CN104575395A - Amoled像素驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供AMOLED像素驱动电路，通过在有机发光二极管(D1)与直流电源电压(VDD)之间加入由发光控制信号(EM)控制的薄膜晶体管(M2)的方式、或采用交流电源电压(VDD)的方式来控制有机发光二极管(D1)是否发光，设置所述发光控制信号(EM)或交流电源电压(VDD)仅在驱动发光阶段(Drive)提供高电位，其余阶段均提供低电位，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，阻止OLED在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。

Description

AMOLED像素驱动电路
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive MatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有发光二极管自身的电流决定。由于在AMOLED的驱动电路中，驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致OLED的发光不稳定，因此需要采用能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压漂移的像素驱动电路。
图1所示为一种现有的AMOLED像素驱动电路，包括：第二开关薄膜晶体管SW2，其栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号gate2(n)，源极电性连接于数据信号data，漏极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的漏极及第二电容Cst2的一端；镜像薄膜晶体管MR，其栅极经由第一节点D电性连接于驱动薄膜晶体管DR的栅极，源极电性连接于第一开关薄膜晶体管SW1的源极，漏极电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的漏极及第二电容Cst2的一端；第一开关薄膜晶体管SW1，其栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号gate1(n)，源极电性连接于镜像薄膜晶体管MR的源极，漏极电性连接于第一节点D；预充电薄膜晶体管PC，其栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)，源极电性连接于第一节点D；驱动薄膜晶体管DR，其栅极经由第一节点D电性连接于镜像薄膜晶体管MR的栅极，源极电性连接于接地端GND，漏极电性连接于有机发光二极管OLED的阴极；第一电容Cst1的一端电性连接于第一节点D，另一端电性连接于接地端GND；第二电容Cst2的一端电性连接于第二开关薄膜晶体管SW2的漏极及镜像薄膜晶体管MR的漏极，另一端电性连接于接地端GND；有机发光二极管OLED的阳极电性连接于直流电源电压VDD，阴极电性连接于驱动薄膜晶体管DR的漏极；直流电源电压VDD提供高电位。图2所示为对应于图1电路的时序图，该电路的补偿过程依次包括预充电(Pre-charge)、数据写入(Program)、复位(Restore)、驱动发光(Drive)四个阶段，在预充电阶段，第一节点D的电位被抬升至第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)的高电位，驱动薄膜晶体管DR被导通，导致在预充电、数据写入、复位三个阶段中，有机发光二极管OLED始终处于发光状态，然而，面板所需的仅为驱动发光阶段里有机发光二极管OLED的发光，其余三个阶段有机发光二极管OLED的发光为非必要发光。图3所示为上述像素驱动电路中有机发光二极管OLED的驱动电流模拟图，由图3可知，有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled在四个阶段均存在，导致有机发光二极管OLED在四个阶段均发光，但只有在驱动发光阶段的发光才是正常和必要的，在驱动发光阶段之前的其余三个阶段内，有机发光二极管OLED的驱动电流Ioled较大，因此存在比较大的非必要发光。这种非必要发光会对OLED的寿命产生影响，同时也会影响面板的实际显示效果，如降低对比度，出现漏光现象等。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路，解决现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
所述第三薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第四薄膜晶体管的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第一节点；
所述第五薄膜晶体管的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号，源极电性连接于第一节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于发光控制信号，源极电性连接于直流电源电压，漏极电性连接于有机发光二极管的阳极；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于接地端，漏极电性连接于有机发光二极管的阴极；
所述第一电容的一端电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第三薄膜晶体管的漏极，另一端电性连接于接地端；
所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于接地端；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于第二薄膜晶体管的漏极，阴极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极；
所述直流电源电压提供直流高电位；
所述发光控制信号按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管是否发光。
所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、与第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第n级第二扫描控制信号、第n级第一扫描控制信号、第n-1级第二扫描控制信号、及发光控制信号相组合，先后对应于预充电阶段、数据写入阶段、复位阶段、及驱动发光阶段；
所述发光控制信号在预充电阶段、数据写入阶段、及复位阶段均提供低电位，控制所述有机发光二极管不发光；在驱动发光阶段提供高电位，控制所述有机发光二极管发光。
在所述预充电阶段，所述第n级第二扫描控制信号为低电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为高电位；
在所述数据写入阶段，所述第n级第二扫描控制信号为高电位，第n级第一扫描控制信号为高电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位；
在所述复位阶段，所述第n级第二扫描控制信号为高电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位；
