CN104465358A - 切断装置及切断方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种切断装置及切断方法，通过事先将被切断物冷却至与切削水相同的设定温度，从而抑制从对准时刻至进行切断期间的热变形。在双工位工作台方式的切断装置中，由冷气生成机构将冷气供给至装载机。通过使冷气在形成于装载机的冷却部的冷却用通道中进行流动，从而冷却固定部上吸附着的封装基板。通过事先冷却封装基板以使与切削水的设定温度相同，从而使封装基板收缩成与进行切断的状态相同。由于在已收缩的状态下进行对准，因此在从对准时刻至进行切断期间切断线的位置不会偏移，从而能够沿切断线准确地进行切断。
Description
技术领域
本发明涉及一种通过切断被切断物来制造经单片化的多个电子部件的切断装置及切断方法。
背景技术
将由印刷基板或引线框等构成的基板虚拟地区分为格子状的多个区域，并且在已区分的各个区域中安装芯片状的元件之后，对基板整体进行树脂封装的基板称作封装基板。通过使用旋转刃等切断装置而切断作为被切断物的该封装基板，并且通过切断按各区域单位单片化成的为电子部件。
以往以来，使用具有旋转刃等切断机构的切断装置切断封装基板的规定区域。例如，由以下方式来切断BGA(球栅阵列封装，Ball Grid Array Package)产品。首先，在基板放置位置上，在使封装基板中的作为经树脂封装的表面的相反面且存在连接用球的表面(植球面)向上的状态下将封装基板放置在切断用工作台上并进行吸附。其次，将封装基板的植球面作为对象来进行对准(对位)。此时，使用摄像机构来检测设置在植球面上的对准标志。作为设计值，事先明确对准标志和区分多个区域的虚拟的切断线(边界线)之间的位置关系。因此，基于这些位置关系，设定虚拟的切断线的位置。其次，使吸附封装基板的切断用工作台移动至基板切断位置。在基板切断位置上，向封装基板的切断部位喷射切削水。在该状态下，使用切断机构沿切断线切断封装基板。通过切断封装基板而制造经单片化的电子部件。
若使用切断装置来重复一张封装基板的切断，则由于切断机构上安装的旋转刃而产生的摩擦热、起因于封装基板与切削水的温度差的热梯度和对切断用工作台的热传导等种种因素而封装基板在进行对准之后通过温度变化而进行热变形。因此，在已对准的时刻和即将进行切断之前，有时设定在封装基板上的切断线的位置偏移。若在切断线的位置偏移的状态下进行切断，则有可能引起电子部件的损坏和劣化。
作为通过测量切断线的错位来进行修正的技术，提出有如下切削方法(例如，专利文献1的段落[0011])：一种使用切削装置来切削板状物的切削方法，将所述基准线和所述刀片检测机构的间隔设定为D，实施所述切削预定位置和所述基准线的对准，在实施一次该切削预定位置与该基准线的对准的状态下，(略)，利用所述刀片检测机构检测直至所述切削刀片的距离d，相对于所述基准线与所述刀片检测机构的间隔D，利用(d-D)修正所述切削刀片的位置并切削板状物。
专利文献1：特开2009-206362号公报
然而，在上述的切削方法中，产生如下问题。根据上述的方法，虽然修正切削装置中的切削刀片的错位，但是并没有考虑修正时由作为被切断物的板状物的温度变化引起的热变形。在相对于室温(气氛温度)特意降低切削水的温度的情况下，或在相对于室温，切削水的温度变低的情况下，切削时通过切削水冷却被切断物和切断用工作台，被切断物自身也进行热变形(进行热收缩)。进一步，在进行对准期间或进行移动期间，通过对经冷却的切断用工作台的热传导而板状物进行热变形(进行热收缩)。在上述的方法中，通过进行对准而设定切削预定位置之后，并没有检测由板状物的热变形引起的切削预定位置的偏移量。因此，若由板状物的热变形引起的偏移量大，则具有在产生切削预定位置的错位的状态下切断板状物的可能性。
此外，近年来，电子部件的小型化越来越发展，但为了提高电子部件的生产效率，使基板大型化，希望增加从一张基板中取出的电子部件的数量的要求变得强烈。伴随此，切断一张基板所需的时间也增大。为了解决该问题，对切断装置来说也要求提高生产率。作为其一个对策，广泛使用设置两个切断用工作台的所谓双工位工作台方式的切断装置。
在双工位工作台方式的切断装置中，有时直至一个切断用工作台上完成被切断物的切断为止，另一个切断用工作台上产生等待时间。若被切断物大型化，并且在一个切断用工作台上切断一张被切断物所需的时间增加，则在另一个切断用工作台上的等待时间变长。在该等待时间期间，被切断物因受到切削水等影响而进行热变形(进行热收缩)。因此，相对于对准时刻中设定的切断线，会具有在即将进行切断之前的切断线产生错位的可能性。在产生错位的状态下进行切断，则会具有引起电子部件的破损和劣化的可能性。
发明内容
本发明解决上述的问题，其目的在于提供一种切断装置及切断方法，该切断装置及方法即使在切削水的温度相对于室温改变(变低)的情况下，通过事先将进行对准之前的被切断物冷却至与切削水相同的温度，从而也能够在从对准时刻至进行切断的期间控制热变形。
为了解决上述的问题，本发明所涉及的切断装置包括：运送机构，运送被切断物；载物台，供放置所述被切断物；对位机构，通过使所述载物台上放置的所述被切断物所具有的切断线的位置对位来进行设定；切断机构，使用旋转刃沿所述切断线切断所述被切断物；和喷射机构，对所述旋转刃与所述被切断物所抵接的被加工点喷射规定温度的切削水，所述切断装置的特征在于，包括：
第一冷却机构，设置在所述运送机构或所述载物台中的至少一个中且冷却所述被切断物，
通过所述第一冷却机构而所述被切断物冷却至所述规定温度，
通过所述对位机构而设定被冷却至所述规定温度的所述被切断物上的所述切断线的位置。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
