CN109326625A - 显示设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 238
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 70
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- -1 area Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000001012 protector Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
公开了显示设备,所述显示设备包括衬底、显示单元、无机绝缘膜、第一有机绝缘膜和封装单元,其中,衬底包括显示区域和位于显示区域外部的非显示区域,显示单元布置在衬底的显示区域中,无机绝缘膜在显示区域和非显示区域之上布置在衬底上,第一有机绝缘膜布置在无机绝缘膜上并且具有在第一方向上延伸以与非显示区域的至少一部分对应的第一开口,第一开口的端的平面形状具有凹凸形状,封装单元布置在显示单元上以覆盖显示单元。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年8月1日向韩国知识产权局提交的第10-2017-0097813号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式的方面涉及显示设备。
背景技术
通常,显示设备具有位于衬底上的显示单元。通过使这种显示设备的一部分弯曲,可以改善多种角度下的可视性或减小非显示区域的面积。
然而,在传统的显示设备的情况下,在制造这种弯曲的显示设备的过程中出现缺陷,或者显示设备的寿命降低。
发明内容
根据一个或多个实施方式的方面,显示设备能够保证长寿命并最小化或减少在制造过程期间诸如断开的缺陷发生。然而,此方面仅仅是个示例,并且本公开的实施方式不限于此。
另外的方面将部分地在以下描述中阐述,以及部分地将从描述而显而易见,或者可通过实践呈现的示例性实施方式而学习。
根据一个或多个示例性实施方式,显示设备包括衬底、显示单元、无机绝缘膜、第一有机绝缘膜和封装单元,其中,衬底包括显示区域和位于显示区域外部的非显示区域,显示单元布置在衬底的显示区域中,无机绝缘膜在显示区域和非显示区域之上布置在衬底上;第一有机绝缘膜布置在无机绝缘膜上并且具有在第一方向上延伸以与非显示区域的至少一部分对应的第一开口,其中,第一开口的端的平面形状具有凹凸形状,封装单元布置在显示单元上以覆盖显示单元。
第一开口可具有与显示区域相邻且在第一方向上延伸的第一端和与第一端面对的第二端,其中,第二端的平面形状具有凹凸形状。
第二端可具有交替地且连续地布置的突出部和凹陷部,其中,突出部或凹陷部在与第一方向交叉的第二方向上突出或凹陷。
从突出部到第一端的距离可小于从凹陷部到第一端的距离。
封装单元可覆盖第一开口的第一端。
第一开口可暴露无机绝缘膜的第一区域,以及封装单元可直接接触第一区域的至少一部分。
显示设备还可包括第二有机绝缘膜,所述第二有机绝缘膜布置在第一有机绝缘膜上并且具有与第一开口对应的第二开口,其中,第二开口的与第一有机绝缘膜的第二端对应的端的形状遵循第一有机绝缘膜的第二端的形状,第一有机绝缘膜的第二端限定第一开口的第二端。
第二有机绝缘膜可覆盖第一有机绝缘膜的第二端。
显示设备还可包括第三有机绝缘膜,所述第三有机绝缘膜布置在第二有机绝缘膜上并且具有与第二开口对应的第三开口,其中,第三开口的与第一有机绝缘膜的第二端对应的端的形状遵循第一有机绝缘膜的第二端的形状。
第三有机绝缘膜的端可与第二有机绝缘膜的端重合。
第三有机绝缘膜的第三开口的宽度可大于第一有机绝缘膜的第一开口的宽度。
显示设备还可包括第四有机绝缘膜,所述第四有机绝缘膜位于第一有机绝缘膜与第二有机绝缘膜之间并且具有与第一开口对应的第四开口。
第四有机绝缘膜的端可与第一有机绝缘膜的第二端重合。
第二有机绝缘膜可覆盖第一有机绝缘膜的第二端和第四有机绝缘膜的端。
第三有机绝缘膜的端可与第二有机绝缘膜的端重合。
第三有机绝缘膜的第三开口的宽度可大于第一有机绝缘膜的第一开口的宽度。
显示单元可包括薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极,以及第一有机绝缘膜可覆盖薄膜晶体管并且可位于薄膜晶体管与像素电极之间。
第二有机绝缘膜可覆盖像素电极的边缘以限定像素区域。
第二端的斜率可比第一端的斜率平缓。
根据一个或多个示例性实施方式,显示设备包括衬底、无机绝缘单元和有机绝缘单元,其中,衬底包括显示区域和位于显示区域外部的非显示区域,无机绝缘单元包括在显示区域和非显示区域之上布置在衬底上的至少一个无机绝缘膜,有机绝缘单元布置在无机绝缘单元上并且包括至少一个有机绝缘膜并且具有在第一方向上延伸以与非显示区域的至少一部分对应的开口,其中,开口具有与显示区域相邻且在第一方向上延伸的第一端和与第一端面对的第二端,其中,第二端具有在与第一方向相交的第二方向上交替地且连续地布置的突出部和凹陷部。
附图说明
这些和/或其它方面将从以下结合附图对一些示例性实施方式的描述而变得清楚且更容易理解,在附图中:
图1是根据示例性实施方式的显示设备的平面图;
图2是沿着线A-A'截取的图1的显示设备的剖视图;
图3是图1的显示设备的区域“M”的放大平面图;
图4是沿着线B-B'截取的图3的显示设备的剖视图;
