CN104339258A - 玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够抑制制造成本的增加并且能够抑制玻璃基板间的板厚偏差的玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法。玻璃基板用托板由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，并且，具有与玻璃基板保持部形成为一体的齿轮部。成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于中央而下压5mm。

Description

玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法。
背景技术
作为磁记录装置等中使用的磁记录介质用基板，以往一直使用铝合金基板，但随着高密度记录化的要求，比铝合金基板硬且平坦性、平滑性优良的玻璃基板开始成为主流。
磁记录介质用玻璃基板通过将玻璃原基板切割成规定形状后对端面和主平面进行研磨等来制造。在该磁盘用玻璃基板的制造方法的研磨工序中，使用如下研磨装置：使研磨用托板保持玻璃基板，使用研磨垫，一边将含有磨粒的研磨液(浆料)供给至玻璃基板与研磨垫之间，一边进行研磨。在该研磨装置中，将研磨垫粘贴在上下平台上并夹入玻璃基板，使用行星齿轮机构使玻璃基板与研磨垫相对地移动，由此对玻璃基板的主平面进行研磨。利用该研磨装置的研磨能够同时对多个玻璃基板进行研磨，因此从生产效率方面考虑是优良的方法。
专利文献1中，作为这种研磨装置中使用的研磨用托板，记载了如下内容：由金属材料构成与太阳齿轮和内齿圈咬合的齿轮部，由树脂材料构成保持玻璃基板的玻璃基板保持部，通过卡合部将两者卡合而一体化。
但是，对这种研磨装置的在同一批次(在研磨装置中同时使用)中同时研磨了两面的多个玻璃基板的板厚进行考察后可知，尽管在相同的条件下进行研磨，但是由某些研磨用托板保持的玻璃基板的研磨量多，而由另一些研磨用托板保持的玻璃基板的研磨量少，从而导致研磨后的玻璃基板产生板厚的差异(以下也称为板厚偏差)。该板厚偏差特别是在使用软质研磨垫的情况下有变得显著的倾向。
对于专利文献2记载的研磨装置，记载了如下内容：基于作为上平台的旋转中心的上平台支轴与以使上平台支轴旋转且自由升降移动的方式支撑该上平台支轴的滑块的垂直相对位置检测，测定磁盘用基板的厚度变化，由此能够抑制个体间的尺寸偏差。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-95636号公报
专利文献2：日本特开2004-345018号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，根据上述专利文献2记载的研磨装置，只公开了监测工件的厚度变化，当测定厚度达到目标厚度后，停止下平台、上平台和太阳齿轮的旋转，并且停止加工液的供给，结束研磨加工，虽然能够抑制不同批次间的板厚偏差，但关于同一批次的板厚偏差没有任何提及，因此还有改善的余地。另外，对于上述专利文献2记载的研磨装置而言，装置复杂化、大型化，并且制造成本可能会升高。
另一方面，对于上述专利文献1记载的研磨用托板而言，金属制的齿轮部与树脂制的玻璃基板保持部的卡合部被磨削而产生金属屑，在玻璃基板的表面上产生划痕等缺陷，因此，可能无法进行有效的研磨。另外，金属制的齿轮部与研磨装置的太阳齿轮、内齿圈的接触部分受到磨削而产生金属屑，还可能导致太阳齿轮、内齿圈形成阶差。
因此，本发明的目的在于，提供能够抑制制造成本的增加、并且能够抑制在同一批次中进行研磨的玻璃基板间的板厚偏差的玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法。
用于解决问题的手段
本发明人进行了深入研究，结果发现，典型地产生在使用软质研磨垫的情况下的、在同一批次中进行研磨的玻璃基板间的板厚偏差是由于研磨用托板因作用在研磨用托板上的负荷而挠曲、从而导致研磨液向被研磨面的供给变得不均匀而产生的，从而完成了本发明。
