CN104246930A - 陶瓷电子部件 - Google Patents

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Abstract

在陶瓷坯体(1)的两端部覆盖形成有外部电极(3b)，在该外部电极(3b)的表面，形成以Ni为主成分的第1覆膜(4b)以及由Sn或焊锡等构成的第2覆膜(5b)。外部电极(3b)具有端面部(6b)和侧面折返部(8b)。外部电极(3b)在侧面折返部(8b)的从覆盖端部(7b)向端面部(6b)方向的直线距离(L)至少为5μm内的区域，以与陶瓷坯体(1)连接的方式形成至少含有Si的玻璃层(9)。该玻璃层(9)的平均厚度(t)为3～10μm，玻璃层(9)中的Si成分的含量为11重量％以上(优选40重量％以下)。由此，即使对外部电极实施镀敷处理，也能够抑制陶瓷坯体的溶出，实现具有良好的机械强度的陶瓷电子部件。

Description

陶瓷电子部件
技术领域
本发明涉及陶瓷电子部件，更详细来讲，涉及在陶瓷坯体的两端部形成有外部电极的层叠陶瓷电容器等陶瓷电子部件。
背景技术
随着近年来的电子工学技术的发展，层叠陶瓷电容器等电子部件的小型化/大容量化正在急速进行。
这种电子部件，例如层叠陶瓷电容器通常在埋设有内部电极的部件坯体的两端部涂敷了外部电极用导电性糊膏之后，进行烧结处理来形成外部电极，进一步地，为了实现该外部电极的耐热性和焊锡沾附性的提高，在外部电极的两端部形成Ni、Sn等镀敷膜，并通过该镀敷膜来覆盖外部电极。
并且，在专利文献1中提出了一种电子部件的外部电极，具有：第1层，其与由陶瓷烧结体构成的裸芯片的表面连接；和第2层，其在该第1层层叠形成，所述第1层由使金属树脂酸盐分散在有机粘合剂以及有机溶剂中而成的导电性糊膏形成，所述第2层由使金属粉末分散在热固化性树脂以及有机溶剂中而成的导电性糊膏形成。
在该专利文献1中，通过第1层来使陶瓷烧结体(裸芯片)与外部电极之间的导通接触性提高，并通过金属微粒子(金属树脂酸盐)的烧结来形成致密的金属层，从而防止湿式镀敷时的电解液的侵入。并且，由于由上述的导电性糊膏构成的第2层对于机械应力具有良好的吸收分散效果，因此耐镀敷液性良好，得到电特性、可靠性、机械强度优良的电子部件。
此外，在专利文献2中提出了一种芯片型电子部件的外部电极，其与由陶瓷烧结体构成的裸芯片的表面连接，该外部电极由使金属树脂酸盐分散在有机粘合剂以及有机溶剂中而成的导电性糊膏形成。
在该专利文献2中，使金属树脂酸盐的分解生成物，即金属超微粒子烧结来形成致密的电极层，由此，防止湿式镀敷时的电解液的侵入。并且，由于通过使用上述的导电性糊膏，能够较薄地形成外部电极，因此外部电极对于裸芯片的应力变小，所以在安装后也不容易产生裂纹(crack)，由此，与专利文献1同样地，得到电特性、可靠性、机械强度优良的芯片型电子部件。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-190950号公报(权利要求1、第【0010】～【0012】段等)
专利文献2：日本特开平9-266129号公报(权利要求1、第【0010】～【0012】段等)
发明内容
-发明要解决的课题-
但足，在上述专利文献1以及2中，虽然通过使形成外部电极的金属层的致密性提高，从而即使在外部电极形成后进行镀敷处理，也能够防止镀敷液向外部电极的浸入，但是存在由于该镀敷处理而导致形成陶瓷坯体的陶瓷材料向镀敷液溶出的问题。特别地，若将形成有外部电极的陶瓷坯体浸渍在Ni镀敷浴中，并进行Ni镀敷，则陶瓷材料容易从外部电极的侧面折返部溶出到Ni镀敷液中。并且，这样，若陶瓷材料溶出到Ni镀敷液中，则有可能机械强度的降低显著，产生裂纹等结构缺陷，并导致特性恶化等。
