CN104272449A - 端部处理器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于加工器件的端部处理器及其方法。该端部处理器包括与器械相配套的配套部分和用于支撑位于支撑表面的薄膜框架的支撑部分。支撑部分包括支撑底座部件，从支撑底座部件延伸的延伸部件，和支撑表面上的真空端口，以有助于支撑表面上的薄膜框架的配套。每个真空端口包括与至少一个真空源流体连通的至少一个真空开口。真空端口被配置为主要可维持最细长的轮廓和最强的吸力。

Description

端部处理器
技术领域
本文描述的端部处理器广泛用于半导体制造工艺中处理或传输薄膜框架。
背景技术
所述端部处理器通常与晶圆制造工具(诸如晶圆切割工具和晶圆光刻检验工具)的机械臂相耦接，以处理和传输这些薄膜框架。在该阶段，已完成加工的整个晶圆应已与薄膜框架相连。薄膜框架由刚性框架组成，通常由钢材制得，其具有通过贴有薄膜的部分看到的圆形，且已加工的整个晶圆已依附在薄膜上。当安装到薄膜框架后，这些位于薄膜框架上的晶圆将装到匣盒内，以允许晶圆的下一阶段加工，其可涉及用于切割、缺陷的检查或测试。端部处理器用于装载和卸载这些薄膜框架，以及将一个或多个薄膜框架从一处位置移至另一处位置。
照惯例，端部处理器包括至少两个用于支撑、处理或握持物件(如薄膜框架)的指状物。这些指状物配备有各种设计的真空垫。在一个常规设计中，真空垫由与薄膜框架的金属框架对吸的端部处理器的表面的细小开口组成。在另一个设计中，真空垫为凸起型真空垫，其具有延伸到超过端部处理器的顶部或上表面的凸起面朝上的开口，以吸住薄膜框架的薄膜。在这些常规设计中，当真空压力通过真空垫内的细小开口施加时，其意指当从晶圆加工工具的一个点到另一个点的处理和传输时，用于固定整个薄膜框架。
使用如上所述的具有传统真空垫的端部处理器会导致多种问题。在真空垫吸住金属框架的情况中，薄膜框架的非柔性的金属表面无法产生压制薄膜框架的真空吸力的有效真空密封。
在凸起型真空垫的情况中，与凸起型真空垫相接触的薄膜部分将随时间而不可逆地变膨胀或变形。进一步，凸起型真空垫的使用增加了端部处理器的总厚度并提高了其进入用于处理薄膜框架的标准匣盒的难度。标准的薄膜框架匣盒容纳高达25片晶圆，且匣盒内的薄膜框架的间距仅介于5mm到8mm。在很多例子中，由于附设的晶圆向下压薄膜，朝向薄膜框架的中心的晶圆间的间隙变得较小且不均匀。凸起型真空垫的使用增加了端部处理器的总厚度，使得进入匣盒这一原本就非常精密的操作变得更甚。在其进入时的任何错误将导致附设的贵重晶圆和端部处理器自身的损坏。在一些情形中，需要将薄膜框架的间隔插槽腾空，以有助于端部处理器的进入来提取或装载。这意味着匣盒将不得不经常重新装载，造成机械化工具的更多停工时间。这会影响整体效率。
然而，所有传统设计的最重大的缺点在于其具有较弱的吸取力。传统的设计涉及通过经过真空垫(无论是否为凸起型)上的细小空洞的真空力直接吸抵薄膜框架的薄膜(或金属框架)的应用，这无法提供足够强的真空力以固持薄膜框架。当这些薄膜框架必须以较高速度运动时，无法施加足够大的吸取力尤为严重。在较高速度时，没有强的或较强的真空力，薄膜框架将在传输中滑动或脱落。
从上述讨论中可知，需要提供一种能够高效和快速地牢固握持薄膜框架的端部处理器，而不会产生关于上述传统系统的任何问题。
发明内容
本文的实施例整体涉及一种端部处理器以及处理薄膜框架的方法。以下描述适用于安装有薄膜框架的平台已装载入匣盒中已准备好并待用于半导体制造工艺的下一阶段(切割、检验或测试)。
本发明的端部处理器包括与器械连接的下方支撑部分，和用于支撑位于支撑面上的薄膜框架(未示出)的支撑部分。所述支撑部分包括支撑底座部分，所述支撑底座部分具有从支撑底座部分延伸的延伸部件(或指状物)，以及位于支撑表面上的至少一个真空端口，以当真空源激活时，有助于薄膜框架对支撑表面的依附。
