CN104516140A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104516140A
CN104516140A CN201410393705.4A CN201410393705A CN104516140A CN 104516140 A CN104516140 A CN 104516140A CN 201410393705 A CN201410393705 A CN 201410393705A CN 104516140 A CN104516140 A CN 104516140A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
passivating film
data pads
pattern
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410393705.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104516140B (zh
Inventor
朴锺贤
洪玄硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN104516140A publication Critical patent/CN104516140A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104516140B publication Critical patent/CN104516140B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/35—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置及其制造方法，其中用于感测用户的触摸的感测电极内置在显示面板中，因此与相关技术不同在显示面板的上表面上不需要单独的触摸屏，因而厚度和制造成本降低。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年9月27日提交的韩国专利申请第10-2013-0115404号的权益，其通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及显示装置，更具体地，涉及一种设置有用于感测用户的触摸的感测电极的显示装置。
背景技术
已开发了各种显示装置例如液晶显示装置、等离子体显示面板和有机发光显示装置。
传统的显示装置通常包括鼠标和键盘作为输入工具。然而，在如导航系统、便携式终端和家用电器的设备中通常使用使得用户能够通过使用他/她的手指或笔来直接输入信息的触摸屏。
下文中，将详细描述一种应用触摸屏的液晶显示装置例如相关技术的显示装置。
图1是示出相关技术的液晶显示装置的简化横截面图。
如图1所示，相关技术的液晶显示装置包括液晶面板10和触摸屏20。
液晶面板10显示图像，并且包括下基板12、上基板14、以及形成在这些基板12与14之间的液晶层16。
触摸屏20形成在液晶面板10的上表面上以感测用户的触摸，并且包括触摸基板22、形成在触摸基板22的下表面上的第一感测电极24、以及形成在触摸基板22的上表面上的第二感测电极26。
第一感测电极24沿水平方向布置在触摸基板22的下表面上，第二感测电极26沿竖直方向布置在触摸基板22的上表面上。因此，如果用户触摸预定位置，则第一感测电极24与第二感测电极26之间的电容根据触摸的位置而变化。因此，电容变化的位置被感测，由此可以感测用户的触摸位置。
然而，由于上述相关技术的液晶显示装置具有其中触摸屏20单独形成在液晶面板10的上表面上的结构，所以显示装置的总厚度由于触摸屏20而增加并且制造成本也增加。
发明内容
因此，本发明涉及一种显示装置及其制造方法，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一种或更多种问题。
本发明的一个优点是提供了一种显示装置及其制造方法，其中用于感测用户的触摸的感测电极内置到显示面板内，由此在显示面板的上表面上不需要单独的触摸屏。因此，相对于相关技术减小了厚度和制造成本。
本发明的附加优点和特征将在下面的描述中阐述并且在本领域技术人员阅读本公开时将是明显的。本发明的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点并且根据如本文中所体现和广泛描述的本发明的目的，根据本发明一个实施方案的一种显示装置包括：形成在像素区中的薄膜晶体管，像素区包括栅极线和与栅极线交叉的数据线，薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；在数据焊盘区中的与数据线的一端连接的数据焊盘；形成在薄膜晶体管和数据焊盘上的第一钝化膜；第二钝化膜，所述第二钝化膜形成在位于薄膜晶体管上方和数据焊盘上方的第一钝化膜上，并且第一钝化膜和第二钝化膜构造为使得存在穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔和第二孔；像素电极，所述像素电极形成在第二钝化膜上并且至少部分地填充穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔，像素电极经由穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔连接漏电极；第一连接电极，所述第一连接电极形成在第二钝化膜上并且经由第二孔与数据焊盘连接；第二连接电极，所述第二连接电极形成在第一连接电极上并且与第一连接电极连接；形成在第二钝化膜上方的感测线；与感测线连接的公共电极；以及数据焊盘电极，所述数据焊盘电极由与公共电极相同的材料形成并且通过第一连接电极和第二连接电极连接数据焊盘。
在本发明的另一实施方案中，一种制造显示装置的方法包括以下步骤：在基板的具有栅电极和栅极绝缘膜的表面上依次形成用于形成半导体层的第一材料层和源/漏电极层；同时对第一材料层和源/漏电极层进行图案化以在薄膜晶体管区中形成第一图案并且在数据焊盘区中形成第二图案，第一图案包括半导体层的第一部分和源/漏电极层的第一部分，并且第二图案包括半导体层的第二部分和由源/漏电极层的第二部分形成的数据焊盘；依次形成第一钝化膜和第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜构造为使得存在穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔，通过第一孔露出源/漏电极层的第一部分的至少一部分，并且使得存在穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第二孔，通过第二孔露出数据焊盘的至少一部分；在第二钝化膜上依次形成第二材料层和第三材料层；通过使用半色调掩模的图案化工艺对第二材料层和第三材料层进行图案化来形成感测线图案、像素电极图案和与数据焊盘连接的连接电极图案；在感测线图案、像素电极图案和连接电极图案上形成第三钝化膜；以及在第三钝化膜上形成与感测线连接的公共电极和与连接电极连接的数据焊盘电极。
在本发明的第三实施方案中，一种显示装置包括：形成在像素区中的薄膜晶体管，像素区包括栅极线和与栅极线交叉的数据线，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；在数据焊盘区中的与数据线的一端连接的数据焊盘；形成在薄膜晶体管和数据焊盘上的第一钝化膜；形成在第一钝化膜上的第二钝化膜，第二钝化膜具有在数据焊盘区中的第一部分和在像素区中的第二部分，第二部分的厚度大于第一部分的厚度；像素电极，所述像素电极形成在第二钝化膜上并且经由穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔连接漏电极；一个或更多个连接电极，所述一个或更多个连接电极形成在第二钝化膜上并且经由穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第二孔连接数据焊盘；以及通过第一连接电极和第二连接电极连接数据焊盘的数据焊盘电极。
应该理解，对本发明的前述一般描述和下面详细描述两者均是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
附图示出了本发明的实施方案并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出相关技术的液晶显示装置的简化横截面图；
图2是示出根据本发明一个实施方案的显示装置的基板的简化俯视图；
图3是示出根据本发明另一实施方案的液晶显示装置的下基板的简化俯视图；
图4是示出根据本发明第一实施方案的显示装置的横截面图；
图5a至图5i是示出用于根据本发明第一实施方案的显示装置的基板的制造方法步骤的简化横截面图；
图6a至图6c是示出在根据本发明第一实施方案的显示装置中出现底切(under cut)的横截面图；
图7是示出根据本发明第二实施方案的显示装置的横截面图；
图8a至图8j是示出用于根据本发明第二实施方案的显示装置的基板的制造方法步骤的简化横截面图；
图9是示出保留在根据本发明第二实施方案的显示装置中的有机绝缘材料的横截面图；
图10a是示出根据本发明的第三实施方案的具有第一数据焊盘结构的显示装置的横截面图；