设置有多个所述载物台，
在切断多个所述载物台中的一个所述载物台上放置的所述被切断物期间，冷却通过所述运送机构运送的所述被切断物，或冷却剩余的所述载物台上放置的所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
通过在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的通道中流动的冷却用介质而冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
通过对在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上放置的所述被切断物吹喷冷却用介质而冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
所述第一冷却机构具有珀尔帖元件。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
包括在交付给所述运送机构之前冷却所述被切断物的第二冷却机构。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
所述被切断物为使用硬化树脂对电路板上安装的电子部件的芯片进行树脂封装后的封装基板。
另外，本发明所涉及的切断装置的特征在于，在上述的切断装置中，
所述被切断物为内含电路的半导体晶片。
为了解决上述的课题，本发明所涉及的切断方法包括：
将被切断物交付给运送机构的工序；
使用所述运送机构将被切断物运送至载物台的工序；
将所述被切断物放置在所述载物台上的工序；
使所述载物台上放置的所述被切断物所具有的切断线的位置对位来进行设定的工序；
使用旋转刃且沿所述切断线对所述载物台上放置的所述被切断物进行切断的工序；和
对所述被切断物和所述旋转刃所抵接的被加工点喷射规定温度的切削水的工序，所述切断方法的特征在于，包括：
在所述进行设定的工序之前的期间的至少一部分期间中，直至所述规定温度为止对所述被切断物进行冷却的工序，
在所述进行设定的工序中，将被冷却至所述规定温度的所述被切断物作为对象来设定所述切断线的位置。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
设置有多个所述载物台，
在所述进行切断的工序中，切断在多个所述载物台中的一个所述载物台上放置的所述被切断物，
在所述进行冷却的工序中，在切断放置在一个所述载物台上的所述被切断物期间，冷却与进行切断的所述被切断物不同的其他所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
在所述进行冷却的工序中，通过使冷却用介质在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的通道中流动而冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
在所述进行冷却的工序中，通过对所述运送机构或所述载物台中的至少一个上放置的所述被切断物吹喷冷却用介质而冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
在所述进行冷却的工序中，使用所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的珀尔帖元件来冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
在所述进行冷却的工序中，在将所述被切断物交付给所述运送机构之前的步骤中冷却所述被切断物。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
所述被切断物为使用硬化树脂对电路板上安装的电子部件的芯片进行树脂封装后的封装基板。
另外，本发明所涉及的切断方法的特征在于，在上述的切断方法中，
所述被切断物为内含电路的半导体晶片。
根据本发明，在进行对位的时刻之前，事先将被切断物冷却至与切削水相同的设定温度。由此，在从对位的时刻至进行切断的期间，能够抑制被切断物的热变形。因此，由于在从对位的时刻至进行切断的期间，能够抑制被切断物的切断线的位置错位，因此能够沿切断线准确地进行切断。
附图说明
图1是表示本实施例所涉及的双工位工作台方式的切断装置的示意性俯视图。
图2是表示封装基板的概要的外观图，图2的(a)是从植球面侧观察的俯视图，图2的(b)是主视图，图2的(c)是侧视图。
图3是在双工位工作台方式的切断装置中，表示本实施例所涉及的各切断用工作台的动作的示意性时间表。
图4是表示本实施例所涉及的运送机构与冷气生成机构的结构的示意性结构图。
附图标记说明
1 切断装置
2 基板装填部
3 封装基板(被切断物)
3a 植球面
3b 浇注面
4 前置载物台
5 装载机(运送机构，第一冷却机构)
6 压缩空气供给机构
7 冷气生成机构
8A、8B 切断用工作台
9A、9B 切断用载物台(载物台，第一冷却机构)
10 基板放置部
11 基板切断部
12 基板清洗部
13 对准用照相机
14A、14B 心轴单元(切断机构)
15A、15B 旋转刃
16A、16B 切削水用喷嘴(喷射机构)
17 切口检测用照相机
18 由多个电子部件构成的集合体
19 卸载机
20 清洗机构
21 清洗辊
22 检查用载物台
23 检查用照相机
24 转位台
25 移送机构
26 合格品用托盘
27 基板部
28 封装树脂部
29 对准标志
30、30S、30L 切断线
31 区域
32 压缩空气供给口
33 暖气排出口
34 冷气排出口
35 固定部
36 冷却部(第一冷却机构)
37 吸附通道