本发明的关键特征涉及端部处理器上的真空端口的设计。所述至少一个真空端口包括至少一个凹穴，其具有配置在凹穴壁的侧面附近的至少一个真空开口。所述凹穴为端部处理器的表面的浅薄的压痕(凹处)，且当薄膜框架的薄膜装载到端部处理器时，具有与薄膜框架的薄膜相接触的表面开口。所述至少一个真空开口在凹穴壁的侧面附近的设置使得上述靠近凹穴的边缘的薄膜有效地向下吸住而抵靠于凹穴的边缘，而不会使得在中心覆盖凹穴的薄膜过度膨胀。表面开口的面积为真空开口的开口的面积的数倍。凹穴的表面开口的尺寸取决于薄膜框架的薄膜(或其他柔性材料)的柔性。其不应过大而造成薄膜向凹穴内过度膨胀，如果薄膜接触凹穴的底部，则会减小用于吸取力的表面的面积。
本发明的另一个实施例是使用较大的凹穴(当需要时)，该凹穴具有至少一个端口岛部，其具有与端部处理器的顶面大致共面的顶面。在所述至少一个端口岛部存在的情况下，凹穴的侧壁和端口岛部的侧壁构成有气孔的凹槽、以及位于有气孔的凹槽内的至少一个真空开口，所述有气孔的凹槽为大致围绕所述至少一个端口岛部的大致连续开口通道。所述有气孔的凹槽支撑薄膜，并当通过开口凹槽施加真空时，防止薄膜框架的薄膜的膨胀。
上述实施例的主要目的在于增大通过其施加真空的表面的面积。本发明的上述实施例的端部处理器的真空端口使得真空开口的真空力通过简单的液压原理被显著增大；每个凹穴的表面开口的面积和大致围绕所述至少一个端口岛部的具气孔的凹槽的通道开口的表面积是真空孔的开口的面积的多倍。相较于真空开口，该凹穴的表面开口和具气孔的凹槽具有相当大的面积，这会比若直接实施到薄膜框架的薄膜上，通过至少一个真空开口施加，显著(数倍)增大有效吸取力。
所述具气孔的凹槽和凹穴通过真空开口与真空源流体连通。
可以设想，上述实施例的元件可变化以产生本发明的其他实施例。在一个实施例中，所述至少一个凹穴可包括一个或多个端口岛部。所述至少一个凹穴和端口岛部的侧壁在端口岛部周围构成连续的具气孔的凹槽。具气孔的凹槽内至少配置一个真空开口，所述至少一个真空开口与至少一个真空源流体连通。在一个实施例中，谈论的所述至少一个端口岛部包括至少一个凹穴，该凹穴具有至少一个与真空源流体连通的真空开口，以提高单独的真空端口作为整体的吸取力。在一个实施例中，所述真空端口可自身呈现为一系列离散的沿端口岛部的周长的凹穴(具有至少一个真空开口)，构成非连续的具气孔的凹槽。可以设想，在上述每一个实施例中，如需要，单独的真空端口可包括多个从中心以扇形散开的具气孔的凹槽(在其所有变型中)，以通过增大由通过具气孔的凹槽的连续的通道开口或非连续的凹穴提供的面积，从而进一步增大吸取力。
通过结合如下描述和附图，这些实施例及本文公开的其他优点和特征将变得更好理解。进一步，应理解本文描述的多个实施例的特征并非相互排斥的，可以设想，通过上述实施例的特征的其他排列和组合可产生其他的实施例。
附图说明
在后续描述中，在整个说明书和附图中，同一部件采用相同附图标识来标志。另外，附图并未按比例绘制，而是着重于强调图解本发明的原理。本发明的多种实施例参考如下附图描述，其中：
图1示为本发明的具有真空端口的端部处理器的实施例；
图2a1-2a4示为包括至少一个凹穴的真空端口的一系列实施例；
图2b示为包括凹穴和端口岛部的真空端口的实施例；
图2c示为包括多个端口岛部的真空端口的实施例；
图2d示为真空端口的实施例，其包括具有同中心布置的至少一个凹穴的至少一个端口岛部的基本配置；
图2e示为真空端口的实施例，其包括具有同中心布置的端口岛部的至少一个凹穴的基本配置；
图2f示为真空端口的实施例，其包括构成非连续的具气孔的凹槽的多个凹穴；