本发明提供以下的方式。
(1)一种磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，使在双面研磨装置的太阳齿轮与内齿圈之间进行行星齿轮运动的多个玻璃基板用托板保持多个玻璃基板，并将由所述玻璃基板用托板保持的多个玻璃基板夹持在安装于所述双面研磨装置的上平台和下平台上的软质研磨垫之间，一边供给含有磨粒的研磨液一边进行研磨，所述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的特征在于，
所述玻璃基板用托板由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，并且，具有与玻璃基板保持部形成为一体的齿轮部，
该成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于支点间的中央而下压5mm。
(2)如(1)所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，在所述双面研磨装置中同时使用的所述玻璃基板用托板间的板厚偏差为4μm以下。
(3)如(1)或(2)所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述玻璃基板用托板的板厚比研磨后的玻璃基板的板厚薄50μm～250μm。
(4)如(1)～(3)中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述软质研磨垫为绒面革垫。
(5)如(1)～(4)中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨液含有选自由氧化铈、氧化锰和氧化锆组成的组中的至少一种作为所述磨粒。
(6)如(1)～(5)中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨后的玻璃基板的板厚为0.5mm～1.0mm。
(7)一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其包括使用(1)～(6)中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的研磨工序。
(8)一种玻璃基板用托板，其为使用安装在双面研磨装置的上平台和下平台上的软质研磨垫以及含有磨粒的研磨液对玻璃基板的主平面进行研磨时，在保持有多个所述玻璃基板的状态下在所述双面研磨装置的太阳齿轮与内齿圈之间进行行星齿轮运动的玻璃基板用托板，其特征在于，
由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，并且，具有与玻璃基板保持部形成为一体的齿轮部，
该成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于支点间的中央而下压5mm。
发明效果
根据本发明的玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法，即使在研磨工序中在研磨用托板上施加有负荷的情况下，因研磨用托板挠曲而导致研磨液向被研磨面的供给变得不均匀的情况也得到抑制，能以稳定的状态对各玻璃基板进行研磨，因此，在同一批次中进行研磨的玻璃基板间的板厚偏差减小。
附图说明
图1是对能够搭载本发明的玻璃基板用托板的磁记录介质用玻璃基板的双面研磨装置进行说明的图。
图2是玻璃基板的立体图。
图3是本发明的玻璃基板用托板的一个实施方式的俯视图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的玻璃基板用托板、磁记录介质用玻璃基板的研磨方法及磁记录介质用玻璃基板的制造方法的一个实施方式进行说明。
首先，参考图1对能够搭载本发明的玻璃基板用托板(以下也称为“研磨用托板”)的、研磨磁记录介质用玻璃基板(以下也仅称为“玻璃基板”)的双面研磨装置进行说明。
