TWI758790B - 具有觸控電極之顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
本揭露提出一種顯示裝置。顯示裝置包括在封裝元件上之觸控電極。每一觸控電極可以連接至以一方向延伸的第一觸控線，且第二觸控線以與第一觸控線相反的方向延伸。每一觸控電極可以透過多個第一觸控線其中一者連接至多個觸控板其中一者。第二觸控線可以包括在封裝元件上的一端。因此，在顯示裝置中，可以提高使用者或工具的觸控的可靠性。
Description
本發明關於一種觸控電極設置在覆蓋發光裝置的封裝元件上的顯示裝置。
一般而言，如螢幕、電視、筆記型電腦及數位相機等電器包含顯示裝置以呈現影像。舉例來說，顯示裝置可包含至少一發光裝置。發光裝置可發出呈現特定顏色的光。舉例來說，發光裝置可包含在第一電極及第二電極之間的發光層。
顯示裝置可偵測使用者/或工具的觸控，以執行一般的程式或輸入特定訊號。舉例來說，顯示裝置可包含觸控電極。觸控電極可設置在覆蓋發光裝置的封裝層上。每一觸控電極可以透過沿著封裝元件的一表面延伸的多個觸控線其中一者連接至對應的觸控板。觸控板可設置在封裝元件之外。
然而，在顯示裝置中，每一觸控線依據其對應的觸控電極之位置可以有不同的長度。每一觸控線引起的寄生電容可以與對應觸控線的長度成比例。也就是說，在顯示裝置中，每一觸控線可以具有與其他觸控線不同的寄生電容。每一觸控電極的寄生電容將影響對應的觸控電極的觸控靈敏度。因此，在顯示裝置中，使用者及/或工具的觸控的可靠性降低。
因此，本發明提出一種顯示裝置，其基本上消除了由於現有技術的限制及缺點而引起的一個或多個問題。
本發明的目的是提供一種顯示裝置，其能夠提高使用者及/或工具的觸控的可靠性。
本發明的另一目的是提供一種顯示裝置，其能夠避免依據觸控電極的位置引起的寄生電容的差異。
本發明的其他優點，目的及特徵之部分將在以下描述中闡述，且部分在本領域普通技術人員審閱以下內容或從本發明的實現中習得後變得顯而易見。本發明的目的及其他優點可藉由書面說明及其請求項以及附圖中特別指出的結構來實現及獲得。
為了實現這些目的及其他優點，並且根據本發明的目標，如本文所實施及廣泛描述的，依據本發明一實施例提供一種具有一裝置基板的一顯示裝置。至少一發光裝置，一封裝元件及多個第一觸控板設置在裝置基板上。封裝元件覆蓋發光裝置。第一觸控板與封裝元件隔開。觸控電極設置在封裝元件上。每一觸控電極連接至一第一觸控線及一第二觸控線。第一觸控線將每一觸控電極連接至多個第一觸控板其中一者。第一觸控線以第一方向延伸。第二觸控線相對於對應的該觸控電極以與第一觸控線相反的方向延伸。
第一觸控線的一長度及第二觸控線的一長度的一總和是恆定的，且第一觸控線及第二觸控線連接至相同的觸控電極。
第二觸控線包括與第一觸控線相同的材料。
第一觸控線包括與觸控電極相同的材料。
第一觸控線及第二觸控線被設置與觸控電極相同的層上。
每一第一觸控線及每一第二觸控線與在以第一方向延伸的對應的觸控電極的一側面接觸。
至少一顯示板設置在裝置基板上。顯示板連接至發光裝置。顯示板以與第一方向垂直的一第二方向與第一觸控線並排設置。
顯示板包含相異於第一觸控線的材料。
每一觸控電極藉由第二觸控線其中一者連接至多個第二觸控板其中一者。第二觸控板設置在封裝元件上。
第二觸控板包含與第二觸控線相同的材料。
第二觸控線及第二觸控板被一觸控鈍化層覆蓋。
觸控鈍化層包括暴露每一第二觸控板一部分的多個觸控板孔。
在另一實施例中，顯示裝置包括裝置基板。裝置基板包括在第一板區及輔助區之間的顯示區。至少一發光裝置設置在裝置基板的顯示區上。封裝元件覆蓋發光裝置。封裝元件延伸超過顯示區。多個觸控電極設置在封裝元件上。觸控電極與顯示區重疊。每一觸控電極連接至一第一觸控線及一第二觸控線。第一觸控線將對應的觸控電極連接至設置在第一板區的多個觸控板其中一者。第二觸控線包括在輔助區的一端。第一板區設置在封裝元件之外。輔助區與封裝元件重疊。
裝置基板更包括第二板區。至少一顯示板設置在第二板區。顯示板連接至發光裝置。第二板區設置在封裝元件之外。
輔助區設置在顯示區及第二板區之間。
第一觸控線包括相異於觸控電極的材料。
第二觸控線包括與第一觸控線相同的材料。
觸控電極設置在觸控絕緣層上。觸控絕緣層覆蓋第一觸控線及第二觸控線。
觸控絕緣層包括多個觸控貫孔。每一觸控貫孔重疊於多個觸控電極其中一者。
每一第二觸控線接觸對應的第一觸控線。
在下文中，藉由以下詳細的描述及繪示本發明一些實施例的附圖，本發明的實施例中關於上述目的、技術配置及操作效果的細節將被清楚地理解。在此，提供本發明的實施例是為了使本發明的技術精神足以轉移給本領域技術人員，因此本發明可以用其他形式實施，且不限於如下描述的實施例。
另外，相同或極度相似的元件可在說明書中採用相同的標號，且為了方便起見，在附圖中可放大分層及區域的長度及厚度。應理解的是，當第一元件被稱為在第二元件「上」時，儘管第一元件可以設置在第二元件上以和第二元件接觸，但是可在第一元件及第二元件之間插入第三元件。
