CN102456706A - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置，包括：薄膜晶体管，在所述衬底上；以及像素，与所述薄膜晶体管电耦合。所述薄膜晶体管包括：半导体层，在所述衬底上；第一绝缘层，在所述半导体层上，并具有第一接触孔和第二接触孔；源电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触；漏电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触；栅电极，在所述源电极与所述漏电极之间，并具有包括第一传导层和第二传导层的层叠结构；以及第二绝缘层，在所述源电极和所述漏电极之间，并且覆盖所述栅电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2010年10月26日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0104699号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
与需要光源的液晶显示装置不同，有机发光显示装置是自发射式装置，并不需要光源。因此，有机发光显示装置可以具有薄并可由低功率驱动的优势。
由于有机发光显示装置的优势，最近液晶显示装置被有机发光显示装置取代，而且正在进行关于低成本有机发光显示装置的制造方法的研究。
发明内容
相应地，本发明的实施方式用于提供具有改进显示质量的显示装置。
本发明的实施方式还提供制造上述显示装置的方法。
为了实现根据本发明的实施方式的前述内容和/或其它方面，提供了一种显示装置，包括：衬底；薄膜晶体管，在所述衬底上；以及像素，与所述薄膜晶体管电耦合，其中所述薄膜晶体管包括：半导体层，在所述衬底上；第一绝缘层，在所述半导体层上，并具有第一接触孔和第二接触孔；源电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触；漏电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触；栅电极，在所述源电极与所述漏电极之间，并具有包括第一传导层和第二传导层的层叠结构；以及第二绝缘层，在所述源电极和所述漏电极之间，并且覆盖所述栅电极。
所述像素可包括：第一电极，在所述第一绝缘层上，并且与所述漏电极电耦合；有机发光层，在所述第一电极上；以及第二电极，在所述有机发光层上。
所述第一电极可包括：第三传导层；以及第四传导层，在所述第三传导层的端部上，并且与所述漏电极接触，其中所述第一传导层和所述第三传导层包括相同的材料，并且所述第二传导层和所述第四传导层包括与所述第一传导层和所述第三传导层的材料不同的材料。
从所述有机发光层发射出的光线可穿过所述衬底传输。
所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均可与所述第一绝缘层接触，并且可在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
所述第一传导层可包括透明传导材料，并且所述第二传导层可包括金属。
所述第二绝缘层可包围所述栅电极的横向侧和上侧。
所述第二绝缘层可被防止与所述源电极和所述漏电极重叠。
所述源电极和所述漏电极中的每个均可包括多个重叠的传导层。
为了实现本发明实施方式的另一方面，本发明的实施方式提供了如下一种制造显示装置的方法。
该方法包括：在衬底上的薄膜晶体管区形成半导体层；形成第一绝缘层，用于覆盖所述半导体层；在所述第一绝缘层上形成与所述半导体层重叠的栅电极；在所述衬底上的像素区形成第一电极；在所述第一绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，用于暴露所述半导体层；形成第二绝缘层，用于覆盖所述第一绝缘层上的所述栅电极；形成源电极，用于穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触；形成漏电极，用于穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触；在所述第一电极上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成第二电极，其中所述源电极和所述漏电极被所述第二绝缘层隔开。
所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均可与所述第一绝缘层接触，并且可在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
