CN104508850B - 发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种具有长使用寿命的发光元件。提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。提供一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G0）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。在通式（G0）中，Ar1及Ar2分别独立地表示芴基、螺芴基或联苯基，并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。

Description

发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置
技术领域
本发明涉及一种利用电致发光（EL）的发光元件（还称为EL元件）、发光装置、电子设备以及照明装置。
背景技术
近年来，广泛地对有机EL元件进行研究开发。在EL元件的基本结构中，包含发光物质的层配置于一对电极之间。通过对该元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。
因为这种EL元件为自发光型，所以被认为该EL元件与液晶显示器相比具有像素的能见度高、不需要背光等优势，因此适合用作平板显示器元件。另外，还具有可将该EL元件制造成薄且轻的元件的较大优势。再者，响应速度极快也是这种元件的特征之一。
因为EL元件可以形成为膜状，所以能够提供面发光。因此，可以较容易地形成大面积的元件。这是难以通过利用以白炽灯和LED为代表的点光源或以荧光灯为代表的线光源而得到的特征。因此，EL元件作为可应用于照明装置等的面光源还具有巨大潜力。
根据发光物质是有机化合物还是无机化合物，可以对EL元件进行大致的分类。在采用将作为发光物质包含有机化合物的层设置于一对电极之间的有机EL元件的情况下，通过对该发光元件施加电压，来自阴极的电子和来自阳极的空穴注入到该包含有机化合物的层中，而电流流动。然后，所注入的电子和空穴使该有机化合物成为激发态，由此从被激发的有机化合物得到发光。
作为有机化合物的激发态可以举出单重激发态和三重激发态，由单重激发态（S*）的发光被称为荧光，而由三重激发态（T*）的发光被称为磷光。
在改进这种发光元件的元件特性中，物质所引起的问题很多，为了解决这些问题，已经进行了元件结构的改进、物质的开发等。例如，专利文献1公开了包括含有有机低分子空穴传输物质、有机低分子电子传输物质及磷光掺杂剂的混合层的有机发光元件。
[参考文献]
[专利文献1]PCT国际申请日语翻译No.2004-515895。
发明内容
有机EL元件的开发在发光效率、可靠性、成本等方面还有改善的余地。
为了实现使用有机EL元件的显示器或照明的实用化，有机EL元件例如被要求具有长使用寿命及在高亮度区域中呈现高发光效率。
于是，本发明的一个方式的目的是提供一种具有长使用寿命的发光元件。本发明的一个方式的其他目的是提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。
本发明的一个方式的其他目的是提供一种通过使用上述发光元件而具有高可靠性的发光装置、电子设备以及照明装置。
本发明的一个方式的发光元件在一对电极之间包括发光层，该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物是叔胺并具有包括芴骨架、螺芴骨架或联苯骨架的两个取代基及包括咔唑骨架的一个取代基都直接键合于氮原子的结构。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。通过使发光层具有这种结构，发光元件可以具有长使用寿命。此外，发光元件能够在高亮度区域中呈现高发光效率。
具体而言，本发明一个方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G0）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
[化学式1]
在通式（G0）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的联苯基，并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。
本发明的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G1）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
[化学式2]
在通式（G1）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的联苯基；α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基；n表示0或1；并且A表示取代或未取代的3-咔唑基。
本发明的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G2）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
[化学式3]
在通式（G2）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基；Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基。
本发明的其他方式是一种在一对电极之间包括发光层的发光元件。该发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。该第一有机化合物由通式（G3）表示。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
[化学式4]
在通式（G3）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4、R11至R17以及R21至R25分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，Ar1及Ar2在通式（G0）至（G3）的每一个中分别独立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺环-9,9＇-二芴-2-基、或者联苯-4-基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，以与发光层接触的方式设置空穴传输层，该空穴传输层包含第三有机化合物，该第三有机化合物由通式（G0）表示，并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。
[化学式5]
在通式（G0）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基，并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，以与发光层接触的方式设置空穴传输层，该空穴传输层包含第三有机化合物，该第三有机化合物由通式（G1）表示，并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。
[化学式6]
在通式（G1）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基；n表示0或1；并且A表示取代或未取代的3-咔唑基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，以与发光层接触的方式设置空穴传输层，该空穴传输层包含第三有机化合物，该第三有机化合物由通式（G2）表示，并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。
[化学式7]
在通式（G2）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基；Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，以与发光层接触的方式设置空穴传输层，该空穴传输层包含第三有机化合物，该第三有机化合物由通式（G3）表示，并且该第三有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。
[化学式8]
在通式（G3）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4、R11至R17以及R21至R25分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，第三有机化合物与第一有机化合物相同。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物（exciplex）。
在上述本发明的一个方式中，优选的是，具有电子传输性的化合物为缺π电子芳香杂环化合物。作为缺π电子芳香杂环化合物的例子有包含喹喔啉骨架、二苯并喹喔啉骨架、喹啉骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架、吡啶骨架、二唑骨架或三唑骨架的化合物。
本发明的其他方式是一种在发光部中包括上述发光元件的发光装置。本发明的其他方式是一种在显示部中包括该发光装置的电子设备。本发明的其他方式是一种在发光部中包括该发光装置的照明装置。
因为本发明的一个方式的发光元件具有长使用寿命，所以可以得到具有高可靠性的发光装置。同样地，通过采用本发明的一个方式，可以得到具有高可靠性的电子设备及照明装置。
此外，由于本发明的一个方式的发光元件在高亮度区域中呈现高发光效率，因此可以得到具有高发光效率的发光装置。同样地，通过采用本发明的一个方式，可以得到具有高发光效率的电子设备及照明装置。
注意，本说明书中的发光装置在其范畴中包括使用发光元件的图像显示装置。此外，该发光装置包括所有如下模块：连接器诸如各向异性导电薄膜或带载封装（TCP）被安装于发光装置的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；以及通过玻璃覆晶封装（COG）方式在发光装置上直接安装有集成电路（IC）的模块。再者，还可以包括被用于照明设备等的发光装置。
本发明的一个方式可以提供一种具有长使用寿命的发光元件。通过使用该发光元件，可以提供一种具有高可靠性的发光装置、电子设备以及照明装置。本发明的一个方式还可以提供一种在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。通过使用该发光元件，可以提供一种具有高发光效率的发光装置、电子设备以及照明装置。
附图说明
图1A至图1F分别示出本发明的一个方式的发光元件的一个例子。
图2A示出本发明的一个方式的发光元件的一个例子，图2B和图2C示出本发明的一个方式的激基复合物的概念。
图3A和图3B示出本发明的一个方式的发光装置的一个例子。
图4A和图4B示出本发明的一个方式的发光装置的一个例子。
图5A至图5E分别示出电子设备的一个例子。
图6A和图6B示出照明装置的一个例子。
图7示出实施例的发光元件。
图8表示实施例1的发光元件的亮度-电流效率特性。
图9表示实施例1的发光元件的电压-亮度特性。
图10表示实施例1的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图11A和图11B表示实施例1的发光元件的可靠性测试结果。
图12表示实施例2的发光元件的亮度-电流效率特性。
图13表示实施例2的发光元件的电压-亮度特性。
图14表示实施例2的发光元件的亮度-功率效率特性。
图15表示实施例2的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图16表示实施例2的发光元件的可靠性测试结果。
图17表示实施例3的发光元件的亮度-电流效率特性。
图18表示实施例3的发光元件的电压-亮度特性。
图19表示实施例3的发光元件的亮度-功率效率特性。
图20表示实施例3的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图21A和图21B表示N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）的1H NMR图。
图22A和图22B表示PCBBiF的甲苯溶液中的PCBBiF的吸收光谱及发射光谱。
图23A和图23B表示PCBBiF的薄膜的吸收光谱及发射光谱。
图24A和图24B表示N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二（spirobi）[9H-芴]-2-胺（简称：PCBBiSF）的1H NMR图。
图25A和图25B表示PCBBiSF的甲苯溶液中的PCBBiSF的吸收光谱及发射光谱。
图26A和图26B表示PCBBiSF的薄膜的吸收光谱及发射光谱。
图27表示实施例4的发光元件的电压-电流特性。
图28表示实施例4的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图29表示实施例4的发光元件的发射光谱。
图30表示实施例4的发光元件的可靠性测试结果。
图31表示实施例5的发光元件的亮度-电流效率特性。
图32表示实施例5的发光元件的电压-亮度特性。
图33表示实施例5的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图34表示实施例5的发光元件的可靠性测试结果。
图35表示实施例6的发光元件的亮度-电流效率特性。
图36表示实施例6的发光元件的电压-亮度特性。
图37表示实施例6的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图38表示实施例6的发光元件的可靠性测试结果。
图39表示实施例7的发光元件的亮度-电流效率特性。
图40表示实施例7的发光元件的电压-亮度特性。
图41表示实施例7的发光元件的亮度-外部量子效率特性。
图42表示实施例7发光元件的可靠性测试结果。
具体实施方式
将参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于下面的描述，并且本领域的技术人员将会容易地理解一个事实，就是可以在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下对本发明的方式和详细内容进行各种变化和改进。因此，本发明不应该被看作仅限定于下面实施方式中的描述。注意，在后面说明的发明结构中，在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示同一部分或具有同样功能的部分，而省略其重复说明。
实施方式1
在本实施方式中，使用图1A至图1F说明本发明的一个方式的发光元件。
在本实施方式中作为例子举出的发光元件都包括一对电极以及在该一对电极之间的包含发光有机化合物的层（EL层）。
图1A所示的发光元件在第一电极201与第二电极205之间包括EL层203。在本实施方式中，第一电极201用作阳极，第二电极205用作阴极。
当比发光元件的阈值电压高的电压被施加到第一电极201与第二电极205之间时，空穴从第一电极201一侧注入到EL层203，并且电子从第二电极205一侧注入到EL层203。被注入的电子和空穴在EL层203中复合，而包含在EL层203中的发光物质发光。
EL层203至少包括发光层303。在本实施方式的发光元件中，发光层303包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光化合物。
在本实施方式中，作为客体材料的发光物质，使用磷光化合物。第一有机化合物和第二有机化合物中的一个有机化合物被称为分散有该客体材料的主体材料，该有机化合物的含量在发光层中高于另一个有机化合物。
在本实施方式的发光元件的发光层中，主体材料的含量高于客体材料。当将客体材料分散在主体材料中时，可以抑制发光层的晶化。此外，能够抑制因客体材料的浓度高而导致的浓度猝灭，由此发光元件能够具有更高的发光效率。
第一有机化合物是叔胺并具有包括芴骨架、螺芴骨架或联苯骨架的两个取代基以及包括咔唑骨架的一个取代基都直接键合于氮原子的结构。该第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。该第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
在该叔胺中，作为直接键合于氮原子的取代基导入联苯基、芴基或螺芴基来代替具有简单的结构的苯基或烷基苯基。因此，该叔胺在化学上稳定，由此具有长使用寿命的稳定的发光元件容易得到高再现性。该叔胺还包括咔唑骨架，所以具有较高的热稳定性且使可靠性得到提高。该叔胺还包括芴胺骨架、螺芴胺骨架或联苯胺骨架，因此具有高空穴传输性和高电子阻挡性。另外，与包括萘骨架的胺等相比，该叔胺具有高三重激发态能，所以具有良好的激子阻挡性。于是，即使在高亮度区域中也能够防止电子的泄漏或激子的扩散，因此，发光元件可以实现高发光效率。
下面，将对可用作包含在发光层303中的第一有机化合物、第二有机化合物和磷光化合物的材料进行详细的说明。
<第一有机化合物>
第一有机化合物由通式（G0）表示，第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000。
[化学式9]
在通式（G0）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基，并且Ar3表示包括咔唑骨架的取代基。
在通式（G0）中芴基、螺芴基或联苯基具有取代基的情况下，作为该取代基的例子有碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基以及未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基。由通式（G0）表示且具有这些取代基中的任一的化合物不容易具有比不具有该取代基的化合物低的空穴传输性、电子阻挡性和激子阻挡性（或可以具有与不具有该取代基的化合物一样高的空穴传输性、电子阻挡性和激子阻挡性）。