在此，例如「第一」及「第二」等術語可用於區分一個元件及另一個元件，並且不定義任何順序。然而，依據本領域技術人員的方便，在不脫離本發明的技術精神的情況下，可以任意地命名第一元件及第二元件。
在本發明的說明書中使用的術語僅是為了描述特定實施例而使用，而非用於限制本發明的範圍。舉例來說，除非上下文另外明確指出，否則以單數形式描述的元件可包括多個元件。另外，在本發明的說明書中，將進一步理解術語「包括」及「包含」明確指出所述的特徵、數值、步驟、操作、元件、組件及/或其組合的存在，但是不排除一或多個其他特徵、數值、步驟、操作、元件、組件及/或其組合的存在或新增。
除非另外定義，否則本文使用的所有術語（包括技術及科學術語）具有和範例實施例所屬領域的通常知識者一般理解相同的含義。
更應理解的是，例如那些定義在通用字典中的術語應被解釋為具有與其在相關技術的上下文中的含義一致的含義，並且不應以理想化或過於正式的含義來解釋，除非在此明確地定義。
實施例
圖1是依據本發明一實施例示意地示出顯示裝置的圖。圖2A是沿圖1的I-I’剖面線截取的視圖。圖2B是沿圖1的II-II’剖面線截取的視圖。圖2C是沿圖1的III-III’剖面線截取的視圖。依據本發明所有實施例的顯示裝置的所有元件被可操作地耦接及配置。
參考圖1及圖2A至圖2C，依據本發明實施例的顯示裝置可以包含裝置基板100。裝置基板100可包含絕緣材料。舉例來說，裝置基板可以包含玻璃或塑膠。
裝置基板100可包含顯示區AA及邊框區（bezel area）NA。邊框區NA可以設置在顯示區AA之外。舉例來說，顯示區AA可以被邊框區NA所環繞。
至少一發光裝置300可以設置在裝置基板100的顯示區AA上。發光裝置300可以發出顯示特定顏色的光。舉例來說，發光裝置300可以包含循序堆疊的第一電極310、發光層320及第二電極330。
第一電極310可以包含導電材料。第一電極310可以具有相對高的反射率（reflectance）。第一電極310可以具有多層結構。舉例來說，第一電極310可以具有反射電極設置在透明電極之間的結構，其中反射電極例如由鋁（Al）和銀（Ag）等金屬所形成，透明電極例如由氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）和氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）等透明導電材料所形成。
發光層320可以產生具有對應於第一電極310及第二電極330之間電壓差的亮度的光。舉例來說，發光層320可以包含具有發光材料的發光材料層（emission material layer，EML）。發光材料可以包含有機材料。舉例來說，依據本發明實施例的顯示裝置可以是具有由有機材料形成的發光層320的有機發光顯示裝置。
發光層320可以具有多層結構。舉例來說，發光層320可以更包含電洞注入層（hole injection layer，HIL）、電洞傳輸層（hole transporting layer，HTL）、電子傳輸層（electron transporting layer，ETL）及電子注入層（electron injection layer，EIL）的至少其中之一。
第二電極330可以包含導電材料。第二電極330可以包含相異於第一電極310的材料。舉例來說，第二電極330可以是由例如ITO及IZO等透明導電材料所形成的透明電極。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，從每一發光層320產生的光可以透過第二電極330發射至外部。
驅動電路可以設置在裝置基板100及發光裝置300之間。驅動電路可以依據閘極訊號及資料訊號施加驅動電流至發光裝置300。舉例來說，驅動電路包含至少一薄膜電晶體210及一儲存電容器230
薄膜電晶體210可以藉由閘極訊號及資料訊號產生驅動電流。舉例來說，薄膜電晶體210可以包含半導體圖案（semiconductor pattern）211、閘極絕緣層212、閘極電極213、源極電極214、汲極電極215、第一層間絕緣層（first interlayer insulating layer）216以及第二層間絕緣層217。
半導體圖案211可以設置鄰近於裝置基板100，半導體圖案211可以包含半導體材料。舉例來說，半導體圖案211可包含非晶矽或多晶矽。半導體圖案211可為氧化半導體。舉例來說，半導體圖案211包含氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO）。
半導體圖案211包含在源極區及汲極區之間的通道區。源極區及汲極區可以具有低於通道區的電阻。舉例來說，通道區可以具有低於源極區及汲極區的雜質濃度。
閘極絕緣層212可以設置在半導體圖案211上。閘極絕緣層212可以延伸超過半導體圖案211。舉例來說，半導體圖案211的側面可以被閘極絕緣層212覆蓋。閘極絕緣層212可以包含絕緣材料。舉例來說，閘極絕緣層212可以包含氧化矽（SiO）及/或氮化矽（SiN）。閘極絕緣層212可以包括高K材料。舉例來說，閘極絕緣層212可以包括氧化鈦（TiO）。閘柵極絕緣層212可以具有多層結構。