如图1所示，双面研磨装置12以将能够设置玻璃基板30(参考图2)的研磨用托板10设置在不锈钢制的太阳齿轮13、内齿圈14之间的方式构成。太阳齿轮13、内齿圈14以及形成在研磨用托板10的外周面的齿轮部10a构成行星齿轮机构，通过以规定的旋转比率对太阳齿轮13、内齿圈14进行旋转驱动，使研磨用托板10一边自转一边在太阳齿轮13的周围公转。
此时，研磨用托板10在将玻璃基板30保持在形成于齿轮部10a的内侧的玻璃基板保持部10b上的玻璃基板保持孔11中的状态下，夹持于在与玻璃基板30相对的面上安装有研磨垫16、18的上平台15和下平台17之间并被挤压。而且，向研磨垫16、18与研磨用托板10、玻璃基板30之间供给含有磨粒的研磨液(研磨浆料)，对由研磨用托板10保持的玻璃基板的两个主平面同时进行研磨。
如图2所示，玻璃基板30形成为在两个主平面31的中央部具有圆形孔的圆盘状，并且具有内周侧面32和外周侧面33。研磨后的玻璃基板30的板厚优选为0.5mm～1.0mm。
研磨垫16、18为软质研磨垫，层叠至厚度为4.5mm以上而得到的硬度以A型肖氏硬度计为30～80、优选为55～70。A型肖氏硬度小于30时，难以得到充分的研磨速度，超过80时，可能因磨粒的压入而在玻璃中形成微小的伤痕。满足这样的条件的研磨垫的原材料典型地可以列举无纺布垫、织布垫、绒面革垫等，其中可以列举绒面革垫作为最优选的原材料。
软质研磨垫的厚度比硬质聚氨酯垫的厚度(典型地为1.5mm～2.0mm)薄，典型地具有约0.3mm～约0.9mm的厚度。另外，形成在垫表面上的槽深也比硬质聚氨酯垫的槽深(典型地为1.2mm～1.7mm)浅，典型地具有约0.2mm～约0.8mm的深度。因此，软质研磨垫与硬质聚氨酯垫相比，在研磨中对研磨用托板10施加负荷的情况下，更具有研磨液向被研磨面的供给容易变得不均匀的倾向。
能够同时研磨的玻璃基板30的片数根据研磨用托板10、双面研磨装置12的大小而不同。例如对于使用直径16英寸的托板的16B型双面研磨装置而言，每一批能够同时研磨80～110片的玻璃基板30，对于使用直径22英寸的托板的22B型双面研磨装置而言，每一批能够同时研磨115～222片的玻璃基板30。另外，进行研磨时，不需要在研磨用托板10的所有的玻璃基板保持孔11中设置玻璃基板30。
接着，对本发明的研磨用托板的一个实施方式进行说明。
能够搭载在上述双面研磨装置12中的研磨用托板10如图3所示为圆盘形状，在其面内具有用于在进行主平面研磨时保持玻璃基板30的具有多个玻璃基板保持孔11的玻璃基板保持部10b、以及在玻璃基板保持部10b的周缘部设置有多个齿的齿轮部10a。研磨用托板10由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，通过在成形体中形成玻璃基板保持孔11、并且在外周面上形成齿轮部10a而制作。齿轮部10a与玻璃基板保持部10b以不能分离的方式形成为一体。
更具体地来说明，构成研磨用托板10的成形体通过将多片预浸料坯层叠而制作。层叠的片数没有限定，可以根据作为目标的研磨用托板的厚度、应力、每一片预浸料坯的厚度来选择。
对于预浸料坯的材质没有限定，可以根据作为目标的研磨用托板的应力等来选择。例如，可以使用利用玻璃纤维布、玻璃纤维无纺布、芳族聚酰胺纤维无纺布、聚酯纤维布等作为基材并使环氧树脂、酚醛树脂、不饱和聚酯树脂、聚酰亚胺树脂等树脂浸渗到基材中而得到的材料。
另外，所使用的预浸料坯不限于一种，可以将不同材料的预浸料坯层叠。利用压力机对层叠后的预浸料坯进行加压、加热，由此制作成形体。
这样，齿轮部10a也由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体形成且与玻璃基板保持部10b形成为一体，因此，能够防止以往那样由于金属制的齿轮部与树脂制的玻璃基板保持部的卡合部被磨削或者金属制的齿轮部与研磨装置的太阳齿轮、内齿圈的接触部分被磨削而产生金属屑的情况。
构成研磨用托板10的成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于支点间的中央而下压5mm。另外，样品的厚度为研磨用托板10的厚度。该应力优选为190N/mm2以上、进一步优选为200N/mm2以上。作为上限值，优选为500N/mm2以下。