38 冷却用通道(通道)
A 接收单元
B 供给单元
C 切断单元
D 清洗单元
E 检查单元
F 收容单元
BT 冷却槽(第二冷却机构)
P 电子部件
CTL 控制部
LD 装载(Load)
PA 预对准(Pre Alignment)
CT 切断(Cut)
WD 清洗和干燥(Wash&Dry)
UL 卸载(Unload)
WT 等待(Wait)
S 工序(Steps)
具体实施方式
在本发明中，在双工位工作台方式的切断装置中，由冷气生成机构向装载机供给冷气。通过使冷气在装载机的冷却部中形成的冷却用通道中流动，从而冷却吸附于固定部上的封装基板。通过事先将封装基板冷却至与切削水的设定温度相同的温度，从而使封装基板收缩，使之与进行切断的状态相同。由于在已收缩的状态下进行对准，因此能够在切断线的位置未偏移的情况下沿切断线准确地进行切断。
参照图1至图4，对本发明的一实施例的切断装置的实施例进行说明。本申请文件中的任一张图，为了易于理解均进行适当省略或夸张以示意性地描绘。对相同的结构要素使用相同的附图标记，并适当省略说明。此外，在本实施例中，对相对于室温(气氛温度)特意降低(冷却)切削水的情况进行说明。
图1是表示本实施例所涉及的双工位工作台方式的切断装置1的示意性俯视图。切断装置1使相当于被切断物的封装基板3单片化为多个电子部件。切断装置1具有分别作为结构要素(模块)的接收单元A、供给单元B、切断单元C、清洗单元D、检查单元E和收容单元F。
相对于其他结构要素，作为各结构要素的各单元A至F分别能够装卸且能够交换，事先准备成分别具有与预料的要求规格相应的不同的多种规格的各单元。通过包括各单元A至F来构成切断装置1。
在接收单元A中设置有基板装填部2。基板装填部2从作为前工序装置的树脂封装装置接收封装基板3。封装基板3(例如，BGA方式的封装基板)以植球面3a朝上的方式被配置在基板装填部2上。
封装基板3具有引线框或印刷基板等的电路板、安装在电路板上的格子状的多个区域中且包括无源元件或有源元件的芯片和由一并成型的硬化树脂构成的封装树脂。
在供给单元B中设置有前置载物台4及装载机5。装载机5能够沿X方向及Z方向移动。另外，可使装载机5构成为能够沿θ方向转动。在前置载物台4上定位封装基板3之后，通过装载机5吸附并运送至切断单元C。
在本实施例中，在供给单元B设置有压缩空气供给机构6和将压缩空气变换为作为冷却用介质的冷气的冷气生成机构7。压缩空气从压缩空气供给机构6供给至冷气生成机构7。在冷气生成机构7中，供给的压缩空气变换为冷气和暖气。装载机5由通过吸附封装基板3而进行固定的固定部和冷却封装基板3的冷却部构成。冷气从冷气生成机构7供给至装载机5的冷却部，通过该冷气而冷却吸附于固定部上的封装基板3。此外，还可以在装载机5上通过夹紧等方式来固定封装基板3。进一步，还可以设置冷却槽BT以作为冷却封装基板3的另一个冷却机构(第二冷却机构)。具体在后面详述。
在切断单元C设置有切断用工作台8A、8B。通过使用吸附、夹紧和胶带等来将封装基板3固定在切断用工作台8A、8B上。两个切断用工作台8A、8B通过移动机构(未图示)能够分别沿图中Y方向移动，并且能够沿θ方向转动。在切断用工作台8A、8B上安装有切断用载物台9A、9B。切断单元C由基板放置部10、基板切断部11和基板清洗部12构成。
在基板放置部10上设置有对准用照相机13。照相机13能够在基板放置部10中独立地沿X方向移动。关于封装基板3，在基板放置部10中通过照相机13检测出形成于植球面3a上的对准标志，并且通过控制部CTL(后述)设定虚拟的切断线的位置。
在基板切断部11设置有作为切断机构的两个心轴单元14A、14B。两个心轴单元14A、14B能够独立地沿X方向及Z方向移动。在两个心轴单元14A、14B分别设置有旋转刃15A、15B。这些旋转刃15A、15B分别在沿Y方向的面内旋转而切断封装基板3。因此，在本实施例中，在基板切断部11设置有两个切断机构(心轴单元14A、14B)。
在各心轴单元14A、14B设置有为了抑制因高速旋转的旋转刃15A、15B而产生的摩擦热而喷射切削水的切削水用喷嘴12A、12B。朝向旋转刃15A、15B切断封装基板3的被加工点喷射切削水。进一步，在心轴单元14B侧一体化地设置有用于检测通过旋转刃15B切断的切断槽(切口)的位置、宽度、有无缺损(崩刃)等的切口检测用照相机17。照相机17拍摄旋转刃15B所切断的切断线。照相机17被设置在两个心轴单元14A、14B中的任一单元中。或者，还可以在两个心轴14A、14B的两单元均设置照相机17。
在基板清洗部12设置有清洗机构(未图示)，该机构清洗由通过切断封装基板3来单片化的多个电子部件P构成的集合体18的植球面。
在基板放置部10设置有将已清洗植球面的电子部件P的集合体18运送至清洗单元D的卸载机19。卸载机19能够沿X方向及Z方向移动。另外，卸载机19还可以构成为能够沿θ方向转动。
在清洗单元D设置有清洗经单片化的电子部件P的树脂侧表面(浇注面)的清洗机构20。在清洗机构20设置有能够以Y方向为轴旋转的清洗辊21。在清洗浇注面3b的清洗机构20的上方配置有由通过切断封装基板3来单片化的多个电子部件P构成的集合体18。通过卸载机19吸附植球面侧来固定集合体18。即，集合体18以浇注面朝下的方式固定在卸载机19上。通过使卸载机19沿X方向往复移动，从而通过清洗辊21清洗集合体18的浇注面。
在检查单元D设置有检查用载物台22。使用卸载机19将由通过切断封装基板3来经单片化的多个电子部件P构成的集合体18一并移载在检查用载物台22上。检查用载物台22被构成为能够沿X方向移动，并且能够以Y方向为轴旋转。由经单片化的多个电子部件P(例如，BAG产品)构成的集合体18通过检查用照相机23检查浇注面及植球面，并且被筛选为合格品和次品。由已检查的电子部件P构成的集合体18以格子旗图案状(checker flag pattern状)或格子状移载在转位台24上。在检查单元E设置有用于向托盘移送被配置在转位台24上的电子部件P的多个移送机构25。
