CN104570524A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：栅极线和数据线，数据线与栅极线交叉以在基板上限定像素区域；形成在像素区域中的TFT，TFT包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；第一保护层，第一保护层形成在TFT上并且构造为使得存在有穿过第一保护层的第一孔；第二保护层，第二保护层形成在第一保护层上并且构造为使得存在有穿过第二保护层的第二孔，其中第二孔的尺寸不同于第一孔的尺寸；像素电极，像素电极形成在第二保护层上并且至少部分地填充第一孔和第二孔，像素电极穿过第一孔和第二孔连接至漏电极。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年10月14日提交的韩国专利申请第10-2013-0121705号的权益，其通过引用合并到本文中。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地涉及包括感测用户的触摸的感测电极的显示装置。
背景技术
至今已经开发了各种显示装置，例如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示装置。
传统的显示设备通常包括鼠标或键盘作为输入装置。然而，在例如导航系统、便携式终端、电器等设备中通常使用使得用户能够用手指或笔直接输入信息的触摸屏。
在下文中，将详细描述LCD装置作为应用触摸屏的相关技术显示装置的实施例。
图1是相关技术LCD装置的示意性截面图。
如在图1中所看到的，相关技术LCD装置包括液晶面板10和触摸屏20。
液晶面板10显示图像，并且包括下基板12、上基板14和形成在基板12与基板14之间的液晶层16。
触摸屏20形成在液晶面板10的顶部上以感测用户的触摸，并且包括触摸基板22、形成在触摸基板22底部处的第一感测电极24和形成在触摸基板22的顶部处的第二感测电极26。
第一感测电极24在触摸基板22底部处沿着水平方向设置，第二感测电极26在触摸基板22的顶部处沿着竖直方向设置。因此，当用户触摸某一位置时，第一电极24与第二电极26之间的电容根据触摸位置而改变，因而，根据不同电容感测用户所触摸的位置。
然而，在液晶面板10顶部处单独提供的触摸屏20增加了装置的总厚度和制造成本。
发明内容
因此，本发明涉及提供基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的显示装置。
本发明提供了一种其中用于感测用户的触摸的感测电极内置到显示面板内而不需要在显示面板顶部提供单独的触摸屏的显示装置及其制造方法。因此，相对于现有技术，厚度和制造成本减小。
在下面的描述中将部分地阐述本发明的附加优点和特征，根据阅读本公开内容，本发明的附加优点和特征对于本领域的普通技术人员将是明显的。本发明的目的和其他优点可以通过在书面说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点，根据如在本文中所体现和广泛描述的本发明的目的，提供了一种显示装置，该显示装置包括：栅极线和数据线，数据线与栅极线交叉以在基板上限定像素区域；薄膜晶体管(TFT)，所述TFT形成在像素区域中并且包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；第一保护层，第一保护层形成在TFT上并且构造为使得存在有穿过第一保护层的第一孔；第二保护层，第二保护层形成在第一保护层上并且构造为使得存在有穿过第二保护层的第二孔，其中穿过第二保护层的第二孔在第一保护层和第二保护层彼此接触的平面处的尺寸不同于穿过第一保护层的第一孔在第一保护层和第二保护层彼此接触的平面处的尺寸；像素电极，像素电极形成在第二保护层上并且至少部分地填充第一孔和第二孔，像素电极穿过第一孔和第二孔连接至漏电极；形成在像素电极上的第三保护层；形成在第三保护层上的感测线；形成在感测线上的第四保护层；以及公共电极，公共电极形成在第四保护层上并且连接至感测线。
在本发明的另一实施方案中，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成栅电极和栅极焊盘；在栅电极和栅极焊盘上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源电极和漏电极；在栅极绝缘层上形成数据焊盘；在源电极、漏电极和数据焊盘上形成第一保护层，然后形成第二保护层，第二保护层构造为使得形成有穿过第二保护层的孔；在第一保护层的位于栅极焊盘和数据焊盘上方的部分上形成抗蚀刻层；穿过第二保护层中的孔蚀刻第一保护层的区域以完成穿过第一保护层和第二保护层的第一接触孔；去除抗蚀刻层；在第二保护层上形成像素电极，像素电极穿过第一接触孔连接至漏电极；在像素电极上形成第三保护层；在第三保护层上形成感测线；在感测线上形成第四保护层；以及在第四保护层上形成连接至感测线的公共电极。