图2g示为真空端口的实施例，其包括构成非连续的具气孔的凹槽的多个凹穴；
图2h示为真空端口的实施例，其包括构成非连续的具气孔的凹槽的多个凹穴，该多个凹穴具有不同形状；
图2i示为真空端口的实施例，其包括构成非连续的具气孔的凹槽的多个凹穴，每个凹穴具有至少一个真空开口；
图2j示为包括多个同中心布置的凹穴的真空端口的实施例；
图3示为可通过本端部处理器的实施例处理的薄膜框架；
图4示为与本实施例的端部处理器相配套或附设的薄膜框架；
图5示为制程的顶视图，其中，采用端部处理器从用于容纳和传输薄膜框架的匣盒中装载和卸载薄膜框架；以及
图6示为具有薄膜框架的匣盒架的实施例。
具体实施方式
本发明公开涉及一种在半导体制造工艺中，有助于处理和传输薄膜框架进出匣盒的端部处理器。
优选地，所述端部处理器由适当的且足够坚固的刚性材料(通常为钢材)构成，以支撑薄膜框架，该薄膜框架的薄膜上承载一套晶粒或整个晶圆。
图1示出用于半导体工艺或器械中，以处理和运输薄膜框架的端部处理器100的一个优选实施例。所述端部处理器100包括下方支撑部分110，该下方支撑部分110具有与器械(未示出)相连接的耦接插槽114和用于支撑位于支撑面125上的薄膜框架(未示出)的支撑部分120。端部处理器的支撑部分120由U型部分组成，包括支撑底座部件120a，从其延伸的以支撑薄膜框架的指状物或延伸部件120b1和120b2，以及位于支撑面上的至少一个真空端口(142a,142b,142c,142d和142e)，以有助于在提取、装载和/或运输期间，薄膜框架对支撑面125的依附。
图3示出一种典型的薄膜框架200。如图所示，薄膜框架包括框架210。该框架为环形框架，具有容纳薄膜于内的开口215。举例来说，薄膜框架可为不同的尺寸和形状，以容纳不同尺寸和形状的晶圆。虽然本实施例示出了端部处理器100的支撑部分120具有U型的延伸部分，可以设想只要在端部处理器的操作过程中能够提供薄膜框架所必要的支撑，该延伸可以是(或可想到的是)对应于薄膜框架的形状和尺寸的其他形状。
开口215包括用于依附和支撑晶圆的高分子膜220。诸如，该高分子膜包括至少一个粘性表面。诸如，该粘性表面或安装面为晶圆依附的表面。该粘性表面有助于晶圆在高分子层上的固持。晶圆取决于制程，可切割为晶粒。例如，晶圆可切割为晶粒，或分割为单个的器件或晶粒。在其他实施例中，晶圆为未切割的。
图4示出安装有薄膜框架200的端部处理器100的实施例。当薄膜框架200被提取到端部处理器100上时，薄膜框架200通过与薄膜框架上的对准器230相结合的端部处理器100上的适配放置的定位元件134a和134b来对齐。然而，在该端部处理器的提取中，由于端部处理器相对于弹匣内的薄膜框架移动到预设位置，实际上定位元件的定位可以不是严格必须的。当端部处理器移动到预设位置时，真空端口1421、1422和1423将在预设的相对于端部处理器的关键部位，并当激活真空以实现提取时，与薄膜框架的高分子膜相连通。
端部处理器的支持部120可以配置为不同的形状和尺寸，以处理不同形状和尺寸的薄膜框架，如正方形、矩形、圆形或椭圆形，该形状取决于待处理或运输的薄膜框架的形状。诸如，支撑底座部分120a紧挨着接收部分、或指状物或延伸部件120b1和120b2。
真空网146包括端部处理器100内嵌入的真空凹槽或通道(146a、146b、146c和146d)。真空网146可从下方配套部分110延伸至支撑部分120。真空网146与真空源流体连通。虽然在本实施例中，内嵌的凹槽或通道(146a、146b、146c和146d)仅示出在支撑部分120a的基座的附近，可以设想，真空凹槽或通道网(146a、146b、146c和146d)可以沿延伸部件120b1和120b2的长度方向延伸或位于端部处理器的可安置真空端口(如需要或必要)的任何部位。端部处理器可设置多个真空源。