閘極電極213可以設置在閘極絕緣層212上。閘極電極213可以重疊半導體圖案211的通道區。閘極電極213可以藉由閘極絕緣層212而絕緣於半導體圖案層211。閘極電極213可以包含導電材料。舉例來說，閘極電極213包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。
源極電極214可以電性連接至半導體圖案211的源極區。汲極電極215可以電性連接至半導體圖案211的汲極區。源極電極214及汲極電極215可以透過第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217而絕緣於閘極電極213。舉例來說，第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以循序地堆疊在閘極電極213上，且源極電極214及汲極電極215可以設置在第二層間絕緣層217上。第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以包含暴露半導體圖案211的源極區的源極接觸孔（source contact hole）以及暴露半導體圖案211的汲極區的汲極接觸孔（drain contact hole）。
第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以包含絕緣材料。舉例來說，第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以包含氧化矽（SiO）或氮化矽（SiN）。第二層間絕緣層217可以包含相異於第一層間絕緣層216的材料。舉例來說，第一層間絕緣層216可以包含氧化矽（SiO）且第二層間絕緣層217包含氮化矽（SiN）。
源極電極214可以透過源極接觸孔電性連接至半導體圖案211的源極區。舉例來說，源極電極214可以包含重疊於半導體圖案211的源極區的一部分。汲極電極215可以透過汲極接觸孔電性連接至半導體圖案211的汲極區。舉例來說，汲極電極215可以包含重疊於半導體圖案211的汲極區的一部分。汲極電極215可以與源極電極214間隔開。
源極電極214及汲極電極215可以包含導電材料。舉例來說，源極電極214及汲極電極215可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。汲極電極215可以包含與源極電極214相同的材料。源極電極214及汲極電極215可以包含相異於閘極電極213的材料。
儲存電容器230可以將薄膜電晶體210的操作維持一個訊框（frame）。儲存電容器230可以包含至少二導電層231、232、233及234。舉例來說，儲存電容器230可以包含循序堆疊的第一儲存電極231、第二儲存電極232、第三儲存電極233及第四儲存電極234。
儲存電容器230可以與薄膜電晶體210同時形成。舉例來說，第一儲存電極231可以與半導體圖案211設置在相同的層。第二儲存電極232可以與閘極電極213設置在相同的層。舉例來說，第二儲存電極232可以設置在閘極絕緣層212上。第三儲存電極233可以設置在第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217之間。第四儲存電極234可以設置在第二層間絕緣層217上。舉例來說，第四儲存電極234可以與源極電極214及汲極電極215設置在相同的層。
第一儲存電極231可以包含與半導體圖案211相同的材料。第二儲存電極232、第三儲存電極233及第四儲存電極234可以包含導電材料。舉例來說，第二儲存電極232、第三儲存電極233及第四儲存電極234可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。第二儲存電極232可以包含與閘極電極213相同的材料。第四儲存電極234可以包含與源極電極214及汲極電極215相同的材料。第三儲存電極233可以包含相異於第四儲存電極234的材料。
緩衝層110可以設置在裝置基板100及驅動電路之間。緩衝層110可以避免在形成驅動電路的製程中來自裝置基板100的污染。緩衝層110可以延伸至驅動電路之外。舉例來說，緩衝層110可以延伸到邊框區NA上。閘極絕緣層212、第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以沿緩衝層110延伸。舉例來說，緩衝層110、閘極絕緣層212、第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217可以循序地堆疊在裝置基板100的邊框區NA上。
緩衝層110可以包含絕緣材料。舉例來說，緩衝層110可以包含氧化矽（SiO）及/或氮化矽（SiN）。緩衝層110可以具有多層結構。舉例來說，緩衝層110可以具有由氧化矽（SiO）形成的層及由氮化矽（SiN）形成的層的堆疊結構。