本发明鉴于这种情况而作出，其目的在于，提供一种即使对外部电极实施镀敷处理也能够抑制陶瓷坯体的溶出，并具有良好的机械强度的陶瓷电子部件。
-解决课题的手段-
本发明者为了实现上述目的，经过专心研究，发现通过在外部电极的从覆盖端部向端面部方向的直线距离至少为5μm内的区域形成与陶瓷坯体连接的玻璃层，使该玻璃层的平均厚度为3～10μm，并且使玻璃层中的Si含量为11重量％以上，从而即使在外部电极的形成后进行Ni镀敷等镀敷处理，也能够抑制陶瓷材料向镀敷液中的溶出，能够确保良好的机械强度。
本发明是基于此知识而作出的，本发明所涉及的陶瓷电子部件的特征在于，具有端面部和侧面折返部的外部电极覆盖形成在陶瓷坯体的两端部，所述外部电极在所述侧面折返部的从覆盖端部向所述端面部方向的直线距离至少为5μm内的区域，以与所述陶瓷坯体相接的方式形成至少含有Si的玻璃层，所述玻璃层的平均厚度为3～10μm，并且，所述玻璃层中的所述Si成分的含量为11重量％以上。
由此，即使在外部电极的形成后进行镀敷处理，形成了镀敷膜的情况下，由于外部电极具有良好的机械强度，因此能够抑制陶瓷材料溶出到镀敷液中。
此外，本发明的陶瓷电子部件优选所述Si成分的含量为40重量％以下。
此外，本发明的陶瓷电子部件优选在所述外部电极的表面，形成至少一层以上包含以Ni为主成分的Ni系覆膜的镀敷膜。
由此，由于外部电极具有良好的机械强度，因此即使将Ni系覆膜镀敷形成在外部电极的两端部，也能够抑制形成陶瓷坯体的陶瓷材料溶出到镀敷液中。
此外，本发明的陶瓷电子部件优选在所述陶瓷坯体埋设有内部电极。
由此，能够获得具有良好的机械强度的小型且大容量的层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件。
-发明效果-
根据本发明的陶瓷电子部件，由于是一种陶瓷电子部件，具有端面部和侧面折返部的外部电极覆盖形成在陶瓷坯体的两端部，所述外部电极在所述侧面折返部的从覆盖端部向所述端面部方向的直线距离至少为5μm内的区域，以与所述陶瓷坯体连接的方式形成至少含有Si的玻璃层，所述玻璃层的平均厚度为3～10μm，并且，所述玻璃层中的所述Si成分的含量为11重量％以上，因此即使在外部电极的形成后进行镀敷处理，形成了镀敷膜的情况下，由于外部电极具有良好的机械强度，因此能够抑制形成陶瓷坯体的陶瓷材料溶出到镀敷液中。
附图说明
图1是示意性地表示作为本发明所涉及的陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的一个实施方式的剖视图。
图2是图1的A部放大剖视图。
具体实施方式
接下来，对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是示意性地表示作为本发明所涉及的陶瓷电子部件的层叠陶瓷电容器的一个实施方式的剖视图。
该层叠陶瓷电容器在由以BaTiO3等为主成分的电介质材料构成的陶瓷坯体1埋设内部电极2a～2l，并在该陶瓷坯体1的两端部形成外部电极3a、3b，进一步地，在该外部电极3a、3b的表面形成第1镀敷膜4a、4b以及第2镀敷膜5a、5b。
这里，第1镀敷膜4a、4b从耐热性提高的观点出发，由以Ni为主成分的Ni系覆膜形成。此外，第2镀敷膜5a、5b从焊锡沾附性提高的观点出发，由Sn系覆膜等形成。
外部电极3a、3b至少含有导电性材料和玻璃材，由端面部6a、6b和侧面折返部8a、8b形成，其中，该端面部6a、6b形成在陶瓷坯体1的两端面，该侧面折返部8a、8b具有形成为与所述端面部6a、6b大致平行直线状的覆盖端部7a、7b。并且，该外部电极3a、3b通过端面部6a、6b以及侧面折返部8a、8b，按照覆盖陶瓷坯体1的端面以及四个侧面的方式而形成。