作为Ar3的例子有取代或未取代的（9H-咔唑-9-基）苯基、取代或未取代的（9H-咔唑-9-基）联苯基、取代或未取代的（9H-咔唑-9-基）三联苯基、取代或未取代的（9-芳基-9H-咔唑-3-基）苯基、取代或未取代的（9-芳基-9H-咔唑-3-基）联苯基、取代或未取代的（9-芳基-9H-咔唑-3-基）三联苯基、取代或未取代的9-芳基-9H-咔唑-3-基等。作为芳基的具体例子有未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基等。注意，在Ar3具有取代基的情况下，作为该取代基的例子有碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基等。这些取代基都可以抑制由通式（G0）表示的化合物的高空穴传输性、电子阻挡性和激子阻挡性的损失。
优选的是，包含在发光层303中的第一有机化合物由下述通式（G1）表示。
[化学式10]
在通式（G1）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基；n表示0或1；并且A表示取代或未取代的3-咔唑基。
通式（G1）中的α的具体结构的例子由结构式（1-1）至（1-9）表示。
[化学式11]
更优选的是，包含在发光层303中的第一有机化合物由下述通式（G2）表示。
[化学式12]
在通式（G2）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基；Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基。
特别优选的是，包含在发光层303中的第一有机化合物由下述通式（G3）表示。
[化学式13]
在通式（G3）中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基；R1至R4、R11至R17以及R21至R25分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。
优选的是，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺环-9,9＇-二芴-2-基、或者联苯-4-基。由于包括这些骨架中的任一个的叔胺具有高空穴传输性和高电子阻挡性，并且因为其三重激发态能高于包括萘骨架的胺等而具有良好的激子阻挡性，所以是优选的。在联苯基、芴基和螺芴基中，具有这些取代位置的取代基因为容易合成且廉价，所以是优选的。
通式（G2）及（G3）中的R1至R4、R11至R17以及R21至R25的具体结构的例子由结构式（2-1）至（2-17）表示。在上述各通式中芴基、螺芴基或联苯基具有取代基的情况下，作为该取代基的例子有碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基以及未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。作为这些取代基的具体结构的例子，可以举出结构式（2-2）至（2-17）所示的取代基。作为通式（G2）中的Ar4的具体结构的例子有结构式（2-2）至（2-17）所示的取代基。
[化学式14]
作为由通式（G0）表示的有机化合物的具体例子有由结构式（101）至（142）表示的有机化合物。注意，本发明不局限于这些例子。
[化学式15]
[化学式16]
[化学式17]
[化学式18]
[化学式19]
[化学式20]
[化学式21]
[化学式22]
[化学式23]
<第二有机化合物>
第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。作为具有电子传输性的化合物，可以使用缺π电子芳香杂环化合物诸如含氮芳香杂环化合物、具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑基或噻唑基配体的金属配合物等。
具体而言，有如下例子：金属配合物，诸如双（10-羟基苯并[h]喹啉）铍（Ⅱ）（简称：BeBq2）、双（2-甲基-8-羟基喹啉）（4-苯基苯酚）铝（Ⅲ）（简称：BAlq）、双（8-羟基喹啉）锌（Ⅱ）（简称：Znq）、双[2-（2-苯并噻唑基）苯酚]锌（Ⅱ）（简称：Zn（BOX）2）以及双[2-（2-苯并噻唑基）苯酚]（Ⅱ）锌（简称：Zn（BTZ）2）；具有多唑骨架（polyazole skeleton）的杂环化合物，诸如2-（4-联苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（简称：PBD）、3-（4-联苯基）-4-苯基-5-（4-叔丁基苯基）-1,2,4-三唑（简称：TAZ）、1,3-双[5-（对叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑-2-基]苯（简称：OXD-7）、9-[4-（5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基）苯基]-9H-咔唑（简称：CO11）、2,2＇,2＇＇-（1,3,5-苯三基）三（1-苯基-1H-苯并咪唑）（简称：TPBI）以及2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]-1-苯基-1H-苯并咪唑（简称：mDBTBIm-II）；具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物，诸如2-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTPDBq-II）、7-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：7mDBTPDBq-II）、6-[3-（二苯并噻吩-4-基）苯基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：6mDBTPDBq-II）、2-[3＇-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f,h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-II）、2-[3＇-（9H-咔唑-9-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mCzBPDBq）；具有二嗪骨架（嘧啶骨架或吡嗪骨架）的杂环化合物，诸如4,6-双[3-（菲-9-基）苯基]嘧啶（简称：4,6mPnP2Pm）、4，6-双[3-（9H-咔唑-9-基）苯基]嘧啶（简称：4,6mCzP2Pm）、4,6-双[3-（4-二苯并噻吩基）苯基]嘧啶（简称：4,6mDBTP2Pm-II）；以及具有吡啶骨架的杂环化合物，诸如3,5-双[3-（9H-咔唑-9-基）苯基]吡啶（简称：35DCzPPy）、1,3,5-三[3-（3-吡啶）苯基]苯（简称：TmPyPB）以及3,3＇,5,5＇-四[（间吡啶）-苯-3-基]联苯（简称：BP4mPy）。在上述物质中，具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物及具有吡啶骨架的杂环化合物因为具有高可靠性，所以是优选的。
<磷光化合物>
在此举出可用于发光层303的磷光化合物的例子。作为在440nm至520nm具有发光峰值的磷光化合物有如下例子：具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物，诸如三{2-[5-（2-甲基苯基）-4-（2,6-二甲基苯基）-4H-1,2,4-三唑-3-基-κN2]苯基-κC}铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mpptz-dmp）3]）、三（5-甲基-3,4-二苯基-4H-1,2,4-三唑（triazolato））铱（III）（简称：[Ir（Mptz）3]）以及三[4-（3-联苯）-5-异丙基-3-苯基-4H-1,2,4-三唑（triazolato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（iPrptz-3b）3]）；具有1H-三唑骨架的有机金属铱配合物，诸如三[3-甲基-1-（2-甲基苯基）-5-苯基-1H-1,2,4-三唑（triazolato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Mptz1-mp）3]）以及三（1-甲基-5-苯基-3-丙基-1H-1,2,4-三唑）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Prptz1-Me）3]）；具有咪唑骨架的有机金属铱配合物，诸如fac-三[1-（2,6-二异丙基苯基）-2-苯基-1H-咪唑]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（iPrpmi）3]）以及三[3-（2,6-二甲基苯基）-7-甲基咪唑并[1,2-f]菲啶根（phenanthridinato）]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（dmpimpt-Me）3]）；以及具有吸电子基的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属铱配合物，诸如双[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-N,C2]铱（Ⅲ）四（1-吡唑基）硼酸盐（简称：FIr6）、双[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-N,C2]铱（Ⅲ）吡啶甲酸酯（简称：FIrpic）、双{2-[3＇,5＇-双（三氟甲基）苯基]吡啶根-N,C2}铱（Ⅲ）吡啶甲酸酯（简称：[Ir（CF3ppy）2（pic）]）、双[2-（4＇,6＇-二氟苯基）吡啶根-N,C2]铱（Ⅲ）乙酰丙酮（简称：FIr(acac)）。在上述物质中，具有4H-三唑骨架的有机金属铱配合物因为具有高可靠性及高发光效率，所以是特别优选的。
作为在520nm至600nm具有发光峰值的磷光化合物有如下例子：具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物，诸如三（4-甲基-6-苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mppm）3]）、三（4-叔丁基-6-苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tBuppm）3]）、（乙酰丙酮根）双（6-甲基-4-苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tBuppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）双[4-（2-降冰片基）-6-苯基嘧啶基]铱（Ⅲ）（内型、外型混合物）（简称：[Ir（nbppm）2（acac）]）、（乙酰丙酮根）双[5-甲基-6-（2-甲基苯基）-4-苯基嘧啶根]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mpmppm）2（acac）]）以及（乙酰丙酮根）双（4,6-二苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（dppm）2（acac）]）；具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物，诸如（乙酰丙酮根）双（3,5-二甲基-2-苯基吡嗪根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mppr-Me）2（acac）]）以及（乙酰丙酮根）双（5-异丙基-3-甲基-2-苯基吡嗪根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（mppr-iPr）2（acac）]）；具有吡啶骨架的有机金属铱配合物，诸如三（2-苯基吡啶根-N,C2）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（ppy）3]）、双（2-苯基吡啶根-N,C2）铱（Ⅲ）乙酰丙酮（简称：[Ir（ppy）2（acac）]）、双（苯并[h]喹啉）铱（Ⅲ）乙酰丙酮（简称：[Ir（bzq）2（acac）]）、三（苯并[h]喹啉）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（bzq）3]）、三（2-苯基喹啉-N,C2]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（pq）3]）以及双（2-苯基喹啉-N,C2＇）铱（Ⅲ）乙酰丙酮（简称：[Ir（pq）2（acac）]）；以及稀土金属配合物，诸如三（乙酰丙酮根）（单菲咯啉）铽（Ⅲ）（简称：[Tb（acac）3（Phen）]）。在上述物质中，具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物因为具有显著高的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。
作为在600nm至700nm具有发光峰值的磷光化合物有如下例子：具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物，诸如（二异丁酰甲桥）双[4,6-双（3-甲基苯基）嘧啶根]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（5mdppm）2（dibm）]）、双[4,6-双（3-甲基苯基）嘧啶根]（二新戊酰基甲烷根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（5mdppm）2（dpm）]）以及双[4,6-二（萘-1-基）嘧啶根]（二新戊酰基甲烷根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（d1npm）2（dpm）]）；具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物，诸如（乙酰丙酮根）双（2,3,5-三苯基吡嗪根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tppr）2（acac）]）、双（2,3,5-三苯基吡嗪根）（二新戊酰基甲烷根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tppr）2（dpm）]）以及（乙酰丙酮根）双[2,3-双（4-氟苯基）喹喔啉合]铱（Ⅲ）（简称：[Ir（Fdpq）2（acac）]）；具有吡啶骨架的有机金属铱配合物，诸如三（1-苯基异喹啉-N,C2）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（piq）3]）以及双（1-苯基异喹啉-N,C2）铱（Ⅲ）乙酰丙酮（简称：[Ir（piq）2（acac）]）；铂配合物，诸如2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟啉铂（Ⅱ）（简称：PtOEP）；以及稀土金属配合物，诸如三（1,3-二苯基-1,3-丙二酮（propanedionato））（单菲咯啉）铕（Ⅲ）（简称：[Eu（DBM）3（Phen）]）以及三[1-（2-噻吩甲酰基）-3,3,3-三氟丙酮]（单菲咯啉）铕（Ⅲ）（简称：[Eu（TTA）3（Phen）]）。在物质中，具有嘧啶骨架的有机金属铱配合物因为具有显著高的可靠性及发光效率，所以是特别优选的。此外，具有吡嗪骨架的有机金属铱配合物可以提供色度良好的红色发光。
通过使用上述包含第一有机化合物、第二有机化合物和磷光化合物的发光层，可以制造具有长使用寿命的发光元件。此外，通过使用该发光层，可以制造在高亮度区域中呈现高发光效率的发光元件。
另外，通过设置多个发光层并使该各发光层的发光颜色互不相同，可以从发光元件整体得到所希望的颜色的发光。例如，在具有两个发光层的发光元件中，第一和第二发光层的发光颜色是互补的，因此可以使发光元件作为整体发射白色光。注意，“互补”这用语是指在颜色混合时得到无彩色的颜色关系。即，通过将从发光颜色为补色的物质发射的光混合，可以得到白色发光。此外，这同样适用于具有三个以上的发光层的发光元件。注意，在本发明的一个方式的包括多个发光层的发光元件中，至少一个发光层具有上述结构（包含第一有机化合物、第二有机化合物和磷光化合物），并且所有发光层可以具有上述结构。
除了发光层以外，EL层203还可以包括一个以上的包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质和双极性的物质（电子传输性及空穴传输性高的物质）等中的任一个的层。已知的物质可以用于EL层203。可以使用低分子化合物和高分子化合物中的任一种，还可以使用无机化合物。
图1B所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间包括EL层203，并且在该EL层203中，从第一电极201一侧依次层叠有空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、电子传输层304及电子注入层305。
图1C所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间包括EL层203，并在EL层203和第二电极205之间还包括中间层207。
图1D示出中间层207的结构的具体例子。中间层207至少包括电荷产生区域308。除了电荷产生区域308之外，中间层207还可以包括电子中继层307和电子注入缓冲层306。在图1D中，该发光元件包括第一电极201上的EL层203、EL层203上的中间层207以及中间层207上的第二电极205。此外，作为图1D中的中间层207，从EL层203一侧依次设置有电子注入缓冲层306、电子中继层307及电荷产生区域308。
当高于发光元件的阈值电压的电压被施加到第一电极201和第二电极205之间时，在电荷产生区域308中产生空穴和电子，并且空穴移动到第二电极205中，而电子移动到电子中继层307中。电子中继层307具有高电子传输性，并立即将在电荷产生区域308中产生的电子传送到电子注入缓冲层306。电子注入缓冲层306降低电子注入到EL层203的势垒，并提高电子注入到EL层203的效率。如此，在电荷产生区域308中产生的电子经过电子中继层307和电子注入缓冲层306注入到EL层203的LUMO（Lowest Unoccupied Molecular Orbital：最低未占有分子轨道）能级。
