CN104218061A - 有机发光显示设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及设置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括设置在与源电极和漏电极相同的层上的第一焊盘层以及设置在第一焊盘层上的第二焊盘层；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括半透射式金属层并且设置在形成在第三绝缘层中的开口中；第四绝缘层，具有形成在与形成在第三绝缘层中的开口对应的位置中的开口并且覆盖像素电极的端部。

Description

有机发光显示设备及其制造方法
本申请参照于2013年5月30日在韩国知识产权局在先提交的并且适时地被指定序号为10-2013-0062115的申请，将该申请包含于此，并要求该申请的所有权益。
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。OLED显示设备是在从空穴注入电极注入的空穴与从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合以处于其后逐渐消失的激发态时发射光的自发光显示设备。
因其高质量特性例如低功率消耗、高亮度和快响应速度，OLED显示设备作为下一代显示设备受到关注。
发明内容
本发明提供了一种具有优异的显示质量的有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：薄膜晶体管，具有有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及设置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；焊盘电极，包括设置在与源电极和漏电极相同的层上的第一焊盘层以及设置在第一焊盘层上的第二焊盘层；第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；像素电极，包括半透射式金属层并且设置在形成在第三绝缘层中的开口中；第四绝缘层，具有形成在与形成在第三绝缘层中的开口对应的位置中的开口并且覆盖像素电极的端部；有机发射层，设置在像素电极上；以及相对电极，设置在有机发射层上。
源电极和漏电极具有电子迁移率不同的多种异质金属层的堆叠结构。
源电极和漏电极包括包含钼的层和包含铝的层。
电容器包括设置在与有源层相同的层上的第一电极和设置在与栅电极相同的层上的第二电极。
电容器的第一电极包括掺杂有离子杂质的半导体材料。
电容器的第二电极包括透明导电氧化物。
电容器还包括设置在与源电极和漏电极相同的层上的第三电极。
第一焊盘层包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
第一焊盘层包括包含钼的层和包含铝的层。
第二焊盘层包括透明导电氧化物。
半透射式金属层包括银(Ag)或银合金。
保护层进一步堆叠在半透射式金属层上。
保护层包括透明导电氧化物。
第三绝缘层是有机绝缘膜。
第四绝缘层是有机绝缘膜。
形成在第二绝缘层中的开口、形成在第三绝缘层中的开口以及形成在第四绝缘层中的开口彼此叠置。
形成在第三绝缘层中的开口比形成在第四绝缘层中的开口大并且比形成在第二绝缘层中的开口小。
像素电极的端部设置在形成在第三绝缘层中的开口的顶端上。
有机发光显示设备还包括阴极接触单元，阴极接触单元具有：第一接触层，设置在第二绝缘层上并且包括与第一焊盘层相同的材料；第二接触层，通过形成在第三绝缘层中的接触孔连接到第一接触层，通过形成在第四绝缘层中的接触孔连接到相对电极，并且包括与像素电极相同的材料。
有机发光显示设备还包括：通过形成在第三绝缘层中的接触孔将像素电极电连接到源电极和漏电极中的一个的像素电极接触单元。像素电极接触单元包括包含与源电极和漏电极的材料相同的材料的第一接触层和包含与第二焊盘层的材料相同的材料的第二接触层。
像素电极接触单元还包括设置在第一绝缘层上并且包含与第二电极的材料相同的材料的第三接触层，第一接触层通过形成在第二绝缘层中的接触孔电连接到第三接触层。
第三接触层的端部从形成在第二绝缘层中的开口的蚀刻表面突出并且直接接触像素电极。
第三接触层的端部从形成在第三绝缘层中的开口的蚀刻表面突出并且直接接触像素电极。
像素电极接触单元还包括设置在第一绝缘层和第三绝缘层之间并且包括与栅电极的材料相同的材料的第四接触层。
相对电极包括反射金属层。
根据本发明的另一方面，提供了一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括下述步骤：在基板上形成半导体层，使半导体层图案化，并形成薄膜晶体管的有源层和电容器的第一电极；形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成透明导电氧化物层，将透明导电氧化物层图案化，并形成电容器的第二电极；形成第一金属层，使第一金属层图案化，并且在与第二电极相同的层上形成薄膜晶体管的栅电极；形成第二绝缘层并且形成在第二绝缘层中暴露有源层的一部分的接触孔以及与有源层的侧表面分隔开的区域中的第一开口；形成第二金属层，将第二金属层图案化并且形成源电极、漏电极以及焊盘电极的第一焊盘层；形成透明导电氧化物层，将透明导电氧化物层图案化并在第一焊盘层上形成第二焊盘层；形成作为有机绝缘膜的第三绝缘层，并在与第一开口叠置的区域中形成第二开口以及在第三绝缘层中形成暴露第二焊盘层的顶表面的开口，第二开口小于第一开口；形成半透射式金属层，将半透射式金属层图案化并在第二开口中形成像素电极；形成作为有机绝缘膜的第四绝缘层并在第四绝缘层中形成暴露像素电极的顶表面的第三开口；在像素电极上形成有机发射层；以及在有机发射层上形成相对电极。
在形成栅电极之后，所述方法包括通过利用一次掺杂工艺利用离子杂质对有源层的源区和漏区以及电容器的第一电极同时掺杂的步骤。
第二金属层具有电子迁移率不同的多种异质金属层的堆叠结构。
保护层包括位于半透射式金属层的顶表面上的透明导电氧化物。所述方法包括将半透射式金属层和保护层图案化的步骤。
湿法蚀刻第一金属层、第二金属层、透明导电氧化物层和半透射式金属层。
在将第二金属层图案化时，形成像素电极接触单元的第一接触层，在第一接触层上形成包括形成第二焊盘层的透明导电氧化物的第二接触层，当将第三绝缘层图案化时形成接触孔。
由形成电容器的第二电极的透明导电氧化物形成第三接触层，第四接触层形成为第一金属层，在第二绝缘层中形成接触孔以连接第四接触层和第一接触层。
通过比第一开口和第二开口的蚀刻表面进一步突出来形成第三接触层的端部。
像素电极形成为连接到第二接触层和第三接触层两者。
当将第二金属层图案化时形成阴极接触单元的第一接触层，在第三绝缘层中形成接触孔，在将像素电极图案化时在接触孔中形成第二接触层，在第四绝缘层中形成覆盖第二接触层的端部的接触孔。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，本发明的更全面的解释及其许多附加优点将更加清楚，同时也变得更易于理解，在附图中同样的附图标记表示相同或相似的组件，其中：
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图2是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备的像素和焊盘的一部分的示意性剖视图；
图3A至图3I是根据本发明实施例的用于解释制造图1的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；
图4是示出根据第一比较示例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图5是示出根据第二比较示例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图6是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；
图7A至图7I是根据本发明实施例的用于解释制造图6的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图；