此外，各内部电极2a～2l在层叠方向上被并排设置，并且在这些内部电极2a～2l中，内部电极2a、2c、2e、2g、2i、2k与外部电极3a电连接，内部电极2b、2d、2f、2h、2j、2l与外部电极3b电连接。并且，在内部电极2a、2c、2e、2g、2i、2k与内部电极2b、2d、2f、2h、2j、2l的对置面之间形成静电电容。
图2是图1的A部放大剖视图，在本实施方式中，图示了外部电极3b的侧面折返部8b附近，而外部电极3a与侧面折返部8a附近也具有同样的结构。
外部电极3b形成为侧面折返部8b从覆盖端部7b向端面部6b方向外形为倾斜状。此外，在本实施方式中，在侧面折返部8b的从覆盖端部7b向端面部6b方向的直线距离L至少为5μm内的区域，以与陶瓷坯体1连接的方式来形成玻璃层9。
并且，该玻璃层9的平均厚度t为3～10μm，并且Si含量为11重量％以上，由此，即使对形成有外部电极3b的陶瓷坯体1实施Ni镀敷等镀敷处理，也抑制了陶瓷材料溶出到镀敷液中。
接下来，对将玻璃层9的平均厚度t以及玻璃层9中的Si成分的含量设为上述的范围的理由进行详细叙述。
(1)玻璃层9的平均厚度t
通过以与陶瓷坯体1连接的方式来在侧面折返部8a、8b形成玻璃层9，从而即使进行镀敷处理，也能够抑制陶瓷材料向镀敷液中的溶出。
但是，若玻璃层9的平均厚度t小于3μm，则由于该平均厚度t过薄，因此难以充分抑制陶瓷材料向镀敷液中的溶出。
另一方面，若玻璃层9的平均厚度t超过10μm，则作为非导电性材料的玻璃材可能上浮到外部电极3a、3b的表层面，特别地，可能妨碍镀敷膜向侧面折返部8a、8b的覆盖。
因此，在本实施方式中，将上述的玻璃层9的平均厚度t设为3～10μm。
(2)玻璃层9中的Si成分的含量
如上所述，通过将平均厚度t为3～10μm的玻璃层9以与陶瓷坯体1连接的方式形成在侧面折返部8a、8b，从而能够抑制陶瓷材料向镀敷液中的溶出。
但是，若玻璃层9中的Si成分的含有摩尔量降低到小于11重量％，则由于Si成分的含量过低，因此不能充分确保玻璃层9的平均厚度t，陶瓷材料向镀敷液的溶出抑制变得不充分，难以确保所希望的良好的机械强度。
另外，虽然不特别限定玻璃层9中的Si成分的含量的上限，但由于若玻璃层9中的Si成分的含量过多，则可能产生向外部电极表面的玻璃上浮，因此优选40重量％以下。
作为形成这样的玻璃层9的玻璃材，虽然只要含有Si成分就不特别限定，但通常优选使用以SiO2以及B2O3为主成分的Si-B系玻璃材。并且，能够适当地使用向这些SiO2以及B2O3添加了Li2O、Na2O、K2O等碱金属氧化物的Si-B-A(A：碱金属)系玻璃材、向SiO2以及B2O3添加了Bi2O3的Si-B-Bi系玻璃材、向SiO2以及B2O3添加了ZnO2的Si-B-Zn系玻璃材、向SiO2以及B2O3添加了ZrO2或者TiO2的Si-B-Zr-Ti系玻璃材。
此外，作为导电性材料，虽然只要是具有优良导电性的材料就不特别限定，但在本实施方式中，考虑到价格性，使用Cu、Ni、Cu-Ni合金等卑金属材料。
该层叠陶瓷电容器可以如以下那样来制作。
首先，准备Ba化合物、Ti化合物等陶瓷原材料，将这些陶瓷原材料称量出规定量。然后，将这些称量物与PSZ(Partially Stabilized Zirconia：部分稳定氧化锆)球等粉碎介质以及纯水一起投入球磨机，充分地以湿式进行混合粉碎，并使其干燥后，以900～1200℃的温度进行规定时间的预烧，由此，制作出由钛酸钡系化合物等构成的预烧粉末。
接下来，将该预烧粉末与有机粘合剂、有机溶剂和粉碎介质一起再次投入球磨机并进行湿式混合，制作出陶瓷浆料，并通过刮刀法等对陶瓷浆料进行成形加工，制作出规定厚度的陶瓷生片。