覆蓋層（over-coat layer）120可以設置在驅動電路及發光裝置300之間。覆蓋層120可以消除由於驅動電路引起的厚度差。舉例來說，朝向發光裝置300的覆蓋層120的表面可以為平面。覆蓋層120可以包含絕緣材料。舉例來說，覆蓋層120可以包含有機絕緣材料。覆蓋層120可以包含暴露薄膜電晶體210一部分的電極接觸孔。舉例來說，覆蓋層120可以暴露汲極電極215的一部分。發光裝置300可以透過電極接觸孔電性連接至薄膜電晶體210。舉例來說，第一電極310可以在電極接觸孔與汲極電極215直接接觸。
堤絕緣層（bank insulating layer）130可以設置在覆蓋層120上。堤絕緣層130可以獨立地控制發光裝置300的操作。舉例來說，堤絕緣層130可以覆蓋第一電極310的一邊緣。堤絕緣層130可以包含絕緣材料。舉例來說，堤絕緣層130可以包含有機絕緣材料。堤絕緣層130可以包含相異於覆蓋層120的材料。發光層320及第二電極330可以循序地堆疊在被堤絕緣層130暴露的第一電極310的一部分上。
發光層320可以包含在堤絕緣層130上的一端。舉例來說，可以使用精細金屬遮罩（fine metal mask，FMM）形成發光層320。間隔物（spacer）140可以設置在堤絕緣層130上。間隔物140可以避免在形成發光層320的製程中精細金屬遮罩對堤絕緣層130的損壞。第二電極330可以延伸到堤絕緣層130及間隔物140上。第二電極330可以延伸到邊框區NA上。覆蓋層120的側面、堤絕緣層130的側面及間隔物140的側面可以被邊框區NA上的第二電極330覆蓋。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可以防止外部濕氣透過覆蓋層120，堤絕緣層130及/或間隔物140滲透。
一共電壓供應線（common voltage supply line）350可以設置在裝置基板100的邊框區NA上。共電壓供應線350可以連接至第二電極330。舉例來說，第二電極330可以在覆蓋層120的外部直接接觸共電壓供應線350。共電壓供應線350可以包含導電材料。共電壓供應線350相較於第二電極330可以具有較高的導電性。舉例來說，共電壓供應線350可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，藉由共電壓供應線350可防止由於第二電極330的電阻引起的亮度變化。
共電壓供應線350可以設置在第二層間絕緣層217上。覆蓋層120可以覆蓋共電壓供應線350的一端。舉例來說，共電壓供應線350可以包含與源極電極214及汲極電極215相同的材料。
封裝元件400可以設置在發光裝置300、堤絕緣層130及間隔物140上。封裝元件400可避免外部濕氣及衝擊引起發光裝置300的損壞。封裝元件400可以具有多層結構。舉例來說，封裝元件400可以包含循序堆疊的第一封裝層410、第二封裝層420及第三封裝層430。第一封裝層410、第二封裝層420及第三封裝層430可以包含絕緣材料。第二封裝層420可以包含相異於第一封裝層410及第三封裝層430的材料。舉例來說，第一封裝層410及第三封裝層430可以包含無機絕緣材料，且第二封裝層420可以包含有機絕緣材料。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，封裝元件400可以消除發光裝置300、堤絕緣層130及間隔物140引起的厚度差。
封裝元件400可以延伸超過顯示區AA。舉例來說，封裝元件400可以包含重疊於裝置基板100的邊框區NA的一部分。至少一壩（dam）800可以設置在共電壓供應線350上。舉例來說，第一壩810及第二壩可以並排設置在共電壓供應線350的背向裝置基板100的表面上。第二電極330可以連接至在覆蓋層120及第一壩810之間的共電壓供應線350。壩800可以控制封裝元件400的流動（flow）。舉例來說，以有機材料形成的第二封裝層420可以包含在覆蓋層120及第一壩810之間的側面。以無機材料形成的第三封裝層430可以覆蓋第一壩810及第二壩820。
第一壩810及第二壩820可以包含絕緣材料。第一壩810及第二壩820可以具有多層結構。舉例來說，第二壩820可以包含循序堆疊的第一壩圖案821、第二壩圖案822及第三壩圖案823。第一壩圖案821、第二壩圖案822及第三壩圖案823的每一者可以與裝置基板100及封裝元件400之間的絕緣層其中一者同時形成。舉例來說，第一壩圖案821可以包含與覆蓋層120相同的材料，第二壩圖案822可以包含與堤絕緣層130相同的材料，以及第三壩圖案823可以包含與間隔物140相同的材料。第一壩810可以具有與第二壩820相同的結構。
