CN104347228B - 片式电子组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于片式电子组件的磁性膏组合物、一种片式电子组件及一种制造片式电子组件的方法。该片式电子组件包括：磁性体，包括绝缘基板；内导体图案，形成在绝缘基板的一个或更多个表面上。外电极形成在磁性体的外表面上并且连接到内导体图案。磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒。第一磁性颗粒和第二磁性由包含铁的非晶金属形成。第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。该片式电子组件能够被制造在薄膜中以使其纤薄并且微型化，从而防止其即使在高频率和高电流条件下因芯损耗而降低效率。该片式电子组件通过降低孔隙率而展示出高磁导率、高效率和高Isat值。

Description

片式电子组件及其制造方法
本申请要求于2013年7月29日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0089619号韩国专利申请以及于2013年10月14日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0122004号韩国专利申请的优先权，上述专利申请的公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种片式电子组件，更具体地说，涉及一种设置在信息技术装置等中并且能够消除噪声的片式电子组件。
背景技术
作为片式电子组件的电感器是与电阻器和电容器一起构成电路以消除噪声的代表性无源元件。电感器可以被用于构造谐振电路、滤波器电路等，通过使用电磁特性与电容器结合放大特定频带中的信号。
诸如移动电话、笔记本PC等的数字装置以及诸如多媒体产品等的各种电气和电子信息通信装置的趋势为微型化、轻质量和纤薄。电感器也已经迅速地演化成为小的并且能够被用于高密度自动表面安装的芯片。因此，已经开发了一种通过在使用镀覆工艺设置的线圈布线上混合磁性粉体和树脂而形成的薄膜电感器。
除了逐渐微型化、轻质量和纤薄的趋势外，已经需求一种具有高电感L或微容(micro capacity)、高品质因素Q、高自共振频率(SRF)、低直流电阻(Rdc)以及高额定电流的产品。
为了从预定的单元体积获得高电感，需要具有高磁导率的材料。通常，为了获得高磁导率，使用具有大颗粒尺寸的磁性物质。
这里，如上面提到的大的颗粒会由于随着频率和使用的电流变大导致的芯损耗而降低效率。因此，为了防止在高频率下效率降低，需要减小颗粒尺寸。
然而，在使用具有小尺寸的颗粒的情况下，由于小尺寸颗粒的磁导率比大尺寸颗粒的磁导率低，因此会降低电感。因此，必须通过增加密度来增加磁导率。图1示出了根据现有技术的薄膜电感器的截面图。由于根据现有技术的薄膜电感器使用具有均匀颗粒尺寸的磁性物质，因此其密度低且孔隙率高，从而不能获得足够的磁导率。
第2008-166455号日本专利特开公布(JP 2008-166455)公开了一种使用由颗粒尺寸分布为5μm到30μm的金属磁性粉体形成的磁性层的线圈设备。然而，由于根据在JP 2008-166455中公开的现有技术的磁性层由具有均匀颗粒尺寸的磁性物质颗粒构成，因此其不会确保足够的密度且不能充分提高磁导率。
发明内容
本公开的方面提供了一种片式电子组件及其制造方法，所述片式电子组件能够被制造在薄膜中以使得其厚度小并且微型化，同时通过增加密度、降低孔隙率而具有高磁导率、高效率和高Isat值。
根据本公开的一方面，一种片式电子组件可以包括：磁性体，包括绝缘基板；内导体图案，形成在绝缘基板的一个或更多个表面上。外电极形成在磁性体的外表面上并且连接到内导体图案。磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒。第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁(Fe)的非晶金属形成。第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以由除了铁(Fe)之外还包含至少三种金属的非晶金属形成。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以由包含选自于由铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)和铝(Al)组成的组的至少三种金属的非晶金属形成。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成。
当观察磁性体的横截面时，第一磁性颗粒与第二磁性颗粒的横截面面积比可以为10:1到18:1。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为18μm到22μm。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为2μm到4μm。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以以6:4到8:2的重量比彼此混合。
磁性体可以具有20％或更低的孔隙率。