接下来，使Ni粉末等导电性材料在有机赋形剂(Vehicle)中分散，以三辊研磨机等进行混炼，由此，制作出内部电极用导电性糊膏。
这里，有机赋形剂是将粘合剂树脂溶解在有机溶剂中，按照粘合剂树脂与有机溶剂的混合比率为例如体积比1～3∶7～9的方式来调制而成。
此外，作为上述粘合剂树脂，并不特别限定，能够使用例如乙基纤维素(Ethyl Cellulose)树脂、硝化纤维素(Nitro Cellulose)树脂、丙烯酸系(Acrylic)树脂、醇酸(Alkyd)树脂或者这些的组合。此外，也不特别限定有机溶剂，能够将α-松油醇(Terpineol)、二甲苯(Xylene)、甲苯(Toluene)、二甘醇-甲醚(Diethylene Glycol Monomethyl Ether)、二乙二醇丁醚乙酸酯(Diethylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)、二乙二醇单乙醚(Diethylene Glycol Ethyl Ether)、乙二醇乙醚乙酸酯(DiethyleneGlycol Monoethyl Ether Acetate)等单独或者将其组合来使用。
此外，优选根据需要向内部电极用导电性糊膏添加分散剂或者可塑剂等。
然后，使用该内部电极用导电性糊膏来在陶瓷生片上实施丝网印刷，在所述陶瓷生片的表面形成规定图案的导电膜。
接下来，在将形成有导电膜的陶瓷生片在规定方向上层叠多片后，通过未形成导电膜的陶瓷生片来对此夹持并进行压接，切割为规定尺寸从而制作出陶瓷层叠体。之后，以温度300～500℃来进行脱粘合剂处理，进一步地，在由氧分压被控制为10-9～10-10Mpa的H2-N2-H2O气体构成的还原性环境下，以温度1100～1300℃进行大约2小时的烧成处理。由此，导电膜与陶瓷生片共同被烧结，制作出埋设有内部电极2a～2l的陶瓷坯体1。
接下来，制作外部电极用导电性糊膏。
也就是说，通过将导电性材料、至少含有Si成分的玻璃材以及有机赋形剂按照规定的混合比例进行称量混合，并使用三根研磨机等来进行分散/混炼，能够容易地制作。
这里，虽然不特别限定玻璃材的含量，但通常按照成为3～10重量％左右的方式而被调制。
此外，玻璃材中的Si成分的含量按照烧结后的玻璃层9中的Si含量为11重量％以上，例如，换算为SiO2，为20～60重量％的方式而被调制。
另外，有机赋形剂能够使用与内部电极用导电性材料同样的材料。
接下来，使用上述的外部电极用导电性糊膏，涂敷到陶瓷坯体1的两端部，在N2-空气-H2O或者N2-H2-H2O的还原环境下，进行烧结处理，形成外部电极3a、3b。
而且，最后实施镀敷来在外部电极3a、3b的表面形成以Ni为主成分的第1镀敷膜4a、4b，在该第1镀敷膜4a、4b的表面形成由Sn等构成的第2镀敷膜5a、5b，由此，层叠陶瓷电容器被制作。
这样，上述层叠陶瓷电容器是具有端面部6a、6b和侧面折返部8a、8b的外部电极3a、3b被覆形成在陶瓷坯体1的两端部，并且外部电极3a、3b在侧面折返部8a、8b的从覆盖端部7a、7b向端面部6a、6b方向的直线距离L至少为5μm内的区域，以与陶瓷坯体1连接的方式来形成至少含有Si的玻璃层9，由于该玻璃层9的平均厚度t为3～10μm，并且，所述玻璃层9中的所述Si成分的含量为11重量％以上，因此即使在外部电极的形成后进行镀敷处理，形成Ni系覆膜等镀敷膜的情况下，外部电极3a、3b的机械强度也会提高，因此能够抑制形成陶瓷坯体1的陶瓷材料溶出到镀敷液中。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。例如，对于玻璃层9的形成区域，可以从覆盖端部7a、7b向端面部6a、6b方向的直线距离L至少为5μm，因此也可以从侧面折返部8a、8b向端面部6a、6b方向的直线距离L为5μm，在这种情况下，玻璃层9也按照平均厚度t为3～10μm，Si含量为11重量％以上的方式而被调整。此外，玻璃层9在不影响特性的范围内，也可以形成在端面6a、6b。
