CN104253413A - Dc-dc转换器 - Google Patents

Abstract

本发明提供DC-DC转换器，其在电压转换电路的开关元件产生短路故障时能够切断流电压转换电路中流通的大电流。DC-DC转换器(100)具备：电压转换电路(2)，其具有FET1(第1开关元件)；反接保护用的FET2(第2开关元件)，其在直流电源(50)的负极与输入端子(10)连接时，阻止电压转换电路(2)中流过大电流；短路保护用的FET3(第3开关元件)，其在FET1发生短路故障时，阻止电压转换电路(2)中流过大电流；以及检测单元，其检测FET1的短路故障而使FET3截止。FET3与FET2串联连接。检测单元根据FET1与FET2及FET3的串联电路之间的连接点(P)的电压来检测故障。

Description

DC-DC转换器

技术领域

本发明涉及将直流电源的电压升压或降压后提供给负载的DC-DC转换器(直流-直流转换装置)，尤其涉及具备直流电源被反接时的保护功能的DC-DC转换器。

背景技术

例如，在汽车中搭载着DC-DC转换器，作为用于向各种车载设备或电路提供直流电压的电源装置。一般情况下，DC-DC转换器具有由开关元件、线圈、电容等构成的电压转换电路(升压电路或降压电路)，通过高速地对直流电源的电压进行开关，来输出升压或降压后的直流电压。

在这样的DC-DC转换器中，当直流电源的正极和负极误与输入端子反接时，大电流流向电路导致元件被破坏。因此，一直以来设置了即使直流电源被反接也使得元件不被破坏的反接保护电路。在后述的日本专利文献1、2中示出设置有这样的反接保护电路的电源装置。

在日本专利文献1中，反接保护用的FET(场效应晶体管)与过电压保护用的FET串联连接，另外设置有检测直流电源的电压的电压检测电路。然后，在电源开关接通的状态下，当电压检测电路得到的检测电压超过预定值时，过电压保护用的FET截止(OFF)，防止电力转换电路的电路元件被破坏。另外，在直流电源反接的状态下，当接通电源开关时，反接保护用的FET截止(OFF)，防止电力转换电路的电路元件被破坏。

在专利文献2中，在电源供给路径上设置当电源正向连接时导通(ON)而电源反方向连接时截止(OFF)的反接保护用的FET，并且设置使该FET的输出升压的升压电路。然后，根据升压电路的输出使FET导通，由此即使在电源电压低的情况下也能够提供稳定的输出电压。

另外，在DC-DC转换器中，当与输出端子连接的负载产生短路时，也会导致大电流流向电路而使元件被破坏。作为其对策，在后述的专利文献3中记载了具备过电流保护功能和短路保护功能的电源装置，该过电流保护功能根据第1基准值来限制流向升压电路的开关元件的电流，该短路保护功能根据大于第1基准值的第2基准值高速地限制该电流。

图9示出具备针对直流电源的反接的保护电路的现有DC-DC转换器的一例。DC-DC转换器200具备输入端子61、输入滤波器51、升压电路52、输出滤波器53、输出端子62、控制部54、FET驱动电路55以及反接保护用的FET60。在输入端子61上连接直流电源50，在输出端子62上连接负载70。

升压电路52是由线圈56、开关用的FET57、同步整流用的FET58和电容59构成的公知电路。FET57和FET58根据由FET驱动电路55提供的脉冲信号(PWM信号)交替地进行导通/截止。即，当FET57导通时，FET58截止，当FET58导通时，FET57截止。FET60根据来自控制部54的控制信号而始终成为导通状态。FET57、FET58、FET60分别反向并联连接二极管57a、58a、60a(漏极/源极间的寄生二极管)。

在升压电路52中经由输入滤波器51输入直流电源50的电压。利用FET57的导通/截止动作，使直流电源50的电压进行开关，在线圈56中产生高电压。该高电压通过FET58的二极管58a被整流，通过电容59被平滑化，然后作为升压后的直流电压经由输出滤波器53被提供给负载70。