在收容单元F设置有收容合格品的合格品用托盘26和收容次品的次品用托盘(未图示)。被筛选为合格品和次品的电子部件P通过移送机构25被收容到各托盘中。图中，仅表示了设置两个合格品用托盘26的情况，但还可以设置三个以上合格品用托盘26。
在切断装置1中，例如通过设置在接收单元A内的控制部CTL来控制封装基板3的移动和运送(运送机构等的动作)、封装基板3中的切断线的位置的设定(对位机构等的动作)、使用切断机构的封装基板3的切断、使用清洗机构的植球面3a及浇注面3b的清洗及经单片化的电子部件P的检查和收容等所有处理。本实施例表示了通过设置在接收单元A内的控制部CTL来控制所有处理的情况。不限定于此，还可以将控制部CTL设置在其他单元内。另外，还可以设置各自的控制部来控制从切断至清洗的处理及从检查至收容的处理。在本实施例中，封装基板3为被切断物的一例，切断用载物台9A、9B为载物台的一例，冷却用通道38为通道的一例，装载机5为运送机构的一例，对准用照相机13和控制部CTL为对位机构的一例，心轴单元14A、14B为切断机构的一例，切削水用喷嘴16A、16B为喷射机构的一例，装载机5、切断用载物台9A、9B和冷却部36为第一冷却机构的一例，冷却槽BT为第二冷却机构的一例。
下面，关于冷却切削水进行说明。如图1所示，在基板放置部10中，封装基板3在常温(例如，20～25℃)气氛下进行对准。另一方面，在基板切断部11中，为了抑制旋转刃15A、15B的摩擦热而从切削水用喷嘴16A、16B朝向位于被加工点的封装基板3喷射切削水。根据进行切断的条件，有时切削水需要冷却至与室温(气氛温度)相比低温的规定温度(设定温度)例如10℃～15℃。为了提高冷却效果，还具有切削水被冷却至进一步更低温的情况。
为了提高冷却效果，有时还会设置与切削水用喷嘴16A、16B不同地从旋转刃15A、15B的两侧向被加工点喷射冷却水的冷却用喷嘴(未图示)。还可以通过在旋转刃15A、15B的两侧设置多个该冷却用喷嘴而非设置一个，从而进一步提高冷却效果。冷却水也被冷却至与切削水相同的设定温度。
通过该切削水及冷却水分别冷却封装基板3、切断用工作台8A、8B和切断用载物台9A、9B。通过分别冷却封装基板3、切断用工作台8A、8B和切断用载物台9A、9B，从而按照构成这些的材料从室温状态进行收缩。
图2是表示封装基板3的概要的外观图。分别表示为：图2的(a)是从植球面侧观察封装基板3的俯视图，图2的(b)是主视图，图2的(c)是侧视图。封装基板3由基板部27和封装树脂部28构成，其中，所述封装树脂部28由硬化树脂构成。封装基板3具有植球面3a和浇注面3b。在封装基板3的植球面3a上沿长度方向及宽度方向形成有多个对准标志29(图中用“+”表示的标志)。与封装基板3的大小和经单片化的电子部件P的数量相对应地确定沿长度方向及宽度方向形成的对准标志29。
通过设置在基板放置部10上的对准用照相机13(参照图1)检测出多个对准标志29的坐标位置之后，基于作为设计值事先明确的对准标志29与虚拟的切断线(边界线)30的位置关系，设定切断线30的位置。就切断线30来说，分别设定封装基板3的宽度方向的切断线30S和沿切断长度方向的切断线30L。被切断线30S和切断线30L包围的区域31分别对应电子部件P。可以根据产品任意确定为了设定切断线25S、25L而检测的对准标志29的数量。
图3是用于说明在图1所示的本实施例的双工位工作台方式的切断装置1中，切断单元C中的切断用工作台8A及8B的动作的示意性时间表。在图3中，附图标记LD为装载(Load)、PA为预对准(Pre Alignment)、CT为切断(Cut)、WD为清洗和干燥(Wash&Dry)、UL为卸载(Unload)、WT为等待时间(Wait)的各状态。S1、S2、…、S5分别用一根向下的箭头表示将一张封装基板作为对象进行的从装载(LD)至卸载(UL)的工序(Steps)。
参照图1至图3，对于在各切断用工作台8A、8B中切断封装基板3的一系列的工序进行说明。对于在各切断用工作台8A、8B中切断封装基板3直至单片化为多个电子部件P的动作进行说明。
如图1所示，在基板放置部10中，在安装于切断用工作台8A的切断用载物台9A上使植球面3a朝上地放置有封装基板3(图3的LD1)。
其次，使用对准用照相机13，沿长度方向及宽度方向检测出形成在封装基板3的植球面3a上的对准标志29来测定坐标位置。可以根据封装基板3的大小及电子部件P的数量来任意确定检测对准标志29的个数。基于该检测出的对准标志29的坐标位置的数据，分别沿宽度方向及长度方向设定切断封装基板3的虚拟的切断线30S及30L(图3的PA1)。
其次，使切断用工作台8A从基板放置部10移动至基板切断部11。在基板切断部11中，通过两个设置在心轴单元14A、14B上的旋转刃15A、15B切断封装基板3。首先，在使封装基板3的长度方向平行于X方向(参照图1)的方式放置的状态下，使切断用工作台8A朝向心轴单元14A、14B(图1的+Y方向)移动。通过使封装基板3朝向旋转刃15A、15B进入，从而顺着沿封装基板3的宽度方向的各切断线30S(参照图2)切断封装基板3。在进行切断时，从切削水用喷嘴16A、16B向旋转刃15A、15B和封装基板3所接触的被加工点喷射切削水。此外，在基板切断部11中，用双点划线表示的切断工作台8A(参照图1)等位置表示进行切断之后的位置。