在本发明的另一方面中，提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括：在基板上形成薄膜晶体管(TFT)，TFT包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；形成第一保护层，第一保护层构造为使得存在有穿过第一保护层的第一孔，第一孔使漏电极从第一保护层中露出；在形成第一保护层之后形成第二保护层，第二保护层构造为使得存在有穿过第二保护层的第二孔，第二孔使漏电极从第一保护层和第二保护层中露出，在第一保护层和第二保护层彼此接触的平面处第二孔的尺寸不同于第一孔的尺寸；在第二保护层上形成像素电极，像素电极穿过第一孔和第二孔连接至漏电极；在像素电极上形成第三保护层；在第三保护层上形成感测线；在感测线上形成第四保护层；以及在第四保护层上形成连接至感测线的公共电极。
应该理解，本发明的前述一般描述和后面具体的描述是示例性的和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了本发明的实施方案并且与本说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是相关技术LCD装置的示意性截面图；
图2是根据本发明的一个实施方案的显示装置的基板的示意性俯视图；
图3是根据本发明的另一实施方案的显示装置的下基板的示意性俯视图；
图4是根据本发明的一个实施方案的显示装置的截面图；
图5是根据本发明的另一实施方案的显示装置的截面图；
图6是根据本发明的又一实施方案的显示装置的截面图；
图7A至图7J是根据本发明的一个实施方案的显示装置的基板的示意性过程截面图；以及
图8A至图8I是根据本发明的另一实施方案的显示装置的基板的示例性过程截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方案，其实施例在附图中示出。贯穿附图，尽可能使用相同的附图标记指代相同或相似的部件。
在本文中使用表述“在...上”用于描述与另一元件直接接触的元件，或者用于描述设置在另一元件上方(在截面图中)的元件，其间具有一个或更多个中间元件。
本文中描述的修饰语“第一”和“第二”不指代元件的顺序而用于区分对应元件。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方案。
图2是根据本发明的一个实施方案的显示装置的基板的示意性俯视图。供参考，在图2中，箭头所示的放大图意图示出了其中感测线600电连接到公共电极700的像素区域。
如在图2中所看到的，根据本发明的一个实施方案的显示装置包括：基板100、栅极线200、数据线300、薄膜晶体管(TFT)T、像素电极500、感测线600、公共电极700、栅极驱动器1、数据驱动器2和触摸驱动器3。
基板100可以由玻璃或透明塑料制成。
栅极线200沿第一方向(例如，水平方向)设置在基板100上。在栅极线200的一端形成有栅极焊盘215，栅极焊盘215连接到栅极驱动器1。因此，从栅极驱动器1施加的栅极信号通过栅极焊盘215传输到栅极线200。
数据线300沿着不同于第一方向的第二方向(例如，竖直方向)设置在基板100上。因此，多个栅极线200和多个数据线300布置为彼此交叉，由此限定了多个像素区域。在数据线300的一端形成有数据焊盘315，数据焊盘315连接到数据驱动器2。因此，从数据驱动器2施加的数据信号通过数据焊盘315传输到数据线300。虽然数据线300示出为以直线布置，但是数据线300可以以弯曲线或者弯曲线图案和/或直线图案如Z字图案布置。
TFT T为开关元件，并且形成在多个像素区域中的每一个中。具体地，虽然未示出，但是TFT T包括连接到栅极线200的栅电极、用作电子通过其移动的沟道的半导体层、连接到数据线300的源电极和形成为面对源电极的漏电极。TFT T可以进行改变并且形成为本领域技术人员公知的各种类型，例如顶栅极结构和底栅极结构。
像素电极500形成在多个像素区域中的每一个像素区域中。像素电极500连接到TFT T的漏电极。
感测线600连接到公共电极700，并且将通过公共电极700感测到的用户触摸信号传输到触摸驱动器3。为了传输用户触摸信号，将多个感测线600成对地连接到多个公共电极700。即，多个感测线600以一对一的对应关系连接到多个公共电极700。
感测线600形成为覆盖数据线300以防止光透射率由于感测线600而降低。此外，感测线600包括突出到TFT T区域的接触部600a，并且通过接触部600a连接到公共电极700。TFT T区域为不能显示图像的区域并且其宽度宽于数据线300的宽度。形成从感测线600(覆盖数据线300)向TFT T区域突出的接触部600a，并且接触部600a连接到公共电极700。因而，可以实现感测线600与公共电极700之间的可靠连接而光透射率不会有任何降低。即，如在下述截面图中所看到的，感测线600通过接触孔连接到公共电极700，因而，为了感测线600与公共电极700之间的可靠连接，感测线600的宽度可以为某一范围或更大的范围。因此，接触部600a形成为具有比感测线600宽的宽度，因而感测线600可靠地连接到公共电极700。