图10b是示出根据本发明的第三实施方案的具有第二数据焊盘结构的显示装置的横截面图；以及
图11a至图11g是示出用于根据本发明第三实施方案的显示装置的基板的制造方法步骤的简化横截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的示例性实施方案，其实例在附图中示出。在整个附图中尽可能使用相同的附图标记来指代相同的或类似的部件。
术语“上”在本文中用来描述一个元件与另一元件直接接触，或者描述一个元件(在横截面图中)位于另一元件上方在其间具有一个或更多个中间元件。
本说明书中公开的术语如“第一”和“第二”不是指对应元件的顺序而是旨在彼此识别相应的元件。
下文中，将参照附图来描述本发明的实施方案。
图2是示出根据本发明一个实施方案的显示装置的基板的简化俯视图。供参考，图2中箭头所示的放大图意图示出感测线600与公共电极700彼此电连接的像素区。
如图2所示，根据本发明一个实施方案的显示装置包括：基板100、栅极线200、数据线300、薄膜晶体管T、像素电极500、感测线600、公共电极700、驱动集成电路1、板内栅极(GIP)2和触摸驱动器3。板内栅极2包括与面板集成的栅极驱动电路。
基板100可以由玻璃或透明塑料制成。
栅极线200沿第一方向(例如，水平方向)布置在基板100上。栅极线200的一端与板内栅极2连接，并且板内栅极2通过栅极焊盘215与驱动集成电路1连接。因此，从驱动集成电路1施加的栅极信号通过栅极焊盘215和板内栅极2传输到栅极线200。
数据线300沿与第一方向不同的第二方向(例如，竖直方向)布置在基板100上。以这种方式，栅极线200和数据线300布置为彼此交叉，由此限定了多个像素区。数据线300的一端通过数据焊盘315与驱动集成电路1连接。因此，从驱动集成电路1施加的数据信号通过数据焊盘315传输到数据线300。虽然数据线300以所示的直线方式布置，但是数据线300可以以曲线或曲线图案和域直线图案如锯齿形的方式布置。
薄膜晶体管T是开关元件，并且形成在多个像素区的每一个中。虽然没有详细示出，但是薄膜晶体管包括与栅极线200连接的栅电极、用作电子移动的沟道的半导体层、与数据线300连接的源电极、以及形成为面对源电极的漏电极。该薄膜晶体管T可以形成为现有技术已知的各种形状，例如顶栅极结构和底栅极结构。
在多个像素区的每一个中图案化出像素电极500。该像素电极500与薄膜晶体管T的漏电极连接。
因为感测线600与公共电极700连接，所以感测线600用于将通过公共电极700感测的用户的触摸信号传输到触摸驱动器3。为了传输用户的触摸信号，多条感测线600与多个公共电极700成对连接。换言之，多条感测线600的每一条与多个公共电极700的每一个以一对一的构造连接。
为了防止由于感测线600而导致光透射降低，感测线600形成在数据线300上方。
在一个实施方案中，感测线600包括朝薄膜晶体管T区延伸的接触部600a，因此感测线600可以通过接触部600a与公共电极700连接。薄膜晶体管T区域是不显示图像的区域，并且比数据线300宽。因此，如果接触部600a形成为在薄膜晶体管T区域处与公共电极700连接，则可以在感测线600与公共电极700之间进行更可靠的连接而不会减少光透射。换言之，由于感测线600和公共电极700通过预定接触孔彼此连接，所以为了它们之间可靠的连接，感测线600的宽度优选为预定的范围或更大的范围。相应地，接触部600a形成为具有比数据线300的宽度大的宽度，由此感测线600和公共电极700可以更可靠地彼此连接。
在其他实施方案中，感测线600不包括接触部600a，并且感测线600的至少一部分可以与公共电极700电连接。
为便于说明，在其中感测线600包括接触部600a并且通过接触部600a与公共电极700电连接的器件的情况下对下面的实施方案进行说明。
公共电极700用作感测用户的触摸位置的感测电极。另外，在液晶显示装置的情况下，公共电极700用于通过与像素电极500一起形成电场来驱动液晶。即，公共电极700可以与像素电极500一起形成边缘场。为此，公共电极700设置有多个狭缝710。因此，通过狭缝710在像素电极500与公共电极700之间形成边缘场，并且可以通过边缘场来调整液晶的对准方向。换言之，可以获得边缘场切换模式的液晶显示装置。
另外，为了公共电极700用作用于感测用户的触摸位置的感测电极，多个公共电极700在基板100上彼此间隔开预定的距离。多个公共电极700的每一个形成为与一个或更多个像素区对应的尺寸，特别是考虑到用户的触摸区的多个像素区对应的尺寸。
在驱动集成电路1接收来自时序控制器(未示出)的栅极控制信号之后，驱动集成电路1通过栅极焊盘215和板内栅极2将栅极信号施加到栅极线200。
另外，在驱动集成电路1接收来自时序控制器(未示出)的数据控制信号之后，驱动集成电路1通过数据焊盘315将数据信号施加到数据线300。
板内栅极2将从驱动集成电路1传输的栅极信号施加到栅极线200，并且可以通过与每个像素的晶体管的制造过程一起的方法形成在基板100的左侧和/或右侧的非显示区中。
由于触摸驱动器3与感测线600连接，所以触摸驱动器3从感测线600接收用户的触摸信号。触摸驱动器3检测用户是否进行触摸并且通过感测因用户的触摸而变化的电容变化来检测用户的触摸位置。
图3是示出根据本发明另一实施方案的液晶显示装置的下基板的简化俯视图。图3的液晶显示装置除感测线600之外与图2的显示装置相同。因此，在整个附图中将使用相同的附图标记指代相同的部件，并且将省略相同部件的重复描述。
如图3所示，根据本发明另一实施方案，多条感测线600和多个公共电极700以一对一的构造连接。具体地，多条感测线600以彼此相同的长度布置在显示图像的显示区上。
根据上述图2的显示装置，感测线600的一端通过驱动集成电路1延伸到触摸驱动器3并且感测线600的另一端与接触部600a连接。即，根据图2，感测线600延伸到与公共电极700连接的接触部600a，因此与布置在第一列中的公共电极700连接的感测线600的长度长于与布置在第二列中的公共电极700连接的感测线600的长度。
相反，根据图3的显示装置，感测线600的一端通过驱动集成电路1与触摸驱动器3连接，并且感测线600的另一端延伸到布置在第一列中的公共电极700的顶端。因此，在图3中，在显示区中形成与布置在第一列中的公共电极700连接的感测线600以具有与布置在第二列中的公共电极700连接的感测线600相同的长度。
如果多条感测线600以如图3所示的彼此相同的长度在显示区中形成，则感测线600的图案均匀性优于在显示区中以如图2所示的彼此不同的长度形成多条感测线600的情况，由此可以改进可视性。
下文中，将通过截面结构更加详细地描述根据本发明实施方案的显示装置。
第一实施方案
图4是示出根据本发明第一实施方案的显示装置的横截面图，并且示出了图2的线A-A、B-B和C-C的横截面。图2的线A-A示出了薄膜晶体管区，图2的线B-B示出了栅极焊盘区，图2的线C-C示出了数据焊盘区。
如图4所示，在基板100上形成有栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。栅电极210可以从上述栅极线200延伸，并且栅极焊盘215通过板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅电极210和栅极焊盘215上形成有栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化出半导体层230和数据焊盘315。半导体层230形成在薄膜晶体管区中，并且可以由硅基半导体材料或氧化物半导体材料制成。数据焊盘315形成在数据焊盘区中，并且与上述数据线300的一端连接。
在半导体层230上图案化出源电极310和漏电极320。源电极310和漏电极320形成在薄膜晶体管区中。源电极310与数据线300连接，并且漏电极320与源电极间隔开同时面对源电极310。
在数据线300、源电极310和漏电极320上形成第一钝化膜410。第一钝化膜410形成在薄膜晶体管区中除第一接触孔CH1区域之外的区域处，并且从栅极焊盘区和数据焊盘区省略(即，没有形成)，其中栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中并且数据焊盘315形成在数据焊盘区中。第一钝化膜410可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第一钝化膜410上形成第二钝化膜420。虽然第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区中，但是第二钝化膜420可以不形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中。第二钝化膜420可以由包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料如丙烯酸树脂制成。PAC是一种光敏类型的材料。第二钝化膜420可以形成为比第一钝化膜410的厚度更大的厚度并且可以用于平坦化基板。
第一钝化膜410和第二钝化膜420构造为使得存在穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的第一接触孔CH1，使得从第一钝化膜410和第二钝化膜420至少部分地露出漏电极。
