CN104620395A - 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电转换元件和该光电转换元件的制造方法，包括设置在半导体基板的一个表面的整个面的i型非单晶膜，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。

Description

光电转换元件以及光电转换元件的制造方法
技术领域
本发明涉及光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。
背景技术
近年，尤其从地球环境问题的观点出发，将太阳光能直接转换为电能的太阳电池作为下一代能源的期待急剧提高。在太阳电池中，有使用了化合物半导体或者有机材料的太阳电池等各种种类的太阳电池，但当前成为主流的是使用了硅晶的太阳电池。
现在，制造以及销售最多的太阳电池是在太阳光入射的侧的面即受光面和受光面的相反侧即背面分别形成了电极的结构的太阳电池。
但是，在受光面形成了电极的情况下，由于存在电极中的太阳光的反射以及吸收，所以入射的太阳光的量减少相应于电极的面积的量。因此，正在推进如下的太阳电池元件(异质结型背接触电池)的开发(例如，参照专利文献1)：在n型的单晶硅基板的背面上，形成i型的非晶硅膜和p型的非晶硅膜的层叠体、和i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜的层叠体，并在这些层叠体的p型的非晶硅膜上以及n型的非晶硅膜上形成电极，从而提高了特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2010-80887号公报
发明内容
发明要解决的课题
以下，参照图13～图29的示意性剖视图，说明异质结型背接触电池的制造方法的一例。首先，如图13所示，在由在受光面形成了纹理结构(未图示)的n型的单晶硅而成的c-Si(n)基板101的背面上，形成i型的非晶硅膜和p型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/p)层102。
接着，如图14所示，在c-Si(n)基板101的受光面上，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层103。
接着，如图15所示，在a-Si(i/p)层102的一部分的背面上形成光刻胶膜104。这里，通过在a-Si(i/p)层102的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜104。
接着，如图16所示，以光刻胶膜104作为掩模，对a-Si(i/p)层102的一部分进行蚀刻，从而使c-Si(n)基板101的背面曝光。
接着，如图17所示，在去除了光刻胶膜104之后，如图18所示，以覆盖去除光刻胶膜104而曝光的a-Si(i/p)层102的背面以及通过蚀刻而曝光的c-Si(n)基板101的背面的方式，形成i型的非晶硅膜和n型的非晶硅膜按照这个顺序层叠的a-Si(i/n)层105。
接着，如图19所示，在a-Si(i/n)层105的一部分的背面上形成光刻胶膜106。这里，通过在a-Si(i/n)层105的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜106。
接着，如图20所示，以光刻胶膜106作为掩模，对a-Si(i/n)层105的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层102的背面曝光。
接着，如图21所示，在去除了光刻胶膜106之后，如图22所示，以覆盖去除光刻胶膜106而曝光的a-Si(i/n)层105的背面以及通过蚀刻而曝光的a-Si(i/p)层102的背面的方式，形成透明导电氧化膜107。
接着，如图23所示，在透明导电氧化膜107的一部分的背面上形成光刻胶膜108。这里，通过在透明导电氧化膜107的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜108。
接着，如图24所示，以光刻胶膜108作为掩模，对透明导电氧化膜107的一部分进行蚀刻，从而使a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的背面曝光。
接着，如图25所示，在去除了光刻胶膜108之后，如图26所示，以覆盖a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的曝光的背面以及透明导电氧化膜107的一部分的背面的方式，形成光刻胶膜109。这里，通过在a-Si(i/p)层102以及a-Si(i/n)层105的曝光的背面以及透明导电氧化膜107的背面的整个面涂布了光刻胶之后，通过曝光技术以及显影技术而对光刻胶进行图案形成，从而形成光刻胶膜109。