形成栅电极的步骤可包括：在所述第一绝缘层上形成第一保留传导层；在所述第一保留传导层上形成第二保留传导层；通过对所述第一保留传导层进行构图，在所述薄膜晶体管区中形成第一传导层；以及通过对所述第二保留传导层进行构图，在所述薄膜晶体管区中形成第二传导层，其中形成所述像素电极的步骤可包括：通过对所述第一保留传导层进行构图，在所述像素区中形成第三传导层；通过对所述第二保留传导层进行构图，在所述像素区中形成保留传导图案；以及通过去除所述保留传导图案与所述像素区对应的部分，形成第四传导层。
所述第一传导层可包括透明传导材料，所述第二传导层可包括金属，所述第一传导层和所述第三传导层可包括相同的材料，并且所述第二传导层和所述第四传导层可包括与所述第一传导层和所述第三传导层的材料不同的材料。
所述第二绝缘层可包围所述栅电极的横向侧和上侧。
所述第二绝缘层可被防止与所述源电极和所述漏电极重叠。
所述源电极和所述漏电极中的每个均可包括多个重叠的传导层。
根据本发明的实施方式，在像素区形成第一电极时，防止在第一电极周围形成的部件过度蚀刻，以使得部件之间产生的尺寸误差可最小化或者减少。
根据本发明的实施方式，在像素区形成的金属层易于去除，以使穿过像素区提供至外部的光线避免被金属层阻挡。因此，由显示装置提供至外部的光线量增加，从而使显示装置的质量能够改进。
附图说明
附图和说明书说明了本发明的示例性实施方式，并且连同说明书来解释本发明实施方式的各方面。
图1是示出了根据本发明实施方式的显示装置的局部剖视图；
图2是示出了根据本发明另一实施方式的显示装置的局部剖视图；以及
图3至图11是示出了根据本发明的实施方式制造图1中的显示装置的方法的示意图。
具体实施方式
在随后的详细描述中，简单地通过图示，仅示出并描述本发明的某些示例性实施方式。如本领域技术人员应该理解的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改而不偏离本发明的精神或范围。相应地，附图和说明实际上被认为是示例性的，而不是限制的。此外，当一个元件被称为“在”另一个元件“上”时，其可以直接位于另一个元件上或者间接地位于另一个元件上，在它们之间具有一个或多个中间元件。另外，当一个元件被称为“耦合至”或者“连接至”另一个元件时，其可以直接耦合至或连接至另一个元件或者间接地耦合至或连接至另一个元件，在它们之间具有一个或多个中间元件。在下文中，相同的参考标号指的是相同的元件。
以下详细描述包括许多具体细节。这些细节所包含的内容仅是为了举例说明的目的，而并不应理解为对本发明实施方式的限制。在整个讨论中，在不同的附图中以类似的标号表示相似的元件以供参考。此外，本发明的一个实施方式中的特征可以与本发明其它实施方式中的特征结合。
图1是图示了根据本发明实施方式的显示装置的局部剖视图。显示装置200包括多个像素以及逐个电耦合至多个像素的多个薄膜晶体管。多个像素具有彼此相同的结构，并且多个薄膜晶体管具有彼此相同的结构。因此，在参照图1的描述中，多个像素中的一个像素PXL和多个薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管TR将作为示例描述，将省略对多个像素中的其余像素和多个薄膜晶体管中的其余薄膜晶体管的描述。
参见图1，显示装置200包括衬底100、薄膜晶体管TR和像素PXL。
衬底100具有像素区PA和薄膜晶体管区TA。在图1所示的本发明的实施方式中，衬底100可以包含具有极好透光率的材料(例如玻璃)，以使得由像素PXL产生的光线10可以穿过衬底100传输，并且光线10可以被提供至外部。
在衬底100上设置缓冲层110。在图1所示的本发明的实施方式中，缓冲层110可以包含硅氧化物(SiOx)或者硅氮化物(SiNx)，并且缓冲层110可防止杂质从衬底100流至像素PXL和薄膜晶体管TR。
薄膜晶体管TR设置在薄膜晶体管区TA中。薄膜晶体管TR包括栅电极GE、半导体层SL、源电极SE和漏电极DE。薄膜晶体管TR由提供至栅电极GE的、外部供给的栅信号导通，并且薄膜晶体管TR进行切换(例如接通)，以通过源电极SE将外部供给的数据信号提供至像素PXL。
薄膜晶体管TR结构的细节如下。半导体层SL设置在缓冲层110上，并且半导体层SL包括源区域SA、漏区域DA、以及位于源区域SA和漏区域DA之间的沟道区域CA。在图1所示的本发明的实施方式中，半导体层SL可以包含多晶硅或非晶硅，并且源区域SA和漏区域DA各自的掺杂物浓度可以高于沟道区域CA的掺杂物浓度。
第一绝缘层120设置在衬底100上并且覆盖半导体层SL。在第一绝缘层120中，形成与源区域SA的位置相对应的第一接触孔CH1以及与漏区域DA的位置相对应的第二接触孔CH2。