在第二钝化膜420上图案化出像素电极500，并且像素电极500至少部分地填充穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一接触孔CH1孔。像素电极500形成在薄膜晶体管区中。像素电极500穿过第一接触孔CH1与漏电极320连接。第一接触孔CH1由分别形成在第一钝化膜410和第二钝化膜420中的孔的组合制成。
在像素电极500上形成第三钝化膜430。第三钝化膜430形成在基板的除第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第三钝化膜430可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第三钝化膜430上图案化出设置有接触部600a的感测线600。感测线600形成在薄膜晶体管区中。
在感测线600上形成第四钝化膜440。第四钝化膜440形成在基板的除第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区中，并且数据焊盘电极760形成在数据焊盘区中。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760通过使用一种材料通过同一工艺在一个层上形成。
公共电极700图案化为其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合所形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过由分别形成在第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合所形成的第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
图5a至图5i是示出用于根据本发明第一实施方案的显示装置的基板的制造方法步骤的简化横截面图，并且涉及制造图4中所示的显示装置的基板的方法。
如图5a所示，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。
在通过溅射法在基板100上沉积薄膜层之后可以通过一系列掩模工艺如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离来图案化出栅电极210和栅极焊盘215。也可以通过沉积薄膜层和一系列掩模工艺来进行将在下文中描述的形成元件的图案的工艺。
接下来，如图5b所示，在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，并且在栅极绝缘膜220上图案化出半导体层230。栅极绝缘膜220通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法形成在基板的整个表面上，并且半导体层230形成在薄膜晶体管区中。
接下来，如图5c所示，在半导体层230上图案化出漏电极320和与数据线300连接的源电极310并且在栅极绝缘膜220上图案化出数据焊盘315。
源电极310和漏电极320形成在薄膜晶体管区中，并且数据焊盘315形成在数据焊盘区中。
接下来，如图5d所示，在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一钝化膜410。在第一钝化膜410上图案化出第二钝化膜420。
第一钝化膜410通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区中。更详细地，在基板的整个表面上沉积包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料之后通过曝光和显影工艺图案化出第二钝化膜420。第二钝化膜420图案化为具有构成第一接触孔CH1的孔。
接下来，如图5e所示，为了使漏电极320暴露在外，对与第一接触孔CH1区域对应的第一钝化膜410进行蚀刻以完成第一接触孔CH1。在该情况下，第一钝化膜410区域与通过设置在第一钝化膜410上方的第二钝化膜420中的孔露出的区域对应。漏电极320通过第一接触孔CH1而暴露在外。还对栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一钝化膜410进行蚀刻。
接下来，如图5f所示，在第二钝化膜420上图案化出像素电极500。像素电极500在薄膜晶体管区中图案化，以通过第一接触孔CH1与漏电极320连接。
接下来，如图5g所示，在像素电极500上形成第三钝化膜430，并且在第三钝化膜430上图案化出设置有接触部600a的感测线600。
第三钝化膜430通过PECVD法形成在基板的整个表面上，并且在薄膜晶体管区中图案化出感测线600。
接下来，如图5h所示，在感测线600上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
第四钝化膜440通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
第二接触孔CH2通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域而形成，并且感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露在外。
第三接触孔CH3通过蚀刻栅极绝缘膜220、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域而形成，并且栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露在外。
第四接触孔CH4通过蚀刻第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域而形成，并且数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露在外。
接下来，如图5i所示，在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
在薄膜晶体管区中图案化出公共电极700，以在其中设置有多个狭缝710。具体地，公共电极700图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750在栅极焊盘区中图案化为通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760在数据焊盘区中图案化为通过第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
根据上述图5a至图5i的方法，当在图5e的工艺期间对第一钝化膜410进行蚀刻以使漏电极320暴露在外时，数据焊盘315的形态由于数据焊盘315的曝光而可能劣化，如图6a所示。因此，如图6b所示，当在图5h的工艺期间通过蚀刻第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域而形成第四接触孔CH4时，由于气体回流可能出现底切。如图6c所示，由于这样的底切，可能出现的问题是当在图5i的工艺期间形成数据焊盘电极760时数据焊盘电极760可能被开口。
下文中，将描述一种可以防止出现底切的显示装置及其制造方法。
第二实施方案
图7是示出根据本发明第二实施方案的显示装置的横截面图，并且示出了图2的线A-A、B-B和C-C的横截面。图2的线A-A示出了薄膜晶体管区，图2的线B-B示出了栅极焊盘区，以及图2的线C-C示出了数据焊盘区。
如图7所示，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。栅电极210可以从上述栅极线200延伸，并且栅极焊盘215通过板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化出半导体层230和数据焊盘315。半导体层230形成在薄膜晶体管区中，并且可以由硅基半导体材料或氧化物半导体材料制成。数据焊盘315形成在数据焊盘区中，并且与上述数据线300的一端连接。
在半导体层230上图案化出源电极310和漏电极320。源电极310和漏电极320形成在薄膜晶体管区中。源电极310与数据线300连接，并且漏电极320与源电极310间隔开同时面对源电极310。
在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一钝化膜410。即，在第一实施方案中，第一钝化膜410形成在薄膜晶体管区中除第一接触孔CH1之外的区域处并且没有形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中。然而，在第二实施方案中，第一钝化膜410形成在基板的除第一接触孔CH1、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第一钝化膜410可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第一钝化膜410上形成第二钝化膜420。虽然第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区中，但是第二钝化膜420可以不形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中。第二钝化膜420可以由包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料如丙烯酸树脂制成。第二钝化膜420可以形成为比第一钝化膜410的厚度更大的厚度并且可以用于平坦化基板。