其次，使切断用工作台8A旋转90度，顺着沿封装基板3的长度方向的各切断线30L(参照图2)切断封装基板3。如此，切断用工作台8A上放置的封装基板3沿各切断线30S及各切断线30L被切断，从而形成各区域31。该区域31为分别经单片化的电子部件P(图3的CT1)。
在上述的动作中，首先顺着沿封装基板3的宽度方向的各切断线30S切断封装基板3，其次顺着沿长度方向的各切断线30L切断封装基板3。不限于此，还可以首先顺着沿长度方向的各切断线30L切断封装基板3，其次顺着沿宽度方向的各切断线30S切断封装基板3。
其次，在保持一并吸附由经单片化的多个电子部件P构成的集合体18的状态下，使切断用工作台8A从基板切断部11移动至基板清洗部12。在基板清洗部12中，清洗电子部件P的植球面3a并使其干燥(图3的WD1)。以下，与封装基板3相同，将电子部件P的植球面称作植球面3a。
在完成电子部件P的植球面3a的清洗和干燥之后，使切断用工作台8A从基板清洗部12移动至基板放置部10。到目前为止的工序是在将浇注面3b吸附到切断用载物台9A的状态下，使植球面3a朝上地进行处理。
其次，在基板放置部10中，使卸载机19下降且一并吸附切断用载物台9A上配置的电子部件P的植球面3a。通过卸载机19吸附的电子部件P的集合体18被运送至清洗单元D(图3的UL1)。
如图3的S1所示，到此为止说明的动作表示对放置在切断用工作台8A上的最初的封装基板3进行单片化后运送至下一个清洗单元D为止的一系列的工序。即，通过进行装载(LD1)→预对准(PA1)→切断(CT1)→清洗和干燥(WD1)至卸载(UL1)的工序，封装基板3被单片化为由多个电子部件P构成的集合体18，并被一并运送至下一个工序。
在完成切断用工作台8A的装载(LD1)之后，在切断用工作台8B中，同样开始进行装载(LD2)→预对准(PA2)→切断(CT2)→清洗和干燥(WD2)至卸载(UL2)的一系列工序。然而，在切断用工作台8A的各工序中的处理完成之前，切断用工作台8B不能进入该工序。因此，对图3的S2的动作来说，在完成切断用工作台8B中的预对准(PA2)之后，产生等待时间(WT2)直至完成切断用工作台8A的S1中的切断(CT1)为止。换言之，在完成切断用工作台8A的切断(CT1)之后，在切断用工作台8B中开始切断(CT2)。如此，直至一侧的切断用工作台中完成切断(CT)为止，另一侧的切断用工作台中产生等待时间(WT)。
但是，在图3的S1中的清洗和干燥(WD1)之后，切断用工作台8A从基板清洗部12返回到基板放置部10，并且将电子部件P交付给卸载机19。返回到基板放置部10的切断用工作台8A及切断用载物台9A分别保持与被切削水及冷却水冷却的状态几乎相同的温度。如图3的S3所示，在基板放置部10中新的封装基板3被放置在切断用工作台8A上(LD3)。在常温气氛下对切断用工作台8A上放置的封装基板3进行预对准(PA3)。然而，由于另一个切断用工作台8B处于切断(CT2)中，因此切断用工作台8A等待(WT3)切断(CT3)直至完成该切断(CT2)。
根据现有技术，在该等待时间(WT3)期间，由于对在切断(CT1)时经冷却的状态的切断用工作台8A及切断用载物台9A的热传导，封装基板3被冷却而收缩。由于进行收缩，相对于预对准(PA3)时刻中设定的切断线30S及30L，在实际的切断线30S及30L的位置上产生偏移。若等待时间(WT3)变长，则该切断线30S及30L的偏移量进一步变大。
根据现有技术，例如在图3的实施例中，装载(LD)需要10秒时间，预对准(PA)需要30秒时间，切断(CT)需要120秒时间，清洗和干燥(WD)需要30秒时间，卸载(UL)需要10秒时间，补充对准(AA)需要10秒时间。那样的话，在S3工序中，等待时间(WT3)为40秒，在该期间封装基板3经冷却而收缩。近年来，由于封装基板3大型化，电子部件P的生产量增加，从而切断线的总体长度增加，因此具有该等待时间(WT)也变长的倾向。因此，封装基板3收缩的收缩量也变大，从而切断线30S、30L的偏移量也变大。
另一方面，根据本发明，事先冷却封装基板3，以免在S3工序中的等待时间(WT3)期间产生切断线的偏移量。即，在预对准封装基板3之前，冷却封装基板3直至切削水的设定温度(T℃)为止。由此，在从预对准时刻至进行切断期间，通常能够使封装基板3保持为与切削水相同的温度。因此，在预对准以后不会受到由温度变化引起的热变形，在从预对准时刻至进行切断期间，在封装基板3上设定的切断线的位置上不会产生偏移。此外，在切削水和冷却水的温度不同的情况下，冷却封装基板3直至比任何一个温度低的设定温度为止。
如此，在切断用工作台8A、8B中，从进行预对准之前起通常使封装基板3冷却至切削水的设定温度，从而能够防止预对准之后的收缩。因此，由于在从进行预对准时刻至进行切断期间，封装基板3上设定的切断线30S、30L的位置不会偏移，因此能够沿切断线30S、30L准确地进行切断。
冷却封装基板3时的温度可以不是与切削水的设定温度T℃严格相同的温度。进行冷却的目标温度可以为切削水的设定温度T℃附近的温度(例如，(T+α)℃)，起因于温度差α℃的封装基板3的收缩量不会对切断线30S、30L的偏移量带来实质性的影响即可。此外，按照电子部件的尺寸和特性，可以事先规定切断线30S、30L的偏移量的容许值。
图4是表示本实施例所涉及的运送机构和冷气生成机构的结构的示意性结构图。使用图4，具体说明冷却封装基板3的机构。压缩空气从压缩空气供给机构6供给至冷气生成机构7的压缩空气供给口32。在此表示的冷气生成机构7为被称作所谓涡管的机构。通过使压缩空气在冷气生成机构7的内部复杂移动，压缩空气最终变换为暖气和冷气。暖气从暖气排出口33排出，冷气从冷气排出口34排出并被供给至作为运送机构的装载机5。冷气从冷气生成机构7经由活动配管供给至装载机5。