在反接直流电源50时即直流电源50的负极与输入端子61连接、正极与地连接时，FET60成为截止(OFF)状态。另外，因为FET60的二极管60a的阴极与直流电源50的正极连接，所以二极管60a成为非导通状态。因此，大电流没有流向直流电源50的正极→地→FET60→FET57→线圈56→输入滤波器51→直流电源50的负极的路径，从而防止处于该路径的电路元件被破坏。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-51919号公报

专利文献2：日本特开2006-14491号公报

专利文献3：日本特开2012-157191号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在图9所示的DC-DC转换器200中，有时开关用的FET57中发生短路故障。所谓短路故障是指FET57的源极/漏极间被固定为导通状态且FET57始终导通而不能截止的故障。在产生这样的短路故障的情况下，即使让与FET57串联连接的反接保护用的FET60截止，也由于FET60的二极管60a相对于直流电源50成为正向，因而在图10中用粗箭头所示的大电流通过FET57和二极管60a而流动。即，FET60的截止不能阻止大电流，由于该大电流继续流动，而导致处于电流路径的电路元件被破坏。

日本专利文献1的电源装置检测输入侧的过电压，由于使过电压保护用的FET截止，因此即使电力转换电路的开关元件产生短路故障而在电力转换电路中流动过电流，也无法检测到该过电流。日本专利文献2的电源装置利用升压电路的输出电压来驱动反接保护用的FET，因此升压电路的开关元件产生短路故障，即使在升压电路中流动过电流，也无法检测到该过电流。专利文献3的电源装置讲述了输出侧短路时的对策，但没有讲述电压转换电路的开关元件产生短路故障时的对策。

本发明的课题是提供在电压转换电路的开关元件产生短路故障时能够断开流向电压转换电路的大电流的DC-DC转换器。

解决问题的手段

在本发明中，DC-DC转换器具备：输入端子，其连接直流电源的正极；输出端子，其连接负载；电压转换电路，其设置在输入端子与输出端子之间，具有第1开关元件，并利用第1开关元件的导通/截止动作使直流电源的电压升压或降压而提供给负载；以及反接保护用的第2开关元件，其在直流电源的负极与输入端子连接时，阻止电压转换电路中流过大电流，该DC-DC转换器还设置有：短路保护用的第3开关元件，其在第1开关元件发生短路故障时，阻止电压转换电路流过大电流；以及检测单元，其检测第1开关元件的短路故障，使第3开关元件截止。第3开关元件与第2开关元件串联连接。检测单元根据第1开关元件与第2及第3开关元件的串联电路之间的连接点的电压来检测故障。

根据这样的结构，当电压转换电路的第1开关元件发生短路故障时，由于电压转换电路中流过大电流，上述连接点的电压增大。然后，当检测单元检测到该电压的增大时，使短路保护用的第3开关元件截止，所以可利用第3开关元件来切断利用第2开关元件无法切断的大电流。由此，在第1开关元件的短路故障时，能够保护设置在大电流流通的路径上的电路元件免受破坏。

在本发明中，检测单元可包含：分压电阻，其对所述连接点的电压进行分压；第4开关元件，其在由该分压电阻分压后得到的电压为一定值以上时进行导通或截止。在此情况下，第3开关元件根据第4开关元件的导通或截止而截止。

在本发明中，检测单元可包含：控制部，其根据所述连接点的电压来判定有无故障，在判定为已发生该故障时输出控制信号；以及第5开关元件，其根据该控制信号进行导通或截止。在此情况下，第3开关元件根据第5开关元件的导通或截止而截止。