此外，在上述实施方式中，以层叠陶瓷电容器为例进行了说明，但当然也可以广泛应用于按照覆盖陶瓷坯体的端面以及四个侧面的方式而形成有外部电极的陶瓷电子部件，例如，可以同样应用于单板型的陶瓷电容器、压电部件、电阻体等。
此外，虽然在上述实施方式中，将镀敷膜设为二层结构，但只要至少一层以上就可以，单层或者三层以上也是同样的。
接下来，对本发明的实施例进行具体说明。
实施例
〔试料的制作〕
首先，作为陶瓷素原材料，准备BaCO3、TiO2，将这些陶瓷素原材料称量出规定量。然后，将这些称量物与PSZ球以及纯水一起投入球磨机，充分以湿式来进行混合粉碎，并使其干燥后，以900～1200℃的温度预烧规定时间，由此，制作出由钛酸钡系化合物等构成的预烧粉末。
接下来，将该预烧粉末与有机粘合剂、有机溶剂、可塑剂、分散剂和PSZ球一起再次投入球磨机并进行湿式混合，制作出陶瓷浆料，通过刮刀法来对陶瓷浆料进行成形加工，按照干燥后的厚度为4.Oμm的方式来制作出陶瓷生片。
接下来，通过以下的方法来制作内部电极用导电性糊膏。
也就是说，按照平均颗粒直径0.3μm的Ni粉末50重量％，有机赋形剂45重量％以及剩余部分为分散剂以及增粘剂的方式，将这些混合并分散到有机赋形剂中，以三辊研磨机等进行混炼，由此，制作出内部电极用导电性糊膏。
这里，作为有机赋形剂，使用按照乙基纤维素树脂(有机粘合剂)为10重量％的方式溶解在二甘醇-丁醚(有机溶剂)中的赋形剂。
接下来，使用该内部电极用导电性糊膏来在陶瓷生片上实施丝网印刷，按照干燥后的膜厚为2.0μm的方式来在所述陶瓷生片的表面形成规定图案的导电膜。
接下来，在形成有导电膜的陶瓷生片在规定方向上层叠了350片后，通过未形成导电膜的陶瓷生片来对此夹持并进行压接，切割为规定尺寸来制作出陶瓷层叠体。之后，以温度400℃来进行10个小时的脱粘合剂处理，进一步地，在由氧分压被控制为10-9～10-10Mpa的H2-N2-H2O气体构成的还原性环境下，以温度1200℃来进行大约2个小时的烧结处理。并且，由此，导电膜与陶瓷生片共同被烧结，制作出埋设有内部电极的陶瓷坯体。
接下来，通过下面的方法来制作出外部电极用导电性糊膏。
也就是说，按照平均颗粒直径为0.3μm的Cu粉末：70重量％，SiO2的含量为10～60重量％的硼硅酸锌系玻璃粉：3～20重量％，有机赋形剂：10～27重量％的方式，对这些进行称量并混合，使Cu粉末以及硼硅酸锌系玻璃粉分散在有机赋形剂中，以三辊研磨机等进行混炼，由此，制作出外部电极用导电性糊膏。
这里，作为有机赋形剂，使用按照乙基纤维素树脂为20重量％的方式而溶解在二甘醇-丁醚中的赋形剂。
接下来，使用浸渍法，按照端面侧中央附近的膜厚在干燥后为50μm的方式，将所述外部电极用导电性糊膏涂敷在陶瓷坯体的两端部，并使其干燥。之后，在N2-H2-H2O气体的还原环境下，将最高温度设为900℃，在电动势(氧电动势)相当于240～950mV的氧分压下进行烧结处理，按照覆盖陶瓷坯体的两端面以及四个侧面的方式来制作出外部电极。
接下来，对外部电极实施镀敷，在外部电极上依次形成Ni覆膜(第1镀敷膜)以及Sn覆膜(第2镀敷膜)，由此，制作出试料编号1～6的试料(层叠陶瓷电容器)。
另外，这样制作出的各试料的外形尺寸均为长度3.2mm，宽度1.6mm，厚度1.6mm。
(试料的评价〕
(玻璃层的平均厚度t)