根据本公开的另一方面，一种片式电子组件的制造方法包括：在绝缘基板的一个或更多个表面上形成内导体图案；以及通过在其上形成有内导体图案的绝缘基板的上表面和下表面上堆叠磁性层并且按压堆叠的磁性层来形成磁性体。在磁性体的外表面上形成外电极，以连接到内导体图案。磁性体通过混合第一磁性颗粒和第二磁性颗粒而形成；第一磁性颗粒和第二磁性由包含铁(Fe)的非晶金属形成。第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以由包含选自于由铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)和铝(Al)组成的组的至少三种金属的非晶金属形成。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以以6:4到8:2的重量比彼此混合。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为18μm到22μm。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为2μm到4μm。
根据本公开的另一方面，提供了一种片式电子组件，所述片式电子组件包括磁性体，磁性体包括具有第一主表面和相对的第二主表面的绝缘基板。第一线圈状内导体图案形成在绝缘基板的第一主表面上。第二线圈状内导体图案形成在绝缘基板的第二主表面上。第一线圈状内导体图案和第二线圈状内导体图案通过绝缘基板中的导电通孔彼此电连接。第一外电极形成在磁性体的第一外表面上并且连接到第一内导体图案。第二外电极形成在磁性体的第二外表面上以与第一外电极相对。磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒。第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁(Fe)的非晶金属形成。第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
第一磁性颗粒可以具有15μm或更大的长轴长度，第二磁性颗粒可以具有5μm或更小的长轴长度。
第一线圈状内导体图案和第二线圈状内导体图案还可以包括填充有第一磁性颗粒和第二磁性颗粒的中央芯部分。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为18μm到22μm。
第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50可以为2μm到4μm。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以以6:4到8:2的重量比彼此混合。
磁性体可以具有20％或更低的孔隙率。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的上述和其它方面、特点和其它优点将被更清楚地理解。
图1是根据现有技术的片式电子组件的剖视图。
图2是根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的透视图。
图3是沿图2中的I-I'线截取的剖视图。
图4A到图4D是示意性地描述图2中的片式电子组件的制造方法的视图。
图5是使用扫描电子显微镜(SEM)在2000倍的放大倍率下沿宽度-厚度(W-T)方向截取的根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的截面部分的照片。
图6是使用扫描电子显微镜(SEM)在2000倍的放大倍率下沿宽度-厚度(W-T)方向截取的根据本公开的另一示例性实施例的片式电子组件的截面部分的照片。
具体实施方式
现在将参照附图详细地描述本公开的示例性实施例。
然而，本公开可以以许多不同的形式举例说明，并且不应被解释为局限于这里阐述的特定实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件的形状和尺寸，相同的标号将始终用于指示相同或相似的元件。
片式电子组件
图2是根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的透视图，图3是沿图2中的I-I'线截取的剖视图。
参照图2和图3，以示例的方式将用于供电电路的功率线的薄膜电感器10作为片式电子组件的例子。除了片式电感器之外，可以适当地使用片式磁珠、片式滤波器等作为片式电子组件。
薄膜电感器10可以包括磁性体50、绝缘基板23、内导体图案42和44以及外电极80。
磁性体50可以具有六面体的形状，并且图2中示出的L、W和T分别指的是磁性体50的长度方向、宽度方向和厚度方向。
磁性体50可以包括沿厚度方向的两个表面、沿长度方向的两个端表面和沿宽度方向的两个表面。磁性体50可以具有其长度大于其宽度的矩形平行六面体的形状。
形成在磁性体50中的绝缘基板23的材料不受具体地限制，只要其可以通过电镀工艺形成内导体图案42和44即可，并且绝缘基板23可以形成为包括环氧树脂等的薄膜。
具有线圈状图案的内导体图案42可以形成在绝缘基板23的一个表面上，具有线圈状图案的内导体图案44还可以形成在绝缘基板23的另一表面上。形成在绝缘基板23的一个表面上的内导体图案42的一个边缘可以沿长度方向暴露于磁性体50的一个端表面，形成在绝缘基板23的另一表面上的内导体图案44可以沿长度方向暴露于磁性体50的另一端表面。
另外，形成在绝缘基板23的一个表面上的内导体图案42以及形成在绝缘基板23的另一表面上的内导体图案44可以通过形成在绝缘基板23中的通孔电极46彼此电连接。
贯穿绝缘基板23的孔可以形成在绝缘基板23的中央部分中，并且该孔可以填充有形成磁性体从而形成芯部71的磁性物质(诸如金属基软磁材料等)。可以通过形成填充有磁性物质的芯部71而提高电感。