装载机5由通过吸附封装基板3来进行固定的固定部35和用于冷却封装基板3的冷却部36构成。在固定部35设置有吸附封装基板3的吸附通道37，在冷却部36设置有从冷气生成机构7供给的冷气进行流动的冷却用通道38。冷却用通道38以矩形状或网眼状的通道方式形成在冷却部36内，均匀地冷却吸附于固定部35及固定部35上的封装基板3的整个表面。装载机5吸附封装基板3，如图1所示，能够沿X方向及Z方向移动。另外，根据需要，可将装载机5构成为能够沿θ方向转动。
对装载机5来说，通过在形成于冷却部36的冷却用通道38中流动的冷气而冷却吸附于固定部35上的封装基板3。通过控制部CTL(参照图1)控制冷气的温度，使得封装基板3成为与切削水的设定温度相同的温度。封装基板3通过冷却至与切削水相同的设定温度，从而从常温状态进行收缩。如此，通过装载机5将封装基板3冷却至与切削水相同的设定温度，并且在已收缩的状态下运送至切断用工作台8A、8B。因此，装载机5的冷却部36作为第一冷却机构来发挥作用。
在基板放置部10中，在封装基板3经冷却而收缩的状态下预对准封装基板3。因此在封装基板3中，在经冷却而收缩的状态下设定切断线30S、30L的位置。如此，即使在切断封装基板3之前产生等待时间，通过使用装载机5的冷却及对被切削水和冷却水冷却的切断用工作台8A、8B和切断用载物台9A、9B的热传导，封装基板3也会维持与切削水相同的设定温度。因此，在从已预对准的时刻至进行切断的期间不会有热变动，不会产生热变形。如此，由于在从已预定的时刻至进行切断的期间在封装基板3上设定的切断线30S、30L的位置不会偏移，因此能够沿切断线30S、30L准确地进行切断。
还可以使用利用珀尔帖效果的珀尔帖元件来作为冷却封装基板3的第一冷却机构，以冷却封装基板3。进一步，还可以在不使用涡管的情况下，通过对装载机5的冷却部38直接供给水和空气等冷却用介质，从而经由装载机5冷却封装基板3。另外，还可以在装载机5中，对封装基板3吹喷冷却用介质。
此外，还可以在切断用工作台8A、8B或切断用载物台9A、9B上增加用于冷却封装基板3的机构。此时，也与装载机5相同地，可通过使用涡管、珀尔帖元件或冷却用介质等来冷却封装基板3。另外，还可以在切断用载物台9A、9B上，对封装基板3吹喷冷却用介质。
进一步，可在切断装置1中设置冷却槽BT(参照图1)。向冷却槽3内供给设定为与切削水相同的设定温度的冷却水。在前置载物台4上配置封装基板3之前，通过使封装基板3浸渍在该冷却槽BT中而冷却至与切削水相同的设定温度。也可将装载机5构成为也能够沿Y方向移动的结构，从而向切断用工作台8A、8B运送在冷却槽BT中冷却的封装基板3。被供给至冷却槽BT的冷却水也可通过回收从切削用喷嘴16A、16B喷射的切削水来进行再利用。代替冷却槽BT，还可以使用具有与装载机5的冷却部36相同的结构的冷却板。
如到目前为止说明的那样，在双工位工作台方式的切断装置1中，在一个切断机构完成切断之前，在另一个切断机构中产生等待时间。根据现有技术，在该等待时间期间，通过对被切削水和冷却水冷却的切断用工作台8A、8B和切断用载物台9A、9B的热传导来冷却封装基板3。通过该影响，在等待期间封装基板3由于热变形而进行收缩。因此，在预对准时刻设定的封装基板3的虚拟的切断线30S、30L的位置上产生偏移。
另一方面，根据本发明，通过使从冷气生成机构7供给的冷气在形成于装载机5的冷却部36的冷却用通道38中流动，从而冷却吸附于固定部35及固定部35上的封装基板3。通过装载机5，封装基板3在进行预对准之前经冷却而进行收缩。通过使封装基板冷却至与切削水的设定温度相同的温度，使封装基板3维持收缩的状态直至完成切断为止。如此，在预对准时刻设定的封装基板3的切断线30S、30L的位置不会偏移，能够沿切断线30S、30L准确地进行切断。因此，能够防止电子部件P的破损和劣化。
近年来，由于封装基板3的大型化越来越发展，从一张封装基板3中取出的电子部件P的数量也增多，因此切断线的总体长度也不断增加。特别是，在双工位工作台方式的切断装置中，由于切断线的长度的增加而切断一张封装基板3所需的时间也不断增加。因此，处于等待时间也有增加的倾向。在这种情况下，重点在于准确把握通过从预对准时刻至进行切断之前生成的热变形而产生的切断线的偏移量。因此，如本发明，通过事先冷却封装基板3，设为与进行切断的状态相同的状态来进行预对准，从而防止产生切断线30S、30L的偏移的方法为非常有效的方法。
另外，本发明还可以适用于具有一个切断用工作台的单工位工作台方式的切断装置。本发明还可以适用于切断装置1具有三个以上的切断用工作台的情况。
作为被切断物，除封装基板3以外，还可以使用半导体晶片。由于半导体晶片的各区域中含有电路，因此相当于各区域的部分(半导体芯片)与切断后的电子部件P对应。
根据本发明，通过事先冷却封装基板，能够在预对准时刻设定进行切断的状态的切断线的位置。因此，本发明对成品率的提高、可靠性的提高和生产率的提高作出巨大贡献，是工业上价值非常高的装置。
另外，本发明并不限于上述的实施例，在不脱离本发明的主旨范围内，能够按照需要，任意并且适当组合而进行变更，或选择性地采用。
Claims (16)
1.一种切断装置，包括：
运送机构，运送被切断物；
载物台，供放置所述被切断物；
对位机构，通过使所述载物台上放置的所述被切断物所具有的切断线的位置对位来进行设定；
切断机构，使用旋转刃沿所述切断线切断所述被切断物；和
喷射机构，对所述旋转刃与所述被切断物所抵接的被加工点喷射规定温度的切削水，
所述切断装置的特征在于，包括：
第一冷却机构，设置在所述运送机构或所述载物台中的至少一个中且用于冷却所述被切断物，
通过所述第一冷却机构，所述被切断物冷却至所述规定温度，
通过所述对位机构设定被冷却至所述规定温度的所述被切断物上的所述切断线的位置。
2.根据权利要求1所述的切断装置，其特征在于，
