CN104661814A - 电子模块 - Google Patents

电子模块 Download PDF

Info

Publication number
CN104661814A
CN104661814A CN201380050438.4A CN201380050438A CN104661814A CN 104661814 A CN104661814 A CN 104661814A CN 201380050438 A CN201380050438 A CN 201380050438A CN 104661814 A CN104661814 A CN 104661814A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electronic module
perimeter seal
flexible substrate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380050438.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104661814B (zh
Inventor
向井厚史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN104661814A publication Critical patent/CN104661814A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104661814B publication Critical patent/CN104661814B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H01L31/03928—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate including AIBIIICVI compound, e.g. CIS, CIGS deposited on metal or polymer foils
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412—Transparent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/56—Damping, energy absorption
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7246—Water vapor barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

电子模块具有：电子器件，其在不透过水蒸气的挠性基板上设有电子元件；周缘密封件，其在电子器件的挠性基板的周缘处设置；以及水蒸气阻挡膜，其以堵塞由周缘密封件包围的区域的方式设置。周缘密封件在扩散系数的2倍的平方根设为K时，以下。水蒸气阻挡膜是在由透明树脂形成的支承体上至少形成有一层以上的无机层的构件，且支承体配置于周缘密封件侧。

Description

电子模块
技术领域
本发明涉及一种通过将具备有机EL或太阳能电池元件等的电子器件模块化而成的电子模块，尤其涉及一种抑制水分进入内部，从而即便内部的电子器件为对水分敏感的器件也能够确保高的可靠性的电子模块。
背景技术
一直以来，出于防止水分等的进入的目的，将太阳能电池单元等电子器件用树脂密封，并且设置水蒸气阻挡膜以及背板来进行模块化。例如，在专利文献1中，图2公开了一种将光电池、多层背板以及透明阻挡前板经由粘接密封层层叠而得到的挠性薄膜太阳能电池。
另外，现在也有如图6所示结构的具有挠性的电子模块100。在电子模块100中，在挠性基板102b上形成有电子元件102a的电子器件102整体由填料104覆盖，且在该填料104的周围设有周缘密封件106。在电子器件102的电子元件102a侧配置有水蒸气阻挡膜108，且在挠性基板102b侧配置有不透明的具有阻挡性的背板110。
水蒸气阻挡膜108构成为在PET等透明的支承体108a上形成层叠有有机层以及无机层而成的阻挡层108b，利用无机层来抑制水蒸气透过率。另外，背板110通过将PET等支承体110a和厚度为30μm以上的Al或SUS金属箔110b贴合而成，利用金属箔层110b来抑制水蒸气透过率。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/143205号
发明内容
发明要解决的课题
如专利文献1的挠性薄膜太阳能电池以及电子模块100那样具有背板的结构存在如下说明的问题点。需要说明的是，由于专利文献1的挠性薄膜太阳能电池以及电子模块100为相同的结构，因而以电子模块100为例进行说明。
在电子模块100中，关于水蒸气的进入，可以考虑自水蒸气阻挡膜108以及背板110截面和周缘密封件106截面进入的进入路径。水蒸气阻挡膜108的支承体108a以及背板110的支承体110a由PET等水蒸气透过率为约5g/m2/day(day表示24小时)的材料形成。周缘密封件106以水蒸气透过率为0.05～0.5g/m2/day的聚异丁烯为主原料，更加优选使用含有吸湿材料的构件。因此，就自电子模块100的膜端部的水蒸气进入而言，经过水蒸气阻挡膜108的支承体108a以及背板110的支承体110a的路径是主要路径。
这样，在电子模块100中，水蒸气阻挡膜108的支承体108a以及背板110的支承体110a成为水分的进入路径P(泄漏通路)，因而存在着水分向电子模块100内部的进入量多这一问题点。因此，在电子器件102容易受到水分的坏恶劣影响的情况下，成为使电子模块100的可靠性劣化的主要原因。
本发明的目的在于消除所述现有技术的问题点，提供一种即便内部的电子器件为对水分敏感的器件，也能够抑制电子器件的劣化从而长期确保高的可靠性的电子模块。
用于解决课题的方案
为了实现上述目的，本发明提供一种电子模块，其特征在于，至少具有：电子器件，其在不透过水蒸气的挠性基板上设有电子元件；周缘密封件，其在电子器件的挠性基板的周缘处设置；以及水蒸气阻挡膜，其以堵塞由周缘密封件包围的区域的方式设置，周缘密封件在扩散系数的2倍的平方根(一定时间内的扩散距离的标准)设为K时，以下，水蒸气阻挡膜是在由透明树脂形成的支承体上至少形成有一层以上的无机层的构件，且支承体配置于周缘密封件侧。
优选由周缘密封件包围的区域被填料填充。
例如，水蒸气阻挡膜的支承体的厚度为250μm以下。
优选周缘密封件的水蒸气透过率为2.0g/m2/day以下。另外，优选周缘密封件含有聚异丁烯。
优选电子器件的挠性基板具备一层以上的金属层和在金属层上形成的绝缘层，且在绝缘层上形成层叠有下部电极和CIGS膜的电子元件，周缘密封件接触设置于绝缘层上或下部电极上。
另外，例如优选在水蒸气阻挡膜上设有耐冲击吸收层，且在挠性基板的下表面设有耐压层，耐冲击吸收层以及耐压层由聚碳酸酯树脂构成。
发明效果
根据本发明，能够减少水分向电子模块内部的进入量，从而即便内部的电子器件是对水分敏感的器件，也能够抑制电子器件的劣化，能够实现长寿命化。这样，根据本发明，电子模块能够长期确保高的可靠性。
附图说明
图1(a)是示出本发明的实施方式的电子模块的示意性剖视图，(b)是示出图1(a)的电子模块的电子器件的示意性俯视图。
图2是示出作为本发明的实施方式的电子模块的电子器件而例示的太阳能电池子模块的一个例子的示意性剖视图。
图3是示出本发明的实施方式的电子模块的其他例子的示意性剖视图。
图4是示出支承体的厚度与水蒸气透过率之间的关系的曲线图。
图5(a)是示出在水分进入测试中使用的玻璃板的示意性俯视图，(b)是示出在水分进入测试中使用的试验体的示意性剖视图。
图6是示出现有技术的电子模块的示意性剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图示出的优选实施方式对本发明的电子模块进行详细说明。