图8是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图；以及
图9是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示设备的示意性平面图。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述本发明，从而本领域普通技术人员能够完成本发明而没有任何困难。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例；相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域普通技术人员充分传达本发明的构思。
另外，省略附图中与具体实施方式无关的部件以确保本发明的清楚。附图中同样的附图标记表示同样的元件。
在各个实施例中，在第一实施例中示例性地解释了具有由相同的附图标记表示的相同结构的元件，将在其他实施例中解释除第一实施例中的结构以外的结构。
另外，为了便于解释，任意性地示出了附图中元件的尺寸和厚度，因此其不限于所示出的元件的尺寸和厚度。
在附图中为清晰起见放大了各个层和区域。在附图中为了便于解释夸大了一些层和区域的厚度。还将理解的是，当层、膜、区域或板被称为“在”另一层、膜、区域或板“上”时，其可以直接在另一层、膜、区域或板上，或者也可以在其之间存在中间层、膜、区域或板。
除非上下文另外指出，否则词语“包括”被理解为意思是“包括，但不限于”，从而也可以包括没有明确提及的其他元件。另外，将理解的是，术语“在”……“上”包含“在”……“之上”和“在”……“下方”两种方位，而不被限制于在重力方向上的“在”……“之上”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和所有组合。当诸如“至少一个(种)”的表述位于一系列元件(要素)后面时，修饰整个系列的元件(要素)而不是修饰所述系列中的单个元件(要素)。
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备1的示意性平面图。图2是示出根据本发明实施例的有机发光显示设备1的多个像素P和多个焊盘PAD的一部分的示意性剖视图。
参照图1，包括多个像素P并显示图像的显示区域DA设置在根据本发明实施例的有机发光显示设备1的基板10上。显示区域DA形成在密封线SL内并且包括沿着密封线SL密封显示区域DA的密封构件(未示出)。用于向公共地形成在显示区域DA中的阴极供电的阴极接触单元CECNT形成在显示区域DA和焊盘PAD之间。
参照图2，包括至少一个有机发射层121的像素区域PXL1、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区域TR1、包括至少一个电容器的电容器区域CAP1以及焊盘区域PAD1设置在基板10上。
设置在基板10和缓冲层11上的薄膜晶体管的有源层212被包括在晶体管区域TR1中。
基板10可以是透明基板，例如，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺的塑料基板以及玻璃基板。
形成平坦表面并且防止杂质元素渗透到基板10中的缓冲层11可以进一步设置在基板10上。缓冲层11可以具有包括氮化硅和/或氧化硅的单层结构或多层结构。
缓冲层11上的有源层212被包括在晶体管区域TR1中。有源层212可以由包括非晶硅或晶体硅的半导体形成。有源层212可以包括沟道区212c、设置在沟道区212c的外侧并掺杂有离子杂质的源区212a以及漏区212b。有源层212不限于非晶硅或晶体硅，而是可以包括氧化物半导体。
栅电极215在与有源层212的沟道区212c对应的位置中设置在有源层212上，作为绝缘膜的第一绝缘层13设置在栅电极215和有源层212之间。栅电极215可以具有单层结构或多层结构，所述单层结构或所述多层结构包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择一种或更多种金属材料。
分别连接到有源层212的源区212a和漏区212b的源电极217a和漏电极217b设置在栅电极215上，作为层间绝缘膜的第二绝缘层16位于源电极217a和漏电极217b与栅电极215之间。源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层(heterogeneous metallayers)。例如，源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有包括从由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或两层以上的结构。
第三绝缘层19设置在第二绝缘层16上以覆盖源电极217a和漏电极217b。
第一绝缘层13和第二绝缘层16可以包括单层无机绝缘膜或多层无机绝缘膜。形成第一绝缘层13和第二绝缘层16的无机绝缘膜可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST和PZT等。
第三绝缘层19可以包括有机绝缘膜。第三绝缘层19可以包括通用聚合物(PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、这些材料的混合物等。
第四绝缘层20设置在第三绝缘层19上。第四绝缘层20可以包括有机绝缘膜。第四绝缘层20可以包括通用聚合物(PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、这些材料的混合物等。
设置在缓冲层11和第一绝缘层13上的像素电极120被包括在像素区域PXL1中。
像素电极120设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5中。
形成在第三绝缘层19中的开口C5比形成在第四绝缘层20中的开口C8大，比形成在第二绝缘层16中的开口C1小。形成在第二绝缘层16中的开口C1、形成在第三绝缘层19中的开口C5和形成在第四绝缘层20中的开口C8彼此叠置。
像素电极120的端部设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5的顶端上并且被第四绝缘层20覆盖。同时，像素电极120的设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5中的顶表面被暴露于形成在第四绝缘层20中的开口C8。
像素电极120通过形成在第三绝缘层19中的接触孔C6连接到像素电极接触单元PECNT1。像素电极接触单元PECNT1电连接到驱动晶体管的源电极和漏电极中的一个并且驱动像素电极120。
像素电极接触单元PECNT1可以包括：第一接触层117，包括与源电极217a和漏电极217b的上述材料相同的材料；第二接触层118，包括透明导电氧化物。尽管图2中未详细示出，但是第一接触层117连接到可以电连接到驱动晶体管的源电极和漏电极中的一个的数据线(未示出)。如果图2中的晶体管为驱动晶体管，则第一接触层117可以直接连接到源电极217a或漏电极217b。
像素电极120包括透反射式金属层120b。像素电极120还可以包括分别形成在透反射式金属层120b的下部和上部中并且包括保护透反射式金属层120b的透明导电氧化物的层120a和120c。
透反射式金属层120b可以由银(Ag)或银合金形成。透反射式金属层120b与相对电极122一起形成微腔结构，从而增加有机发光显示设备1的光效率，其中，相对电极122为反射电极并且将在后面进行描述。
包括透明导电氧化物的层120a和120c可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。形成在透反射式金属层120b的下部中并且包括透明导电氧化物的层120a可以加强第一绝缘层与像素电极120之间的粘附，其中，第一绝缘层是无机绝缘膜。形成在透反射式金属层120b的上部中并且包括透明导电氧化物的层120c可以用作保护透反射式金属层120b的阻挡层。