图5是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图6是沿着线C-C'截取的图5的显示设备的剖视图;
图7是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图8是沿着线D-D'截取的图7的显示设备的剖视图;
图9是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图10是沿着线E-E'截取的图9的显示设备的剖视图;
图11是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图12是沿着线F-F'截取的图11的显示设备的剖视图;
图13是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图14是沿着线G-G'截取的图13的显示设备的剖视图;
图15是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图16是沿着线H-H'截取的图15的显示设备的剖视图;
图17是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图18是沿着线I-I'截取的图17的显示设备的剖视图;以及
图19是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图20是沿着线J-J'截取的图19的显示设备的剖视图。
具体实施方式
由于本公开允许多种改变和诸多实施方式,因此一些示例性实施方式将在附图中示出并在书面描述中更详细地描述。当参考参照附图描述的实施方式时,本公开的效果和特征以及实现它们的方法将显而易见。然而,本公开可以以许多不同的形式来体现,并且不应该被解释为限于本文阐述的示例性实施方式。
现在将更详细地参考一些示例性实施方式,这些示例性实施方式的示例在附图中示出,在全部附图中,相同的附图标记指代相同的元件,并且将省略对其进行重复描述。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述多种组件,但是这些组件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。如本文中所使用的,除非上下文另有明确指示,否则单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式。
将理解的是,本文中使用的诸如“包括(include)”、“包括(comprise)”和“具有(have)”的术语表示所阐述的特征或组件的存在,但不排除一个或多个其它特征或组件的存在或添加。还将理解的是,当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时,其可以直接地或间接地在另一层、区域或组件上。即,例如,可存在一个或多个中间层、区域或组件。
为了便于说明,附图中的组件的尺寸可被夸大。换言之,由于附图中组件的尺寸和厚度可能是为了便于说明而任意地示出的,因此以下实施方式不限于此。
X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴,而是可在更广泛的意义上解释。例如,X轴、Y轴和Z轴可彼此垂直,或者可表示彼此不垂直的不同方向。
当某个实施方式可不同地实施时,特定的过程顺序可与描述的顺序不同地执行。例如,两个连续描述的过程可基本上同时执行,或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
图1是根据示例性实施方式的显示设备的平面图;以及图2是沿着线A-A'截取的图1的显示设备的剖视图。
参考图1和图2,根据示例性实施方式的显示设备包括衬底100、显示单元200、无机绝缘膜205'、第一有机绝缘膜207和封装单元260,其中,衬底100包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的非显示区域NDA,显示单元200布置在衬底100的显示区域DA中,无机绝缘膜205'布置在衬底100上,第一有机绝缘膜207布置在无机绝缘膜205'上并且具有与非显示区域NDA的至少一部分对应的开口OP,封装单元260布置在显示单元200上。
衬底100可例如包括各种柔性或可弯曲材料(诸如,聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚乙烯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂)中的任何一种。在另一示例性实施方式中,衬底100可包括金属材料或玻璃材料。
衬底100可包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的非显示区域NDA。在本示例性实施方式中,显示区域DA在衬底100的中央处,并且非显示区域NDA被布置成围绕显示区域DA。然而,在另一示例性实施方式中,诸如在具有非常薄的边框的示例性实施方式中,非显示区域NDA可布置成围绕显示区域DA的一部分。
显示单元200可布置在衬底100的显示区域DA上。显示单元200可被理解为多个像素发光并且图像被外部地显示的区域。
在根据本示例性实施方式的显示设备中,第一有机绝缘膜207可布置在衬底100上。第一有机绝缘膜207可布置在显示区域DA和非显示区域NDA的至少一部分上。可以理解,第一有机绝缘膜207对应于将在本文后面描述的通孔层。