在第二钝化膜420上图案化出像素电极500。像素电极500形成在薄膜晶体管区中。像素电极500通过第一接触孔CH1与漏电极320连接。第一接触孔CH1由分别形成在第一钝化膜410和第二钝化膜420中的孔的组合制成。
在像素电极500上形成第三钝化膜430。第三钝化膜430形成在基板的除第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第三钝化膜430可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第三钝化膜430上图案化出设置有接触部600a的感测线600。感测线600形成在薄膜晶体管区中。
在感测线600上形成第四钝化膜440。第四钝化膜440形成在基板的除第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区中，并且数据焊盘电极760形成在数据焊盘区中。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760通过使用一种材料通过同一工艺在一个层上形成。
公共电极700图案化为其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合而形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过由分别形成在第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合而形成的第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
图8a至图8j是示出用于根据本发明第二实施方案的显示装置的基板的简化的制造方法步骤的横截面图，并且涉及制造图7中所示的显示装置的基板的方法。
首先，如图8a所示，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。
在通过溅射法在基板100上沉积薄膜层之后可以通过一系列掩模工艺如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离来图案化出栅电极210和栅极焊盘215。也可以通过薄膜层的沉积和一系列掩模工艺来进行将在下文中描述的形成元件的图案的工艺。
接下来，如图8b所示，在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，并且在栅极绝缘膜220上图案化出半导体层230。栅极绝缘膜220通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法形成在基板的整个表面上，并且半导体层230形成薄膜晶体管区中。
接下来，如图8c所示，在半导体层230上图案化出漏电极320和与数据线300连接的源电极310，并且在栅极绝缘膜220上图案化出数据焊盘315。
源电极310和漏电极320形成在薄膜晶体管区中，并且数据焊盘315形成在数据焊盘区中。
接下来，如图8d所示，在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一钝化膜410。在第一钝化膜410上图案化出第二钝化膜420。
第一钝化膜410通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区中。更详细地，在基板的整个表面上沉积包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料之后通过曝光和显影工艺图案化出第二钝化膜420。第二钝化膜420图案化为具有构成第一接触孔CH1的孔。
接下来，如图8e所示，在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一钝化膜410上图案化出蚀刻阻挡层800。蚀刻阻挡层800意图防止数据焊盘区在蚀刻第一钝化膜410以在随后的工艺(图8f的工艺)期间形成第一接触孔CH1时被蚀刻。在基板的整个表面上沉积包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料之后通过曝光和显影工艺来图案化出蚀刻阻挡层800。
接下来，如图8f所示，对与第一接触孔CH1区域对应的第一钝化膜410(也就是通过设置在第二钝化膜420中的孔而露出的第一钝化膜410)进行蚀刻，由此完成第一接触孔CH1，并且去除蚀刻阻挡层800。
漏电极320通过第一接触孔CH1暴露在外。
接下来，如图8g所示，在第二钝化膜420上图案化出像素电极500。像素电极500在薄膜晶体管区中图案化，以通过第一接触孔CH1与漏电极320连接。
接下来，如图8h所示，在像素电极500上形成第三钝化膜430，并且在第三钝化膜430上图案化出设置有接触部600a的感测线600。
第三钝化膜430通过PECVD法形成在基板的整个表面上，并且在薄膜晶体管区中图案化出感测线600。
接下来，如图8i所示，在感测线600上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
第四钝化膜440通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
第二接触孔CH2通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域而形成，并且感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露在外。
第三接触孔CH3通过蚀刻栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域而形成。栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露在外。
第四接触孔CH4通过蚀刻第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440的预定区域而形成。数据焊盘315通过第四接触孔CH4暴露在外。
接下来，如图8j所示，在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
在薄膜晶体管区中图案化出公共电极700，以在其中设置有多个狭缝710。具体地，公共电极700图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
在栅极焊盘区中图案化出栅极焊盘电极750，以通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
在数据焊盘区中图案化出数据焊盘电极760，以通过第四接触孔CH4与数据焊盘315连接。
根据上述图8a至图8j的方法，由于蚀刻阻挡层800图案化以防止栅极焊盘区在图8e的工艺期间被蚀刻，所以掩模的数量增加，并且构成蚀刻阻挡层800的有机绝缘材料可以在图案化蚀刻阻挡层800的工艺期间保留在第一接触孔CH1区域中。换言之，在基板的整个表面上沉积有机绝缘材料之后通过曝光和显影工艺图案化出蚀刻阻挡层800，使得有机绝缘材料仅保留在栅极焊盘区和数据焊盘区中。此时，如图9所示，有机绝缘材料900可以保留在第一接触孔CH1区域中而不被去除。如果有机绝缘材料保留在第一接触孔CH1区域中，则与第一接触孔CH1区域对应的第一钝化膜410在图8f的工艺期间没有被蚀刻，由此阻碍了第一接触孔CH1适当形成。
下文中，描述了一种显示装置及其制造方法，其中相对上述实施方案使用了减少的数量的掩模，并且其中防止了有机绝缘材料保留在第一接触孔CH1中的问题。
第三实施方案
图10a是示出根据本发明的第三实施方案的显示装置的横截面图，并且示出了图2的线A-A、B-B和C-C的横截面。图2的线A-A示出了薄膜晶体管区，图2的线B-B示出了栅极焊盘区，图2的线C-C示出了数据焊盘区。
如图10a所示，在基板100上形成栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。栅电极210可以从上述栅极线200延伸，并且栅极焊盘215通过板内栅极2与栅极线200的一端连接。
在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220。栅极绝缘膜220形成在基板的除第三接触孔CH3区域之外的整个表面上。
在栅极绝缘膜220上图案化出半导体层230。半导体层230形成在薄膜晶体管区和数据焊盘区中，并且可以由硅基半导体材料或氧化物半导体材料制成。
在半导体层230上图案化出源电极310、漏电极320和数据焊盘315。源电极310和漏电极320形成在薄膜晶体管区中，并且数据焊盘315形成在数据焊盘区中的半导体层230上。此时，数据焊盘315与上述数据线300的一端连接。源电极310与数据线300连接，并且漏电极320与源电极310间隔开同时面对源电极310。
