CN104183651A - 一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于氮化镓功率器件技术领域，具体为一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。本发明的氮化镓半浮栅功率器件包括氮化镓沟道层中的第一凹槽和第二凹槽，栅介质层覆盖第一凹槽的内表面并将第二凹槽暴露出来，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管。本发明的氮化镓半浮栅功率器件结构简单、易于制造，而且本发明的双凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用。
Description
技术领域
本发明属于半导体功率器件技术领域，特别是涉及一种氮化镓半浮栅功率器件及其制造方法。
背景技术
高电子迁移率的宽禁带器件比如氮化镓高电子迁移率晶体管相对于传统的硅器件具有耐高温、高效率、高速度等优点，已被广泛使用。目前，600V的氮化镓高电子迁移率器件很难做成常关型，即使做成常关型器件，其阈值电压也接近0V，容易被误开启。因此600V的氮化镓功率开关通常由一个常开型氮化镓高电子迁移率晶体管器件和一个常关型硅基器件用共源共栅连接方式组成。
公知的共源共栅的氮化镓功率开关电路如图1所示，包括共源共栅配置的常开型氮化镓晶体管(MGaN) 和常关型硅基MOS晶体管(MSi)，其中，硅基MOS晶体管(MSi)主动地被栅极驱动器控制，栅极驱动器产生栅极信号（VGM）。氮化镓晶体管（MGaN）是间接的通过硅基MOS晶体管 (MSi)控制，因为硅基MOS晶体管 (MSi)的漏极-源极电压等于氮化镓晶体管（MGaN）的源极-栅极电压。共源共栅的氮化镓功率开关的优点是可以使用现有标准的栅极驱动器，因此共源共栅的氮化镓功率开关可以被用来直接替换硅基MOS晶体管开关。然而共源共栅的氮化镓功率开关由常开型氮化镓晶体管(MGaN) 和常关型硅基MOS晶体管(MSi)组成，结构复杂，而且共源共栅的氮化镓功率开关的可靠性不高。首先共源共栅的氮化镓晶体管开关在动态雪崩时，低压的常关型硅基MOS晶体管容易被击穿；其次，氮化镓晶体管由于在动态操作中存在电压脉冲，因此也存在被击穿、栅极pn结反向导通等问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种氮化镓半浮栅功率器件，能够简化氮化镓功率器件的结构并提高其可靠性。
本发明提供的氮化镓半浮栅功率器件，包括：
半导体基底上的氮化镓阻挡层，该氮化镓阻挡层之上设有氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层之上设有氮化镓铝隔离层；
所述氮化镓铝沟道层内设有第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽和第二凹槽的底部延伸至所述氮化镓沟道层的下表面，所述氮化镓铝隔离层将所述第一凹槽和第二凹槽暴露出来；
所述氮化镓铝隔离层之上设有栅介质层，该栅介质层覆盖所述第一凹槽的内表面，且该栅介质层中设有一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；
覆盖所述栅介质层设有浮栅，该浮栅填满所述第一凹槽和第二凹槽；
所述浮栅之上设有层间介质层，该层间介质层之上设有控制栅；
所述控制栅的两侧设有源极和漏极，该源极和漏极设于所述氮化镓沟道层之上，且该漏极设于靠近所述第一凹槽的一侧，该源极设于靠近所述第二凹槽的一侧。
本发明的一种氮化镓半浮栅功率器件的进一步优选方案为：
本发明所述浮栅的材质为铬、或者含镍或含钨的合金、或者掺杂的多晶硅。
本发明所述浮栅在所述第二凹槽内与所述氮化镓沟道层接触并形成肖特基二极管。
本发明所述层间介质层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种。
本发明所述控制栅为多晶硅控制栅或者金属控制栅。
基于上述的一种氮化镓半浮栅功率器件的制造方法，具体步骤包括：
在半导体基底上依次形成氮化镓阻挡层、氮化镓沟道层和氮化镓铝隔离层；
进行光刻和刻蚀，在所述氮化镓沟道层内形成第一凹槽和第二凹槽；
淀积一层栅介质层并进行光刻和刻蚀，在所述栅介质层中形成一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；
覆盖上述形成的结构，淀积第一层导电薄膜；
在所述第一层导电薄膜之上形成第一层绝缘薄膜；
在所述第一层绝缘薄膜之上形成第二层导电薄膜；
进行光刻并依次刻蚀所述第二层导电薄膜、第二层绝缘薄膜和第一层导电薄膜，形成覆盖所述第一凹槽和第二凹槽的浮栅以及位于浮栅之上的层间介质层和控制栅；
在所述控制栅的两侧分别形成于与所述氮化镓沟道层接触的源极和漏极。
本发明与现有技术相比其显著优点在于：首先，本发明的氮化镓半浮栅功率器件在氮化镓沟槽层形成有第一凹槽和第二凹槽，浮栅覆盖第一凹槽和第二凹槽并且在第二凹槽内与氮化镓沟道层接触形成肖特基二极管，从而形成半浮栅结构,使得一个本发明的氮化镓半浮栅功率器件就可以实现共源共栅连接方式的两个晶体管的功能，简化半导体功率器件的结构。其次，本发明的第一凹槽和第二凹槽结构能够提高氮化镓半浮栅功率器件在工作状态时的阈值电压，使其能够更好地作为功率开关管使用，并提高氮化镓半浮栅功率器件的可靠性。
附图说明
图1是现有技术的一种共源共栅的氮化镓功率开关电路示意图。