觸控電極510可以設置在封裝元件400上。觸控電極510可以偵測使用者及/或工具的觸碰。觸控電極510可以設置在顯示區AA上。舉例來說，觸控電極510可以以矩陣形式排列在顯示區AA上。觸控電極510可以包含導電材料。舉例來說，觸控電極510可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、矽（Mo）及鎢（W）等金屬。觸控電極510可以不重疊於發光裝置300。舉例來說，觸控電極510可以重疊於堤絕緣層130。
每一觸控電極510可以連接至第一觸控線520及第二觸控線530。每一第一觸控線520可以將對應的觸控電極510連接至設置在第一板區TP內的第一觸控板103其中一者。第一板區TP可以設置在邊框區NA內。舉例來說，第一板區TP可以設置在封裝元件400的外部。第一觸控線520可以沿封裝元件400的表面延伸。第一板區TP可以以第一方向Y與顯示區AA並排設置。舉例來說，第一觸控線520可以以第一方向Y延伸。第一觸控板103可以在垂直於第一方向Y的第二方向X上並排設置。舉例來說，第一板區TP可以在第二方向X延伸。每一第一觸控板103與顯示區AA的距離可以是恆定的（Constant）。
第一觸控線520可以包含導電材料。舉例來說，第一觸控線520可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。第一觸控線520可以包含與觸控電極510相同的材料。舉例來說，每一第一觸控線520可以直接接觸對應的觸控電極510。第一觸控線520可以在觸控電極510之間延伸。舉例來說，每一第一觸控訊號520可以接觸以第一方向Y延伸的對應的觸控電極510的側面。也就是說，依據本發明實施例的顯示裝置中可以包含自電容類型（self-capacitance type）觸控結構。第一觸控線520可以設置在與觸控電極510相同的層。舉例來說，觸控電極510及第一觸控線520可以直接接觸封裝元件400。
第二板區DP可以設置在邊框區NA上。第二板區DP可以以第二方向X與第一板區TP並排設置。舉例來說，兩個第一板區TP可以以第二方向X並排設置在邊框區NA，且第二板區DP可以設置在兩個第一板區TP之間。至少一顯示板101可以設置在第二板區DP中。顯示板101可以電性連接至發光裝置300。舉例來說，顯示板101可以電性連接至施加資料訊號至薄膜電晶體210的資料線。
顯示板101可以具有多層結構。舉例來說，顯示板101可以包含循序堆疊的第一板層101a及第二板層101b。第一板層101a可以設置在第一層間絕緣層216及第二層間絕緣層217之間。舉例來說，第一板層101a可以包含與第三儲存電極233相同的材料。第二板層101b可以設置在第二層間絕緣層217上。舉例來說，第二板層101b可以包含與源極電極214及汲極電極215相同的材料。第二層間絕緣層217可以包含暴露第一板層101a一部分的板連接孔（pad connecting hole）。第二板層101b可以透過板連接孔連接至第一板層101a。第一板層101a及/或第二板層101b可以以顯示區AA的內部方向延伸。
第一觸控板103可以設置在相異於顯示板101所在的層。舉例來說，第一觸控板103可以設置在覆蓋層120上。覆蓋層20可以包含暴露顯示板101一部分的至少一顯示板接觸孔123h。第一觸控板103可以包含與第一觸控線520相同的材料。舉例來說，每一第一觸控板103可以直接接觸對應的第一觸控線520。第一觸控板103可以包含相異於第一板層101a及第二板層101b的材料。
每一第二觸控線530可以將對應的觸控電極510連接至設置在輔助區AP中的第二觸控板503的其中一者。輔助區AP可以設置在邊框區NA。輔助區AP可以重疊於封裝元件400。舉例來說，第二觸控板503可以只設置在封裝元件400上。第二觸控線530可以只設置在封裝元件400上。因此，依據本發明實施例的顯示裝置，由第二觸控線530及第二觸控板503增加的邊框區NA的尺寸可最小化。
輔助區AP可以以第一方向Y與顯示區AA並排設置。舉例來說，顯示區AA可以以第一方向Y設置在第一板區TP及輔助區AP之間。第二觸控線530可以以第一方向Y延伸。舉例來說，每一第二觸控線530可以相對於對應的觸控電極510以與對應的第一觸控線520相反的方向延伸。第二觸控板503可以以第二方向X並排設置。舉例來說，輔助區AP可以以第二方向X延伸。每一第二觸控板503及顯示區AA之間的距離可以是恆定的。
每一觸控電極510可以具有藉由對應的第一觸控線520引起的寄生電容，以及藉由對應的第二觸控線530引起的寄生電容。第一板區TP及輔助區AP在第一方向上的距離可以是恆定的。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，觸控電極510相對地以第一方向Y與第一板區TP間隔開。在第一方向Y上與第一板區TP間隔相對遠的觸控電極510可以在第一方向Y上設置得相對地接近輔助區AP。也就是說，在依據本發明實施例的顯示裝置中，每一第二觸控線530的長度可以與連接至對應的觸控電極510的第一觸控線520的長度成反比。舉例來說，在依據本發明實施例的顯示裝置中，連接至相同的觸控電極510的第一觸控線520及第二觸控線530二者的長度的總和可以為相同的值。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，藉由對應的第一觸控線520及對應的第二觸控線530引起的每一個觸控電極510的寄生電容可以為相同的值。