三点弯曲试验通过基于JIS K 7074(1998年)的方法在以下的试验条件下测定。另外，JIS K 7074的内容作为参考援引入本说明书中。
(试验条件)
样品形状：15mm×80mm
下部支点间距离：50mm
试验速度：5mm/分钟
压头半径：2mm
支点半径：2mm
测定点：测定自基准面起变化5mm时的应力
通过这样由三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上的成形体形成研磨用托板10，即使在研磨中对研磨用托板10施加负荷的情况下，也可抑制研磨用托板10的挠曲，即使在使用软质研磨垫的情况下，也可以抑制研磨液向被研磨面的供给变得不均匀，从而以稳定的状态对各玻璃基板30进行研磨。由此，在同一批次中进行研磨的玻璃基板30间的板厚偏差减小。另外，还能够抑制玻璃基板30在研磨中发生断裂。此外，研磨用托板10的应力高时，可抑制研磨中研磨用托板10粘到研磨垫16、18上，因此，可抑制研磨中研磨用托板10的工作变得不稳定而使玻璃基板30的起伏变大。
另外，在同一批次中使用的研磨用托板10间的板厚偏差优选为4μm以下、更优选为3μm以下。由此，研磨垫16、18与研磨用托板10的距离变得大致均匀，从而使在同一批次中进行研磨的玻璃基板30间的板厚偏差进一步减小。
关于研磨用托板10的板厚的测定，测定径向位置不同的三个点，将其平均值作为研磨用托板10的板厚。
进而，优选研磨用托板10的板厚比研磨后的玻璃基板30的板厚薄50μm～250μm、更优选薄50μm～230μm、进一步优选薄110μm～230μm、最优选薄110μm～195μm。
关于研磨后的玻璃基板30的板厚的测定，可以在各研磨用托板10中分别抽取径向位置不同的内周侧的玻璃基板30和外周侧的玻璃基板30各1片并测定各个玻璃基板30的板厚，另外，在搭载于研磨用托板10中的多个玻璃基板30并列配置在相同的径向位置的情况下，也可以在各研磨用托板中各抽取1片玻璃基板30并测定各个玻璃基板30的板厚，另外，还可以测定在同一批次中进行研磨的所有玻璃基板30的板厚。
研磨用托板10的板厚与研磨后的玻璃基板30的板厚之差小于50μm的情况下，研磨液向被研磨面的供给量减少，研磨速度降低，生产率差。另外，研磨用托板10的板厚与研磨后的玻璃基板30的板厚之差大于250μm时，在研磨中研磨用托板10和/或玻璃基板30可能破损，生产率降低。此外，玻璃基板30自研磨用托板10的突出量过大时，玻璃基板30的端部形状可能变差。
对于研磨用托板10的大小没有特别限定，可以根据所设置的双面研磨装置12的尺寸来选择。另外，玻璃基板保持孔11的数量、大小也没有限定，可以根据作为研磨对象的玻璃基板30与研磨用托板10的尺寸来选择。
在玻璃基板的制造工序中，如后所述有时会多次进行主平面研磨工序，本发明的研磨用托板10及使用该研磨用托板10的磁记录介质用玻璃基板30的研磨方法在任何一个主平面研磨工序中均可以使用。
下面对使用本发明的研磨用托板10的磁记录介质用玻璃基板30的研磨方法及包括使用该研磨方法的研磨工序的磁记录介质用玻璃基板30的制造方法的一例进行说明。
磁记录介质用玻璃基板30可以通过包括以下工序1～7的制造方法来制造。(工序1)由玻璃原基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板后，对内周端面和外周端面进行倒角加工的形状赋予工序。(工序2)对玻璃基板的端面(内周端面和外周端面)进行研磨的端面研磨工序。(工序3)对玻璃基板的主平面进行磨削的主平面磨削工序。(工序4)对玻璃基板的主平面进行研磨的主平面研磨工序。(工序5)对玻璃基板进行清洗的清洗工序。(工序6)对玻璃基板进行干燥的干燥工序。
然后，对通过包括上述各工序的制造方法得到的磁记录介质用玻璃基板30进一步进行在其上形成磁性层等薄膜的工序，由此制成磁记录介质。
在此，形状赋予工序(工序1)是将通过浮法、熔融法、加压成形法、下拉法或再下拉法成形的玻璃原基板加工成在中央部具有圆孔的圆盘形状的玻璃基板的工序。
然后，端面研磨工序(工序2)是对玻璃基板30的端面(侧面部和倒角部)进行端面研磨的工序。
关于主平面磨削工序(工序3)，是利用双面磨削装置，使用含有游离磨粒的磨削液或固定磨粒工具，一边向玻璃基板30的主平面31供给磨削液一边对玻璃基板30的两个主平面31同时进行磨削的工序。
主平面研磨工序(工序4)是利用上述的双面研磨装置12，使用含有游离磨粒的研磨液，一边向玻璃基板30的主平面31供给研磨液一边对玻璃基板30的两个主平面31同时进行研磨的工序。主平面研磨工序可以由第一主平面研磨工序(也称为一次研磨)和第二主平面研磨工序(也称为二次研磨)构成，也可以仅为第一主平面研磨工序，还可以在第二主平面研磨工序之后实施第三主平面研磨工序。
例如，在第一主平面研磨工序中，一边供给将使含有平均粒径典型地为0.1μm～2.0μm的选自由氧化铈、氧化锰、氧化锆等组成的组中的至少一种的研磨磨粒分散在以水为主要成分的溶剂中而得到的研磨液，一边使用绒面革垫等软质研磨垫进行研磨。为了抑制含有氧化铈的研磨磨粒的磨粒凝聚，可以适量添加以聚丙烯酸钠为代表的阴离子聚合物或柠檬酸钠等有机酸盐。另外，板厚的减少量(研磨量)典型地为1μm～50μm。
另外，关于第二主平面研磨工序，是一边向玻璃基板30的主平面31供给含有平均粒径更小的研磨磨粒的研磨液，一边对玻璃基板30的两个主平面31同时进行研磨，从而将玻璃基板30的主平面31精加工成镜面状的工序。在第二主平面研磨工序中，使用上述的双面研磨装置12，一边供给含有平均粒径典型地为0.01μm～0.1μm的胶态二氧化硅磨粒的胶态二氧化硅浆料，一边使用软质聚氨酯垫等软质研磨垫进行研磨，使利用AFM(原子力显微镜)测定的表面粗糙度(Ra)为例如0.05nm～0.2nm。另外，板厚的减少量(研磨量)典型地为0.3μm～3μm。
另外，在第一主平面研磨工序之后，可以进行对在第一主平面研磨工序中附着在玻璃基板30上的研磨磨粒进行清洗的中间清洗工序。清洗通常为使用碱洗涤液、酸洗涤液的超声波清洗、使用硫酸和过氧化氢水溶液的RCA清洗等。另外，在以高精度进行研磨磨粒的清洗的情况下，使用浸渍到浓硫酸与过氧化氢水溶液的混合液中的方法。
关于清洗工序(工序5)，使用利用碱洗涤液的超声波清洗或擦洗、利用纯水的超声波清洗等，通常将这些清洗组合进行。最后通过使用异丙醇蒸气的干燥工序使其干燥。
此外，可以在上述各工序间实施玻璃基板的清洗(工序间清洗)、玻璃基板表面的蚀刻(工序间蚀刻)。可以在研磨工序前或研磨工序后、或者在研磨工序之间实施在玻璃基板30的表层上形成压缩应力层(强化层)的强化工序(例如化学强化工序)。
以上，对磁记录介质用玻璃基板30的制造方法进行了说明，之后可以进一步在其表面上形成磁性层、保护层、润滑膜等，由此制成磁记录介质(磁盘)。
本发明的研磨用托板10在如下方面特别有用：在进行使用软质研磨垫的主平面研磨工序时，使同一批次的多个玻璃基板30间的板厚偏差减小。另外，在进行多次研磨工序的情况下，使用本发明的研磨方法的可以是任意一个研磨工序，也可以在所有的研磨工序中使用。
实施例
以下列举具体的实施例进行说明，但本发明不限于这些实施例。
首先，在制作例1～9的9种研磨用托板时，从构成研磨用托板的成形体上切下规定的样品进行三点弯曲试验，并且测定所制作的研磨用托板的板厚。使用双面研磨装置对玻璃基板进行一次研磨后，测定一次研磨后的玻璃基板的板厚，并且测定在同一批次中研磨后的多个玻璃基板的板厚。
(1)例1～9的研磨用托板的制作
对于例1～9的研磨用托板，将预浸料坯层叠、加压、加热而制成期望厚度的成形体，然后，形成玻璃基板保持孔、齿轮，由此制作研磨用托板。以在每一片该研磨用托板中能够安装20片玻璃的方式构成。研磨用托板的板厚在例1、5～7中设定为0.50mm、在例2中设定为0.35mm、在例3中设定为0.4mm、在例4中设定为0.45mm、在例8、9中设定为0.55mm。
(2)三点弯曲试验
从构成研磨用托板的成形体上切下规定形状的样品，进行三点弯曲试验。
测定通过基于JIS K 7074(1998年)的方法，使用岛津制作所制造的自动绘图仪AG-XPlusSC，在以下的试验条件下进行测定，作为托板成形体的应力(表1)。
(试验条件)
样品形状：15mm×80mm
下部支点间距离：50mm
试验速度：5mm/分钟
压头半径：2mm
支点半径：2mm
测定点：测定自基准面起变化5mm时的应力
另外，成形体的样品的厚度设定为与研磨用托板的板厚相同的厚度。
(3)研磨用托板的板厚
使用千分尺，对各研磨用托板中径向位置不同的三点用千分尺进行测定，将其平均值作为各研磨用托板的板厚。然后，由各研磨用托板的板厚计算在同一批次中使用的研磨用托板的板厚偏差(表1)。上述的例1～9的研磨用托板的板厚为在同一批次中使用的各研磨用托板的板厚的平均值。
(4)研磨处理
一次研磨
从硅酸铝玻璃板上按照得到直径65mm、内径20mm的磁记录介质用玻璃基板的方式切下玻璃圆板，将进行了内周面和外周面的倒角加工、上下主平面的磨削(打磨)、倒角加工后的内周面和周面的端面研磨的玻璃基板搭载在每一片可搭载20片玻璃基板的研磨用托板中，在搭载有5片研磨用托板的状态下，使用双面研磨装置(浜井产业制造、型号：16B-5H4M)对100片玻璃基板同时进行研磨。
在上下平台上安装绒面革垫，使用含有氧化铈系磨粒的研磨液(以平均粒径约0.5μm的氧化铈为主要成分的研磨液组合物)作为研磨液进行一次研磨。在一次研磨结束后，将氧化铈清洗除去。
一次研磨的主研磨加工压力设定为12kPa，平台转速设定为30rpm，研磨时间以使总研磨量在两个主平面的厚度方向上合计为10μm的方式设定，对玻璃基板进行研磨。
二次研磨
二次研磨中，将一次研磨后的玻璃基板搭载在每一片可搭载20片玻璃基板的研磨用托板中，在搭载有5片研磨用托板的状态下，使用双面研磨装置(浜井产业制造、型号：16B-5H4M)对100片玻璃基板同时进行研磨。
在上下平台上安装软质聚氨酯制的研磨垫，使用含有胶态二氧化硅的研磨液(以一次粒子的平均粒径为10～30nm的胶态二氧化硅为主要成分的研磨液组合物)作为研磨液进行二次研磨。
二次研磨以使两个主平面的厚度方向上的总研磨量为1μm的方式设定研磨时间来实施。主研磨加工压力设定为9.0MPa。
对进行二次研磨后的玻璃基板依次进行利用碱性洗剂的擦洗、浸渍在碱性洗剂溶液中的状态下的超声波清洗、浸渍在纯水中的状态下的超声波清洗，并利用异丙醇蒸气进行干燥。
(5)玻璃基板的板厚
使用基恩士公司制造的激光位移计LK-010，将一次研磨后的位于研磨用托板的内周侧的玻璃基板和位于外周侧的玻璃基板各取出一片，测定总计10片的玻璃基板的板厚，将其最大值与最小值之差作为同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差(表1)。另外，将总计10片的平均值作为研磨后的玻璃基板的板厚。关于研磨后的玻璃基板的板厚，在例1～8中为0.63mm，在例9中为0.80mm。
进而，也算出从研磨后的玻璃基板的板厚中减去研磨用托板的板厚而得到的值作为玻璃基板的板厚与研磨用托板的板厚之差(表1)。
将所得到的托板成形体的应力、在同一批次中使用的研磨用托板的板厚偏差、研磨后的玻璃基板的板厚与研磨用托板的板厚之差、在同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差归纳示于表1中。
表1
例1的研磨用托板的成形体的应力为160N/mm2，因此相当于比较例，例2～9的研磨用托板的托板成形体的应力为170N/mm2以上，因此相当于实施例。
对于例1的研磨用托板而言，在同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差显示为5μm以上的值，与其相对，对于例2～9的研磨用托板而言，在同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差为4μm以下，得到了良好的结果。由此证实了，通过利用三点弯曲试验的应力为170N/mm2以上的成形体构成研磨用托板，可抑制研磨中的研磨用托板10的挠曲，在同一批次中研磨的玻璃基板30间的板厚偏差减小。
另外，对例2～9的研磨用托板进行比较时，结果是，在同一批次中使用的研磨用托板的板厚偏差小的托板有在同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差减小的倾向，对于在同一批次中使用的研磨用托板的板厚偏差最小的例6的研磨用托板而言，在同一批次中研磨后的玻璃基板间的板厚偏差最小。
例2的研磨用托板与其他研磨用托板相比，研磨后的玻璃基板的板厚与研磨用托板的板厚之差较大，也就是说，研磨用托板较薄，因此存在研磨用托板的寿命比其他研磨用托板缩短的倾向。
另外，本发明不受上述实施方式的任何限定，可以在不脱离其要点的范围内以各种方式实施。
本申请以2013年8月9日提出的日本专利申请2013-166661为基础，其内容作为参考被援引入本说明书中。
标号说明
10  研磨用托板
10a 齿轮部
10b 玻璃基板保持部
11  玻璃基板保持孔
12  双面研磨装置
13  太阳齿轮
14  内齿圈
15  上平台
16  研磨垫
17  下平台
18  研磨垫

Claims (8)

1.一种磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，使在双面研磨装置的太阳齿轮与内齿圈之间进行行星齿轮运动的多个玻璃基板用托板保持多个玻璃基板，并将由所述玻璃基板用托板保持的多个玻璃基板夹持在安装于所述双面研磨装置的上平台和下平台上的软质研磨垫之间，一边供给含有磨粒的研磨液一边进行研磨，所述磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的特征在于，
所述玻璃基板用托板由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，并且，具有与玻璃基板保持部形成为一体的齿轮部，
该成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于支点间的中央而下压5mm。
2.如权利要求1所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，在所述双面研磨装置中同时使用的所述玻璃基板用托板间的板厚偏差为4μm以下。
3.如权利要求1或2所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述玻璃基板用托板的板厚比研磨后的玻璃基板的板厚薄50μm～250μm。
4.如权利要求1～3中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述软质研磨垫为绒面革垫。
5.如权利要求1～4中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨液含有选自由氧化铈、氧化锰和氧化锆组成的组中的至少一种作为所述磨粒。
6.如权利要求1～5中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨后的玻璃基板的板厚为0.5mm～1.0mm。
7.一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法，其包括使用权利要求1～6中任一项所述的磁记录介质用玻璃基板的研磨方法的研磨工序。
8.一种玻璃基板用托板，其为使用安装在双面研磨装置的上平台和下平台上的软质研磨垫以及含有磨粒的研磨液对玻璃基板的主平面进行研磨时，在保持有多个所述玻璃基板的状态下在所述双面研磨装置的太阳齿轮与内齿圈之间进行行星齿轮运动的玻璃基板用托板，其特征在于，
由使树脂浸渗到基材中而得到的成形体构成，并且，具有与玻璃基板保持部形成为一体的齿轮部，
该成形体在三点弯曲试验中的应力为170N/mm2以上，所述三点弯曲试验中，在以50mm的间隔对切割成15mm×80mm的样品进行支撑的状态下，使集中载荷作用于支点间的中央而下压5mm。
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