栅电极GE设置在第一绝缘层120上。在图1所示的本发明的实施方式中，栅电极GE包括第一传导层C1和设置在第一传导层C1上的第二传导层C2。第一传导层C1可以包含具有极好透光率的传导材料，例如氧化铟锡(ITO)和/或铟锌氧化物(IZO)，并且第二传导层C2可以包含具有极好导电性的金属，例如铝和/或镍。
源电极SE设置在第一绝缘层120上，并且穿过第一接触孔CH1与源区域SA接触。此外，漏电极DE设置在第一绝缘层120上，并且穿过第二接触孔CH2与漏区域DA接触。
根据图1所示的本发明的实施方式，栅电极GE、源电极SE和漏电极DE的底部均与第一绝缘层120接触。因此，栅电极GE、源电极SE、和漏电极DE被设置为在第一绝缘层120的同一表面或平面上彼此隔开。栅电极GE、源电极SE、和漏电极DE可以被称为处于同一层。
第二绝缘层130设置在第一绝缘层120上并且覆盖栅电极GE。更详细地，第二绝缘层130包围栅电极GE的上侧和横向侧，并且覆盖处于源电极SE和漏电极DE之间的栅电极GE。因此，通过第二绝缘层130，栅电极GE与源电极SE绝缘，也与漏电极DE绝缘。此外，根据以上描述的第二绝缘层130的结构，由于第二绝缘层130不处于源电极SE和衬底100之间，也不处于漏电极DE和衬底100之间，所以第二绝缘层130并不与在平面(例如表面)上的源电极SE和漏电极DE重叠。
像素PXL设置在像素区PA中，并且包括第一电极E1、有机发光层BL、和第二电极E2。第一电极E1电耦合至漏电极DE。因此，当薄膜晶体管TR由栅信号导通时，可以通过漏电极DE将数据信号提供至第一电极E1。
在图1所示的本发明的实施方式中，第一电极E1可以包括第三传导层C3和第四传导层C4，第四传导层C4设置在第三传导层C3的端部上并且与漏电极DE接触，其中第三传导层C3可以包含与第一传导层C1的材料相同的材料，并且第四传导层C4可以包含与第二传导层C2的材料相同的材料。此外，第四传导层C4设置在薄膜晶体管区TA中，从而可通过传输穿过第三传导层C3和衬底100，以使光线10容易地提供至外部。
此外，在图1所示的本发明的实施方式中，第一电极E1的底部与第一绝缘层120接触。因此，第一电极E1与栅电极GE、源电极SE和漏电极DE被设置在第一绝缘层120的平面上。
第三绝缘层140设置在衬底100上，并且覆盖第一电极E1和薄膜晶体管TR。此外，第三绝缘层140在与像素区PA对应部分处是开放的，以限定第三传导层C3与有机发光层BL接触的区域。
有机发光层BL设置在薄膜晶体管区TA中、第三绝缘层140上，并且有机发光层BL穿过像素区PA中第三绝缘层140的开口部分与第三传导层C3接触。
第二电极E2设置在有机发光层BL上并接收外部供给的公共电压。因此，当薄膜晶体管TR导通时，通过在第一电极E1和第二电极E2之间形成的电势差，有机发光层BL可发射光线10。
如以上所述，栅电极GE、源电极SE和漏电极DE被并联设置在同一平面上。此外，第二绝缘层130覆盖栅电极GE的上侧和横向侧，并且第二绝缘层130不位于源电极SE和衬底100之间，也不位于漏电极DE和衬底100之间。因此，从源电极SE或者漏电极DE的上侧到第四传导层C4的上侧所限定的深度D1可以减少第二绝缘层130的厚度(例如，由于在漏电极DE和衬底100之间缺少第二绝缘层130，所以D1会减少，如果在漏电极DE和衬底100之间具有第二绝缘层130，将导致漏电极DE的上侧离衬底100的距离增加)。
与在图1中所示的本发明的实施方式不同，当第二绝缘层130被放置在衬底100和源电极SE之间以及衬底100和漏电极DE之间时，深度D1会增加第二绝缘层130的厚度值。考虑到显示装置200的制造过程，当深度D1增加时，不容易仅从像素区PA中选择性地将第四传导层C4去除。当第四传导层140保留在像素区PA中时，光线10被第四传导层140阻挡，提供至外部的光线10的量会减少。然而，根据图1所示的本发明上述实施方式，可以通过改变第二绝缘层130的结构使深度D1最小化或者减少。这将参照图3至图11详细地描述。
图2是示出了根据本发明另一实施方式的显示装置的剖视图。在参照图2的描述中，对已经参照图1描述过的元件采用相同的参考标号，并且对于其的描述将省略。
参见图2，显示装置201包括具有像素区PA和薄膜晶体管区TA的衬底100、设置在薄膜晶体管区TA中的薄膜晶体管TR以及设置在像素区PA中的像素PXL。
薄膜晶体管TR包括半导体层SL、栅电极GE′、源电极SE′、和漏电极DE′。
与图1所示的本发明的实施方式不同，源电极SE′和漏电极DE′中的每个均包括彼此重叠的多个传导层。更具体地，源电极SE′包括第一辅助传导层171、第二辅助传导层172、和第三辅助传导层173，且漏电极DE′包括第四辅助传导层174、第五辅助传导层175、和第六辅助传导层176。