在本发明中，检测单元可由第1检测单元以及第2检测单元构成。在此情况下，第1检测单元包含：分压电阻，其对所述连接点的电压进行分压；以及第4开关元件，其在由分压电阻分压后得到的电压为一定值以上时进行导通或截止，第2检测单元包含：控制部，其根据所述连接点的电压来判定有无故障，在判定为已产生该故障时输出控制信号；以及第5开关元件，其根据该控制信号进行导通或截止，第3开关元件根据第1检测单元中的第4开关元件的导通或截止或者第2检测单元中的第5开关元件的导通或截止而进行关断。

在本发明中，第1至第3开关元件可由在源极与漏极之间并联连接二极管的MOS型FET构成，第1以及第3开关元件的二极管相对于直流电源反向连接，第2开关元件的二极管相对于直流电源正向连接。

在此情况下，第1开关元件的漏极可与直流电源的正极侧的电源线连接，第1开关元件的源极与第3开关元件的漏极连接，第3开关元件的源极与第2开关元件的源极连接，第2开关元件的漏极与地连接。

发明的效果

根据本发明，可提供在电压转换电路的开关元件产生短路故障时能够切断流向电压转换电路的大电流的DC-DC转换器。

附图说明

图1是本发明实施方式的DC-DC转换器的电路图。

图2是示出通常时的电流路径的电路图。

图3是说明直流电源的反接时的电流切断的电路图。

图4是示出产生短路故障时的电流路径的电路图。

图5是说明产生短路故障时的电流切断的电路图。

图6是说明产生短路故障时的电流切断的电路图。

图7是示出控制部的动作的流程图。

图8是示出短路故障产生时的电流以及电压的变化的曲线图。

图9是现有的DC-DC转换器的电路图。

图10是示出现有的短路故障产生时的电流路径的电路图。

标号说明

2 电压转换电路 4 控制部

7 FET控制电路  8 短路检测电路

10 输入端子    20 输出端子

50 直流电源    70 负载

100DC-DC 转换器a、b 短路故障检测线

D1～D3 二极管

FET1 开关用的FET(第1开关元件)

FET2 反接保护用的FET(第2开关元件)

FET3 短路保护用的FET(第3开关元件)

P 连接点

R4、R5 分压电阻

Q3 晶体管(第4开关元件)

Q1 晶体管(第5开关元件)

X 直流电源的正极侧的电源线

具体实施方式

以下，根据本发明的实施方式参照附图进行说明。在各图中，对同一部分或对应部分标注相同的符号。

首先，参照图1说明本发明实施方式的DC-DC转换器的结构。DC-DC转换器100具备输入端子10、输入滤波器1、电压转换电路2、输出滤波器3、输出端子20、控制部4、FET驱动电路5、保护电路6、FET控制电路7、短路检测电路8、反接保护用的FET2以及短路保护用的FET3。输入端子10与直流电源50的正极连接，输出端子20与负载70连接。直流电源50例如是搭载在汽车上的车辆用电池，负载70例如是控制引擎或车载设备等的ECU(电子控制单元)。直流电源50的正极侧的电源线X从输入端子10到达输出端子20。

输入滤波器1是由线圈L1和电容C1构成的公知电路，去除与输入端子10连接的直流电源50的噪声。线圈L1构成电源线X的一部分。线圈L1的一端与输入端子10连接，另一端与后述的线圈L2的一端连接。电容C1的一端与电源线X中的线圈L1以及L2的连接点连接。电容C1的另一端与连接点P连接。该连接点P是FET1与FET2以及FET3的串联电路的连接点。

电压转换电路2是由线圈L2、电容C2、开关用的FET1和同步整流用的FET4构成的公知的升压电路，对直流电源50的电压进行升压。线圈L2以及FET4构成电源线X的一部分。线圈L2的一端与上述线圈L1的另一端连接，线圈L2的另一端与FET4的源极s连接。FET4的漏极d与后述的线圈L3的一端连接，FET4的栅极g与FET驱动电路5的输出侧连接。FET1的漏极d与电源线X中的、线圈L2和FET4的连接点连接。FET1的源极s与连接点P连接，FET1的栅极g与FET驱动电路5的输出侧连接。电容C2的一端与电源线X中的、FET4和线圈L3的连接点连接，另一端与连接点P连接。