第一有机绝缘膜207可具有位于非显示区域NDA中的第一开口OP1(参见图2),以及开口OP可包括第一开口OP1。参考图1,开口OP可以位于显示单元200的一侧处,并且在实施方式中,包括开口OP的非显示区域NDA可包括扇出布线(未示出)。
开口OP可沿着显示单元200的轮廓在第一方向(+X方向)上延伸,并且在第一方向(+X方向)上延伸的开口OP的一端可具有凹凸形状。此处,具有凹凸形状的一端可意指在第一平面(X-Y平面)中具有如图1中所示的凹凸形状的一端。
图2示出了布置在显示区域DA中的显示单元200。尽管根据本示例性实施方式的显示单元200包括有机发光二极管(OLED)250,但是其它示例性实施方式可包括液晶二极管或无机发光二极管(ILED)。
包括单层或多层的无机绝缘膜205'可布置在衬底100上。无机绝缘膜205'可包括将在本文后面描述的缓冲层201、栅极绝缘膜203和层间绝缘膜205。
首先,为了使衬底100的表面平坦,或者为了防止或基本上防止杂质等渗透至薄膜晶体管TFT的半导体层202中,在衬底100上布置缓冲层201,并且半导体层202可位于缓冲层201上,缓冲层201包括氧化硅、氮化硅等。
栅电极204布置在半导体层202上。源电极206s和漏电极206d根据施加到栅电极204的信号而彼此电连接。考虑到与相邻层的粘合性、待堆叠的层的表面平坦度和可加工性,栅电极204可包括诸如铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)等材料的单层或多层。
此处,由氧化硅和/或氮化硅制成的栅极绝缘膜203可形成在半导体层202与栅电极204之间,以提供半导体层202与栅电极204之间的绝缘。
层间绝缘膜205可布置在栅电极204上。层间绝缘膜205可包括诸如氧化硅或氮化硅的材料的单层或多层。
源电极206s和漏电极206d形成在层间绝缘膜205上。源电极206s和漏电极206d分别通过形成在层间绝缘膜205和栅极绝缘膜203中的接触孔电连接到半导体层202。考虑到导电性等,源电极206s和漏电极206d可包括Al、Pt、Pd、Ag、Au、Ni、Nd、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、Cu等中的至少一种的单层或多层。
尽管未在图2中示出,但是可布置用于覆盖薄膜晶体管TFT的保护膜(未示出)以保护具有这种结构的薄膜晶体管TFT。保护膜可由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。
在实施方式中,缓冲层201、栅极绝缘膜203和层间绝缘膜205可形成在柔性衬底100的整个表面上。
第一有机绝缘膜207可布置在衬底100上。当OLED 250布置在薄膜晶体管TFT上时,第一有机绝缘膜207基本上使薄膜晶体管TFT的上表面平坦并保护薄膜晶体管TFT和多种器件。第一有机绝缘膜207可由例如丙烯酸有机材料或苯并环丁烯(BCB)形成。
第二有机绝缘膜208可布置在薄膜晶体管TFT上方。第二有机绝缘膜208可位于以上描述的第一有机绝缘膜207上并且可具有第二开口OP2。第二有机绝缘膜208限定衬底100上的像素区域。
第二有机绝缘膜208可由例如有机绝缘膜形成。这种有机绝缘膜的示例可包括丙烯酸类聚合物,诸如,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、包括酚基的聚合物衍生物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物、乙烯醇聚合物或它们的混合物。
第三有机绝缘膜209可布置在第二有机绝缘膜208上。第三有机绝缘膜209可用作间隔件。在实施方式中,第三有机绝缘膜209可仅设置在第二有机绝缘膜208的一部分上。在根据图2的本示例性实施方式中,第三有机绝缘膜209布置在第二有机绝缘膜208上;然而,在一个或多个其它实施方式中,可不设置第三有机绝缘膜209。
在一个或多个实施方式中,OLED 250可布置在第一有机绝缘膜207上。OLED 250可包括像素电极252、包括发射层(EML)的中间层254和相对电极256。
像素电极252可包括半透明电极或反射电极。当像素电极252包括半透明电极时,像素电极252可包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。当像素电极252包括反射电极时,像素电极252可包括例如由Ag、镁(Mg)、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、铱(Ir)、Cr或它们的化合物形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而,本公开不限于此,并且可作出多种修改中的任何修改。像素电极252可由多种材料中的任一种形成,并且可具有单层或多层结构。
中间层254可布置在由第二有机绝缘膜208限定的每个像素区域中。中间层254包括根据电信号发光的EML。在中间层254中,EML以及布置在EML与像素电极252之间的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)、布置在EML与相对电极256之间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等可以以单一或复合结构堆叠。然而,中间层254不限于此,并且可具有多种结构中的任一种。