同时，如果在使像素电极120图案化的蚀刻工艺期间提供电子，则以离子状态存在于蚀刻剂中的银(Ag)离子会有问题地再次析出为银(Ag)。在形成像素电极120的后续工艺过程中，这样析出的银(Ag)可能是导致暗点的与颗粒有关的缺陷因素。
当在蚀刻包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b、像素电极接触单元PECNT1的第一接触层117、焊盘电极的第一焊盘层417或者由与这些元件的材料相同的材料形成的数据布线(未示出)被暴露至蚀刻剂时，银(Ag)离子可以通过接收来自这些金属材料的电子而被再次析出为银(Ag)。例如，当这些金属材料包括钼或铝时，可以通过再次向银(Ag)离子提供从钼或铝接收的电子来再次析出银(Ag)。析出的银(Ag)颗粒可能是后续工艺期间导致暗点的与颗粒有关的缺陷因素。
然而，根据本实施例的有机发光显示设备1的源电极217a或漏电极217b被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b不被暴露至包含银(Ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
同时，包括有机发射层121的中间层(未示出)设置在具有被形成在第四绝缘层20中的开口C8暴露的顶表面的像素电极120上。有机发射层121可以由低分子量的有机材料或高分子量的有机材料形成。当有机发射层121由低分子量的有机材料形成时，可以相对于有机发射层121堆叠空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。如果必要的话，可以堆叠各种其他层。在这种情况下，可以使用包括铜酞菁(CuPc)、N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)的各种低分子量的有机材料。当有机发射层121由高分子量的有机材料形成时，除了有机发射层121以外可以使用HTL。HTL可以由聚-(3,4)-乙烯-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。在这种情况下，高分子量的有机材料可以包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类高分子量的有机材料和聚芴类高分子量的有机材料。还可以在像素电极120和相对电极122之间设置无机材料。
尽管在图2中有机发射层121设置在开口C8的底面(floor)上，但是这是为了便于描述并且本发明不限于此。有机发射层121可以沿着形成在第三绝缘层19中的开口C5的蚀刻表面形成在第四绝缘层20的顶表面上以及开口C8的底面上。
相对电极122作为共电极设置在有机发射层121上。根据本实施例的有机发光显示设备1将像素电极120用作阳极，将相对电极122用作阴极。电极的极性可以转变。
相对电极122可以被构造为包括反射材料的反射电极。在这点上，相对电极122可以包括从由Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al组成的组中选择的一种或更多种材料。相对电极122被构造为反射电极，从而从有机发射层121发射的光从相对电极122反射，透射过由半透射式金属形成的像素电极120，并被发射到基板10。
包括第一电极312、第二电极314和第三电极317的电容器设置在电容器区域CAP1中并且设置在基板10和缓冲层11上，其中，第一电极312设置在与有源层212相同的层上，第二电极314设置在与栅电极215相同的层上，第三电极317设置在与源电极217a和漏电极217b相同的层上。
与有源层212的源区212a和漏区212b相似，电容器的第一电极312可以形成为掺杂有离子杂质的半导体。
电容器的第二电极314以与栅电极215相同的方式设置在第一绝缘层13上，然而第二电极314与栅电极215的材料彼此不同。第二电极314的材料可以包括透明导电氧化物。通过第二电极314在第一电极312上形成掺杂有离子杂质的半导体，从而形成具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器。
电容器的第三电极317可以由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成。如上所述，第三电极317被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间第三电极317不被暴露至包括银(Ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。电容器构成包括第一电极312、第二电极314和第三电极317的并联电路，从而增大有机发光显示设备1的电容，而不增加电容器的面积。因此，可以通过增大电容来减小电容器的面积，从而增大开口率。
焊盘区域PAD1设置在显示区域DA外部，其中，焊盘区域PAD1为其中设置有作为外部驱动器的连接端子的焊盘电极417和418的区域。
与上面描述的源电极217a和漏电极217b相似，第一焊盘层417可以具有电子迁移率不同的多个金属层的结构。例如，第一焊盘层417可以具有包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的一种或更多种金属材料的多层结构。
第二焊盘层418可以由包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种的透明导电氧化物形成。可以防止第一焊盘层417被暴露至湿气和氧，从而防止焊盘电极的可靠性劣化。
如上所述，尽管第一焊盘层417设置在暴露至形成在第三绝缘层19中的接触孔C7的区域中，但是由于作为保护层的第二焊盘层418形成在第一焊盘层417的上部上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂。
此外，第一焊盘层417的对诸如湿气或氧的外部环境敏感的端部被第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一焊盘层417的端部也不被暴露至蚀刻剂。
因此，可以防止因银(Ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷，也可以防止焊盘电极的可靠性劣化。
同时，尽管图2中未示出，但是根据本实施例的有机发光显示设备1还可以包括密封包括像素区域PXL1、电容器区域CAP1和晶体管区域TR1的显示区域DA的密封构件(未示出)。密封构件可以形成为通过使包括玻璃构件的基板、金属膜或有机绝缘膜和无机绝缘膜交替布置而设置的密封薄膜。
下面现在将参照图3A至图3I来描述制造根据本实施例的有机发光显示设备1的方法。
图3A至图3I是根据本发明实施例的用于解释制造有机发光显示设备1的方法的示意性剖视图。
图3A是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第一掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3A，在基板10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成半导体层(未示出)并且将半导体层图案化，从而形成薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312。
尽管图3A中未示出，但是在半导体层(未示出)上涂覆光致抗蚀剂(未示出)，通过利用第一光掩模(未示出)的光刻法使半导体层(未示出)图案化，并形成有源层212和第一电极312。利用光刻法的第一掩模工艺包括在第一光掩模(未示出)上利用曝光装置(未示出)来执行曝光，并执行诸如显影、蚀刻、剥离和灰化(ashing)的一系列工艺。
半导体层(未示出)可以包括非晶硅或晶体硅。在这点上，可以通过使非晶硅结晶来形成晶体硅。可以通过利用诸如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和顺序横向凝固(SLS)等的各种方法来使非晶硅结晶。同时，半导体层(未示出)不限于非晶硅或晶体硅并且可以包括氧化物半导体。