FET1是MOS型FET，在源极s与漏极d之间并联连接二极管D1(寄生二极管)。FET4也是MOS型FET，在源极s与漏极d之间并联连接二极管D4(寄生二极管)。

输出滤波器3是由线圈L3和电容C3构成的公知电路，去除电压转换电路2的输出所包含的噪声。线圈L3由电源线X的一部分构成。线圈L3的一端与FET4的漏极d连接，另一端与输出端子20连接。电容C3的一端与电源线X中的、线圈L3和输出端子20的连接点连接，另一端与连接点P连接。

控制部4由CPU或存储器等构成，控制DC-DC转换器100的动作。另外，控制部4与未图示的上位装置之间进行通信。控制部4被输入来自上位装置的升压指令等指令信号。

FET驱动电路5是用于驱动FET1和FET4的电路，其接受来自控制部4的信号，向各FET的栅极g输出如图所示的脉冲信号(PWM信号)。FET1和FET4利用由FET驱动电路5提供的脉冲信号交替地进行导通/截止。即，在FET1导通时，FET4截止，在FET4导通时，FET1截止。

保护电路6由电阻R1以及R2、齐纳二极管Z和电容C4构成。保护电路6的输入侧与短路故障检测线a连接，输出侧与控制部4连接。短路故障检测线a与连接点P连接。为了防止经由短路故障检测线a对控制部4施加过大的电压而设置有保护电路6。

FET控制电路7是控制FET2以及FET3的导通/截止的电路，由晶体管Q1以及Q2、电阻R3、R6以及R7构成。对晶体管Q1的发射极提供向输出端子20输出的电压Vo。晶体管Q1的集电极经由电阻R3与FET3的栅极g以及FET2的栅极g连接。晶体管Q1的基极与晶体管Q2的集电极连接。晶体管Q2的发射极与地连接，基极与控制部4连接。跨越晶体管Q2的基极和发射极设置有电阻R6以及R7。

短路检测电路8是检测FET1的短路故障的电路，由晶体管Q3和电阻R4以及R5构成。晶体管Q3的集电极与FET3的栅极g以及FET2的栅极g连接。晶体管Q3的发射极与地连接。晶体管Q3的基极与电阻R4以及R5的连接点连接。电阻R4以及R5构成对连接点P的电压进行分压的分压电阻。电阻R4的一端经由短路故障检测线b与连接点P连接，另一端与电阻R5的一端连接。电阻R5的另一端与地连接。

FET2是反接保护用的MOS型FET，在源极s与漏极d之间并联连接二极管D2(寄生二极管)。FET3是短路保护用的MOS型FET，在源极s与漏极d之间并联连接二极管D3(寄生二极管)。

串联连接FET2和FET3，该串联电路与FET1串联连接。并且，FET1的漏极d与直流电源50的正极侧的电源线X连接，FET1的源极s与FET3的漏极d连接，FET3的源极s与FET2的源极s连接，FET2的漏极d与地连接。另外，FET1的二极管D1和FET3的二极管D3与直流电源50反向连接，FET2的二极管D2与直流电源50正向连接。

在以上的结构中，FET1是本发明中的“第1开关元件”的一例，FET2是“第2开关元件”的一例，FET3是“第3开关元件”的一例。晶体管Q3是本发明中的“第4开关元件”的一例，晶体管Q1是“第5开关元件”的一例。短路故障检测线b以及短路检测电路8是本发明中的“检测单元”以及“第1检测单元”的一例。另外，短路故障检测线a、控制部4以及FET控制电路7是本发明中的“检测单元”以及“第2检测单元”的一例。