在实施方式中,覆盖包括EML且与像素电极252面对的中间层254的相对电极256可布置在衬底100的整个表面之上。相对电极256可包括半透明电极或反射电极。
当相对电极256包括半透明电极时,相对电极256可包括由具有小功函数的金属(例如,Li、Ca、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物)形成的层以及诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的半透明导电层。当相对电极256包括反射电极时,相对电极256可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物形成的层。然而,相对电极256的结构和材料不限于此并且可以改变。
在一个或多个示例性实施方式中,诸如封装单元260、偏振层(未示出)以及滤色器(未示出)的功能层可进一步布置在相对电极256上。
由于OLED 250可容易地被来自外部的湿气或氧气损坏,因此封装单元260可覆盖并保护OLED 250。封装单元260可覆盖显示区域DA并延伸到显示区域DA的外部。如图2中所示,在实施方式中,封装单元260可包括第一无机封装层262、有机封装层264和第二无机封装层266。
第一无机封装层262覆盖相对电极256,并且可包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一个或多个实施方式中,诸如盖层的其它层可位于第一无机封装层262与相对电极256之间。如图2中所示,由于第一无机封装层262沿着下部结构形成,因此第一无机封装层262的上表面不平坦。有机封装层264覆盖第一无机封装层262。然而,与第一无机封装层262不同,有机封装层264的上表面可形成为大体上平坦的。更详细地,有机封装层264的与显示区域DA对应的上表面可以是大致平坦的。有机封装层264可包括从由PET、PEN、PC、PI、PES、聚甲醛(POM)、PAR和六甲基二硅氧烷(HMDSO)组成的组中选择的至少一种。第二无机封装层266覆盖有机封装层264并且可包括二氧化硅(SiO2)、氮化硅膜(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)。由于第二无机封装层266接触第一无机封装层262的位于显示区域DA外部的边缘,因此第二无机封装层266可防止或基本上防止有机封装层264被暴露于外部。
以这种方式,由于封装单元260具有包括第一无机封装层262、有机封装层264和第二无机封装层266的多层结构,因此,即使在封装单元260中出现裂缝,裂缝也可通过多层结构在第一无机封装层262与有机封装层264之间或者在有机封装层264与第二无机封装层266之间不连接。以这种方式,可防止或最小化形成外部湿气或氧气进入显示区域DA中的渗透路径。
在一个或多个实施方式中,第一有机绝缘膜207、第二有机绝缘膜208和第三有机绝缘膜209可部分地延伸到非显示区域NDA。
在本示例性实施方式中,非显示区域NDA可具有包括第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的开口OP。第一有机绝缘膜207可包括第一开口OP1。此外,第二有机绝缘膜208可具有与第一开口OP1对应的第二开口OP2,以及第三有机绝缘膜209可具有与第二开口OP2对应的第三开口OP3。
封装单元260可布置成覆盖如上所述的OLED 250,或者可延伸到非显示区域NDA。封装单元260可布置成延伸到第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3,并且可覆盖第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的与显示单元200相邻的一端。同时,第一开口OP1可暴露无机绝缘膜205'的第一区域OPA,并且覆盖第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的上述端的封装单元260可设置成与第一区域OPA的至少一部分直接接触。
图3是图1的显示设备的区域“M”的放大平面图;以及图4是沿着线B-B'截取的图3的显示设备的剖视图。
参考图3和图4,根据本示例性实施方式的显示设备可包括在衬底100上布置在显示区域DA和非显示区域NDA之上的无机绝缘膜205'和布置在无机绝缘膜205'上并具有第一开口OP1的第一有机绝缘膜207。此外,具有与第一开口OP1对应的第二开口OP2的第二有机绝缘膜208和具有第三开口OP3的第三有机绝缘膜209可进一步布置在第一有机绝缘膜207上。
第一开口OP1可形成为在第一方向(+X方向)上延伸,并且在第一方向(+X方向)上延伸的第一开口OP1的一端可具有凹凸形状。这种凹凸形状可理解为在第一平面(X-Y平面)上出现的如图3中示出的形状。
第一开口OP1可包括在第一方向(+X方向)上延伸的第一端207a和与第一端207a面对的第二端207b。第一端207a可以是与显示区域DA相邻的部分。第二端207b可具有比第一端207a的斜率平缓的斜率。在本示例性实施方式中,第二端207b的平面形状可设置为凹凸形状。即,与显示区域DA相邻的第一端207a可线性地形成而没有分开的图案,但是与第一端207a面对的第二端207b的表面可具有凹凸形状。