图2是本发明提出的氮化镓半浮栅功率器件的一个实施例的剖面结构图。
图3-图5是本发明提出的氮化镓半浮栅功率器件的一个实施例的制造工艺流程图。
具体实施方式
为清楚地说明本发明的具体实施方式，说明书附图中所列示图，放大了本发明所述的层和区域的厚度，且所列图形大小并不代表实际尺寸；附图是示意性的，不应限定本发明的范围。说明书中所列实施例不应仅限于附图中所示区域的特定形状，而是包括所得到的形状如制造引起的偏差等、再如刻蚀得到的曲线通常具有弯曲或圆润的特点，但在本发明实施例中均以矩形表示。同时在下面的描述中，所使用的术语衬底可以理解为包括正在工艺加工中的半导体晶片，可能包括在其上所制备的其它薄膜层。
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
图2是本发明提出的氮化镓半浮栅功率器件的一个实施例的剖面结构图，如图2所示，本发明的氮化镓半浮栅功率器件，包括半导体基底11上的氮化镓阻挡层12，半导体基底11通常为硅衬底。氮化镓阻挡层12之上设有氮化镓沟道层13，该氮化镓沟道层13之上设有氮化镓铝隔离层15。
在氮化镓铝沟道层13内设有第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽和第二凹槽的底部延伸至所述氮化镓沟道层的下表面，且氮化镓铝隔离层15将该第一凹槽和第二凹槽暴露出来；氮化镓铝隔离层15之上设有栅介质层501，该栅介质层501覆盖所述第一凹槽的内表面，且该栅介质层501中设有一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来。
覆盖栅介质层501设有浮栅103，该浮栅103填满所述第一凹槽和第二凹槽。在所述第一凹槽内，栅介质层501将浮栅103与所述第一凹槽的内表面隔离；在所述第二凹槽内，浮栅103与氮化镓沟道层13接触并形成肖特基二极管。浮栅501的材质通常为铬、或者含镍或含钨的合金、或者掺杂的多晶硅。
在浮栅501之上设有层间介质层502，该层间介质层502之上设有控制栅104；层间介质层502通常为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种，控制栅104通常为多晶硅控制栅或者金属控制栅的一种。
在控制栅104的两侧设有源极101和漏极102，该源极101和漏极102设于所述氮化镓沟道层13之上，且该漏极102设于靠近所述第一凹槽的一侧，该源极101设于靠近所述第二凹槽的一侧。栅极侧墙60为氧化硅或氮化硅，为半导体器件中通用的结构，用于将浮栅103和控制栅极104与其它导电层隔离。通常第二凹槽的（垂直于纸面）宽度小于器件有源区的宽度，这样使得该高电子迁移率器件的沟道可以有效地连接到源极101。
图3-图5是本发明提出的氮化镓半浮栅功率器件的一个实施例的制造工艺流程图。
首先，如图3所示，在半导体基底11上依次形成氮化镓阻挡层12、氮化镓沟道层13和氮化镓铝隔离层15，之后进行光刻并依次刻蚀氮化镓铝隔离层15和氮化镓沟道层13，在氮化镓沟道层13内形成第一凹槽701和第二凹槽702。
接下来，如图4所示，覆盖上述形成的结构淀积一层栅介质层501并进行光刻和刻蚀，在栅介质层501中形成一个浮栅开口703，该浮栅开口703的开口宽度大于第二凹槽702的开口宽度，从而浮栅开口703将第二凹槽702暴露出来。
接下来，如图5所示，覆盖上述形成的结构淀积第一层导电薄膜、第一层绝缘薄膜和第二层导电薄膜，之后进行光刻并依次刻蚀所述第二层导电薄膜、第二层绝缘薄膜和第一层导电薄膜，形成覆盖所述第一凹槽和第二凹槽的浮栅103以及位于浮栅103之上的层间介质层502和控制栅104。
最后，利用业界所熟知的工艺在控制栅104的两侧分别形成于与所述氮化镓沟道层接触的源极和漏极即可。
本发明的具体实施方式中凡未涉到的说明属于本领域的公知技术，可参考公知技术加以实施。
以上具体实施方式及实施例是对本发明提出的一种半浮栅功率器件技术思想的具体支持，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何等同变化或等效的改动，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
Claims (6)
1. 一种氮化镓半浮栅功率器件，包括：
半导体基底上的氮化镓阻挡层，该氮化镓阻挡层之上设有氮化镓沟道层，该氮化镓沟道层之上设有氮化镓铝隔离层；
其特征在于；
所述氮化镓铝沟道层内设有第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽和第二凹槽的底部延伸至所述氮化镓沟道层的下表面，所述氮化镓铝隔离层将所述第一凹槽和第二凹槽暴露出来；
所述氮化镓铝隔离层之上设有栅介质层，该栅介质层覆盖所述第一凹槽的内表面，且该栅介质层中设有一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；
覆盖所述栅介质层设有浮栅，该浮栅填满所述第一凹槽和第二凹槽；
所述浮栅之上设有层间介质层，该层间介质层之上设有控制栅；
所述控制栅的两侧设有源极和漏极，该源极和漏极设于所述氮化镓沟道层之上，且该漏极设于靠近所述第一凹槽的一侧，该源极设于靠近所述第二凹槽的一侧。
2. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述浮栅的材质为铬、或者含镍或含钨的合金、或者掺杂的多晶硅。
3. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述浮栅在所述第二凹槽内与所述氮化镓沟道层接触并形成肖特基二极管。
4. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述层间介质层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种。
5. 根据权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件，其特征在于所述控制栅为多晶硅控制栅或者金属控制栅。
6. 关于权利要求1所述的氮化镓半浮栅功率器件的制造方法，包括：
在半导体基底上依次形成氮化镓阻挡层、氮化镓沟道层和氮化镓铝隔离层；
其特征在于还包括：
进行光刻和刻蚀，在所述氮化镓沟道层内形成第一凹槽和第二凹槽；
淀积一层栅介质层并进行光刻和刻蚀，在所述栅介质层中形成一个浮栅开口，该浮栅开口将所述第二凹槽暴露出来；
覆盖上述形成的结构淀积第一层导电薄膜；
在所述第一层导电薄膜之上形成第一层绝缘薄膜；
在所述第一层绝缘薄膜之上形成第二层导电薄膜；
进行光刻并依次刻蚀所述第二层导电薄膜、第二层绝缘薄膜和第一层导电薄膜，形成覆盖所述第一凹槽和第二凹槽的浮栅以及位于浮栅之上的层间介质层和控制栅；
在所述控制栅的两侧分别形成于与所述氮化镓沟道层接触的源极和漏极。
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ID=
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016026322A1 (zh) * | 2014-08-17 | 2016-02-25 | 复旦大学 | 半浮栅功率器件及其制造方法 |
| CN106206737A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 半浮栅晶体管工艺方法 |
| CN106298887A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-04 | 中山大学 | 一种高阈值电压高迁移率凹槽栅mosfet的制备方法 |
| CN110352498A (zh) * | 2017-02-27 | 2019-10-18 | 株式会社田村制作所 | 沟槽mos型肖特基二极管 |
| CN111477627A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-31 | 复旦大学 | 一种基于双浮栅材料的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111490045A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-04 | 复旦大学 | 一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111540740A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-14 | 复旦大学 | 基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN112117271A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | 意法半导体应用有限公司 | 包括氮化镓功率晶体管的单片式组件 |
| CN112838089A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-05-25 | 复旦大学 | 半浮栅存储器及其制造方法 |
| CN112909000A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-06-04 | 复旦大学 | 半浮栅存储器及其制造工艺 |
| CN113161360A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-23 | 复旦大学 | 一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090032879A1 (en) * | 2005-12-28 | 2009-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor device |
| WO2009116223A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| CN102856372A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-01-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双栅四端iii族氮化物增强型hemt器件的封装结构 |
| CN103579275A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-12 | 复旦大学 | 一种半浮栅感光器件的制造方法 |
| CN103594519A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-19 | 苏州智权电子科技有限公司 | 一种隧穿场效应浮栅晶体管及其制造方法 |
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090032879A1 (en) * | 2005-12-28 | 2009-02-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor device |
| WO2009116223A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| CN102856372A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-01-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 双栅四端iii族氮化物增强型hemt器件的封装结构 |
| CN103579275A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-02-12 | 复旦大学 | 一种半浮栅感光器件的制造方法 |
| CN103594519A (zh) * | 2013-11-11 | 2014-02-19 | 苏州智权电子科技有限公司 | 一种隧穿场效应浮栅晶体管及其制造方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016026322A1 (zh) * | 2014-08-17 | 2016-02-25 | 复旦大学 | 半浮栅功率器件及其制造方法 |
| US10388650B2 (en) | 2014-08-17 | 2019-08-20 | Fudan University | Semi-floating-gate power device and manufacturing method therefor |
| CN106206737A (zh) * | 2016-08-19 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 半浮栅晶体管工艺方法 |
| CN106298887A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-04 | 中山大学 | 一种高阈值电压高迁移率凹槽栅mosfet的制备方法 |
| CN106298887B (zh) * | 2016-09-30 | 2023-10-10 | 中山大学 | 一种高阈值电压高迁移率凹槽栅mosfet的制备方法 |
| CN110352498A (zh) * | 2017-02-27 | 2019-10-18 | 株式会社田村制作所 | 沟槽mos型肖特基二极管 |
| CN112117271A (zh) * | 2019-06-19 | 2020-12-22 | 意法半导体应用有限公司 | 包括氮化镓功率晶体管的单片式组件 |
| CN111490045A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-04 | 复旦大学 | 一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111490045B (zh) * | 2020-04-27 | 2022-10-11 | 复旦大学 | 一种基于二维材料的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111477627A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-31 | 复旦大学 | 一种基于双浮栅材料的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111540740A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-08-14 | 复旦大学 | 基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN111540740B (zh) * | 2020-05-13 | 2022-06-21 | 复旦大学 | 基于pn结和肖特基二极管的半浮栅存储器及其制备方法 |
| CN112838089A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-05-25 | 复旦大学 | 半浮栅存储器及其制造方法 |
| CN112909000A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-06-04 | 复旦大学 | 半浮栅存储器及其制造工艺 |
| CN112909000B (zh) * | 2021-03-25 | 2022-10-21 | 复旦大学 | 半浮栅存储器及其制造工艺 |
| CN113161360A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-07-23 | 复旦大学 | 一种半浮栅存储器的制造工艺及半浮栅存储器 |
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