公共电极700用作感测用户的触摸位置的感测电极。此外，在LCD装置中，公共电极700与像素电极500一起产生电场以驱动液晶。即，公共电极700可以与像素电极500一起产生边缘场。为此，在公共电极700处形成有多个狭缝710。因此，通过每个狭缝710在像素电极500与公共电极700之间产生边缘场，液晶的对准方向可以通过边缘场调整。即，可以实现具有边缘场开关模式的LCD装置。
此外，多个公共电极700在基板100上布置成彼此隔开一定距离使得公共电极700中的每个公共电极700用作感测用户的触摸位置的感测电极。公共电极700中的每个公共电极700形成为具有与一个或更多个像素区域对应的尺寸，具体地，考虑到用户的触摸区域，每个公共电极700形成为具有与多个像素区域对应的尺寸。
栅极驱动器1从外部时序控制器(未示出)接收栅极控制信号以通过栅极焊盘215向栅极线200提供栅极信号。栅极驱动器1可以具有带载封装(TCP)结构、膜上芯片(COF)结构、安装在基板100上的玻璃上芯片(COG)结构、或直接形成在基板100上的板内栅极(GIP)结构。
数据驱动器2从外部时序控制器(未示出)接收栅极控制信号以通过数据焊盘315向数据线300提供数据信号。数据驱动器2可以具有TCP结构、COF结构或安装在基板100上的COG结构。
触摸驱动器3连接到感测线600，并且从感测线600接收用户触摸信号。触摸驱动器3感测通过用户的触摸而引起的电容变化，以确定是否存在用户的触摸并且检测触摸位置。
图3是根据本发明的另一实施方案的显示装置的下基板的示意性俯视图。除了感测线600的不同结构之外，图3的显示装置与图2的上述显示装置相同。因此，贯穿附图，相同的附图标记指代相同的元件，并且省略了相同元件的重复描述。
如在图3中所看出的，根据本发明的另一实施方案，多个感测线600以一对一的对应关系连接到多个公共电极700。具体地，多个感测线600在显示图像的显示区域中以相同长度布置。
在根据图2的上述显示装置中，感测线600的一端连接到触摸驱动器3，并且感测线600的另一端连接到接触部600a。即，根据图2，感测线600仅延伸到连接到公共电极700的接触部600a，因而，连接到设置在第一行的公共电极700的感测线600的长度比连接到设置在第二行的公共电极700的感测线600的长度长。
另一方面，根据图3的显示装置，感测线600的一端连接到触摸驱动器3，并且感测线600的另一端延伸到设置在第一行的公共电极700的上端，因而，根据图3，在显示区域中，连接到设置在第一行的公共电极700的感测线600的长度等于连接到设置在第二行的公共电极700的感测线600的长度。
与其中多个感测线600形成为在显示区域中具有不同长度的图2的情况比较，当多个感测线600形成为如图3中的在显示区域中具有相同长度时，感测线600的图案一致性增加，因此增强了可视性。
在下文中，将通过利用横截面结构详细描述根据本发明的实施方案的显示装置。
图4是根据本发明的一个实施方案的显示装置的截面图，并且示出了图2的线A-A、线B-B和线C-C的截面表面。图2的线A-A示出了TFT区域，图2的线B-B示出了栅极焊盘区域，图2的线C-C示出了数据焊盘区域。
如在图4中所看出的，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在TFT区域中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。栅电极210可以形成为从上述栅极线200突出，栅极焊盘215连接到栅极线200的一端。
在栅电极210和栅极焊盘215上形成有栅极绝缘层220。栅极绝缘层220形成在除了第三接触孔CH3区域之外的整个基板100上方。
在栅极绝缘层220上形成有半导体层230和栅极焊盘315。半导体层230形成在TFT区域中，并且可以由硅基半导体材料或氧化物半导体材料形成。数据焊盘315形成在数据焊盘区域中，并且连接到上述数据线300的一端。
在半导体层230上图案化出源电极310和漏电极320。源电极310和漏电极320形成在TFT区域中。源电极310连接到数据线300，漏电极320面对源电极310并与源电极310隔开。
在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一保护层410。第一保护层410形成在除了第一接触孔CH1区域、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4区域之外的整个基板100上方。第一保护层410可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第一保护层410上形成有第二保护层420。虽然第二保护层420形成在TFT区域中，但是在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中可以省略(即，不形成)第二保护层420。第二保护层420可以由有机绝缘材料如包含光敏化合物(PAC)的丙烯酸树脂形成。第二保护层420可以形成为比第一保护层410的厚度更大的厚度以使基板100平坦化。
在第二保护层420上图案化出像素电极500。像素电极500形成在TFT区域中。像素电极500穿过第一接触孔CH1连接到漏电极320。第一接触孔CH1由分别形成在第一保护层410和第二保护层420中的孔的组合形成。