在所述驱动发光阶段，所述第n级第二扫描控制信号为低电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位。
在所述数据写入阶段，所述数据信号为高电位；在所述复位阶段，所述数据信号为低电位。
本发明还提供另一种AMOLED像素驱动电路，包括：第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管；
所述第六薄膜晶体管的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号，源极电性连接于数据信号，漏极电性连接于第三薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
所述第三薄膜晶体管的栅极经由第一节点电性连接于第四薄膜晶体管的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第一电容的一端；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号，源极电性连接于第三薄膜晶体管的源极，漏极电性连接于第一节点；
所述第五薄膜晶体管的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号，源极电性连接于第一节点；
所述第四薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点，源极电性连接于接地端，漏极电性连接于有机发光二极管的阴极；
所述第一电容的一端电性连接于第六薄膜晶体管的漏极及第三薄膜晶体管的漏极，另一端电性连接于接地端；
所述第二电容的一端电性连接于第一节点，另一端电性连接于接地端；
所述有机发光二极管的阳极电性连接于交流电源电压，阴极电性连接于第四薄膜晶体管的漏极；
所述交流电源电压按照时序交替提供高、低电位，控制所述有机发光二极管是否发光。
所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
所述第n级第二扫描控制信号、第n级第一扫描控制信号、第n-1级第二扫描控制信号、及交流电源电压相组合，先后对应于预充电阶段、数据写入阶段、复位阶段、及驱动发光阶段；
所述交流电源电压在预充电阶段、数据写入阶段、及复位阶段均提供低电位，控制所述有机发光二极管不发光；在驱动发光阶段提供高电位，控制所述有机发光二极管发光。
在所述预充电阶段，所述第n级第二扫描控制信号为低电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为高电位；
在所述数据写入阶段，所述第n级第二扫描控制信号为高电位，第n级第一扫描控制信号为高电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位；
在所述复位阶段，所述第n级第二扫描控制信号为高电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位；
在所述驱动发光阶段，所述第n级第二扫描控制信号为低电位，第n级第一扫描控制信号为低电位，第n-1级第二扫描控制信号为低电位。
在所述数据写入阶段，所述数据信号为高电位；在所述复位阶段，所述数据信号为低电位。
本发明的有益效果：本发明提供的AMOLED像素驱动电路，通过在有机发光二极管与直流电源电压之间加入由发光控制信号控制的薄膜晶体管的方式、或采用交流电源电压的方式来控制有机发光二极管是否发光，设置所述发光控制信号或交流电源电压仅在驱动发光阶段提供高电位，其余阶段均提供低电位，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，阻止OLED在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为一种现有的AMOLED像素驱动电路的电路图；
图2为图1所示AMOLED像素驱动电路的时序图；
图3为图1所示AMOLED像素驱动电路的有机发光二级管的驱动电流的模拟曲线图；
图4为本发明AMOLED像素驱动电路的第一实施例的电路图；
图5为图4所示AMOLED像素驱动电路的时序图；
图6为图4所示AMOLED像素驱动电路的有机发光二级管的驱动电流的模拟曲线图；
图7为本发明AMOLED像素驱动电路的第一实施例与现有的AMOLED像素驱动电路的有机发光二级管的驱动电流的模拟曲线对比图；
图8为本发明AMOLED像素驱动电路的第二实施例的电路图；
图9为图8所示AMOLED像素驱动电路的时序图；
图10为图8所示AMOLED像素驱动电路的有机发光二级管的驱动电流的模拟曲线图；
图11为本发明AMOLED像素驱动电路的第二实施例与现有的AMOLED像素驱动电路的有机发光二级管的驱动电流的模拟曲线对比图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明AMOLED像素驱动电路第一实施例的电路图，如图4所示，包括：第一薄膜晶体管M1、第二薄膜晶体管M2、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5、第六薄膜晶体管M6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管D1。所述第六薄膜晶体管M6的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号Gate2(n)，源极电性连接于数据信号Data，漏极电性连接于第三薄膜晶体管M3的漏极及第一电容C1的一端；所述第三薄膜晶体管M3的栅极经由第一节点D电性连接于第四薄膜晶体管M4的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管M1的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管M6的漏极及第一电容C1的一端；所述第一薄膜晶体管M1的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号Gate1(n)，源极电性连接于第三薄膜晶体管M3的源极，漏极电性连接于第一节点D；所述第五薄膜晶体管M5的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)，源极电性连接于第一节点D；所述第二薄膜晶体管M2的栅极电性连接于发光控制信号EM，源极电性连接于直流电源电压VDD，漏极电性连接于有机发光二极管D1的阳极；所述第四薄膜晶体管M4的栅极电性连接于第一节点D，源极电性连接于接地端GND，漏极电性连接于有机发光二极管D1的阴极；所述第一电容C1的一端电性连接于第六薄膜晶体管M6的漏极及第三薄膜晶体管M3的漏极，另一端电性连接于接地端GND；所述第二电容C2的一端电性连接于第一节点D，另一端电性连接于接地端GND；所述有机发光二极管D1的阳极电性连接于第二薄膜晶体管M2的漏极，阴极电性连接于第四薄膜晶体管M4的漏极。
具体地，所述第一薄膜晶体管M1、第二薄膜晶体管M2、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5、与第六薄膜晶体管M6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。其中，所述第六薄膜晶体管M6为开关薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管M3为镜像薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管M4为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管M5为预充电薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管M2为发光控制薄膜晶体管。