外电极80可以沿长度方向形成在磁性体50的两个端表面上，以连接到内导体图案42和44的暴露部分。内导体图案42和44、通孔电极46以及外电极80可以由具有优异的导电率的金属形成，并且可以例如由银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)或它们的合金形成。
同时，磁性体50可以包括第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53，并且在这种情况下，第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53可以由包含铁(Fe)的非晶(态)金属形成。第一磁性颗粒可以是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒可以是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。
参照图3，图3示出了根据本公开的示例性实施例的薄膜电感器10的剖视图，磁性体50可以通过混合作为粗粉体颗粒的第一磁性颗粒52和作为细粉体颗粒的第二磁性颗粒53而形成。
磁性体50可以通过混合具有不同颗粒尺寸分布的第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53而形成，从而可以提高组件的密度，并且可以显著提高其磁导率，从而使得电感和Isat值增大。
第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53可以由除了铁(Fe)之外还包含至少三种金属的非晶金属形成。
作为粗粉体颗粒的第一磁性颗粒52和作为细粉体颗粒的第二磁性颗粒53由非晶金属形成，从而可以提高诸如电感等的性能。此外，在颗粒由非晶金属形成的情况下，颗粒可以形成为具有球形形状，从而提高密度并降低孔隙率。
第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53可以由包含选自于由铁(Fe)、硅(Si)、硼(B)、铬(Cr)、镍(Ni)、钴(Co)和铝(Al)组成的组的至少三种金属的非晶金属形成，并且可以由例如非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成。
第一磁性颗粒52和第二磁性颗粒53可以由相同种类的非晶金属形成，也可以由不同种类的非晶金属形成。
第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50可以是第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
这里，当使用扫描电子显微镜(SEM)以1000倍的放大倍率成像的图片的每视场面积为12.5μm2时，计算出存在于与组件的横截面对应的面积中的磁性颗粒的颗粒尺寸并按颗粒尺寸的递增次序布置，然后相应的颗粒尺寸的累积达到总视场的50％的级别的颗粒尺寸被定义为颗粒尺寸分布D50。
当第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50是第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍时，密度可以显著提高、孔隙度降低并且磁导率可以增大，使得电感显著增大(见表3)。
更具体地说，第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50可以比第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。在第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50和第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50之间的差小于15μm或大于18μm的情况下，密度增加不显著，从而电感的提高会降低。
第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50可以为18μm到22μm。当第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50为18μm到22μm时，在高频下的芯损耗会小并且可以保证高磁导率。当第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50小于18μm时，不能保证足够的磁导率，而当第一磁性颗粒52的颗粒尺寸分布D50大于22μm时，会显著降低组件在高频率和高电流条件下的效率。
另外，第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50可以为2μm到4μm。当第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50为2μm到4μm时，第二磁性颗粒53可以与第一磁性颗粒52混合，从而可以显著提高密度，并且可以显著提高磁导率。当第二磁性颗粒53的颗粒尺寸分布D50小于2μm或大于4μm时，密度会无明显提高，并且磁导率会降低。
第一磁性颗粒和第二磁性颗粒可以以6:4到8:2的重量比彼此混合，从而形成磁性体50。
