能够继续用于制备新的载体。无论如何，与本发明中通过离子注入和/或等离子体沉积获得的载体相比，包含离型膜的载体处理起来更加复杂，不能够方便地重复利用。

上文描述的内容仅仅提及了本发明的较佳实施例。然而，本发明并不受限于文中所述的特定实施例。本领域技术人员将容易想到，在不脱离本发明的要旨的范围内，可以对这些实施例进行各种显而易见的修改、调整及替换，以使其适合于特定的情形。实际上，本发明的保护范围是由权利要求限定的，并且可包括本领域技术人员可预想到的其它示例。如果这样的其它示例具有与权利要求的字面语言无差异的结构要素，或者如果它们包括与权利要求的字面语言有非显著性差异的等同结构要素，那么它们将会落在权利要求的保护范围内。

Claims (23)

1.一种制造用于无芯封装基板的载体的方法，包括以下步骤：

S1：形成固化树脂；以及

S2：在所述固化树脂的表面形成易于剥离的导体层，所述导体层与所述固化树脂之间的结合力为0.01-0.05N/mm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括使金属片的低粗糙面与未固化的树脂贴合，在层压、热固化后除去所述金属片，从而得到所述固化树脂。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述树脂包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂以及它们的改性树脂中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2包括先在所述固化树脂的表面形成导电籽晶层，之后在所述导电籽晶层上形成导体加厚层，所述导电籽晶层与所述导体加厚层组成所述导体层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过下列方式来形成所述导电籽晶层：

通过离子注入将导电材料注入到所述固化树脂的表面下方，以形成离子注入层作为所述导电籽晶层；或者

通过等离子体沉积将导电材料沉积在所述固化树脂的表面上，以形成等离子体沉积层作为所述导电籽晶层；或者

先通过离子注入将导电材料注入到所述固化树脂的表面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在所述离子注入层的上方形成等离子体沉积层，所述离子注入层与所述等离子体沉积层一起组成所述导电籽晶层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子注入层为所述导电材料与所述固化树脂形成的掺杂结构，其外表面与所述固化树脂的表面平齐，而内表面位于所述固化树脂的表面下方1-100nm深度处。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子体沉积层包括厚度为0-500nm的金属或金属氧化物沉积层、以及位于所述金属或金属氧化物沉积层上方且厚度为0-500nm的Cu沉积层，其中所述金属沉积层包含Ni或Ni-Cu合金，所述金属氧化物沉积层包含NiO。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S2包括通过电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射中的一种或多种，在所述导电籽晶层的上方形成所述导体加厚层。

9.一种用于无芯封装基板的载体，包括：

固化树脂；和

在所述固化树脂的表面易于剥离的导体层，所述导体层与所述固化树脂之间的结合力为0.01-0.05N/mm。

10.根据权利要求9所述的载体，其特征在于，所述固化树脂包括双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、氰酸酯树脂、聚苯醚树脂以及它们的改性树脂中的一种或多种，并且所述固化树脂的表面粗糙度为2.5μm以下。

11.根据权利要求9所述的载体，其特征在于，所述导体层包括导电籽晶层和位于所述导电籽晶层上方的导体加厚层。

12.根据权利要求11所述的载体，其特征在于，所述导电籽晶层包括：

外表面与所述固化树脂的表面平齐而内表面位于所述固化树脂内部的离子注入层；或者

位于所述固化树脂的表面上方的等离子体沉积层；或者

外表面与所述固化树脂的表面平齐而内表面位于所述固化树脂内部的离子注入层、以及位于所述离子注入层上方的等离子体沉积层。

13.根据权利要求12所述的载体，其特征在于，所述离子注入层是导电材料与所述固化树脂形成的掺杂结构，其内表面位于所述固化树脂的表面下方1-100nm深度处。

14.根据权利要求12所述的载体，其特征在于，所述等离子体沉积层包括厚度为0-500nm的金属或金属氧化物沉积层、以及位于所述金属或金属氧化物沉积层上方且厚度为0-500nm的Cu沉积层，其中所述金属沉积层包含Ni或Ni-Cu合金，所述金属氧化物沉积层包含NiO。

15.根据权利要求11所述的载体，其特征在于，所述导体加厚层包括厚度为0-5μm的Cu层。

16.一种制造无芯封装基板的方法，包括以下步骤：

S11：在载体的表面上形成第一线路结构；

S12：在所述第一线路结构的上方层压第一贴合层；

S13：对所述第一贴合层钻孔；

S14：通过下列方式在所述第一贴合层的表面和所述孔的壁面上形成导电籽晶层：

通过离子注入将导电材料注入到所述第一贴合层的表面及所述孔的壁面下方，以形成离子注入层作为所述导电籽晶层；或者

通过等离子体沉积将导电材料沉积到所述第一贴合层的表面及所述孔的壁面上，以形成等离子体沉积层作为所述导电籽晶层；或者

先通过离子注入将导电材料注入到所述第一贴合层的表面及所述孔的壁面下方以形成离子注入层，之后通过等离子体沉积在所述离子注入层的上方形成等离子体沉积层，所述离子注入层与所述等离子体沉积层一起组成所述导电籽晶层；

S15：在所述第一贴合层的表面上形成第二线路结构；以及

S16：剥离所述载体而获得无芯封装基板。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，重复步骤S12至S15，形成带有第一、第二、第三、……第N线路结构的多层封装基板。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在形成所述多层封装基板的中间线路结构，即第二、第三、……第N-1线路结构中的一个或多个时，先将铜箔层压到贴合层上，对所述铜箔和贴合层钻孔，然后蚀刻所述铜箔而获得所述中间线路结构。

19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述载体是通过根据权利要求1-8中任一项所述的方法制造的载体、或者根据权利要求9-15中任一项所述的载体。

20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，步骤S11包括在载体的双面上形成第一线路结构，并且步骤S16包括从双面剥离所述载体而获得两个单独的封装基板。

21.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在步骤S11、S15中，通过全板电镀或图形电镀方法来形成所述第一、第二线路结构。

22.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述离子注入层为所述导电材料与所述第一贴合层形成的掺杂结构，其外表面与所述第一贴合层的表面或所述孔的壁面平齐，而内表面位于所述第一贴合层的表面或所述孔的壁面下方1-500nm深度处。

23.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，步骤S14还包括通过电镀、化学镀、真空蒸发镀、溅射中的一种或多种，在所述导电籽晶层的上方形成导体加厚层，所述导体加厚层包含Cu。