如上所述,第一开口OP1的第二端207b的凹凸形状可包括交替地且连续地布置的突出部OP'和凹陷部OP"。突出部OP'和凹陷部OP"可在与第一方向(+X方向)相交或交叉的第二方向(+Y方向)上突出或凹陷。因此,从第二端207b的突出部OP'到第一端207a的距离d1可小于从第二端207b的凹陷部OP"到第一端207a的距离d2。参考图3,第二端207b的凹凸形状(即,第二端207b的突出部OP'和凹陷部OP")可按梯形形状具有平缓斜率。然而,本公开不限于此。
参考图4,在本示例性实施方式中,第二有机绝缘膜208和第三有机绝缘膜209可布置在第一有机绝缘膜207上。第二有机绝缘膜208和第三有机绝缘膜209可分别具有与第一开口OP1对应的第二开口OP2和第三开口OP3。在实施方式中,第一开口OP1的端和第二开口OP2的端以及第三开口OP3的端可彼此重合(coincide)。端彼此重合可意味着布置在第一有机绝缘膜207上的第二有机绝缘膜208和/或第三有机绝缘膜209被设置成不覆盖第一开口OP1的端。
在开口OP的端彼此重合的示例性实施方式中,第二开口OP2的与第一有机绝缘膜207的第二端对应的一端的形状可沿着第二端207b的形状设置,第一有机绝缘膜207的第二端是指限定第一开口OP1的第二端207b的端,因此第一有机绝缘膜207的第二端也可称为第二端207b。类似地,第三开口OP3的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端的形状可沿着第二端207b的形状设置。即,由于第一开口OP1的第二端207b的形状为凹凸形状,因此布置在第一有机绝缘膜207上且与第一开口OP1对应的第二开口OP2和第三开口OP3也可设置成凹凸形状。
参考图3,在本示例性实施方式中,第一开口OP1的第二端207b的平面形状具有凹凸结构,并且第一开口OP1的第一端207a的平面形状可以以简单的线性形状代替凹凸结构而形成。然而,虽然未示出,但是在另一示例性实施方式中,第一开口OP1的第一端207a的平面形状也可以以与第一开口OP1的第二端207b相似的凹凸结构形成。
如上所述,在显示设备中,布置在衬底100上的第一有机绝缘膜207在非显示区域NDA中具有在第一方向(+X方向)上延伸的第一开口OP1。封装单元260覆盖第一开口OP1的一端以保护显示单元200免受外部湿气的影响。在这种情况下,因第一开口OP1的外周中非显示区域NDA中的压力而引起第一有机绝缘膜207下方的无机绝缘膜205'中产生裂缝,这可导致诸如位于第一开口OP1和第一开口OP1的外周中的数据布线的腐蚀的缺陷。此外,第一开口OP1的外周处的压力很可能因第一开口OP1的一端处的台阶而集中。无机绝缘膜205'的裂缝基本上在相应部分处产生,并且数据布线中的缺陷率增加。
在根据示例性实施方式的显示设备中,第一有机绝缘膜207的第一开口OP1的一端的平面形状以凹凸形状设置以使因第一开口OP1的一端处的台阶引起的集中的压力分散。因此,可防止或基本上防止在相应部分中第一有机绝缘膜207下方的无机绝缘膜205'中产生裂缝,并且可实现具有改善的可靠性的显示设备。
图5是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图6是沿着线C-C'截取的图5的显示设备的剖视图。
图5和图6的示例性实施方式大体上与以上描述的图3和图4的示例性实施方式类似。然而,如图6中所示,根据第二有机绝缘膜208和第三有机绝缘膜209的布置,截面的形状存在一些差异。参考上述示例性实施方式对图5和图6进行描述,并且为了便于描述,省略对其进行重复描述。
参考图5和图6,在根据本示例性实施方式的显示设备中,第二有机绝缘膜208可设置成覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,其中第一有机绝缘膜207的第二端207b是指限定第一开口OP1的第二端207b的端。因此,第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,并且可接触无机绝缘膜205'的一部分。
此外,第三有机绝缘膜209可布置在第二有机绝缘膜208上。在实施方式中,第二有机绝缘膜208的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端208b和第三有机绝缘膜209的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端209b可彼此重合。第二有机绝缘膜208的一端208b和第三有机绝缘膜209的一端209b彼此重合可以被理解成第三有机绝缘膜209被设置成不覆盖第二有机绝缘膜208的一端208b。
如上所述,由于布置在第一有机绝缘膜207上的第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,因此集中在第二端207b上的压力可被分散。即,可提供通过如图6中所示的阶梯式台阶来减缓开口OP的台阶部分的斜率的效果,从而实现台阶部分的压力分散效果。
图7是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图8是沿着线D-D'截取的图7的显示设备的剖视图。
图7和图8的示例性实施方式大体上与以上描述的图5和图6的示例性实施方式类似。然而,如图8中所示,根据第三有机绝缘膜209的布置,截面的形状存在一些差异。参考上述示例性实施方式对图7和图8进行描述,并且为了便于描述,省略对其进行重复描述。