图5显示了制程400的俯视图，其中采用端部处理器100从用于容纳和运输薄膜框架的标准弹匣410中装载或卸载薄膜框架200。图6示出弹匣410的主视图。弹匣配置为安装用于制造过程中的多个薄膜框架2001-n的容器。正如所讨论的，在制造过程中，薄膜框架用于处理依附在薄膜框架的薄膜上的晶圆或切割的晶粒。标准弹匣配置为安装25个八英寸的薄膜框架(如n＝25)，对应于用于八英寸晶圆的半导体制造的典型批量大小。在这方面，端部处理器将只能在每对平行的插槽之间的极小空间内行进。两个相邻的薄膜框架的间距一般为5mm至8mm。在下文中将解释到，本发明的端部处理器的实施例具有非常薄的截面，并使得端部处理器易于进入弹匣以提取或装载薄膜框架。
图2a1是本发明的真空端口142的实施例的图示。所述至少一个真空端口142的最基本配置包括至少一个凹穴190，且每个凹穴190具有至少一个设置于其中的真空开口160。凹穴190为从端部处理器的表面形成的浅薄的压痕(凹处)，并具有表面开口192，当薄膜框架的薄膜装载到端部处理器100时，该表面开口与薄膜相接触。在图2a4示出的一个实施例中，所述至少一个真空开口可设置在凹穴的底部并靠近其壁191，或凹穴190的壁191上。设置在凹穴190的壁191的附近或其上的具有适配尺寸的至少一个真空开口160可使凹穴190的边缘的上方和附近的薄膜220被有效地过度向下吸入而抵住该凹穴的边缘，而不会使靠近凹穴中央处的薄膜220向下膨胀。能够与薄膜220相连通的凹穴190的表面开口192的面积是真空开口160的开口的面积的数倍。凹穴190的表面开口192的尺寸依赖于薄膜框架的薄膜(或其他柔性材料)的柔性。其亦不应过大以造成当施加真空时使得薄膜被过度向下膨胀至凹穴中。很明显地，此凹穴可根据所要或需要而具有不同形状和尺寸。图2a2和2a3示出具有不同形状和尺寸的凹穴的真空端口的其他实施例。
图2b为本发明的另一个实施例，其中，真空端口142包括具有至少一个端口岛部126的至少一个凹穴190，该端口岛部126具有大致与端部处理器125的顶面共面的顶面。在存在至少端口岛部126的情况下，凹穴190变成具气孔的凹槽151，其实质为大致围绕所述至少一个端口岛部126的连续开口通道；且具气孔的凹槽151具有设置在具气孔的凹槽151的至少一个真空开口160。所述真空开口160可定位在具气孔的凹槽的底部或具气孔的凹槽的侧壁。所述至少一个真空开口160开向具气孔的凹槽151，并且通过真空网146与真空源112流体地相连通。具气孔的凹槽151的通道开向薄膜220，并当薄膜框架的薄膜装载到端部处理器时，与薄膜相连通。当施加真空时，具气孔的凹槽151会将薄膜向下吸，而所述至少一个端口岛部126支撑薄膜220，并防止其膨胀。
上述端部处理器的真空端口142的实施例使得真空开口的真空力通过简单的液压原理显著增大；每个凹穴190的表面开口192的面积和大致围绕所述至少一个端口岛部126的具气孔的凹槽151的通道开口的表面积分别为，真空孔的开口面积的数倍。通过凹穴192的表面开口和具气孔的凹槽151的分别相对大的面积，当真空源112激活且其已被直接施加到薄膜框架的薄膜上，相较于真空开口，真空力将施抵于薄膜220上，会显著增大(数倍)若通过上述至少一个真空开口160施加的有效吸取力。
为了在处理(装载、提取或运输)器件将薄膜框架200固定到端部处理器100，至少一个真空端口142被适配地设置在支撑表面上，使得当所述至少一个真空端口142激活时，所述至少一个真空端口142将与薄膜框架的薄膜220相连通，以有助于可有效地将整个薄膜框架向下固定在支撑表面的表面的吸力。当激活真空源112时，各个实施例的各自与薄膜框架的薄膜相连通的凹穴190和具气孔的凹槽151，将分别从凹穴和具气孔的凹槽151的开口通道吸取薄膜，以提供有效向下固定薄膜框架200的真空密封。