接着，说明由上述结构构成的DC-DC转换器100的动作。

首先，参照图2来说明通常时的动作。当利用上位装置(省略图示)向控制部4提供升压指令时，控制部4对FET驱动电路5输出驱动信号。接受该驱动信号，FET驱动电路5生成脉冲信号(参照图1)，向FET1与FET4各自的栅极g输出该脉冲信号。另外，控制部4向FET控制电路7输出H(高)电平的控制信号。根据该H电平信号，FET控制电路7的晶体管Q2导通，晶体管Q1也导通。因此，经由晶体管Q1对FET2和FET3的各个栅极g提供电压Vo，所以FET2和FET3都导通。此外，在通常时的动作中，FET2和FET3维持始终导通的状态。另一方面，晶体管Q3成为截止状态。

FET1和FET4如上所述利用来自FET驱动电路5的脉冲信号交替地进行导通/截止。在图2中，实线的粗箭头表示FET4导通时的电流路径，虚线的粗箭头表示FET1导通时的电流路径。根据FET1和FET4的导通/截止动作，对经由输入滤波器1输入至电压转换电路2的直流电源50的电压进行开关，在线圈L2中产生高电压。该高电压通过FET4的二极管D4被整流，通过电容C2被平滑化，然后作为升压后的直流电压经由输出滤波器3被提供给负载70。

接着，参照图3来说明反接直流电源50时的动作。

如图3那样，当直流电源50的负极与输入端子10连接、正极与地连接时，如果没有反接保护用的FET2，则流动如粗箭头所示那样的大电流。这是因为，二极管D1以及D3相对于直流电源50成为正向，所以即使例如FET1和FET3截止，电流也通过二极管D1以及D3进行流动。然后，当设置有反接保护用的FET2时，FET2的二极管D2相对于直流电源50成为反方向，所以不形成如粗箭头那样的电流路径。由此，在直流电源50反接时，能够预先防止上述电流路径中的电路元件被破坏。

接着，参照图4～图8来说明电压转换电路2的FET1产生短路故障时的动作。

当FET1产生短路故障时，如上所述，将FET1的源极s/漏极d之间固定为导通状态，FET1始终成为导通的状态。因此，FET1～FET3全部成为导通，所以如图4中用粗箭头所示的那样，在直流电源50的正极→线圈L1→线圈L2→FET1→FET3→FET2→地→直流电源50的负极的路径中流动大电流。连接点P的电位由于该大电流而上升。

这里，当设上述路径中流动的电流为Io、设FET2以及FET3导通时的电阻分别为r2、r3时，在连接点P出现的电压Vp成为Vp＝Io·(r2+r3)。经由短路故障检测线b向短路检测电路8提供该电压Vp。在短路检测电路8中，利用由电阻R4以及R5构成的分压电路，对电压Vp进行分压。因此，晶体管Q3的基极被施加由电阻R4和电阻R5分压后的电压。此时的晶体管Q3的基极电压Vb成为Vb＝Vp·R5/(R4+R5)。因为该电压Vb被设定为使晶体管Q3导通所需的基极电压以上，所以如图5所示晶体管Q3导通。其结果，FET2以及FET3的各栅极g经由晶体管Q3与地连接。因此，FET2以及FET3由于栅极电压的降低而均成为截止。

在此状态下，FET2的二极管D2相对于直流电源50成为正向，但FET3的二极管D3相对于直流电源50成为反方向。因此，没有形成从直流电源50的正极通过FET1朝向地的电流路径，由于FET1的短路故障而产生的大电流通过FET3(以及二极管D3)被切断。

这样，当电压转换电路2的FET1产生短路故障时，连接点P的电压Vp增大，晶体管Q3导通，由此FET3成为截止，因而能够利用FET3来切断无法利用FET2切断的大电流。由此，在FET1短路故障时，可保护设置在大电流流动的路径上的电路元件免受破坏。

另一方面，经由短路故障检测线a以及保护电路6向控制部4提供连接点P的电压Vp。控制部4根据该电压Vp来判定FET1有无短路故障。以下，根据图7的流程图来说明控制部4的动作。通过控制部4的CPU以一定周期反复执行图7的各步骤。