图1(a)是示出本发明的实施方式的电子模块的示意性剖视图，(b)是示出图1(a)的电子模块的电子器件的示意性俯视图。
图1(a)示出的电子模块10具有电子器件12、周缘密封件14、填料16以及水蒸气阻挡膜18。
电子器件12至少具有不透过水蒸气的挠性基板20、和在该挠性基板20上形成的电子元件22。作为电子元件22，作为对水分敏感的元件有具备CIS膜或CIGS膜等光电转换层的光电转换元件、有机EL元件(OLED)、a-Si太阳能电池元件以及有机薄膜太阳能电池元件(OPV)等。关于挠性基板20以及电子元件22的详细情况在后进行说明。
如图1(b)所示，在挠性基板20的周缘部23没有形成电子元件22，在周缘部23以包围电子元件22的方式配置周缘密封件14(参照图1(a))。
如图1(a)所示，由周缘密封件14包围的区域D被填料16填充，且填料16填充至周缘密封件14的上表面14a。水蒸气阻挡膜18在周缘密封件14的上表面14a以覆盖由填料16填埋并由周缘密封件14包围的区域D的方式设置。
此处，水蒸气阻挡膜18具有由透明树脂形成的支承体24、和在该支承体24上形成的水蒸气阻挡层26，这会在后面进行详细说明。水蒸气阻挡膜18以使支承体24处于周缘密封件14侧的方式配置，光从水蒸气阻挡膜18侧向电子器件12的电子元件22入射。
如图1(a)所示，由于电子模块10中没有设置背板且使用不透过水蒸气的挠性基板20，因而使水分的进入路径P仅为水蒸气阻挡膜18的支承体24，从而成为能够使水蒸气进入截面积减半的结构。由此，能够降低水蒸气透过率。
相对于此，在图6示出的现有技术的电子模块100中，不仅包括本实施方式的电子模块10的水分的进入路径P，背板110的支承体110a也成为水分的进入路径P。本实施方式的电子模块10通过与现有技术相比减少水分的进入路径P，从而能够减少水蒸气进入量。由此，即便电子器件12的电子元件22是对水分敏感的元件，也能够抑制电子器件12的电子元件22的劣化，从而能够实现电子模块10的长寿命化。这样，在本发明中，就电子模块10而言，能够长期确保高的可靠性。
电子模块10例如能够通过以下的方式制造。
首先，准备电子器件12。接下来，在电子器件12的下部电极或挠性基板20的最表面露出的周缘部23上配置周缘密封件14，并在由该周缘密封件14包围的区域D中配置厚度与周缘密封件14的厚度相同的片状填料16。然后，以使支承体24朝向周缘密封件14侧的方式配置水蒸气阻挡膜18。在这样层叠的状态下，例如使用具有升降机构、缓冲板以及加热机构的真空层压机，例如在130～150℃的温度下以真空下压制以及保持共15～30分钟的条件进行真空层压。由此，能够制造出图1(a)示出的电子模块10。
以下，对电子模块10的各结构进行说明。
周缘密封件14抑制水分从电子模块10的周缘浸入，抑制水分从电子模块10的外部向容易因水分引起性能劣化的电子元件22进入，从而防止电子模块10的性能降低。尤其在容易受到水分的影响的电子元件22中，能够抑制其性能劣化。
如后述，就周缘密封件14而言，对于水分的进入，规定表示从非平衡状态向平衡状态转变时的每单位时间的扩散距离的扩散系数、以及表示平衡状态(一方为湿度氛围，另一方为干燥氛围)下的每单位时间的水的移动量的水蒸气透过率这双方。
扩散系数是不管周缘密封件14的周围的水分的量如何而示出水分进入周缘密封件14内的距离的系数，表示水分的进入程度。另一方面，水蒸气透过率表示水分的移动量。在周缘密封件14中，通过先规定水分的进入程度(进入距离)，再规定水分的进入量，由此防止周缘密封件14成为水分进入路径，抑制电子元件22的性能劣化。
就周缘密封件14而言，在扩散系数的2倍的平方根设为K时，K＝0.1以下。K成为一定时间内的扩散距离的标准，其单位是(是指)。需要说明的是，若扩散系数设为d，则K由K＝(2d)1/2表示。
此处，在物质内移动的水的扩散长度由表示(ConferencePaper NREL/CP-5200-47706February 2011，Evaluation and Modeling ofEdge-Seal Materials for Photovoltaic Applications)。
通过使上述K为以下，从而能够缩短水的扩散长度，从而能够抑制水分从周缘密封件14向电子模块10内部进入。
周缘密封件14例如使用聚异丁烯(PIB)、离聚物(Ionomer)、TPU(热塑性弹性体)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)以及TPO(烯烃系弹性体)等而形成。在这些主材料中还可以含有滑石(含水硅酸镁)或氧化钙等吸湿材料。作为这样的材料，优选上述的材料即聚异丁烯(PIB)、离聚物、TPU、PVB、TPO的单体、或者聚异丁烯与滑石或氧化镁的混合物。
此处，水蒸气阻挡膜18的支承体24如后所述由PET等树脂膜构成。例如，PET的水蒸气透过率(WVTR)为5g/m2/day，若不是比这充分低的水蒸气透过率(WVTR)，则周缘密封件14会成为水分进入路径。为了防止这种现象，周缘密封件14无论使用上述示出的哪种材料，均优选水蒸气透过率(WVTR)为2.0g/m2/day以下，即为构成支承体24的PET等树脂膜的水蒸气透过率(WVTR)的一半以下。由此，能够抑制从周缘密封件14向电子器件12的电子元件22的水分的影响。
填料16对电子器件12的电子元件22进行密封。填料16例如可以使用离聚物树脂、EVA(乙烯醋酸乙烯酯)、PVB、PE(聚乙烯)、烯烃系粘接材料以及聚氨酯系粘接材料等。除此之外，也可以利用在公知的太阳能电池模块中作为密封材料而使用的各种材料。需要说明的是，由于热塑性烯烃系聚合物树脂以及热塑性聚氨酯系树脂的粘接性优异，因而作为填料16来说是优选的。
为了提高粘接性，可以通过在被粘接体上涂敷底涂层或实施电晕处理来强化与填料16的粘接性。
水蒸气阻挡膜18用于保护电子器件12、尤其是电子元件22不受水分的恶劣影响。
在水蒸气阻挡膜18中，由透明树脂形成的支承体24例如使用PET膜以及PEN膜等各种树脂膜(塑料膜)。
作为透明树脂的透射率，波长400～1400nm的全光线透射率优选为85％，更加优选为90％以上。
另外，通过使支承体24的厚度为250μm以下，由此能够减小水蒸气透过率。因此，优选支承体24的厚度为250μm以下。
水蒸气阻挡层26至少由一层以上的无机化合物的层(以下也称为无机层)构成，由此表现出水蒸气阻挡性。需要说明的是，无机层可以在与支承体24或后述的有机膜的界面附近被氧化。
水蒸气阻挡层26的无机层由类金刚石化合物、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物或金属碳氧化物等无机化合物构成。另外，上述无机化合物例如可以例示类金刚石碳(DLC)、含有硅的类金刚石碳、含有从Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce或Ta中选择的1种以上的金属的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物或碳氧化物等。
在此之中，优选从Si、Al、In、Sn、Zn以及Ti中选择的金属的氧化物、氮化物或氧氮化物，尤其优选Si或Al的金属氧化物、氮化物或氧氮化物。这些无机层例如由等离子体CVD法或溅射法等成膜。
另外，作为水蒸气阻挡膜18，例如也可以是在PET膜、PEN膜等各种树脂膜的支承体24上形成作为基底层的有机化合物的层(以下也称为有机层)，并在该有机层上形成上述的无机层的结构。根据具有这样的结构的水蒸气阻挡膜18，能够得到更高的水蒸气阻挡性。并且，作为水蒸气阻挡膜18，也可以是在支承体24上作为水蒸气阻挡层26而层叠有机层、无机层以及有机层的结构。