此外，电子中继层307可以防止包含在电荷产生区域308的物质和包含在电子注入缓冲层306的物质在界面处起反应。因此，能够防止损坏电荷产生区域308与电子注入缓冲层306的功能等的相互作用。
如图1E和图1F中的发光元件所示，可以在第一电极201与第二电极205之间层叠有多个EL层。在此情况下，中间层207优选设置在所层叠的EL层之间。例如，图1E所示的发光元件在第一EL层203a和第二EL层203b之间包括中间层207。图1F所示的发光元件包括n个EL层（n是2以上的自然数）以及中间层207，该中间层207位于第mEL层203（m）与第（m＋1）EL层203（m＋1）之间。注意，在包括多个EL层的本发明的一个方式的发光元件中，上述结构（包含第一有机化合物、第二有机化合物和磷光化合物）应用于至少一个EL层，而可以应用于所有EL层。
对设置在EL层203（m）和EL层203（m＋1）之间的中间层207中的电子和空穴的举动进行说明。当高于发光元件的阈值电压的电压被施加到第一电极201和第二电极205之间时，在中间层207中产生空穴和电子，并且空穴移动到设置在第二电极205一侧的EL层203（m＋1），而电子移动到设置在第一电极201一侧的EL层203（m）。注入到EL层203（m＋1）中的空穴与从第二电极205一侧注入的电子复合，由此包含在该EL层203（m＋1）中的发光物质发光。另外，注入到EL层203（m）中的电子与从第一电极201一侧注入的空穴复合，由此包含在该EL层203（m）中的发光物质发光。因此，在中间层207中产生的空穴和电子造成不同的EL层中的发光。
注意，当可以在其间形成有与中间层相同的结构时，EL层可以相互接触地设置。例如，当电荷产生区域形成于EL层的一个表面上时，另一个EL层可以与该表面接触地设置。
另外，通过使EL层的发光颜色互不相同，可以从发光元件整体得到所希望的颜色的发光。例如，在具有两个EL层的发光元件中，第一和第二EL层的发光颜色是互补的，因此可以使发光元件作为整体发射白色光。这同样适用于具有三个以上的EL层的发光元件。
可以适当地组合图1B至图1E。例如，在图1F中，中间层207可以设置在第二电极205与EL层203（n）之间。
下面举出可以用于各层的材料的例子。注意，各层不局限于单层，而可以为两层以上的叠层。
<阳极>
用作阳极的电极（本实施方式中的第一电极201）可以使用导电性金属、导电性合金、导电性化合物等中的一种或多种形成。尤其是，优选使用功函数大（4.0eV以上）的材料。其例子包括：铟锡氧化物（ITO）、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物、含有氧化钨及氧化锌的氧化铟、石墨烯、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、以及金属材料的氮化物（例如，氮化钛）。
当阳极与电荷产生区域接触时，与其功函数的大小无关地可以使用各种导电材料中的任一个；例如，可以使用铝、银或包含铝的合金等。
<阴极>
用作阴极的电极（本实施方式中的第二电极205）可以使用导电性金属、导电性合金、导电性化合物等中的一种或多种形成。尤其是，优选使用功函数小（3.8eV以下）的材料。其例子包括：铝、银、属于元素周期表的第1族或第2族的元素（例如，碱金属诸如锂或铯、碱土金属诸如钙或锶、或者镁）、包含这些元素的合金（例如，Mg-Ag或Al-Li）、稀土金属诸如铕或镱、以及包含这些稀土金属的合金。
注意，在阴极与电荷产生区域接触的情况下，与其功函数的大小无关地可以使用各种导电材料中的任一个。例如，可以使用ITO、硅或包含氧化硅的铟锡氧化物。
发光元件可以具有阳极和阴极中的一个通过使用使可见光透过的导电膜形成而另一个通过使用反射可见光的导电膜形成的结构、或阳极和阴极的双方都通过使可见光透过的导电膜形成的结构。
使可见光透过的导电膜例如可以使用氧化铟、ITO、铟锌氧化物、氧化锌或添加有镓的氧化锌而形成。另外，可以通过将金属材料诸如金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛、或者这些金属材料中的任一个的氮化物（例如,氮化钛）的膜形成得薄以使其具有透光性。再者，可以使用石墨稀等。
反射可见光的导电膜例如可以使用金属材料诸如铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯；含有铝的合金（铝合金）诸如铝和钛的合金、铝和镍的合金或铝和钕的合金；或者含有银的合金诸如银和铜的合金来形成。银和铜的合金因为具有高耐热性，所以是优选的。此外，镧、钕或锗可以添加到上述金属材料或合金中。
各个电极可以分别通过真空蒸镀法或溅射法形成。另外，当使用银膏等时，可以使用涂敷法或喷墨法。
<空穴注入层301>
空穴注入层301包含具有高空穴注入性的物质。
作为具有高空穴注入性的物质的例子有金属氧化物诸如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物以及锰氧化物。
还可以使用酞菁类化合物诸如酞菁（简称：H2Pc）或酞菁铜（Ⅱ）（简称：CuPc）。
此外，可以使用作为低分子有机化合物的芳香胺化合物，诸如4,4＇,4＇＇-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺（简称：TDATA）、4,4＇,4＇＇-三[N-（3-甲基苯基）-N-苯基氨基]三苯胺（简称：MTDATA）、4,4＇-双[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]联苯（简称：DPAB）、4,4＇-双（N-{4-[N＇-（3-甲基苯基）-N＇-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基）联苯（简称：DNTPD）、1,3,5-三[N-（4-二苯基氨基苯基）-N-苯基氨基]苯（简称：DPA3B）、3-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA1）、3,6-双[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCA2）或3-[N-（1-萘基）-N-（9-苯基咔唑-3-基）氨基]-9-苯基咔唑（简称：PCzPCN1）。
另外，可以使用高分子化合物，诸如聚（N-乙烯基咔唑）（简称：PVK）、聚（4-乙烯基三苯胺）（简称：PVTPA）、聚[N-（4-{N＇-[4-（4-二苯基氨基）苯基]苯基-N＇-苯基氨基}苯基）甲基丙烯酰胺]（简称：PTPDMA）或聚[N,N＇-双（4-丁基苯基）-N,N＇-双（苯基）联苯胺]（简称：Poly-TPD）、或者添加有酸的高分子化合物，诸如聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT/PSS）或聚苯胺/聚（苯乙烯磺酸）（PAni/PSS）。
空穴注入层301可以用作电荷产生区域。当接触于阳极的空穴注入层301用作电荷产生区域时，与其功函数无关地可以将各种导电材料中的任一用于该阳极。下面，将说明包含在电荷产生区域中的材料。
<空穴传输层302>
空穴传输层302具有高包含空穴传输性的物质。具有高空穴传输性的物质是具有传输空穴比传输电子更多的特性的物质，并特别优选是具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的物质。
可以将由上述通式（G0）至（G3）表示的有机化合物的任一个用于空穴传输层302。当将由上述通式（G0）至（G3）表示的有机化合物的任一个用于空穴传输层302和发光层303的双方时，可以降低空穴注入势垒，因此不但可以提高发光效率，还可以降低驱动电压。换言之，通过采用这种结构，不仅如上所述那样能够在高亮度区域中保持高发光效率，并且还可以使驱动电压保持为低。其结果，可以得到即便在亮度高的情况下也电压的损失所导致的功率效率的降低少的发光元件，即具有高功率效率（低功耗）的发光元件。从空穴注入势垒的观点来看，特别优选的是，空穴传输层302和发光层303包含相同的有机化合物。
具有高空穴传输性的物质的其他例子是芳香胺化合物诸如4,4＇-双[N-（1-萘基）-N-苯基氨基]联苯（简称：NPB或a-NPD）、N,N＇-双（3-甲基苯基）-N,N＇-二苯基-[1,1＇-联苯]-4,4＇-二胺（简称：TPD）、4-苯基-4＇-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）、4,4＇-双[N-（9，9-二甲基芴-2-基）-N-苯基胺基]联苯（简称：DFLDPBi）以及4,4＇-双[N-（螺-9,9＇-二芴-2-基）-N-苯基氨基]联苯（简称：BSPB）。
此外，可以使用咔唑衍生物诸如4,4＇-二（N-咔唑基）联苯（简称：CBP）、9-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：CzPA）或9-苯基-3-[4-（10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（简称：PCzPA）。
此外，可以使用芳香烃化合物诸如2-叔丁基-9,10-二（2-萘基）蒽（简称：t-BuDNA）、9,10-二（2-萘基）蒽（简称：DNA）或9,10-二苯基蒽（简称：DPAnth）。
还可以使用高分子化合物诸如PVK、PVTPA、PTPDMA或Poly-TPD。
<电子传输层304>
电子传输层304包含具有高电子传输性的物质。
具有高电子传输性的物质是具有传输电子比传输空穴更多的特性的有机化合物，并特别优选是具有10-6cm2/Vs以上的电子迁移率的物质。
可以将包含在发光层303中的第二有机化合物（具有电子传输性的化合物）用于电子传输层304。
可以将金属配合物诸如三（8-羟基喹啉根合）铝（Ⅲ）（简称：Alq）或三（4-甲基-8-羟基喹啉根合）铝（Ⅲ）（简称：Almq3）用于电子传输层304。
此外，可以使用芳香杂环化合物诸如红菲绕啉（简称：BPhen）、浴铜灵（简称：BCP）、3-（4-叔丁基苯基）-4-（4-乙基苯基）-5-（4-联苯基）-1,2,4-三唑（简称：p-EtTAZ）或4,4＇-双（5-甲基苯并噁唑-2-基）二苯乙烯（简称：BzOs）。
另外，可以使用高分子化合物诸如聚（2,5-吡啶二基）（简称：PPy）、聚[（9,9-二己基芴-2,7-二基）-共-（吡啶-3,5-二基）]（简称：PF-Py）或聚[（9,9-二辛基芴-2,7-二基）-共-（2,2＇-联吡啶-6,6＇-二基）]（简称：PF-BPy）。
<电子注入层305>
电子注入层305包含具有高电子注入性的物质。
作为具有高电子注入性的物质的例子有碱金属、碱土金属、稀土金属以及其化合物（例如，其氧化物、其碳酸盐及其卤化物），诸如锂、铯、钙、氧化锂、碳酸锂、碳酸铯、氟化锂、氟化铯、氟化钙及氟化铒。
电子注入层305可以包含上述具有高电子传输性的物质和施主物质。例如，电子注入层305可以通过使用包含镁（Mg）的Alq层形成。当包含电子传输性高的物质和施主物质时，施主物质相对于电子传输性高的物质的质量比优选为0.001:1至0.1:1。
作为施主物质的例子有碱金属、碱土金属、稀土金属及其化合物（例如，其氧化物），诸如锂、铯、镁、钙、铒、镱、氧化锂、钙氧化物、钡氧化物及氧化镁；路易斯碱；以及有机化合物诸如四硫富瓦烯（简称：TTF）、四硫萘并萘（tetrathianaphthacene）（简称：TTN）、二茂镍或十甲基二茂镍。
<电荷产生区域>
包括在空穴注入层的电荷产生区域和电荷产生区域308都包含具有高空穴传输性的物质和受主物质（电子受主）。优选以受主物质相对于空穴传输性高的物质的质量比为0.1:1至4.0:1的方式添加受主物质。
电荷产生区域不局限于具有高空穴传输性的物质和受主物质包含在同一个膜中的结构，而可以具有层叠有包含具有高空穴传输性的物质的层和包含受主物质的的层的结构。注意，在采用在阴极一侧设置有电荷产生区域的叠层结构的情况下，包含具有高空穴传输性的物质的层与阴极接触，而在采用在阳极一侧设置有电荷产生区域的叠层结构的情况下，包含受主物质的层与阳极接触。
具有高空穴传输性的物质是具有传输空穴比传输电子更多的特性的有机化合物，并特别优选为具有10-6cm2/Vs以上的空穴迁移率的有机化合物。
具体而言，可以使用由上述通式（G0）表示的化合物或者作为可用于空穴传输层302的物质的例子举出的具有高空穴传输性的物质中的任一个，例如，可以使用芳香胺化合物诸如NPB及BPAFLP、咔唑衍生物诸如CBP、CzPA及PCzPA、芳烃化合物诸如t-BuDNA、DNA及DPAnth和高分子化合物诸如PVK及PVTPA。
作为受主物质的例子有卤化合物诸如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷（简称：F4-TCNQ）及氯醌、氰化合物诸如吡嗪并[2，3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈（简称：PPDN）及二吡嗪并（dipyrazino）[2,3-f:2＇,3＇-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六甲腈（简称：HAT-CN）、过渡金属氧化物、以及属于元素周期表的第4至8族的金属的氧化物。具体而言，氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼因为具有高电子接受性，所以是优选的。尤其氧化钼是优选的，因为其在大气中较稳定，具有低吸湿性，并容易处理。
<电子注入缓冲层306>
电子注入缓冲层306包含具有高电子注入性的物质。电子注入缓冲层306有助于使电子更易于从电荷产生区域308注入到EL层203。作为具有高电子注入性的物质,可以使用上述材料的任一个。此外，电子注入缓冲层306可以包含上述具有高电子传输性的物质中的任一个和施主物质。
<电子中继层307>
电子中继层307立即接收在电荷产生区域308中受主物质所抽出的电子。
电子中继层307包含具有高电子传输性的物质。作为该具有高电子传输性的物质，优选使用酞菁类材料或具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物。
作为该酞菁类材料，具体而言，可以使用CuPc、酞菁锡（Ⅱ）配合物（SnPc）、酞菁锌配合物（ZnPc）、酞菁钴（Ⅱ），β-型（CoPc）、酞菁铁（FePc）或2,9,16,23-四苯氧基-29H,31H-酞菁氧钒（PhO-VOPc）。
作为具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物，优选使用具有金属-氧的双键的金属配合物。金属-氧的双键具有受主性；因此，可以使电子的移动（施受）变得更容易。
作为具有金属-氧键合和芳香配体的金属配合物，更优选使用酞菁类材料。尤其是，钒氧酞菁（VOPc）、酞菁氧化锡（Ⅳ）配合物（SnOPc）或酞菁氧化钛配合物（TiOPc）因为在分子结构方面金属-氧的双键更容易对其他分子起作用，并且其受主性高，所以是优选的。
作为酞菁类材料，优选使用具有苯氧基的酞菁类材料。具体而言，优选使用具有苯氧基的酞菁衍生物诸如PhO-VOPc。具有苯氧基的酞菁衍生物是在溶剂中可溶的；因此，该酞菁衍生物具有在发光元件的形成过程中容易处理的优势以及便于维护用于成膜的装置的优势。
作为具有高电子传输性的物质的其他例子有苝衍生物诸如3,4,9,10-苝四羧酸二酐（简称：PTCDA）、3,4,9,10-苝四羧酸双苯并咪唑（简称：PTCBI）、N,N＇-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亚胺（简称：PTCDI-C8H）、N,N＇-二己基-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亚胺（简称：Hex PTC）等。此外，可以使用含氮稠环芳香化合物诸如吡嗪并[2，3-f][1,10]菲咯啉-2,3-二甲腈（简称：PPDN）、2,3,6,7,10,11-六氰-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（简称：HAT（CN）6）、2,3-二苯基吡啶并[2,3-b]吡嗪（简称：2PYPR）或2,3-双（4-氟苯基）吡啶并[2,3-b]吡嗪（简称：F2PYPR）。因为含氮稠环芳香化合物较稳定，所以优选用于电子中继层307。
并且，可以使用7,7,8,8,-四氰基对醌二甲烷（简称：TCNQ）、1,4,5,8-萘四羧酸二酐（简称：NTCDA）、全氟并五苯（perfluoropentacene）、十六氟酞菁铜（简称：F16CuPc）、N,N＇-双（2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-十五氟辛基）-1,4,5,8-萘四羧酸二酰亚胺（简称：NTCDI-C8F）、3＇,4＇-二丁基-5,5＇＇-双（二氰基亚甲基）-5,5＇＇-二氢-2,2＇:5＇,2＇＇-三噻吩（简称：DCMT）或亚甲基富勒烯（例如，[6,6]-苯基C61酪酸甲酯）。
电子中继层307还可以包含上述施主物质。当该施主物质包含在电子中继层307中时，可以更容易地使电子移动，并且发光元件能够以更低的电压驱动。
具有高电子传输性的物质和施主物质的LUMO能级优选为-5.0eV至-3.0eV，即，位于包含在电荷产生区域308中的受主物质的LUMO能级与包含在电子传输层304中的具有高电子传输性的物质的LUMO能级（或与电子中继层307或其间的电子注入缓冲层306接触的EL层203的LUMO能级）之间。当施主物质包含在电子中继层307中时，作为具有高电子传输性的物质，可以使用具有比包含在电荷产生区域308中的受主物质的受主能级高的LUMO能级的物质。
包含在EL层203及中间层207中的上述层可以分别通过如下方法中的任一个来形成：蒸镀法（包括真空蒸镀法）、转印法、印刷法、喷墨法和涂敷法等。
通过使用本实施方式所示的发光元件，可以制造无源矩阵型发光装置或由晶体管控制发光元件的驱动的有源矩阵型发光装置。再者，该发光装置可以应用于电子设备或照明装置等。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，使用图2A至图2C对本发明的一个方式的发光元件进行说明。
图2A所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间包括EL层203。EL层203包括发光层213。
在图2A所示的发光元件中，发光层213包含第一有机化合物221、第二有机化合物222及磷光化合物223。第一有机化合物221由实施方式1所示的通式（G0）表示，并具有大于或等于500且小于或等于2000的分子量。第二有机化合物222是具有电子传输性的化合物。
磷光化合物223是发光层213中的客体材料。在本实施方式中，第一有机化合物221和第二有机化合物222中的一个有机化合物是发光层213中的主体材料，该有机化合物的含量在发光层213中高于另一个有机化合物。