对相当于试料编号1～6的各试料的侧面折返部的剖面部分，照射聚焦离子束(Focused Ion Beam；FIB)并对试料表面进行研磨。然后，通过扫描离子显微镜(Scanning Ion Microscopy；SIM)来照射试料，对此时飞出的次级电子进行测量，观察试料表面。然后，根据SIM像，对在从覆盖端部向端面部方向的直线距离为5μm内的区域形成的玻璃层的面积A进行计算，根据下述公式(1)来求出玻璃层的平均厚度t。
t＝A/5…(1)
(玻璃层中的Si含量)
与上述同样地，对相当于试料编号1～6的各试料的侧面折返部的剖面部分，照射FIB并对试料表面进行研磨。然后，对于该剖面部分的任意3个位置，使用透射型电子显微镜(TEM-EDS)来测量Si含量，求出平均值。
(结构缺陷产生率)
将试料编号1～6的各试料焊锡安装在玻璃环氧树脂基板的表面，并进行挠曲试验。也就是说，针对试料编号1～6的试料各20个，对于各试料以1.0mm/s的速度负载载荷，在挠曲量达到1.5mm之后保持5秒，对保持的各试料进行剖面研磨。然后，观察其研磨面，调查是否产生了裂纹等结构缺陷，并计算结构缺陷产生率。
表1表示制作试料编号1～6的各试料时的外部电极用糊膏中的玻璃材的含量、玻璃材中的SiO2的含量、玻璃层的平均厚度t、玻璃层的Si含量以及结构缺陷产生率。
[表1]
＊是本发明范围外
根据表1可知，由于试料编号1的玻璃层的平均厚度t为2μm，玻璃层中的Si含量为5重量％，因此结构缺陷产生率为10％，并不高。
此外，试料编号2的玻璃层中的Si含量为7重量％，虽然与试料编号1相比若有增加，但由于玻璃层的平均厚度t为2μm，因此结构缺陷产生率为5％。另外，试料编号2与试料编号1相比，结构缺陷产生率变低的原因，认为是由于玻璃材中的SiO2含量为15重量％，与试料编号1相比增加了。也就是说，认为通过使SiO2的含量增加，结构缺陷产生率有所提高。
另一方面，由于试料编号6的玻璃层的平均厚度t厚为20μm，在外部电极的表层面玻璃材上浮，因此不能充分形成镀敷膜，因此挠曲试验不被进行。
与此相对的，可知由于试料编号3～5的玻璃层的平均厚度t为3～10μm，玻璃层中的Si含量为11重量％以上，在本发明范围内，因此不产生裂纹等结构缺陷，得到良好的机械强度。
此外，根据该试料编号3～5可知，通过将玻璃层中的Si含量调整为40重量％以下，能够将玻璃层的厚度t控制在10μm以下。
产业上的可利用性
能够避免形成陶瓷坯体的陶瓷材料从外部电极的侧面折返部溶出到镀敷液，能够确保良好的机械强度。
符号说明：
1  陶瓷坯体
2a～2l  内部电极
3a、3b  外部电极
4a、4b  第1镀敷膜(镀敷膜)
5a、5b  第2镀敷膜(镀敷膜)
6a、6b  端面部
7a、7b  侧面折返部
8a、8b  覆盖端部

Claims (4)

1.一种陶瓷电子部件，其特征在于，具有端面部和侧面折返部的外部电极覆盖形成在陶瓷坯体的两端部，
所述外部电极在所述侧面折返部的从覆盖端部向所述端面部方向的直线距离至少为5μm内的区域，以与所述陶瓷坯体相接的方式形成至少含有Si的玻璃层，
所述玻璃层的平均厚度为3～10μm，
并且，所述玻璃层中的所述Si成分的含量为11重量％以上。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述Si成分的含量为40重量％以下。
3.根据权利要求1或者2所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
在所述外部电极的表面，形成至少一层以上包含以Ni为主成分的Ni系覆膜的镀敷膜。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的陶瓷电子部件，其特征在于，
所述陶瓷坯体中埋设有内部电极。
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