不同于传统系统中的真空端口上的细小真空开口直接接触薄膜框架的薄膜或金属、以及提供到薄膜上的吸取力，本实施例的真空开口160并非直接接触薄膜220。当激活真空源112时，真空开口160定位于其中，并与凹穴190或具气孔的凹槽151流体地相连通，使得真空力通过凹穴192的开口表面或大致围绕端口岛部126的具气孔的凹槽151的开口通道施加。在如图2b所示的一个实施例中，开口通道为连续的，并围绕端口岛部126。如图2f所示的另一个实施例中，真空端口可以有多个凹穴(190a、190b、190c等)构成，其同时构成非连续的适配布置的具气孔的凹槽151e和151f，以提供向下固定薄膜框架的位于关键位置的有效吸取力。
各种变形的凹穴190和具气孔的凹槽151与薄膜220流体性地连通，提供相对更大的表面面积以施抵薄膜框架的薄膜的吸取力。真空吸取力通过位于与真空源112流体地相连通的凹穴190或具气孔的凹槽151内的至少一个真空开口160来产生。由于适配地放置在端部处理器上的多个真空端口，通过这些真空端口的凹穴或具气孔的凹槽151的开口通道实现的吸取力显著放大了真空开口160施加到薄膜220上(比如果真空开口160直接与薄膜220相接触)的吸取力。所述增大的力会显著增加被施用以紧附薄膜框架200且可使薄膜框架在更高速度下被更牢固地握持的吸力。所述增大的力为可经由简单液压原理的应用来计算。其也可通过软件来进行校正及控制。
当激活时，所述至少一个真空端口142暂时将(薄膜框架的)端部处理器薄膜依附到端部处理器以运输。当运输完成时，所述至少一个真空端口142去激活以使所述薄膜220从端部处理器分开。
端口岛部126的存在是十分重要的。由于端口岛部126的顶面和围绕具气孔的凹槽151的端部处理器的表面是共面的或大致齐平的，因此端口岛部126确保了施加真空时，所述至少一个真空端口142不会使薄膜220膨胀或变形。实际上，当施加吸力时，端口岛部126以提供支撑并防止薄膜220的膨胀。相应地，具气孔的凹槽151不应过宽，以造成柔性薄膜没有支撑而向下膨胀。真空端口142(非凸起)端部处理器端部处理器与端部处理器的表面的共面确保了如此设计的端部处理器可具有极细的轮廓和最强的吸力。
尽管真空网146被描述成通过真空开口160将真空源112连接到所述至少一个真空端口142的连续循环，其他配置的真空网146也可以根据具体情况是有用的或所要的。例如，非连续循环的真空网也可以是有用的，尤其是当有需要从所述至少一个真空端口中的每一个来施加非均匀力时，在该情况中，可能需要多个分别连接到这些真空端口的真空源。
不同于传统系统中的端部处理器的总厚度由于突出的真空端口而增大，由于真空端口142不突出，本实施例的端部处理器100内的真空端口142的整个轮廓保持纤细。这意味着端部处理器可更容易进入匣盒内的每对插槽之间的微小空间(大约5毫米至8毫米)，以用于提取或装载。如前所述，由于在薄膜框架之间的空间限制(该空间是由(薄膜框架的)聚合物薄膜通常会由其所承载的晶圆的重量下坠而被制成很狭窄)，因此该薄膜框架的提取和装载是非常精密的操作。具有较厚轮廓的端部处理器在进入匣盒时容易损坏晶圆。厚度的微小变化对于进匣盒的容易度具有巨大的影响。为了避免损坏，所述匣盒无法在每对插槽中装载一个薄膜框架，而是每隔一对插槽要保持留空以提供具有较厚轮廓的端部处理器所需要的空间。这降低了半导体器械的整体效率。
尽管图1示出本端部处理器的一个实施例，其中所述至少一个真空端口142具有一个凹穴190，可以设想，真空端口可以呈现其他任何所要的或有用的数量、形状和尺寸的配置。图2b示出具有至少一个端口岛部的凹穴的真空端口的实施例。图2为包括至少两个端口岛部126a和126b并被一个具气孔的凹槽151b围绕的真空端口142的实施例。如需要，也可以有其他实施例，其端口岛部的形状为类矩形或三角形或其他几何形状。