在这种情况下，当观察磁性体50的横截面时，第一磁性颗粒52(粗粉体颗粒)与第二磁性颗粒53(细粉体颗粒)的横截面面积比可以为10:1到18:1。当第一磁性颗粒52与第二磁性颗粒53的横截面面积比在上述范围内时，密度可以显著提高并且可以展示出高的磁导率。
根据本公开的示例性实施例的磁性体50可以满足20％或更低的孔隙率。
在颗粒尺度分布D50为3μm的磁性颗粒均匀地形成的情况下(对比例1)，孔隙率的倒数(1/孔隙率)仅为62.7％，但是在根据本公开的示例性实施例的颗粒尺度分布D50为20μm的第一磁性颗粒与颗粒尺度分布D50为3μm的第二磁性颗粒以7:3的重量比混合的情况下(发明示例5)，孔隙率的倒数为76.1％，与对比例1相比(见表1)，提高大约14％或更大。
因此，根据本公开的示例性实施例的薄膜电感器10可以提供高磁导率、高效率和高的Isat值(见表2)。
片式电子组件的制造方法
图4A到图4D是示意性地描述图2中的片式电子组件的制造方法的视图。
参照图4A，在绝缘基板23的一个主表面上和另一相对的主表面上形成内导体图案42和44。可以使用作为用于印刷电路板的制造工艺的工艺(诸如镀覆、蚀刻、印刷、转印工艺等)作为形成内导体图案42和44的方法。在特定的实施例中，可以使用镀覆来形成具有增大的厚度的内导体图案42和44。内导体图案42和44可以由具有优异的导电率的金属形成，并且可以例如由银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)或它们的合金形成。
孔形成在绝缘基板23的一部分中并且填充有导电材料，从而可以形成通孔电极46，并且形成在绝缘基板23的一个主表面上和另一相对的主表面上的内导体图案42和44可以通过通孔电极46彼此电连接。
孔70可以形成在绝缘基板23的中央部分中，以贯穿绝缘基板23。可以通过钻孔、激光处理、喷砂、穿孔等形成孔70，但是不限于此。
参照图4B，形成在绝缘基板23的一个表面和另一表面上的内导体图案42和44可以涂覆有绝缘层27。
接下来，参照图4C，可以通过在其上形成有内导体图案42和44的绝缘基板23的上表面和下表面上堆叠磁性层来形成磁性体50。可以通过在绝缘基板23的两个表面上堆叠磁性层并且通过层压或静压工艺按压堆叠的磁性层来形成磁性体50。在这种情况下，孔70可以填充有磁性物质，从而形成芯部71。
在这种情况下，磁性体50可以包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒，并且在这种情况下，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁(Fe)的非晶金属形成。第一磁性颗粒可以是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒可以是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒。
在下文中，将省略按照与前面实施例的第一磁性颗粒和第二磁性颗粒相同的方式应用于根据本公开的示例性实施例的片式电子组件的制造方法的第一磁性颗粒和第二磁性颗粒的详细描述。
最后，参照图4D，可以通过沿长度方向在磁性体50的两个端表面上形成外电极80来制造薄膜电感器10。外电极80可以形成为连接到内导体图案42和44的边缘，并且可以通过浸渍法等形成。外电极可以由具有优异的导电率的金属形成，并且可以例如由银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、铝(Al)或它们的合金形成。
下面的表1和表2示出了根据由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成的第一磁性颗粒和第二磁性颗粒混合的重量比的薄膜电感器的孔隙率的倒数、磁导率以及电感值的结果。
表1
表2
下面的表3示出了根据由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成的第一磁性颗粒和第二磁性颗粒的颗粒尺寸比的密度、磁导率和电感值的结果。
表3
参照图5和图6，磁性体可以通过将第一磁性颗粒(粗粉体颗粒)和第二磁性颗粒(细粉体颗粒)混合而形成。
磁性体可以通过混合具有不同的颗粒尺寸分布的第一磁性颗粒和第二磁性颗粒而形成，使得组件密度可以提高且组件的磁导率可以显著提高，从而使电感和Isat值增加。
如上所述，根据本公开的示例性实施例，片式电子组件可以以薄膜的形式来制造，以使其纤薄并且微型化，可以防止其即使在高频率和高电流条件下因芯损耗而降低效率，并且可以通过增加密度而具有高磁导率、高效率和高Isat值。
虽然上面已经示出并描述了示例性实施例，但是对于本领域技术人员来讲将明显的是，在不脱离由所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以进行修改和变型。

Claims (26)

1.一种片式电子组件，包括：
磁性体，包括绝缘基板；
内导体图案，形成在绝缘基板的一个或更多个表面上；以及
外电极，形成在磁性体的外表面上并且连接到内导体图案，
其中，磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁的非晶金属形成，第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒，
其中，当观察磁性体的横截面时，第一磁性颗粒与第二磁性颗粒的横截面面积比为10:1到18:1。
2.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由除了铁之外还包含至少三种金属的非晶金属形成。
3.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含选自于由铁、硅、硼、铬、镍、钴和铝组成的组的至少三种金属的非晶金属形成。
4.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成。
5.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
6.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为18μm到22μm。
7.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
8.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为2μm到4μm。
9.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒以6:4到8:2的重量比彼此混合。
10.如权利要求1所述的片式电子组件，其中，磁性体具有20％或更低的孔隙率。
11.一种片式电子组件的制造方法，所述制造方法包括：
在绝缘基板的一个或更多个表面上形成内导体图案；
通过在其上形成有内导体图案的绝缘基板的上表面和下表面上堆叠磁性层并且按压堆叠的磁性层来形成磁性体；以及
在磁性体的外表面上形成外电极，以连接到内导体图案，
其中，磁性体通过混合第一磁性颗粒和第二磁性颗粒而形成，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁的非晶金属形成，第一磁性颗粒是具有15μm或更大的长轴长度的粗粉体颗粒，第二磁性颗粒是具有5μm或更小的长轴长度的细粉体颗粒，
其中，当观察磁性体的横截面时，第一磁性颗粒与第二磁性颗粒的横截面面积比为10:1到18:1。
12.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含选自于由铁、硅、硼、铬、镍、钴和铝组成的组的至少三种金属的非晶金属形成。
13.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由非晶Fe-Si-B-Cr基金属形成。
14.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒以6:4到8:2的重量比彼此混合。
15.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍。
16.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为18μm到22μm。
17.如权利要求11所述的制造方法，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
18.如权利要求11所述的制造方法，其中，第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为2μm到4μm。
19.一种片式电子组件，包括：
磁性体，包括具有第一主表面和相对的第二主表面的绝缘基板；
第一线圈状内导体图案，形成在绝缘基板的第一主表面上；
第二线圈状内导体图案，形成在绝缘基板的第二主表面上，其中，第一线圈状内导体图案和第二线圈状内导体图案通过绝缘基板中的导电通孔彼此电连接；
第一外电极，形成在磁性体的第一外表面上并且连接到第一内导体图案；以及
第二外电极，形成在磁性体的第二外表面上以与第一外电极相对，
其中，磁性体包括第一磁性颗粒和第二磁性颗粒，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒由包含铁的非晶金属形成，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50是第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50的4倍到13.5倍，
其中，当观察磁性体的横截面时，第一磁性颗粒与第二磁性颗粒的横截面面积比为10:1到18:1。
20.如权利要求19所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒具有15μm或更大的长轴长度，第二磁性颗粒具有5μm或更小的长轴长度。
21.如权利要求19所述的片式电子组件，其中，第一线圈状内导体图案和第二线圈状内导体图案还包括填充有第一磁性颗粒和第二磁性颗粒的中央芯部分。
22.如权利要求20所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为18μm到22μm。
23.如权利要求20所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50比第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50大15μm到18μm。
24.如权利要求20所述的片式电子组件，其中，第二磁性颗粒的颗粒尺寸分布D50为2μm到4μm。
25.如权利要求20所述的片式电子组件，其中，第一磁性颗粒和第二磁性颗粒以6:4到8:2的重量比彼此混合。
26.如权利要求20所述的片式电子组件，其中，磁性体具有20％或更低的孔隙率。
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