在图2所示的本发明的实施方式中，第一辅助传导层171、第三辅助传导层173、第四辅助传导层174、和第六辅助传导层176中的每个均可以包含与第二辅助传导层172和第五辅助传导层175不同的层(如，不同的材料)。例如，第一辅助传导层171、第三辅助传导层173、第四辅助传导层174、和第六辅助传导层176可以包含半导体层和具有低接触电阻的钼或者钛，第二辅助传导层172和第五辅助传导层175可以包含具有极好导电性的铝或者镍。
第一电极E1包括第三传导层C3和第四传导层C4′，其中第四传导层C4′包括彼此重叠的第七辅助传导层177、第八辅助传导层178、和第九辅助传导层179。在图2所示的本发明的实施方式中，第七辅助传导层177和第九辅助传导层179可以包括不同层(如与第八辅助传导层178的材料不同的材料)，例如，可以包括第三传导层C3和具有低接触电阻的钼或钛，而第八辅助传导层178可以包含具有极好导电性的铝或镍。
此外，栅电极GE′包括第一传导层C1和第二传导层C2′，其中第二传导层C2′包括第十辅助传导层180、第十一辅助传导层181、和第十二辅助传导层182。在图2所示的本发明的实施方式中，第十辅助传导层180和第十二辅助传导层182中的每个均可以包括不同的层(如与第十一辅助传导层181的材料不同的材料)，例如，可以包括第一传导层C1和具有低接触电阻的钼或钛，而第十一辅助传导层181可以包含具有极好导电性的铝或镍。
图3至图11是示出了制造图1所示的本发明实施方式的显示装置的方法的示意图。在关于图3至图11的描述中，对已经参照图1描述的元件采用相同的参考标号，并且将省略对其的描述。
参见图3，制备具有像素区PA和薄膜晶体管区TA的衬底100，并且在衬底100上形成缓冲层110。然后，在薄膜晶体管区TA中形成具有沟道区域CA、源区域SA、和漏区域DA的半导体层SL。
根据图3所示的本发明的实施方式，可以通过在缓冲层110上形成非晶硅层并运用固相结晶(SPC)、液相重结晶(LPR)、准分子激光退火(ELA)和连续侧向结晶(SLS)其中之一使非晶硅层结晶，并且通过形成源区域SA和漏区域DA，以形成半导体层SL，其中，通过执行掺杂物注入工艺向源区域SA和漏区域DA内注入掺杂物。
参见图4，在半导体层SL上形成第一绝缘层120。然后，在第一绝缘层120上相继形成第一保留传导层150和第二保留传导层155。
第一保留传导层150是作为第一传导层(图1的C1)和第三传导层(图1的C3)的源的层，其中第一保留传导层150可以是透明层，例如氧化铟锡或铟锌氧化物。第二保留传导层155是作为第二传导层(图1的C2)和第四传导层(图1的C4)的源的层，并且可包含铝或者镍。
参见图5和图6，对第一保留传导层(图4的150)和第二保留传导层(图4的155)进行构图。结果，包括第一传导层C1和第二传导层C2的栅电极GE形成在薄膜晶体管区TA中，并且第三传导层C3和保留传导图案158形成在像素区PA中。
然后，在第一绝缘层120上形成第二绝缘层130。如以上关于图1所描述的，第二绝缘层130覆盖栅电极GE的上侧和横向侧。之后，在第一绝缘层120上形成第一接触孔CH1，以暴露源区域SA，并且在第一绝缘层120上形成第二接触孔CH2，以暴露漏区域DA。
如果形成第二绝缘层130的过程被称为第一过程，形成第一接触孔CH1和第二接触孔CH2的过程被称为第二过程，那么可以通过将缝隙掩模或半色调掩模用作为蚀刻掩模的一次蚀刻或者通过利用不同蚀刻掩模的总共两次蚀刻，从而执行第一和第二过程。
参见图7，在衬底100上形成第三保留传导层160。第三保留传导层160形成在形成有半导体层SL、第三传导层C3和保留传导图案158的衬底100上，结果是第三保留传导层160穿过第一接触孔CH1与源区域SA接触，穿过第二接触孔CH2与漏区域DA接触，并且还与保留传导图案158接触。
参见图8和图9，在形成第三保留传导层160后，在第三保留传导层160上形成第一掩模图案175和第二掩模图案170。第一掩模图案175形成为在平面上与第一接触孔CH1重叠，并且第二掩模图案170形成为与第二接触孔CH2重叠并与保留传导图案158部分(例如，一部分)重叠。
参见图9，将第一掩模图案175和第二掩模图案170用作为蚀刻掩模来蚀刻第三保留传导层160。结果形成了穿过第一接触孔CH1与源区域SA接触的源电极SE，并且形成了穿过第二接触孔CH2与漏区域DA接触的漏电极DE。此外，漏电极DE在平面上与保留传导图案158部分重叠，并且与保留传导图案158接触。
参见图10，在形成源电极SE和漏电极DE后，除了与漏电极DE接触的一个或多个部分外，保留传导图案158的剩余部分运用第一掩模图案175和第二掩模图案170被蚀刻。结果形成了第四传导层C4，并且完成了包括第三传导层C3和第四传导层C4的第一电极E1。
如果参照图9所述的蚀刻工艺被称为第一蚀刻工艺，且参照图10所述的蚀刻工艺被称为第二蚀刻工艺，那么在图9和10所示的本发明的实施方式中，由于在第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺中所使用的蚀刻材料相同，所以第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺可以相继进行，并且在第一蚀刻工艺中使用的蚀刻材料可以不同于在第二蚀刻工艺中使用的蚀刻材料。
当进行第二蚀刻工艺时，保留传导图案158可以被除去，从而使保留传导图案158不留存于像素区PA中。由于保留传导图案158包含阻挡光线(例如图1的光线10)的金属，所以如果保留传导图案158留存在像素区PA中，则光线(图1的10)将被保留传导图案158阻挡，并且会减少从像素区PA穿过衬底100提供至外部的光线的量。
如以上所述，为了最大化或者增加提供至外部的光线量，进行第二蚀刻工艺，从而使保留传导图案158不会留存于像素区PA中。然而，由于在第一蚀刻工艺中蚀刻的第三保留传导层(图8的160)位于在衬底100上形成的元件的最上侧，所以第三保留传导层160可以容易地被蚀刻。然而，由于在第二蚀刻工艺中蚀刻的保留传导图案158位于深度D1处，深度D1低于源电极SE的上表面或漏电极DE的上表面，所以蚀刻保留传导图案158比蚀刻第三保留传导层160更困难。
例如，控制通过执行第二蚀刻工艺形成的第三传导层C3的尺寸比控制源电极SE和漏电极DE的尺寸更困难，并且因为第二蚀刻工艺的执行时间增加，所以源电极SE或者漏电极DE的横向侧159会被过度蚀刻。此外，当为了防止源电极SE或者漏电极DE的过度蚀刻而减少进行第二蚀刻工艺所需的时间时，保留传导图案158会留存在像素区PA中。
在第二蚀刻工艺的执行期间会产生的问题是由保留传导图案158的位置导致的，并且更显著的问题是，深度D1会更深。因此为了解决这些问题，可以通过考虑在元件(例如源电极SE、漏电极DE和在第二蚀刻工艺中蚀刻的第三传导层C3)之间将产生的尺寸误差来总体设计元件。然而，根据本实施方式的显示装置(图1的200)，可以通过最小化或者减少深度D1来避免上述问题，而无需通过考虑元件之间将产生的尺寸误差来设计元件。这将随后详细地描述。
如果从衬底100的上侧到源电极SE的上侧或者从衬底100的上侧到漏电极DE的上侧的高度被称为第一高度H1，并且从衬底100的上侧到保留传导图案158的上侧的高度被称为第二高度H2，那么深度D1可以通过从第一高度H1中减去第二高度H2得到。因此，如果第二高度H2是恒定的，那么深度D1越小，第一高度H1越低。
为了减小第一高度H1，源电极SE和漏电极DE的厚度可以更薄。然而，在本实施方式中，形成第二绝缘层130，以覆盖源电极SE和漏电极DE之间的栅电极GE，从而使得第二绝缘层130不位于源电极SE和漏电极DE之下。
如以上所述，当形成第二绝缘层130(例如不在衬底100和漏电极DE之间形成)时，第一高度H1和深度D1均可以减少与第二绝缘层130的厚度一样的值。例如，当第二绝缘层130是约0.5微米到约2.0微米厚时，根据本实施方式，第一高度H1和深度D1可以减少约0.5微米到约2.0微米。因此，可减小在第二蚀刻工艺的执行期间待蚀刻元件之间的尺寸误差。
参见图11，第三绝缘层140形成在衬底100上，在衬底100上还形成了薄膜晶体管TR和第一电极E1。根据本实施方式，可通过在衬底100的整个表面上形成保留绝缘层(未示出)以覆盖薄膜晶体管TR和第一电极E1，并随后通过部分去除保留绝缘层以暴露出像素区PA中的第三传导层C3，从而形成第三绝缘层140。
再参见图1，通过形成第三绝缘层140、通过在第三绝缘层140和第三传导层C3上形成有机发光层BL、并且通过在有机发光层BL上形成第二电极E2，从而制造显示装置200。
所描述的本发明与某些示例性实施方式有关，应该知道，本发明不限于所公开的实施方式，然而相反，本发明将覆盖包括在所附的权利要求及其等同物的精神和范围之内的各种修改和等同设置。
Claims (16)
1.一种显示装置，包括：
衬底；
薄膜晶体管，在所述衬底上；以及
像素，与所述薄膜晶体管电耦合，
其中所述薄膜晶体管包括：
半导体层，在所述衬底上；
第一绝缘层，在所述半导体层上，并具有第一接触孔和第二接触孔；
源电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触；
漏电极，在所述第一绝缘层上，并穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触；
栅电极，在所述源电极与所述漏电极之间，并具有包括第一传导层和第二传导层的层叠结构；以及