图2d代表端部处理器的另一个实施例，其中，其真空端口的端口岛部126具有至少一个端口凹穴190a，该凹穴具有至少一个真空开口160，而端口岛部126的顶面保持齐平的或与端部处理器的围绕表面相共面。图2f和2g代表不同的实施例，其中真空端口有多个具有至少一个真空开口160的端口凹穴190b、190c和/或190d组成。这些端口凹穴可看作为构成具气孔的凹槽的非连续的开口通道。图2h、图2i和图2j为示出，但不限于配置真空端口的凹穴和端口岛部的其他排列组合。图2j示出包括多个围绕端口岛部的凹穴的真空端口，端口岛部包括多个更小的凹穴。
图2e代表了真空端口142的另一个实施例，其中由图2b表示的实施例的真空端口142的基本配置向外同中心的重复。在这个实施例中，真空端口可以具有多个端口岛部(126a和126b)以及多个被配置为同心地朝外的具气孔的凹槽(151d和151c)，并且其中，所述端口岛部126a和126b为彼此共平面，且与所述端部处理器的周围表面共平面。
如果需要更大的吸取力以施加到真空端口代表的结合的更大面积，而不使薄膜框架的薄膜膨胀或变形，则需要采用图2c、2d、2e、2f和2g所示的进一步实施例。端口岛部与端部处理器的周围表面的共面确保在通过具气孔的沟槽施加吸力的同时，其可对薄膜提供支撑以防止膨胀，尤其是当通过真空端口施加吸力的面积较大时。还可以设想，如果需要向定位于端部处理器的关键点的不同真空端口施加不同的吸取力，则不同的真空源与相关的真空端口流体性地连通。
当待处理的物品由柔软的(或柔性的)和大体上无孔材料的材料制得时，本处理系统和方法尤其有用。
尽管图1示出定位于端部处理器100的支持底座部分120a的真空端口142a、142b、142c、142d和142e，可以设想如果有需要的话，所述至少一个真空端口也可以设置在端部处理器的其他部位。例如，所述至少一个真空端口可设置在端部处理器的指状物上，以有助于更好的握紧。
诸如如上所述的端部处理器，用于半导体制造工艺中处理薄膜框架。应理解，该端部处理器可用于处理具有柔性表面的任何物品。该端部处理器也可以用于其它类型的制造工艺。例如，该端部处理器可应用于其它的产业或应用。

Claims (17)

1.一种端部处理器，包括：
与器械相配套的配套部分；以及
支撑部分，所述支撑部分适合于为其支撑表面上的薄膜框架提供支撑，所述支撑部分包括：
支撑底座部分，
从支撑底座部分延伸而出的延伸部件，
位于支撑表面上的至少一个真空端口，当真空源激活时，所述支撑表面与薄膜框架的薄膜相连通，并且
其中，所述至少一个真空端口具有的配置包括
至少一个凹穴，所述至少一个凹穴为端部处理器的表面凹入的凹部，且具有至少一个真空开口设置在所述至少一个凹穴中，所述至少一个真空开口与至少一个真空源流体连通。
2.如权利要求1所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空开口设置在所述至少一个凹穴的底部并靠近所述至少一个凹穴的侧壁，和/或设置在所述至少一个凹穴的侧壁上。
3.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，所述真空端口的至少一个凹穴具有至少一个端口岛部，每个所述至少一个端口岛部具有与端部处理器的顶面大致共面的顶面，并且所述至少一个凹穴的侧壁与所述至少一个端口岛部的侧壁构成至少一个具气孔的凹槽，所述具气孔的凹槽包括围绕所述至少一个端口岛部的开口通道，并且所述至少一个具气孔的凹槽具有至少一个真空开口，所述至少一个真空开口与至少一个真空源相连通。