在像素电极500上形成第三保护层430。第三保护层430形成在除第三接触孔CH3区域和第四接触孔CH4的区域之外整个基板100上方。第三保护层430可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第三保护层430上图案化出包括接触部600a的感测线600。感测线600形成在TFT区域中。
在感测线600上形成有第四保护层440。第四保护层440形成在除了第二接触孔CH2区域、第三接触孔CH3区域和第四接触孔CH4区域之外的整个基板100上方。第四保护层440可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅形成。
在第四保护层440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在TFT区域中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区域中，并且数据焊盘电极760形成在数据焊盘区域中。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760由相同的材料并且通过同一工艺在同一层上形成。
图案化公共电极700以使其中包括多个狭缝710。公共电极700通过包括在第四保护层440中的第二接触孔CH2连接到感测线600的接触部600a。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘层220、第一保护层410、第三保护层430和第四保护层440中的孔的组合所形成的第三接触孔CH3连接到栅极焊盘215。
数据焊盘电极760通过由分别形成在第一保护层410、第三保护层430和第四保护层440中的孔的组合所形成的第四接触孔CH4连接到数据焊盘315。
图5是根据本发明的另一实施方案的显示装置的截面图，图6是根据本发明的又一实施方案的显示装置的截面图。图5和图6示出了在图4的显示装置中第一接触孔CH1的结构可以进行各种改变。
根据图4，第一接触孔CH1由分别形成在第一保护层410和第二保护层420中的孔的组合形成。在图4的实施方案中，在第一保护层410接触第二保护层420的平面处，穿过第一保护层和第二保护层的孔的尺寸(例如，宽度或直径)相同。此外，第一接触孔CH1的内表面从上端到下端基本上形成为直线，因而，第一接触孔CH1具有基本圆柱的结构或基本圆锥结构。
另一方面，根据图5和图6，第一保护层410和第二保护层420构造为使得当在第一保护层410接触第二保护层420的平面处测量时穿过第一保护层410的孔H1的尺寸不同于穿过第二保护层420的孔H2的尺寸。
具体地，根据图5，在第一保护层410接触第二保护层420的平面处，在第一保护层410处形成的孔H1的尺寸小于在第二保护层420处形成的孔H2的尺寸。因此，第一接触孔CH1的内表面从上端到下端形成为弯曲线。在这种情况下，像素电极500接触第二保护层420的侧面以及第一保护层410的顶部和侧面。
根据图6，在第一保护层410接触第二保护层420的平面处，在第一保护层410处形成的孔H1的尺寸大于在第二保护层420处形成的孔H2的尺寸。因此，构成第一接触孔CH1的内表面从上端到下端形成为直线。在这种情况下，像素电极500接触第二保护层420的侧面，而不接触第一保护层410。
图5和图6的结构可以通过根据图8A至图8I的下述方法获得。
图7A至图7J是根据本发明的一个实施方案的显示装置的基板的示意性过程截面图，并且涉及制造图4的显示装置的基板的过程。
首先，如在图7A中所看出的，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在TFT区域中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。
可以通过溅射工艺在基板100上沉积薄层，然后可以通过一系列掩模工艺如光致抗蚀剂涂覆工艺、曝光工艺、显影工艺、蚀刻工艺和剥离工艺来图案化出栅电极210和栅极焊盘215。在下文中，可以通过利用薄层沉积工艺和一系列掩模工艺来进行形成下述元件的图案的过程。
接下来，如在图7B中所看出的，在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘层220，并且在栅极绝缘层220上图案化出半导体层230。栅极绝缘层220通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法形成在整个基板100上方，并且半导体层230形成在TFT区域中。
接下来，如在图7C中所看出的，在半导体层230上图案化出漏电极320和连接到数据线300的源电极310，并且在栅极绝缘层220上图案化出数据焊盘315。
源电极310和漏电极320形成在TFT区域中，并且数据焊盘315形成在数据焊盘区域中。
接下来，如在图7D中所看出的，在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一保护层410。在第一保护层410上图案化出第二保护层420。