注意，优选的是，第一有机化合物221和第二有机化合物222的各三重态激发能级（T1能级）都高于磷光化合物223。这是因为，在第一有机化合物221（或第二有机化合物222）的T1能级低于磷光化合物223时，有助于发光的磷光化合物223的三重态激发能被第一有机化合物221（或第二有机化合物222）猝灭（quench），而导致发光效率下降。
在此，为了提高从主体材料到客体材料的能量转移效率，考虑到福斯特（Förster）机理（偶极-偶极相互作用）及德克斯特（Dexter）机理（电子交换相互作用），这些是作为分子之间的能量转移的机理众所周知的。根据该机理，优选的是，主体分子的发射光谱（由单重激发态的能量转移中的荧光光谱以及由三重激发态的能量转移中的磷光光谱）与客体分子的吸收光谱（具体而言，最长波长（最低能量）一侧的吸收带中的光谱）在很大程度上重叠。
然而，在作为客体材料使用磷光化合物的情况下，难以得到主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（最低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱之间的重叠。这是因为如下缘故：若主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（最低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠，因为主体材料的磷光光谱位于比荧光光谱长的波长（比荧光光谱低的能量）一侧，所以主体材料的T1能级则比磷光化合物的T1能级变低，而导致上述猝灭的问题；但，在为了避免猝灭的问题而将主体材料的T1能级设定为高于磷光化合物的T1能级时，主体材料的荧光光谱转移到更短的波长（更高的能量）一侧，因此该荧光光谱不具有与客体材料的最长波长（最低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱的任何重叠。因此，一般而言，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长（最低能量）一侧的吸收带中的吸收光谱重叠以使主体材料的由单重激发态的能量的转移增至最大限度。
于是，在本实施方式中，第一有机化合物221和第二有机化合物222的组合形成激基复合物。
使用图2B和图2C对激基复合物进行说明。
图2B是示出激基复合物的概念的模式图；示出第一有机化合物221（或第二有机化合物222）的荧光光谱、第一有机化合物221（或第二有机化合物222）的磷光光谱、磷光化合物223的吸收光谱以及激基复合物的发射光谱。
例如，在发光层213中，第一有机化合物221的荧光光谱及第二有机化合物222的荧光光谱被转换成位于更长的波长一侧的激基复合物的发射光谱。并且，当以使激基复合物的发射光谱与磷光化合物223（客体材料）的吸收光谱在很大程度上重叠的方式选择第一有机化合物221和第二有机化合物222时，可以最大限度地提高由单重激发态的能量转移（参照图2B）。
注意，至于三重激发态，也被认为，发生由激基复合物的能量转移，而不发生由主体材料的能量转移。
因此，由于所形成的激基复合物的发射波长比第一有机化合物221和第二有机化合物222的各自的发射波长（荧光波长）长，所以第一有机化合物221的荧光光谱或第二有机化合物222的荧光光谱可以成为位于更长的波长一侧的发射光谱。
此外，被认为，在激基复合物的单重态激发能与三重态激发能之间具有极小的差异。换言之，由单重态的激基复合物的发射光谱与由三重态的其发射光谱相互极为接近。因此，在如上所述那样将激基复合物的发射光谱（一般是指由单重态的激基复合物的发射光谱）设定为与位于最长波长一侧的磷光化合物223（客体材料）的吸收带重叠的情况下，由三重态的激基复合物的发射光谱（在很多情况下在常温下观察不到并即便在低温下也观察不到的）也与位于最长波长一侧的磷光化合物223（客体材料）的吸收带重叠。换言之，除了由单重激发态的能量转移效率之外，由三重激发态的能量转移效率也能够得到提高，其结果，由单重态和三重态的双方能够高效地得到发光。
如此，本发明的一个方式的发光元件通过利用形成在发光层213中的激基复合物的发射光谱与磷光化合物223（客体材料）的吸收光谱之间的重叠而将能量转移，所以具有高能量转移效率。
此外，激基复合物只在激发态下存在，所以没有能够吸收能量的基态。因此，被认为在原理上不会发生：由于能量从单重激发态和三重激发态下的磷光化合物223（客体材料）转移到激基复合物，在发光之前磷光化合物223（客体材料）失活（即，发光效率降低）的现象。
注意，上述激基复合物通过激发态下的异种分子间的相互作用形成。一般已知激基复合物在具有相对深的LUMO能级的材料与具有相对浅的最高占据分子轨道（HOMO）能级的材料之间容易形成。
在此，使用图2C说明第一有机化合物221、第二有机化合物222和激基复合物的能级的概念。注意，图2C示意性地示出第一有机化合物221、第二有机化合物222和激基复合物的能级。
第一有机化合物221和第二有机化合物222的HOMO能级与LUMO能级互不相同。具体而言，能级按如下顺序不同：第二有机化合物222的HOMO能级＜第一有机化合物221的HOMO能级＜第二有机化合物222的LUMO能级＜第一有机化合物221的LUMO能级。在激基复合物由这些两个有机化合物形成时，激基复合物的LUMO能级以及HOMO能级分别来源于第二有机化合物222以及第一有机化合物221（参照图2C）。
激基复合物的发射波长取决于HOMO能级与LUMO能级之间的能量之差。作为一般趋势，在该能量之差较大时发射波长较短，而在该能量之差较小时发射波长较长。
因此，激基复合物的能量差比第一有机化合物221的能量差及第二有机化合物222的能量差小。换言之，激基复合物的发射波长比第一有机化合物221和第二有机化合物222的各发射波长长。
作为本发明的一个方式的激基复合物的形成过程可以考虑到如下两个过程。
激基复合物的形成过程的一个是由具有载流子（阳离子或阴离子）的第一有机化合物221和第二有机化合物222形成激基复合物的过程。
一般而言，当在主体材料中电子和空穴复合时，激发能从激发态下的主体材料转移到客体材料，从而客体材料成为激发态而发光。在激发能从主体材料转移到客体材料之前，主体材料本身发光或激发能变成为热能，这导致激发能的部分失活。
然而，在本发明的一个方式中，激基复合物由具有载流子（阳离子或阴离子）的第一有机化合物221和第二有机化合物222形成；因此，可以抑制第一有机化合物221和第二有机化合物222的单重态激子的形成。换言之，可以存在有在不形成单重态激子的状态下直接形成激基复合物的过程。由此，可以防止单重态激发能的失活。因此，可以得到具有长使用寿命的发光元件。
例如，在第一有机化合物221是空穴传输性材料中的具有容易俘获空穴（载流子）的性质（具有较浅的HOMO能级）的空穴俘获性化合物，而第二有机化合物222是电子传输性材料中的具有容易俘获电子（载流子）的性质（具有较深的LUMO能级）的电子俘获性化合物的情况下，激基复合物由第一有机化合物221的阳离子和第二有机化合物222的阴离子直接形成。尤其将通过这种过程形成的激基复合物称为电致激基复合物（electroplex）。
如上所述，通过抑制第一有机化合物221和第二有机化合物222的单重激发态的产生并将能量从电致激基复合物转移到磷光化合物223（客体材料），可以得到具有高发光效率的发光元件。注意，在此情况下，同样抑制第一有机化合物221和第二有机化合物222的三重激发态的产生而直接形成激基复合物；因此，被认为发生从激基复合物至磷光化合物223（客体材料）的能量转移。
激基复合物的形成过程的另一个是在第一有机化合物221和第二有机化合物222中的一个形成单重态激子，然后与基态的另一个相互作用而形成激基复合物的基本过程。不同于电致激基复合物，在此情况下暂时产生第一有机化合物221或第二有机化合物222的单重激发态，但是这迅速地变换成激基复合物，所以能够抑制单重激发态能的失活及由单重激发态的反应等。这可以抑制第一有机化合物221或第二有机化合物222的激发能的失活；从而，能够得到具有长使用寿命的发光元件。注意，在此情况下，被认为第一有机化合物221或第二有机化合物222的三重激发态也同样迅速地变换成激基复合物而能量从激基复合物转移到磷光化合物223（客体材料）。
注意，在第一有机化合物221为空穴俘获性化合物而第二有机化合物222为电子俘获性化合物，并且这些化合物的HOMO能级之间的差异及LUMO能级之间的差异较大（具体而言，0.3eV以上）的情况下，空穴选择性地注入到第一有机化合物221，而电子选择性地注入到第二有机化合物222。在此情况下，被认为形成电致激基复合物的过程优先于经过单态激子形成激基复合物的过程。
一般而言，考虑到由主体材料的单重激发态或三重激发态到磷光化合物的能量转移。另一方面，本发明的一个方式与现有技术的很大不同之处在于：首先形成由主体材料和其他材料而成的激基复合物，然后使用由该激基复合物的能量转移。并且，这种上述不同之处提供以往没有的高发光效率。
注意，一般而言，在将激基复合物用于发光元件的发光层时具有能够控制发光颜色等的利用价值，但通常导致发光效率的大幅度下降。因此，激基复合物的使用在以前一直被认为不适合用来得到高效率的发光元件。然而，如本发明的一个方式所示，通过作为用于能量转移的介质使用激基复合物，却可以将发光效率提高到极限。这技术观念是与现有的固定观念相反的。
为了使激基复合物的发射光谱与磷光化合物223（客体材料）的吸收光谱充分地重叠，发射光谱的峰值的能量与吸收光谱中的最低能量一侧的吸收带的峰值的能量之差优选为0.3eV或更少。该差异更优选为0.2eV或更少，最优选为0.1eV或更少。
在本发明的一个方式的发光元件中，更优选的是，激基复合物的激发能充分地转移到磷光化合物223（客体材料），并且实质上观察不到来自激基复合物的发光。因此，能量优选经过激基复合物转移到磷光化合物223（客体材料）以使磷光化合物223发射磷光。
在本发明的一个方式的发光元件中作为主体材料使用磷光化合物的情况下，该主体材料本身容易发光而能量不容易转移到客体材料。在此情况下，若作为该主体材料使用的磷光化合物能够高效地发光即可，但由于主体材料引起浓度猝灭的问题，所以难以实现高发光效率。因此，第一有机化合物221和第二有机化合物222中的至少一个为荧光化合物（即，容易遭受由单重激发态的发光或热失活的化合物）的情况是有效的。所以，第一有机化合物221和第二有机化合物222中的至少一个优选为荧光化合物。
在本实施方式的发光元件中，由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物（客体材料）的吸收光谱之间的重叠的能量转移而能够提高能量转移效率；因此，发光元件可以实现高发光效率。
注意，本实施方式所示的结构可以与其他实施方式所示的结构适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照图3A和图3B对本发明的一个方式的发光装置进行说明。图3A是本发明的一个方式的发光装置的平面图，图3B是沿着图3A中的点划线A-B的截面图。
在本实施方式的发光装置中，发光元件403（第一电极421、EL层423以及第二电极425）设置在由支撑衬底401、密封衬底405以及密封材料407包围的空间415中。发光元件403具有底部发射结构；具体而言，使可见光透过的第一电极421设置在支撑衬底401上，EL层423设置在第一电极421上，并且反射可见光的第二电极425设置在EL层423上。
作为本实施方式的发光元件403，使用本发明的一个方式的发光元件。因为本发明的一个方式的发光元件具有长使用寿命，所以可以得到具有高可靠性的发光装置。此外，由于本发明的一个方式的发光元件在高亮度区域中呈现高发光效率，因此可以得到发光效率高的发光装置。
第一端子409a与辅助布线417及第一电极421电连接。在与辅助布线417重叠的区域中，将绝缘层419设置在第一电极421上。第一端子409a由绝缘层419与第二电极425电绝缘。第二端子409b电连接于第二电极425。注意，虽然在本实施方式中第一电极421形成在辅助布线417上，但是辅助布线417可以形成在第一电极421上。
因为有机EL元件在具有大于大气的折射率的区域中发光，所以在光被提取到大气中时在一定条件下在有机EL元件内或在有机EL元件与大气之间的界面处可能会发生全反射，这导致有机EL元件的光提取效率低于100%。
因此，光提取结构411a优选设置在支撑衬底401与大气之间的界面。支撑衬底401的折射率高于大气。因此，在支撑衬底401与大气之间的界面处被设置时，光提取结构411a可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此可以提高发光装置的光提取效率。
另外，光提取结构411b优选设置在发光元件403与支撑衬底401之间的界面。
然而，第一电极421的凹凸会引起形成于第一电极421上的EL层423中产生泄漏电流。因此，在本实施方式中，将具有高于或等于EL层423的折射率的平坦化层413设置为与光提取结构411b接触。因此，第一电极421可以成为平坦的膜，并且可以抑制因第一电极421的凹凸而在EL层423中产生泄漏电流。此外，由于在平坦化层413与支撑衬底401之间的界面处的光提取结构411b，可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此能够使发光装置的光提取效率得到提高。
本发明不局限于如图3B所示那样的支撑衬底401、光提取结构411a及光提取结构411b为不同的构成要素的结构。这些构成要素中的两个或全部可以被形成为一个构成要素。此外，例如，在光提取结构411b中第一电极421不具有表面凹凸的情况下（例如在光提取结构411b不具有表面凹凸的情况下），不需要设置平坦化层413。
本发明不局限于如图3A所示那样的发光装置为八角形的结构。发光装置可以具有其他的多角形或具有曲线部的形状。尤其是，发光装置优选具有三角形、四角形或正六角形等，以便能够在有限的面积内无间隙地设置多个发光装置或有效地利用有限的衬底面积来形成发光装置。另外，包括在发光装置的发光元件的数量不局限于一个，而可以为一个以上。
光提取结构411a以及光提取结构411b的凹凸形状不需要具有规律性。当凹凸形状具有周期性时，凹凸根据凹凸的大小而起到衍射光栅的作用，以使干涉效应增加而具有特定波长的光容易被提取到大气中。因此，凹凸形状优选不具有周期性。
对凹凸的底面形状没有特别的限制；例如，作为该形状可以为多角形诸如三角形或四角形、圆形等。当凹凸的底面形状具有周期性时，该凹凸优选以其相邻的部分之间没有形成间隙的方式设置。作为优选的底面形状的例子可以举出正六角形。
对凹凸形状没有特别的限制；例如，可以使用半球状或者具有顶点的形状诸如圆锥、角锥（例如，三角锥或四角锥）或伞状。
特别优选的是，凹凸的大小或高度为大于或等于1μm，此时可以减少光干涉的影响。
光提取结构411a及光提取结构411b可以直接形成于支撑衬底401上。例如，光提取结构411a及光提取结构411b可以适当地使用如下方法中的任一个来形成：蚀刻法、喷砂法、微粒子喷射法（microblast processing method）、消光加工法（frost processingmethod）、液滴喷射法、印刷法（图案被形成的丝网印刷或胶版印刷）、涂敷法诸如旋涂法、浸渍法、分配器法、压印法和纳米压印法等。
作为光提取结构411a及光提取结构411b的材料，例如，可以使用树脂。另外，可以将半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸的表面结构的膜或光扩散膜等用于光提取结构411a及光提取结构411b。例如，通过使用具有与支撑衬底401、该透镜或该膜大致相同的折射率的粘合剂等将该透镜或该膜粘合到支撑衬底401上，可以形成光提取结构411a及光提取结构411b。
平坦化层413的与第一电极421接触的面比平坦化层413的与光提取结构411b接触的面平坦。因此，第一电极421可以成为平坦的膜。其结果，可以抑制因第一电极421的凹凸而在EL层423中产生泄漏电流。作为平坦化层413的材料，可以使用具有高折射率的玻璃或树脂等。平坦化层413具有透光性。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，参照图4A和图4B对本发明的一个方式的发光装置进行说明。图4A是本发明的一个方式的发光装置的平面图，图4B是沿着图4A中的点划线C-D的截面图。
本实施方式的有源矩阵型发光装置在支撑衬底501上包括发光部551、驱动电路部552（栅极一侧驱动电路部）、驱动电路部553（源极一侧驱动电路部）以及密封材料507。发光部551、驱动电路部552及553密封在由支撑衬底501、密封衬底505以及密封材料507包围的空间515中。
图4B所示的发光部551包括多个发光单元，该多个发光单元都包括开关晶体管541a、电流控制晶体管541b以及电连接于晶体管541b的布线（源电极或漏电极）的第二电极525。
发光元件503具有顶部发射结构并包括使可见光透过的第一电极521、EL层523以及反射可见光的第二电极525。另外，以覆盖第二电极525的端部的方式形成分隔壁519。
作为本实施方式的发光元件503，使用本发明的一个方式的发光元件。因为本发明的一个方式的发光元件具有长使用寿命，所以可以得到具有高可靠性的发光装置。此外，由于本发明的一个方式的发光元件在高亮度区域中呈现高发光效率，因此可以得到发光效率高的发光装置。
在支撑衬底501上设置有用来连接外部输入端子的引线517，通过该外部输入端子将来自外部的信号（例如，视频信号、时钟信号、启动信号或复位信号）或电位传送到驱动电路部552或553。在此，示出作为外部输入端子设置柔性印刷电路（FPC）509的例子。注意，印刷线路板（PWB）可以贴到FPC509上。在本说明书中，发光装置在其范畴中包括发光装置本身以及装备FPC或PWB的发光装置。
驱动电路部552和553包含多个晶体管。图4B示出驱动电路部552具有组合n沟道晶体管542与p沟道晶体管543而成的CMOS电路的例子。包括在驱动电路部的电路可以利用多种电路诸如CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路来形成。本发明不局限于在本实施方式中所示的驱动电路形成于形成有发光部的衬底上的驱动器一体型。驱动电路可以形成在与形成有发光部的衬底不同的衬底上。
为了防止形成工序数量的增加，引线517优选使用与发光部或驱动电路部中的电极或布线相同的材料及相同的工序来形成。
在本实施方式中示出的是使用包括在发光部551及驱动电路部552中的晶体管的源电极和漏电极相同的材料及相同的工序来形成引线517的例子。