4.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口包括多个凹穴。
5.如权利要求4所述的端部处理器，其中，每个所述多个凹穴可具有彼此不同的形状和尺寸。
6.如权利要求5所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口的所述多个凹穴构成不同形状和尺寸的不连续的具气孔的凹槽。
7.如权利要求3所述的端部处理器，其中，所述真空端口的所述至少一个端口岛部具有至少一个凹穴，每个凹穴具有位于其中的、并与至少一个真空源相连通的至少一个真空开口。
8.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，之前任一条权利要求的个别配置的真空端口同中心的向外重复。
9.如权利要求8所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口由重复一配置而组成，所述配置包括在所述至少一个凹穴中的至少一个端口岛部为同中心地向外，而使得所述至少一个端口岛部中第一个在空间上被设置在所述至少一个凹穴的第一个内，并构成第一具气孔的凹槽，其在空间上被设置于所述至少一个端口岛部的较大的第二个中，所述至少一个端口岛部的第二个在空间上设置在所述至少一个凹穴的较大的第二个中，并构成围绕所述第二端口岛部的第二具气孔的凹槽，依次类推，使得倒数第二个凹穴及其端口岛部、和具气孔的凹槽将在空间上设置于位于较大的最终凹穴中的较大的最终端口岛部，而构成围绕较大的最终端口岛部的最终具气孔的凹槽。
10.如权利要求8所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口由重复一重复而组成，所述配置包括同中心的向外的端口岛部内的凹穴，使得第一凹穴位于第一端口岛部内，并且第一凹穴和第一端口岛部在空间上设置于第二较大的凹穴内，依次类推，使得倒数第二个凹穴和端口岛部将在空间上设置在较大的最终凹穴内。
11.如权利要求7所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口由重复一配置而组成，所述配置包括设置在任何特定形状岛部中的多个凹穴，并同心的向外。
12.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口位于所述支撑基座部件上。
13.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空端口位于所述延伸部件上。
14.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，所述至少一个真空源包括第一真空源、第二真空源或后续真空源，每个真空源具有与所选的至少一个真空端口流体连通的不同真空力。
15.如前述任一条权利要求所述的端部处理器，其中，通过真空端口施加到薄膜框架上的真空力可通过软件控制来调节。
16.一种处理薄膜框架的方法，包括：
提供用于处理薄膜框架的端部处理器，所述薄膜框架具有多个器件；以及
通过所述端部处理器的所述至少一个真空端口施加到薄膜的吸取力，从而当激活至少一个真空源时，有助于将所述薄膜框架紧附于所述端部处理器上；
其中，所述至少一个真空端口具有至少一个凹穴，所述至少一个凹穴具有与真空源流体连通的至少一个真空开口。
17.一种如权利要求16的处理薄膜框架的方法，其中，用于紧附薄膜框架的构件的真空端口具有如权利要求1至15中任一条所限定的真空端口的配置。
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