与根据第一实施方案和第二实施方案的显示装置不同，在根据第三实施方案的显示装置的情况下，在用于形成半导体层230的材料层(未示出)和用于形成源电极310/漏电极320的源/漏电极层(未示出)以预定顺序沉积之后，由于源/漏电极层和材料层通过使用单一掩模的同一工艺同时图案化，所以半导体层230形成在甚至数据焊盘区中的数据焊盘315下方以及薄膜晶体管区中。
另外，在根据第三实施方案的显示装置的情况下，如上所述，由于源/漏电极层沉积在用于形成半导体层230的材料层上之后源/漏电极层和材料层使用单一掩模同时图案化，所以半导体层230的尾部可以最小化。
在数据线300、数据焊盘315、源电极310和漏电极320上形成第一钝化膜410。即，第一钝化膜410形成在基板的除开口区H(即，第一孔)、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4区域之外的整个表面上。第一钝化膜410可以由无机绝缘材料例如氮化硅或氧化硅制成。
在第一钝化膜410上形成第二钝化膜420。第二钝化膜420形成在基板的除开口区H、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4区域之外的整个表面上。在一个实施方案中，第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一部分可以具有与第二钝化膜420的形成在薄膜晶体管区中的第二部分不同的厚度。在这种情况下，第二钝化膜420通过使用半色调掩模的单个工艺而形成，由此第二钝化膜420的形成在薄膜晶体管区中的第二部分可以具有与第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一部分不同的厚度。例如，在一个实施方案中，第二钝化膜420的形成在薄膜晶体管区中的第二部分可以具有大于第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一部分的厚度。
第二钝化膜420可以由包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料如丙烯酸树脂制成。第二钝化膜420可以形成为厚于第一钝化膜410的厚度并且可以用于平坦化基板。
第一钝化膜410和第二钝化膜420构造为使得存在穿过第一钝化膜和第二钝化膜的第一孔(开口H)，使得从第一钝化膜410和第二钝化膜420中至少部分地露出漏电极310和漏电极320。此外，第一钝化膜410和第二钝化膜420构造为使得存在穿过第一钝化膜410和第二钝化膜420的第四接触孔CH4，以通过第一钝化膜410和第二钝化膜420至少部分地露出数据焊盘315。
在第二钝化膜420上图案化出像素电极500、第一钝化电极510和第一连接电极520。像素电极500形成在薄膜晶体管区中并且通过第一钝化膜410和第二钝化膜420至少部分地填充开口H。具体地，在根据第三实施方案的显示装置的情况下，在用于形成像素电极500的材料层(未示出)形成在通过开口区H露出的经图案化的源/漏电极层上之后，用于形成像素电极500的材料层和源/漏电极层在形成薄膜晶体管的沟道时被部分地去除。因此，在第三实施方案中，薄膜晶体管的沟道形成为用于形成像素电极500的材料层和源/漏电极层彼此直接接触的状态，这与其中像素电极500通过第一接触孔CH1与漏电极320连接的第一实施方案和第二实施方案不同。因此，第三实施方案具有像素电极500经由通过第一钝化膜410和第二钝化膜420的开口H与漏电极320直接连接的结构。此外，像素电极500接触漏电极320的位于栅电极210的至少一部分上方的区域。换言之，穿过漏电极的区域垂直于基板的平面与栅电极210的一部分交叉。根据该结构，在根据第三实施方案的显示装置中，透射率比根据第一实施方案和第二实施方案的显示装置的透射率改进更多。
在第二钝化膜420在源电极310上方的区域上图案化出第一钝化电极510，并且用于防止源电极310在用于形成薄膜晶体管的沟道的蚀刻工艺期间受损。
在第二钝化膜420上图案化出第一连接电极520以覆盖数据焊盘区中通过第四接触孔CH4而暴露在外的数据焊盘315。
同时，在形成像素电极500的工艺期间辅助电极530保留在与第二接触孔CH2对应的区域中以形成感测线600，这将随后描述。
像素电极500、第一钝化电极510、第一连接电极520和辅助电极530使用一种材料通过同一工艺在一个层上形成。
在辅助电极530上图案化出设置有接触部600a的感测线600。与感测线600一起形成的第二钝化电极610在图案化出感测线600的工艺期间在第一钝化电极510上图案化。在像素电极500在漏电极320上方的区域上图案化出第三钝化电极620。在第一连接电极520上图案化出第二连接电极630。
第二钝化电极610与第一钝化电极510一起用于防止源电极310在形成沟道的工艺期间被蚀刻。第三钝化电极620用于防止像素电极500和漏电极320在形成沟道的工艺期间被蚀刻。
第二连接电极630与第一连接电极520一起用于将数据焊盘电极760与数据焊盘315连接。
感测线600、第二钝化电极610、第三钝化电极620和第二连接电极630使用一种材料通过同一工艺在一个层上形成。
在感测线600、第二钝化电极610、第三钝化电极620和第二连接电极630上形成第四钝化膜440。即，第四钝化膜440形成在基板的除第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4的区域之外的整个表面上。第四钝化膜440可以由无机绝缘材料如氮化硅或氧化硅制成。
在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。公共电极700形成在薄膜晶体管区中，栅极焊盘电极750形成在栅极焊盘区中，并且数据焊盘电极760形成在数据焊盘区中。公共电极700至少部分地填充穿过第四钝化膜440的第二接触孔CH2使得公共电极700通过第二接触孔CH2与感测线600连接。栅极焊盘电极750至少部分地填充第三接触孔CH3使得栅极焊盘电极750通过第三接触孔C3与栅极焊盘215连接。数据焊盘电极760至少部分地填充第四接触孔使得数据焊盘电极760通过经由第四接触孔CH4露出的第一连接电极520和第二连接电极630与数据焊盘315连接。
公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760使用一种材料通过同一工艺在一个层上形成。
公共电极700图案化为其中设置有多个狭缝710。公共电极700通过设置在第四钝化膜440中的第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750通过由分别形成在栅极绝缘膜220、第一钝化膜410、第三钝化膜430和第四钝化膜440中的孔的组合而形成的第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760通过经由第四接触孔CH4露出的第一连接电极520和第二连接电极630与数据焊盘315连接。
图10b示出了上述第三实施方案的包括数据焊盘区的替代结构的变化方案。在图10b的实施方案中，像素区和栅极焊盘区域与上述图10a中的相同。然而，在图10b的数据焊盘区中，数据焊盘电极760形成为通过接触孔与第二连接电极630连接，该接触孔从数据焊盘315侧向偏移而不是直接形成在数据焊盘315上方。换言之，在图10b中，通过将数据焊盘电极760连接到第二连接电极630的接触孔与基板100垂直的平面不与数据焊盘230交叉。该布置的一个优点是使数据焊盘电极760连接到第二连接电极630的接触孔无需直接形成在数据焊盘315上方，从而防止在数据焊盘上方形成接触孔时由于气体回流而底切数据焊盘315的可能。这样的底切可造成数据焊盘315的形态劣化并且阻碍数据焊盘315与连接电极520的良好接触。
更具体地，在图10b的实施方案中，与图10a的对应层类似，数据焊盘区包括：基板100、形成在基板100上的栅极绝缘膜220、形成在绝缘膜220上的半导体层230、形成在半导体层230上的数据焊盘315、形成在数据焊盘315上的第一钝化层410、以及形成在第一钝化层410上的第二钝化层420、形成在数据焊盘315上的第一连接电极520、以及形成在第一连接电极520上的第二连接电极630。然而，在图10b的实施方案中，第一连接电极520形成在数据焊盘区中以覆盖整个数据焊盘315。更详细地，第一连接电极520形成为覆盖数据焊盘315，并且延伸到数据焊盘315没有形成在栅极绝缘膜220上的区域。在第一连接电极520上图案化出第二连接电极630。此时，第二连接电极630图案化为与第一连接电极520相同的形状。第四钝化层440形成在第二连接电极630上以具有从数据焊盘315侧向偏移的接触孔。数据焊盘电极760通过穿过第四钝化膜440的接触孔连接到第二连接电极630。数据焊盘区中穿过第四钝化膜440的接触孔从数据焊盘315侧向偏移。
图11a至图11j是示出用于根据本发明的第三实施方案的显示装置的基板的制造方法步骤的简化横截面图，并且涉及制造图10a所示的显示装置的基板的方法。
如图11a所示，在基板100上图案化出栅电极210和栅极焊盘215。栅电极210形成在薄膜晶体管区中，并且栅极焊盘215形成在栅极焊盘区中。
在通过溅射法在基板100上沉积薄膜层之后可以通过一系列掩模工艺如光刻胶沉积、曝光、显影、蚀刻和剥离来图案化出栅电极210和栅极焊盘215。也可以通过沉积薄膜层和一系列的掩模工艺来进行将在下文中描述的形成元件的图案的过程。