在图4B中，密封材料507与引线517上的第一绝缘层511接触。有时密封材料507相对于金属的粘合性低。因此，密封材料507优选与引线517上的无机绝缘膜接触。通过采用这种结构，发光装置可以具有高密封性、高粘合性及高可靠性。作为无机绝缘膜的例子有金属及半导体的氧化物膜、金属及半导体的氮化物膜、金属及半导体的氧氮化物膜，具体而言，有氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜等。
第一绝缘层511具有抑制杂质扩散到包括在晶体管中的半导体的效果。为了减小起因于晶体管的表面凹凸，作为第二绝缘层513优选选择具有平坦化功能的绝缘膜。
对在本发明的一个方式的发光装置中使用的晶体管的结构没有特别的限制。可以使用顶栅型晶体管，或者可以使用底栅型晶体管诸如反交错型晶体管。该晶体管可以为沟道蚀刻型晶体管或沟道保护型晶体管。此外，对用于晶体管的材料也没有特别的限制。
半导体层可以使用硅或氧化物半导体形成。作为硅，可以适当地使用单晶硅或多晶硅等。作为氧化物半导体，可以适当地使用In-Ga-Zn类金属氧化物等。注意，该晶体管优选使用将In-Ga-Zn类金属氧化物用于半导体层的氧化物半导体形成以具有较低的关态电流（off-state current），此时发光元件的关闭状态的泄漏电流能够得到减少。
密封衬底505设置有与发光元件503（其发光区域）重叠的着色层的滤色片533。滤色片533被设置为控制从发光元件503发射的光的颜色。例如，在使用白色发光元件的全彩色显示装置中，使用多个设置有不同颜色的滤色片的发光单元。在这种情况下，可以使用红色（R）、绿色（G）及蓝色（B）的三种颜色，或者可以使用红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）及黄色（Y）的四种颜色。
另外，在相邻的滤色片533之间（以与分隔壁519重叠的方式）设置黑矩阵531。黑矩阵531保护发光单元免受从相邻的发光单元中的发光元件503发射的光的影响，并抑制相邻的发光单元之间的混色。当以其端部与黑矩阵531重叠的方式设置滤色片533时，能够减少光的泄漏。黑矩阵531可以使用阻挡从发光元件503发射的光的材料形成，例如可以使用金属或树脂等材料。注意，黑矩阵531除了发光部551以外还可以设置在与驱动电路部552重叠的区域等中。
另外，以覆盖滤色片533及黑矩阵531的方式形成保护层535。例如，将使从发光元件503发射的光透过的材料用于保护层535，并可以使用无机绝缘膜或有机绝缘膜。不需要时不用设置保护层535。
本发明的结构不局限于在本实施方式中作为例子示出的使用滤色片方式的发光装置。例如，可以使用分别涂敷方式或颜色转换方法。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中，将参照图5A至图5E和图6A及图6B说明应用本发明的一个方式中的发光装置的电子设备及照明装置的例子。
本实施方式中的电子设备各在显示部中包括本发明的一个方式的发光装置。本实施方式中的照明装置各在发光部（照明部）中包括本发明的一个方式的发光装置。通过采用本发明的一个方式的发光装置，可以提供高可靠性的电子设备及高可靠性的照明装置。另外，通过采用本发明的一个方式的发光装置，可以提供具有高发光效率的电子设备及照明装置。
作为应用发光装置的电子设备的例子，有电视装置（也称为电视或电视接收机）、用于计算机等的显示器、相机如数码相机及数码摄像机、数码相框、移动电话机（也称为移动电话装置）、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。图5A至图5E和图6A及图6B示出这些电子设备及照明装置的具体例子。
图5A示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，显示部7102组装在框体7101中。显示部7102能够显示图像。可以将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7102。另外，在此，利用支架7103支撑框体7101。
可以利用设置在框体7101中的操作开关或另外提供的遥控器7111操作电视装置7100。利用遥控器7111的操作键，可以控制频道及音量，并可以控制显示在显示部7102上的图像。遥控器7111可以具备用来显示从该遥控器7111输出的数据的显示部。
注意，电视装置7100具备接收机、调制解调器等。通过利用接收机，可以接收一般的电视广播。再者，当电视装置经由调制解调器连接于有线或无线的通信网络时，可以进行单向（从发送者到接收者）或双向（发送者和接收者之间或接收者之间等）的信息通信。
图5B示出计算机的一个例子。该计算机7200包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。注意，该计算机是通过将本发明的一个方式的发光装置用于其显示部7203来制造的。
图5C示出便携式游戏机的一个例子。便携式游戏机7300具有框体7301a和框体7301b的两个框体，其通过连接部7302连接以使便携式游戏机可以打开或合上。框体7301a组装有显示部7303a，而框体7301b组装有显示部7303b。另外，图5C所示的便携式游戏机包括扬声器部7304、记录介质插入部7305、操作键7306、连接端子7307、传感器7308（具有测量或感应力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转动频率、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线的功能）、LED灯、麦克风等。很显然，只要将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7303a和显示部7303b中的至少一方或双方，便携式游戏机的结构就不局限于上述结构，并可以适当地包括其他附属设备。图5C所示的便携式游戏机具有读出储存在记录介质中的程序或数据以将其显示在显示部上的功能及通过无线通信而与其他便携式游戏机共享信息的功能。注意，图5C所示的便携式游戏机的功能不局限于此，而该便携式游戏机可以具有各种功能。
图5D示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400具备组装在框体7401中的显示部7402、操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。注意，将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7402来制造移动电话机7400。
当图5D所示的移动电话机7400的显示部7402被用手指等触摸时，信息被输入到移动电话机。另外，可以用手指等触摸显示部7402进行打电话或编写电子邮件等操作。
显示部7402主要有三种屏面模式。第一模式是主要用于显示图像的显示模式。第二模式是主要用于输入文字等信息的输入模式。第三模式是混合显示模式和输入模式这两种模式的显示和输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，为显示部7402选择主要用于输入文字的文字输入模式，以在屏面上显示文字。
当移动电话机7400内部设置有包括用来检测倾斜度的陀螺仪传感器或加速度传感器等传感器的检测装置时，可以通过判断移动电话机7400的方向（移动电话机7400在处于横向方式或纵向方式时是否位于横向或纵向）自动切换显示部7402的屏面上的显示。
通过触摸显示部7402或以框体7401的操作按钮7403进行操作来改变屏面模式。屏面模式可以根据显示在显示部7402上的图像的种类而切换。例如，当显示在显示部上的图像的信号为动态图像的信号时，将屏面模式切换成显示模式。当信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
再者，在输入模式下，若检测出通过显示部7402中的光传感器所检测的信号并且在一定期间内没有进行触摸显示部7402的输入，屏面模式则可以被控制为从输入模式转换成显示模式。
可以将显示部7402用作图像传感器。例如，显示部7402在被用手掌或手指触摸的期间拍摄掌纹、指纹等，从而可以进行身份识别。另外，当在显示部中设置发射近红外光的背光或传感用光源时，可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
图5E示出能够折叠的平板终端（处于打开状态）的一个例子。平板终端7500包括框体7501a、框体7501b、显示部7502a以及显示部7502b。框体7501a和框体7501b由轴部（hinge）7503彼此连接并可以以该轴部7503为轴地打开或合上。此外，框体7501a包括电源开关7504、操作键7505、扬声器7506等。注意，通过将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7502a和显示部7502b中的一方或双方来制造该平板终端7500。
显示部7502a或显示部7502b的一部分可以被用作触摸屏区域，该触摸屏区域可以通过按触所显示的操作键来输入数据。例如，可以使显示部7502a的整个区域显示键盘以将显示部7502a用作触摸屏，并且将显示部7502b用作显示屏面。
图6A示出台式灯，其包括照明部7601、灯罩7602、可调支架（adjustable arm）7603、支柱7604、底座7605以及电源开关7606。台式灯是通过将本发明的一个方式的发光装置用于照明部7601来制造的。注意，该灯在其范畴内还包括吊灯、壁灯等。
图6B示出将本发明的一个方式的发光装置用于室内灯7701的一个例子。本发明的一个方式的发光装置可以具有大面积，所以可以被用作大面积的照明装置。另外，还可以将本发明的一个方式的发光装置用作卷式（roll-type）灯7702。如图6B所示，可以将参照图6A说明的台式灯7703用在具备室内灯7701的房间内。
实施例1
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。
[化学式24]
下面将说明制造本实施例的发光元件1、比较发光元件2以及比较发光元件3的方法。
（发光元件1）
首先，在玻璃衬底1100上通过溅射法形成包含氧化硅的铟锡氧化物（ITSO）的膜，由此形成第一电极1101。其厚度为110nm且电极面积为2mm´2mm。在此，第一电极1101被用作发光元件的阳极。
接着，作为用来在玻璃衬底1100上形成发光元件的预处理，在用水清洗衬底1100表面并在200℃下焙烧1小时之后，进行UV臭氧处理370秒。
然后，将玻璃衬底1100移动到真空蒸镀装置中，该真空蒸镀装置被减压到10-4Pa左右，并且在真空蒸镀装置内的加热室中在170℃下进行30分钟的真空焙烧，然后使该衬底冷却大约30分钟。
接着，将形成有第一电极1101的玻璃衬底1100固定在设置在真空蒸镀装置内的衬底支架上以使形成有第一电极1101的面朝下。将真空蒸镀装置内的压力降低到大约10-4Pa。然后，在第一电极1101上，通过使用电阻加热的蒸镀法的共蒸镀，4,4＇,4＇＇-（1,3,5-苯三基）三（二苯并噻吩）（简称：DBT3P-II）和氧化钼（Ⅵ）沉积，从而形成空穴注入层1111。将空穴注入层1111的厚度设定为40nm，并将DBT3P-II相对于氧化钼的重量比被调节为4:2（=DBT3P-II:氧化钼）。注意，共蒸镀法是指在一个处理室中从多个蒸发源同时执行蒸镀的蒸镀法。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为20nm的4-苯基-4＇-（9-苯基芴-9-基）三苯胺（简称：BPAFLP）的膜以形成空穴传输层1112。
而且，通过2-[3＇-（二苯并噻吩-4-基）联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉（简称：2mDBTBPDBq-II）、N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）以及（乙酰丙酮根）双（4,6-二苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（dppm）2（acac）]）的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（dppm）2（acac）]）。将发光层1113的厚度设定为40nm。
接着，通过形成厚度为15nm的2mDBTBPDBq-II的膜并形成厚度为15nm的红菲绕啉（简称：BPhen）的膜，在发光层1113上形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上，通过蒸镀形成1nm的厚度的氟化锂（LiF）的膜,以形成电子注入层1115。
最后，通过蒸镀使铝沉积成200nm的厚度以形成用作阴极的第二电极1103。由此，制造本实施例的发光元件1。
注意，在所有上述蒸镀步骤中，通过电阻加热法进行蒸镀。
（比较发光元件2）
通过2mDBTBPDBq-II、4,4＇-二（1-萘基）-4＇＇-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）三苯胺（简称：PCBNBB）和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀形成比较发光元件2的发光层1113。在此，将2mDBTBPDBq-II、PCBNBB和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Ir（dppm）2（acac）]）。将发光层1113的厚度设定为40nm。以与发光元件1相似的方法制造发光层1113之外的构成要素。
（比较发光元件3）
通过2mDBTBPDBq-II、N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-N-[4-（1-萘基）苯基]-9H-芴-2-胺（简称：PCBNBF）和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀形成比较发光元件3的发光层1113。在此，将2mDBTBPDBq-II、PCBNBF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBNBF:[Ir（dppm）2（acac）]）。将发光层1113的厚度设定为40nm。以与发光元件1同样的方法制造发光层1113之外的构成要素。
表1示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表1]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底分别密封发光元件1、比较发光元件2以及比较发光元件3以不使各发光元件暴露于大气，然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图8示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图8中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图9示出电压-亮度特性。在图9中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图10示出亮度-外部量子效率特性。在图10中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表2表示亮度在1000cd/m2附近时的各发光元件中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表2]
如表2所示，亮度为1200cd/m2时的发光元件1的CIE色度坐标为（x，y）=（0.55，0.45）。亮度为900cd/m2时的比较发光元件2的CIE色度坐标为（x，y）=（0.55，0.44）。亮度为1000cd/m2时的比较发光元件3的CIE色度坐标为（x，y）=（0.55，0.45）。可知从本实施例的发光元件得到了来源于[Ir（dppm）2（acac）]的橙色发光。
图8至图10以及表2示出发光元件1、比较发光元件2和比较发光元件3可以各以低电压驱动并具有高电流效率、高功率效率、高外部量子效率。
还可知与在比较发光元件2和比较发光元件3中相比，发光元件1中的高亮度区域中的电流效率及外部量子效率高（参照图8或图10中的亮度为1000至10000cd/m2时的电流效率或外部量子效率）。在发光元件1中，发光层包含PCBBiF，PCBBiF具有芴基、联苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比较发光元件2中，发光层包含PCBNBB，PCBNBB具有两个萘基以及包括咔唑骨架的取代基。在比较发光元件3中，发光层包含PCBNBF，PCBNBF具有芴基、萘基以及包括咔唑骨架的取代基。就是说，发光元件1与比较发光元件2或比较发光元件3之间的主要差异是包含在发光层中的叔胺是否具有萘基。因为在本发明的一个方式的发光元件1中使用的叔胺具有联苯胺骨架及芴胺骨架，所以具有高空穴传输性及高电子阻挡性。另外，因为叔胺具有比包括萘骨架的胺等高的三重激发态能，所以具有良好的激子阻挡性。由此，即使在高亮度区域中也可以防止电子的泄漏或激子的扩散，而可以得到显示高发光效率的发光元件。
接着，对发光元件1、发光元件2以及比较发光元件3进行可靠性测试。图11A和图11B示出可靠性测试的结果。在图11A和图11B中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%）且横轴表示元件的驱动时间（h）。在可靠性测试中，本实施例的发光元件在将初始亮度设定为5000cd/m2且在电流密度为恒定的条件下在室温下被驱动。图11A和图11B示出发光元件1在经过460小时后保持初始亮度的95%，比较发光元件2在经过460小时后保持初始亮度的92%，并且比较发光元件3在经过370小时后保持初始亮度的94%。该可靠性测试的结果示出与比较发光元件2及比较发光元件3相比发光元件1具有更长的寿命。
如上所述，在本发明的一个方式的发光元件1中，也可以在高亮度区域中防止电子的泄漏或激子的扩散；因此，发光物质发光的迁移（辐射失活）以外的失活途径（无辐射失活）少。因此，可以减轻元件的亮度劣化。此外，可以以高再现性容易地且稳定地得到这样的劣化少的发光元件。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到在高亮度区域中显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到具有长寿命的发光元件。
实施例2