第二觸控線530可以包含導電材料。舉例來說，第二觸控線530可以包含如鋁（Al）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鈦（Ti）、鉬（Mo）及鎢（W）等金屬。第二觸控線530可以包含與第一觸控線520相同的材料。舉例來說，每一第二觸控線530可以直接接觸對應的觸控電極510。第二觸控線530可以在觸控電極510之間延伸。舉例來說，每一第二觸控線530可以直接接觸以第一方向Y延伸的對應的觸控電極510的側面。與對應的第二觸控線530接觸的每一觸控電極510的側面可以相對於與對應的第一觸控線520接觸的觸控電極的側面。舉例來說，每一觸控電極510可以設置在對應的第一觸控線520及對應的第二觸控線530之間。第二觸控線530可以設置在與第一觸控線520相同的層。舉例來說，第二觸控線530可以直接接觸封裝元件400。
第二觸控板503可以包含與第二觸控線530相同的材料。舉例來說，每一第二觸控板503可以直接接觸對應的第二觸控線530。第二觸控板503可以直接接觸封裝元件400。
觸控鈍化層150可以設置在觸控電極510、第一觸控線520及第二觸控線530上。觸控鈍化層150可以避免因外部衝擊及濕氣引起觸控電極510、第一觸控線520及第二觸控線530的損壞。觸控鈍化層150可以包含絕緣材料。
觸控鈍化層150可以包含暴露每一第一觸控板103一部分的第一板孔（pad hole）151h，及重疊於顯示板接觸孔123h的第二板孔152h。觸控鈍化層150可以完整地覆蓋第二觸控板503。舉例來說，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可在非接觸類型的測試流程中使用第二觸控板503。也就是說，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可以在兩個方向施加觸控電極510的用於缺陷檢測的訊號。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可快速地執行用於觸控電極510的檢測流程。並且，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可同時執行用於第一觸控線520的缺陷檢測及用於觸控電極510的缺陷檢測。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可提高檢測流程的效率。
據此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，在封裝元件400上的觸控電極510可以設置在第一觸控板103及第二觸控板503之間，每一觸控電極510可以藉由對應的第一觸控線520連接至第一觸控板103其中一者，且每一觸控電極510可以藉由對應的第二觸控線530連接至第二觸控板其中一者503。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可避免觸控電極510的位置引起的寄生電容的差異。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可提高使用者及/或工具的觸碰的可靠度。
依據本發明實施例的顯示裝置被描述為觸控鈍化層150可以完整地覆蓋第二觸控板503。然而，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，觸控鈍化層150可以暴露每一第二觸控板503的一部分。
舉例來說，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，觸控鈍化層150可以包含暴露每一第二觸控板503的一部分的第三板孔153h，如圖3所示。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可提高觸控電極510及第一觸控線520的缺陷檢測流程中使用的設備的自由度。並且，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可以透過第二觸控板503偵測使用者及/或工具的觸碰。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可提高使用者及/或工具的觸碰的可靠度。