图3B是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第二掩模工艺的示意性剖视图。
在图3A的第一掩模工艺的所得结构上形成第一绝缘层13，在第一绝缘层13上形成透明导电氧化物层(未示出)然后使透明导电氧化物层图案化。
图案化的结果为，在第一绝缘层13上形成电容器的第二电极314。
图3C是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第三掩模工艺的示意性剖视图。
在图3B的第二掩模工艺的所得结构上形成第一金属层(未示出)，然后将第一金属层图案化。在这点上，如上所述，第一金属层(未示出)可以是由从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的一种或更多种金属材料形成的单层或多层。
作为图案化的结果，在第一绝缘层13上形成栅电极215。
利用离子杂质对上述结构进行掺杂。利用浓度为1×1015原子/cm2或更大的离子杂质B或P对薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312进行掺杂。
通过将栅电极215用作自对准掩模(self-align mask)来利用离子杂质对有源层212进行掺杂，因此有源层212包括掺杂有离子杂质的源区212a和漏区212b以及设置在源区212a和漏区212b之间的沟道区212c。在这点上，电容器的第一电极312是掺杂有离子杂质并且形成MIM CAP的电极。
因此，利用一次掺杂工艺对电容器的第一电极312以及有源层212同时掺杂，从而因掺杂工艺的减少而降低制造成本。
图3D是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第四掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3D，在图3C的第三掩模工艺的所得结构上形成第二绝缘层16，然后将第二绝缘层16图案化，从而在第二绝缘层16中形成暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口C3和C4并且在与有源层212的侧面分隔开的区域中形成开口C1，与有源层212的侧面分隔开的区域为随后将描述的将在其中设置像素电极120的区域。
图3E是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第五掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3E，在图3D的第四掩模工艺的所得结构上形成第二金属层(未示出)，然后将第二金属层图案化，从而同时形成源电极217a和漏电极217b、像素电极接触单元PECNT1的第一接触层117、第三电极317和焊盘电极的第一焊盘层417。
第二金属层(未示出)可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层的结构。例如，第二金属层(未示出)可以具有两层或两层以上的结构，所述两层或两层以上的结构包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)以及这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料。
为了举例说明第二金属层(未示出)的构造，详细地示出了第一焊盘层417的构造。例如，本实施例的第二金属层(未示出)可以包括包含钼(Mo)的第一层417a、包含铝(Al)的第二层417b和包含钼(Mo)的第三层417c。
包含铝(Al)的第二层417b是具有小电阻和优异电特性的金属层。设置在第二层417b的下部中并且包含钼(Mo)的第一层417a加强了第二绝缘层16和第二层417b之间的粘附。设置在第二层417b的上部中并且包含钼(Mo)的第三层417c可以用作防止氧化、扩散以及包含在第二层417b中的铝的凸起(hillock)的阻挡层。
同时，尽管图3E中未示出，但是还可以在第五掩模工艺期间通过使第二金属层(未示出)图案化来形成数据布线。
图3F是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第六掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3F，在图3E的第五掩模工艺的所得结构上形成透明导电氧化物层(未示出)，然后将透明导电氧化物层图案化，因此同时形成像素电极接触单元PECNT1的第二接触层118和焊盘电极的第二焊盘层418。
透明导电氧化层包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。
图3G是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第七掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3G，在图3F的第六掩模工艺的所得结构上形成第三绝缘层19，然后将第三绝缘层19图案化，从而形成暴露第二接触层118的上部的接触孔C6、暴露第二焊盘层418的上部的接触孔C7以及位于像素区域PXL1中的开口C5，其中，像素区域PXL1中将设置像素电极120，这将在后面进行描述。
将第三绝缘层19形成为完全包围源电极217a和漏电极217b，从而防止在蚀刻后面将描述的包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间具有不同电势的异质布线接触其中溶解有银(Ag)离子的蚀刻剂。
第三绝缘层19可以包括有机绝缘膜以用作平坦化膜。有机绝缘膜可以使用通用聚合物(PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、这些材料的混合物等。
形成在第三绝缘层19中的开口C5和形成在第二绝缘层16中的开口C1彼此叠置，同时形成在第三绝缘层19中的开口C5比形成在第二绝缘层16中的开口C1小。
图3H是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第八掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3H，在图3G的第七掩模工艺的所得结构上形成半透射式金属层(未示出)，然后将半透射式金属层图案化，从而形成像素电极120。
像素电极120通过像素电极接触单元PECNT1连接到驱动晶体管并被设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5中。
像素电极120包括透反射式金属层120b。像素电极120可以包括分别形成在透反射式金属层120b的下部和上部中并且包括保护透反射式金属层120b的透明导电氧化物的层120a和120c。
透反射式金属层120b可以由银(Ag)或银合金形成。包括透明导电氧化物的层120a和120c可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一种。透反射式金属层120b与相对电极122一起形成微腔结构，从而增加有机发光显示设备1的光效率，其中，相对电极122为反射电极并且将在后面进行描述。
同时，如果在将像素电极120图案化的蚀刻工艺期间提供电子，则以离子状态存在于蚀刻剂中的银(Ag)离子会有问题地再次析出为银(Ag)。如果在蚀刻包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b、像素电极接触单元PECNT1的第一接触层117、焊盘电极的第一焊盘层417或者由与这些元件的材料相同的材料形成的数据布线(未示出)被暴露至蚀刻剂时，银(Ag)离子可以通过接收来自这些金属材料的电子而被再次析出为银(Ag)。
然而，在将像素电极120图案化的第八掩模工艺之前，根据本实施例的源电极217a或漏电极217b被图案化并且被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(Ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致的与颗粒有关的缺陷。