接着，如图27所示，在透明导电氧化膜107以及光刻胶膜109的背面的整个面形成背面电极层110。
接着，如图28所示，通过剥离(lift-off)而去除光刻胶膜109以及背面电极层110，使得只在透明导电氧化膜107的表面的一部分残留背面电极层110。
接着，如图29所示，在a-Si(i/n)层103的表面上形成反射防止膜111。通过以上，完成异质结型背接触电池。
在上述的异质结型背接触电池的制造方法中，如图13～图16所示，在c-Si(n)基板101的背面上形成了a-Si(i/p)层102之后，对a-Si(i/p)层102的一部分进行蚀刻，从而使c-Si(n)基板101的背面曝光。
但是，在使c-Si(n)基板101的背面曝光的情况下，c-Si(n)基板101的曝光的背面被污染。因此，存在在c-Si(n)基板101的背面和a-Si(i/n)层105的界面容易捕捉载流子，载流子的寿命降低，异质结型背接触电池的特性降低的问题。
鉴于上述的情况，本发明的目的在于，提供一种能够提高异质结型背接触电池的特性的光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明是一种光电转换元件，包括：第一导电型的半导体基板；i型非单晶膜，设置在半导体基板的一个表面的整个面；第一导电型非单晶膜，设置在i型非单晶膜的一部分的表面上；第二导电型非单晶膜，设置在i型非单晶膜的其他的一部分的表面上；第一导电型用电极，设置在第一导电型非单晶膜上；以及第二导电型用电极，设置在第二导电型非单晶膜上，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。
这里，优选在本发明的光电转换元件中，i型非单晶膜是i型非晶膜。
此外，优选在本发明的光电转换元件中，半导体基板和i型非单晶膜的界面的近接区域中的最大高低差小于1μm。
此外，优选在本发明的光电转换元件中，第一导电型非单晶膜和半导体基板之间的i型非单晶膜的膜厚与第二导电型非单晶膜和半导体基板之间的i型非单晶膜的膜厚不同。
此外，优选在本发明的光电转换元件中，第一导电型非单晶膜和半导体基板之间的i型非单晶膜的膜厚比第二导电型非单晶膜和半导体基板之间的i型非单晶膜的膜厚薄。
此外，本发明是一种光电转换元件的制造方法，包括如下工序：在第一导电型的半导体基板的一个表面的整个面上，将i型非单晶膜进行层叠的工序；在i型非单晶膜的表面上，将第二导电型非单晶膜进行层叠的工序；在第二导电型非单晶膜的一部分的表面上设置掩模材料的工序；以残留i型非单晶膜的至少一部分的方式，去除从掩模材料露出的第二导电型非单晶膜的工序；在第二导电型非单晶膜的表面上以及i型非单晶膜的表面上形成第一导电型非单晶膜的工序；以在i型非单晶膜的表面上残留第一导电型非单晶膜的一部分的方式，去除第二导电型非单晶膜的表面上的第一导电型非单晶膜的工序；以及在第一导电型非单晶膜的表面上以及第二导电型非单晶膜的表面上形成电极层的工序。
这里，优选在本发明的光电转换元件的制造方法中，去除第一导电型非单晶膜的工序通过使用碱溶液的湿蚀刻而进行。
此外，优选在本发明的光电转换元件的制造方法中，将i型非单晶膜进行层叠的工序只进行一次。
此外，优选在本发明的光电转换元件的制造方法中，i型非单晶膜是i型非晶膜。
此外，优选在本发明的光电转换元件的制造方法中，在将i型非单晶膜进行层叠的工序中，i型非单晶膜形成在半导体基板的平坦的表面上。
发明效果
根据本发明，能够提供能够提高异质结型背接触电池的特性的光电转换元件以及光电转换元件的制造方法。
附图说明
图1是实施方式的异质结型背接触电池的示意性的剖视图。
图2是实施方式的异质结型背接触电池的半导体基板和i型非单晶膜的界面的一例的示意性的放大剖视图。
图3是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图4是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图5是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图6是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图7是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图8是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图9是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图10是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图11是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图12是对实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例的工序的一部分进行图解的示意性的剖视图。