依據本發明實施例的顯示裝置被描述為第二觸控板503可以以第二方向X在輔助區AP並排設置。然而，依據本發明另一實施例的顯示裝置可以不包含第二觸控板503。舉例來說，依據本發明另一實施例的顯示裝置不形成第二觸控板503。舉例來說，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，每一第二觸控線530可以包含設置在輔助區AP的一端，如圖4所示。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，在不改變觸控電極510及第一觸控線520的檢測流程下，可避免觸控電極510的位置引起的寄生電容差異度。也就是說，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可提高測試流程的自由度。
依據本發明實施例的顯示裝置被描述為其中設置顯示板101的第二板區DP可以以第二方向X與第一板區TP並排設置。
然而，依據本發明另一實施例的顯示裝置可以包含在第一方向Y與第一觸控板103並排設置的顯示板101。舉例來說，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，輔助區AP可以設置在其中設置至少一顯示板101的第二板區DP及其中設置至少一發光裝置300的顯示區AA之間，如圖5所示。圖6是沿圖5的IV-IV’剖面線截取的視圖。
顯示板101可以被設置在設置在輔助區AP中的第二觸控板503之外。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可提高顯示板101、第一觸控板103及第二觸控板503的排列的自由度。
依據本發明實施例的顯示裝置被描述為每一觸控電極510與對應的第一觸控線520及對應的第二觸控線530設置在同一層。然而，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，觸控電極510可以與第一觸控線520及第二觸控線530設置在不同層上。舉例來說，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，觸控電極510可以設置在覆蓋觸控線540的觸控絕緣層550上，如圖5及6所示。每一觸控線540可以以第一方向Y延伸。舉例來說，每一觸控線540可以橫跨以第一方向Y並排設置的觸控電極510。觸控絕緣層550可以包含絕緣材料。觸控絕緣層550可以包含重疊於每一觸控電極510的觸控貫孔（touch penerating holes）540h。每一觸控電極510可以透過觸控貫孔540h其中一者連接至對應的觸控線540。觸控線540可以包含相異於觸控電極510的材料。
每一觸控線540可以連接在第一板區TP及輔助區AP之間。舉例來說，每一第一觸控板103藉由對應的觸控線540連接至第二觸控板503其中一者。每一觸控線540可以由第一觸控線540b以及第二觸控線540a組成，其中第一觸控線540b將對應的觸控電極510連接至第一觸控板其中一者，第二觸控線540a將對應的觸控電極510連接至第二觸控板503其中一者。每一第二觸控線540a可以直接接觸對應的第一觸控線540b。舉例來說，每一第二觸控線540a可以包含與對應的第一觸控線540b相同的材料。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，對應的觸控線540引起的每一觸控電極510的寄生電容可以具有相同值。因此，在依據本發明另一實施例的顯示裝置中，可提高形成觸控線540的製程的自由度及觸控電極510的觸控靈敏度。
綜上所述，依據本發明實施例的顯示裝置可以包含在覆蓋發光裝置的封裝元件上的觸控電極，其中每一觸控電極可以連接至第一觸控線以及第二觸控線，其中第二觸控線以相反於第一觸控線的方向延伸。第一觸控線可以將對應的觸控電極連接至第一觸控板其中一者。第二觸控線可以包含設置在封裝元件上的一端。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可減少因第一觸控線的長度差引起的寄生電容差異。也就是說，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可避免觸控電極的位置引起的觸控靈敏度差異。因此，在依據本發明實施例的顯示裝置中，可提高使用者及/或工具的觸碰的可靠度。
100:裝置基板
101:顯示板
101a:第一板層
101b:第二板層
103:第一觸控板
110:緩衝層
120:覆蓋層
123h:顯示板接觸孔
130:堤絕緣層
140:間隔物
150:觸控鈍化層
151h:第一板孔
152h:第二板孔
153h:第三板孔
210:薄膜電晶體
211:半導體圖案
212:閘極絕緣層
213:閘極電極
214:源極電極
215:汲極電極
216:第一層間絕緣層
217:第二層間絕緣層
230:儲存電容器
231:第一儲存電極
232:第二儲存電極
233:第三儲存電極
234:第四儲存電極
300:發光裝置
310:第一電極
320:發光層
330:第二電極
350:共電壓供應線
400:封裝元件
410:第一封裝層
420:第二封裝層