接下来，如图11b所示，在栅电极210和栅极焊盘215上形成栅极绝缘膜220，在栅极绝缘膜220上形成用于形成半导体层230的材料层和用于形成源电极和漏电极的源/漏电极层。通过使用单一掩模的同一工艺来图案化出材料层和源/漏电极层，由此形成半导体层230和源/漏电极层图案330。在该过程中，在薄膜晶体管区中形成包括半导体层230的第一部分和源/漏电极层图案330的第一部分的第一图案。在数据焊盘区中形成包括半导体层230第二部分和由源/漏电极层图案330的第二部分形成的数据焊盘315的第二图案。
栅极绝缘膜220通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法形成在基板的整个表面上。
接下来，如图11c所示，在源/漏电极层图案330和数据焊盘315上形成第一钝化膜410并且在第一钝化膜410上图案化出第二钝化膜420。
第一钝化膜410通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
在一个实施方案中，第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一部分可以具有与第二钝化膜420的形成在薄膜晶体管区中的第二部分不同的厚度。更详细地，第二钝化膜420可以通过使用半色调掩模的单一过程来形成，使得第二钝化膜420的形成在薄膜晶体管区中的第二部分的厚度大于第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的第一部分的厚度。
在该实施方案中，第二钝化膜420的形成在栅极焊盘区和数据焊盘区中的部分的厚度小于第二钝化膜的形成在薄膜晶体管区中的部分的厚度，以使得当在栅极焊盘区和数据焊盘区中安装集成电路时能够识别压痕。该压痕指示集成电路是否与栅极焊盘区进行良好接触并且对于确保显示装置的可靠性的测试重要。如果第二钝化膜420在栅极焊盘区中的部分与第二钝化膜420形成在薄膜晶体管区中的部分同样厚，则会更加难以在测试期间检测该压痕并且可靠性可能因此受损。
在基板的整个表面上沉积包括光敏化合物(PAC)的有机绝缘材料之后通过曝光和显影工艺图案化出第二钝化膜420。第二钝化膜420图案化为具有用于在薄膜晶体管区中部分地露出第一钝化膜410的开口区H(即，孔)和用于在栅极焊盘区和数据焊盘区中部分地露出第一钝化膜410的孔。
接下来，如图11d所示，通过蚀刻去除通过开口区H露出的第一钝化膜410、通过设置在栅极焊盘区中的孔露出的第一钝化膜410、以及通过设置在数据焊盘区中的孔露出的第一钝化膜410。然后，在基板100的整个表面上沉积用于形成像素电极500的材料层500a和用于形成感测线600的材料层600b。因此，用于形成像素电极500的材料层500a直接形成在源/漏电极层图案330上，由此像素电极500以与将随后描述的工艺相同的方式在甚至没有单独的接触孔的情况下直接与漏电极320接触。
接下来，如图11e所示，在通过使用半色调掩模的单一过程择性地对用于形成像素电极500的材料层500a和用于形成感测线600的材料层600b之一图案化之后，对通过开口区H露出的源/漏电极层图案330的至少一部分进行蚀刻，由此形成沟道区。通过对源/漏电极层图案300的这样的蚀刻在半导体层230上形成源电极310和漏电极320，由此完成薄膜晶体管。
同时，在基板上部分地图案化出用于形成像素电极500的材料层500a和用于形成感测线600的材料层600b的至少之一，由此在薄膜晶体管区中的第二钝化膜420上形成沉积有辅助电极530和感测线600的图案、沉积有像素电极500和第三钝化膜620的图案、以及像素电极500。此时，沉积有第一连接电极520和第二连接电极630的图案通过设置在数据焊盘区中的孔与数据焊盘315连接。
接下来，如图11f所示，在基板100的整个表面上形成第四钝化膜440之后，形成第二接触孔CH2、第三接触孔CH3和第四接触孔CH4。
第四钝化膜440通过PECVD法形成在基板的整个表面上。
第二接触孔CH2通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域而形成，并且感测线600的接触部600a通过第二接触孔CH2暴露在外。
第三接触孔CH3通过蚀刻栅极绝缘膜220、第一钝化膜410和第四钝化膜440的预定区域而形成，并且栅极焊盘215通过第三接触孔CH3暴露在外。
第四接触孔CH4通过蚀刻第四钝化膜440的预定区域而形成，并且第二连接电极630通过第四接触孔CH4暴露在外。
接下来，如图11g所示，在第四钝化膜440上图案化出公共电极700、栅极焊盘电极750和数据焊盘电极760。
在薄膜晶体管区中图案化出公共电极700，以在其中设置有多个狭缝710。具体地，公共电极700图案化为通过第二接触孔CH2与感测线600的接触部600a连接。
栅极焊盘电极750在栅极焊盘区中图案化为通过第三接触孔CH3与栅极焊盘215连接。
数据焊盘电极760在数据焊盘区中图案化为通过与经由第四接触孔CH4露出的第一连接电极520和第二连接电极630的图案连接来与数据焊盘315连接。
可以使用与图11a至图11j中所示的工艺类似的工艺来形成图10b的显示装置，其中仅数据焊盘区的工艺不同。具体地，在形成图10b的数据焊盘区时，使用不同的掩模使得数据焊盘电极760通过如上所述的从数据焊盘315侧向偏移的孔与第一连接电极520连接。
根据前述图11a至图11j的方法，由于源/漏电极层和用于形成半导体层230的材料层在依次沉积之后通过一个工艺图案化，所以相比第一实施方案掩模的数目减少。由于用于形成像素电极500的材料层和用于形成感测线600的材料层在依次沉积之后通过一个工艺图案化，所以相比第一实施方案掩模的数目又减少。因此，显示装置可以仅使用六个掩模来制造。因此，通过制造时间的减少可以使生产率最大化。
另外，根据图11a至图11j的方法，由于甚至可以在不使用另外的钝化膜的情况下解决在数据焊盘中出现的底切，所以相比使用另外的钝化膜来防止出现底切的第二实施方案掩模的数目可以减少，并且可以自然地解决在去除另外的钝化膜时钝化膜保留的问题。
以上已描述了构成显示装置的基板及其制造方法。本发明包括可以使用上述基板及其制造方法的各种显示装置，例如液晶显示装置、等离子体显示装置和有机发光显示装置，及其制造方法。
根据本发明，可以获得以下优点。
由于使用公共电极作为用于感测用户的触摸的感测电极，所以与相关技术不同在显示面板上不需要单独的触摸屏，由此厚度减小，制造工艺简化，并且制造成本降低。
对于本领域技术人员明显的是，可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下对本发明中进行各种修改和变化。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求及其等同内容的范围内的本发明所提供的修改和变化。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：
形成在像素区中的薄膜晶体管，所述像素区包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；
与所述数据线的一端连接的数据焊盘；
形成在所述薄膜晶体管和所述数据焊盘上的第一钝化膜；
第二钝化膜，所述第二钝化膜形成在位于所述薄膜晶体管上方和所述数据焊盘上方的所述第一钝化膜上，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜构造为使得存在穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的第一孔和第二孔；
像素电极，所述像素电极形成在所述第二钝化膜上并且至少部分地填充穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的所述第一孔，所述像素电极经由穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的所述第一孔连接所述漏电极；
第一连接电极，所述第一连接电极形成在所述第二钝化膜上并且经由所述第二孔与所述数据焊盘连接；
第二连接电极，所述第二连接电极形成在所述第一连接电极上并且与所述第一连接电极连接；
形成在所述第二钝化膜上方的感测线；
与所述感测线连接的公共电极；以及
数据焊盘电极，所述数据焊盘电极由与所述公共电极相同的材料形成并且通过所述第一连接电极和所述第二连接电极连接所述数据焊盘。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中形成在所述数据焊盘上方的所述第二钝化膜比形成在所述薄膜晶体管上方的所述第二钝化膜薄。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素电极经由穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的所述第一孔连接所述漏电极的区域，所述区域在所述栅电极上方。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一连接电极由与所述像素电极相同的材料形成，并且所述第二连接电极由与所述感测线相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括形成在所述感测线和所述第二连接电极上以及在所述公共电极和所述数据焊盘电极下方的第三钝化膜，所述第三钝化膜构造为使得所述公共电极通过所述第三钝化膜中的第三孔连接所述感测线，并且所述数据焊盘电极通过所述第三钝化膜中的第四孔连接所述第二连接电极。