特别需要说明的是：所述直流电源电压VDD提供高电位；所述发光控制信号EM按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管D1是否发光。请同时参阅图4、图5、图6，在该第一实施例中，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)、第n级第一扫描控制信号Gate1(n)、第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)、及发光控制信号EM相组合，先后对应于预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、复位阶段Restore、及驱动发光阶段Drive。所述发光控制信号EM在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore均提供低电位，控制所述有机发光二极管D1不发光；在驱动发光阶段Drive提供高电位，控制所述有机发光二极管D1发光。
具体地，在所述预充电阶段Pre-charge，所述发光控制信号EM为低电位，第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为低电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为高电位；在所述数据写入阶段Program，所述发光控制信号EM为低电位，第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为高电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为高电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位；在所述复位阶段Restore，所述发光控制信号EM为低电位，第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为高电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位；在所述驱动发光阶段Drive，所述发光控制信号EM为高电位，第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为低电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位。进一步地，在所述数据写入阶段Program，所述数据信号Data为高电位；在所述复位阶段Restore，所述数据信号Data为低电位。
上述第一实施例与现有技术相比增加了一发光控制信号EM、及受所述发光控制信号EM控制的发光控制薄膜晶体管即第二薄膜晶体管M2。所述第二薄膜晶体管M2设于有机发光二级管D1与直流电源电压VDD之间，只有当第二薄膜晶体管M2开启时，有机发光二极管D1才与直流电源电压VDD导通，从而产生电流通过有机发光二极管D1，驱动有机发光二极管D1发光。由于所述发光控制信号EM在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore均提供低电位，第二薄膜晶体管M2关闭，阻断了有机发光二极管D1与直流电源电压VDD的连接，有机发光二极管D1不发光；所述发光控制信号EM在驱动发光阶段Drive提供高电位，第二薄膜晶体管M2开启，有机发光二极管D1与直流电源电压VDD导通，有机发光二极管D1发光。如图6所示，在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore，没有电流通过所述有机发光二极管D1，有机发光二极管D1不发光；在驱动发光阶段Drive，有电流正常通过有机发光二极管D1，驱动有机发光二极管D1发光。如图7所示，与现有的AMOLED像素驱动电路相比，本发明第一实施例中通过有机发光二极管D1的驱动电流在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore明显减小，在驱动发光阶段Drive两者电流相等，成功地阻止了有机发光二极管D1在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
本发明AMOLED像素驱动电路第二实施例的电路图，如图8所示，包括：第一薄膜晶体管M1、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5、第六薄膜晶体管M6、第一电容C1、第二电容C2、及有机发光二极管D1。所述第六薄膜晶体管M6的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号Gate2(n)，源极电性连接于数据信号Data，漏极电性连接于第三薄膜晶体管M3的漏极及第一电容C1的一端；所述第三薄膜晶体管M3的栅极经由第一节点D电性连接于第四薄膜晶体管M4的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管M1的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管M6的漏极及第一电容C1的一端；所述第一薄膜晶体管M1的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号Gate1(n)，源极电性连接于第三薄膜晶体管M3的源极，漏极电性连接于第一节点D；所述第五薄膜晶体管M5的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)，源极电性连接于第一节点D；所述第四薄膜晶体管M4的栅极电性连接于第一节点D，源极电性连接于接地端GND，漏极电性连接于有机发光二极管D1的阴极；所述第一电容C1的一端电性连接于第六薄膜晶体管M6的漏极及第三薄膜晶体管M3的漏极，另一端电性连接于接地端GND；所述第二电容C2的一端电性连接于第一节点D，另一端电性连接于接地端GND；所述有机发光二极管D1的阳极电性连接于交流电源电压VDD，阴极电性连接于第四薄膜晶体管M4的漏极。
具体地，所述第一薄膜晶体管M1、第三薄膜晶体管M3、第四薄膜晶体管M4、第五薄膜晶体管M5、与第六薄膜晶体管M6均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。其中，所述第六薄膜晶体管M6为开关薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管M3为镜像薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管M4为驱动薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管M5为预充电薄膜晶体管。