在控制部4中经由短路故障检测线a输入与连接点P的电压Vp对应的电压Vd。控制部4在步骤S1中检测该电压Vd。接着，控制部4在步骤S2中将检测到的电压Vd与阈值α进行比较。该阈值α预先设定在控制部4所具备的存储器中。接着，控制部4在步骤S3中判定电压Vd是否是阈值α以上。

当FET1产生短路故障时，如图8(a)那样连接点P的电流Ip增大，电压Vp上升，结果，由控制部4检测出的电压Vd也与之对应地如图8(b)那样地增大。控制部4在步骤S3的判定结果为电压Vd是阈值α以上时(步骤S3；是)，判定为FET1发生短路故障。并且，控制部4在之后的步骤S4中如图6所示向FET控制电路7输出L(低)电平的控制信号。即，从控制部4向FET控制电路7提供的控制信号从H电平信号切换为L电平信号。另一方面，在步骤S3的判定结果为电压Vd小于阈值α时(步骤S3；否)，不用执行步骤S4而结束处理。

如图6所示，根据在步骤S4中从控制部4输出的L电平信号，FET控制电路7的晶体管Q2截止，晶体管Q1也截止。另外，在此时刻，根据上述短路检测电路8中的晶体管Q3的导通，FET2以及FET3全部截止。因此，通过晶体管Q1的截止，FET2和FET3的状态未变化。但是，当由于任何原因导致短路检测电路8的晶体管Q3没有导通时，可利用晶体管Q1的截止使FET2和FET3截止。

这样，在本实施方式中，设置由短路故障检测线b和短路检测电路8构成的第1检测单元以及由短路故障检测线a、控制部4和FET控制电路7构成的第2检测单元，使检测FET1的短路故障的单元双重化。因为第1检测单元仅由硬件(晶体管Q3和电阻R4以及R5)构成，所以短路故障检测所需的时间短。与此相对，第2检测单元需要利用控制部4进行基于CPU的软件处理，所以与第1检测单元相比短路故障检测所需的时间长。因此，在产生FET1的短路故障时，首先，在第1检测单元中，短路检测电路8动作，使FET2和FET3截止，然后，在第2检测单元中，控制部4和FET控制电路7动作，进行短路检测电路8异常时的备份(backup)。因此，在产生短路故障时，能够提高大电流切断的可靠性。

另外，在本实施方式中，在电源线X与连接点P之间分别连接输入滤波器1的电容C1、电压转换电路2的电容C2和输出滤波器3的电容C3。因此，即使在电容C1～C3的任意一个中产生短路故障时，连接点P的电压Vp也由于流动的大电流而增大，所以不仅能够检测出FET1的短路故障，还可以检测出电容C1～C3的短路故障。

在本发明中，除了以上所述的以外还可以采用各种实施方式。例如，在上述实施方式中，当FET1产生短路故障时，短路检测电路8的晶体管Q3导通，由此FET2以及FET3截止，从而切断大电流。取而代之，在FET1产生短路故障时，可采用通过短路检测电路8的晶体管截止来使FET2以及FET3截止这样的电路结构。

另外，在上述实施方式中，通过使FET控制电路7的晶体管Q1导通，由此FET2以及FET3导通，但也可以采用使FET控制电路7的晶体管截止而使FET2以及FET3导通这样的电路结构。在此情况下，当FET1产生短路故障时，FET控制电路7的晶体管导通。

另外，关于上述实施方式，在电压转换电路2中为了对在线圈L2中产生的高电压进行整流，而设置具有二极管D4的同步整流用的FET4，但也可以采用通常的二极管来代替FET4。

另外，在上述实施方式中，采用FET作为开关元件，但是也可以用晶体管来代替FET。同样，也可以用FET来代替上述实施方式中的晶体管Q1～Q3。此外，可采用IGBT(绝缘栅极型晶体管)等开关元件来代替FET。