参考图7和图8,在根据本示例性实施方式的显示设备中,第二有机绝缘膜208可设置成覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b。因此,第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,并且可接触无机绝缘膜205'的一部分。
此外,第三有机绝缘膜209可布置在第二有机绝缘膜208上。此处,第二有机绝缘膜208的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端208b和第三有机绝缘膜209的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端209b可不彼此重合。即,如图8中所示,第三有机绝缘膜209可仅布置在第二有机绝缘膜208上。因此,仅第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,并且第三有机绝缘膜209可不覆盖第二有机绝缘膜208的一端208b。第三有机绝缘膜209的第三开口OP3的宽度可大于第一有机绝缘膜207的第一开口OP1的宽度。
在根据本示例性实施方式的显示设备中,与以上描述的图5和图6中示出的示例性实施方式相比,开口OP的台阶部分的阶梯式结构可更清楚地实现。即,由于第三有机绝缘膜209比第二端207b更向内形成,开口OP的台阶部分可具有更平缓的斜率。可提供通过这种阶梯式台阶来减缓开口OP的台阶部分的斜率的效果,从而实现台阶部分的压力分散效果。
图9是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图10是沿着线E-E'截取的图9的显示设备的剖视图。
图9和图10的示例性实施方式大体上与以上描述的图5和图6的示例性实施方式类似。然而,如图9中所示,平面形状存在一些差异。参考上述示例性实施方式对图9和图10进行描述,并且为了便于描述,省略对其进行重复描述。
参考图9和图10,在根据本示例性实施方式的显示设备中,第一开口OP1的第二端207b的平面形状具有凹凸形状,并且所述凹凸形状可具有拐角在其中以大致直角形成的结构。在以上描述的图5和图7的示例性实施方式中,第二端207b的凹凸形状可以形成为梯形在其中重复的形状,但是,如图9中所示,根据本示例性实施方式的第二端207b的凹凸形状可以形成为矩形在其中重复的形状。
除了以上描述的图9的第二端207b的凹凸形状之外,根据本示例性实施方式的第二端207b的凹凸形状可与图6的第二端207b的凹凸形状相同,并且以上参考图6给出的描述也适用。
在本示例性实施方式中,第二有机绝缘膜208可设置成覆盖第二端207b并接触无机绝缘膜205'的一部分。此外,第三有机绝缘膜209可布置在第二有机绝缘膜208上。此处,第二有机绝缘膜208的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端208b和第三有机绝缘膜209的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端209b可彼此重合。
如上所述,由于布置在第一有机绝缘膜207上的第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,因此集中在第二端207b上的压力可被分散。即,可提供通过如图10中示出的阶梯式台阶来减缓开口OP的台阶部分的斜率的效果,从而实现台阶部分的压力分散效果。
图11是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图12是沿着线F-F'截取的图11的显示设备的剖视图。
图11和图12的示例性实施方式大体上与以上描述的图7和图8的示例性实施方式类似。然而,如图11中所示,平面形状存在一些差异。参考上述示例性实施方式对图11和图12进行描述,并且为了便于描述,省略对其进行重复描述。
参考图11和图12,在根据本示例性实施方式的显示设备中,第一开口OP1的第二端207b的平面形状具有凹凸形状,并且所述凹凸形状可具有拐角在其中以大致直角形成的结构。在以上描述的图5和图7的示例性实施方式中,第二端207b的凹凸形状可以形成为梯形在其中重复的形状,但是,如图11中所示,根据本示例性实施方式的第二端207b的凹凸形状可以形成为矩形在其中重复的形状。
在根据本示例性实施方式的显示设备中,第二有机绝缘膜208可设置成覆盖第二端207b并接触无机绝缘膜205'的一部分。
此外,第三有机绝缘膜209可布置在第二有机绝缘膜208上。此处,第二有机绝缘膜208的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端208b和第三有机绝缘膜209的与第一有机绝缘膜207的第二端207b对应的一端209b可不彼此重合。即,如图12中所示,第三有机绝缘膜209可仅布置在第二有机绝缘膜208上。因此,仅第二有机绝缘膜208覆盖第一有机绝缘膜207的第二端207b,并且第三有机绝缘膜209可不覆盖第二有机绝缘膜208的一端208b。第三有机绝缘膜209的第三开口OP3的宽度可大于第一有机绝缘膜207的第一开口OP1的宽度。
在根据本示例性实施方式的显示设备中,与以上描述的图9和图10中示出的示例性实施方式相比,开口OP的台阶部分的阶梯式结构可更清楚地实现。即,由于第三有机绝缘膜209比第二端207b更向内形成,开口OP的台阶部分可具有更平缓的斜率。可提供通过这种阶梯式台阶来减缓开口OP的台阶部分的斜率的效果,从而实现台阶部分的压力分散效果。