尽管根据本实施例的第一接触层117和第一焊盘层417被分别设置在被形成在第三绝缘层19中的接触孔C6和C7暴露的区域中，但是由于作为保护层的第二接触层118和第二焊盘层418分别形成在第一接触层117和第一焊盘层417上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一接触层117和第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致与颗粒有关的缺陷。
图3I是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备1的第九掩模工艺的示意性剖视图。
参照图3I，在图3H的第八掩模工艺的所得结构上形成第四绝缘层20，然后执行形成暴露像素电极120的上部的开口C8的第九掩模工艺。
第四绝缘层20用作像素限定层并且可以包括包含通用聚合物(PMMA，PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、这些材料的混合物等的有机绝缘膜。
在图3H的第八掩模工艺的所得结构上形成包括图2的有机发射层121的中间层(未示出)，形成图2的相对电极122。
根据上面描述的有机发光显示设备1和制造有机发光显示设备1的方法，像素电极120包括透反射式金属层120b，从而通过微腔增大有机发光显示设备1的光效率。
源电极217a或漏电极217b被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(Ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致与颗粒有关的缺陷。
作为保护层的第二接触层118和第二焊盘层418分别形成在第一接触层117和第一焊盘层417上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一接触层117和第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致与颗粒有关的缺陷。在本发明中湿法蚀刻第一金属层、第二金属层、透明导电氧化物层以及半透射式金属层。
现在在下面将参照图4来描述根据第一比较示例的有机发光显示设备2。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备1与根据第一比较示例的有机发光显示设备2之间的不同。
参照图4，包括至少一个有机发射层121的像素区域PXL2、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区域TR2、包括至少一个电容器的电容器区域CAP2以及焊盘区域PAD2设置在基板10上。
薄膜晶体管的有源层212设置在基板10和缓冲层11上。栅电极215在与有源层212的沟道区212c对应的位置中设置在有源层212上，作为绝缘膜的第一绝缘层13设置在栅电极215和有源层212之间。分别连接到有源层212的源区212a和漏区212b的源电极217a和漏电极217b设置在栅电极215上，作为层间绝缘膜的第二绝缘层16位于源电极217a和漏电极217b与栅电极215之间。
源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层的结构。例如，源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有包括从由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或两层以上的结构。
第四绝缘层20设置在第二绝缘层16上以覆盖源电极217a和漏电极217b。与本发明的上述实施例不同，根据本比较示例的有机发光显示设备2不包括图2的第三绝缘层19。第四绝缘层20在本比较示例中用作像素限定层。
像素电极120设置在形成在第二绝缘层16中的开口C1中。像素电极120的端部设置在形成在第二绝缘层16中的开口C1的顶端上并且被第四绝缘层20覆盖。像素电极接触单元PECNT2可以包括包含与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料的第一接触层117。在根据本比较示例的有机发光显示设备2的第一接触层117上没有形成类似本发明先前实施例的图2的第二接触层118的保护层。
当如在本发明的先前实施例中所描述的像素电极120包括具有强还原性的金属(例如银(Ag))作为透反射式金属层120b时，根据本比较示例的源电极217a或漏电极217b没有被本发明先前实施例的图2的作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b被完全暴露至蚀刻剂。因此，由于再次析出具有强还原性的银(Ag)，而不能防止与颗粒有关的缺陷。
焊盘区域PAD2可以包括由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成的第一焊盘层417。第一焊盘层417不被本发明先前实施例的图2的作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一焊盘层417完全被暴露至蚀刻剂。因此，由于再次析出具有强还原性的银(Ag)，而不能防止与颗粒有关的缺陷并且不能确保焊盘的可靠性。
现在在下面将参照图5来描述根据第二比较示例的有机发光显示设备3。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备1与根据第二比较示例的有机发光显示设备3之间的不同。
参照图5，包括至少一个有机发射层121的像素区域PXL3、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区域TR3、包括至少一个电容器的电容器区域CAP3以及焊盘区域PAD3设置在基板10上。
薄膜晶体管的有源层212设置在基板10和缓冲层11上。栅电极215在与有源层212的沟道区212c对应的位置中设置在有源层212上，作为绝缘膜的第一绝缘层13设置在栅电极215和有源层212之间。分别连接到有源层212的源区212a和漏区212b的源电极217a和漏电极217b设置在栅电极215上，作为层间绝缘膜的第二绝缘层16位于源电极217a和漏电极217b与栅电极215之间。
源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层的结构。例如，源电极217a和漏电极217b中的每个可以具有包括从由Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu以及这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或两层以上的结构。
第三绝缘层19设置在第二绝缘层16上以覆盖源电极217a和漏电极217b。根据本比较示例的有机发光显示设备3包括用作像素限定层的第四绝缘层20。
如本发明先前实施例中所描述的，像素电极120设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5中。像素电极120的端部设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5的顶端上并且被第四绝缘层20覆盖。
像素电极接触单元PECNT3使像素电极120与驱动晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。像素电极接触单元PECNT3包括包含与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料的第一接触层117，但是不包括保护层。
当如在本发明的先前实施例中所描述的像素电极120包括具有强还原性的金属(例如银(Ag))作为透反射式金属层120b时，根据本比较示例的源电极217a或漏电极217b被本发明先前实施例的图2的作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间源电极217a或漏电极217b没有被暴露至蚀刻剂。因此，银(Ag)离子没有因由源电极217a或漏电极217b提供的电子而被析出。
然而，由于与本发明的先前实施例不同，像素电极接触单元PECNT3的第一接触层117不包括包含透明导电氧化物的保护层，因此第一接触层117通过形成在第三绝缘层19中的开口C6被暴露至蚀刻剂，这使得难以防止与颗粒有关的缺陷。
同时，焊盘区域PAD3可以包括由与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料形成的第一焊盘层417以及由与像素电极120的材料相同的材料形成的第二焊盘层420。
第二焊盘层420形成在形成在第三绝缘层19中的接触孔C7中。在蚀刻像素电极120的工艺期间第二焊盘层420覆盖第一焊盘层417的上部，从而保护第一焊盘层417。然而，在完全蚀刻像素电极120之后，包括半透射金属层的第二焊盘层420的端部被暴露至外部，并且在后续的工艺期间，因半透射金属层的脆弱的耐化学性质而被腐蚀，这会导致焊盘的可靠性劣化。
现在在下面将参照图6和图7A至图7I来描述根据本发明另一实施例的有机发光显示设备4和制造有机发光显示设备4的方法。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备1与根据本实施例的有机发光显示设备4之间的不同。
参照图6，包括至少一个有机发射层121的像素区域PXL4、包括至少一个薄膜晶体管的晶体管区域TR4、包括至少一个电容器的电容器区域CAP4以及焊盘区域PAD4设置在基板10上。
由于如先前实施例中所描述的第三绝缘层19覆盖源电极217a和漏电极217b以及第二焊盘层418的端部，因此根据本实施例的有机发光显示设备4可以在包括银(Ag)的像素电极120被图案化时防止由于蚀刻剂而析出银(Ag)。
根据本实施例的包括像素电极接触单元PECNT4的有机发光显示设备4与先前实施例不同。
本实施例的像素电极接触单元PECNT4包括包含与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料的第一接触层117、包含透明导电氧化物的第二接触层118、包含透明导电氧化物的第三接触层114以及包括与栅电极215的材料相同的材料的第四接触层115a。
通过从形成在第二绝缘层16中的开口C1和形成在第三绝缘层19中的开口C5的蚀刻表面突出来形成第三接触层114。因此，像素电极120直接接触突出的第三接触层114，第三接触层114接触第四接触层115a。第四接触层115a和第一接触层117通过形成在第二绝缘层16中的接触孔C2彼此接触。
即，根据本实施例，当像素电极120和驱动装置通过利用形成在第三绝缘层19中的接触孔C6(即，第一接触层117和第二接触层118)彼此电连接时，由于用作半透射金属层的像素电极120的厚度小，因此阶梯覆盖是有缺陷的，因此会难于通过第三绝缘层19的蚀刻表面或接触孔C6稳定连接。然而，根据本实施例，即使通过形成在第三绝缘层19中的接触孔C6的连接失效，由于像素电极120在开口C5的底面部分上直接接触第三接触层114，因此可以有利地正常接收来自驱动装置的信号。
现在在下面将参照图7A至图7I来描述制造有机发光显示设备4的方法。
图7A是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第一掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7A，在基板10上形成缓冲层11，在缓冲层11上形成半导体层(未示出)并且将半导体层图案化，从而形成薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312。
图7B是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第二掩模工艺的示意性剖视图。
在图7A的第一掩模工艺的所得结构上形成第一绝缘层13，在第一绝缘层13上形成透明导电氧化物层(未示出)然后使透明导电氧化物层图案化。
图案化的结果为，在第一绝缘层13上形成电容器的第二电极314以及第三接触层114。
图7C是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第三掩模工艺的示意性剖视图。
在图7B的第二掩模工艺的所得结构上形成第一金属层(未示出)，然后将第一金属层图案化。在这点上，如上所述，第一金属层(未示出)可以是由从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的一种或更多种金属材料形成的单层或多层。
作为图案化的结果，在第一绝缘层13上形成栅电极215和覆盖第三接触层114的栅极金属层115。
利用离子杂质对上述结构进行掺杂。利用浓度为1×1015原子/cm2或更大的离子杂质B或P对薄膜晶体管的有源层212和电容器的第一电极312进行掺杂。
因此，利用一次掺杂工艺对电容器的第一电极312以及有源层212同时掺杂，从而因掺杂工艺的减少而降低制造成本。
图7D是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第四掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7D，在图7C的第三掩模工艺的所得结构上形成第二绝缘层16，然后将第二绝缘层16图案化，从而在第二绝缘层16中形成暴露有源层212的源区212a和漏区212b的开口C3和C4，并且在与有源层212的侧面分隔开的区域中形成暴露像素电极接触单元PECNT4的接触孔C2以及开口C1，形成有开口C1的区域为随后将描述的将设置有像素电极120的区域。
图7E是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第五掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7E，在图7D的第四掩模工艺的所得结构上形成第二金属层(未示出)，然后将第二金属层图案化，从而同时形成源电极217a和漏电极217b、像素电极接触单元PECNT4的第一接触层117、第三电极317和焊盘电极的第一焊盘层417。在这点上，去除设置在开口C1中的栅极金属层115，从而第三接触层114的端部A突出。在这点上，通过比形成在第二绝缘层16中的开口C1的蚀刻表面进一步突出来形成第三接触层114的端部A。
图7F是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第六掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7F，在图7E的第五掩模工艺的所得结构上形成透明导电氧化物层(未示出)，然后将透明导电氧化物层图案化，因此同时形成像素电极接触单元PECNT4的第二接触层118和焊盘电极的第二焊盘层418。
图7G是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第七掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7G，在图7F的第六掩模工艺的所得结构上形成第三绝缘层19，然后将第三绝缘层19图案化，从而形成暴露第二接触层118的上部的接触孔C6、暴露第二焊盘层418的上部的接触孔C7以及位于像素区域PXL4中的开口C5，其中，像素区域PXL4中将设置像素电极120，这将在后面进行描述。
将第三绝缘层19形成为完全包围源电极217a和漏电极217b，从而防止在蚀刻后面将描述的包括银(Ag)的像素电极120的工艺期间具有不同电势的异质布线接触其中溶解有银(Ag)离子的蚀刻剂。
图7H是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第八掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7H，在图7G的第七掩模工艺的所得结构上形成半透射式金属层(未示出)，然后将半透射式金属层图案化，从而形成像素电极120。
像素电极120包括透反射式金属层120b。像素电极120可以包括分别形成在透反射式金属层120b的下部和上部中并且包括保护透反射式金属层120b的透明导电氧化物的层120a和120c。
像素电极120通过像素电极接触单元PECNT4连接到驱动晶体管，并且像素电极120设置在形成在第三绝缘层19中的开口C5中。
本实施例的像素电极接触单元PECNT4包括包含与源电极217a和漏电极217b的材料相同的材料的第一接触层117、包含透明导电氧化物的第二接触层118、包含透明导电氧化物的第三接触层114以及包含与栅电极215的材料相同的材料的第四接触层115a。
第三接触层114通过从形成在第二绝缘层16中的开口C1和形成在第三绝缘层19中的开口C5的蚀刻表面突出来形成。因此，像素电极120直接接触突出的第三接触层114，第三接触层114接触第四接触层115a。第四接触层115a和第一接触层117通过形成在第二绝缘层16中的接触孔C2彼此接触。
即，根据本实施例，当像素电极120和驱动装置通过利用形成在第三绝缘层19中的接触孔C6(即，第一接触层117和第二接触层118)彼此电连接时，由于用作半透射金属层的像素电极120的厚度小，因此阶梯覆盖是有缺陷的，因此会难于通过第三绝缘层19的蚀刻表面或接触孔C6稳定连接。然而，根据本实施例，即使通过形成在第三绝缘层19中的接触孔C6的连接失效，由于像素电极120在开口C5的底面部分上直接接触第三接触层114，因此可以有利地正常接收来自驱动装置的信号。
图7I是根据本发明本实施例的用于解释有机发光显示设备4的第九掩模工艺的示意性剖视图。
参照图7I，在图7H的第八掩模工艺的所得结构上形成第四绝缘层20，然后执行形成暴露像素电极120的上部的开口C8的第九掩模工艺。
在图7H的第八掩模工艺的所得结构上形成包括图2的有机发射层121的中间层(未示出)，形成图2的相对电极122。
根据上面描述的有机发光显示设备4和制造有机发光显示设备4的方法，像素电极120包括透反射式金属层120b，从而通过微腔来增大有机发光显示设备4的光效率。
源电极217a或漏电极217b被作为有机膜的第三绝缘层19覆盖，因此源电极217a或漏电极217b不被暴露至包括银(Ag)离子的蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致与颗粒有关的缺陷。
作为保护层的第二接触层118和第二焊盘层418分别形成在第一接触层117和第一焊盘层417上，因此在蚀刻像素电极120的工艺期间第一接触层117和第一焊盘层417不被暴露至蚀刻剂，从而防止因银(Ag)的析出而导致与颗粒有关的缺陷。
此外，像素电极接触单元PECNT4的结构具有双重性，从而防止在像素电极和驱动装置之间信号短路。
现在在下面将参照图8来描述根据本发明另一实施例的有机发光显示设备5和制造有机发光显示设备5的方法。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备1与根据本实施例的有机发光显示设备5之间的不同。
与有机发光显示设备1相比，根据本实施例的有机发光显示设备5还包括阴极接触单元CECNT。
应用本发明的有机发光显示设备是底部发射型发光显示设备，在该底部发射型发光显示设备中，光从有机发射层121发射到基板10以形成图像。因此，相对电极122被构造为反射电极。
没有针对每个像素单独形成相对电极122，而是将相对电极122构造成覆盖图1的整个显示区域DA的共电极，在显示区域DA外部形成阴极接触单元CECNT，并且向共电极发送信号。
尽管阴极接触单元CECNT在图8中设置在显示区域DA和焊盘PA之间，但是本发明不限于此。阴极接触单元CECNT可以设置在显示区域DA和密封线SL之间的任意位置中。
阴极接触单元CECNT包括第一接触层517和第二接触层520。
第一接触层517可以设置在第二绝缘层16上，并且可以由与源电极217a、漏电极217b以及第一焊盘层417的材料相同的材料形成。即，第一接触层517可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层的结构。例如，第一接触层517可以具有包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)和这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或两层以上的结构。
第二接触层520可以设置在形成在第三绝缘层19中的接触孔C9中，并且可以由与像素电极120的材料相同的材料形成。即，第二接触层520可以包括由银(Ag)或银(Ag)合金形成的半透射式金属层。
相对电极122通过形成在第四绝缘层20中的接触孔C10连接到阴极接触单元CECNT的第二接触层520。相对电极122广泛地形成在整个显示区域DA上，因此因电阻导致的电压降很重要。然而，根据本实施例，阴极接触单元CECNT利用包括由具有低电阻的银(Ag)形成的半透射式金属层的第二接触层520，因此防止因电阻导致的电压降。可以与像素电极120同时形成第二接触层520，因此不需额外的工艺。
现在在下面将参照图9来描述根据本发明另一实施例的有机发光显示设备6和制造有机发光显示设备6的方法。
在下面相同的附图标记表示相同的元件。现在将描述根据先前实施例的有机发光显示设备4与根据本实施例的有机发光显示设备6之间的不同。
与有机发光显示设备4相比，根据本实施例的有机发光显示设备6还包括阴极接触单元CECNT。
应用本发明的有机发光显示设备是底部发射型发光显示设备，在该底部发射型发光显示设备中，光从有机发射层121发射到基板10以形成图像。因此，相对电极122被构造为反射电极。
没有针对每个像素单独形成相对电极122，而是将相对电极122构造成覆盖图1的整个显示区域DA的共电极，在显示区域DA外部形成阴极接触单元CECNT，并且向共电极发送信号。
尽管阴极接触单元CECNT在图9中设置在显示区域DA和焊盘PA之间，但是本发明不限于此。阴极接触单元CECNT可以设置在显示区域DA和密封线SL之间的任意位置中。
阴极接触单元CECNT包括第一接触层517和第二接触层520。
第一接触层517可以设置在第二绝缘层16上，并且可以由与源电极217a、漏电极217b以及第一焊盘层417的材料相同的材料形成。即，第一接触层517可以具有电子迁移率不同的两种或两种以上的异质金属层的结构。例如，第一接触层517可以具有包括从由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)和这些金属材料的合金组成的组中选择的金属材料的两层或两层以上的结构。
第二接触层520可以设置在形成在第三绝缘层19中的接触孔C9中，并且可以由与像素电极120的材料相同的材料形成。即，第二接触层520可以包括由银(Ag)或银(Ag)合金形成的半透射式金属层。
相对电极122通过形成在第四绝缘层20中的接触孔C10连接到阴极接触单元CECNT的第二接触层520。相对电极122广泛地形成在整个显示区域DA上，因此因电阻导致的电压降很重要。然而，根据本实施例，阴极接触单元CECNT利用包括由具有低电阻的银(Ag)形成的半透射式金属层的第二接触层520，因此防止因电阻导致的电压降。可以与像素电极120同时形成第二接触层520，因此不需额外的工艺。
如上所述，根据本发明的有机发光显示设备和制造该有机发光显示设备的方法提供了如下效果：
第一，像素电极形成为半透射式金属层，从而通过微腔来增大显示设备的光效率。
第二，作为有机膜的第三绝缘层覆盖源电极和漏电极(包括数据布线)，从而防止在将像素电极图案化时因源电极和漏电极而再次析出银(Ag)。
第三，在像素电极接触单元的第一接触层和焊盘电极的第一焊盘层的顶部上形成保护层，从而防止在将像素图案化时因第一接触层和第一焊盘层而再次析出银(Ag)。
第四，像素电极接触单元的结构具有双重性，从而防止在像素电极和驱动装置之间信号短路。
第五，阴极接触单元利用与像素电极相同并且具有小电阻的半透射式金属层，从而防止作为共电极的相对电极的电压降。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的各种改变。

Claims (34)

1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