430:第三封裝層
503:第二觸控板
510:觸控電極
520:第一觸控線
530:第二觸控線
540:觸控線
540a:第二觸控線
540b:第一觸控線
540h:觸控貫孔
550:觸控絕緣層
800:壩
810:第一壩
820:第二壩
821:第一壩圖案
822:第二壩圖案
823:第三壩圖案
AP:輔助區
AA:顯示區
NA:邊框區
TP:第一板區
DP:第二板區
I、I’、II、II’、III、III’、IV、IV’:剖面線
提供對本發明的進一步理解的附圖被併入本申請並構成本申請的一部分，附圖繪示本發明的實施例並與說明書一起用於解釋本發明的原理明。在圖式中：
圖1是依據本發明一實施例示意地示出顯示裝置的圖；
圖2A是沿圖1的I-I’剖面線截取的視圖；
圖2B是沿圖1的II-II’剖面線截取的視圖；
圖2C是沿圖1的III-III’剖面線截取的視圖；
圖3至5是依據本發明另一實施例各自示出顯示裝置的圖；以及
圖6是沿圖5的IV-IV’剖面線截取的視圖。
AP:輔助區
AA:顯示區
100:裝置基板
101:顯示板
103:第一觸控板
400:封裝元件
503:第二觸控板
510:觸控電極
520:第一觸控線
530:第二觸控線
I、I’、II、II’、III、III’:剖面線
TP:第一板區
DP:第二板區
Claims (17)
- 一種顯示裝置，包括：至少一發光裝置，在一裝置基板上；一封裝元件，在該裝置基板上，該封裝元件覆蓋該至少一發光裝置；多個觸控電極，在該封裝元件上；多個第一觸控板，在該裝置基板上，該些第一觸控板與該封裝元件隔開；多個第一觸控線，以一第一方向延伸，每一該些觸控電極藉由該些第一觸控線其中一者連接至該些第一觸控板其中一者；以及多個第二觸控線，以該第一方向延伸，該些第二觸控線分別連接至該些觸控電極，其中，每一該些觸控電極連接於該些第一觸控線的其中一者及該些第二觸控線的其中一者，其中，每一該些第二觸控線相對於對應的該觸控電極以與對應的該第一觸控線相反的方向延伸，及其中，每一該些觸控電極的連接於該些第二觸控線的其中一者的一側面係設置為相對於連接於該些第一觸控線的其中一者的對應的觸控電極的另一側面。
- 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第一觸控線的一長度及該第二觸控線的一長度的一總和是恆定的，且該第一觸控線及該第二觸控線連接至相同的該觸控電極。
- 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些第二觸控線包括與該些第一觸控線相同的材料。
- 如請求項3所述的顯示裝置，其中該些第一觸控線包括與觸控電極相同的材料。
- 如請求項3所述的顯示裝置，其中該些第一觸控線及該些第二觸控線被設置在與該些觸控電極相同的層上。
- 如請求項1所述的顯示裝置，更包括至少一顯示板，在該裝置基板上，其中該至少一顯示板連接至該至少一發光裝置，以及其中該至少一顯示板以與該第一方向垂直的一第二方向與該些第一觸控線並排設置。
- 如請求項6所述的顯示裝置，其中該至少一顯示板包含相異於該些第一觸控線的一材料。
- 如請求項1所述的顯示裝置，更包含多個第二觸控板，每一該些第二觸控板藉由該些第二觸控線其中一者連接至每一該些觸控電極，其中該些第二觸控板設置在該封裝元件上。
- 如請求項8所述的顯示裝置，其中該些第二觸控板包含與該些第二觸控線相同的材料。
- 如請求項8所述的顯示裝置，更包括一觸控鈍化層，覆蓋該些第二觸控線及該些第二觸控板，其中該觸控鈍化層包括暴露每一該些第二觸控板一部分的多個觸控板孔。
- 一種顯示裝置，包括：一裝置基板，包括在一第一板區及一輔助區之間的一顯示區；至少一發光裝置，在該裝置基板的該顯示區上；一封裝元件，覆蓋該至少一發光裝置，該封裝元件延伸超過該顯示區；多個觸控電極，在該封裝元件上，該些觸控電極與該顯示區重疊；多個第一觸控線，連接至每一該些觸控電極至設置在該第一板區的多個觸控板其中一者；以及多個第二觸控線，連接至該些觸控電極，每一該些第二觸控線包括在該輔助區的一端，其中該第一板區設置在該封裝元件之外，以及其中該輔助區與該封裝元件重疊。
- 如請求項11所述的顯示裝置，其中該裝置基板更包括一第二板區，連接至該至少一發光裝置的至少一顯示板設置在該第二板區，以及其中該第二板區設置在該封裝元件之外。
- 如請求項12所述的顯示裝置，其中該輔助區設置在該顯示區及該第二板區之間。
- 如請求項12所述的顯示裝置，其中該些第一觸控線包括相異於該觸控電極的材料。
- 如請求項14所述的顯示裝置，其中該些第二觸控線包括與該些第一觸控線相同的材料。
- 如請求項14所述的顯示裝置，其中該些觸控電極設置在覆蓋該些第一觸控線及該些第二觸控線的一觸控絕緣層，以及其中該觸控絕緣層包括重疊於該些觸控電極的多個觸控貫孔。
- 如請求項16所述的顯示裝置，其中每一該些第二觸控線連接至對應的該第一觸控線。
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