参考图11,与第一有机绝缘膜207的第二端207b和第二有机绝缘膜208的一端208b不同,第三有机绝缘膜209的一端209b可以以直线形状形成。可以理解的是,由于设计,第三有机绝缘膜209的一端209b的直线形状可由第二端207b的凹凸形状的宽度引起。在另一示例性实施方式中,当充分地确保了第二端207b的凹凸形状的宽度时,第三有机绝缘膜209的一端209b的形状可设置成与第二端207b相似的凹凸形状。
在本文中,将描述图13至图20的示例性实施方式。除了在第一有机绝缘膜207与第二有机绝缘膜208之间另外布置第四有机绝缘膜210之外,以下描述的图13至图20的示例性实施方式大体上与以上描述的图5至图12的示例性实施方式类似。参考上述示例性实施方式对图13至图20进行描述,并且为了便于描述,省略对其进行重复描述。
图13是根据另一示例性实施方式的显示设备的一部分的平面图;以及图14是沿着线G-G'截取的图13的显示设备的剖视图。
参考图13和图14,根据本示例性实施方式的显示设备可包括布置在无机绝缘膜205'上的第一有机绝缘膜207、布置在第一有机绝缘膜207上的第二有机绝缘膜208、布置在第二有机绝缘膜208上的第三有机绝缘膜209以及布置在第一有机绝缘膜207与第二有机绝缘膜208之间的第四有机绝缘膜210。如以上在图2中所描述的,第二有机绝缘膜208可被认为是像素限定层,以及第三有机绝缘膜209可被认为是间隔件。在本示例性实施方式中,第一有机绝缘膜207可被认为是第一通孔层,以及第二有机绝缘膜208可被认为是第二通孔层。
如图13中所示,第四有机绝缘膜210可具有与第一有机绝缘膜207的第一开口OP1对应的第四开口OP4,以及第四开口OP4的与第一开口OP1的第二端207b对应的一端210b也可在平面图中具有凹凸形状。
在示例性实施方式中,如图13中所示,这种凹凸形状可以形成为具有倾斜拐角的梯形在其中重复的形状。在另一示例性实施方式中,如图17或图19中所示,这种凹凸形状可以形成为具有直角拐角的矩形在其中重复的形状。以上描述的图17的示例性实施方式与图13的示例性实施方式在第一平面(X-Y平面)中的形状上不同,但它们的截面形状可以是相同的。此外,图19的示例性实施方式与图15的示例性实施方式在第一平面(X-Y平面)中的形状上不同,但是截面形状可以是相同的。
在一个或多个实施方式中,根据本示例性实施方式的第一有机绝缘膜207的第二端207b和第四有机绝缘膜210的一端210b可彼此重合。第二有机绝缘膜208可设置成覆盖第二端207b和第四有机绝缘膜210的与第二端207b对应的一端210b。因此,第二有机绝缘膜208的至少一部分可直接地接触通过第一开口OP1暴露的无机绝缘膜205'的至少一部分。此外,在本示例性实施方式中,第三有机绝缘膜209的一端209b可与第二有机绝缘膜208的一端208b重合。即,第三有机绝缘膜209可仅形成在第二有机绝缘膜208上以不覆盖第二有机绝缘膜208的一端208b。
参考图15和图16,在另一实施方式中,除了第三有机绝缘膜209不覆盖第二有机绝缘膜208的一端208b且第三有机绝缘膜209的一端209b与第二有机绝缘膜208的一端208b不彼此重合之外,第一有机绝缘膜207、第二有机绝缘膜208和第四有机绝缘膜210的结构与以上描述的图13和图14的第一有机绝缘膜207、第二有机绝缘膜208和第四有机绝缘膜210的结构相同。参考图16,根据本示例性实施方式的第三有机绝缘膜209的一端209b可布置成比第一有机绝缘膜207的第二端207b更向内。参考图15,第三有机绝缘膜209可具有第三开口OP3,并且第三开口OP3的宽度可大于第一开口OP1的宽度。
根据如上所述的本公开的示例性实施方式,可以实现能够保证长寿命并最小化或减少在制造过程期间诸如断开的缺陷发生的显示设备。然而,本公开的范围不限于上述方面。
将理解的是,本文描述的示例性实施方式应仅以描述性意义理解而不是出于限制的目的。每个示例性实施方式中的特征或方面的描述应通常被认为可用于其它示例性实施方式中的其它类似的特征或方面。
虽然已参考附图描述了一些示例性实施方式,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不偏离由所附权利要求阐述的精神和范围的情况下,可在形式和细节上对这些示例性实施方式作出多种改变。
Claims (20)
1.显示设备,包括:
衬底,包括显示区域和位于所述显示区域外部的非显示区域;
显示单元,布置在所述衬底的所述显示区域中;
无机绝缘膜,在所述显示区域和所述非显示区域之上布置在所述衬底上;
第一有机绝缘膜,布置在所述无机绝缘膜上并且具有在第一方向上延伸以与所述非显示区域的至少一部分对应的第一开口,其中,所述第一开口的端的平面形状具有凹凸形状;以及
封装单元,布置在所述显示单元上以覆盖所述显示单元。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一开口具有与所述显示区域相邻且在所述第一方向上延伸的第一端和与所述第一端面对的第二端,其中,所述第二端的平面形状具有所述凹凸形状。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二端具有交替地且连续地布置的突出部和凹陷部,其中所述突出部或所述凹陷部在与所述第一方向交叉的第二方向上突出或凹陷。