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略上面已示出的材料的化学式。
[化学式25]
下面将说明制造本实施例的发光元件4以及比较发光元件5的方法。
（发光元件4）
首先，以与发光元件1同样的方法在玻璃衬底1100上形成第一电极1101及空穴注入层1111。
接着，在空穴注入层1111上，形成20nm厚的PCBBiF的膜，以形成空穴传输层1112。
而且，通过2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和（乙酰丙酮根）双（6-叔丁基-4-苯基嘧啶根）铱（Ⅲ）（简称：[Ir（tBuppm）2（acac）]）的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
接着，在发光层1113上以形成5nm厚的2mDBTBPDBq-II的膜并形成15nm厚的BPhen的膜的方式形成电子传输层1114。
而且，在电子传输层1114上，通过蒸镀形成1nm的厚度的LiF的膜,由此形成电子注入层1115。
最后，通过蒸镀使铝沉积成200nm的厚度以形成用作阴极的第二电极1103。由此制造本实施例的发光元件4。
注意，在所有上述蒸镀步骤中，通过电阻加热法进行蒸镀。
（比较发光元件5）
通过形成厚度为20nm的PCBNBB的膜，形成比较发光元件5的空穴传输层1112。通过2mDBTBPDBq-II、PCBNBB和[Ir（tBuppm）2（acac）] 的共蒸镀，形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBNBB和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBNBB:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。以与发光元件4同样的方法制造空穴传输层1112和发光层1113以外的构成要素。
表3示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表3]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底密封发光元件4以及比较发光元件5以不使发光元件暴露于大气。然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图12示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图12中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图13示出电压-亮度特性。在图13中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图14示出亮度-功率效率特性。在图14中，横轴表示亮度（cd/m2），纵轴表示功率效率（lm/W）。图15示出亮度-外部量子效率特性。在图15中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表4表示亮度在900cd/m2时的发光元件4及比较发光元件5中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表4]
如表4所示，在亮度为900cd/m2时，发光元件4的CIE色度坐标为（x，y）=（0.41，0.59），比较发光元件5的CIE色度坐标为（x，y）=（0.40，0.59）。可知从发光元件4及比较发光元件5得到了来源于[Ir（tBuppm）2（acac）]的绿色发光。
图12至图15以及表4示出发光元件4和比较发光元件5可以各以极低的电压驱动。还可知与比较发光元件5相比，发光元件4具有更高的电流效率、更高的功率效率及更高的外部量子效率（参照图12、图14或图15中的亮度为1000cd/m2至10000cd/m2时的电流效率、功率效率或外部量子效率）。
在发光元件4中，发光层及空穴传输层包含PCBBiF，PCBBiF具有芴基、联苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比较发光元件5中，发光层及空穴传输层包含PCBNBB，PCBNBB具有两个萘基以及包括咔唑骨架的取代基。就是说，发光元件4与比较发光元件5之间的主要差异是包含在发光层中的叔胺是否具有萘基。因为在本发明的一个方式的发光元件4中使用的叔胺具有联苯胺骨架及芴胺骨架，所以具有高空穴传输性及高电子阻挡性。另外，因为叔胺具有比包括萘骨架的胺等高的三重激发态能，所以具有良好的激子阻挡性。由此，即使在高亮度区域中也可以防止电子的泄漏或激子的扩散，而可以得到显示高发光效率的发光元件。当将与包含在发光层中的叔胺相同的化合物用于空穴传输层时，发光效率更大。就是说，虽然如在发光元件4或比较发光元件5中那样地通过将与包含在发光层中的叔胺相同的化合物用于空穴传输层可以降低驱动电压，但是如果不应用本发明的一个方式（如果不使用由上述通式（G0）表示的叔胺），则如在比较发光元件5中那样发光效率降低。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到在高亮度区域中显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到能够以低电压驱动的发光元件。可知通过与发光层同样地将第一有机化合物（在实施方式1中示出的由通式（G0）表示的化合物）用于空穴传输层，可以得到具有高发光效率的发光元件。
接着，对发光元件4以及比较发光元件5执行可靠性测试。图16示出可靠性测试的结果。在图16中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%），横轴表示元件的驱动时间（h）。在该可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2并且电流密度为恒定的条件下在室温下驱动本实施例的发光元件。图16示出发光元件4在经过160小时后保持初始亮度的93%，并且比较发光元件5在经过360小时后保持初始亮度的89%。
实施例3
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略上面已示出的材料的化学式。
[化学式26]
下面将说明制造本实施例的发光元件6以及发光元件7的方法。
（发光元件6）
首先，以与发光元件1同样的方法在玻璃衬底1100上形成第一电极1101及空穴注入层1111。
接着，在空穴注入层1111上，形成20nm厚的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺（简称：PCBBiSF）的膜，以形成空穴传输层1112。
而且，通过2mDBTBPDBq-II、PCBBiSF和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBBiSF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiSF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiSF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
接着，在发光层1113上以形成20nm厚的2mDBTBPDBq-II的膜并形成20nm厚的BPhen的膜的方式形成电子传输层1114。
而且，在电子传输层1114上，通过蒸镀形成1nm的厚度的LiF的膜,由此形成电子注入层1115。
最后，通过蒸镀使铝沉积成200nm的厚度以形成用作阴极的第二电极1103。由此制造本实施例的发光元件6。
注意，在所有上述蒸镀步骤中，通过电阻加热法进行蒸镀。
（发光元件7）
通过形成厚度为20nm的BPAFLP的膜，形成发光元件7的空穴传输层1112。以与发光元件6同样的方法制造空穴传输层1112以外的构成要素。
表5示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表5]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底密封发光元件6以及发光元件7以不使发光元件暴露于大气。然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图17示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图17中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图18示出电压-亮度特性。在图18中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图19示出亮度-功率效率特性。在图19中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示功率效率（lm/W）。图20示出亮度-外部量子效率特性。在图20中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表6表示亮度在1000cd/m2附近时的发光元件6及发光元件7中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表6]
如表6所示，亮度为900cd/m2时的发光元件6的CIE色度坐标为（x，y）=（0.56，0.44），亮度为1000cd/m2时的发光元件7的CIE色度坐标为（x，y）=（0.55，0.44）。可知从发光元件6及发光元件7得到了来源于[Ir（dppm）2（acac）]的橙色发光。
图17至图20以及表6示出发光元件6和发光元件7可以各以低电压驱动并具有高电流效率、高功率效率、高外部量子效率。因为分别用于本发明的一个方式的发光元件6及发光元件7的发光层的叔胺具有联苯胺骨架及螺芴胺骨架，所以其具有高空穴传输性、高电子阻挡性以及良好的激子阻挡性。由此，即使在高亮度区域中也可以防止电子的泄漏或激子的扩散，而可以实现显示高发光效率的发光元件。而且，根据本发明的一个方式，如在发光元件6中那样，通过将与包含在发光层中的叔胺相同的化合物用于空穴传输层，可以以保持高发光效率（不降低发光效率）的方式降低驱动电压。
实施例4
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。注意，在本实施例中使用的材料的化学式是已示出的。
下面将说明制造本实施例的发光元件8以及比较发光元件9的方法。
（发光元件8）
首先，以与发光元件1同样的方法在玻璃衬底1100上形成第一电极1101、空穴注入层1111以及空穴传输层1112。将空穴注入层1111的厚度设定为20nm。
并且，通过2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
接着，在发光层1113上以形成20nm厚的2mDBTBPDBq-II的膜并形成20nm厚的BPhen的膜的方式形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上，通过蒸镀形成1nm的厚度的LiF的膜,由此形成电子注入层1115。
最后，通过蒸镀使铝沉积成200nm的厚度以形成用作阴极的第二电极1103。由此制造本实施例的发光元件8。
注意，在所有上述蒸镀步骤中，通过电阻加热法进行蒸镀。
（比较发光元件9）
通过2mDBTBPDBq-II和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀形成比较发光元件9的发光层1113。在此，将2mDBTBPDBq-II和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为1:0.05（=2mDBTBPDBq-II:[Ir（dppm）2（acac）]）。将发光层1113的厚度设定为40nm。以形成10nm厚的2mDBTBPDBq-II的膜并形成15nm厚的BPhen的膜的方式形成比较发光元件9的电子传输层1114。以与发光元件8同样的方法制造发光层1113和电子传输层1114以外的构成要素。
表7示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表7]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底分别密封发光元件8以及比较发光元件9以不使各发光元件暴露于大气，然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图27示出本实施例中的发光元件的电压-电流特性。在图27中，横轴表示电压（V）且纵轴表示电流（mA）。图28示出亮度-外部量子效率特性。在图28中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。图29示出本实施例的发光元件的发射光谱。表8表示亮度在1000cd/m2附近时的各发光元件中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表8]
如表8所示，亮度为960cd/m2时的发光元件8的CIE色度坐标为（x，y）=（0.56，0.44）。亮度为1100cd/m2时的比较发光元件9的CIE色度坐标为（x，y）=（0.56，0.44）。可知从本实施例的发光元件得到了来源于[Ir（dppm）2（acac）]的橙色发光。
发光元件8在1000cd/m2附近时示出31%的极高的外部量子效率（相当于85cd/A的电流效率），该外部量子效率比没有从激基复合物转移能量的比较发光元件9高。
此外，发光元件8在1000cd/m2附近时示出2.8V的极低的电压，该电压低于比较发光元件9。
接着，对发光元件8以及比较发光元件9执行可靠性测试。图30示出可靠性测试的结果。在图30中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%），横轴表示元件的驱动时间（h）。在该可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2并且电流密度为恒定的条件下在室温下驱动本实施例的发光元件。图30示出发光元件8在经过3400小时后保持初始亮度的89%，并且比较发光元件9在经过230小时后的亮度低于初始亮度的89%。该可靠性测试的结果示出发光元件8具有比比较发光元件9更长的使用寿命。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到具有长使用寿命的发光元件。
实施例5
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略上面已示出的材料的化学式。
[化学式27]
下面将说明制造本实施例的发光元件10、发光元件11以及比较发光元件12的方法。注意，本实施例的各发光元件中的发光层以外的构成要素及制造方法与发光元件8相似，因此在此省略其说明。下面说明本实施例的各发光元件中的发光层及制造方法。
（发光元件10）
在发光元件10中，通过2mDBTBPDBq-II、N-（4-联苯）-N-（9,9-二甲基-9H-芴-2-基）-9-苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：PCBiF）和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBiF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
（发光元件11）
在发光元件11中，通过2mDBTBPDBq-II、N-（4-联苯）-N-（9,9＇-螺二[9H-芴]-2-基）-9-苯基-9H-咔唑-3-胺（简称：PCBiSF）和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBiSF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiSF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiSF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
（比较发光元件12）
在比较发光元件12中，通过2mDBTBPDBq-II、2-[N-（9-苯基咔唑-3-基）-N-苯基氨基]螺环-9,9＇-二芴（简称：PCASF）和[Ir（dppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCASF和[Ir（dppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCASF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCASF:[Ir（dppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
表9示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表9]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底分别密封发光元件10、发光元件11以及比较发光元件12以不使各发光元件暴露于大气，然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图31示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图31中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图32示出电压-亮度特性。在图32中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图33示出亮度-外部量子效率特性。在图33中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表10表示亮度在1000cd/m2附近时的各发光元件中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表10]
如表10所示，亮度在1000cd/m2附近时的各发光元件的CIE色度坐标为（x，y）=（0.57，0.43）。可知从本实施例的发光元件得到了来源于[Ir（dppm）2（acac）]的橙色发光。