图13是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图14是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图15是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图16是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图17是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图18是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图19是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图20是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图21是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图22是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图23是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图24是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图25是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图26是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图27是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图28是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
图29是对异质结型背接触电池的制造方法的一例进行图解的示意性的剖视图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。另外，在本发明的附图中，设为相同的参照标号表示相同部分或者相等部分。
图1表示作为本发明的光电转换元件的一例的实施方式的异质结型背接触电池的示意性的剖视图。实施方式的异质结型背接触电池包括由n型单晶硅而成的半导体基板1和在半导体基板1的一个表面即背面的整个面设置的i型的非晶硅(amorphous silicon)而成的i型非单晶膜5。
在半导体基板1的背面的整个面设置的i型非单晶膜5的背面的一部分的区域上，设置有由p型的非晶硅而成的第二导电型非单晶膜6。此外，在i型非单晶膜5的背面的其他的一部分的区域上，设置有由n型的非晶硅而成的第一导电型非单晶膜8。
这里，半导体基板1和第一导电型非单晶膜8之间的i型非单晶膜5的膜厚T1与半导体基板1和第二导电型非单晶膜6之间的i型非单晶膜5的膜厚T2不同，膜厚T1比膜厚T2薄。
另外，半导体基板1和第一导电型非单晶膜8之间的i型非单晶膜5的膜厚T1例如能够设为3nm以上且6nm以下，半导体基板1和第二导电型非单晶膜6之间的i型非单晶膜5的膜厚T2例如能够设为5nm以上且10nm以下。
在第一导电型非单晶膜8上，设置有第一电极层10和第二电极层11按照这个顺序层叠的第一导电型用电极13。此外，在第二导电型非单晶膜6上，设置有第一电极层10和第二电极层11按照这个顺序层叠的第二导电型用电极12。
在i型非单晶膜5的背面上，第一导电型非单晶膜8和第一导电型用电极13的层叠体与第二导电型非单晶膜6和第二导电型用电极12的层叠体隔着预定的间隔而设置。
此外，在半导体基板1的另一个表面即受光面(背面的相反侧的表面)的整个面，形成纹理结构。此外，在半导体基板1的受光面的整个面上，设置有由i型的非晶硅而成的第二i型非单晶膜2，在第二i型非单晶膜2上，设置有由n型的非晶硅而成的第二个第一导电型非单晶膜3。进一步，在第二个第一导电型非单晶膜3上，设置有反射防止膜4。
在实施方式的异质结型背接触电池中，半导体基板1和i型非单晶膜5的界面14成为平坦。这里，在本说明书中，例如，如图2的示意性放大剖视图所示，“平坦”意味着在位于界面14的近接区域的A点和B点中具有铅直上方的最大的高度Zp的A点和具有铅直下方的最大的高度Zv的B点之间的合计距离即最大高低差(Zp+Zv)小于1μm。另外，在本说明书中，由于“半导体基板和i型非单晶膜的界面的近接区域”意味着半导体基板和i型非单晶膜的界面上的水平方向的间隔为10μm以下的任意的区域，所以A点和B点之间的水平方向的间隔为10μm以下。
以下，参照图3～图12的示意性剖视图，说明实施方式的异质结型背接触电池的制造方法的一例。首先，如图3所示，在形成了纹理结构的半导体基板1的受光面上，将由i型的非晶硅而成的第二i型非单晶膜2和由n型的非晶硅而成的第二个第一导电型非单晶膜3按照这个顺序例如通过等离子CVD(化学气相淀积(Chemical VaporDeposition))法进行层叠。这里，也有省略第二个第一导电型非单晶膜3的形成工序的情况。
作为半导体基板1，并不限定于由n型单晶硅而成的基板，例如，也可以使用从以往公知的半导体基板等。此外，半导体基板1的受光面的纹理结构例如能够通过对半导体基板1的受光面的整个面进行纹理蚀刻等而形成。
半导体基板1的厚度并不特别限定，例如能够设为50μm以上且300μm以下，优选能够设为100μm以上且200μm以下。此外，半导体基板1的比电阻也并不特别限定，例如能够设为0.1Ω·cm以上且10Ω·cm以下。
作为第二i型非单晶膜2，只要不是单晶膜，则并不限定于i型的非晶硅，例如能够使用从以往公知的i型的多晶膜、微晶膜或者非晶膜等。第二i型非单晶膜2的膜厚并不特别限定，例如能够设为3nm以上且10nm以下。
作为第二个第一导电型非单晶膜3，只要不是单晶膜，则并不限定于n型的非晶硅，例如能够使用从以往公知的n型的多晶膜、微晶膜或者非晶膜等。第二个第一导电型非单晶膜3的膜厚并不特别限定，例如能够设为5nm以上且10nm以下。
作为在第二个第一导电型非单晶膜3中包含的n型杂质，例如能够使用磷，第二个第一导电型非单晶膜3的n型杂质浓度例如能够设为5×1019个/cm3左右。
另外，在本说明书中，“i型”意味着没有刻意掺杂n型或者p型的杂质，例如也有时在制作异质结型背接触电池后通过n型或者p型的杂质不可避免地扩散等而表示n型或者p型的导电型。
此外，在本说明书中，“非晶硅”中还包括氢化非晶硅等的硅原子的游离键(悬空键(dangling bond))通过氢而被终止的硅。
接着，如图4所示，在第二个第一导电型非单晶膜3的整个面，例如通过溅射法或者等离子CVD法，将反射防止膜4进行层叠。
作为反射防止膜4，例如能够使用氮化硅膜等，反射防止膜4的膜厚例如能够设为100nm左右。
接着，如图5所示，在半导体基板1的背面的整个面，例如通过等离子CVD法，将由i型的非晶硅而成的i型非单晶膜5进行层叠。这里，i型非单晶膜5进行层叠的半导体基板1的背面成为平坦的面。将半导体基板1的背面作成平坦的面的方法例如能够使用如下方法等：在将半导体单晶锭切片为薄板状之后，将切片后的晶片的表面以物理方式进行研磨的方法；以化学方式进行蚀刻的方法；或者将这些进行了组合的方法。
作为i型非单晶膜5，只要不是单晶膜，则并不限定于i型的非晶硅，例如能够使用从以往公知的i型的多晶膜、微晶膜或者非晶膜等。i型非单晶膜5的膜厚T2并不特别限定，例如能够设为5nm以上且10nm以下。
接着，如图6所示，在i型非单晶膜5的背面上，例如通过等离子CVD法，将由p型的非晶硅而成的第二导电型非单晶膜6进行层叠。
作为第二导电型非单晶膜6，只要不是单晶膜，则并不限定于p型的非晶硅，例如能够使用从以往公知的p型的多晶膜、微晶膜或者非晶膜等。第二导电型非单晶膜6的膜厚并不特别限定，例如能够设为5nm以上且20nm以下。
作为在第二导电型非单晶膜6中包含的p型杂质，例如能够使用硼，第二导电型非单晶膜6的p型杂质浓度例如能够设为5×1019个/cm3左右。
接着，如图7所示，在第二导电型非单晶膜6的一部分的背面上，设置掩模材料7。
这里，作为掩模材料7，使用抗酸性的抗蚀剂，该抗酸性的抗蚀剂能够抑制使用了后述的酸溶液的蚀刻。作为抗酸性的抗蚀剂，能够不特别限定地使用从以往公知的抗蚀剂。
掩模材料7的设置方法并不特别限定，在掩模材料7由抗酸性的抗蚀剂而成的情况下，例如，在第二导电型非单晶膜6的背面的整个面涂布了掩模材料7之后，通过进行基于曝光技术以及显影技术的掩模材料7的图案形成，从而能够在第二导电型非单晶膜6的一部分的背面上设置掩模材料7。
接着，如图8所示，去除从掩模材料7曝光的第二导电型非单晶膜6，使得残留i型非单晶膜5的至少一部分。
这里，第二导电型非单晶膜6的去除优选例如通过使用了酸溶液的蚀刻而进行。由于酸溶液能够高精度地控制对于非晶硅等的非单晶膜的蚀刻速率，所以能够高精度地去除第二导电型非单晶膜6。
作为酸溶液，例如能够使用氟酸和过氧化氢水的混合液、氟酸和臭氧水的混合液、或者包含了臭氧微纳米气泡的氟酸、或者用水稀释的硝酸和氟酸的混合液等。
另外，只要i型非单晶膜5覆盖半导体基板1的背面的整个面，则第二导电型非单晶膜6的去除也可以是去除i型非单晶膜5的一部分，去除后的i型非单晶膜5的膜厚T1例如能够设为3nm以上且6nm以下。
接着，如图9所示，通过去除掩模材料7，能够使第二导电型非单晶膜6的背面曝光。
去除掩模材料7的方法并不特别限定，在掩模材料7由抗酸性的抗蚀剂而成的情况下，使掩模材料7例如在丙酮中溶解，能够去除掩模材料7。
接着，如图10所示，以覆盖第二导电型非单晶膜6的背面以及从第二导电型非单晶膜6曝光的i型非单晶膜5的背面的方式，例如通过等离子CVD法，将由n型的非晶硅而成的第一导电型非单晶膜8进行层叠。
作为第一导电型非单晶膜8，只要不是单晶膜，则并不限定于n型的非晶硅，例如能够使用从以往公知的n型的多晶膜、微晶膜或者非晶膜等。第一导电型非单晶膜8的膜厚并不特别限定，例如能够设为5nm以上且10nm以下。
作为在第一导电型非单晶膜8中包含的n型杂质，例如能够使用磷，第一导电型非单晶膜8的n型杂质浓度例如能够设为5×1019个/cm3左右。
接着，如图11所示，在第一导电型非单晶膜8的一部分的背面上，设置第二掩模材料9。这里，第二掩模材料9设置在位于从第二导电型非单晶膜6曝光的i型非单晶膜5的背面上的第一导电型非单晶膜8的区域的一部分。
作为第二掩模材料9，使用能够抑制后述的使用了碱溶液的蚀刻的抗碱性的抗蚀剂。作为抗碱性的抗蚀剂，能够不特别限定地使用从以往公知的抗蚀剂。作为抗碱性的抗蚀剂，例如，能够使用东京应化工业株式会社制造的i线用光刻胶或者g线用光刻胶或者JSR株式会社制造的液晶显示器用TFT-LCD阵列蚀刻用光刻胶等。
第二掩模材料9的设置方法并不特别限定，在第二掩模材料9由抗碱性的抗蚀剂而成的情况下，例如，在第一导电型非单晶膜8的背面的整个面涂布了第二掩模材料9之后，通过进行基于光蚀刻微影(Photolithography)技术以及蚀刻技术的第二掩模材料9的图案形成，从而能够在第一导电型非单晶膜8的一部分的背面上设置第二掩模材料9。
接着，如图12所示，去除从第二掩模材料9曝光的第一导电型非单晶膜8，之后，去除第二掩模材料9。
这里，第一导电型非单晶膜8的去除优选例如通过使用了碱溶液的蚀刻进行。由于碱溶液对于n型的非晶硅等的n型的非单晶膜的蚀刻速率非常高、对于p型的非晶硅等的p型的非单晶膜的蚀刻速率非常低，所以能够有效率地去除第一导电型非单晶膜8，且能够使第一导电型非单晶膜8的衬底的第二导电型非单晶膜6作为蚀刻停止层发挥作用，因此，能够可靠地去除没有由第二掩模材料9所覆盖的第一导电型非单晶膜8的部分。
作为碱溶液，例如，能够使用包括氢氧化钾或者氢氧化钠等的在光蚀刻微影中使用的显影液等。
接着，如图1所示，在第一导电型非单晶膜8上，将第一电极层10和第二电极层11按照这个顺序层叠而形成第一导电型用电极13，且在第二导电型非单晶膜6上，将第一电极层10和第二电极层11按照这个顺序层叠而形成第二导电型用电极12。由此，完成具有图1所示的结构的实施方式的异质结型背接触电池。
作为第一电极层10，能够使用具有导电性的材料，例如能够使用ITO(铟锡氧化物(Indium Tin Oxide))等。
作为第二电极层11，能够使用具有导电性的材料，例如能够使用铝等。
例如使用以第二导电型非单晶膜6的背面以及第一导电型非单晶膜8的背面曝光的方式设置了开口部的金属掩模，通过溅射法而将第一电极层10以及第二电极层11依次层叠，从而能够形成第一电极层10以及第二电极层11。
这里，第一电极层10的厚度以及第二电极层11的厚度并不特别限定，第一电极层10的厚度例如能够设为80nm以下，第二电极层11的厚度例如能够设为0.5μm以下。
如以上所示，实施方式的异质结型背接触电池一旦在半导体基板1的背面的整个面层叠了i型非单晶膜5之后，不去除i型非单晶膜5，不曝光半导体基板1的背面，直至完成。因此，由于实施方式的异质结型背接触电池直至其完成为止，能够以半导体基板1的背面从污染隔离的状态制造，所以抑制了因半导体基板1的背面的污染所引起的半导体基板1的背面和i型非单晶膜5的界面中的载流子的捕捉。这样，由于实施方式的异质结型背接触电池能够抑制半导体基板1的背面和i型非单晶膜5的界面中的载流子的寿命的降低，所以特性提高。
此外，在实施方式的异质结型背接触电池中，由于i型非单晶膜5进行层叠的半导体基板1的背面是平坦的，所以从这个观点出发，也能够抑制半导体基板1的背面和i型非单晶膜5的界面中的载流子的捕捉，抑制载流子的寿命的降低，所以特性提高。
进一步，根据实施方式的异质结型背接触电池的制造方法，如图13～图29中示出的方法所示，由于不需要将光刻胶的涂布以及基于光蚀刻微影技术及蚀刻技术的光刻胶的图案形成的工序进行4次，所以能够通过更简单的制造工序来制造异质结型背接触电池。
尤其，在实施方式的异质结型背接触电池的制造方法中，如图10所示，在以覆盖i型非单晶膜5的背面以及第二导电型非单晶膜6的背面的方式层叠了第一导电型非单晶膜8之后，通过使用了碱溶液的蚀刻而去除了第一导电型非单晶膜8的一部分的情况下，第二导电型非单晶膜6作为蚀刻停止层发挥作用，所以能够有效率且可靠地去除第一导电型非单晶膜8。
应认为本次公开的实施方式在所有点上都是例示，并不是限制性的。本发明的范围是由权利要求书的范围所表示而不是上述的说明，意图包含与权利要求书的范围等同的含义以及范围内的全部变更。
产业上的可利用性
本发明能够利用于光电转换元件以及光电转换元件的制造方法，尤其，能够适合利用于异质结型背接触电池以及异质结型背接触电池的制造方法。
附图标记说明
1半导体基板、2第二i型非单晶膜、3第二个第一导电型非单晶膜、4反射防止膜、5i型非单晶膜、6第二导电型非单晶膜、7掩模材料、8第一导电型非单晶膜、9第二掩模材料、10第一电极层、11第二电极层、12第二导电型用电极、13第一导电型用电极、14界面、101c-Si(n)基板、102a-Si(i/p)层、103a-Si(i/n)层、104光刻胶膜、105a-Si(i/n)层、106光刻胶膜、107透明导电氧化膜、108，109光刻胶膜、110背面电极层、111反射防止膜。

Claims (10)

1.一种光电转换元件，包括：
第一导电型的半导体基板；
i型非单晶膜，设置在所述半导体基板的一个表面的整个面；
第一导电型非单晶膜，设置在所述i型非单晶膜的一部分的表面上；
第二导电型非单晶膜，设置在所述i型非单晶膜的其他的一部分的表面上；
第一导电型用电极，设置在所述第一导电型非单晶膜上；以及
第二导电型用电极，设置在所述第二导电型非单晶膜上，
所述半导体基板和所述i型非单晶膜的界面是平坦的。
2.如权利要求1所述的光电转换元件，
所述i型非单晶膜是i型非晶膜。
3.如权利要求1或2所述的光电转换元件，
所述半导体基板和所述i型非单晶膜的界面的近接区域中的最大高低差小于1μm。
4.如权利要求1至3的任一项所述的光电转换元件，
所述第一导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚与所述第二导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚不同。
5.如权利要求1至4的任一项所述的光电转换元件，
所述第一导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚比所述第二导电型非单晶膜和所述半导体基板之间的所述i型非单晶膜的膜厚薄。
6.一种光电转换元件的制造方法，包括如下工序：
在第一导电型的半导体基板的一个表面的整个面上，将i型非单晶膜进行层叠的工序；
在所述i型非单晶膜的表面上，将第二导电型非单晶膜进行层叠的工序；
在所述第二导电型非单晶膜的一部分的表面上设置掩模材料的工序；
以残留所述i型非单晶膜的至少一部分的方式，去除从所述掩模材料露出的所述第二导电型非单晶膜的工序；
在所述第二导电型非单晶膜的表面上以及所述i型非单晶膜的表面上形成第一导电型非单晶膜的工序；
以在所述i型非单晶膜的表面上残留所述第一导电型非单晶膜的一部分的方式，去除所述第二导电型非单晶膜的所述表面上的所述第一导电型非单晶膜的工序；以及
在所述第一导电型非单晶膜的表面上以及所述第二导电型非单晶膜的表面上形成电极层的工序。
7.如权利要求6所述的光电转换元件的制造方法，
去除所述第一导电型非单晶膜的工序通过使用碱溶液的湿蚀刻而进行。
8.如权利要求6或7所述的光电转换元件的制造方法，
将所述i型非单晶膜进行层叠的工序只进行一次。
9.如权利要求6至8的任一项所述的光电转换元件的制造方法，
所述i型非单晶膜是i型非晶膜。
10.如权利要求6至9的任一项所述的光电转换元件的制造方法，
在将所述i型非单晶膜进行层叠的工序中，所述i型非单晶膜形成在所述半导体基板的平坦的所述表面上。
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