第一保护层410通过PECVD工艺形成在整个基板100上方。
第二保护层420形成在TFT区域中。更具体地，在整个基板100上方涂覆包含光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料，然后通过曝光工艺和显影工艺图案化出第二保护层420。第二保护层420图案化为包括构成第一接触孔CH1的孔。
接下来，如在图7E中所看出的，在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中的第一保护层410上图案化出抗蚀刻层800。抗蚀刻层800防止栅极焊盘区域和数据焊盘区域在下述过程(图7F的过程)中对第一保护层410进行蚀刻以形成第一接触孔CH1时被蚀刻。在整个基板100上方涂覆包含光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料，然后，通过曝光工艺和显影工艺图案化出抗蚀刻层800。
接下来，如在图7F中所看出的，通过蚀刻与第一接触孔CH1区域对应的第一保护层410区域(即，通过包括在第二保护层420中的孔露出的第一保护层410区域)来完成第一接触孔CH1，以及去除抗蚀刻层800。
通过第一接触孔CH1将漏电极320暴露在外。
接下来，如在图7G中所看出的，在第二保护层420上图案化出像素电极500。像素电极500在TFT区域中图案化为穿过第一接触孔CH1被连接到漏电极320。
接下来，如在图7H中所看出的，在像素电极500上形成第三保护层430，并且在第三保护层430上图案化出包括接触部600a的感测线600。
第三保护层430通过PECVD工艺形成在整个基板100上方，并且感测线600被图案化在TFT区域中。
接下来，如在图7I中所看出的，在感测线600上形成第四保护层440然后，形成第二接触孔CH2至第四接触孔CH4。
第四保护层440通过PECVD工艺形成在整个基板100上方。
第二接触孔CH2通过蚀刻第四保护层440的预定区域而形成，并且感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露在外。
第三接触孔CH3通过蚀刻栅极绝缘层220、第一保护层410、第三保护层430、第四保护层440和栅极焊盘215中的每一个的预定区域而形成，并且栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露在外。
第四接触孔CH4通过蚀刻第一保护层410、第三保护层430和第四保护层440中的每一个的预定区域而形成，数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露在外。
接下来，如在图7J中所看出的，在第四保护层440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
在TFT区域中公共电极700图案化为使其中包括多个狭缝710。具体地，公共电极700图案化为穿过第二接触孔CH2连接到感测线600的接触部600a。
在栅极焊盘区域中栅极焊盘电极750图案化为穿过第三接触孔CH3连接到栅极焊盘215。
在数据焊盘区域中数据焊盘电极760图案化为穿过第四接触孔CH4连接到数据焊盘315。
根据上述图7A至图7J的方法，当在图7E的上述过程中形成抗蚀刻层800时，形成抗蚀刻层800的有机绝缘材料可以保留在第一接触孔CH1区域中。即，在整个基板100上方涂覆有机绝缘材料，然后通过曝光工艺和显影工艺图案化出抗蚀刻层800使得有机绝缘材料仅保留在栅极焊盘区域和数据焊盘区域中。在这种情况下，在第一接触孔CH1中的有机绝缘材料可以保留而不通过显影工艺去除。如上所述，当在第一接触孔CH1中的有机绝缘材料保留时，与第一接触孔CH1区域对应的第一保护层410不会在图7F的过程中被蚀刻，因此，不会形成第一接触孔CH1。
图8A至图8I的下述方法涉及可靠形成第一接触孔CH1的方法。
图8A至图8I是根据本发明的另一实施方案的显示装置的基板的示意性过程截面图，并且涉及制造图5和图6的显示装置的基板的过程。
首先，如在图8A中所看出的，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在TFT区域中，栅极焊盘215形成在栅极焊盘区域中。
接下来，如在图8B中所看出的，在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘层220，并且在栅极绝缘层220上图案化出半导体层230。栅极绝缘层220形成在整个基板100上方，半导体层230形成在TFT区域中。
接下来，如在图8C中所看出的，在半导体层230上图案化出漏电极320和连接到数据线300的源电极310，并且在栅极绝缘层220上图案化出数据焊盘315。
源电极310和漏电极320形成在TFT区域中，并且数据焊盘315形成在数据焊盘区域中。
接下来，如在图8D中所看出的，在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上图案化出第一保护层410。