设置有多个所述载物台，
在切断多个所述载物台中的一个所述载物台上放置的所述被切断物期间，冷却通过所述运送机构运送的所述被切断物，或冷却剩余的所述载物台上放置的所述被切断物。
3.根据权利要求2所述的切断装置，其特征在于，
通过在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的通道中流动的冷却用介质而冷却所述被切断物。
4.根据权利要求2所述的切断装置，其特征在于，
通过对在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上放置的所述被切断物吹喷冷却用介质而冷却所述被切断物。
5.根据权利要求2所述的切断装置，其特征在于，
所述第一冷却机构具有珀尔帖元件。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的切断装置，其特征在于，
包括在交付给所述运送机构之前冷却所述被切断物的第二冷却机构。
7.根据权利要求1所述的切断装置，其特征在于，
所述被切断物为使用硬化树脂对电路板上安装的电子部件的芯片进行树脂封装后的封装基板。
8.根据权利要求1所述的切断装置，其特征在于，
所述被切断物为内含电路的半导体晶片。
9.一种切断方法，包括：
将被切断物交付给运送机构的工序；
使用所述运送机构将所述被切断物运送至载物台的工序；
将所述被切断物放置在所述载物台上的工序；
使所述载物台上放置的所述被切断物所具有的切断线的位置对位来进行设定的工序；
使用旋转刃且沿所述切断线对所述载物台上放置的所述被切断物进行切断的工序；和
对所述被切断物和所述旋转刃所抵接的被加工点喷射规定温度的切削水的工序，
所述切断方法的特征在于，包括：
在所述进行设定的工序之前的期间的至少一部分期间中，直至所述规定温度为止对所述被切断物进行冷却的工序，
在所述进行设定的工序中，将被冷却至所述规定温度的所述被切断物作为对象来设定所述切断线的位置。
10.根据权利要求9所述的切断方法，其特征在于，
设置有多个所述载物台，
在所述进行切断的工序中，切断在多个所述载物台中的一个所述载物台上放置的所述被切断物，
在所述进行冷却的工序中，在切断放置在一个所述载物台上的所述被切断物期间，冷却与进行切断的所述被切断物不同的其他所述被切断物。
11.根据权利要求10所述的切断方法，其特征在于，
在所述进行冷却的工序中，通过使冷却用介质在所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的通道中流动而冷却所述被切断物。
12.根据权利要求10所述的切断方法，其特征在于，
在所述进行冷却的工序中，通过对所述运送机构或所述载物台中的至少一个上放置的所述被切断物吹喷冷却用介质而冷却所述被切断物。
13.根据权利要求10所述的切断方法，其特征在于，
在所述进行冷却的工序中，使用所述运送机构或所述载物台中的至少一个上设置的珀尔帖元件来冷却所述被切断物。
14.根据权利要求9至13中的任一项所述的切断方法，其特征在于，
在所述进行冷却的工序中，在将所述被切断物交付给所述运送机构之前的步骤中冷却所述被切断物。
15.根据权利要求9所述的切断方法，其特征在于，
所述被切断物为使用硬化树脂对电路板上安装的电子部件的芯片进行树脂封装后的封装基板。
16.根据权利要求9所述的切断方法，其特征在于，
所述被切断物为内含电路的半导体晶片。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109420979A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 东和株式会社 | 加工装置以及加工方法 |
| TWI806486B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-06-21 | 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 | 加工裝置及加工品的製造方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6612632B2 (ja) | 2016-01-26 | 2019-11-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR101831256B1 (ko) * | 2016-07-01 | 2018-02-22 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 스트립 정렬장치 및 반도체 스트립 정렬방법 |
| JP6612206B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2019-11-27 | Ｔｏｗａ株式会社 | 切断装置 |
| KR102146305B1 (ko) * | 2018-12-18 | 2020-08-20 | 주식회사 포스코 | 절삭기용 보어 텍스 냉각기 |
| JP7430154B2 (ja) * | 2021-03-29 | 2024-02-09 | Ｔｏｗａ株式会社 | 加工装置、及び加工品の製造方法 |
| KR102685963B1 (ko) * | 2021-07-13 | 2024-07-17 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 자재 절단방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1230286C (zh) * | 2001-10-12 | 2005-12-07 | 株式会社迪斯科 | 切割机 |
| CN1854839A (zh) * | 2005-04-18 | 2006-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 负载锁定装置及处理方法 |
| US20080280423A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | William Jeffery Reeder | Chilled wafer dicing |
| KR20110081917A (ko) * | 2010-01-09 | 2011-07-15 | 주식회사 리빙케어 | 냉각 제어를 이용한 웨이퍼 다이싱용 척 장치 |
| CN102714171A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 具有基板冷却的传送机械手 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416611A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | Nec Corp | Dicing device for semiconductive wafer |
| JPH0729859A (ja) * | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP2001044143A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Sony Corp | 基体の切断方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP3783528B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2006-06-07 | 松下電工株式会社 | 成型回路基板の切断方法 |
| JP3761444B2 (ja) | 2001-10-23 | 2006-03-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009206362A (ja) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の切削方法 |
| JP2009218397A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Towa Corp | 基板の切断方法及び装置 |
| JP5631160B2 (ja) | 2010-11-09 | 2014-11-26 | 株式会社東京精密 | ワークのダイシング装置及びワークのダイシング方法 |
| JP5732356B2 (ja) | 2011-09-08 | 2015-06-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-09-20 JP JP2013195099A patent/JP6218526B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-14 CN CN201410398906.3A patent/CN104465358B/zh active Active
- 2014-08-20 KR KR1020140108225A patent/KR101651002B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-29 TW TW103129774A patent/TWI541967B/zh active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1230286C (zh) * | 2001-10-12 | 2005-12-07 | 株式会社迪斯科 | 切割机 |
| CN1854839A (zh) * | 2005-04-18 | 2006-11-01 | 东京毅力科创株式会社 | 负载锁定装置及处理方法 |
| US20080280423A1 (en) * | 2007-05-11 | 2008-11-13 | William Jeffery Reeder | Chilled wafer dicing |
| KR20110081917A (ko) * | 2010-01-09 | 2011-07-15 | 주식회사 리빙케어 | 냉각 제어를 이용한 웨이퍼 다이싱용 척 장치 |
| CN102714171A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 具有基板冷却的传送机械手 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109420979A (zh) * | 2017-08-22 | 2019-03-05 | 东和株式会社 | 加工装置以及加工方法 |
| TWI806486B (zh) * | 2021-03-24 | 2023-06-21 | 日商Ｔｏｗａ股份有限公司 | 加工裝置及加工品的製造方法 |
Also Published As
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|---|---|
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