另外，在上述实施方式中，在连接点P与地之间，将FET2配置在地侧，将FET3配置在电源侧，但也可以使其相反，将FET2配置在电源侧，将FET3配置在地侧。

另外，在上述实施方式中，作为检测FET1的短路故障的单元，设置有由短路故障检测线b和短路检测电路8构成的第1检测单元以及由短路故障检测线a、控制部4和FET控制电路7构成的第2检测单元，但也可以仅设置第1检测单元和第2检测单元中的一方。在仅设置第2检测单元的情况下，使FET控制电路7的晶体管Q1截止，由此FET2以及FET3截止，从而大电流被切断。在此情况下，可采用通过FET控制电路7的晶体管的导通而使FET2以及FET3截止这样的电路结构。

另外，在上述实施方式中，虽然利用升压电路构成电压转换电路2，但也可以根据要转换的电压的规格，利用降压电路构成电压转换电路2。

另外，在上述实施方式中，以搭载于车辆上的DC-DC转换器100作为了例子，但本发明也可以应用于在其以外的用途中使用的DC-DC转换器。

Claims (6)

1.一种DC-DC转换器，具备：

输入端子，其连接直流电源的正极；

输出端子，其连接负载；

电压转换电路，其设置在所述输入端子与所述输出端子之间，具有第1开关元件，并利用所述第1开关元件的导通/截止动作使所述直流电源的电压升压或降压而提供给所述负载；以及

反接保护用的第2开关元件，其在所述直流电源的负极与所述输入端子连接时，阻止所述电压转换电路中流过大电流，

该DC-DC转换器的特征在于，还具备：

短路保护用的第3开关元件，其在所述第1开关元件发生短路故障时，阻止所述电压转换电路中流过大电流；以及

检测单元，其检测所述第1开关元件的短路故障，使所述第3开关元件截止，

所述第3开关元件与所述第2开关元件串联连接，

所述检测单元根据所述第1开关元件与所述第2开关元件以及第3开关元件的串联电路之间的连接点的电压来检测故障。

2.根据权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

所述检测单元包含：

分压电阻，其对所述连接点的电压进行分压；

第4开关元件，其在由所述分压电阻分压后得到的电压为一定值以上时进行导通或截止，

所述第3开关元件根据所述第4开关元件的导通或截止而截止。

3.根据权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

所述检测单元包含：

控制部，其根据所述连接点的电压来判定有无故障，在判定为发生了该故障时输出控制信号；以及

第5开关元件，其根据所述控制信号进行导通或截止，

所述第3开关元件根据所述第5开关元件的导通或截止而截止。

4.根据权利要求1所述的DC-DC转换器，其特征在于，

所述检测单元由第1检测单元以及第2检测单元构成，

所述第1检测单元包含：

分压电阻，其对所述连接点的电压进行分压；以及

第4开关元件，其在由所述分压电阻分压后得到的电压为一定值以上时进行导通或截止，

所述第2检测单元包含：

控制部，其根据所述连接点的电压来判定有无故障，在判定为发生了该故障时输出控制信号；以及

第5开关元件，其根据所述控制信号进行导通或截止，

所述第3开关元件根据所述第1检测单元中的所述第4开关元件的导通或截止或者所述第2检测单元中的所述第5开关元件的导通或截止而截止。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的DC-DC转换器，其特征在于，

所述第1开关元件至第3开关元件由在源极与漏极之间并联连接了二极管的MOS型FET构成，

所述第1开关元件和第3开关元件的二极管相对于所述直流电源反向连接，

所述第2开关元件的二极管相对于所述直流电源正向连接。

6.根据权利要求5所述的DC-DC转换器，其特征在于，

所述第1开关元件的漏极与所述直流电源的正极侧的电源线连接，

所述第1开关元件的源极与所述第3开关元件的漏极连接，

所述第3开关元件的源极与所述第2开关元件的源极连接，

所述第2开关元件的漏极与地连接。