4.根据权利要求3所述的显示设备,其中,从所述突出部到所述第一端的距离小于从所述凹陷部到所述第一端的距离。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述封装单元配置成覆盖所述第一开口的所述第一端。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一开口配置成暴露所述无机绝缘膜的第一区域,并且所述封装单元配置成直接接触所述第一区域的至少一部分。
7.根据权利要求2所述的显示设备,还包括第二有机绝缘膜,所述第二有机绝缘膜布置在所述第一有机绝缘膜上并且具有与所述第一开口对应的第二开口,其中,所述第二开口的与所述第一有机绝缘膜的第二端对应的端的形状遵循所述第一有机绝缘膜的所述第二端的形状,所述第一有机绝缘膜的所述第二端限定所述第一开口的所述第二端。
8.根据权利要求7所述的显示设备,其中,所述第二有机绝缘膜配置成覆盖所述第一有机绝缘膜的所述第二端。
9.根据权利要求7所述的显示设备,还包括第三有机绝缘膜,所述第三有机绝缘膜布置在所述第二有机绝缘膜上并且具有与所述第二开口对应的第三开口,其中,所述第三开口的与所述第一有机绝缘膜的所述第二端对应的端的形状遵循所述第一有机绝缘膜的所述第二端的所述形状。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述第三有机绝缘膜的端与所述第二有机绝缘膜的端重合。
11.根据权利要求9所述的显示设备,其中,所述第三有机绝缘膜的所述第三开口的宽度大于所述第一有机绝缘膜的所述第一开口的宽度。
12.根据权利要求9所述的显示设备,还包括第四有机绝缘膜,所述第四有机绝缘膜位于所述第一有机绝缘膜与所述第二有机绝缘膜之间并且具有与所述第一开口对应的第四开口。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第四有机绝缘膜的端与所述第一有机绝缘膜的所述第二端重合。
14.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第二有机绝缘膜配置成覆盖所述第一有机绝缘膜的所述第二端和所述第四有机绝缘膜的端。
15.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第三有机绝缘膜的端与所述第二有机绝缘膜的端重合。
16.根据权利要求12所述的显示设备,其中,所述第三有机绝缘膜的所述第三开口的宽度大于所述第一有机绝缘膜的所述第一开口的宽度。
17.根据权利要求9所述的显示设备,其中,
所述显示单元包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的像素电极,以及
所述第一有机绝缘膜配置成覆盖所述薄膜晶体管并且位于所述薄膜晶体管与所述像素电极之间。
18.根据权利要求17所述的显示设备,其中,所述第二有机绝缘膜配置成覆盖所述像素电极的边缘以限定像素区域。
19.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第二端的斜率比所述第一端的斜率平缓。
20.显示设备,包括:
衬底,包括显示区域和位于所述显示区域外部的非显示区域;
无机绝缘单元,包括在所述显示区域和所述非显示区域之上布置在所述衬底上的至少一个无机绝缘膜;以及
有机绝缘单元,布置在所述无机绝缘单元上并且包括至少一个有机绝缘膜并且具有在第一方向上延伸以与所述非显示区域的至少一部分对应的开口,其中,
所述开口具有与所述显示区域相邻并且在所述第一方向上延伸的第一端和与所述第一端面对的第二端,其中,所述第二端具有在与所述第一方向交叉的第二方向上交替地且连续地布置的突出部和凹陷部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0097813 | 2017-08-01 | ||
KR1020170097813A KR102370356B1 (ko) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 디스플레이 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109326625A true CN109326625A (zh) | 2019-02-12 |
CN109326625B CN109326625B (zh) | 2023-05-09 |
Family
ID=65229875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810413874.8A Active CN109326625B (zh) | 2017-08-01 | 2018-05-03 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10312469B2 (zh) |
KR (1) | KR102370356B1 (zh) |
CN (1) | CN109326625B (zh) |
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- 2018-01-05 US US15/863,745 patent/US10312469B2/en active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |