CN104204766B - 微芯片型光学测量装置及其光学位置调整方法 - Google Patents

微芯片型光学测量装置及其光学位置调整方法 Download PDF

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Abstract

提供了一种能够高精度地自动调整微芯片相对于激光的光轴的位置的微芯片型光学测量装置。该微芯片型光学测量装置设置有：检测通过将激光投影在微芯片而产生的光的照射检测单元；改变微芯片相对于照射检测单元的相对位置的位置调整单元；以及向位置调整单元输出朝向其中预设定区域中的所述光的检测强度的积分值或者平均值变得较大的位置移动的信号的控制单元。

Description

微芯片型光学测量装置及其光学位置调整方法
技术领域
本技术涉及一种微芯片型光学测量装置及其光学位置调整方法。更具体地，本技术涉及一种允许自动最优化并且高精度测量微芯片的光学位置的微芯片型光学测量装置。
背景技术
已知一种光学测量诸如细胞等微粒的特性的微粒测量装置(例如，流式细胞仪)。
在流式细胞仪中，包含细胞的样品液体流动通过在流动池(flow cell)或者微芯片中形成的流路，并且检测器通过使用激光照射流路内通流(through-flow)的细胞而检测从细胞产生的荧光或者散射光，因此，测量细胞的光学特性。此外，在流式细胞仪中，作为光学特性的测量结果，从细胞单独采集被确定为满足预定条件的种群(群)。
例如，在PTL 1中，作为微芯片型流式细胞仪，公开了“一种微粒分离设备，包括：微芯片，微芯片设置有包括微粒的液体通过其流动的流路；和孔，孔将通过流路流动的液体排出到芯片外空间；振动元件，振动元件用于将液滴化的液体吐出到孔中；荷电单元，荷电单元用于将电荷施加给吐出的液滴；光学检测单元，光学检测单元检测流动通过流路的微粒的光学特性；对电极，对电极被设置成彼此面向并且沿着被吐出到芯片外部空间中的液滴的移动方向夹持移动的液滴；以及两个或者更多容器，两个或者更多容器收集在对电极之间通过的液滴”。
列表
专利文献
PTL 1：日本未经审查专利申请公开第2010-190680号
发明内容
技术问题
要求微粒测量装置以高精度执行形成在流动池或者微芯片的流路内的微粒的通流位置和激光光轴的位置调整，从而精确测量微粒的光学特性。在现有技术中，因为用户使用用于校准的颗粒(校准珠(calibration beads))手动执行位置调整，所以位置调整要求熟练，并且由此存在可靠性或者稳定性等问题。具体地，在微芯片型微粒测量装置中，无论何时交换或者分析微芯片，都要求光学位置调整，并且由此位置调整相当麻烦并且复杂。
因此，本发明的目标是提供一种能够高精度地自动执行微芯片相对于激光光轴的位置调整的微芯片型光学测量装置。
技术方案
为了解决上述所述问题，本发明提供一种微芯片型光学测量装置，包括：照射检测单元，照射检测单元检测通过使用激光照射微芯片而产生的光；位置调整单元，位置调整单改变微芯片相对于照射检测单元的相对位置；以及控制单元，控制单元将针对其中预设定区域(preset region)中的光的检测强度的积分值或者平均值变得较大的位置的移动信号输出给位置调整单元。
在微芯片型光学测量装置中，控制单元可假设检测位置与光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循预存储的概率分布，可基于概率法推测概率分布的分布参数，并且由此可根据该推测生成针对其中光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置的移动信号。控制单元可根据激光的照射轮廓(irradiation profile)选择概率分布。
此外，控制单元可将其中多个预设定点中的光的检测强度的积分值或者平均值的变化系数变成最小的位置的移动信号输出给位置调整单元。
此外，控制单元可将其中多个预设定面积(preset area)中的检测强度的积分值的面积平均变成最大的面积的移动信号输出给位置调整单元。
此外，控制单元可将其中多个预设定点中的检测强度的积分值变成最大的位置的移动信号输出给位置调整单元。
此外，控制单元可将其中最大面积平均的面积中的检测强度的积分值变成最大的第一最佳位置的移动信号或者其中最大面积平均的面积的变化系数变成最小的第二最佳位置的移动信号输出给位置调整单元。
此外，当第一最佳位置与第二最佳位置彼此不同时，控制单元可将针对第二光学位置的移动信号输出给位置调整单元。
微芯片型光学测量装置可被配置为微芯片型微粒测量装置。
此外，本发明提供一种光学位置调整方法，包括用于从微芯片上的多个位置检测通过激光照射而从微芯片产生的光的过程和用于指定其中预设定区域中的光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置的过程。
在用于指定该位置的过程中，可以假设检测位置与光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循预存储的概率分布，可以基于概率法推测概率分布的分布参数，并且由此通过该推测可以指定其中光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置。
此外，该光学位置调整方法可进一步包括用于假设通过概率分布从推测光的检测强度的积分值或者平均值为最大的位置至预定位置的光的检测强度的积分值或者平均值的关系遵循预存储的一维概率分布，并且由此通过一维分布指定光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置的过程。
此外，在用于指定该位置的过程中，该位置可被设置成其中多个预设定点中的光的检测强度的积分值或者平均值的变化系数变成最小的位置。
此外，该光学位置调整方法可进一步包括：用于指定其中多个预设定面积中的光的检测强度的积分值的面积平均变成最大的位置的过程。
此外，该光学位置调整方法可进一步包括：用于指定其中最大面积平均的面积中的检测强度的积分值变成最大的第一最佳位置的过程。
此外，用于指定其中变化系数变成最小的位置的过程可以是用于指定其中最大面积平均的面积中的变化系数变成最小的第二最佳位置的过程。
此外，该光学位置调整方法可包括用于将微芯片相对于激光的相对位置设定为第一最佳位置或者第二最佳位置的过程。
此外，本发明提供一种微芯片型光学测量装置的光学位置调整方法，包括用于从微芯片上的多个位置检测通过激光照射而从微芯片产生的光的过程、用于指定其中光的检测强度的积分值的面积平均变高的位置的过程、用于指定其中面积平均变得较高的面积中的检测强度的积分值或者平均值变得较高的第一最佳位置的过程、用于指定其中面积平均变得较高的面积中的检测强度的积分值或者平均值的变化系数变得较小的第二最佳位置的过程、以及用于将微芯片相对于激光的相对位置设置成第一最佳位置或者第二最佳位置的过程。
在本技术中，“微粒”在广义上包括细胞或者微生物、诸如脂质体、或者乳胶颗粒或凝胶颗粒等生物学相关的微粒、诸如工业颗粒等合成颗粒等。
在生物学相关微粒中，包括配置各种细胞的染色体、脂质体、线粒体、细胞器(细胞器官)等。在细胞中，包括动物细胞(血细胞等)和植物细胞。在微生物中，包括诸如大肠杆菌等细菌、诸如烟草花叶病毒等病毒、诸如酵母菌等菌类。此外，在生物学相关微粒中，还能够包括诸如核酸或者蛋白质或者其复合物等生物学相关聚合物。此外，例如，工业颗粒可以是有机或者无机高分子材料、金属等。在有机高分子材料中，包括聚苯乙烯、苯乙烯·二乙烯基苯、聚甲基丙烯酸甲酯等。在无机高分子材料中，包括玻璃、硅土、磁体材料等。在金属中，包括金胶体、铝等。通常，比较常见的是，微粒形状是球形，但是，该形状还可以是非球形，并且大小、质量等不受具体限制。
发明的有利效果
根据本发明，提供一种能够高精度地自动执行微芯片相对于激光光轴的位置调整的微芯片型光学测量装置。
附图说明
图1是用于描述根据本发明的微芯片型光学测量装置1(流式细胞仪1)的配置的示图，其被配置为微芯片型流式细胞仪。
图2是用于描述可安装在流式细胞仪1上的微芯片2的实施例的配置的示图。
图3是用于描述微芯片2的孔21的配置的示图。
图4是用于描述根据第一实施方式的以优化流式细胞仪1的光学位置的控制步骤的流程图。
图5是用于描述根据第一实施方式的原点·基准点移动步骤S1至面积平均值最大位置确定步骤S3的控制的示图。
图6是用于描述根据第一实施方式的面积平均最大位置移动步骤S4至积分值最大位置确定步骤S6的控制的示图。
图7是用于描述根据第一实施方式的变化系数确定步骤S7的控制的示图。
图8是用于描述根据第二实施方式的以优化流式细胞仪1的光学位置的控制步骤的流程图。
图9是用于描述根据第二实施方式的粗略调整步骤S21的控制的示图。
图10是用于描述根据第二实施方式的粗略调整步骤S21中假设的固定分布的示图。
图11是用于描述根据第二实施方式的第一微调整步骤S22的控制的示图。
图12是用于描述根据第二实施方式的第二微调整步骤S23的控制的示图。
图13是用于描述根据第二实施方式的更为微的调整步骤S24的控制的示图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述用于实现本发明的最佳模式。而且，下面所描述的实施方式指示本发明的代表性实施方式的实施例并且实施方式不得被解释为缩小本发明的范围。将按照下列顺序进行描述。
1.微芯片型光学测量装置
(1)照射检测单元
(2)位置调整单元
(3)振动元件
(4)荷电单元(charging unit)
(5)偏向板
(6)收集容器
(7)控制单元等
(8)微芯片
2.根据本发明的第一实施方式的微芯片型光学测量装置的光学位置的最优化控制
(1)原点·基准点移动步骤S1
(2)信号获取步骤S2
(3)面积平均值最大位置确定步骤S3
(4)面积平均最大位置移动步骤S4
(5)信号获取步骤S5
(6)积分值最大位置确定步骤S6
(7)变化系数确定步骤S7
(8)位置优化步骤S8
3.根据本发明的第二实施方式的微芯片型光学测量装置的光学位置的最优化控制
(1)粗略调整步骤S21
(1-1)格子状信号获取步骤S211
(1-2)二维分布参数推测步骤S212
(1-3)最大位置移动步骤S213
(2)第一微调整步骤S22
(2-1)线性信号获取步骤S221
(2-2)一维分布参数推测步骤S222
(2-3)最大位置移动步骤S223
(3)第二微调整步骤S23
(3-1)线性信号获取步骤S231
(3-2)一维分布参数推测步骤S232
(3-3)最大位置移动步骤S233
(4)更微小的调整步骤S24
1.微芯片型光学测量装置
图1是用于描述根据本技术的被配置为微芯片型流式细胞仪的微芯片型测量装置1(在下文中，称之为“流式细胞仪1”)的配置的示意图。此外，图2和图3示出了可安装在流式细胞仪1上的微芯片2的实施例。图2的A示出了示意性上面视图，并且图2的B示出了对应于沿着图2的A中的线P-P截取的截面的示意性截面图。此外，图3是用于示意性地描述微芯片2的孔21的配置的示图，并且图3的A示出了上面视图，图3的B示出了截面图，并且图3的C示出了正视图。图3的B对应于沿着图2的A中的线P-P截取的截面。
(1)照射检测单元
流式细胞仪1设置有照射检测单元，照射检测单元包括用于使用激光L1照射微芯片2的光源61和用于检测通过激光L1的照射产生的待被检测的光的检测器62。激光L1对微芯片2的照射方向(激光L1的光轴)被示出为图1中Z轴正向。光源61可以是LD、LED等。
将激光L1施加到流过微芯片2的样品流路22的细胞中。检测器62检测由该细胞引起的激光L1的散射光和通过使用激光L1激励该细胞或者该细胞上标记的荧光色素而产生的荧光。在图1中，以参考标记F1指示从流过样品流路22的细胞产生的荧光。
照射检测单元包括照射系统，该照射系统设置有用于通过将从光源61发射的激光L1导向该细胞而聚焦光的聚光透镜、二向色镜、带通滤波器等。此外，照射检测单元由检测系统配置，该检测系统用于通过聚焦光而将通过激光L1的照射从该细胞产生的待检测的光导向检测器62。例如，检测系统由光电倍增管(PMT)、诸如CCD或者CMOS元件等面积成像元件配置。
通过照射检测单元的检测系统进行检测的待检测的光是通过激光L1的照射从该细胞产生的光并且可以是例如前向散射光或者侧向散射光、诸如瑞利散射(Rayleighscattering)或者米氏散射(Mie scattering)等散射光、荧光等。从该细胞或者该细胞上标记的荧光色素可以产生荧光。待检测的光被转化成电信号并且用于该细胞的光学特性判定和光学位置的自动调整(后面所描述)。
(2)位置调整单元
流式细胞仪1包括改变微芯片2相对于照射检测单元的相对位置的位置调整单元9。位置调整单元9在垂直于激光L1的光轴的平面(XY平面)内移动微芯片2的位置和/或照射检测单元的位置。因此，位置调整单元9调整微芯片2相对于激光L1的光轴的位置并且最优化被施加到样品流路22内部的细胞的通流位置的激光L1。
位置调整单元9可将微芯片2的位置和包括光源61和检测器62的照射检测单元的位置中的至少一个移动至X轴方向和Y轴方向。例如，位置调整单元9由步进电机等配置。而且，位置调整单元9可将微芯片2相对于照射检测单元的相对位置移动至Z轴方向(激光L1的焦点方向。
(3)振动元件
流式细胞仪1包括振动元件3，该振动元件用于通过将振动施加给形成在微芯片2中的孔21而吐出(discharging)包含从孔21排出的细胞的液滴化的样品液和鞘液(sheathliquid)的层流。例如，振动单元3可以是压电元件。所吐出的液滴作为流体流S被射出到附图中的箭头所指示的Y轴正向。而且，在流式细胞仪1中，可交换地安装微芯片2。
在流式细胞仪1中，振动元件3可以与微芯片2一体并且可设置在与安装的微芯片2可接触的装置侧面上。
(4)荷电单元
通过荷电单元41将正电荷或者负电荷施加给从孔21吐出的液滴。通过电连接至荷电单元41并且插入到设置在微芯片2中的样品进口23内的电极42执行液滴的带电。而且，电极42可被插入到微芯片2的任何一个部分中以与流过流路的样品液或者鞘液电接触。
在流式细胞仪1中，振动元件3的驱动电压的频率与荷电单元41的电压(带电电压)的切换定时同步，因此，正和负的电荷中的任一个被施加给从孔21吐出的液滴的一部分。电荷可能没有被施加给液滴的一部分，因此，液滴的一部分未带电。
(5)偏向板
此外，流式细胞仪1包括被设置成面向彼此并且夹持流体流S的一对偏向板51和52。偏向板51和52通过对被施加给液滴的电荷作用电力改变流体流S中各个液滴的前进方向。偏向板51和52可以是普通电极。在图1中，通过X轴方向示出了偏向板51和52的对向方向。
(6)收集容器
在偏向板51与52之间通过的流体流被接收在收集容器81、收集容器82、或者收集容器83的任一个中。例如，相应地，当偏向板51带正电荷并且偏向板52带负电荷时，通过荷电单元41而带负电荷的液滴被收集在收集容器82中，并且带正电荷的液滴被收集在收集容器83中。此外，在未被荷电单元41带电的液滴不受来自偏向板51和52的电作用力，直接滴落而被收集在收集容器81中。在流式细胞仪1中，根据各个液滴中包括的细胞的特性控制液滴的前进方向，从而允许具有期望特性的目标细胞和除了目标细胞之外的非目标细胞被收集在单独的收集容器中。
收集容器81、82、以及83可以是供实验室使用的通用塑料管或者玻璃管。优选为收集容器可交换地设置在流式细胞仪1中。此外，收集容器之中用于接收非目标细胞的收集容器可连接至收集液滴的排液路径。而且，在流式细胞仪1中，所设置的收集容器的数目不受具体限制。当设置多于3个的收集容器时，根据偏向板51与52之间的电作用力的存在与否及其量级，相应的液滴被诱导向收集容器的任一个并且被收集在收集容器中。
(7)控制单元等
除上述所述配置之外，流式细胞仪1包括设置在通常流式细胞仪中的用于确定细胞的光学特性的数据分析单元、用于累积样品液和鞘液的贮箱单元、用于控制各种配置的控制单元10等。
控制单元10能够由设置有CPU、存储器、硬盘等的通用计算机配置并且将OS、用于执行(后面所描述的)控制步骤的程序等存储在硬盘中。
控制单元10将针对其中预先设定的区域之中的变化变小的位置，即通过激光L1的照射而从微芯片产生的光的检测强度的积分值或者平均值变得较高的位置(优选地，变成最大值)的移动信号输出给位置调整单元9。
(8)微芯片
微芯片2由样品流路22形成在其中的粘合基板层2a和2b配置。根据使用模型的热塑性树脂的喷射成型，样品流路22能够形成在基板层2a和2b中。作为热塑性树脂，可以采用现有技术中已知的塑料作为微芯片材料，诸如，能够采用聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)树脂、环状聚烯烃、聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯、以及聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
样品液被导入至样品进口23中、与导入鞘进口24的鞘液合流并且流动通过样品液路22。从鞘进口24导入的鞘液的流被分割成两个方向，然后，通过从两个方向夹持样品液而在合流部与从样品进口23导入的样品液合流成样品液。因此，其中样品液层流定位在鞘液层流中心的三维层流在合流部形成。
参考标号“25”指示吸引流路，该吸引流路70用于当样品流路22中产生堵塞或者气泡时，通过将负压施加到样品流路22的内部并且通过使该流暂时逆流来移除堵塞或者气泡。吸引流路25的一端设置有连接至诸如真空泵等负压源的吸引出口251，并且另一端在连通端口252连接至样品流路22。
三维层流的层流宽度在节流部261(参考图2)和262(参考图3)处缩窄，从而形成使得垂直于流方向上的截面面积在流方向上从上游到下游逐渐或者渐进地变小。随后，三维层流从布置在流路的一端上的孔21排出。
在样品流路22的节流部261与节流部262之间检测细胞的特性。通过照射检测单元使用激光L1照射按列布置在三维层流的中心并且流过样品流路22的细胞，并因此检测从细胞产生的荧光F1和散射光(参考图2)。
关于样品流路22的孔21的连接部被配置为由直线状形成的直线部27。直线部27用于将流体流S从孔21直接射出到Y轴正向。
从孔21排出的三维层流通过根据振动元件31被施加给孔21的振动变成液滴并且被喷射为流体流S(参考图1)。孔21向基板层2a和2b的端面方向开口，并且切口部21形成在孔的开口位置与基板层的端面之间。通过切割孔21的开口位置与基板的端面之间的基板层2a和2b形成切口部211，使得切口部221的直径L大于孔21的开口直径l(参考图3C)。优选为切口部211的直径L等于或者大于孔21的开口直径l的两倍，以不阻塞从孔21吐出的液滴的移动。
2.根据本技术的第一实施方式的微芯片型光学测量装置的光学位置的最优化控制
图4是用于描述控制步骤以最优化流式细胞仪1的微芯片2的光学位置的流程图。控制步骤包括“原点·基准点移动步骤S1”、“信号获取步骤S2”、“面积平均值最大位置确定步骤S3”、“面积平均最大位置移动步骤S4”、“信号获取步骤S5”、“积分值最大位置确定步骤S6”、“变化系数确定步骤S7”、以及“位置最优化步骤S8”的过程。在下文中，将描述每一个过程。
(1)原点·基准点移动步骤S1
当由用户输入分析的起始信号时，控制单元10将移动信号输出给位置调整单元9，并且位置调整单元9将微芯片2相对于照射检测单元的相对位置移动至提前设定的初始位置(参考图5中的原点O)。当相对位置位于原点O时，从照射检测单元发射的激光L1被施加给微芯片2上的原点O。通过将微芯片2的位置或者包括光源61和检测器62的照射检测单元的位置中的至少一个移动至X轴方向和Y轴方向来改变相对位置，并且在下文中，将描述其中通过移动微芯片2的位置来改变相对位置的情况作为实施例。
接着，控制单元10通过驱动累积样品液和鞘液的贮箱部的泵而开始允许样品液和鞘液流向微芯片2的样品进口23和鞘进口24。优选为样品液包括校准珠。此外，控制单元10通过振动元件3开始将振动施加给孔21。因此，从孔21排出的样品液和鞘液的三维层流被吐出成液滴，并且由此产生流体流S。
在样品液和鞘液开始流动之后，控制单元10将移动信号输出给位置调整单元9，并且位置调整单元9将微芯片2的位置从原点O移动至基准点D0(参考图5中的箭头)。当微芯片2相对于照射检测单元的相对位置位于基准点D0时，从照射检测单元发射的激光L1被施加给微芯片2上的基准点D0。
基准点D0事先被设置在其中能够检测微芯片2的细胞的特性的位置(即，通过后面所描述的步骤确定的最佳位置)附近。更具体地，基准点D0位于样品流路22的节流部261与节流部262之间附近(参考图3)。
(2)信号获取步骤S2
在步骤S2中，通过照射检测单元检测从微芯片2上的包括基准点D0的多个位置产生的荧光或者散射光(在下文中，简称为“荧光”)。在步骤S2中，图5中以参考标号D示出了微芯片2上的其中检测荧光的位置。在附图中，示出了其中设置了包括基准点D0的24个检测位置D、从其中X轴方向上的布置的数目M1布置在8行上并且Z轴方向上的布置的数目N1布置成3行上的情况作为实施例。
在其中设置检测位置D并且包括样品流路22的区域中，并且检测位置的数目D和布置长宽比不受具体限制，而是，只要该区域中包括样品流路22，则可随意设置。如示，优选为检测位置D在X轴方向和Z轴方向上布置成矩形形状。在这种情况下，根据样品流路22的流路宽度(流路直径)和检测位置D在X轴方向和Z轴方向上的布置的数目M1和N1，能够适当地设置检测位置D的X轴方向和Z轴方向的布置间隔W和H。例如，样品流路22的流路宽度近似70μm至100μm，并且当M1是8且N1是3时，布置间隔W和H分别被设置成25μm和75μm。
在预定时间内执行关于一个检测位置D的荧光检测。在预定时间内检测的荧光被积分，转化成电信号并且被输出到控制单元10。通过执行激光L1在X轴方向和Z轴方向上的扫描、通过将激光顺次施加给各个检测位置D并且通过检测即将产生的荧光而能够检测荧光。可替代地，根据激光L1的照射，通过面积成像元件可以共同检测来自各个检测位置D的荧光。
(3)面积平均值最大位置确定步骤S3
在步骤S3中，控制单元10计算关于各个检测位置D的检测强度的积分值的面积平均，并且自动确定面积平均变得较高的检测位置D，优选地，面积平均是最大值的检测位置D。
“面积平均”意味着通过一个检测位置D和距离该一个检测位置的预定距离范围内的多个检测位置D获得的检测强度的积分值的平均。在图5中，示出了其中面积平均是通过一个检测位置D1以及X轴方向上距离检测位置D1的2W和Z轴方向上距离检测位置D1的2H的距离范围内的检测位置D2至D9所获得的检测强度的积分值的平均的情况。
根据样品流路22的流路宽度(流路直径)以及布置间隔W和H能够适当地确定设定距一个检测位置D多远的距离范围作为面积平均。
控制单元10将所计算的各个检测位置D的面积平均进行比较并且确定面积平均变得较高的检测位置D，优选地，面积平均是最大值的检测位置D。此处，将描述其中面积平均在检测位置D1上是最大值的情况。
因为通过其校准珠(calibration bead)或者细胞流动的样品流路22中强烈地产生荧光，所以可以视为样品流路22定位在区域R1中，其中，面积平均为最大值的检测位置D1至D9联接形成。
(4)面积平均最大位置移动步骤S4
当指定其中面积平均为最大值的检测位置D1时，控制单元10则将移动信号输出给位置调整单元9，并且位置调整单元9将微芯片2的位置从基准点D0移动至检测位置D1(参考图6中的箭头)。
(5)信号获取步骤S5
在步骤S5中，通过照射检测单元执行对从其中面积平均为最大值的区域R1中的多个位置产生的荧光的检测。图6的放大图中示出了步骤S5中的荧光的检测位置D。在附图中，示出了其中从X轴方向上的M2个行和Z轴方向上的N2个行布置在其中的(M2×N2)的检测位置D检测荧光的情况作为实施例。
根据样品流路22的流路宽度(流路直径)以及X轴方向和Z轴方向上布置的数目M2和N2能够适当地设置X轴方向和Z轴方向上的检测位置D的布置间隔w和h。例如，布置的数目M2和N2分别是11和7。例如，行间隔w和h分别被设置成5μm和25μm。而且，在步骤S5，检测位置D的数目和布置长宽比不受具体限制。
在预定时间内对一个检测位置D执行荧光检测。在预定时间内检测的荧光被转化成电信号并且被输出到控制单元10。通过执行激光L1在X轴方向和Z轴方向上的扫描以顺次扫描各个检测位置D并且通过检测即将产生的荧光来检测荧光。可替代地，根据面积成像元件，通过激光L1的照射可以共同检测来自各个检测位置D的荧光。
(6)积分值最大位置确定步骤S6
在步骤S6中，控制单元10计算关于各个检测位置D的检测强度的积分值和平均值中的任一个或者两个及其变化系数(CV值)。在下文中，将描述使用检测强度的积分值及其CV值的处理作为实施例。
控制单元10将关于各个检测位置D的检测强度的计算积分值进行比较并且确定其中积分值变得较高的检测位置D，优选地，其中积分值变成最大值的检测位置D(第一最佳位置)。此处，将描述其中在检测位置D11中积分值是最大值的情况(参考图6)。
(7)变化系数确定步骤S7
接着，控制单元10将其中积分值是最大值的检测位置D11与相邻检测位置D12至D19之间的CV值进行比较，并且自动确定应用小于检测位置D11的CV值的CV值的检测位置D(第二最佳位置)是否存在(参考图7)。
(8)位置最优化步骤S8
在步骤S7，当在检测位置D11和相邻检测位置D12至D19的任一个中没有发现应用小于积分值为最大值的检测位置D11的CV值的CV值的检测位置D时，控制单元10将微芯片2的位置从检测位置D1移动至检测位置D11。此时，其中积分值是最大值的检测位置(第一最佳位置)和其中CV值是最小值的检测位置(第二最佳位置)在检测位置D11中彼此重合。
此外，在步骤S7，当在相邻检测位置D12至D19的任一个中发现应用小于检测位置D11的CV值的CV值的检测位置D时，控制单元10将微芯片2的位置从检测位置D1移动至检测位置D(例如，检测位置D18)。此时，其中积分值是最大值的检测位置(第一最佳位置)与其中CV值是最小值的检测位置(第二最佳位置)彼此不重合。
其中积分值为最大值的检测位置D11是其中产生最强烈的荧光的位置并且能够被视为样品流路22中的校准珠或者细胞的通流位置。即，当微芯片2相对于照射检测单元的相对位置位于检测位置D11内时，从照射检测单元发射的激光L1被施加给样品流路22中的校准珠等的通流位置。
在某些情况下，即使其中积分值是最大值的检测位置D11不是样品流路22中的校准珠等的通流位置，荧光强度的积分值也可以是最大值。例如，当检测位置D11与微流路22的流路壁重合时，可以偶发性地检测由于荧光的反射、散射等而使荧光强度异常的高。在这种情况下，在该位置检测的荧光强度发生变化，并且荧光强度的积分值的CV值变得较高。
当检测位置D11与微流路22的流路壁等重合时，可以将检测位置D11和相邻检测位置之中的适用较小的CV值的检测位置D18视为样品流路22中的校准珠等的通流位置。即，当微芯片2相对于照射检测单元的相对位置位于检测位置D18中时，从照射检测单元发射的激光L1被施加给样品流路22中的校准珠等的通流位置。
如上所述，在流式细胞仪1中，微芯片2相对于激光L1的相对位置被设置成其中通过激光L1的照射而从微芯片2产生的荧光的检测强度的积分值或者平均值变得较高的位置或者CV至变得较小的位置。因此，在流式细胞仪1中，高精度地自动定位微芯片2的样品流路22中的细胞的通流位置和激光L1的光轴，并且因此可以执行高精度的测量。
此外，在流式细胞仪1中，通过下列两级过程最优化微芯片2的光学位置，即，用于指定其中荧光的检测强度的积分值的面积平均变得较高(步骤S2和S3)的位置的粗略调整和用于指定其中在面积平均变得较高的区域内积分值或者平均值变得较高的位置或者其中CV值变得较小的位置的微调整(步骤S5至S7)。因此，可以使用较小的处理负荷对微芯片2的光学位置进行优化。
3.根据本技术的第二实施方式的微芯片型光学测量装置的光学位置的最优化控制
图8是用于描述根据第二实施方式的控制步骤以最优化流式细胞仪1的光学位置的流程图。本实施方式的控制步骤包括“原点·基准点移动步骤S1”、“粗略调整步骤S21”、“第一微调整步骤S22”、“第二微调整步骤S23”、以及“更微小的调整步骤S24”的过程。在下文中，将描述各个过程。而且，因为，除了基准点D0(再次参考图5)对应于图9中示出的(后面所描述的)基准点P0之外，原点·基准点移动步骤S1是与第一实施方式的原点·基准点移动步骤S1大致相同的过程，所以将省去其相关描述。
(1)粗略调整步骤S21
图9是用于描述根据本实施方式的粗略调整步骤S21的控制的示图。
粗略调整步骤S21包括“格子状信号获取步骤S211”、“二维分布参数推测步骤S212”、以及“最大位置移动步骤S213”的过程。在下文中，将描述各个过程。
(1-1)格子状信号获取步骤S211
在步骤S211中，通过照射检测单元执行对来自事先设置的多个检测位置D21的荧光的检测(参考图9的A)。在步骤S211中，以图9的A中的参考标号D21示出了执行荧光检测的微芯片2上的位置。在图9的A中，示出了其中从被布置成X轴方向上的6行和Z轴方向上的7行，以基准点P0为中心的检测位置D21检测荧光的情况作为实施例。
在其中设置检测位置D21并且包括样品流路22的区域中，检测位置D21的数目和布置长宽比不受具体限制，而是只要该区域中包括样品流路22，则可随意设置。如图9的A所示，优选为检测位置D21布置成在X轴方向和Z轴方向上的矩形图案。在这种情况下，根据样品流路22的流路宽度(流路直径)以及X轴方向和Z轴方向上检测位置D21的布置的数目M3和N3，能够适当的设置X轴方向和Z轴方向上检测位置D21的布置间隔W2和H2。例如，布置间隔W2和H2分别被设置成62.5μm和125μm。执行大致类似于第一实施方式的信号获取步骤S2的荧光检测。
(1-2)二维分布参数推测步骤S212
在步骤S212中，控制单元10假设各个检测位置D21与荧光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循二维概率分布。此外，对于在步骤S211中获取的检测位置和检测强度以及指示照射位置与照射强度之间关系的激光的照射轮廓，各个检测位置的检测强度与对应照射位置的照射强度具有相关性关系。为此，优选为根据激光的照射轮廓选择所假设的概率分布。
例如，如图10的A所示，当照射轮廓是平顶射束(top-hat beam)的形状时(后面所描述)，控制单元10则能够假设均匀分布作为概率分布模型。
另一方面，如图10的B所示，当照射轮廓是高斯射束(Gaussian beam)的形状时(后面所描述)，则能够假设正态分布作为概率分布模型。因此，通过根据激光的照射轮廓选择概率分布可以根据装置的激光的光学特性高速并且高精度地调整光学位置。
此外，当假设各个检测位置D21与荧光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循二维概率分布时，控制单元10则基于随机信息通过概率法推测概率分布的分布参数。例如，控制单元10能够通过最大似然估计方法推测关于各个积分值或者平均值的分布参数(平均(分布中心位置)、离差(分布的扩展性)等)。
在最大似然估计方法中，在推测检测强度与检测位置之间的关系处于二维正态分布时，可以基于事先存储在控制单元10中的概率分布模型推测二维正态分布的中心位置(检测强度为最大的位置)处于最大似然时的位置。根据最大似然估计方法，即使检测强度的数据较小，也可以高精度地推测检测强度为最大时的位置(激光L1的光轴中心位置)。
(1-3)最大位置移动步骤S213
在步骤S213中，控制单元10向位置调整单元9输出针对其中在概率分布推测步骤S212中推测的概率分布中的检测强度的积分值或者平均值变得较高(优选地，变成最大值)的位置P1的移动信号。因此，如图9的C所示，位置调整单元9将微芯片2的位置从基准点P0移动至位置P1。
此处，将参考图10描述最大位置的计算方法。图10是示出了其中从一个方向观看二维概率分布的状态的示图。在图10的A中，示出了平顶分布(均匀分布)。当推测概率分布为平顶分布时，控制单元10确定图10的A中的边缘E1和边缘E2的中心位置作为检测强度为最大时的位置。
另一方面，在图10的B中，示出了高斯分布(Gaussian distribution)。如图10的B所示，当推测概率分布被推测为高斯分布时，可以将其中检测强度的积分值或者平均值具有最大值b的位置设置成其中倾角(inclination)为0(倾角a)的位置。在流式细胞仪1中，优选为激光的光学轮廓是高斯分布，并且在这种情况下，多个检测强度的积分值或者平均值的分布可以是高斯分布。
因此，在粗略调整步骤S21中，推测多个检测位置D21中的光的检测强度的积分值或者平均值为指定的二维概率分布，并且可以将微芯片2移动至概率分布中光的检测强度的积分值或者平均值变得较高(优选地，变成最大值)的位置。
如上所述，根据本实施方式的光学位置调整方法，通过推测各个检测位置D21的检测强度的概率分布，可以在不增加检测位置D21的数目的情况下改善微芯片2的位置调整精度。
(2)第一微调整步骤S22
图11是用于描述根据本实施方式的第一微调整步骤S22的控制的示图。第一微调整步骤S22包括“线性信号获取步骤S221”、“一维分布参数推测步骤S222”、以及“最大位置移动步骤S223”的过程。在下文中，将描述各个过程。
(2-1)线性信号获取步骤S221
在步骤S221中，以粗略调整步骤S21中设置的位置P1为中心，执行来自布置在X轴方向上的多个检测位置d22的荧光检测(图11的A)。能够适当地设置被检测的间隔W22和检测位置d22的布置的数目。在图11的A中，示出了其中19个检测位置d22布置在以位置P1为中心的X轴方向上的情况作为实施例。执行大致类似于第一实施方式的信号获取步骤S2的荧光检测。
(2-2)一维分布参数推测步骤S222
在步骤S222中，控制单元10假设各个检测位置d22与荧光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循存储器等中存储的一维分布。例如，当获得图11的B中所示的检测强度的数据时，控制单元10将一维分布设置成N阶多项式模型，并且由此可以基于最小平方法计算最大值。与其中一维分布被设置成正态分布的情况相比较，将一维分布设置成N阶多项式模型允许光学轮廓的分布由于构成流式细胞仪1的各个部件的设计变化等被高精度的处理。
此处，在设置N阶多项式模型的分布时，当精度随着阶数变高增加时，当阶数过高时，精度由于各个检测位置d22的检测强度的误差而易于受影响，并且由此可以优选为阶数是四阶。
(2-3)最大位置移动步骤S223
在步骤S223中，控制单元10将针对其中在一维参数推测步骤S222中假设的一维分布中的检测强度的积分值或者平均值变得较高(优选地，变成最大值)的位置P2的移动信号输出给位置调整单元9。因此，如图11的C所示，位置调整单元9将微芯片2的位置从位置P1移动至位置P2。而且，示出了其中图11的C中所示的位置P2位于检测位置d22上的情况作为实施例，但是，位置P2可介于两个检测位置d22之间。
因此，在第一微调整步骤S22中，可以高精度调整已在粗略调整步骤S21中调整的微芯片2的位置。具体地，基于布置在一个方向上的检测位置d22的检测强度执行微芯片2的位置调整。为此，与基于布置在多个方向上(例如，矩形图案)的检测位置的强度执行位置调整的情况相比较，可以减少待检测的数据项的数目。因此，与以二维方式获取数据的情况相比较，即使布置的数目增加，并且数据精度增加，也可以通过缩小检测位置d22的间隔来抑制数据检测时间增加。
(3)第二微调整步骤S23
图12是用于描述根据本实施方式的第二微调整步骤S23的控制的示图。第二微调整步骤S23包括“线性信号获取步骤S231”、“一维参数推测步骤S232”、以及“最大位置移动步骤S233”的过程。
如图12的A至图12的C所示，除了基于布置在以位置P2为中心的Y轴方向上的检测位置d23的检测强度，将微芯片2在Y轴方向上从位置P2移动至位置P3，而不是基于布置在X轴方向上的检测位置d22的检测强度将微芯片2从X轴方向上的位置P1移动至位置P2之外，该步骤S23的控制与参考图11的A至图11的C所描述的第一微调整步骤S22大致相同，。为此，此处将省去其相关描述。
此处，在第一微调整步骤S22中，在X轴方向(微芯片2的流宽度方向)上执行位置调整，并且在第二微调整步骤S23中，在Z轴方向(激光L1的焦点方向)上执行位置调整。因为与X轴方向相比较，Z轴方向具有更宽的光学轮廓宽度(荧光的检测强度在宽范围内较高)，所以与X轴方向上的位置调整相比较，可以根据在如上所述的粗略调整步骤S21中执行的处理，很可能以高精度执行Z轴方向上的位置调整。为此，在粗略调整步骤S21中，优选为首先固定其中以更高精度执行位置调整的Z轴方向，然后，执行微芯片2在X轴方向上的位置调整。因此，优选为按照此顺序执行第一微调整步骤S21和第二微调整步骤S22。
在第二微调整步骤S23中，在不同于第一微调整S22的微调整方向的方向上执行微芯片2的位置调整，从而允许以更高精度执行位置调整。
(4)更微小的调整步骤S24
图13是用于描述根据本实施方式的第二微调整步骤S23的控制的示图。更微小的调整步骤S24包括“信号获取步骤S241”、“积分值最大位置确定步骤S6”、“变化系数确定步骤S7”、以及“位置最优化步骤S8”的过程。
如图13的A所示，首先，在信号获取步骤S241中，在第二微调整步骤S23中设置的以位置P3为中心的多个检测位置d24中执行荧光检测。在图13的A中，示出了其中X轴方向的布置的数目M4是11行并且Z轴方向的布置的数目N1是3行的情况作为实施例。执行大致类似于第一实施方式的信号获取步骤S2的荧光检测。
接着，在信号获取步骤S241中执行荧光检测之后，执行大致类似于第一实施方式的控制步骤的积分值最大位置确定步骤S6、变化系数确定步骤S7、以及位置最优化步骤S8的积分值最大位置确定步骤S6、变化系数确定步骤S7、以及位置最优化步骤S8(参考图13的B和图13的C)。
因此，微芯片2移动至最为合适的位置(在图13的C中，从P3移动至P4)。
而且，在本实施方式中，按照“粗略调整步骤S21”、“第一微调整步骤S22”、“第二微调整步骤S23”、以及“更微小的调整步骤S24”的顺序描述各个过程，但是，例如，可以多次重复“粗略调整步骤S21”、“第一微调整步骤S22”、以及“第二微调整步骤S23”。此外，仅一次或者多次执行“粗略调整步骤S21”、“第一微调整步骤S22”、以及“第二微调整步骤S23”，并且可以省去“更微小的调整步骤S24”。
如上所述，根据本实施方式的光学位置调整方法，假设各个检测位置与检测强度之间的关系遵循指定的概率分布模型，并且基于概率法推测分布参数，从而允许在不增加检测位置的数目的情况下在快速处理中以高精度执行微芯片2的位置调整。
在根据本技术的微芯片型光学测量装置中，除微粒测量装置(流式细胞仪)之外，在广义上包括用于光学测量被导入至具有形成在其中的微芯片的区域的待测量物体的装置。此外，根据本发明的光学位置调整方法能够广泛应用于光学测量被导入至具有在其中形成有微芯片的区域中的待测量物体的全部装置而非微粒测量装置(流式细胞仪)。
根据本技术的微芯片型光学测量装置能够被配置如下。
(1)一种微芯片型光学测量装置，包括：
照射检测单元，所述照射检测单元检测通过使用激光照射微芯片而产生的光；
位置调整单元，所述位置调整单元改变所述微芯片相对于所述照射检测单元的相对位置；以及
控制单元，所述控制单元将针对其中预设定区域中的所述光的检测强度的积分值或者平均值变得较高的位置的移动信号输出给所述位置调整单元。
(2)根据(1)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元假设所述光的检测位置与所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值之间的关系遵循预存储的概率分布；基于预存储的概率法推测所述概率分布的分布参数；并且由此通过所述推测生成其中所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值变成最大的所述位置的所述移动信号。
(3)根据(2)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元根据所述激光的照射轮廓假设所述概率分布。
(4)根据(1)至(3)中任一项所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元将针对其中多个预设定点中的所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值的变化系数变成最小的位置的所述移动信号输出给所述位置调整单元。
(5)根据(4)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元将针对其中多个预设定面积中的所述检测强度的所述积分值的面积平均变成最大的面积的所述移动信号输出给所述位置调整单元。
(6)根据(5)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元将针对其中所述多个预设定点中的所述检测强度的所述积分值变成最大的位置的所述移动信号输出给所述位置调整单元。
(7)根据(6)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述控制单元将针对其中最大面积平均的面积中的所述检测强度的所述积分值变成最大的第一最佳位置的所述移动信号或者针对其中所述最大面积平均的所述面积中的所述变化系数变成最小的第二最佳位置的所述移动信号输出给所述位置调整单元。
(8)根据(7)所述的微芯片型光学测量装置，其中，当所述第一最佳位置与所述第二最佳位置彼此不同时，所述控制单元将针对所述第二最佳位置的所述移动信号输出给所述位置调整单元。
(9)根据(1)至(8)所述的微芯片型光学测量装置，其中，所述微芯片型光学测量装置是微芯片型微粒测量装置。
此外，根据本技术的微芯片型光学测量装置的光学位置调整方法能够被配置为如下。
(1)一种光学位置调整方法，包括：
用于从所述微芯片上的多个位置检测通过激光照射从微芯片上产生的光的过程；和
用于指定其中区域(其中存在多个预设定点)中的所述光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置的过程。
(2)根据(1)所述的光学位置调整方法，其中，在用于指定所述位置的所述过程中，假设所述光的检测位置与所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值之间的关系遵循预存储的概率分布；基于预存储的概率法推测概率分布的分布参数；并且由此通过所述推测指定其中所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值变成最大的所述位置。
(3)根据(2)所述的光学位置调整方法，其中，在用于指定所述位置的所述过程中，所述概率分布被设置成二维分布。
(4)根据(3)所述的光学位置调整方法，进一步包括用于假设通过所述概率分布从其中推测所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值为最大的所述位置至预定位置的所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值的关系遵循一维分布并且由此通过所述一维分布指定其中所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值的位置变成最大的位置的过程。
(5)根据(1)至(4)中任一项所述的光学位置调整方法，其中，在用于指定所述位置的所述过程中，所述位置被设置成其中多个预设定点中的所述光的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值的变化系数变成最小的位置。
(6)根据(5)所述的光学位置调整方法，进一步包括用于指定其中多个预设定面积中的所述光的所述检测强度的所述积分值的面积平均变成最大的位置的过程。
(7)根据(6)所述的光学位置调整方法，进一步包括用于指定其中最大面积平均的面积中的所述检测强度的所述积分值变成最大的第一最佳位置的过程。
(8)根据(7)所述的光学位置调整方法，其中，用于指定其中所述变化系数变成最小的所述位置的所述过程是用于指定其中所述最大面积平均的所述面积中的所述变化系数变成最小的第二最佳位置的过程。
(9)根据(8)所述的光学位置调整方法，进一步包括用于将所述微芯片相对于所述激光的相对位置设定成所述第一最佳位置或者所述第二最佳位置的过程。
(10)根据(9)所述的光学位置调整方法，其中，当所述第一最佳位置和所述第二最佳位置彼此不同时，所述相对位置被设置为所述第二光学位置。