图32以及表10示出发光元件10、发光元件11以及比较发光元件12以相等的电压驱动。此外，从图31、图33及表10可知：与比较发光元件12相比，发光元件10和发光元件11的电流效率、功率效率及外部量子效率高。
接着，对发光元件10、发光元件11以及比较发光元件12执行可靠性测试。图34示出可靠性测试的结果。在图34中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%），横轴表示元件的驱动时间（h）。在该可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2并且电流密度为恒定的条件下在室温下驱动本实施例的发光元件。图34示出发光元件10在经过660小时后保持初始亮度的94%，发光元件11在经过660小时后保持初始亮度的93%，并且比较发光元件12在经过660小时后的亮度低于初始亮度的87%。该可靠性测试的结果示出发光元件10及发光元件11具有比比较发光元件12更长的使用寿命。
在发光元件11中，发光层包含PCBiSF，PCBBiF具有螺芴基、联苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比较发光元件12中，发光层包含PCASF，PCASF具有螺芴基、苯基以及包括咔唑骨架的取代基。就是说，发光元件11与比较发光元件12之间的唯一的差异是包含在发光层中的叔胺的取代基是联苯基还是苯基。在本发明的一个方式的发光元件11中使用的叔胺形成由苯基覆盖反应性高的苯胺骨架的苯基的4位的对联苯胺骨架。因此可以实现可靠性高的发光元件。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到具有长使用寿命的发光元件。
实施例6
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。注意，在本实施例中使用的材料的化学式是已示出的。
下面将说明制造本实施例的发光元件13、发光元件14、发光元件15以及比较发光元件16的方法。注意，本实施例的各发光元件中的发光层及电子传输层以外的构成要素及制造方法与发光元件8相似，因此在此省略其说明。下面说明本实施例的各发光元件中的发光层及电子传输层及制造方法。
（发光元件13）
在发光元件13中，通过2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
（发光元件14）
在发光元件14中，通过2mDBTBPDBq-II、PCBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
（发光元件15）
在发光元件15中，通过2mDBTBPDBq-II、PCBiSF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCBiSF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiSF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCBiSF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
（比较发光元件16）
在比较发光元件16中，通过2mDBTBPDBq-II、PCASF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将2mDBTBPDBq-II、PCASF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCASF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=2mDBTBPDBq-II:PCASF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层。
而且，在本实施例的发光元件13、发光元件14、发光元件15及比较发光元件16的每一个中，在发光层1113上以形成10nm厚的2mDBTBPDBq-II的膜并形成 15nm厚的BPhen的膜的方式形成电子传输层1114。
表11示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表11]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底分别密封发光元件13、发光元件14、发光元件15以及比较发光元件16以不使各发光元件暴露于大气，然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，该测量在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图35示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图35中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图36示出电压-亮度特性。在图36中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图37示出亮度-外部量子效率特性。在图37中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表12表示亮度在1000cd/m2附近时的各发光元件中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表12]
如表12所示，亮度为860cd/m2时的发光元件13的CIE色度坐标为（x，y）=（0.41，0.58）。亮度为970cd/m2时的发光元件14的CIE色度坐标为（x，y）=（0.41，0.58）。亮度为1000cd/m2时的发光元件15的CIE色度坐标为（x，y）=（0.42，0.57）。亮度为1100cd/m2时的比较发光元件16的CIE色度坐标为（x，y）=（0.42，0.57）。可知从本实施例的发光元件得到了来源于[Ir（tBuppm）2（acac）]的黄绿色发光。
图35至图37以及表12示出发光元件13、发光元件14、发光元件15以及比较发光元件16可以各以低电压驱动，并具有高电流效率、高功率效率及高外部量子效率的发光元件。
接着，对发光元件13、发光元件14、发光元件15以及比较发光元件16执行可靠性测试。图38示出可靠性测试的结果。在图38中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%），横轴表示元件的驱动时间（h）。在该可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2并且电流密度为恒定的条件下在室温下驱动本实施例的发光元件。图38示出发光元件13在经过520小时后保持初始亮度的90%，发光元件14在经过600小时后保持初始亮度的84%，发光元件15在经过520小时后保持初始亮度的85%，并且比较发光元件16在经过600小时后的亮度低于初始亮度的75%。该可靠性测试的结果示出发光元件13、发光元件14及发光元件15具有比比较发光元件16更长的使用寿命。
如上所述，虽然发光元件15在经过520小时后保持初始亮度的85%，但是比较发光元件16在经过520小时后的亮度低于初始亮度的77%。在发光元件15中，发光层包含PCBiSF，PCBiSF具有螺芴基、联苯基以及包括咔唑骨架的取代基。在比较发光元件16中，发光层包含PCASF，PCASF具有螺芴基、苯基以及包括咔唑骨架的取代基。就是说，发光元件15与比较发光元件16之间的唯一差异是包含在发光层中的叔胺的取代基是联苯基还是苯基。在本发明的一个方式的发光元件15中使用的叔胺形成由苯基覆盖反应性高的苯胺骨架的苯基的4位的对联苯胺骨架。因此可以实现可靠性高的发光元件。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到具有长使用寿命的发光元件。
实施例7
在本实施例中，将参照图7说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略上面已示出的材料的化学式。
[化学式28]
下面将说明制造示出本实施例的发光元件17的方法。
（发光元件17）
首先，以与发光元件8同样的方法在玻璃衬底1100上形成第一电极1101、空穴注入层1111以及空穴传输层1112。
接着，通过4，6-双[3-（9H-咔唑-9-基）苯基]嘧啶（简称：4，6mCzP2Pm）、PCBBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，层叠将4，6mCzP2Pm、PCBBiF和[Ir（tBuppm）2（acac）]的重量比调节为0.7:0.3:0.05（=4，6mCzP2Pm:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]）而形成的20nm厚的层与将该重量比调节为0.8:0.2:0.05（=4，6mCzP2Pm:PCBBiF:[Ir（tBuppm）2（acac）]而形成的20nm厚的层。
接着，通过在发光层1113上以形成15nm厚的4，6mCzP2Pm的膜并形成10nm厚的BPhen的膜的方式形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上，通过蒸镀形成1nm的厚度的蒸镀LiF的膜,由此形成电子注入层1115。
最后，通过蒸镀使铝沉积成200nm的厚度以形成用作阴极的第二电极1103。由此制造本实施例的发光元件17。
注意，在所有上述蒸镀步骤中，通过电阻加热法进行蒸镀。
表13示出在本实施例中如上所述那样地得到的发光元件的元件结构。
[表13]
在包含氮气氛的手套箱中使用玻璃衬底密封发光元件17以不使发光元件暴露于大气，然后，测量这些发光元件的工作特性。注意，在室温（在保持为25℃的气氛中）下进行。
图39示出本实施例中的发光元件的亮度-电流效率特性。在图39中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示电流效率（cd/A）。图40示出电压-亮度特性。在图40中，横轴表示电压（V）且纵轴表示亮度（cd/m2）。图41示出亮度-外部量子效率特性。在图41中，横轴表示亮度（cd/m2）且纵轴表示外部量子效率（%）。表14表示亮度为760cd/m2时的发光元件17中的电压（V）、电流密度（mA/cm2）、CIE色度坐标（x，y）、电流效率（cd/A）、功率效率（lm/W）、外部量子效率（%）。
[表14]
如表14所示，亮度为760cd/m2时的发光元件17的CIE色度坐标为（x，y）=（0.41，0.58）。可知从本实施例的发光元件得到了来源于[Ir（tBuppm）2（acac）]的橙色发光。
图39至图41以及表14示出发光元件17可以以低电压驱动并具有高电流效率、高功率效率和高外部量子效率。
接着，对发光元件17执行可靠性测试。图42示出可靠性测试的结果。在图42中，纵轴表示100%的初始亮度下的归一化亮度（%），横轴表示元件的驱动时间（h）。在该可靠性测试中，在将初始亮度设定为5000cd/m2并且电流密度为恒定的条件下在室温下驱动本实施例的发光元件。图42示出发光元件17在经过180小时后保持初始亮度的90%。
如上所述，可知根据本发明的一个方式可以得到显示高发光效率的发光元件。还可知根据本发明的一个方式可以得到具有长使用寿命的发光元件。
参考例1
将说明在实施例1、实施例2及实施例4中使用且由下述结构式（128）表示的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）的合成方法。
[化学式29]
<步骤1：N-（1,1＇-联苯-4-基）-9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺的合成>
（x-1）示出步骤1的合成方案。
[化学式30]
将45g（0.13mol）的N-（1,1＇-联苯-4-基）-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺、36g（0.38mol）的叔丁醇钠、21g（0.13mol）的溴苯、500mL的甲苯放入1L三口烧瓶中。通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气，并且在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。然后，添加0.8g（1.4mmol）的双（二亚苄基丙酮）钯（0）及12mL（5.9mmol）的三（叔丁基）膦（10wt%的己烷溶液）。
在90℃的氮气流下搅拌该混合物2小时。然后，将该混合物冷却到室温，并通过抽滤分离固体。浓缩所得到的滤液以得到200mL左右的褐色液体。将该褐色液体与甲苯混合，并使用硅藻土（日本和光纯药工业株式会社制造，目录号码：531-16855（下面记载中的硅藻土也同样，并重复记载））、氧化铝、硅酸镁（日本和光纯药工业株式会社制造，目录号码：540-00135。下面说明中的硅酸镁也同样，并重复记载）精制所得到的溶液。浓缩所得到的滤液以得到淡黄色液体。由己烷使该淡黄色液体再结晶，以95%的收率得到52g的目的物的淡黄色粉末。
<步骤2：N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺的合成>
（x-2）示出步骤2的合成方案。
[化学式31]
将45g（0.10mol）的N-（1,1＇-联苯-4-基）-9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺放入1L的锥形烧瓶中，通过在进行加热的同时进行搅拌，溶解于225mL的甲苯中。在将该溶液冷却到室温之后，添加225mL的乙酸乙酯及18g（0.10mol）的N-溴代丁二酰亚胺（简称：NBS），并在室温下搅拌混合物2.5小时。在搅拌之后，使用碳酸氢钠的饱和水溶液对该混合物进行洗涤三次，并使用食盐的饱和水溶液对该混合物进行洗涤一次。对所得到的有机层添加硫酸镁，并将其放置2小时以使其干燥。对所得到的混合物进行重力过滤以去除硫酸镁，浓缩所得到的滤液以得到黄色液体。混合该黄色液体与甲苯，并使用硅藻土、氧化铝及硅酸镁精制该溶液。浓缩所得到的溶液以得到淡黄色固体。由甲苯/乙醇使该淡黄色固体再结晶，以89%的收率得到47g的目的物的白色粉末。
<步骤3：PCBBiF的合成>
（x-3）示出步骤3的合成方案。
[化学式32]
将41g（80mmol）的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺以及25g（88mmol）的9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸放入1L三口烧瓶中，添加240mL的甲苯、80mL的乙醇、120mL的碳酸钾水溶液（2.0mol/L），通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气，并且在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。而且，添加27mg（0.12mmol）的醋酸钯（Ⅱ）、154mg（0.5mmol）的三（邻甲苯基）膦。通过在进行减压的同时进行搅拌，再次使该混合物脱气，在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。在110℃的氮气流下搅拌该混合物1.5小时。
在搅拌该混合物的同时将其冷却到室温之后，使用甲苯萃取该混合物的水层两次。组合所得到的萃取液和有机层，使用水洗涤两次并使用食盐的饱和溶液洗涤两次。对该溶液添加硫酸镁，并将其放置以使其干燥。对该混合物进行重力过滤以去除硫酸镁，并浓缩所得到的滤液以得到褐色溶液。混合该褐色溶液和甲苯，并使用硅藻土、氧化铝及硅酸镁精制所得到的溶液。浓缩所得到的滤液以得到淡黄色固体。由乙酸乙酯/乙醇使该淡黄色固体再结晶，以88%的收集率得到46g的目的物的淡黄色粉末。
通过梯度升华方法升华精制所获得的38g的淡黄色粉末。在升华精制中，在氩气流量为15mL/min的3.7Pa的压力下，以345℃的温度加热淡黄色粉末。在升华精制之后，以83%的收率得到31g的目的物的淡黄色固体。
通过核磁共振（NMR）法确认到该化合物为合成的目的物的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9-二甲基-9H-芴-2-胺（简称：PCBBiF）。
下面示出所得到的淡黄色固体的1H NMR数据。
1H NMR（CDCl3，500MHz）：δ=1.45（s，6H）、7.18（d，J=8.0Hz，1H）、7.27-7.32（m，8H）、7.40-7.50（m，7H）、7.52-7.53（m，2H）、7.59-7.68（m，12H）、8.19（d，J=8.0Hz，1H）、8.36（d，J=1.1Hz，1H）。
图21A和图21B示出1H NMR图。注意，图21B是放大图21A中的6.00ppm至10.0ppm的范围的图。
并且，图22A示出PCBBiF的甲苯溶液中的PCBBiF的吸收光谱，图22B示出其发射光谱。另外，图23A示出PCBBiF的薄膜的吸收光谱，图23B示出其发射光谱。使用紫外可见分光光度计（V550型，由日本分光株式会社制造）测量。以将溶液放在石英皿中并通过蒸镀将薄膜形成在石英衬底上的方式准备样品。这里示出溶液的吸收光谱通过从石英及溶液的吸收光谱减去石英和甲苯的吸收光谱获得，并且薄膜的吸收光谱通过从石英衬底及薄膜的吸收光谱减去石英衬底的吸收光谱获得。在图22A和图22B以及图23A和图23B中，横轴表示波长（nm）且纵轴表示强度（任意单位）。在测量甲苯溶液的情况下，在350nm附近观察到吸收峰值，且发光波长的峰值为401nm及420nm（在激发波长为360nm时）。在测量薄膜的情况下，在356nm附近观察到吸收峰值，且发光波长的峰值为415nm及436nm（在激发波长为370nm时）。
参考例2
将说明在实施例1中使用的9,9-二甲基-N-[4-（1-萘基）苯基]-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9H-芴-2-胺（简称：PCBNBF）的合成方法。
[化学式33]
<步骤1：1-（4-溴苯基）萘的合成>
（y-1）示出步骤1的合成方案。
[化学式34]