特别需要说明的是：与第一实施例相比，该第二实施例不包括第二薄膜晶体管M2即发光控制薄膜晶体管与发光控制信号EM，而是采用交流电源电压VDD按照时序交替提供高、低电位，控制所述有机发光二极管D1是否发光，简化了电路结构。请同时参阅图8、图9、图10，在该第二实施例中，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)、第n级第一扫描控制信号Gate1(n)、第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)、及交流电源电压VDD相组合，先后对应于预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、复位阶段Restore、及驱动发光阶段Drive。所述交流电源电压VDD在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore均提供低电位，控制所述有机发光二极管D1不发光；在驱动发光阶段Drive提供高电位，控制所述有机发光二极管D1发光。
具体地，在所述预充电阶段Pre-charge，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为低电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为高电位；在所述数据写入阶段Program，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为高电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为高电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位；在所述复位阶段Restore，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为高电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位；在所述驱动发光阶段Drive，所述第n级第二扫描控制信号Gate2(n)为低电位，第n级第一扫描控制信号Gate1(n)为低电位，第n-1级第二扫描控制信号Gate2(n-1)为低电位。进一步地，在所述数据写入阶段Program，所述数据信号Data为高电位；在所述复位阶段Restore，所述数据信号Data为低电位。
上述第二实施例与现有技术相比，将直流电源电压改为交流电源电压，只有当所述交流电源电压VDD提供高电位时，才能产生电流驱动所述有机发光二极管D1发光。由于所述交流电源电压VDD在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore均提供低电位，有机发光二极管D1不发光；所述交流电源电压VDD在驱动发光阶段Drive提供高电位，有机发光二极管D1发光。如图10所示，在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore，没有电流通过所述有机发光二极管D1，有机发光二极管D1不发光；在驱动发光阶段Drive，有电流正常通过有机发光二极管D1，驱动有机发光二极管D1发光。如图11所示，与现有的AMOLED像素驱动电路相比，本发明第一实施例中通过有机发光二极管D1的驱动电流在预充电阶段Pre-charge、数据写入阶段Program、及复位阶段Restore明显减小，在驱动发光阶段Drive两者电流相等，成功地阻止了有机发光二极管D1在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
综上所述，本发明的AMOLED像素驱动电路，通过在有机发光二极管与直流电源电压之间加入由发光控制信号控制的薄膜晶体管的方式、或采用交流电源电压的方式来控制有机发光二极管是否发光，设置所述发光控制信号或交流电源电压仅在驱动发光阶段提供高电位，其余阶段均提供低电位，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，阻止OLED在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；
所述第六薄膜晶体管(M6)的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极及第一电容(C1)的一端；
所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极经由第一节点(D)电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管(M1)的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第一电容(C1)的一端；
所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))，源极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的源极，漏极电性连接于第一节点(D)；
所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))，源极电性连接于第一节点(D)；
所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极电性连接于发光控制信号(EM)，源极电性连接于直流电源电压(VDD)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；
所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极电性连接于第一节点(D)，源极电性连接于接地端(GND)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阴极；
所述第一电容(C1)的一端电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第三薄膜晶体管(M3)的漏极，另一端电性连接于接地端(GND)；
所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(D)，另一端电性连接于接地端(GND)；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第二薄膜晶体管(M2)的漏极，阴极电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的漏极；
所述直流电源电压(VDD)提供高电位；
所述发光控制信号(EM)按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管(D1)是否发光。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、与第六薄膜晶体管(M6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))、第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))、第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))、及发光控制信号(EM)相组合，先后对应于预充电阶段(Pre-charge)、数据写入阶段(Program)、复位阶段(Restore)、及驱动发光阶段(Drive)；
所述发光控制信号(EM)在预充电阶段(Pre-charge)、数据写入阶段(Program)、及复位阶段(Restore)均提供低电位，控制所述有机发光二极管(D1)不发光；在驱动发光阶段(Drive)提供高电位，控制所述有机发光二极管(D1)发光。