薄膜晶体管，包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、设置在有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及设置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层；
焊盘电极，包括设置在与源电极和漏电极相同的层上的第一焊盘层以及设置在第一焊盘层上的第二焊盘层；
第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部；
像素电极，包括半透射式金属层并且设置在形成在第三绝缘层中的开口中；
第四绝缘层，具有形成在与形成在第三绝缘层中的开口对应的位置中的开口并且覆盖像素电极的端部；
有机发射层，设置在像素电极上；以及
相对电极，设置在有机发射层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，源电极和漏电极具有电子迁移率不同的多种异质金属层的堆叠结构。
3.如权利要求2所述的有机发光显示设备，其中，源电极和漏电极包括包含钼的层和包含铝的层。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括：电容器，包括设置在与有源层相同的层上的第一电极和设置在与栅电极相同的层上的第二电极。
5.如权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第一电极包括掺杂有离子杂质的半导体材料。
6.如权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，电容器的第二电极包括透明导电氧化物。
7.如权利要求4所述的有机发光显示设备，其中，电容器还包括设置在与源电极和漏电极相同的层上的第三电极。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第一焊盘层包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，第一焊盘层包括包含钼的层和包含铝的层。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第二焊盘层包括透明导电氧化物。
11.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，半透射式金属层包括银或银合金。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，保护层进一步堆叠在半透射式金属层上。
13.如权利要求12所述的有机发光显示设备，其中，保护层包括透明导电氧化物。
14.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第三绝缘层是有机绝缘膜。
15.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，第四绝缘层是有机绝缘膜。
16.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，形成在第二绝缘层中的开口、形成在第三绝缘层中的开口以及形成在第四绝缘层中的开口彼此叠置，以及
其中，形成在第三绝缘层中的开口比形成在第四绝缘层中的开口大并且比形成在第二绝缘层中的开口小。
17.如权利要求16所述的有机发光显示设备，其中，像素电极的端部设置在形成在第三绝缘层中的开口的顶端上。
18.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括阴极接触单元，阴极接触单元包括：第一接触层，设置在第二绝缘层上并且包括与第一焊盘层相同的材料；第二接触层，通过形成在第三绝缘层中的接触孔连接到第一接触层，通过形成在第四绝缘层中的接触孔连接到相对电极，并且包括与像素电极相同的材料。
19.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括：通过形成在第三绝缘层中的接触孔将像素电极电连接到源电极和漏电极中的一个的像素电极接触单元，
其中，像素电极接触单元包括包含与源电极和漏电极的材料相同的材料的第一接触层和包含与第二焊盘层的材料相同的材料的第二接触层。
20.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，像素电极接触单元还包括设置在第一绝缘层上并且包含与第二电极的材料相同的材料的第三接触层，
其中，第一接触层通过形成在第二绝缘层中的接触孔电连接到第三接触层。
21.如权利要求20所述的有机发光显示设备，其中，第三接触层的端部从形成在第二绝缘层中的开口的蚀刻表面突出并且直接接触像素电极。
22.如权利要求20所述的有机发光显示设备，其中，第三接触层的端部从形成在第三绝缘层中的开口的蚀刻表面突出并且直接接触像素电极。
23.如权利要求20所述的有机发光显示设备，其中，像素电极接触单元还包括设置在第一绝缘层和第三绝缘层之间并且包括与栅电极的材料相同的材料的第四接触层。
24.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，相对电极包括反射金属层。
25.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括下述步骤：
在基板上形成半导体层，使半导体层图案化，并形成薄膜晶体管的有源层和电容器的第一电极；
形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成透明导电氧化物层，将透明导电氧化物层图案化，并形成电容器的第二电极；
形成第一金属层，使第一金属层图案化，并且在与第二电极相同的层上形成薄膜晶体管的栅电极；
形成第二绝缘层并且形成在第二绝缘层中暴露有源层的一部分的接触孔以及与有源层的侧表面分隔开的区域中的第一开口；
形成第二金属层，将第二金属层图案化并且形成源电极、漏电极以及焊盘电极的第一焊盘层；
形成透明导电氧化物层，将透明导电氧化物层图案化并在第一焊盘层上形成第二焊盘层；
形成作为有机绝缘膜的第三绝缘层，并在与第一开口叠置的区域中形成第二开口以及在第三绝缘层中形成暴露第二焊盘层的顶表面的开口，第二开口小于第一开口；
形成半透射式金属层，将半透射式金属层图案化并在第二开口中形成像素电极；
形成作为有机绝缘膜的第四绝缘层并在第四绝缘层中形成暴露像素电极的顶表面的第三开口；
在像素电极上形成有机发射层；以及
在有机发射层上形成相对电极。
26.如权利要求25所述的方法，所述方法还包括：在形成栅电极之后，通过利用一次掺杂工艺利用离子杂质对有源层的源区和漏区以及电容器的第一电极同时掺杂。
27.如权利要求25所述的方法，其中，第二金属层具有电子迁移率不同的多种异质金属层的堆叠结构。
28.如权利要求25所述的方法，所述方法还包括：在半透射式金属层的顶表面上形成包括透明导电氧化物的保护层，并且使半透射式金属层和保护层图案化。
29.如权利要求25所述的方法，其中，湿法蚀刻第一金属层、第二金属层、透明导电氧化物层和半透射式金属层。
30.如权利要求25所述的方法，其中，在将第二金属层图案化时，形成像素电极接触单元的第一接触层，在第一接触层上形成包括形成第二焊盘层的透明导电氧化物的第二接触层，当将第三绝缘层图案化时形成接触孔。
31.如权利要求25所述的方法，其中，由形成电容器的第二电极的透明导电氧化物形成第三接触层，第四接触层形成为第一金属层，在第二绝缘层中形成接触孔以连接第四接触层和第一接触层。
32.如权利要求31所述的方法，其中，通过比第一开口和第二开口的蚀刻表面进一步突出来形成第三接触层的端部。
33.如权利要求32所述的方法，其中，像素电极形成为连接到第二接触层和第三接触层两者。
34.如权利要求25所述的方法，其中，当将第二金属层图案化时形成阴极接触单元的第一接触层，在第三绝缘层中形成接触孔，在将像素电极图案化时在接触孔中形成第二接触层，在第四绝缘层中形成覆盖第二接触层的端部的接触孔。
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