对3L三口烧瓶中添加47g（0.28mol）的1-萘硼酸及82g（0.29mol）的4-溴碘苯并添加750mL的甲苯及250mL的乙醇。通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气，在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。对该溶液添加415mL的碳酸钾水溶液（2.0mol/L）。通过在进行减压的同时进行搅拌，再次使该混合物脱气，在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。并且，添加4.2g（14mmol）的三(邻甲苯基)膦及0.7g（2.8mmol）的醋酸钯（Ⅱ）。在90℃的氮气流下搅拌该混合物1小时。
在搅拌之后，将该混合物冷却到室温，利用甲苯萃取该混合物的水层三次。组合所得到的萃取液和有机层，使用水进行洗涤两次并使用食盐的饱和水溶液进行洗涤两次。然后，添加硫酸镁，并将该混合物放置18小时以使其干燥。对该混合物进行重力过滤以去除硫酸镁，并浓缩所得到的滤液以得到橙色液体。
对该橙色液体添加500mL的己烷，并通过硅藻土及硅酸镁精制所得到的溶液。浓缩所得到的滤液以得到无色液体。对该无色液体添加己烷，将该混合物放置在-10℃下，通过过滤分离析出的杂质。浓缩所得到的滤液以得到无色液体。利用减压下的蒸馏精制该无色液体，并利用硅胶柱层析法（展开溶剂：己烷）精制所得到的黄色液体，由此以72%的收率得到56g的目的物的无色液体。
<步骤2：9,9-二甲基-N-（4-萘基）苯基-N-苯基-9H-芴-2-胺的合成>
（y-2）示出步骤2的合成方案。
[化学式35]
将40g（0.14mol）的9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺、40g（0.42mol）的叔丁醇钠以及2.8g（1.4mmol）的双（二亚苄基丙酮）钯（0）放入1L三口烧瓶中，并添加560mL含有44g的1-（4-溴苯基）萘（0.15mol）的甲苯溶液。通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气，并且在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。然后，添加14mL（7.0mmol）的三（叔丁基）膦（10wt%己烷溶液），在110℃的氮气流下搅拌该混合物2小时。
然后，将该混合物冷却到室温，利用抽滤分离固体。浓缩所得到的滤液来得到浓褐色液体。混合该浓褐色液体与甲苯，通过硅藻土、氧化铝及硅酸镁精制所得到的溶液。浓缩所得到的滤液以得到淡黄色液体。使用乙腈使该淡黄色液体再结晶，以78%的收率得到53g的目的物的淡黄色粉末。
<步骤3：N-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-N-[4-（1-萘基）苯基]-9H-芴-2-胺的合成>
（y-3）示出步骤3的合成方案。
[化学式36]
对2L锥形烧瓶中添加59g（0.12mol）的9,9-二甲基-N-（4-萘基）苯基-N-苯基-9H-芴-2-胺及300mL的甲苯，在加热的同时搅拌该混合物。在将所得到的溶液冷却到室温之后，添加300mL的乙酸乙酯，添加21g（0.12mol）的N-溴代琥珀酰亚胺（简称：NBS），并在室温下搅拌2.5小时左右。对该混合物添加400mL的碳酸氢钠的饱和水溶液，并在室温下搅拌该混合物。对该混合物的有机层使用碳酸氢钠饱和的水溶液洗涤两次，使用食盐饱和的水溶液洗涤两次。然后，添加硫酸镁并将该混合物放置2小时以使其干燥。在对该混合物进行重力过滤以去除硫酸镁之后，浓缩所得到的滤液以得到黄色液体。在将该液体溶解于甲苯中之后，通过硅藻土、氧化铝及硅酸镁精制该溶液以得到淡黄色固体。使用甲苯/乙腈将所得到的淡黄色固体再沉淀，以85%的收率得到56g的目的物的白色粉末。
<步骤4：PCBNBF的合成>
（y-4）示出步骤4的合成方案。
[化学式37]
将51g（90mmol）的N-（4-溴苯基）-9,9-二甲基-N-[4-（1-萘基）苯基]-9H-芴-2-胺、28g（95mmol）的9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸、0.4mg（1.8mmol）的醋酸钯（Ⅱ）、1.4g（4.5mmol）的三（邻甲苯基）膦、300mL的甲苯、100mL的乙醇以及135mL（2.0mol/L）的碳酸钾水溶液放入1L三口烧瓶中。通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气，在脱气之后，该烧瓶内的气氛换为氮。在90℃的氮气流下搅拌该混合物1.5小时。在搅拌之后，将该混合物冷却到室温，并利用抽滤回收固体。从所得到的水层与有机层的混合物萃取有机层并浓缩该有机层以得到褐色固体。使用甲苯/乙酸乙酯/乙醇使该褐色固体再结晶以得到目的物的白色粉末。将在搅拌之后回收的固体与通过再结晶得到的白色粉末溶解于甲苯，通过硅藻土、氧化铝、硅酸镁精制该溶液。浓缩所得到的溶液，利用甲苯/乙醇再结晶，以82%的收率得到54g的目的物的白色粉末。
利用梯度升华方法升华精制所得到的51g的白色粉末。在升华精制中，在氩气流量为15mL/min的3.7Pa压力下，以360℃加热白色粉末。在升华精制之后，以38%的收集率得到19g的目的物的淡黄色固体。
通过核磁共振（NMR）法确认到该化合物是合成的目的物的9,9-二甲基-N-[4-（1-萘基）苯基]-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9H-芴-2-胺（简称：PCBNBF）。
下面示出所得到的物质的1H NMR数据。
1H NMR（CDCl3,500MHz）：δ=1.50（s，6H），7.21（dd，J=8.0Hz，1.6Hz，1H），7.26-7.38（m，8H），7.41-7.44（m，5H），7.46-7.55（m，6H），7.59-7.69（m，9H），7.85（d，J=8.0Hz，1H），7.91（dd，J=7.5Hz，1.7Hz，1H），8.07-8.09（m，1H），8.19（d，J=8.0Hz，1H），8.37（d，J=1.7Hz，1H）。
参考例3
将说明在实施例3中使用且由下述结构式（119）表示的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺（简称：PCBBiSF）的合成方法。
[化学式38]
<步骤1：N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-苯基-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺的合成>
（z-1）示出步骤1的合成方案。
[化学式39]
将4.8g（12mmol）的2-溴-9,9-螺二[9H-芴]、3.0g（12mmol）的4-苯基-二苯基胺以及3.5g（37mmol）的叔丁醇钠放入200mL三口烧瓶中，该烧瓶内的气氛换为氮。对该混合物添加60mL的脱水甲苯和0.2mL的三（叔丁基）膦（10%己烷溶液），通过在进行减压的同时进行搅拌，使该混合物脱气。对该混合物添加70mg（0.12mmol）的双（二亚苄基丙酮）钯（0），并在110℃的氮气流下搅拌混合物8小时。在搅拌之后，对该混合物添加水，使用甲苯萃取水层。组合萃取液与有机层，并且使用食盐的饱和溶液洗涤。使用硫酸镁使有机层干燥。通过重力过滤分离该混合物，并浓缩滤液以得到固体。
利用硅胶柱层析法精制该固体。在柱层析法中，使用甲苯:己烷=1:5，然后使用甲苯:己烷=1:3作为展开剂。浓缩所得到的馏分以得到固体。使用甲苯/乙酸乙酯使所得到的固体再结晶，以83%的收率得到5.7g的白色固体。
<步骤2：N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-（4-溴苯基）-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺的合成>
（z-2）示出步骤2的合成方案。
[化学式40]
对100mL三口烧瓶中添加3.0g（5.4mmol）的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-苯基-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺、20mL的甲苯以及40mL的乙酸乙酯。对该溶液添加0.93g（5.2mmol）的N-溴代丁二酰亚胺（简称：NBS），并将该混合物搅拌25小时。在搅拌之后，使用水、碳酸氢钠的饱和水溶液洗涤该混合物，然后使用硫酸镁使有机层干燥。通过自然过滤分离该混合物，并浓缩滤液以得到固体。利用硅胶柱层析法精制该固体。在柱层析法中，使用己烷，然后使用甲苯:己烷=1:5作为展开剂，浓缩所得到的馏分以得到固体。使用乙酸乙酯/己烷使所得到的固体再结晶，以83%的收集率得到2.8g的白色固体。
<步骤3：PCBBiSF的合成>
（z-3）示出步骤3的合成方案。
[化学式41]
将2.4g（3.8mmol）的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-（4-溴苯基）-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺、1.3g（4.5mmol）的9-苯基咔唑-3-硼酸、57mg（0.19mmol）的三(邻甲苯基)膦以及1.2g（9.0mmol）的碳酸钾放入200mL三口烧瓶中。对该混合物添加5mL的水、14mL的甲苯、7mL的乙醇，并在减压下进行搅拌，使该混合物脱气。对该混合物添加8mg（0.038mmol）的醋酸钯，并在90℃的氮气流下搅拌7.5小时。在搅拌之后，使用甲苯萃取所得到的混合物。组合所得到的萃取溶液与有机层并使用食盐的饱和水溶液进行洗涤，然后使用硫酸镁进行干燥。通过重力过滤分离该混合物，并浓缩滤液以得到固体。利用硅胶柱层析法精制该固体。在柱层析法中，使用甲苯:己烷=1:2，然后使用甲苯:己烷=2:3作为展开剂。浓缩所得到的馏分以得到固体。使用乙酸乙酯/己烷使所得到的固体再结晶，以94%的收率得到2.8g的目的物的白色固体。
通过利用梯度升华方法升华精制所获得的2.8g的固体。在升华精制中，在氩气流量为5mL/min的2.9Pa的压力下，以336℃加热淡黄色固体。在进行升华精制之后，以35%的收率得到0.99g的目的物的淡黄色固体。
通过核磁共振（NMR）法确认到该化合物为合成的目的物的N-（1,1＇-联苯-4-基）-N-[4-（9-苯基-9H-咔唑-3-基）苯基]-9,9＇-螺二[9H-芴]-2-胺（简称：PCBBiSF）。
下面示出所得淡黄色固体的1H NMR数据。
1H NMR（CDCl3，500MHz）：δ=6.67-6.69（m，2H）、6.84（d，J1=7.5Hz，2H）、7.04-7.11（m，5H）、7.13-7.17（m，3H）、7.28-7.45（m，12H）、7.46-7.53（m，5H）、7.57-7.64（m，5H）、7.74-7.77（m，4H）、8.17（d，J1=7.5Hz，1H）、8.27（d，J1=1.5Hz，1H）。
图24A和图24B示出1H NMR图。注意，图24B是放大图24A中的6.50ppm至8.50ppm的范围的图。
并且，图25A示出PCBBiSF的甲苯溶液中的PCBBiSF的吸收光谱，图25B示出其发射光谱。另外，图26A示出PCBBiSF的薄膜的吸收光谱，图26B示出其发射光谱。以与参考例1同样的方法得到吸收光谱。在图25A和图25B以及图26A和图26B中，横轴表示波长（nm）且纵轴表示强度（任意单位）。在测量甲苯溶液的情况下，在352nm附近观察到吸收峰值，且发光波长的峰值为403nm（在激发波长为351nm时）。在测量薄膜的情况下，在357nm附近观察到吸收峰值，且发光波长的峰值为424nm（在激发波长为378nm时）。
附图标记说明
201：第一电极；203：EL层；203a：第一EL层；203b：第二EL层；205：第二电极；207：中间层；213：发光层；221：第一有机化合物；222：第二有机化合物；223：磷光化合物；301：空穴注入层；302：空穴传输层；303：发光层；304：电子传输层；305：电子注入层；306：电子注入缓冲层；307：电子中继层；308：电荷产生区域；401：支撑衬底；403：发光元件；405：密封衬底；407：密封材料；409a：第一端子；409b：第二端子；411a：光提取结构；411b：光提取结构；413：平坦化层；415：空间；417：辅助布线；419：绝缘层；421：第一电极；423：EL层；425：第二电极；501：支撑衬底；503：发光元件；505：密封衬底；507：密封材料；509：FPC；511：绝缘层；513：绝缘层；515：空间；517：布线；519：分隔壁；521：第一电极；523：EL层；525：第二电极；531：黑矩阵；533：滤色片；535：保护层；541a：晶体管；541b：晶体管；542：晶体管；543：晶体管；551：发光部；552：驱动电路部；553：驱动电路部；1100：玻璃衬底；1101：第一电极；1103：第二电极；1111：空穴注入层；1112：空穴传输层；1113：发光层；1114：电子传输层；1115：电子注入层；7100：电视装置；7101：框体；7102：显示部；7103：支架；7111：遥控器；7200：计算机；7201：主体；7202：框体；7203：显示部；7204：键盘；7205：外部连接端口；7206：指向装置；7300：便携式游戏机；7301a：框体；7301b：框体；7302：连接部；7303a：显示部；7303b：显示部；7304：扬声器部；7305：记录媒体插入部；7306：操作键；7307：连接端子；7308：传感器；7400：移动电话机；7401：框体；7402：显示部；7403：操作按钮；7404：外部连接端口；7405：扬声器；7406：麦克风；7500：平板终端；7501a：框体；7501b：框体；7502a：显示部；7502b：显示部；7503：轴部；7504：电源开关；7505：操作键；7506：扬声器；7601：照明部；7602：灯罩；7603：可调支架；7604：支柱；7605：底座；7606：电源开关；7701：灯；7702：灯；以及7703：台式灯。
本申请基于2012年8月3日提交到日本专利局的日本专利申请No. 2012-172944以及2013年3月7日提交到日本专利局的日本专利申请No.2013-045127，通过引用将其完整内容并入在此。

Claims (18)

1.一种发光元件，在一对电极之间包括：
发光层，所述发光层包含：
第一有机化合物；
第二有机化合物；以及
磷光化合物，
其中，所述第一有机化合物由通式（G0）表示，
其中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、或者取代或未取代的联苯基，
其中，Ar3表示包括咔唑骨架的取代基，
其中，所述第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000，且
其中，所述第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
2.根据权利要求1所述的发光元件，
其中所述第一有机化合物由通式（G1）表示，
其中α表示取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯二基，
其中n表示0或1，且
其中A表示取代或未取代的3-咔唑基。
3.根据权利要求1所述的发光元件，在所述一对电极之间包括：
与所述发光层接触的空穴传输层，
其中所述第一有机化合物包含在所述空穴传输层中。
4.根据权利要求1所述的发光元件，在所述一对电极之间包括：
与所述发光层接触的空穴传输层，
其中所述第一有机化合物、所述第二有机化合物以及所述磷光化合物包含在所述发光层中，且
其中所述第一有机化合物包含在所述空穴传输层中。
5.根据权利要求1所述的发光元件，
其中所述Ar1及所述Ar2分别独立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺环-9,9＇-二芴-2-基或者联苯-4-基。
6.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的组合形成激基复合物。
7.一种在发光部中包括根据权利要求1所述的发光元件的发光装置。
8.一种在显示部中包括根据权利要求7所述的发光装置的电子设备。
9.一种在发光部中包括根据权利要求7所述的发光装置的照明装置。
10.一种发光元件，在一对电极之间包括：
发光层，所述发光层包含：
第一有机化合物；
第二有机化合物；以及
磷光化合物，
其中，所述第一有机化合物由通式（G2）表示，
其中，Ar1及Ar2分别独立地表示取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基或者取代或未取代的联苯基，
其中，Ar4表示碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基、或者未取代的三联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的三联苯基，
其中，R1至R4和R11至R17分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基，
其中，所述第一有机化合物的分子量为大于或等于500且小于或等于2000，且
其中，所述第二有机化合物是具有电子传输性的化合物。
11.根据权利要求10所述的发光元件，
其中所述第一有机化合物由通式（G3）表示，
且
其中R21至R25分别独立地表示氢、碳原子数为1至10的烷基、未取代的苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的苯基、或者未取代的联苯基或至少具有一个碳原子数为1至10的烷基作为取代基的联苯基。
12.根据权利要求10所述的发光元件，在所述一对电极之间包括：
与所述发光层接触的空穴传输层，
其中所述第一有机化合物包含在所述空穴传输层中。
13.根据权利要求10所述的发光元件，在所述一对电极之间包括：
与所述发光层接触的空穴传输层，
其中所述第一有机化合物、所述第二有机化合物以及所述磷光化合物包含在所述发光层中，且
其中所述第一有机化合物包含在所述空穴传输层中。
14.根据权利要求10所述的发光元件，
其中所述Ar1及所述Ar2分别独立地表示取代或未取代的2-芴基、取代或未取代的螺环-9,9＇-二芴-2-基或者联苯-4-基。
15.根据权利要求10所述的发光元件，其中所述第一有机化合物和所述第二有机化合物的组合形成激基复合物。
16.一种在发光部中包括根据权利要求10所述的发光元件的发光装置。
17.一种在显示部中包括根据权利要求16所述的发光装置的电子设备。
18.一种在发光部中包括根据权利要求16所述的发光装置的照明装置。
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