4.如权利要求3所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，
在所述预充电阶段(Pre-charge)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为低电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为高电位；
在所述数据写入阶段(Program)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为高电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为高电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位；
在所述复位阶段(Restore)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为高电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位；
在所述驱动发光阶段(Drive)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为低电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位。
5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在所述数据写入阶段(Program)，所述数据信号(Data)为高电位；在所述复位阶段(Restore)，所述数据信号(Data)为低电位。
6.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(M1)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；
所述第六薄膜晶体管(M6)的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极及第一电容(C1)的一端；
所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极经由第一节点(D)电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管(M1)的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第一电容(C1)的一端；
所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))，源极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的源极，漏极电性连接于第一节点(D)；
所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极与漏极均电性连接于第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))，源极电性连接于第一节点(D)；
所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极电性连接于第一节点(D)，源极电性连接于接地端(GND)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阴极；
所述第一电容(C1)的一端电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第三薄膜晶体管(M3)的漏极，另一端电性连接于接地端(GND)；
所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(D)，另一端电性连接于接地端(GND)；
所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于交流电源电压(VDD)，阴极电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的漏极；
所述交流电源电压(VDD)按照时序交替提供高、低电位，控制所述有机发光二极管(D1)是否发光。
7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(M1)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
8.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))、第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))、第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))、及交流电源电压(VDD)相组合，先后对应于预充电阶段(Pre-charge)、数据写入阶段(Program)、复位阶段(Restore)、及驱动发光阶段(Drive)；
所述交流电源电压(VDD)在预充电阶段(Pre-charge)、数据写入阶段(Program)、及复位阶段(Restore)均提供低电位，控制所述有机发光二极管(D1)不发光；在驱动发光阶段(Drive)提供高电位，控制所述有机发光二极管(D1)发光。
9.如权利要求8所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，
在所述预充电阶段(Pre-charge)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为低电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为高电位；
在所述数据写入阶段(Program)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为高电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为高电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位；
在所述复位阶段(Restore)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为高电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位；
在所述驱动发光阶段(Drive)，所述第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))为低电位，第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))为低电位，第n-1级第二扫描控制信号(Gate2(n-1))为低电位。
10.如权利要求9所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在所述数据写入阶段(Program)，所述数据信号(Data)为高电位；在所述复位阶段(Restore)，所述数据信号(Data)为低电位。
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