(11)一种微芯片型光学测量装置的光学位置调整方法，包括：
用于从所述微芯片上的多个位置检测其中通过激光照射从微芯片产生的光的过程；
用于指定其中所述光的检测强度的积分值的面积平均变得较高的位置的过程；
用于指定其中所述面积平均变得较高的面积中的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值变得较高的第一最佳位置的过程；
用于指定其中所述面积平均变得较高的所述面积中的所述检测强度的所述积分值或者所述平均值的变化系数变得较小的第二最佳位置的过程；以及
用于将所述微芯片相对于所述激光的相对位置设置成所述第一最佳位置或者所述第二最佳位置的过程。
参考标识列表
1 微芯片型光学测量装置
2 微芯片
21 孔
22 样品流路
23 样品进口
3 振动元件
41 荷电单元
42 电极
51,52 偏向板
61 光源
62 检测器
81,82,83 收集容器
9 位置调整单元
10 控制单元
D 检测位置
F1 荧光
L1 激光

Claims (20)

1.一种微芯片型光学测量装置，包括：
照射检测单元，检测通过使用激光照射微芯片而产生的光；
位置调整单元，改变所述微芯片相对于所述照射检测单元的相对位置；以及
控制单元，向所述位置调整单元输出至预设定区域中的所述光的检测强度的积分值或者平均值变大的位置的移动信号。
2.根据权利要求1所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元假设所述光的检测位置与所述光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循预存储的概率分布，基于概率法推测所述概率分布的分布参数，并且由此通过所述推测生成至所述光的检测强度的积分值或者平均值变为最大的位置的移动信号。
3.根据权利要求2所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元根据所述激光的照射轮廓选择所述概率分布。
4.根据权利要求1所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元向所述位置调整单元输出至多个预设定点中的所述光的检测强度的积分值或者平均值的变化系数变为最小的位置的移动信号。
5.根据权利要求4所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元向所述位置调整单元输出至多个预设定面积中的所述检测强度的积分值的面积平均变为最大的面积的移动信号。
6.根据权利要求5所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元向所述位置调整单元输出至所述多个预设定点中的所述检测强度的积分值变为最大的位置的移动信号。
7.根据权利要求6所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述控制单元向所述位置调整单元输出至最大面积平均的面积中的所述检测强度的积分值变为最大的第一最佳位置的移动信号或者至所述最大面积平均的面积中的所述变化系数变成最小的第二最佳位置的移动信号。
8.根据权利要求7所述的微芯片型光学测量装置，
其中，当所述第一最佳位置与所述第二最佳位置彼此不同时，所述控制单元向所述位置调整单元输出至所述第二最佳位置的移动信号。
9.根据权利要求8所述的微芯片型光学测量装置，
其中，所述微芯片型光学测量装置是微芯片型微粒测量装置。
10.一种微芯片型光学测量装置的光学位置调整方法，包括：
从微芯片上的多个位置检测通过激光照射而从所述微芯片产生的光的过程；以及
指定预设定区域中的所述光的检测强度的积分值或者平均值变为最大的位置的过程。
11.根据权利要求10所述的光学位置调整方法，
其中，在用于指定所述位置的过程中，假设所述光的检测位置与所述光的检测强度的积分值或者平均值之间的关系遵循预存储的概率分布，基于概率法推测所述概率分布的分布参数，并且由此通过所述推测指定所述光的检测强度的积分值或者平均值变为最大的位置。
12.根据权利要求11所述的光学位置调整方法，
其中，在用于指定所述位置的过程中，所述概率分布被设定为二维分布。
13.根据权利要求12所述的光学位置调整方法，进一步包括：
用于假设通过所述概率分布从推测所述光的检测强度的积分值或者平均值为最大的位置至预定位置的所述光的检测强度的积分值或者平均值的关系遵循预存储的一维概率分布，基于所述概率法推测所述概率分布的所述分布参数，并且由此通过所述推测指定所述光的检测强度的积分值或者平均值变成最大的位置的过程。
14.根据权利要求10所述的光学位置调整方法，
其中，在用于指定所述位置的过程中，所述位置被设定为多个预设定点中的所述光的检测强度的积分值或者平均值的变化系数变成最小的位置。
15.根据权利要求14所述的光学位置调整方法，进一步包括：
用于指定多个预设定面积中的所述光的检测强度的积分值的面积平均变成最大的位置的过程。
16.根据权利要求15所述的光学位置调整方法，进一步包括：
用于指定最大面积平均的面积中的所述检测强度的积分值变成最大的第一最佳位置的过程。
17.根据权利要求16所述的光学位置调整方法，
其中，指定所述变化系数变成最小的位置的过程是用于指定所述最大面积平均的面积中的所述变化系数变成最小的第二最佳位置的过程。
18.根据权利要求17所述的光学位置调整方法，进一步包括：
将所述微芯片相对于所述激光的相对位置设定为所述第一最佳位置或者所述第二最佳位置的过程。
19.根据权利要求18所述的光学位置调整方法，
其中，当所述第一最佳位置与所述第二最佳位置彼此不同时，所述相对位置被设定为所述第二最佳位置。
20.一种微芯片型光学测量装置的光学位置调整方法，包括：
用于从微芯片上的多个位置检测通过激光照射而从所述微芯片产生的光的过程；
用于指定所述光的检测强度的积分值的面积平均变成最大的位置的过程；
用于指定最大面积平均的面积中的所述检测强度的积分值或者平均值的变成最大的第一最佳位置的过程；
用于指定所述最大面积平均的面积中的所述检测强度的积分值或者平均值的变化系数变成最小的第二最佳位置的过程；以及
用于将所述微芯片相对于所述激光的相对位置设定为所述第一最佳位置或者所述第二最佳位置的过程。
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