6.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板的具有栅电极和栅极绝缘膜的表面上依次形成用于形成半导体层的第一材料层和源/漏电极层；
同时对所述第一材料层和所述源/漏电极层进行图案化以在薄膜晶体管区中形成第一图案并且在数据焊盘区中形成第二图案，所述第一图案包括所述半导体层的第一部分和所述源/漏电极层的第一部分，并且所述第二图案包括所述半导体层的第二部分和由所述源/漏电极层的第二部分形成的数据焊盘；
依次形成第一钝化膜和第二钝化膜，所述第一钝化膜和所述第二钝化膜构造为使得存在穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的第一孔，通过所述第一孔露出所述源/漏电极层的所述第一部分的至少一部分，并且使得存在穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的第二孔，通过所述第二孔露出所述数据焊盘的至少一部分；
在所述第二钝化膜上依次形成第二材料层和第三材料层；
通过使用半色调掩模的图案化工艺对所述第二材料层和第三材料层进行图案化来形成感测线图案、像素电极图案和与所述数据焊盘连接的连接电极图案；
在所述感测线图案、所述像素电极图案和所述连接电极图案上形成第三钝化膜；以及
在所述第三钝化膜上形成与所述感测线连接的公共电极并且形成与所述连接电极连接的数据焊盘电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述第二钝化膜包括：
通过使用半色调掩模的图案化工艺来对所述第二钝化膜进行图案化，使得形成在所述数据焊盘区中的所述第二钝化膜比形成在所述薄膜晶体管区中的所述第二钝化膜薄。
8.根据权利要求6所述的方法，其中对所述第一材料层和所述源/漏电极层进行图案化包括：
通过蚀刻所述源/漏电极层的通过所述第一孔露出的区域来形成源电极和漏电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述像素电极图案包括：
形成所述像素电极图案以使所述像素电极图案连接所述漏电极的通过所述第一孔露出的区域，所述区域在所述栅电极上方。
10.根据权利要求6所述的方法，其中形成所述感测线图案、所述像素电极图案和所述连接电极图案包括：
通过对所述第二材料层的图案化来形成与所述数据焊盘连接的第一连接电极；
通过对所述第三材料层的图案化来形成连接所述第一连接电极和所述数据焊盘的第二连接电极；
通过对所述第三材料层的图案化来形成所述感测线图案；以及
通过对所述第三材料层的图案化来形成所述像素电极图案。
11.一种显示装置，包括：
形成在像素区中的薄膜晶体管，所述像素区包括栅极线和与所述栅极线交叉的数据线，所述薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极；
在数据焊盘区中的与所述数据线的一端连接的数据焊盘；
形成在所述薄膜晶体管和所述数据焊盘上的第一钝化膜；
形成在所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第二钝化膜具有在所述数据焊盘区中的第一部分和在所述像素区中的第二部分，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度；
像素电极，所述像素电极形成在所述第二钝化膜上并且经由穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的第一孔连接所述漏电极；
一个或更多个连接电极，所述一个或更多个连接电极形成在所述第二钝化膜上并且经由穿过所述第一钝化膜和所述第二钝化膜的第二孔连接所述数据焊盘；以及
通过所述一个或更多个连接电极连接所述数据焊盘的数据焊盘电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
形成在所述第二钝化膜上方的感测线；以及
与所述感测线连接的公共电极，所述公共电极由与所述数据焊盘电极相同的材料形成。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述数据焊盘电极由与所述公共电极相同的材料形成。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述一个或更多个连接电极包括：
第一连接电极，所述第一连接电极形成在所述第二钝化膜上并且与所述数据焊盘连接；
第二连接电极，所述第二连接电极形成在所述第一连接电极上并且经由所述第一连接电极连接所述数据焊盘。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述第一连接电极由与所述像素电极相同的材料形成。
16.根据权利要求14所述的显示装置，还包括：
形成在所述第二钝化膜上方的感测线，所述感测线由与所述第二连接电极相同的材料形成。
CN201410393705.4A 2013-09-27 2014-08-12 显示装置及其制造方法 Active CN104516140B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130115404A KR102054671B1 (ko) 2013-09-27 2013-09-27 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR10-2013-0115404 2013-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104516140A true CN104516140A (zh) 2015-04-15
CN104516140B CN104516140B (zh) 2018-02-02

Family

ID=52739219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410393705.4A Active CN104516140B (zh) 2013-09-27 2014-08-12 显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9214480B2 (zh)
KR (1) KR102054671B1 (zh)
CN (1) CN104516140B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104570524A (zh) * 2013-10-14 2015-04-29 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN105629597A (zh) * 2016-01-14 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置
CN108241451A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 乐金显示有限公司 显示装置
CN108346622A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104731405B (zh) * 2015-03-09 2018-01-19 上海天马微电子有限公司 一种触控显示装置及其制造方法
KR102358041B1 (ko) * 2015-05-28 2022-02-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 표시 장치의 박막트랜지스터를 포함하는 기판 및 그 제조 방법
KR102263876B1 (ko) * 2015-05-29 2021-06-14 엘지디스플레이 주식회사 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 그 제조방법
US10310341B2 (en) * 2015-06-29 2019-06-04 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN105161505B (zh) * 2015-09-28 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
KR102392683B1 (ko) * 2015-11-30 2022-05-02 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린 내장형 표시장치
KR101926527B1 (ko) 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102551580B1 (ko) * 2016-12-30 2023-07-04 엘지디스플레이 주식회사 표시장치용 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
US20190004640A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Dis play Technology Co., Ltd. Manufacturing method for organic light-emitting display and display device