需要说明的是，作为成为基底层的有机化合物，可以例示丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、环氧树脂、聚酯、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯、透明含氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、纤维素酰化物、聚氨酯、聚醚酮、聚碳酸酯、芴环改性聚碳酸酯、脂环改性聚碳酸酯或芴环改性聚酯等。在此之中，尤其优选丙烯酸类树脂以及甲基丙烯酸类树脂。
这样的有机层例如通过辊涂法或喷涂法等使用公知的涂敷机构的涂敷法或闪蒸蒸镀法等来成膜。
另外，在水蒸气阻挡膜18中，只要能确保所需的透明性，则也可以在水蒸气阻挡膜18的表面以及背面的至少一方上形成一层以上的密接层、平坦化层或防反射层等表现各种功能的层。
接下来。参照图2对电子器件12进行详细说明。
作为电子器件12，以CIGS太阳能电池子模块为例进行说明。
图2示出的电子器件12中，在挠性基板20上，具有层叠结构的太阳能电池单元(光电转换元件)50多个串联接合而成的元件作为电子元件22来形成。太阳能电池单元50中层叠有下部电极52、由CIGS的半导体化合物构成的光电转换层54、缓冲层56以及上部电极58。另外，太阳能电池子模块具有第一导电构件62和第二导电构件64。需要说明的是，下部电极52也被称为背面电极，上部电极58也被称为透明电极。
挠性基板20例如是由基材40、Al(铝)基材42以及绝缘层44构成的金属基板。
基材40与Al基材42形成为一体。并且，绝缘层44是对Al基材42的表面进行阳极氧化而成的Al的多孔结构的阳极氧化膜。需要说明的是，将基材40与Al基材42层叠并一体化而成的包层基材称为金属基材43。
挠性基板20例如为平板状，其形状以及大小等根据太阳能电池子模块的大小等而适当地确定。
在电子器件12中，构成挠性基板20的(金属)基材40使用碳钢、耐热钢或不锈钢。
碳钢例如使用含碳量为0.6质量％以下的机械结构用碳钢。作为机械结构用碳钢例如使用一般被称为SC材料的钢。
另外，作为不锈钢可以使用SUS430、SUS405、SUS410、SUS436以及SUS444等。除此之外，作为基材40也使用一般被称为SPCC(冷轧钢板)的钢。并且，也可以使用可伐合金(kovar alloy)(5ppm/K)、钛或钛合金。作为钛使用纯Ti(9.2ppm/K)，作为钛合金使用作为可锻合金的Ti-6Al-4V或Ti-15V-3Cr-3Al-3Sn。
由于基材40的厚度对挠性有影响，因而优选在不引起过度的刚性不足的范围内使基材40减薄。考虑到挠性与强度(刚性)的平衡以及操作性，为了使挠性基板20具有挠性，基材40的厚度例如为10～800μm，优选为30～300μm，更优选为50～150μm。减薄基材40的厚度从原材料成本的方面考虑也是优选的，这样也能够减小在表面上形成的层的裂纹产生弯曲半径。
Al基材42以Al为主成分，主成分为铝是指含铝量为90质量％以上。Al基材42可以利用各种Al以及Al合金。
Al基材42例如可以使用在铝材手册第4版(轻金属协会(1990))中记载的公知的原材料，具体而言，可以使用JIS1050材料、JIS1100材料等1000系合金、JIS3003材料、JIS3004材料、JIS3005材料等3000系合金、JIS6061材料、JIS6063材料、JIS6101材料等6000系合金、以及国际注册合金3103A等。
尤其优选杂质少的99质量％以上的纯度的Al。作为纯度，例如优选99.99质量％Al、99.96质量％Al、99.9质量％Al、99.85质量％Al、99.7质量％Al、以及99.5质量％Al等。
另外，也可以不利用高纯度Al而利用工业用Al。使用工业用Al在成本方面有利。但是，从绝缘层44的绝缘性的方面考虑，Al中不析出Si是很重要的。
Al基材42的厚度没有特别限定而可以适当选择，但在成为电子器件12的状态下，优选为0.1μm以上且为基材40的厚度以下。需要说明的是，就Al基材42而言，由于Al表面的前处理、通过阳极氧化形成绝缘层44、以及在光电转换层54的成膜时在Al基材42与基材40的面上生成金属间化合物等，该Al基材42的厚度减少。因而，就后述的Al基材42的形成时的厚度而言，设成是考虑到因上述情况而引起的厚度减少，而在成为电子器件12的状态下在基材40与绝缘层44之间Al基材42所残存的厚度，这是很重要的。因此，作为Al基材42的厚度，为了通过阳极氧化形成绝缘层，而需要10～50μm。
另外，就绝缘层44的表面44a的表面粗糙度而言，例如按算数平均粗糙度Ra计为1μm以下，优选为0.5μm以下，更加优选为0.1μm以下。
在Al基材42之上(与基材40相反侧的面)形成有绝缘层44。
此处，构成绝缘层44的多孔结构的阳极氧化膜是具有几10nm的细孔的氧化铝被膜，由于被膜的杨氏模量低，因而耐弯曲性以及对由于高温时的热膨胀差而产生的裂纹的耐性较高。
绝缘层44的厚度优选为2μm以上，更加优选为5μm以上。在绝缘层44的厚度过厚的情况下，由于挠性降低、以及形成绝缘层44所需的成本、时间增加，因而不优选。实际上，绝缘层44的厚度为最大50μm以下，优选为30μm以下。因此，绝缘层44的优选厚度为2～50μm。
在电子器件12中，作为挠性基板20，例如是在厚度50～200μm的金属基材43上通过阳极氧化形成具有多个细孔的绝缘层44(绝缘性氧化膜)的基板，从而确保高的绝缘性。
挠性基板20也可以在对Al基材42进行阳极氧化而形成绝缘层44之后，进行特定的封孔处理。在其制造工序中，也可以包括除必须的工序以外的各种工序。例如，优选经过对附着的轧制油进行除去的脱脂工序、对Al基材42的表面的污物进行溶解的除污物处理工序、对Al基材42的表面进行粗面化的粗面化处理工序、在Al基材42的表面上形成阳极氧化被膜的阳极氧化处理工序、以及对阳极氧化被膜的微孔进行封孔的封孔处理而得到挠性基板20。
需要说明的是，挠性基板20通过使基材40、Al基材42以及绝缘层44均具有挠性即柔韧性，从而挠性基板20整体变得柔韧。由此，例如能够以辊对辊方式在挠性基板20的绝缘层44侧形成后述的碱供给层、下部电极、光转换层以及上部电极等。
例如，通过在辊对辊方式的制造中，加入用于在各制膜工序的间歇使元件分离、集聚的刻划工序，从而能够制作出多个太阳能电池单元50以串联的方式电连接而成的电子元件22。
关于挠性基板20，不限于仅在基材40的一面形成Al基材42以及绝缘层44的基板，也可以采用在基材40的两面形成Al基材42而在一方的Al基材42上形成绝缘层44的基板，或者在基材40的两面形成Al基材42以及绝缘层44的基板。作为挠性基板20，也可以是Al层为单层的基板，即在Al基板上设置由上述的阳极氧化膜构成的绝缘层的基板。另外，金属基材43也可以是Al基材以外的单层结构。
需要说明的是，作为金属基板，可以利用通过阳极氧化而在金属基板表面上生成的金属氧化膜为绝缘体的材料。因此，除铝(Al)以外，具体而言可以使用锆(Zr)、钛(Ti)、镁(Mg)、铜(Cu)、铌(Nb)以及钽(Ta)等、以及它们的合金。从成本以及太阳能电池模块所要求的特性的观点来看，最优选铝。
另外，为了提高耐热性，也可以是在软钢或不锈钢等钢铁板上轧制或熔融镀敷上述金属的层而形成的所谓包层件。
这样，挠性基板20是由金属、合金以及氧化物等构成的基板，由于其性质以及膜厚而不会使水蒸气透过。
此处，在绝缘层44(挠性基板20)与下部电极52之间，即在绝缘层44的表面44a上，作为向光电转换层54供给碱金属的供给源而形成有碱供给层60。该碱供给层60包含于电子元件22。
众所周知，当碱金属尤其是Na向由CIGS形成的光电转换层54扩散时，光电转换效率变高。
该碱供给层60是用于向光电转换层54供给碱金属的层，是含有碱金属的化合物的层。通过在绝缘层44与下部电极52之间具有这样的碱供给层60，从而在光电转换层54的成膜时，碱金属通过下部电极52向光电转换层54扩散，能够提高光电转换层54的转换效率。
碱供给层60没有特别限定，但最优选由液相法形成的层。以下，对由液相法形成的碱供给层60进行详细说明。碱供给层60例如是碱金属硅酸盐层。
碱金属硅酸盐层的碱金属优选为钠，更加优选如锂和钠、或者钾和钠这样含有钠、以及锂或钾这两种。通过这样将钠与锂或钾并用，由此能够提高绝缘性，且能够提高发电效率。
作为由液相法形成的碱金属硅酸盐层的硅源以及碱金属源，优选列举硅酸钠、硅酸锂以及硅酸钾。硅酸钠、硅酸锂以及硅酸钾的制法公知有湿式法、干式法等，可以通过将氧化硅分别在氢氧化钠、氢氧化锂、或氢氧化钾中溶解等方法来制作。另外，也可以利用市售的各种摩尔比的碱金属硅酸盐。
作为硅酸钠、硅酸锂以及硅酸钾，市售有各种摩尔比的硅酸钠、硅酸锂以及硅酸钾。作为示出硅与碱金属的比例的指标，常使用SiO2/A2O(A：碱金属)的摩尔比。例如，作为硅酸锂，有日产化学工业株式会社的硅酸锂35、硅酸锂45、硅酸锂75等。作为硅酸钾，市售有1号硅酸钾、2号硅酸钾等。
作为硅酸钠，公知有原硅酸钠、偏硅酸钠、1号硅酸钠、2号硅酸钠、3号硅酸钠以及4号硅酸钠等，也市售有将硅的摩尔比提高至几十的高模数硅酸钠。
在作为碱金属含有钠、以及锂或钾这两种的情况下，可以像硅酸钠和硅酸锂、硅酸钠和硅酸钾这样使用两种供给源，例如，在碱金属硅酸盐层含有硅酸锂和硅酸钠的情况下，可以将硅酸锂和氢氧化钠、或者氢氧化锂和硅酸钠分别与水以任意的比率混合，或者在碱金属硅酸盐层含有硅酸钾和硅酸钠的情况下，将氢氧化钾和硅酸钠、或者硅酸钾和氢氧化钠分别与水以任意的比率混合，从而制作出含有硅酸锂和硅酸钠、或者硅酸钾和硅酸钠的碱金属硅酸盐层。另外，作为供给源，也可以分别添加锂盐、钾盐或钠盐。例如，使用硝酸盐、硫酸盐、醋酸盐、磷酸盐、氯化物、溴化物以及碘化物等。
通过将上述的硅源以及碱金属源分别与水以任意的比率混合，从而能够得到本发明的碱金属硅酸盐层的涂敷液。通过变更水的添加量，能够调整涂敷液的粘度，从而决定适当的涂敷条件。作为将涂敷液向基板上涂敷的方法没有特别限定，例如能够使用刮刀法(doctor blade method)、线棒法(wire bar method)、凹版法(gravure method)、喷雾法、浸涂法、旋涂法以及毛细管涂敷法(capillary coat method)等方法。
在将涂敷液向基板上涂敷之后，可以通过进行热处理来制作碱金属硅酸盐层，此时的热处理在低于大气压的压力下进行，优选在总压1×104Pa以下、更优选在总压1×102Pa以下、进一步优选在1Pa以下、尤其优选在1×10-2Pa以下的氛围下进行。
热处理后的碱金属硅酸盐层的厚度为0.01～2μm，优选为0.05～1.5μm，更加优选为0.1～1μm。若碱金属硅酸盐层的厚度变得比2μm厚，则热处理时的碱金属硅酸盐的收缩量变大而变得容易产生裂纹，因而不优选。
需要说明的是，碱金属硅酸盐层也可以含有硼，硼被取入由硅-氧形成的玻璃网络而形成均匀的玻璃。由此，推断由于玻璃的微观结构发生变化，玻璃中的碱金属离子的稳定性提高，因而碱金属离子的游离得到抑制，不再发生碱金属离子向表面的偏析。从而，碱金属硅酸盐层将硼、硅以及碱金属作为单一层形成，不包括例如在碱金属硅酸盐层的表面形成了含有硼的层的情况。
作为硼源，可以举出硼酸、以及四硼酸钠等硼酸盐。
如上，最优选对硅酸钠(Na2O·nSiO2·xH2O n＝3～3.3)、硅酸锂、硼酸(H3BO3)进行烧成，从而形成含有Na的玻璃层(液相玻璃层)来作为碱供给层60。
另外，除了由液相法形成的层之外，也可以使用溅射法而将碱石灰玻璃溅射层形成为碱供给层60。
另外，碱供给层60以NaO2、Na2S、Na2Se、NaCl、NaF、以及钼酸钠盐等含有碱金属的化合物(含有碱金属化合物的组合物)为主成分，但没有限定，能够利用各种成分。尤其优选以SiO2(氧化硅)为主成分且含有NaO2(氧化钠)的化合物。
需要说明的是，SiO2与NaO2的化合物缺乏耐湿性，且Na成分容易分离而成为碳酸盐，因而更优选采用添加了Ca的金属成分即Si-Na-Ca这三种成分的氧化物。
需要说明的是，在本发明中，向光电转换层54供给碱金属的碱金属供给源不仅限于碱供给层60。
例如，在绝缘层44为前述的多孔型的阳极氧化膜的情况下，也可以不仅向碱供给层60中导入含有碱金属的化合物，也向绝缘层44的孔中导入含有碱金属的化合物来作为向光电转换层54供给碱金属的碱金属供给源。或者也可以不具有专门的碱供给层60，而仅向绝缘层44的孔中导入含有碱金属的化合物来作为向光电转换层54供给碱金属的碱金属供给源。
作为一个例子，在通过溅射来形成碱供给层60的情况下，在绝缘层44中不存在含有碱金属的化合物，能够仅将碱供给层60成膜。另外，在绝缘层44为多孔型阳极氧化膜，且通过溶胶凝胶反应或硅酸Na水溶液的脱水干燥来形成碱供给层60的情况下，不仅向碱供给层60中导入含有碱金属的化合物，也向绝缘层44的多孔层中导入含有碱金属的化合物，从而能够将绝缘层44以及碱供给层60这两者作为向光电转换层54供给碱金属的碱金属供给源。
在电子器件12中，下部电极52与相邻的下部电极52之间设有规定的间隙(P1)53地排列，且形成于碱供给层60之上。另外，光电转换层54以埋住各下部电极52的间隙53的方式形成于下部电极52之上。在该光电转换层54的表面形成有缓冲层56。
光电转换层54和缓冲层56在下部电极52之上设有规定的间隙(P2)57地排列。需要说明的是，下部电极52的间隙53与光电转换层54(缓冲层56)的间隙57在太阳能电池单元50的排列方向上的不同位置形成。
并且，以埋住光电转换层54(缓冲层56)的间隙57的方式，在缓冲层56的表面上形成有上部电极58。
上部电极58、缓冲层56以及光电转换层54设有规定的间隙(P3)59地排列。另外，该间隙59与下部电极52的间隙、光电转换层54(缓冲层56)的间隙设于不同的位置。
在电子器件12中，各太阳能电池单元50通过下部电极52和上部电极58而在挠性基板20的长度方向(箭头L方向)上以串联的方式电连接。
下部电极52例如由Mo膜构成。光电转换层54由具有光电转换功能的半导体化合物构成，例如由CIS膜或CIGS膜构成。并且，缓冲层56例如由CdS构成，上部电极58例如由ZnO构成。
需要说明的是，太阳能电池单元50在与挠性基板20的长度方向L正交的宽度方向上伸长地形成。因此，下部电极52等也在挠性基板20的宽度方向上伸长。
如图2所示，在右端的下部电极52上连接有第一导电构件62。该第一导电构件62用于将来自后述的负极的输出向外部取出。
第一导电构件62例如为细长带状的构件，在挠性基板20的宽度方向上呈大致直线状地延伸，并连接到右端的下部电极52上。另外，如图2所示，第一导电构件62例如是铜带62a由铟铜合金的被覆件62b覆盖而成的构件。该第一导电构件62例如通过超声波焊接与下部电极52连接。或者，第一导电构件62也可以是在铜箔上熔融镀敷In-Sn而具有压纹结构的导电带，该导电带通过辊进行的压接而与下部电极52贴合并连接。
另一方面，在左端的下部电极52上形成有第二导电构件64。
第二导电构件64用于将来自后述的正极的输出向外部取出，与第一导电构件62同样为细长带状的构件，该第二导电构件64在挠性基板20的宽度方向上呈大致直线状地延伸，并连接到左端的下部电极52。
第二导电构件64是具有与第一导电构件62相同的结构的构件，例如是铜带64a由铟铜合金的被覆件64b覆盖而成的构件，也可以与第一导电构件62同样利用导电带进行连接。
需要说明的是，第一导电构件62以及第二导电构件64在模块化时向外部延伸出，从而与端子等连接。
在图2示出的电子器件12中，在长度方向L的端部处露出的下部电极52相当于图1(b)示出的周缘部23，且在此处设置有周缘密封件14。需要说明的是，周缘密封件14也可以不设置于下部电极52上，而设置于通过刻划等除去下部电极52后的碱供给层60的表面60a上。并且，也可以通过刻划等除去下部电极52以及碱供给层60，而在绝缘层44的表面44a上设置周缘密封件14。无论是哪种情况，均能够得到与周缘密封件14的良好的密接性，从而能够抑制水分向电子模块10内部进入。
在电子器件12中，当光从上部电极58侧向太阳能电池单元50入射时，该光通过上部电极58以及缓冲层56，并在光电转换层54处产生电动势，例如产生从上部电极58朝向下部电极52的电流。需要说明的是，图2示出的箭头表示电流的方向，而电子的移动方向与电流的方向相反。因此，在光电转换部48中，图2中的左端的下部电极52成为正极(+极)，右端的下部电极52成为负极(-极)。
能够将由电子器件12产生的电力从第一导电构件62和第二导电构件64向电子器件12的外部取出。
此处，第一导电构件62为负极，第二导电构件64为正极。另外，第一导电构件62与第二导电构件64也可以极性相反，可以根据太阳能电池单元50的结构、电子器件12的结构等进行适当变更。
另外，将各太阳能电池单元50形成为通过下部电极52和上部电极58在挠性基板20的长度方向L上串联连接，然而并不限于此。例如，也可以以各太阳能电池单元50通过下部电极52和上部电极58在宽度方向上串联连接的方式形成各太阳能电池单元50。
下部电极52以及上部电极58均用于取出在光电转换层54产生的电流。下部电极52以及上部电极58均由导电性材料构成。光入射侧的上部电极58需要具有透光性。
下部电极52例如由Mo、Cr、或W、以及它们的组合来构成。该下部电极52可以是单层结构，也可以是双层结构等层叠结构。下部电极52优选由Mo构成。
下部电极52的厚度优选为100nm以上，更加优选为0.45～1.0μm。
另外，下部电极52的形成方法没有特别限制，可以通过电子束蒸镀法以及溅射法等气相成膜法形成。
上部电极58例如由添加有Al、B、Ga、In或Sb等的ZnO、ITO(铟锡氧化物)或SnO2、以及它们的组合来构成。该上部电极58可以是单层结构，也可以是双层结构等层叠结构。另外，上部电极58的厚度没有特另限制，优选为0.3～1μm。
另外，上部电极58的形成方法没有特别限制，可以通过电子束蒸镀法、溅射法、CVD法等气相成膜法或涂敷法形成。
缓冲层56为了在形成上部电极58时保护光电转换层54、并且使入射到上部电极58的光透射至光电转换层54而形成。
该缓冲层56例如由CdS、ZnS、ZnO、ZnMgO或ZnS(O、OH)、以及它们的组合来构成。
缓冲层56的厚度优选为0.03～0.1μm。另外，该缓冲层56例如由CBD(化学浴沉积)法形成。
光电转换层54是对通过了上部电极58以及缓冲层56而到达的光进行吸收而产生电流的层，具有光电转换功能。光电转换层54由CIGS膜构成，CIGS膜由具有黄铜矿晶体结构的半导体构成。CIGS膜的组成例如为Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)。
作为CIGS膜的形成方法，公知有1)多源蒸镀法、2)硒化法、3)溅射法、4)整合溅射法、以及5)机械化学工艺法等。
作为其他的CIGS的成膜法，可以列举丝网印刷法、接近升华法、MOCVD法、以及喷雾法(湿式成膜法)等。例如，可以通过丝网印刷法(湿式成膜法)或喷雾法(湿式成膜法)等将含有Ib族元素、IIIb族元素以及VIb族元素的微粒子膜形成在基板上，并实施热解处理(此时，也可以是在VIb族元素氛围下的热解处理)等，从而能够得到期望的组成的结晶(日本特开平9-74065号公报、日本特开平9-74213号公报等)。
在基板上形成CIGS时，这样的成膜方法均是只要在500℃以上即显示良好的光电转换效率，然而考虑到使用辊对辊方式的制造，则优选工艺时间短的多源蒸镀法。尤其优选双层法(bilayer method)。
如前所述，本发明的电子器件12通过在前述的挠性基板20上串联接合太阳能电池单元50来制作而制造出来，其制造方法与公知的各种太阳能电池同样地进行即可。
以下，对图2示出的电子器件12的制造方法的一个例子进行说明。
首先，准备如上那样形成的挠性基板20。接下来，在挠性基板20的绝缘层44的表面44a上，例如通过对Na4SiO4、Li4SiO4以及H3BO3的混合液进行烧成而形成含有Na的玻璃层来作为碱供给层60。需要说明的是，也可以使用溅射法而形成碱石灰玻璃溅射层来作为碱供给层60。
接着，在碱供给层60的表面上，例如使用成膜装置并通过溅射法来形成成为下部电极52的Mo膜。
接着，例如使用激光刻划法对Mo膜的规定位置进行刻划，从而形成沿着挠性基板20的宽度方向延伸的间隙53。由此，形成通过间隙53彼此分离的下部电极52。
接着，以覆盖下部电极52且埋住间隙53的方式形成CIGS膜来作为光电转换层54(p型半导体层)。该CIGS膜由前述的任一成膜方法形成。
接着，例如通过CBD(化学浴沉积)法在光电转换层54(CIGS膜)上形成成为缓冲层56的CdS层(n型半导体层)。由此，构成pn结半导体层。
接着，例如使用激光刻划法对在太阳能电池单元50的排列方向上与间隙53不同的规定位置进行刻划，从而形成沿着挠性基板20的宽度方向延伸且到达下部电极52的间隙57。
接着，通过溅射法或涂敷法在缓冲层56上以埋住间隙57的方式形成上部电极58，该上部电极58例如为ITO层、添加有Al、B、Ga、Sb等的ZnO层。
接着，例如使用激光刻划法对在太阳能电池单元50的排列方向上与间隙53以及间隙57不同的规定位置进行刻划，从而形成沿着挠性基板20的宽度方向延伸且到达下部电极52的间隙59。由此形成太阳能电池单元50。
接着，例如通过激光刻划或机械刻划除去在挠性基板20的长度方向L上的左右侧端的下部电极52上形成的各太阳能电池单元50，从而使下部电极52露出。接着，例如使用超声波焊接在右侧端的下部电极52上连接第一导电构件62，在左侧端的下部电极52上连接第二导电构件64。由此，如图2所示，能够将多个太阳能电池单元50以串联方式电连接而成的电子元件22形成在挠性基板20上。
在本实施方式中，例如可以如图3示出的电子模块10a那样，在水蒸气阻挡膜18的表面18a(水蒸气阻挡层26的表面)上隔着树脂层29而设置耐冲击吸收层28，且在电子器件12的下表面12a(挠性基板20的下表面)上隔着树脂层29而设置耐压层30。耐冲击吸收层28以及耐压层30例如由聚碳酸酯树脂构成。
在耐冲击吸收层28以及耐压层30中使用的树脂层29可以使用与填料16相同的材料，因而省略其详细说明。
在将电子模块10设置于屋外的情况下，有时会受到雨水、雹子、冻雨、雪以及石头等的撞击，耐冲击吸收层28保护电子器件12，使之不受到这些从外部施加的外力以及冲击等的侵害。另外，耐冲击吸收层28保护电子模块10不被污物等污染，并且抑制因污物等引起的向电子器件12的入射光量的降低。
耐压层30从里侧保护电子模块10。
需要说明的是，耐冲击吸收层28以及耐压层30的厚度例如为0.2～3mm，优选为1.0～2.0mm。
若耐冲击吸收层28以及耐压层30的厚度小于0.2mm，则不能充分地保护电子器件12而使之不受到从外部施加的外力以及冲击等的伤害。另一方面，若耐冲击吸收层28以及耐压层30的厚度超过3mm，则真空层压时在上下方向上的温度分布变大，电子模块10有时会翘曲。另外，从材料成本方面考虑也优选较薄。
构成耐冲击吸收层28以及耐压层30的聚碳酸酯树脂的线膨胀系数为60ppm/K，与挠性基板20的10ppm/K相比大至其6倍。因此，在电子模块10a中施有很大内部应变。然而，在电子模块10a中，周缘密封件14与电子器件12的密接性、以及周缘密封件14与水蒸气阻挡膜18的密接性良好，从而能够得到与电子模块10同样的效果。并且，由于电子模块10a是由耐冲击吸收层28以及耐压层30夹持的结构，因而耐冲击性优异。
在电子模块10a中，也可以在电子器件12的挠性基板20的周缘部23上配置周缘密封件14，填充填料16，配置水蒸气阻挡膜18，进而隔着树脂层29配置耐冲击吸收层28以及耐压层30之后，在该层叠状态下，与电子模块10同样地通过使用真空层压机的真空层压来制造。
本发明是基本上如上那样构成的发明。以上对本发明的电子模块进行了详细说明，然而本发明不限于上述实施方式，当然可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种改良或变更。
实施例1
以下，对本发明的电子模块进行更具体地说明。
在本实施例中，制作了以下示出的实施例1的电子模块和比较例1的现有技术的电子模块，测定了水蒸气透过率并评价了水分透过率。将其结果示于图4。
(实施例1)
实施例1将具有图2示出的CIGS太阳能电池子模块的图1(a)、(b)所示结构的电子模块10作为电子器件。
在实施例1中，将在Al(40μm厚)/SUS(70μm厚)/Al(40μm厚)的包层件的表面形成有10μm厚的阳极氧化膜作为绝缘层44的构件用作挠性基板20。需要说明的是，挠性基板的大小为30cm×30cm。
在阳极氧化膜的表面上，对硅酸钠(Na2O·nSiO2·xH2O n＝3～3.3)、硅酸锂以及硼酸(H3BO3)的混合液进行烧成，形成厚度为200nm的含有Na的玻璃层来作为碱供给层60。
使用溅射法形成厚度为200nm的Mo膜来作为下部电极52。然后，如图2示出的太阳能电池单元50那样，在下部电极52(Mo膜)上层叠由CIGS的半导体化合物形成的光电转换层54、缓冲层56以及上部电极58来制作太阳能电池单元50。
在图1(b)示出的挠性基板20的周缘部23即距基板外周10～20mm的范围，通过刻划除去至光电转换层54，从而使Mo膜(下部电极52)露出。
在周缘部23以1cm以上的宽度配置以聚异丁烯为主材料的周缘密封件14，在周缘密封件14的内侧的存在光电转换层的部分配置EVA树脂作为填料16。在此基础上，以水蒸气阻挡层26处于光的入射面侧的方式配置水蒸气阻挡膜18。水蒸气阻挡膜18从电子器件12侧起由厚度为100μm的PET制的支承体24、有机层以及SiN的无机层(水蒸气阻挡层26)构成。需要说明的是，SiN的无机层也可以在界面附近被氧化。
在这样层叠了各构件的状态下，使用真空层压机在温度为140℃、时间为20分钟的真空层压工序中将各构件贴合并密封，制作水蒸气密封结构，得到电子模块10。
(比较例1)
比较例1将具有图2示出的CIGS太阳能电池子模块的图6所示结构的电子模块100作为电子器件。
比较例1与实施例1相比，在设有背板110且电子器件102整体位于填料16内这一点上不同，除此之外的结构是与实施例1相同的结构，因而省略详细说明。
在比较例1中，在电子器件102的表面侧配置水蒸气阻挡膜108，且在背面侧配置背板110。
背板110是从电子器件102侧起，在厚度为250μm的PET膜上层叠50μm厚的不锈钢板(SUS板)以及白色涂层而成的构件。
水蒸气阻挡膜是与实施例1相同的结构。因此，省略其详细说明。
比较例1中，在背板110的周缘部配置以聚异丁烯为主材料的周缘密封件106，在由该周缘密封件106包围的背板110上配置EVA树脂作为填料104，在此之上配置电子器件102，并且在电子器件102上配置EVA树脂。然后，以覆盖EVA树脂且使支承体108a朝向周缘密封件106的方式配置水蒸气阻挡膜108。
在这样层叠了各构件的状态下，使用真空层压机在温度为140℃、时间为20分钟的真空层压工序中将各构件贴合并密封，得到电子模块100。
需要说明的是，周缘密封件106与水蒸气阻挡膜108的支承体108a和背板110邻接，但周缘密封件106不与电子器件102接触。
关于实施例1以及比较例1，将水蒸气阻挡膜的支承体的厚度变更为200μm、100μm、50μm、30μm，测定了各厚度下的水蒸气透过率。
通过以下方式对水蒸气透过率进行了测定。首先，在密封工序前将由Ca呈膜状形成的基板配置在CIGS太阳能电池子模块上，之后进行密封。然后，在温度为40℃、相对湿度为90％的氛围下，使用G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P.J.SLIKKERVEER等在SID Conference Record of theInternational Display Research Conference 1435～1438页(以下称为文献A)中记载的方法测定了水蒸气透过率。
图4示出的A1表示在本发明的电子模块的结构中，改变水蒸气阻挡膜的支承体的厚度时的水蒸气透过率(WVTR)的变化。另外，A2表示在现有技术的模块的结构中，改变水蒸气阻挡膜的支承体的厚度时的水蒸气透过率(WVTR)的变化。需要说明的是，直线B表示电子模块所要求的水蒸气透过率(WVTR)的必要性能。
如图4所示，在现有技术的电子模块100中，即便改变支承体的厚度也不满足水蒸气阻挡膜的必要性能。相对于此，在本发明的结构中，能够实现使用背板的现有技术的电子模块100所达不到的水蒸气进入抑制能力。需要说明的是，在实施例1的电子模块(本发明的模块)中，只要在250μm以下，则支承体的厚度越薄水蒸气透过率越高。
实施例2
在本实施例中，对周缘密封件的扩散系数的效果进行了确认。
在本实施例中，使用图5(a)示出的5cm×5cm的玻璃板70。如图5(b)所示，在玻璃板70的周缘部72配置1cm宽的周缘密封件74，在由周缘密封件74包围的玻璃板70的面76上配置Ca蒸镀板78。然后，将图5(a)示出的玻璃板70以覆盖Ca蒸镀板78的方式贴合，从而准备试验体80。
将试验体80转移到温度为85℃、相对湿度为85％的氛围中，保持1000h后，若Ca蒸镀板78的Ca没有退色则认为有抑制效果，若观察到退色则认为抑制效果不足。在下述表1中，将有抑制效果的试验体记为“Good”，将无抑制效果的试验体记为“NG”。
作为周缘密封件74的材料，对下述表1示出的聚异丁烯(PIB)、离聚物、TPU(热塑性弹性体)、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)以及EVA(乙烯醋酸乙烯酯)确认了扩散系数的效果。将其结果示于下述表1。
表1
如上述表1所示，当K(扩散系数的2倍的平方根)的值为0.1以下时，作为周缘密封件能够取得良好的结果。
实施例3
在本实施例中，制作以下示出的实验例1～4的电子模块，评价10次水分透过率并确认其中得到了几次水分抑制效果，评价水分进入抑制能力。将其结果示于下述表2。
关于水蒸气透过率，与第1实施例同样，在密封前将由Ca呈膜状形成的基板配置在太阳能电池子模块上，使用上述文献A中记载的方法，在温度为40℃、相对湿度为90％的氛围下进行了测定。因此，省略其详细说明。
(实验例1)
实验例1使用了第1实施例的实施例1的电子模块。因此，省略其详细说明。
(实验例2)
实验例2是与图3示出的电子模块10a相同的结构，与实验例1相比，在水蒸气阻挡膜18的表面18a(水蒸气阻挡层26的表面)上隔着树脂层29而设置聚碳酸酯树脂制的耐冲击吸收层28，且在电子器件12的下表面12a(挠性基板20的下表面)上隔着树脂层29而设置聚碳酸酯树脂制的耐压层30。除此之外的结构与实验例1相同，因而省略其详细的说明。
(实验例3)
实验例3与实施例1相比，不同点在于周缘密封件不是设置在下部电极(Mo膜)上，而是设置在其上方的层即光电转换层(CIGS层)上，除此之外的结构与实验例1相同。因此，省略其详细说明。
(实验例4)
实验例4与实施例2相比，不同点在于周缘密封件不是设置在下部电极(Mo膜)上，而是设置在其上方的层即光电转换层(CIGS层)上，除此之外的结构与实验例2相同。因此，省略其详细说明。
表2
如上述表2所示，在实验例1以及实验例2中，周缘密封件设置在下部电极(Mo膜)上，在所有试验次数中均取得了水分抑制效果。
在实验例2中，设置了聚碳酸酯树脂制的耐冲击吸收层28以及耐压层30。该聚碳酸酯树脂的线膨胀系数为60ppm/K，相对于基材的10ppm/K大至其6倍，因而施有很大内部应变。然而，在本发明的结构中，如上所述，在所有试验次数中均取得了水分抑制效果。
在实验例3中，周缘密封件设置在光电转换层(CIGS层)上，水分抑制效果达成次数比实验例1、2少。对其原因进行调查，结果发现，存在光电转换层(CIGS层)与下部电极(Mo膜)之间发生剥离的情况，从而水分从其剥离界面进入。
在实验例4中，周缘密封件设置在光电转换层(CIGS层)上，且设有聚碳酸酯层。实验例4的水分抑制效果达成次数比实验例3还要少。这是因为，如上所述，因聚碳酸酯树脂而施加了大的内部应变，从而使光电转换层(CIGS层)与下部电极(Mo膜)之间发生剥离的情况很多。
符号说明：
10、100  电子模块
12  电子器件
14  周缘密封件
16  填料
18  水蒸气阻挡膜
20  挠性基板
22  电子元件
24  支承体
26  水蒸气阻挡层
28  耐冲击吸收层
30  耐压层

Claims (7)

1.一种电子模块，其特征在于，至少具有：
电子器件，其在不透过水蒸气的挠性基板上设有电子元件；
周缘密封件，其在所述电子器件的所述挠性基板的周缘处设置；以及
水蒸气阻挡膜，其以堵塞由所述周缘密封件包围的区域的方式设置，
所述周缘密封件在扩散系数的2倍的平方根设为K时，以下，
所述水蒸气阻挡膜是在由透明树脂形成的支承体上至少形成有一层以上的无机层的构件，且所述支承体配置于所述周缘密封件侧。
2.根据权利要求1所述的电子模块，其中，
由所述周缘密封件包围的区域被填料填充。
3.根据权利要求1或2所述的电子模块，其中，
所述水蒸气阻挡膜的所述支承体的厚度为250μm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子模块，其中，
所述周缘密封件的水蒸气透过率为2.0g/m2/day以下。
5.根据权利要求4所述的电子模块，其中，
所述周缘密封件是含有聚异丁烯的构件。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子模块，其中，
所述电子器件的所述挠性基板具备一层以上的金属层和在所述金属层上形成的绝缘层，且在所述绝缘层上形成层叠有下部电极和CIGS膜的电子元件，
所述周缘密封件接触设置于所述绝缘层上或所述下部电极上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子模块，其中，
在所述水蒸气阻挡膜上设有耐冲击吸收层，且在所述挠性基板的下表面设有耐压层，
所述耐冲击吸收层以及所述耐压层由聚碳酸酯树脂构成。
CN201380050438.4A 2012-09-28 2013-09-25 电子模块 Expired - Fee Related CN104661814B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012217689A JP5914286B2 (ja) 2012-09-28 2012-09-28 電子モジュール
JP2012-217689 2012-09-28
PCT/JP2013/075863 WO2014050864A1 (ja) 2012-09-28 2013-09-25 電子モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104661814A true CN104661814A (zh) 2015-05-27
CN104661814B CN104661814B (zh) 2016-06-08