第二绝缘层，在所述源电极和所述漏电极之间，并且覆盖所述栅电极。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述像素包括：
第一电极，在所述第一绝缘层上，并且与所述漏电极电耦合；
有机发光层，在所述第一电极上；以及
第二电极，在所述有机发光层上。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一电极包括：
第三传导层；以及
第四传导层，在所述第三传导层的端部上，并且与所述漏电极接触，
其中所述第一传导层和所述第三传导层包括相同的材料，并且所述第二传导层和所述第四传导层包括与所述第一传导层和所述第三传导层的材料不同的材料。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中从所述有机发光层发射出的光线穿过所述衬底传输。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均与所述第一绝缘层接触，并且在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一传导层包括透明传导材料，并且所述第二传导层包括金属。
7.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层包围所述栅电极的横向侧和上侧。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第二绝缘层被防止与所述源电极和所述漏电极重叠。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中所述源电极和所述漏电极中的每个均包括多个重叠的传导层。
10.一种制造显示装置的方法，包括：
在衬底上的薄膜晶体管区形成半导体层；
形成第一绝缘层，用于覆盖所述半导体层；
在所述第一绝缘层上形成与所述半导体层重叠的栅电极；
在所述衬底上的像素区形成第一电极；
在所述第一绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，用于暴露所述半导体层；
形成第二绝缘层，用于覆盖所述第一绝缘层上的所述栅电极；
形成源电极，用于穿过所述第一接触孔与所述半导体层接触；
形成漏电极，用于穿过所述第二接触孔与所述半导体层接触；
在所述第一电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成第二电极，
其中所述源电极和所述漏电极被所述第二绝缘层隔开。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述第一电极的底部、所述栅电极的底部、所述源电极的底部和所述漏电极的底部均与所述第一绝缘层接触，并且在所述第一绝缘层的表面上彼此隔开。
12.如权利要求11所述的方法，其中形成栅电极的步骤包括：
在所述第一绝缘层上形成第一保留传导层；
在所述第一保留传导层上形成第二保留传导层；
通过对所述第一保留传导层进行构图，在所述薄膜晶体管区中形成第一传导层；以及
通过对所述第二保留传导层进行构图，在所述薄膜晶体管区中形成第二传导层，
其中形成所述像素电极的步骤包括：
通过对所述第一保留传导层进行构图，在所述像素区中形成第三传导层；
通过对所述第二保留传导层进行构图，在所述像素区中形成保留传导图案；以及
通过去除所述保留传导图案与所述像素区对应的部分，形成第四传导层。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一传导层包括透明传导材料，所述第二传导层包括金属，所述第一传导层和所述第三传导层包括相同的材料，并且所述第二传导层和所述第四传导层包括与所述第一传导层和所述第三传导层的材料不同的材料。
14.如权利要求10所述的方法，其中所述第二绝缘层包围所述栅电极的横向侧和上侧。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二绝缘层被防止与所述源电极和所述漏电极重叠。
16.如权利要求10所述的方法，其中所述源电极和所述漏电极中的每个均包括多个重叠的传导层。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121029 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121029 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
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