CN107731748B (zh) * 2017-09-26 2020-08-04 武汉华星光电技术有限公司 显示装置、阵列基板及其制造方法
KR102423865B1 (ko) * 2017-12-04 2022-07-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 표시 장치
KR20210011529A (ko) * 2019-07-22 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101206361A (zh) * 2006-12-15 2008-06-25 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
US20110049519A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 Jong-In Kim Thin Film Transistor Array Panel and Method of Manufacturing the Same
CN103003744A (zh) * 2011-07-19 2013-03-27 松下电器产业株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN103091914A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 乐金显示有限公司 边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法
US20130249820A1 (en) * 2012-03-26 2013-09-26 Lg Display Co., Ltd. Display Device and Method for Manufacturing the Same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100021152A (ko) * 2008-08-14 2010-02-24 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법
WO2010047288A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductordevice
TWI373853B (en) * 2009-03-16 2012-10-01 Au Optronics Corp Active device array substrate and method for fabricating thereof
KR101757928B1 (ko) * 2010-12-31 2017-07-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조방법
KR101394938B1 (ko) * 2011-05-03 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101206361A (zh) * 2006-12-15 2008-06-25 Lg.菲利浦Lcd株式会社 液晶显示器件及其制造方法
US20110049519A1 (en) * 2009-08-26 2011-03-03 Jong-In Kim Thin Film Transistor Array Panel and Method of Manufacturing the Same
CN103003744A (zh) * 2011-07-19 2013-03-27 松下电器产业株式会社 液晶显示装置及其制造方法
CN103091914A (zh) * 2011-11-03 2013-05-08 乐金显示有限公司 边缘场切换液晶显示器装置及其制造方法
US20130249820A1 (en) * 2012-03-26 2013-09-26 Lg Display Co., Ltd. Display Device and Method for Manufacturing the Same

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104570524A (zh) * 2013-10-14 2015-04-29 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN104570524B (zh) * 2013-10-14 2018-02-13 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
CN105629597A (zh) * 2016-01-14 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置
CN105629597B (zh) * 2016-01-14 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其显示驱动方法、制作方法、显示装置
US10564772B2 (en) 2016-01-14 2020-02-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, its driving method and manufacturing method, and display device
CN108241451A (zh) * 2016-12-27 2018-07-03 乐金显示有限公司 显示装置
CN108241451B (zh) * 2016-12-27 2021-04-23 乐金显示有限公司 显示装置
CN108346622A (zh) * 2017-01-25 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
US11171160B2 (en) 2017-01-25 2021-11-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US9627419B2 (en) 2017-04-18
US20150091015A1 (en) 2015-04-02
US20160064427A1 (en) 2016-03-03
CN104516140B (zh) 2018-02-02
KR20150035165A (ko) 2015-04-06
US9214480B2 (en) 2015-12-15
KR102054671B1 (ko) 2019-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104516140A (zh) 显示装置及其制造方法
CN104570524B (zh) 显示装置及其制造方法
US9583518B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN102681230B (zh) 显示装置及其制造方法
KR101295536B1 (ko) 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
CN102478737B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
US20080136980A1 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR101295533B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2017008450A1 (zh) 平面转换模式阵列基板及其制作方法、显示器件
CN105047671A (zh) 用于显示装置的阵列基板及其制造方法
CN105372859A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN103000693B (zh) 薄膜晶体管、显示器件及其制造方法、显示装置
KR20140016593A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105739753A (zh) 使用内嵌式触摸模式的液晶显示装置及其制造方法
KR101690600B1 (ko) 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그 제조 방법
KR102162580B1 (ko) 터치전극 내장형 표시소자 및 그 제조방법
KR102176926B1 (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101297566B1 (ko) 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 표시 장치
KR102100766B1 (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant