CN104303824A - 一种灵芝盆景的栽培方法 - Google Patents

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余斌
余佳龙
余小龙
马建明
梁瑞娟
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    • A01G18/00Cultivation of mushrooms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C05FERTILISERS; MANUFACTURE THEREOF
    • C05GMIXTURES OF FERTILISERS COVERED INDIVIDUALLY BY DIFFERENT SUBCLASSES OF CLASS C05; MIXTURES OF ONE OR MORE FERTILISERS WITH MATERIALS NOT HAVING A SPECIFIC FERTILISING ACTIVITY, e.g. PESTICIDES, SOIL-CONDITIONERS, WETTING AGENTS; FERTILISERS CHARACTERISED BY THEIR FORM
    • C05G3/00Mixtures of one or more fertilisers with additives not having a specially fertilising activity

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Abstract

本发明涉及一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法,包括以下步骤:配制培养基料,培养基料装袋灭菌,接种和出菇,组袋培养管理,造型培养管理,成品。该栽培方法中所采用的培养基料是以农副产品秸秆和沼气废渣为主要原料配制而成的,其培养基料的营养成分足以满足灵芝子实体培养的要求,申请人对灵芝栽培场所进行特殊设计,采用新工艺技术,使其模仿西北高原野生环境使灵芝生长,研究出一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法,利用新技术手段使灵芝长高,以满足盆景所需外形和更高的药用价值。

Description

一种灵芝盆景的栽培方法
技术领域:
本发明涉及灵芝的栽培技术,尤其是一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法。
背景技术:
 灵芝盆景以其独特经典的艺术造型和深邃的艺术内涵,已经成为装点高档居室、办公室、宾馆、酒店的首选,也是馈赠、收藏的时尚佳品。目前,灵芝盆景栽培多采用代料袋栽方式,即将按照灵芝生长所需营养素的材料配制的培养基装入培养袋中,在与灵芝菌种生长习性、条件相适应的温度条件下,于室内发菌、栽培和出芝。灵芝盆景的造型培养往往要求子实体生长健壮、后劲足,而目前的灵芝盆景培养的代料一般采用木屑或棉籽壳作为培养基,如发明专利CN102318505A公开的一种灵芝盆景的栽培方法,所述基质以棉子壳或木屑作为培养基,以玉米粉、小麦粉、黄豆粉中的一种、或任意两种的组合、或三种组合进行配料,还含有石膏粉,该方法栽培的灵芝盆景解决了代料营养成分不足而影响灵芝子实体生长的问题,同时,通过控制温度、湿度及光照等因素保证了灵芝子实体的可靠生长。近年来,随着新能源、新材料的不断开发利用,作为农村生物质资源的农副产品废弃秸秆如稻草、麦草、果树枝、玉米秆、玉米芯等,以及农村沼气池废渣、养殖场的沼渣沼液,都被作为广泛重视的新资源。申请人结合西北高原弄作为秸秆及农村沼气池废渣的利用情况,并通过从事食用菌养殖工作多年的经验,对灵芝栽培场所进行特殊设计,采用新工艺技术,使其模仿西北高原野生环境使灵芝生长,研究出一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法,利用新技术手段使灵芝长高,以满足盆景所需外形和更高的药用价值。
发明内容:
有鉴于此,本发明提供一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法,其培养基料的营养成分足以满足灵芝子实体培养的要求,且利用新技术手段可使灵芝长高,以满足灵芝盆景所需外形和更高的药用价值。
为解决上述技术问题,本发明采取以下技术方案: 
一种采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的方法,包括以下步骤:
S1:配制培养基料:培养基料以秸秆沼气废渣作为培养基料,所述培养基料包括以下重量份的原料配制而成:农副产品秸秆60~75份 、废沼渣15~25份、米糠或麸皮10~15份、白糖1~2份、石膏粉1~1.5份、生石灰1.5~2.5份;
S2:培养基料装袋灭菌:将配制好的培养基料装入栽培袋后封口,于灭菌锅内120℃~130℃的条件下灭菌2h,出锅后进行冷却至25℃~30℃;
S3:接种和出菇:将灭菌后的培养基料采用无菌离子风进行接种、发菌,进行立体出菇;
S4:组袋培养管理:根据灵芝盆景造型要求,将立体出菇的子实体组袋进行培养管理,温度控制在22℃~32℃,湿度控制在85%~90%;
S5:造型培养管理:通过缺氧处理、控制光照方向、增加CO2浓度以及嫁接的方式对组袋后的灵芝子实体进行造型培养;
S6:成品:将CO2浓度增加至1%,通风后光照至200~300勒克斯,将二次嫁接处理后的子实体移栽至盆中,即得灵芝盆景成品。
步骤S5造型培养管理中所述造型培养,是先进行缺氧处理将CO2浓度增加至2%,通风后进行一次嫁接;再进行缺氧处理将CO2浓度增加至1.5%,通风后增加光照至200~300勒克斯,进行二次嫁接。 
上述嫁接过程应当在温度恒定14℃~22℃、空气湿度在85%~90%时进行最好,选择幼嫩、生命力强的子实体作为嫁接芝,选用菌柄粗壮、长势旺盛的子实体作为基芝,选用无菌的不锈钢刀将所述嫁接芝削下,保证所述嫁接芝的切削面与所述基芝的嫁接面完全吻合,然后将所述嫁接芝的切削面固定于所述基芝的嫁接面并用竹签固定,所述竹签外端部露出2cm,嫁接后不可喷水,若天气干旱,可在培养室的沟渠内灌水以保证室内空气湿度在85%左右,以促进灵芝的生长,一般4天后待嫁接面牢固以后拔去所述竹签,待嫁接面完全生长愈合即完成嫁接;根据造型需要,还可以进行多次嫁接。 
本发明采用西北高原农副产品作物秸秆及农村沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景,农副产品作物秸秆和农村沼气废渣的利用率大大提高,其培养基料的营养成分足以满足灵芝子实体培养的要求,且利用新技术手段可使灵芝长高,以满足灵芝盆景所需外形和更高的药用价值。 
具体实施方式:
下面结合实施例对本发明灵芝盆景的栽培方法的技术方案作进一步的详细说明。
实施例1 
首先配制采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的培养基料:包括以下重量份的原料配制而成:农副产品秸秆65kg、废沼渣20kg、米糠或麸皮15kg、白糖1kg、石膏粉1.5kg、生石灰2kg;将配制好的培养基料装入栽培袋后封口,于灭菌锅内120℃~130℃的条件下灭菌2h,出锅后进行冷却至25℃~30℃;将灭菌后的培养基料采用无菌离子风进行接种、发菌,进行立体出菇;根据灵芝盆景造型要求,将立体出菇的子实体组袋进行培养管理,温度控制在22℃~32℃,湿度控制在85%~90%;然后通过缺氧处理、控制光照方向、增加CO2浓度以及嫁接的方式对组袋后的灵芝子实体进行造型培养;将CO2浓度增加至1%,通风后光照至200~300勒克斯,将二次嫁接处理后的子实体移栽至盆中,即得灵芝盆景成品。
实施例2 
首先配制采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的培养基料:包括以下重量份的原料配制而成:农副产品秸秆60kg、废沼渣25kg、米糠或麸皮12kg、白糖2kg、石膏粉1.5kg、生石灰2kg;将配制好的培养基料装入栽培袋后封口,于灭菌锅内120℃~130℃的条件下灭菌2h,出锅后进行冷却至25℃~30℃;将灭菌后的培养基料采用无菌离子风进行接种、发菌,进行立体出菇;根据灵芝盆景造型要求,将立体出菇的子实体组袋进行培养管理,温度控制在22℃~32℃,湿度控制在85%~90%;然后通过缺氧处理、控制光照方向、增加CO2浓度以及嫁接的方式对组袋后的灵芝子实体进行造型培养;将CO2浓度增加至1%,通风后光照至200~300勒克斯,将二次嫁接处理后的子实体移栽至盆中,即得灵芝盆景成品。
实施例3 
首先配制采用秸秆沼气废渣生物发酵栽培灵芝盆景的培养基料:包括以下重量份的原料配制而成:农副产品秸秆75kg、废沼渣15kg、米糠或麸皮10kg、白糖2kg、石膏粉1.5kg、生石灰2kg;将配制好的培养基料装入栽培袋后封口,于灭菌锅内120℃~130℃的条件下灭菌2h,出锅后进行冷却至25℃~30℃;将灭菌后的培养基料采用无菌离子风进行接种、发菌,进行立体出菇;根据灵芝盆景造型要求,将立体出菇的子实体组袋进行培养管理,温度控制在22℃~32℃,湿度控制在85%~90%;然后通过缺氧处理、控制光照方向、增加CO2浓度以及嫁接的方式对组袋后的灵芝子实体进行造型培养;将CO2浓度增加至1%,通风后光照至200~300勒克斯,将二次嫁接处理后的子实体移栽至盆中,即得灵芝盆景成品。

Claims (2)

1.一种灵芝盆景的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:配制培养基料:培养基料以秸秆沼气废渣作为培养基料,所述培养基料包括以下重量份的原料配制而成:农副产品秸秆60~75份 、废沼渣15~25份、米糠或麸皮10~15份、白糖1~2份、石膏粉1~1.5份、生石灰1.5~2.5份;
S2:培养基料装袋灭菌:将配制好的培养基料装入栽培袋后封口,于灭菌锅内120℃~130℃的条件下灭菌2h,出锅后进行冷却至25℃~30℃;
S3:接种和出菇:将灭菌后的培养基料采用无菌离子风进行接种、发菌,进行立体出菇;
S4:组袋培养管理:根据灵芝盆景造型要求,将立体出菇的子实体组袋进行培养管理,温度控制在22℃~32℃,湿度控制在85%~90%;
S5:造型培养管理:通过缺氧处理、控制光照方向、增加CO2浓度以及嫁接的方式对组袋后的灵芝子实体进行造型培养;
S6:成品:将CO2浓度增加至1%,通风后光照至200~300勒克斯,将二次嫁接处理后的子实体移栽至盆中,即得灵芝盆景成品。
2.根据权利要求1所述的一种灵芝盆景的栽培方法,其特征在于:所述步骤S5造型培养管理中所述的造型培养,是先进行缺氧处理将CO2浓度增加至2%,通风后进行一次嫁接;再进行缺氧处理将CO2浓度增加至1.5%,通风后增加光照至200~300勒克斯,进行二次嫁接。
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