第一保护层410图案化为包括构成第一接触孔CH1的孔，并且形成在除了构成第一接触孔CH1的孔H1之外的整个基板100上方。漏电极320通过包括在第一保护层410中的孔H1暴露在外。
通过以下步骤使第一保护层410图案化为包括孔H1：在整个基板100上方形成第一保护层410；在第一保护层410上形成光致抗蚀剂层；利用掩模使光致抗蚀剂层暴露于光；对光致抗蚀剂层进行显影以使其在孔H1对应的区域中具有开口；利用具有开口的光致抗蚀剂层作为掩模蚀刻第一保护层410；以及剥离光致抗蚀剂层。即，通过光刻方法使第一保护层410图案化为包括孔H1。因此，在形成孔H1时通过形成在栅极焊盘215和数据焊盘315上的第一保护层410来保护栅极焊盘215和数据焊盘315。
接下来，如在图8E中所看出的，在第一保护层410上图案化出第二保护层420。
在TFT区域中第二保护层420图案化为包括构成第一接触孔CH1的孔H2。
在此，具有图4至图6的结构的第一接触孔CH1可以通过对第一保护层410的孔H1和第二保护层420的孔H2的相对尺寸进行各种改变来获得。例如，在一个实施方案中，第一保护层410的孔H1被蚀刻使得孔H1具有与穿过第二保护层420的孔不同的宽度(例如，更宽或更窄)。
接下来，如在图8F中所看出的，在第二保护层420上图案化出像素电极500。在TFT区域中像素电极500图案化为穿过第一接触孔CH1连接到漏电极320。
接下来，如在图8G中所看出的，在像素电极500上形成第三保护层430，并且在第三保护层430上图案化出设置有接触部600a的感测线600。
第三保护层430通过PECVD工艺形成在整个基板100上方，并且在TFT区域中图案化出感测线600。
接下来，如在图8H中所看出的，在感测线600上形成第四保护层440，然后，形成第二接触孔CH2至第四接触孔CH4。
第二接触孔CH2通过蚀刻第四保护层440的预定区域而形成，并且感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露在外。
第三接触孔CH3通过蚀刻栅极绝缘层220、第一保护层410、第三保护层430和第四保护层440中的每一个的预定区域而形成，栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露在外。
第四接触孔CH4通过蚀刻第一保护层410、第三保护层430和第四保护层440中的每一个的预定区域而形成，数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露在外。
接下来，如在图8I中所看出的，在第四保护层440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
在TFT区域中图案化出公共电极700以使其中包括多个狭缝710。具体地，公共电极700图案化为穿过第二接触孔CH2连接到感测线600的接触部600a。
在栅极焊盘区域中栅极焊盘电极750图案化为穿过第三接触孔CH3连接到栅极焊盘215。
在数据焊盘区域中数据焊盘电极760图案化为穿过第四接触孔CH4连接到数据焊盘315。
根据图8A至图8I，在形成将像素电极500连接至漏电极320的第一接触孔CH1时，首先，第一保护层410图案化为包括第一孔H1，然后，通过图案化第二保护层420以包括第二孔H2，可以在不形成单独抗蚀刻层的情况下形成具有可靠性的第一接触孔CH1。
在上文中，已经描述了一种构成显示装置的基板及其制造方法。然而，本发明包括适于上述基板及其制造方法的各种显示装置(例如，LCD装置、PDP和有机发光显示装置)，以及制造显示装置的方法。
如上所述，由于使用公共电极作为用于感测用户触摸的感测电极，所以与相关技术不同在显示面板顶部未提供单独的触摸屏。因此，厚度减小，制造工艺简化，并且制造成本降低。
对于本领域技术人员明显的是，可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明中进行各种修改方案和变化方案。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同内容的范围内的本发明所提供的修改和变化。

Claims (11)

1.一种显示装置，包括：
栅极线和数据线，所述数据线与所述栅极线交叉以在基板上限定像素区域；
薄膜晶体管(TFT)，所述TFT形成在所述像素区域中并且包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；
第一保护层，所述第一保护层形成在所述TFT上，所述第一保护层构造为使得存在有穿过所述第一保护层的第一孔；
第二保护层，所述第二保护层形成在所述第一保护层上，并且构造为使得存在有穿过所述第二保护层的第二孔，其中穿过所述第二保护层的所述第二孔在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的平面处的尺寸不同于穿过所述第一保护层的所述第一孔在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处的尺寸；
像素电极，所述像素电极形成在所述第二保护层上并且至少部分地填充所述第一孔和所述第二孔，所述像素电极穿过所述第一孔和所述第二孔连接至所述漏电极；
形成在所述像素电极上的第三保护层；
形成在所述第三保护层上的感测线；
形成在所述感测线上的第四保护层；以及
公共电极，所述公共电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述感测线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处，所述第一孔的尺寸小于所述第二孔的尺寸，并且其中所述像素电极接触所述第二保护层的侧面以及所述第一保护层的顶部和侧面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处，所述第一孔的尺寸大于所述第二孔的尺寸，并且其中所述像素电极接触所述第二保护层的侧面而不接触所述第一保护层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述感测线包括形成在所述TFT上方的接触部，并且其中所述感测线的所述接触部连接至所述公共电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个附加感测线；和
多个附加公共电极，
其中所述多个附加感测线按照一对一的对应关系连接至所述多个附加公共电极。
6.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
连接至所述栅极线的一端的栅极焊盘；
连接到所述数据线的一端的数据焊盘；
栅极焊盘电极，所述栅极焊盘电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述栅极焊盘；以及
数据焊盘电极，所述数据焊盘电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述数据焊盘，
其中所述栅极焊盘电极和所述数据焊盘电极由与所述公共电极相同的材料形成。
7.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成栅电极和栅极焊盘；
在所述栅电极和所述栅极焊盘上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源电极和漏电极；
在所述栅极绝缘层上形成数据焊盘；
在所述源电极、所述漏电极和所述数据焊盘上形成第一保护层，然后形成第二保护层，所述第二保护层构造为使得形成有穿过所述第二保护层的孔；
在所述第一保护层的位于所述栅极焊盘和所述数据焊盘上方的部分上形成抗蚀刻层；
穿过所述第二保护层中的所述孔蚀刻所述第一保护层的区域以完成穿过所述第一保护层和所述第二保护层的第一接触孔；
去除所述抗蚀刻层；
在所述第二保护层上形成像素电极，所述像素电极穿过所述第一接触孔连接至所述漏电极；
在所述像素电极上形成第三保护层；
在所述第三保护层上形成感测线；
在所述感测线上形成第四保护层；以及
在所述第四保护层上形成连接至所述感测线的公共电极。
8.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基板上形成薄膜晶体管(TFT)，所述TFT包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；
形成第一保护层，所述第一保护层构造为使得存在有穿过所述第一保护层的第一孔，所述第一孔使所述漏电极从所述第一保护层中露出；
在形成所述第一保护层之后形成第二保护层，所述第二保护层构造为使得存在有穿过所述第二保护层的第二孔，所述第二孔使所述漏电极从所述第一保护层和所述第二保护层中露出，在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的平面处，所述第二孔的尺寸不同于所述第一孔的尺寸；
在所述第二保护层上形成像素电极，所述像素电极穿过所述第一孔和所述第二孔连接至所述漏电极；
在所述像素电极上形成第三保护层；
在所述第三保护层上形成感测线；
在所述感测线上形成第四保护层；以及
在所述第四保护层上形成连接至所述感测线的公共电极。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：形成栅极焊盘和数据焊盘，在形成所述第一孔时通过在所述栅极焊盘和所述数据焊盘上的所述第一保护层保护所述栅极焊盘和所述数据焊盘。
10.根据权利要求8所述的方法，
其中形成所述第二保护层包括形成所述第二保护层以使得其具有以下结构：所述结构使得在所述第一保护层与所述第二保护层接触的平面处所述第二孔比所述第一孔的宽度大，并且
其中形成所述像素电极包括形成所述像素电极以接触所述第二保护层的侧面以及所述第一保护层的顶部和侧面。
11.根据权利要求8所述的方法，
其中形成所述第二保护层包括形成所述第二保护层以使得其具有以下结构：所述结构使得在所述第一保护层与所述第二保护层接触的平面处所述第二孔比所述第一孔的宽度小，并且
其中形成所述像素电极包括形成所述像素电极以接触所述第二保护层的侧面而不接触所述第一保护层。
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