Family

ID=50388261

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380050438.4A Expired - Fee Related CN104661814B (zh) 2012-09-28 2013-09-25 电子模块

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150200315A1 (zh)
JP (1) JP5914286B2 (zh)
KR (1) KR101638299B1 (zh)
CN (1) CN104661814B (zh)
WO (1) WO2014050864A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108091771A (zh) * 2017-11-15 2018-05-29 维沃移动通信有限公司 一种显示模组制造方法、显示模组及移动终端
CN111566525A (zh) * 2018-10-18 2020-08-21 株式会社Lg化学 偏光板、液晶面板和显示装置
CN114175321A (zh) * 2019-06-05 2022-03-11 罗伯特·博世有限公司 燃料电池单元

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10910590B2 (en) * 2014-03-27 2021-02-02 Universal Display Corporation Hermetically sealed isolated OLED pixels
US10749123B2 (en) 2014-03-27 2020-08-18 Universal Display Corporation Impact resistant OLED devices
KR102028470B1 (ko) * 2015-06-17 2019-10-04 후지필름 가부시키가이샤 적층 필름 및 적층 필름의 제조 방법
WO2017002783A1 (ja) * 2015-06-29 2017-01-05 富士フイルム株式会社 機能性フィルムおよび機能性フィルムの製造方法
CN107848256B (zh) * 2015-07-31 2020-08-18 富士胶片株式会社 层叠膜
CN107921737B (zh) * 2015-08-10 2019-10-18 富士胶片株式会社 层叠膜
US11751426B2 (en) 2016-10-18 2023-09-05 Universal Display Corporation Hybrid thin film permeation barrier and method of making the same
US11017934B2 (en) * 2016-12-09 2021-05-25 Cyntec Co., Ltd. Electronic module
JP2018125523A (ja) * 2017-01-27 2018-08-09 積水化学工業株式会社 フレキシブル太陽電池
CN110447309A (zh) * 2017-03-30 2019-11-12 夏普株式会社 El设备的制造方法以及el设备的制造装置
US20220384668A1 (en) * 2019-10-25 2022-12-01 First Solar, Inc. Photovoltaic devices and methods of making
CN118231501B (zh) * 2023-07-31 2024-09-17 江苏思尔德科技有限公司 一种柔性光伏用高阻隔膜制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101687390A (zh) * 2007-06-27 2010-03-31 富士胶片株式会社 具有金属表面粗糙化层的金属层叠层体及其制造方法
CN102100126A (zh) * 2008-09-01 2011-06-15 夏普株式会社 有机电致发光面板、有机电致发光显示器、有机电致发光照明装置和它们的制造方法
JP2012164543A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Kaneka Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3170105B2 (ja) * 1993-07-01 2001-05-28 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
JPH10275679A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機ｅｌ素子
JP3613951B2 (ja) * 1997-10-30 2005-01-26 富士電機ホールディングス株式会社 太陽電池モジュールとその製造方法
JP2001310425A (ja) * 2000-04-27 2001-11-06 Unitika Ltd ガスバリア性フィルム
JP2003223986A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Toyota Industries Corp 有機ｅｌディスプレイの防湿構造
JP2006253097A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Tohoku Pioneer Corp 自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法
US20090090412A1 (en) * 2005-12-22 2009-04-09 Hermann Calwer Photovoltaic device and method for encapsulating
CN101669227A (zh) * 2007-04-27 2010-03-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 设有包封结构的oled布置
JP5757733B2 (ja) * 2007-06-15 2015-07-29 アーケマ・インコーポレイテッド ポリフッ化ビニリデン背面シートを有する光起電モジュール
US20100224235A1 (en) * 2009-03-06 2010-09-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Light weight solar cell modules
JP5334645B2 (ja) 2009-03-31 2013-11-06 富士フイルム株式会社 可撓性太陽電池モジュール
CN102473774A (zh) * 2009-07-30 2012-05-23 三菱树脂株式会社 太阳能电池组件
WO2011143205A1 (en) 2010-05-10 2011-11-17 Global Solar Energy, Inc. Multi-layer solar module backsheet
JP2012079419A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法
JP2012084356A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Sumitomo Chemical Co Ltd 電子デバイス
JP2012089663A (ja) * 2010-10-19 2012-05-10 Fujifilm Corp 太陽電池モジュール、および、太陽電池モジュールの製造方法
JP5504221B2 (ja) * 2011-08-05 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101687390A (zh) * 2007-06-27 2010-03-31 富士胶片株式会社 具有金属表面粗糙化层的金属层叠层体及其制造方法
CN102100126A (zh) * 2008-09-01 2011-06-15 夏普株式会社 有机电致发光面板、有机电致发光显示器、有机电致发光照明装置和它们的制造方法
JP2012164543A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Kaneka Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108091771A (zh) * 2017-11-15 2018-05-29 维沃移动通信有限公司 一种显示模组制造方法、显示模组及移动终端
CN111566525A (zh) * 2018-10-18 2020-08-21 株式会社Lg化学 偏光板、液晶面板和显示装置
US11815759B2 (en) 2018-10-18 2023-11-14 Lg Chem, Ltd. Polarizing plate, liquid crystal panel and display device
CN114175321A (zh) * 2019-06-05 2022-03-11 罗伯特·博世有限公司 燃料电池单元

Also Published As

Publication number Publication date
JP5914286B2 (ja) 2016-05-11
CN104661814B (zh) 2016-06-08
KR101638299B1 (ko) 2016-07-08
KR20150048192A (ko) 2015-05-06
WO2014050864A1 (ja) 2014-04-03
JP2014069454A (ja) 2014-04-21
US20150200315A1 (en) 2015-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104661814B (zh) 电子模块
CN108258138B (zh) 用于敏感元件的封装的多层部件
JP5334645B2 (ja) 可撓性太陽電池モジュール
US9166094B2 (en) Method for forming solar cells
JP2011176287A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
WO2012053042A1 (en) Solar cell module and method of manufacturing the same
EP2693487A2 (en) Thin film solar cell module and method of manufacturing the same
US20170317305A1 (en) Systems and methods for transparent organic photovoltaic devices
US20140202534A1 (en) Solar cell module
JP2012204459A (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2012199284A (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2011176285A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
JP2012094742A (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
US20110005587A1 (en) Made to elements capable of collecting light
JP2012204458A (ja) 太陽電池モジュールの製造方法
JP2011077229A (ja) 光電変換装置
JP2011176288A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
JP4234111B2 (ja) 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
JP2013089749A (ja) フレームレス太陽電池モジュール
JP2013542603A (ja) 積層板構造を備えた薄膜太陽モジュール
JP2013077749A (ja) 太陽電池モジュール
JP2014072480A (ja) 太陽電池モジュール
JP2011159796A (ja) 絶縁層付基板および薄膜太陽電池
JP2014192455A (ja) 太陽電池モジュール
WO2012127742A1 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160608

Termination date: 20190925